JP7261675B2 - 加熱処理装置及び加熱処理方法 - Google Patents

Description

本開示は、加熱処理装置及び加熱処理方法に関する。

特許文献１には、基板に形成された塗布膜を加熱処理する加熱処理装置において、処理容器内に設けられ、基板を載置する載置部と、前記載置部に載置された基板を加熱するための加熱部と、平面的に見て前記載置部上の基板よりも外側にて周方向に沿って設けられ、前記処理容器内に給気するための給気口と、平面的に見て前記載置部上の基板よりも外側にて周方向に沿って設けられ、前記処理容器内を排気するための外周排気口と、前記載置部上の基板の中央部の上方側に設けられ、前記処理容器内を排気するための中央排気口と、を備えた加熱処理装置が開示されている。

特開２０１６－１１５９１９号公報

本開示にかかる技術は、基板を加熱する際に発生する昇華物による悪影響を抑える。

本開示の一態様は、塗布膜が形成された基板を処理容器内で加熱する加熱処理装置であって、前記処理容器内に設けられ、前記基板を載置する載置部と、前記載置部に載置された基板を加熱するための加熱部と、前記載置部に形成された吸引口に通じ、前記載置部を貫通して直下に延伸する吸引管と、前記吸引管と吸引機構との間の吸引路に設けられた捕集容器と、前記捕集容器を昇降させて前記捕集容器と前記吸引管とを接続及び接続解除する昇降機構を有し、前記捕集容器は、平面視で前記載置部の直下に設けられ、前記吸引管と接続されており、前記捕集容器は、前記吸引管からの気流中の昇華物を析出させて前記捕集容器内の流路の内壁または容器内の底部に付着させる流路を有する、加熱処理装置である

本開示によれば、基板を加熱する際に発生する昇華物による悪影響を抑えることができる。

本実施形態にかかる加熱処理装置の構成を側面からみて模式的に示した説明図である。 図１の加熱処理装置で採用した捕集容器の平面図である。 図２の捕集容器の側面断面図である。 図２の捕集容器の平面断面図である。 図１の加熱処理装置においてウェハの吸着保持可能状態にあるときの様子を示す説明図である。 図１の加熱処理装置においてウェハの吸着保持可能状態を解除して、捕集容器と吸引管との接続を解除したときの様子を示す説明図である。 捕集容器にヒータを設けた例を示す説明図である。 捕集容器の下面に冷却板を取り付けた例を示す説明図である。 他の実施形態にかかる加熱処理装置の構成を側面からみて模式的に示した説明図である。

従来から、半導体基板、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」ということがある）の表面に、各種処理液、たとえばパターンを形成するためのレジスト液、プラズマ耐性を高めるためのハードマスク形成用の、たとえばＳＯＣが塗布されることがある。そしてこれらの処理液の塗布後は、加熱処理装置内にてウェハを加熱する加熱処理が行われている。このような加熱処理は、塗布膜の均一性を確保するため、対象ウェハを均一に加熱する必要があり、通常、平坦な載置台や熱板上に当該対象ウェハを載置して行われる。

ところで、近年、例えば３Ｄ－ＮＡＮＤ型チップのように、多層積層型デバイスが多く製造されるようになっているが、積層数が多くなってくると、一連の処理の過程でウェハ自体に反りが生じることがある。この反りが生じた状態で、例えば熱板上で当該ウェハを加熱処理すると、均一に加熱できずに膜厚の均一性に影響が出てしまう。

そのため、例えば熱板や載置台上にウェハを載置して加熱する場合、当該ウェハを吸引吸着してウェハの反りを矯正させながら当該ウェハを加熱することが行なわれる。

しかしながら対象ウェハ上に塗布された処理液が、例えば前記したＳＯＣの場合、加熱した際に多量の昇華物が発生することがある。このとき、処理空間内の雰囲気はウェハの上方や周囲から排気されているが、ウェハを吸引する吸引排気系については、別途熱板を貫通した吸引経路を通って排気される。この場合、吸引排気系は高い排気圧で吸引するため、吸引路は狭くなることが多く、そのため、発生した昇華物が吸引路内に付着して、所望の吸引圧力でウェハを吸引保持できず、ウェハの反りを矯正できないおそれがある。反りが矯正できないと、均一な加熱は難しくなり、膜厚の均一性に影響が生ずる。

