JP3853256B2 - 基板ベーク装置、基板ベーク方法及び塗布膜形成装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、塗布膜が形成された基板を密閉容器内にて加熱し、前記塗布膜をベークする装置及びその方法、並びにこの装置を適用した塗布膜形成装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスやLCDの製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィと呼ばれる技術により被処理基板へのレジスト処理が行われている。この技術は、例えば半導体ウエハ(以下ウエハという)にレジスト液を塗布して当該ウエハの表面に液膜を形成し、フォトマスクを用いて当該レジスト膜を露光した後、現像処理を行うことにより所望のパターンを得る、一連の工程により行われる。このような塗布膜形成工程では、レジスト膜を形成した後、露光処理の前にPAB(Post Applied Bake)と呼ばれるベーク処理が行われており、このベーク処理には従来より例えば図10に示す装置が使われている。
【0003】
この装置は下側部分11と蓋体12とで構成される密閉容器1の中にヒータ13を内蔵した加熱プレート14を備えた構成とされており、この加熱プレート14の表面は、図示しない突起を介して基板である半導体ウエハ(以下ウエハという)Wを水平に載置できるように形成されている。また蓋体12には密閉容器1内に例えばエアー或いはN2等のパージガスを供給するためのガス供給管15と、密閉容器1からの排気を行うための排気管16とが接続されており、この排気管16下流側には排気流量を調節するためのダンパ17を介して例えばエジェクタ等の排気手段18が接続されている。
【0004】
このような装置では、先ずレジスト液の塗布されたウエハWが密閉容器1内に載置されると、ガス供給管15から密閉容器1内に例えば室温のパージガスが供給されると共に排気管16から排気が行われ、係る状態でウエハWのベーク処理が行われる。密閉容器1内におけるガスの流れを説明すると、パージガスは、例えば蓋体12の天井部の外縁に周方向に亘って形成された給気口15aを介して密閉容器1内に供給され、図中矢印で示すようにウエハWの表面近傍を外縁から中心へと流れて蓋体12の天井部中央に形成される排気口16aを介して排気管16へと向かう。このようにウエハWの表面近傍にパージガスの気流を形成することで、ウエハW上方に自然対流が発生することを防ぐことができるため、結果としてウエハ表面における温度分布を抑えることができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記構成に係るベーク装置では、加熱時にウエハW表面に形成されたレジスト膜から僅かに昇華物が発生しており、ときとしてこの昇華物が排気管15を介して下流側に向かってしまうことがある。密閉容器1から排気側(下流側)に向かった昇華物は、密閉容器1よりも温度の低い外部雰囲気の影響を受けることで例えば排気管15やダンパ17或いは排気手段18内に固着してしまうという問題がある。こうした固着物は排気流量を低下させるため、密閉容器1では給排気のバランスが崩れて陽圧気味となっていくが、その程度によってはウエハW表面の温度均一性が低下するため、結果として線幅精度や膜厚の面内均一性が低下しまう。
【0006】
本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、薬液の塗布により形成された塗布膜をベークする装置において、前記塗布膜から生じる昇華物を捕集すると共に、密閉容器内の圧力を所定の値に維持し、更には配管洗浄や配管の取り替えといった作業者のメンテナンス作業における負担をも軽減する技術を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る基板ベーク装置は、
表面に塗布膜が形成された基板を加熱処理する基板ベーク装置において、
基板を載置し加熱する加熱プレートと、
この加熱プレートの上方に設けられると共に基板を加熱処理する際に下降して加熱プレートの周囲を囲み、密閉容器を構成する蓋体と、
この蓋体を昇降させる昇降機構と、
前記蓋体の内方に向けて給気を行う給気手段と、
前記蓋体に設けられ、前記密閉容器内の雰囲気を排気する排気路と、
前記蓋体の上部における前記排気路に介設された、前記塗布膜の昇華物を捕集する捕集部と、
この捕集部の上流側の圧力または前記捕集部の内部圧力を監視する圧力監視手段と、
この圧力監視手段により検出された圧力検出値が予め定めた値から外れたときに警告を発するアラーム発生手段と、を備えることを特徴とする。
