JP2003347198A - 基板ベーク装置、基板ベーク方法及び塗布膜形成装置 - Google Patents
基板ベーク装置、基板ベーク方法及び塗布膜形成装置Info
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- JP2003347198A JP2003347198A JP2002154242A JP2002154242A JP2003347198A JP 2003347198 A JP2003347198 A JP 2003347198A JP 2002154242 A JP2002154242 A JP 2002154242A JP 2002154242 A JP2002154242 A JP 2002154242A JP 2003347198 A JP2003347198 A JP 2003347198A
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Abstract
する装置において、前記塗布膜から生じる昇華物を捕集
すると共に、密閉容器内の圧力を所定の値に維持し、更
には作業者のメンテナンス作業における負担をも軽減す
ること。 【解決手段】 加熱プレートと蓋体とで構成される密閉
容器の排気路に、加熱時に基板表面に形成されたレジス
ト膜から生じる昇華物を捕集するための捕集部を介設す
る。捕集部の介設位置は密閉容器の近傍であり、その内
部圧力は圧力監視手段にて監視できるようになってい
る。捕集部は、昇華物の捕集量が増加すると内部圧力が
増加するため、当該圧力検出値が所定のレベルに達し、
アラームが発せられたら取り外され、洗浄される。
Description
た基板を密閉容器内にて加熱し、前記塗布膜をベークす
る装置及びその方法、並びにこの装置を適用した塗布膜
形成装置に関する。
においては、フォトリソグラフィと呼ばれる技術により
被処理基板へのレジスト処理が行われている。この技術
は、例えば半導体ウエハ(以下ウエハという)にレジス
ト液を塗布して当該ウエハの表面に液膜を形成し、フォ
トマスクを用いて当該レジスト膜を露光した後、現像処
理を行うことにより所望のパターンを得る、一連の工程
により行われる。このような塗布膜形成工程では、レジ
スト膜を形成した後、露光処理の前にPAB(Post App
lied Bake)と呼ばれるベーク処理が行われており、こ
のベーク処理には従来より例えば図10に示す装置が使
われている。
成される密閉容器1の中にヒータ13を内蔵した加熱プ
レート14を備えた構成とされており、この加熱プレー
ト14の表面は、図示しない突起を介して基板である半
導体ウエハ(以下ウエハという)Wを水平に載置できる
ように形成されている。また蓋体12には密閉容器1内
に例えばエアー或いはN2等のパージガスを供給するた
めのガス供給管15と、密閉容器1からの排気を行うた
めの排気管16とが接続されており、この排気管16下
流側には排気流量を調節するためのダンパ17を介して
例えばエジェクタ等の排気手段18が接続されている。
布されたウエハWが密閉容器1内に載置されると、ガス
供給管15から密閉容器1内に例えば室温のパージガス
が供給されると共に排気管16から排気が行われ、係る
状態でウエハWのベーク処理が行われる。密閉容器1内
におけるガスの流れを説明すると、パージガスは、例え
ば蓋体12の天井部の外縁に周方向に亘って形成された
給気口15aを介して密閉容器1内に供給され、図中矢
印で示すようにウエハWの表面近傍を外縁から中心へと
流れて蓋体12の天井部中央に形成される排気口16a
を介して排気管16へと向かう。このようにウエハWの
表面近傍にパージガスの気流を形成することで、ウエハ
W上方に自然対流が発生することを防ぐことができるた
め、結果としてウエハ表面における温度分布を抑えるこ
とができる。
に係るベーク装置では、加熱時にウエハW表面に形成さ
れたレジスト膜から僅かに昇華物が発生しており、とき
としてこの昇華物が排気管15を介して下流側に向かっ
てしまうことがある。密閉容器1から排気側(下流側)
に向かった昇華物は、密閉容器1よりも温度の低い外部
雰囲気の影響を受けることで例えば排気管15やダンパ
17或いは排気手段18内に固着してしまうという問題
がある。こうした固着物は排気流量を低下させるため、
密閉容器1では給排気のバランスが崩れて陽圧気味とな