本開示にかかる技術は、そのような反りのあるウェハを熱板などの載置部上に吸着保持して加熱する際に、昇華物が発生しても、吸引路に昇華物が付着することを抑え、吸引に影響を与えないようにする。

以下、本実施形態にかかる加熱処理装置の構成について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

図１は、本実施形態にかかる加熱処理装置の構成の概略を示している。本発明の実施の形態にかかる加熱処理装置は、図１に示すように処理容器１を有している。処理容器１は、底部を構成する底部構造体２と、天井部を構成する蓋部３と、側面を構成するリングシャッタ４を有している。処理容器１は、図示しない筐体内に設けられている。

底部構造体２は、図示しない前記筐体の基台５の上に支持部材６を介して支持されている。底部構造体２は、縁部１１よりも内側に凹部が形成されて扁平な円筒体からなる支持台１２を備えている。支持台１２の凹部には、ウェハＷを載置するための載置部である熱板１３が設けられている。

熱板１３内には、載置したウェハＷを加熱処理するための加熱部であるヒータ１４が設けられている。また底部構造体２を貫通し、ウェハＷを外部の図示しない搬送装置との間で受け渡しを行うための昇降ピン１５が例えば周方向等間隔に３本設けられている。昇降ピン１５は、基台５上に設けられた昇降機構１６により昇降して、熱板１３上に突出可能に構成されている。

蓋部３は、底部構造体２よりも直径の大きい円板状の部材で構成される。蓋部３は、前記した図示しない筐体の天井に支持されている。蓋部３は、平面視で、その外縁が底部構造体２の外縁よりも外側に位置する大きさを有している。蓋部３は中空形状であり、上面部３ａと下面部３ｂとの間に、扁平な円筒形状の排気室３ｃが形成されている。

排気室３ｃはその外縁が底部構造体２の外縁の位置とほぼ同じ位置となるように設定されている。下面部３ｂにおける周辺部には、排気室３ｃと連通する、複数の外周排気口３ｄが、周方向に等間隔に形成されている。外周排気口３ｄは、熱板１３に載置されたウェハＷの外縁よりも外側の位置に開口している。

排気室３ｃの上方、すなわち蓋部３の上面部３ａには、排気室３ｃに通ずる外周排気管２１が接続されている。外周排気管２１には、蓋部３側を上流側とすると、上流側からバルブＶ１及び流量調整部２２が設けられ、工場内に設置された工場排気系に接続されている。

また蓋部３の下面部３ｂの中央部には、中央排気口３ｅが形成されている。中央排気口３ｅの中心は、熱板１３に載置されたウェハＷの中心と一致するように開口している。中央排気口３ｅには、排気室３ｃを貫通するように設けられた中央排気管２３の一端側が接続されている。中央排気管２３には、蓋部３側を上流側とすると、上流側からバルブＶ２及び流量調整部２４が設けられ、工場排気系に接続されている。

底部構造体２の周囲には、底部構造体２と蓋部３との間の隙間の周囲を塞ぎ、処理空間を形成するためのシャッタ部材であるリングシャッタ４が設けられている。リングシャッタ４は、全体として環状の中空部を有する構成であり、外側シャッタ部４ａと内側シャッタ部４ｂを有し、外側シャッタ部４ａと内側シャッタ４ｂ部との間には、環状空間４ｃが形成されている。

外側シャッタ部４ａにおける上方側には、環状空間４ｃに連通する流入口４ｄが全周に亘って等間隔に形成されている。内側シャッタ部４ｂにおける下方側には、環状空間４ｃに連通する供給口４ｅが全周に亘って等間隔に形成されている。かかる構成により、処理容器１を収容する前記筐体（図示せず）内の不活性ガス、例えば窒素ガスは、処理容器１内に均一に供給される。

リングシャッタ４は、下面側の環状板４ｆによって支持されており、環状板４ｆは、基台５に設けられた昇降機構２５によって上下動する。すなわち、リングシャッタ４は、図１に示したように、内側シャッタ４ｂの上側が蓋部３の下面外周部に突き当たるまで上昇し、処理容器１におけるウェハＷの上方に処理空間Ｓを形成する。また下降した際には、熱板１３ウェハＷを搬入出すべく、ウェハＷを搬入出する搬送装置（図示せず）の進入退避空間が形成される。