【0008】
このような構成によれば、ベーク処理において基板上の塗布膜から昇華物が生じ、これが排気系に付着することで密閉容器内の圧力が上昇してしまうことを防ぐことができる。従って圧力変動によって基板の面内温度均一性が崩れることを防ぐことができ、膜厚、膜質の均一性及び線幅精度が向上する。ここで捕集部は当該捕集部における捕集能力を越えてしまう前、或いはまだ捕集能力に余裕がある間に取り外されることがないように、適当なタイミングで捕集物(塗布膜の昇華物)の除去が行われることが好ましい。
上述した基板ベーク装置において、前記排気路は、例えば前記蓋体の内方の側壁で前記基板の側面を望む位置の周囲から前記密閉容器内の雰囲気を排気する流路と連通されている。また前記捕集部は、例えば複数の捕集部材を含んでいる。この捕集部の構成については、例えば内部にメッシュ部材、多孔質セラミックスまたは樹脂ウールからなる捕集部材が設けられた容器本体で構成したものや捕集部の内部が吸引されて螺旋状の気流を形成させる容器を有し、前記排気路から該容器の周方向に沿って排気流を流入させるように構成したものを挙げることができる。また当該捕集部の周囲に冷却手段を設けることで、昇華物の捕集効果を高めることができる。
【0009】
ところで、上記の基板ベーク装置は例えば半導体デバイスの製造に用いられる塗布膜形成装置に適用してもよく、この場合には例えば基板ベーク装置と、複数枚の基板を収納した基板カセットが載置されるカセット載置部と、基板に薬液を塗布する塗布ユニットと、基板に薬液を塗布する前に基板に対して前処理を行う前処理ユニットと、これら各装置の間で基板を受け渡すための手段と、を組み合わせた構成とすることができる。
【0010】
また本発明に係る基板ベーク方法は、表面に塗布膜が形成された基板を加熱処理する基板ベーク方法において、
基板を加熱する加熱プレートに基板を載置する工程と、
この加熱プレートの上方に設けられる蓋体を下降させて加熱プレートの周囲を囲み、密閉容器を構成する工程と、
この密閉容器内で基板を加熱する工程と、
基板の加熱時に、密閉容器内に給気を行うと共に蓋体に設けられた排気路を介して当該密閉容器から排気を行う工程と、
基板を加熱することで生じる薬液の昇華物を、前記蓋体の上部に設けられ、且つ前記排気路に介設された捕集部にて液化または固化して回収する工程と、
前記捕集部の上流側または前記捕集部の内部圧力を監視し、当該監視部位における圧力検出値が予め定めた値から外れたときに警告を発する工程と、
を含むことを特徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下に本発明に係る基板ベーク装置の実施の形態(第1の実施の形態)について、基板表面に塗布膜を形成するための塗布膜形成装置に適用した場合を例に取って説明する。先ず図1及び図2を参照しながら塗布膜形成装置の全体構成について説明すると、図中S1は基板であるウエハWが例えば13枚密閉収納された基板カセットCを搬入出するためのカセット載置部であり、基板カセットCを複数個載置可能な載置台21と、この載置台21から見て前方の壁面に設けられる開閉部22と、開閉部22を介して基板カセットCからウエハWを取り出すための受け渡し手段23とが設けられている。
【0012】
カセット載置部S1の奥側には筐体24にて周囲を囲まれる処理部S2が接続されており、この処理部S2には手前側から順に、上述の基板ベーク装置を含む加熱・冷却系のユニットを多段化した棚ユニットU1,U2,U3と、後述する塗布・現像ユニットを含む各処理ユニット間のウエハWの受け渡しを行う主搬送手段25A,25Bとが交互に配列して設けられている。即ち、棚ユニットU1,U2,U3及び主搬送手段25A,25Bはカセット載置部S1側から見て前後一列に配列されており、各々の接続部位には図示しないウエハ搬送用の開口部が形成されており、ウエハWは処理部S1内を一端側の棚ユニットU1から他端側の棚ユニットU2まで自由に移動できるようになっている。また主搬送手段25A,25Bは、カセット載置部S1から見て前後方向に配置される棚ユニットU1,U2,U3側の一面部と、後述する例えば右側の液処理ユニットU4,U5側の一面部と、左側の一面をなす背面部とで構成される区画壁26により囲まれる空間内に置かれている。また図中27,28は各ユニットで用いられる処理液の温度調節装置や温湿度調節用のダクト等を備えた温湿度調節ユニットである。
【0013】