っていくが、その程度によってはウエハW表面の温度均
一性が低下するため、結果として線幅精度や膜厚の面内
均一性が低下しまう。
たものであり、その目的は、薬液の塗布により形成され
た塗布膜をベークする装置において、前記塗布膜から生
じる昇華物を捕集すると共に、密閉容器内の圧力を所定
の値に維持し、更には配管洗浄や配管の取り替えといっ
た作業者のメンテナンス作業における負担をも軽減する
技術を提供することにある。
装置は、塗布膜が形成された基板を密閉容器内にて加熱
し、前記塗布膜をベークする装置において、密閉容器内
に給気を行う給気手段と、排気路を介し、前記密閉容器
から排気を行う排気手段と、前記排気路に介設され、前
記塗布膜の昇華物を捕集する捕集部と、を備えることを
特徴とする。
いて基板上の塗布膜から昇華物が生じ、これが排気系に
付着することで密閉容器内の圧力が上昇してしまうこと
を防ぐことができる。従って圧力変動によって基板の面
内温度均一性が崩れることを防ぐことができ、膜厚、膜
質の均一性及び線幅精度が向上する。ここで捕集部は当
該捕集部における捕集能力を越えてしまう前、或いはま
だ捕集能力に余裕がある間に取り外されることがないよ
うに、適当なタイミングで捕集物(塗布膜の昇華物)の
除去が行われることが好ましい。具体的には上記構成に
加え、密閉容器または排気路の圧力を監視する圧力監視
手段と、この圧力監視手段により検出された圧力検出値
が予め定めた値から外れたときに警告を発するアラーム
発生手段と、を設けた構成とすることが好ましい。
半導体デバイスの製造に用いられる塗布膜形成装置に適
用してもよく、この場合には例えば基板ベーク装置と、
複数枚の基板を収納した基板カセットが載置されるカセ
ット載置部と、基板に薬液を塗布する塗布ユニットと、
基板に薬液を塗布する前に基板に対して前処理を行う前
処理ユニットと、これら各装置の間で基板を受け渡すた
めの手段と、を組み合わせた構成とすることができる。
の塗布された基板を密閉容器内で加熱する工程と、この
加熱時において、密閉容器内に給気を行うと共に排気路
を介して当該密閉容器から排気を行う工程と、基板を加
熱することで生じる薬液の昇華物を、排気路に介設した
捕集部にて液化または固化して回収する工程と、を含む
ことを特徴とする。
置の実施の形態(第1の実施の形態)について、基板表
面に塗布膜を形成するための塗布膜形成装置に適用した
場合を例に取って説明する。先ず図1及び図2を参照し
ながら塗布膜形成装置の全体構成について説明すると、
図中S1は基板であるウエハWが例えば13枚密閉収納
された基板カセットCを搬入出するためのカセット載置
部であり、基板カセットCを複数個載置可能な載置台2
1と、この載置台21から見て前方の壁面に設けられる
開閉部22と、開閉部22を介して基板カセットCから
ウエハWを取り出すための受け渡し手段23とが設けら
れている。
て周囲を囲まれる処理部S2が接続されており、この処
理部S2には手前側から順に、上述の基板ベーク装置を
含む加熱・冷却系のユニットを多段化した棚ユニットU
1,U2,U3と、後述する塗布・現像ユニットを含む
各処理ユニット間のウエハWの受け渡しを行う主搬送手
段25A,25Bとが交互に配列して設けられている。
即ち、棚ユニットU1,U2,U3及び主搬送手段25
A,25Bはカセット載置部S1側から見て前後一列に
配列されており、各々の接続部位には図示しないウエハ
搬送用の開口部が形成されており、ウエハWは処理部S
1内を一端側の棚ユニットU1から他端側の棚ユニット
U2まで自由に移動できるようになっている。また主搬
送手段25A,25Bは、カセット載置部S1から見て
前後方向に配置される棚ユニットU1,U2,U3側の
一面部と、後述する例えば右側の液処理ユニットU4,
U5側の一面部と、左側の一面をなす背面部とで構成さ
れる区画壁26により囲まれる空間内に置かれている。
また図中27,28は各ユニットで用いられる処理液の
温度調節装置や温湿度調節用のダクト等を備えた温湿度
調節ユニットである。
に示すように塗布液(レジスト液)や現像液といった薬
液供給用のスペースをなす収納部29の上に、塗布ユニ
ットCOT、現像ユニットDEV及び反射防止膜形成ユ
ニットBARC等を複数段例えば5段に積層した構成と
されている。また既述の棚ユニットU1,U2,U3
は、液処理ユニットU4,U5にて行われる処理の前処