なお蓋部３及び処理容器１の壁内には、各々排気室３ｃの内部、壁面において昇華物の析出を防ぐため、ヒータ（図示せず）が埋設されており、所望の温度、例えば３００℃に加熱されている。

熱板１３には、上面の周辺部に等間隔で複数、例えば８個の吸引口３１が形成されている。この吸引口３１には、各々熱板１３、底部構造体２を貫通する筒状の吸引管３２の上端部が接続されている。各吸引管３２の下端部は、基台５を貫通して、基台５の下方に配置される捕集容器４０に接続自在である。捕集容器４０は、平面視で熱板１３の直下に位置している。吸引管３２における基台５の貫通部分の外周には、断熱材３３が設けられている。

捕集容器４０は支持台５１によって支持され、支持台５１は昇降機構５２によって上下動自在である。図１に示した状態では、昇降機構５２によって捕集容器４０は上昇した位置、すなわち各吸引管３２の下端部と捕集容器４０とが接続位置にある。一方で、昇降機構５２によって支持台５１を下降すると、各吸引管３２の下端部と捕集容器４０との接続状態が解除される。捕集容器４０の下方には、受け止め部５３が配置されている。したがって昇降機構５２によって支持台５１を下降していくと、捕集容器４０のみを受け止め部５３に載置することができる。

次に捕集容器４０の詳細な構造について説明する。図２、図３に示したように、捕集容器４０の上面周辺部には、８本の吸引管３２の下端部と各々気密に接続される接続口４１が、周方向に等間隔で形成されている。

この捕集容器４０の内部には、図３に示したように、下側には相対的に圧力損失が少ない第１の空間４２が設けられ、上側には相対的に圧力損失が大きい第２の空間４３が形成されている。第１の空間４２は、各接続口４１の直下に位置する環状空間４２ａを有している。

一方第２の空間４３は、底板４４、側壁４５及び捕集容器４０の天板４０ａとによって囲まれた空間に形成されており、底板４４上には、図４に示されたような中心から外周側へと螺旋状に延びていく螺旋状の流路４６が形成されている。なお第１の空間４２は、捕集容器４０の底板４０ｂと底板４４、側壁４５とによって形成されている。

底板４４の中心には、流路４６に通ずる入口部４７が形成されている。一方流路４６における外周近くの終端部には出口部４８が形成されている。そして出口部４８には、捕集容器４０の外方に延びる吸引排気管４９が接続されている。吸引排気管４９は、バルブＶ３と接続自在である。そして捕集容器４０を上流側とすると、バルブＶ３から下流側は、たとえばイジェクタやブロワファンなどの吸引機構５０に通じている。したがって当該吸引機構５０を作動させることで、吸引口３１、吸引管３２、捕集容器４０から、吸引排気管４９、バルブＶ３、吸引機構５０へと続く吸引路が形成される。

以上の構成にかかる加熱処理装置は、図１に示したように、コンピュータからなる制御部６０によって各種動作が制御される。詳述すれば、制御部６０は、プログラム格納部を有しており、プログラム格納部には、昇降ピン１５の下降、上昇によるウェハＷの熱板１３への載置、熱板１３からの持ち上げ、リングシャッタ４の開閉、ヒータ１４による加熱、バルブＶ１、Ｖ２、Ｖ３の開閉、流量調整部２２、２４の流量調整、捕集容器４０の上昇と下降、吸引機構の動作等に関する指示を行なうように構成されたプログラムが格納されている。当該プログラムは、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）、メモリーカードなどの記憶媒体により格納されて制御部６０にインストールされたものであってもよい。

実施の形態にかかる加熱処理装置は、以上の構成を有しており、次にその動作等について説明する。加熱処理装置の前段処理では、例えばウェハＷに対して、カーボン膜の前駆体を含む塗布液が塗布され、塗布膜であるＳＯＣ膜が形成される。リングシャッタ４を下降させた状態で当該ウェハＷが搬送装置（図示せず）によって熱板１３の上方まで移動すると、当該搬送装置と昇降ピン１５との協働作用により、ウェハＷが昇降ピン１５に受け渡される。このとき熱板１３の表面温度は、例えば３５０℃となるように、ヒータ１４のパワーがコントロールされている。このとき捕集容器４０は、上昇位置、すなわち図１に示したように捕集容器４０が上昇して、捕集容器４０上面の接続口４１が、吸引管３２の下端部と接続された状態にある。当該上昇位置は、ウェハＷを吸引可能状態である。