液処理ユニットU4,U5は、例えば図2に示すように塗布液(レジスト液)や現像液といった薬液供給用のスペースをなす収納部29の上に、塗布ユニットCOT、現像ユニットDEV及び反射防止膜形成ユニットBARC等を複数段例えば5段に積層した構成とされている。また既述の棚ユニットU1,U2,U3は、液処理ユニットU4,U5にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段例えば10段に積層した構成とされている。
【0014】
処理部S2における棚ユニットU3の奥側には、例えば第1の搬送室31及び第2の搬送室32からなるインターフェイス部S3を介して露光部S4が接続されている。インターフェイス部S3の内部には処理部S2と露光部S4との間でウエハWの受け渡しを行うための2つの受け渡し手段33,34の他、棚ユニットU6及びバッファカセットC0が設けられている。
【0015】
この装置におけるウエハの流れについて一例を示すと、先ず外部からウエハWの収納された基板カセットCが載置台21に載置されると、開閉部22と共に基板カセットCの蓋体が外されて受け渡し手段23によりウエハWが取り出される。そしてウエハWは棚ユニットU1の一段をなす受け渡しユニット(図示せず)を介して主搬送手段24Aへと受け渡され、棚ユニットU1〜U3内の一の棚にて、塗布処理の前処理として例えば疎水化処理、冷却処理が行われ、しかる後塗布ユニットCOTにてレジスト液が塗布される。こうして表面にレジスト膜が形成されると、ウエハWは棚ユニットU1〜U3の一の棚をなす加熱ユニット(基板ベーク装置)で加熱され、更に冷却された後棚ユニットU3の受け渡しユニットを経由してインターフェイス部S3へと搬入される。このインターフェイス部S2においてウエハWは例えば受け渡し手段33→棚ユニットU6→受け渡し手段34という経路で露光部S4へ搬送され、露光が行われる。露光後、ウエハWは逆の経路で主搬送手段25Aまで搬送され、現像ユニットDEVにて現像されることでレジストマスクが形成される。しかる後ウエハWは載置台21上の元の基板カセットCへと戻される。
【0016】
次いで本実施の形態の要部をなす基板ベーク装置について、図3〜図5を参照しながら説明する。基板ベーク装置は、既述のように例えば棚ユニットU1〜U3の一段をなすように構成されており、その周囲は図3の斜視図に示すように例えばアルミニウムよりなる筐体41により囲まれている。ここで液処理ユニットU4、U5等が設けられる図中右側を便宜的に前方として扱うものとすると、筐体41の内部にはステージ42が設けられ、このステージ42の背面側には排気系部品の一部を収納する収納室43が設けられており、これらは例えばメンテナンス時において後方側に引き出せるように構成されている。また筐体41における左右の側壁44のうち、ステージ42を挟む部分には、前方側にウエハWの搬入出を行うための開口部45が形成されており、後方側に冷媒流路40が上下に貫通して形成されている。開口部45は図示しないシャッタにより開閉自在とされており、冷媒流路40は後述する密閉容器6の周辺雰囲気を冷却するためのものであり、例えば棚ユニットU1(U2,U3)の最下層に設けられる図示しない収納部から温度調節された冷却水の供給を受ける構成とされている。
【0017】
ステージ42の上面には、その前方側に冷却アーム5が、後方側に加熱プレート61が夫々設けられている。冷却アーム5は、筐体41内に開口部45を介して進入してくる主搬送手段25A(25B)と、加熱プレート61との間でウエハWの受け渡しを行うと共に、搬送時においては加熱されたウエハWを粗冷却する(粗熱取りを行う)役割を有するものである。従って図3に示すように脚部51がステージ42に設けられるガイド手段46に沿ってY方向に進退可能に構成されており、これによりウエハ支持板52が開口部45の側方位置から加熱プレート61の上方位置まで移動できるようになっている。またウエハ支持板52には、例えばその裏面側には温度調節水を流すための図示しない冷却流路が設けられている。
【0018】
ステージ42における主搬送手段25A(25B)とウエハ支持板52とのウエハWの受け渡し位置、及び加熱プレート61とウエハ支持板52とのウエハWの受け渡し位置の夫々には突没自在な支持ピン47(図4参照)が3本ずつ設けられており、またウエハ支持板52には、これら支持ピン47が上昇したときに当該ウエハ支持板52を突き抜けてウエハWを持ち上げることができるようにスリット53が形成されている。なお作図の都合上、図3では支持ピン47の図示を省略して当該支持ピン47の埋設位置に形成される孔部48のみ示しており、図4ではスリット53を省略している。
【0019】