理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段例えば
10段に積層した構成とされている。
には、例えば第1の搬送室31及び第2の搬送室32か
らなるインターフェイス部S3を介して露光部S4が接
続されている。インターフェイス部S3の内部には処理
部S2と露光部S4との間でウエハWの受け渡しを行う
ための2つの受け渡し手段33,34の他、棚ユニット
U6及びバッファカセットC0が設けられている。
例を示すと、先ず外部からウエハWの収納された基板カ
セットCが載置台21に載置されると、開閉部22と共
に基板カセットCの蓋体が外されて受け渡し手段23に
よりウエハWが取り出される。そしてウエハWは棚ユニ
ットU1の一段をなす受け渡しユニット(図示せず)を
介して主搬送手段24Aへと受け渡され、棚ユニットU
1〜U3内の一の棚にて、塗布処理の前処理として例え
ば疎水化処理、冷却処理が行われ、しかる後塗布ユニッ
トCOTにてレジスト液が塗布される。こうして表面に
レジスト膜が形成されると、ウエハWは棚ユニットU1
〜U3の一の棚をなす加熱ユニット(基板ベーク装置)
で加熱され、更に冷却された後棚ユニットU3の受け渡
しユニットを経由してインターフェイス部S3へと搬入
される。このインターフェイス部S2においてウエハW
は例えば受け渡し手段33→棚ユニットU6→受け渡し
手段34という経路で露光部S4へ搬送され、露光が行
われる。露光後、ウエハWは逆の経路で主搬送手段25
Aまで搬送され、現像ユニットDEVにて現像されるこ
とでレジストマスクが形成される。しかる後ウエハWは
載置台21上の元の基板カセットCへと戻される。
ク装置について、図3〜図5を参照しながら説明する。
基板ベーク装置は、既述のように例えば棚ユニットU1
〜U3の一段をなすように構成されており、その周囲は
図3の斜視図に示すように例えばアルミニウムよりなる
筐体41により囲まれている。ここで液処理ユニットU
4、U5等が設けられる図中右側を便宜的に前方として
扱うものとすると、筐体41の内部にはステージ42が
設けられ、このステージ42の背面側には排気系部品の
一部を収納する収納室43が設けられており、これらは
例えばメンテナンス時において後方側に引き出せるよう
に構成されている。また筐体41における左右の側壁4
4のうち、ステージ42を挟む部分には、前方側にウエ
ハWの搬入出を行うための開口部45が形成されてお
り、後方側に冷媒流路40が上下に貫通して形成されて
いる。開口部45は図示しないシャッタにより開閉自在
とされており、冷媒流路40は後述する密閉容器6の周
辺雰囲気を冷却するためのものであり、例えば棚ユニッ
トU1(U2,U3)の最下層に設けられる図示しない
収納部から温度調節された冷却水の供給を受ける構成と
されている。
却アーム5が、後方側に加熱プレート61が夫々設けら
れている。冷却アーム5は、筐体41内に開口部45を
介して進入してくる主搬送手段25A(25B)と、加
熱プレート61との間でウエハWの受け渡しを行うと共
に、搬送時においては加熱されたウエハWを粗冷却する
(粗熱取りを行う)役割を有するものである。従って図
3に示すように脚部51がステージ42に設けられるガ
イド手段46に沿ってY方向に進退可能に構成されてお
り、これによりウエハ支持板52が開口部45の側方位
置から加熱プレート61の上方位置まで移動できるよう
になっている。またウエハ支持板52には、例えばその
裏面側には温度調節水を流すための図示しない冷却流路
が設けられている。
(25B)とウエハ支持板52とのウエハWの受け渡し
位置、及び加熱プレート61とウエハ支持板52とのウ
エハWの受け渡し位置の夫々には突没自在な支持ピン4
7(図4参照)が3本ずつ設けられており、またウエハ
支持板52には、これら支持ピン47が上昇したときに
当該ウエハ支持板52を突き抜けてウエハWを持ち上げ
ることができるようにスリット53が形成されている。
なお作図の都合上、図3では支持ピン47の図示を省略
して当該支持ピン47の埋設位置に形成される孔部48
のみ示しており、図4ではスリット53を省略してい
る。
て説明すると、加熱プレート6の上方には図示しない昇
降機構の働きにより昇降自在とされる蓋体62が設けら
れている。図3は蓋体62が上昇した状態を示すもので
あり、下降時(加熱処理時)には例えば図4に示すよう