そしてウェハＷが熱板１３上に載置されるとバルブＶ３が開放され、ウェハＷは吸引口３１からの吸引によって、熱板１３上に吸着保持される。したがって反りのあるウェハＷであっても、当該反りは吸引口３１からの吸引によって矯正され、ウェハＷを平坦状態にすることができる。これによってウェハＷに対して均一な加熱処理を行なうことが可能になる。

なお吸引を行なう吸引機構の吸引圧力、バルブＶ３の開度等の調整により、吸引圧力は制御可能である。したがってウェハを吸引する場合には、たとえば加熱処理の初期の場合には、吸引力を相対的に強くし、加熱処理の後期には、既にＳＯＣ膜は乾燥、硬化しているものとみなして、吸引力を相対的に弱くしたり、あるいは吸引自体を停止するようにしてもよい。このように吸引力の強弱や作動自体を制御することで、吸引量を節減することができる。

そしてウェハＷが熱板１３上に吸着保持されるとリングシャッタ４が上昇して、処理容器１を閉じた状態とし、これにより処理空間Ｓが区画形成される。次いでバルブＶ１、Ｖ２が開放され、中央排気口３ｅ、中央排気管２３からの排気と、外周排気口３ｄ、排気室３ｃ、外周排気管２１からの排気が行なわれた状態で、ウェハＷに対して加熱処理が行われる。

加熱処理の間、ウェハＷ上の塗布膜であるＳＯＣ膜中の溶剤の揮発が促進されると共に、塗布膜中の架橋剤により架橋反応が進行する。この間、塗布膜中の架橋剤や低分子成分が揮発するが、加熱処理後半には昇華物が多く発生するようになる。この昇華物の一部は、前記した中央排気口３ｅ及び外周排気口３ｄから排気されるが、残りの昇華物は、ウェハＷの下面と熱板１３との間の隙間から吸引口３１内へと流れて行く。これは熱板１３の表面には微小な空隙を創出するためのギャップピン、プロキシミティピンと呼称される微小な凸部が形成されており、また吸引口３１からの吸引力は、中央排気管２３、外周排気口３ｄからの排気よりも大きいためである。

そうすると、吸引口３１から吸引管３２内へと吸引された昇華物は、図３に示したように、捕集容器４０の接続口４１から環状空間４２ａを経て、第１の空間４２へと流れ込む。次いで第２の空間４３の底板４４の中心の入口部４７から、螺旋状の流路４６を巡って外周側へと向かい、出口部４８から、吸引排気管４９を経て、外部へと排気されていくことになる。

本実施の形態によれば、平面視において熱板１３の直下に捕集容器４０を設置し、各吸引管３２は、この捕集容器４０と垂直に接続されているから、昇華物を含んだ気流は、まず捕集容器４０内の底板４０ｂに衝突する。したがって、当該気流中の昇華物は、まず底板４０ｂへの慣性衝突によって一部析出して、底板４０ｂに付着する。

次いで第１の空間４２の気流は、第２の空間４３における底板４４の中心に設けられた入口部４７へと向かい、螺旋状の流路４６を流れて行く。流路４６は、螺旋状に形成されているから、第１の空間４２よりも圧力損失が大きいため、昇華物を含んだ気流は、この流路４６を流れて行く過程で、析出したり、流路４６内に付着する。このような過程を経て、昇華物の大部分は、捕集容器４０によって捕集されることになる。しかも流路４６は螺旋状に形成されているから、限られた捕集容器４０内のスペースにおいて、流路自体を長く確保できるから、昇華物の捕集効果は高い。

したがって、加熱処理時に発生した昇華物が、ウェハＷを吸引保持する径の小さい吸引口３１や吸引管３２内に付着してしまってこれらが閉塞することを抑えることができる。それゆえＳＯＣ膜など昇華物の発生が多い塗布膜を加熱処理する際にも、ウェハＷを好適に吸着保持できる。したがって加熱処理対象のウェハＷが反りのあるものであっても、吸引口３１による吸着保持によって、これを適切に矯正して平坦状態とすることができる。それゆえ、当該反りのあるウェハＷに対して、均一な加熱処理が可能である。