次いで加熱プレート61の周辺部位について説明すると、加熱プレート6の上方には図示しない昇降機構の働きにより昇降自在とされる蓋体62が設けられている。図3は蓋体62が上昇した状態を示すものであり、下降時(加熱処理時)には例えば図4に示すように加熱プレート61の周囲を囲むと共にシール部材であるO−リング63を介してステージ42と気密に接合し、ウエハWの置かれる雰囲気を密閉雰囲気とする密閉容器6を構成する。また加熱プレート61は例えば窒化アルミニウム(AlN)よりなると共に、その上面はウエハWを水平に載置することができるように形成されており、内部にはウエハWを加熱するための例えば抵抗加熱体よりなるヒータ64が埋設されている。
【0020】
蓋体62の天井部には、一端側が給気手段65(図3では省略)と接続する給気管66の他端側が接続されており、例えば当該天井部中央に形成される開口部67を介し、密閉容器6内へエアーの供給を行うことができるようになっている。また蓋体62の側壁には、蓋体62が下降したときにおけるウエハWの側面を臨む位置に、例えば全周に亘って多数の孔部68が形成されている。孔部68は密閉容器6の内部雰囲気の排気を行うためのものであり、蓋体62の側壁内部に形成される流路69を介して排気路7へと連通している。
【0021】
この排気路7ついて上流側から順次説明していくと、図3,図4に示すように密閉容器6の近傍部位、例えば蓋体62の天井部上面には捕集部8が例えば複数介設されている。この捕集部8は、加熱処理時に密閉容器6内で生じるウエハW上のレジスト膜の昇華物を捕集するためのものであり、その構造は図5に示すように容器本体81内に排気流の流れ(ここでは図中矢印で示すように右側から左側)を遮るように複数例えば4枚の捕集部材82を設けた構成とされており、各捕集材82の間には一定の間隔を形成するためのスペーサー83が設けられている。
【0022】
捕集部材82に用いる素材は、被捕集対象である昇華物の種類により異なるが、例えばウエハWに塗布する薬液としてレジスト液が用いられるときには、0.1μm〜300μm径の昇華物を捕集可能な例えばステンレス材や樹脂等からなるメッシュ状部材を用いることができる。メッシュ部材は低接触角の材料で昇華物を捕捉し、捕捉した昇華物がメッシュ表面から離れ難いように構成してあればよい。また捕集部8は、例えばメンテナンス時に筐体41からステージ42を背面側に引き出すとき、当該捕集部8が邪魔にならないように例えば図示する向き、即ち各捕集部材82が横向きに並ぶように設けられる。
【0023】
そして図3及び図4に戻り、排気路7における捕集部8の下流側について説明すると、排気路7は例えば蓋体62の天井部から収納室43へと延び、この収納室43内に設けられる排気流量調節手段であるダンパ71へと接続されている。また、収納室43には例えば捕集部8における内部圧力を監視するための、圧力監視手段であるマノメータ72が設けられており、このマノメータ72には捕集部8における圧力が所定の値を超えたときに信号を出力し。それを受けて警報を発するアラーム発生手段であるアラーム73が接続されている。
【0024】
排気路7はダンパ71の下流側にて、例えば棚ユニットU1(U2,U3)を構成する各段のユニットで共用される共用排気路74と接続されており、この共用排気路74の下流側には例えば排気手段としてエジェクタ75が接続されている。このエジェクタ75は例えば棚ユニットU1(U2,U3)の最下段に設けられる図示しない収納部内に設けられている。また図示は省略するが前記収納部には例えば密閉容器6におけるエジェクタ駆動用のレギュレータやゲージ等が収納されており、加熱処理時に密閉容器6内を所定の圧力に調節できるようになっている。なお作図の便宜上、図3ではアラーム73及びエジェクタ75を省略した。
【0025】
次に上述実施の形態である基板ベーク装置の作用について説明する。先ず図示しないシャッタが開くと、主搬送手段25A(25B)が開口部45を介して筐体41内へと進入する。このとき主搬送手段25A(25B)には既に塗布ユニットCOTにて表面にレジスト液を塗布されたウエハWが保持されており、このウエハWが冷却アーム5の上方の所定位置までくると、支持ピン47(冷却アーム5の下方側のもの)が上昇してウエハWを受け取り、下降することでウエハWがウエハ支持板51の所定位置にて支持される。そして蓋体62を上昇させた状態で冷却アーム5を移動させ、ウエハWが加熱プレート61の上方の所定位置までくると当該加熱プレート61内の支持ピン47がこれを受け取り、冷却アーム5の待避後下降してウエハWを加熱プレート61に載置する。
【0026】
次いで蓋体62を下降させて密閉容器6を形成すると、ヒータ64による加熱を開始すると共に当該密閉容器6内へ所定の流量となるように給気及び排気が行われる。開口部67から供給されるエアーは例えば室温となるように温度調節されており、図4の矢印に示すようにウエハWの表面近傍を中央から外縁側へと横切って孔部68へと吸い込まれる。そして例えば120℃のプロセス温度で90秒間継続して加熱を行い、ベーク処理が終了すると、ウエハWは搬入時と逆の経路で先ず冷却アームに受け渡され、ここで冷却された後に主搬送手段25A(25B)により筐体41から搬出される。