に加熱プレート61の周囲を囲むと共にシール部材であ
るO−リング63を介してステージ42と気密に接合
し、ウエハWの置かれる雰囲気を密閉雰囲気とする密閉
容器6を構成する。また加熱プレート61は例えば窒化
アルミニウム(AlN)よりなると共に、その上面はウ
エハWを水平に載置することができるように形成されて
おり、内部にはウエハWを加熱するための例えば抵抗加
熱体よりなるヒータ64が埋設されている。
65(図3では省略)と接続する給気管66の他端側が
接続されており、例えば当該天井部中央に形成される開
口部67を介し、密閉容器6内へエアーの供給を行うこ
とができるようになっている。また蓋体62の側壁に
は、蓋体62が下降したときにおけるウエハWの側面を
臨む位置に、例えば全周に亘って多数の孔部68が形成
されている。孔部68は密閉容器6の内部雰囲気の排気
を行うためのものであり、蓋体62の側壁内部に形成さ
れる流路69を介して排気路7へと連通している。
ていくと、図3,図4に示すように密閉容器6の近傍部
位、例えば蓋体62の天井部上面には捕集部8が例えば
複数介設されている。この捕集部8は、加熱処理時に密
閉容器6内で生じるウエハW上のレジスト膜の昇華物を
捕集するためのものであり、その構造は図5に示すよう
に容器本体81内に排気流の流れ(ここでは図中矢印で
示すように右側から左側)を遮るように複数例えば4枚
の捕集部材82を設けた構成とされており、各捕集材8
2の間には一定の間隔を形成するためのスペーサー83
が設けられている。
である昇華物の種類により異なるが、例えばウエハWに
塗布する薬液としてレジスト液が用いられるときには、
0.1μm〜300μm径の昇華物を捕集可能な例えば
ステンレス材や樹脂等からなるメッシュ状部材を用いる
ことができる。メッシュ部材は低接触角の材料で昇華物
を捕捉し、捕捉した昇華物がメッシュ表面から離れ難い
ように構成してあればよい。また捕集部8は、例えばメ
ンテナンス時に筐体41からステージ42を背面側に引
き出すとき、当該捕集部8が邪魔にならないように例え
ば図示する向き、即ち各捕集部材82が横向きに並ぶよ
うに設けられる。
ける捕集部8の下流側について説明すると、排気路7は
例えば蓋体62の天井部から収納室43へと延び、この
収納室43内に設けられる排気流量調節手段であるダン
パ71へと接続されている。また、収納室43には例え
ば捕集部8における内部圧力を監視するための、圧力監
視手段であるマノメータ72が設けられており、このマ
ノメータ72には捕集部8における圧力が所定の値を超
えたときに信号を出力し。それを受けて警報を発するア
ラーム発生手段であるアラーム73が接続されている。
ば棚ユニットU1(U2,U3)を構成する各段のユニ
ットで共用される共用排気路74と接続されており、こ
の共用排気路74の下流側には例えば排気手段としてエ
ジェクタ75が接続されている。このエジェクタ75は
例えば棚ユニットU1(U2,U3)の最下段に設けら
れる図示しない収納部内に設けられている。また図示は
省略するが前記収納部には例えば密閉容器6におけるエ
ジェクタ駆動用のレギュレータやゲージ等が収納されて
おり、加熱処理時に密閉容器6内を所定の圧力に調節で
きるようになっている。なお作図の便宜上、図3ではア
ラーム73及びエジェクタ75を省略した。
の作用について説明する。先ず図示しないシャッタが開
くと、主搬送手段25A(25B)が開口部45を介し
て筐体41内へと進入する。このとき主搬送手段25A
(25B)には既に塗布ユニットCOTにて表面にレジ
スト液を塗布されたウエハWが保持されており、このウ
エハWが冷却アーム5の上方の所定位置までくると、支
持ピン47(冷却アーム5の下方側のもの)が上昇して
ウエハWを受け取り、下降することでウエハWがウエハ
支持板51の所定位置にて支持される。そして蓋体62
を上昇させた状態で冷却アーム5を移動させ、ウエハW
が加熱プレート61の上方の所定位置までくると当該加
熱プレート61内の支持ピン47がこれを受け取り、冷
却アーム5の待避後下降してウエハWを加熱プレート6
1に載置する。
形成すると、ヒータ64による加熱を開始すると共に当
該密閉容器6内へ所定の流量となるように給気及び排気
が行われる。開口部67から供給されるエアーは例えば
室温となるように温度調節されており、図4の矢印に示
すようにウエハWの表面近傍を中央から外縁側へと横切