また前記実施の形態では、吸引管３２自体は熱板１３と接続され、熱伝導によって処理温度に近い温度となっているから、熱板１３に近い部分では昇華物が付着しても分解される。しかしながら、熱板１３から離れていくにしたがって放熱により、温度が低下する。特に基台５との貫通部では、そのまま貫通すると基台５へと放熱されるから、温度が低下し、吸引管３２の内周に昇華物が付着するおそれがある。本実施の形態では、当該貫通部分における吸引管３２の外周に断熱材３３が設けられているから、当該放熱は抑えられ、当該貫通部分における吸引管３２内周に昇華物が付着することが抑えられている。

前記したように加熱処理の際に発生し、吸引口３１から吸引する際の昇華物は捕集容器４０によって捕集されるが、加熱処理を長く重ねていくと、捕集容器４０内で捕集した昇華物によって、吸引排気自体に支障が出るおそれがある。そのため、例えば定期的に捕集容器４０を取り外してこれを保守したり、新しい捕集容器４０に交換する必要性がある。

かかる場合でも、実施の形態では適切に対応することができる。すなわち、図１、図５に示したように、ウェハＷを吸着保持可能な状態では、昇降機構５２によって支持台５１が上方に押し上げられており、捕集容器４０上面の接続口４１が、吸引管３２の下端部と接続された状態にある。したがって、まず吸引排気管４９とバルブＶ３との接続を解除し、昇降機構５２による捕集容器４０の上方への押し上げを解除して、図６に示したように、支持台５１を下降させていけば、捕集容器４０と吸引管３２の下端部との接続は解除され、捕集容器４０のみを受け止め部５３に載置することができる。それゆえ捕集容器４０の保守、交換が容易である。なお吸引管３２についても、これを熱板１３と着脱自在に構成しておけば、吸引管３２自体を別途メンテナンスすることが容易である。

なお前記実施の形態では、捕集容器４０内に圧力損失が相対的に小さい第１の空間４２と圧力損失が相対的に大きい第２の空間４３を形成したが、かかる場合、第２の空間４３に格別流路を設ける必要はなく、単に第１の空間４２よりも狭い空間としてもよい。また２つの空間に限らず、捕集容器４０内に大きさの異なった複数の空間を上下あるいは、水平方向に設けてもよい。もちろん吸引管３２からの気流の慣性衝突によって、昇華物を相応に捕集できるから、単一の空間のみを捕集容器４０内に形成したものであってもよい。

また流路４６自体も螺旋状に限らず、たとえばジグザグ状としたり、あるいは千鳥状に邪魔板を流路内に配置したような流路であってもよい。

さらに図７に示したように、捕集容器４０内に捕集した昇華物を積極的に分解するために、捕集容器４０に加熱機構としてのヒータ７１を設け、捕集した昇華物を加熱によって分解する構成としてもよい。かかる場合ヒータ７１は、昇華物を含んだ気流が、捕集容器４０内の底板４０ｂにおいて最初に衝突する領域を加熱するように設けることが効果的である。また捕集した昇華物を分解する触媒を捕集容器４０に設けてもよい。

さらにまた図８に示したように、捕集容器４０の下面側に冷却部７２を設け、捕集容器４０内の下面側を冷却して、昇華物を積極的に析出する構成としてもよい。冷却部７２としては、たとえば配管が不要なペルチェ素子が例示できる。もちろん冷媒、冷却水が通流する構成の冷却部としてもよい。

次に他の実施形態にかかる加熱処理装置について図９を用いて説明をする。なお説明にあたっては、図１で示される実施形態にかかる加熱処理装置１と比べて、異なっている部分について主に説明し、共通部分の説明は省略する。

図９に示した加熱処理装置８１は、リングシャッタ４に代えて、蓋部３の外周端部に円環状の垂下部３ｆが設けられている。そして蓋部３の外周部に固定部３ｇを設け、この固定部３ｇと昇降機構２５とが接続されている。したがって、昇降機構２５の作動によって蓋部３全体が昇降する構成となっている。

そして熱板１３の側方にある縁部１１に、熱板１３に向けてガスを供給するガス供給口１１ａが水平方向に設けられている。本実施の形態におけるガス供給口１１ａは、熱板１３の周辺部上を少し覆う大きさの環状の鍔部１１ｂと、縁部１１の熱板１３側の支持部１１ｃとの間に形成されている。鍔部１１ｂは整流体を構成する。ガス供給口１１ａは、流路１１ｄを介して、ガス供給路８２に接続されている。ガス供給路８２は、例えばＮ_２やＤｒｙＡｉｒ等の希釈ガスの供給源（図示せず）に通じている。

かかる構成を有する加熱処理装置８１によれば、ガス供給口１１ａから、熱板１３上のウェハＷに向けて希釈ガスを供給することで、ウェハＷの下方の雰囲気の昇華物濃度を低下させることができる。すなわち、既述したように、熱板１３の表面には微小な空隙を創出するためのギャップピン、プロキシミティピンなどの微小な凸部が形成されているから、吸引口３１から吸引する際には、ウェハＷと熱板１３との間には微小な空隙が形成されている。

したがって、ガス供給口１１ａから希釈ガスをウェハＷに向けて供給することで、ウェハＷを吸引する際に当該微小な空隙に希釈ガスが入り込み、ウェハＷ下方の雰囲気の昇華物濃度を低下させることができる。これによって、吸引口３１、吸引管３２、そして捕集容器４０の内部の吸引流路等が、昇華物によって詰まることを抑制することができる。

さらにガス供給口１１ａを、熱板１３に載置されたウェハＷ上面より下側に設けるなどして、供給方向をウェハＷ上面より下側に向けることで、ガス供給口１１ａから供給される希釈ガスはウェハＷ上の気流と干渉しないので、加熱処理への影響が抑制される。またガス供給口１１ａの上側には整流体としての鍔部１１ｂが設けられているから、供給される希釈ガスは鍔部１１ｂによって整流され、ウェハＷ上の気流と干渉することがさらに抑えられている。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）塗布膜が形成された基板を処理容器内で加熱する加熱処理装置であって、
前記処理容器内に設けられ、前記基板を載置する載置部と、
前記載置部に載置された基板を加熱するための加熱部と、
前記載置部に形成された吸引口に通じ、前記載置部を貫通して直下に延伸する吸引管と、
前記吸引管と吸引機構との間の吸引路に設けられた捕集容器とを有し、
前記捕集容器は、平面視で前記載置部の直下に設けられ、前記吸引管と接続されて、前記処理容器内の昇華物を捕集するように構成された、加熱処理装置。
（２）前記捕集容器は、前記吸引管と接続、取り外しが自在である、（２）に記載の加熱処理装置。
（３）前記捕集容器内には、前記吸引管からの気流が流れて行く際に、圧力損失を大きくする流路が設けられている、（１）または（２）のいずれかに記載の加熱処理装置。
（４）前記捕集容器は、吸引管からの気流が最初に流れる、相対的に圧力損失が小さい第１の空間と、前記第１の空間に連通し、前記第１の空間よりも相対的に圧力損失が大きい第２の空間とを有する、（１）～（３）のいずれかに記載の加熱処理装置。
（５）前記捕集容器を昇降させて前記捕集容器と前記吸引管とを接続及び接続解除する昇降機構を有する、（１）～（４）のいずれかに記載の加熱処理装置。
（６）前記捕集容器は、前記捕集容器を加熱する加熱機構を有する、（１）～（５）のいずれかに記載の加熱処理装置。
（７）前記捕集容器は、前記捕集容器を冷却する冷却部を有する、（１）～（５）のいずれかに記載の加熱処理装置。
（８）前記捕集容器は捕集した昇華物を分解する触媒を有する、（１）～（５）のいずれかに記載の加熱処理装置。
（９）前記載置部に載置された前記基板の側方に設けられ、前記基板と載置部との間に向けてガスを供給するガス供給口を備える、（１）～（８）のいずれかに記載の加熱処理装置。
（１０）前記ガス供給口は、前記載置部に載置された前記基板の上面よりも低い位置に設けられている、（９）に記載の加熱処理装置
（１１）前記ガス供給口の上側に、前記載置部側に向けて延びる整流体が設けられている、（９）または（１０）のいずれかに記載の加熱処理装置。
（１２）塗布膜が形成された基板を、処理容器内の載置部で載置した状態で加熱処理する加熱処理方法であって、
前記基板を前記載置部の吸引口からの吸引によって吸着保持し、
前記処理容器内における前記吸引口から続く吸引路で、前記加熱処理の際に発生した昇華物を、平面視で前記載置部の直下に配置された捕集容器で捕集する、加熱処理方法。