って孔部68へと吸い込まれる。そして例えば120℃
のプロセス温度で90秒間継続して加熱を行い、ベーク
処理が終了すると、ウエハWは搬入時と逆の経路で先ず
冷却アームに受け渡され、ここで冷却された後に主搬送
手段25A(25B)により筐体41から搬出される。
り返される間には、ウエハW表面に形成されたレジスト
膜から発生する昇華物のうち、排気流と共に排気路に向
かったものが捕集部8にて捕集されていく。捕集部8に
おいて捕集した昇華物の増加に伴い、捕集部8内の例え
ば捕集部材82のメッシュが詰まっていくため、下流側
の排気流量は徐々に低下していくが、その一方でエアー
の供給流量は一定であるため捕集部8における給排気の
バランスは排気流量の低下に伴って崩れ、内部圧力は徐
々に上昇する。そしてマノメータ72にて得た捕集部8
の圧力検出値が予め定めた数値を超えるとアラーム73
から警告が発せられ、例えばオペレータが装置を停止
し、排気路7から捕集部8を取り外して捕集された昇華
物の除去を行う。そして捕集部8を取り付けて再度運転
を行い、その後もアラーム73による警告が出るまで繰
り返しウエハ処理が行われる。
から昇華物が発生して排気系に付着し、これが基でウエ
ハWの面内温度均一性が崩れることに着目し、昇華物を
捕集する捕集部8を基板ベーク装置の排気系に設けたも
のである。従って捕集部8を所定のタイミングで交換す
ることにより面内温度についての高い均一性を確保する
ことができ、膜厚や膜質の均一性が向上する。また膜
厚、膜質の均一性の向上に伴い線幅精度も向上する。
位置は密閉容器6の近傍例えば蓋体62の上とされてい
るため、昇華物が例えばクリーンルームのような密閉容
器6よりも温度の低い領域の影響を受ける前に捕集する
ことができる。このため昇華物が密閉容器6から捕集部
8に至るまでの間に排気路7内で固着してしまうことを
防ぐことができ、従来よりもメンテナンス間隔が長くな
ると共にメンテナンス作業の負担も小さくなる。
部8は、捕集部材82の配列方向を横方向としているた
め、これを設けたことによる基板ベーク装置の高さの増
加は全くないか或いはほとんどなく、省スペース化の妨
げにはならない。しかし、その設置部位によっては、捕
集部材を縦方向に配列した方が好ましいこともあり、そ
の場合には例えば図6(a)に示すような構成のものが用
いられる(第2の実施の形態)。この捕集部84は例え
ば図6(b)に示すような上下に分割可能な容器本体85
(85a,85b)の中に上述実施の形態で示したもの
と同様の役割を果たす複数の捕集部材86及びスペーサ
ー87を交互に積み重ねて設けたものである。
は上記のものに限定されない。以下本発明に係る捕集部
の他の例を示すこととする。図7に示す第3の実施の形
態は、筒状の容器本体92内に、当該容器本体92の軸
と直交すると共に図の上下から互い違いとなるように多
数の邪魔板93を設け、これによって排気路7よりも細
い管路からなる屈曲流路94を形成するようにしたもの
である。このような構成によれば屈曲流路94が排気抵
抗を増加させるため、レジスト膜から生じる昇華物が当
該屈曲流路94内で壁面にぶつかり、付着していく。
(a)に示すようにすり鉢状に形成された容器本体95の
中に、下端部が容器本体95の底部との間に隙間を有す
る筒状体96を設けたものであり、筒状体96の上端開
口部が排気路7の下流側に接続されており、図8(b)に
示すように容器本体95の側面に形成される開口部95
を介して排気路7の上流側が接続されている。また容器
本体95の内壁面はフッ素樹脂例えばPTFEによりコ
ーティングされると共に、接触角が高くなるような加工
が施されている。本実施の形態では、排気流が矢印Aに
示すように容器本体95の周方向に沿って流れ込み、そ
の一方で矢印Bの位置から吸引を行うため、容器本体9
5内には図8(a)に点線で示すように筒状体96の外壁
に沿って螺旋状の下降流が形成され、いわゆるサイクロ
ン効果によりレジスト膜からの昇華物97は容器本体9
5の内壁に付着し、或いは下方側に落下していく。
態においては、捕集部における昇華物の捕集効果を高め
るため、冷却手段を設けるようにしてもよい。具体的に
は例えば捕集部の周囲に冷媒流路やサーモモジュールを
密着して設けたものを用いることができ、その温度は昇
華物が捕集部の内壁に固着し易い温度に調節されること
が好ましい。
のものを用いることもできる。本実施の形態(第5の実
施の形態)は容器本体98の内部に液溜99を形成し、
この液溜99にレジスト液の昇華物の成分を溶解させら
れるように溶解液を貯留したものであり、排気流はこの
溶解液を通って下流側に向かうように構成されている。
本実施の形態では、捕集部における捕集能力が低下する
と溶解液の交換が行われるが、この交換のタイミングは
上述実施の形態と同様に排気圧力の検出値により判断し
てもよいし、例えば溶解液のイオン濃度の変化を監視し
て、溶解能力が所定のレベル以下になったことで判断す
るようにしてもよい。
浄等により昇華物を除去するタイミングは、圧力監視手
段やそれに類する他の手段によってのみ決定されるもの
ではない。即ち、捕集部は一定量の昇華物が捕集できた
ものと見込まれるときに交換、または洗浄を行えばよ
く、具体的には所定枚数のウエハWを処理した後、或い
は所定時間の経過後に装置を停止して昇華物の除去を行
うようにしてもよい。
当該圧力監視手段が監視する圧力は、捕集部内部の圧力
に限定されるものではなく、捕集部の上流側例えば密閉
容器内の圧力であってもよい。更に捕集部の位置は、第
1の実施の形態において示したような蓋体62の天井部
に限られず、例えばレジスト液の昇華物が外部雰囲気の
影響を受けることで排気路7の内壁面に付着することが
ない限り、密閉容器6から離れた場所であっても構わな
い。また捕集部材82及び86には、上述したもの以外
にも例えば多孔質セラミックス、樹脂ウールといった同
等の効果を得ることができる他の材料を用いることも可
能である。
ージガスとしての役割を果たすものであればエアーに代
えて不活性ガスを用いるようにしても構わない。一例を
挙げると、本実施の形態を低酸素タイプの基板ベーク装
置(オーブン)に適用する場合には、密閉容器6内にN
2ガスを供給する構成とすることが好ましい。
布により形成された塗布膜をベークする装置において、
前記塗布膜から生じる昇華物を捕集すると共に、密閉容
器内の圧力を所定の値に維持することができ、更には配
管洗浄や配管の取り替えといった作業者のメンテナンス
作業における負担も軽減できる。
す平面図である。
す斜視図である。
す斜視図である。
気系を示す説明図である。
1の実施の形態)の構造を示す縦断面図である。
断面図である。
断面図である。
略説明図である。
断面図である。
明図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 塗布膜が形成された基板を密閉容器内に
て加熱し、前記塗布膜をベークする装置において、 密閉容器内に給気を行う給気手段と、 排気路を介し、前記密閉容器から排気を行う排気手段
と、 前記排気路に介設され、前記塗布膜の昇華物を捕集する
捕集部と、を備えることを特徴とする基板ベーク装置。 - 【請求項2】 密閉容器または排気路の圧力を監視する
圧力監視手段と、 この圧力監視手段により検出された圧力検出値が予め定
めた値から外れたときに警告を発するアラーム発生手段
と、を備えることを特徴とする請求項1記載の基板ベー
ク装置。 - 【請求項3】 排気路における捕集部の下流側には、排
気流量を調節するための排気流量調節手段が介設されて
いることを特徴とする請求項1または2記載の基板ベー
ク装置。 - 【請求項4】 薬液の塗布された基板を密閉容器内で加
熱する工程と、 この加熱時において、密閉容器内に給気を行うと共に排
気路を介して当該密閉容器から排気を行う工程と、 基板を加熱することで生じる薬液の昇華物を、排気路に
介設した捕集部にて液化または固化して回収する工程
と、を含むことを特徴とする基板ベーク方法。 - 【請求項5】 密閉容器または排気路の圧力を監視し、
当該監視部位における圧力検出値が予め定めた値から外
れたときに警告を発する工程と、を含むことを特徴とす
る請求項4記載の基板ベーク方法。 - 【請求項6】 複数枚の基板を収納した基板カセットが
載置されるカセット載置部と、 基板に薬液を塗布する塗布ユニットと、 基板に薬液を塗布する前に基板に対して前処理を行う前
処理ユニットと、 薬液の塗布された基板を加熱するための請求項1、2ま
たは3に記載の基板ベーク装置と、 基板を前記基板カセット、塗布ユニット、前処理ユニッ
ト及び基板ベーク装置の間で受け渡すための手段と、を
備えたことを特徴とする塗布膜形成装置。
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