１ 処理容器
２ 底部構造体
３ 蓋部
４ リングシャッタ
５ 基台
１３ 熱板
１５ 昇降ピン
１６ 昇降機構
３１ 吸引口
３２ 吸引管
３３ 断熱材
４０ 捕集容器
４２ 第１の空間
４３ 第２の空間
４６ 流路
４７ 入口部
４８ 出口部
４９ 吸引排気管
５０ 吸引機構
５１ 支持台
５２ 昇降機構
６０ 制御部
Ｖ１～Ｖ３ バルブ
Ｗ ウェハ

Claims (14)

1. 塗布膜が形成された基板を処理容器内で加熱する加熱処理装置であって、
   前記処理容器内に設けられ、前記基板を載置する載置部と、
   前記載置部に載置された基板を加熱するための加熱部と、
   前記載置部に形成された吸引口に通じ、前記載置部を貫通して直下に延伸する吸引管と、
   前記吸引管と吸引機構との間の吸引路に設けられた捕集容器と、
   前記捕集容器を昇降させて前記捕集容器と前記吸引管とを接続及び接続解除する昇降機構を有し、
   前記捕集容器は、平面視で前記載置部の直下に設けられ、前記吸引管と接続されており、
   前記捕集容器は、前記吸引管からの気流中の昇華物を析出させて前記捕集容器内の流路の内壁または容器内の底部に付着させる流路を有する、加熱処理装置。
2. 前記捕集容器は、前記吸引管と接続、取り外しが自在である、請求項１に記載の加熱処理装置。
3. 前記昇降機構によって前記捕集容器が押し上げられた際には前記捕集容器の接続口が前記吸引管と接続され、
   前記昇降機構によって前記捕集容器が下降した際には前記捕集容器の接続口と前記吸引管との接続は解除される、請求項１または２のいずれか一項に記載の加熱処理装置。
4. 前記昇降機構によって前記捕集容器を下方に下降させた際に、前記捕集容器のみを受け止める受け止め部を有する、請求項１～３のいずれか一項に記載の加熱処理装置。
5. 前記捕集容器内には、前記吸引管からの気流が流れて行く際に、圧力損失を大きくする流路が設けられている、請求項１～４のいずれか一項に記載の加熱処理装置。
6. 前記捕集容器は、吸引管からの気流が最初に流れる、相対的に圧力損失が小さい第１の空間と、
   前記第１の空間に連通し、前記第１の空間よりも相対的に圧力損失が大きい第２の空間とを有する、請求項１～５のいずれか一項に記載の加熱処理装置。
7. 前記流路は螺旋状である、請求項１～６のいずれか一項に記載の加熱処理装置。
8. 前記捕集容器は、前記捕集容器を加熱する加熱機構を有する、請求項１～７のいずれか一項に記載の加熱処理装置。
9. 前記捕集容器は、前記捕集容器を冷却する冷却部を有する、請求項１～７のいずれか一項に記載の加熱処理装置。
10. 前記捕集容器は捕集した昇華物を分解する触媒を有する、請求項１～７のいずれか一項に記載の加熱処理装置。
11. 前記載置部に載置された前記基板の側方に設けられ、前記基板と載置部との間に向けてガスを供給するガス供給口を備える、請求項１～１０のいずれか一項に記載の加熱処理装置。
12. 前記ガス供給口は、前記載置部に載置された前記基板の上面よりも低い位置に設けられている、請求項１１に記載の加熱処理装置。
13. 前記ガス供給口の上側に、前記載置部側に向けて延びる整流体が設けられている、請求項１１または１２のいずれか一項に記載の加熱処理装置。
14. 塗布膜が形成された基板を、処理容器内の載置部で載置した状態で加熱処理する加熱処理方法であって、
    前記基板を前記載置部の吸引口からの吸引によって吸着保持し、
    前記処理容器内における前記吸引口から続く吸引路で、前記加熱処理の際に発生した昇華物を、平面視で前記載置部の直下に配置された捕集容器で捕集するようにし、
    前記捕集容器は、前記吸引口からの気流中の昇華物を析出させて前記捕集容器内の流路の内壁または容器内の底部に付着させる流路によって前記昇華物を捕集し、
    前記昇華物を捕集する際は、前記捕集容器を上方に押し上げて前記吸引路を形成し、
    前記捕集容器の保守、交換時には、前記捕集容器の押上げを解除する、加熱処理方法。

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