【0027】
こうしてウエハWに対するベーク処理が繰り返される間には、ウエハW表面に形成されたレジスト膜から発生する昇華物のうち、排気流と共に排気路に向かったものが捕集部8にて捕集されていく。捕集部8において捕集した昇華物の増加に伴い、捕集部8内の例えば捕集部材82のメッシュが詰まっていくため、下流側の排気流量は徐々に低下していくが、その一方でエアーの供給流量は一定であるため捕集部8における給排気のバランスは排気流量の低下に伴って崩れ、内部圧力は徐々に上昇する。そしてマノメータ72にて得た捕集部8の圧力検出値が予め定めた数値を超えるとアラーム73から警告が発せられ、例えばオペレータが装置を停止し、排気路7から捕集部8を取り外して捕集された昇華物の除去を行う。そして捕集部8を取り付けて再度運転を行い、その後もアラーム73による警告が出るまで繰り返しウエハ処理が行われる。
【0028】
以上のように本実施の形態は、レジスト膜から昇華物が発生して排気系に付着し、これが基でウエハWの面内温度均一性が崩れることに着目し、昇華物を捕集する捕集部8を基板ベーク装置の排気系に設けたものである。従って捕集部8を所定のタイミングで交換することにより面内温度についての高い均一性を確保することができ、膜厚や膜質の均一性が向上する。また膜厚、膜質の均一性の向上に伴い線幅精度も向上する。
【0029】
加えて、排気路7における捕集部8の介設位置は密閉容器6の近傍例えば蓋体62の上とされているため、昇華物が例えばクリーンルームのような密閉容器6よりも温度の低い領域の影響を受ける前に捕集することができる。このため昇華物が密閉容器6から捕集部8に至るまでの間に排気路7内で固着してしまうことを防ぐことができ、従来よりもメンテナンス間隔が長くなると共にメンテナンス作業の負担も小さくなる。
【0030】
更にまた本実施の形態において示した捕集部8は、捕集部材82の配列方向を横方向としているため、これを設けたことによる基板ベーク装置の高さの増加は全くないか或いはほとんどなく、省スペース化の妨げにはならない。しかし、その設置部位によっては、捕集部材を縦方向に配列した方が好ましいこともあり、その場合には例えば図6(a)に示すような構成のものが用いられる(第2の実施の形態)。この捕集部84は例えば図6(b)に示すような上下に分割可能な容器本体85(85a,85b)の中に上述実施の形態で示したものと同様の役割を果たす複数の捕集部材86及びスペーサー87を交互に積み重ねて設けたものである。
【0031】
なお、本実施の形態における捕集部の構成は上記のものに限定されない。以下本発明に係る捕集部の他の例を示すこととする。図7に示す第3の実施の形態は、筒状の容器本体92内に、当該容器本体92の軸と直交すると共に図の上下から互い違いとなるように多数の邪魔板93を設け、これによって排気路7よりも細い管路からなる屈曲流路94を形成するようにしたものである。このような構成によれば屈曲流路94が排気抵抗を増加させるため、レジスト膜から生じる昇華物が当該屈曲流路94内で壁面にぶつかり、付着していく。
【0032】
また図8に示す第4の実施の形態は、図8(a)に示すようにすり鉢状に形成された容器本体95の中に、下端部が容器本体95の底部との間に隙間を有する筒状体96を設けたものであり、筒状体96の上端開口部が排気路7の下流側に接続されており、図8(b)に示すように容器本体95の側面に形成される開口部95を介して排気路7の上流側が接続されている。また容器本体95の内壁面はフッ素樹脂例えばPTFEによりコーティングされると共に、接触角が高くなるような加工が施されている。本実施の形態では、排気流が矢印Aに示すように容器本体95の周方向に沿って流れ込み、その一方で矢印Bの位置から吸引を行うため、容器本体95内には図8(a)に点線で示すように筒状体96の外壁に沿って螺旋状の下降流が形成され、いわゆるサイクロン効果によりレジスト膜からの昇華物97は容器本体95の内壁に付着し、或いは下方側に落下していく。
【0033】
これまで述べてきた第1〜第4の実施の形態においては、捕集部における昇華物の捕集効果を高めるため、冷却手段を設けるようにしてもよい。具体的には例えば捕集部の周囲に冷媒流路やサーモモジュールを密着して設けたものを用いることができ、その温度は昇華物が捕集部の内壁に固着し易い温度に調節されることが好ましい。
【0034】
更に捕集部としては図9に示すような構成のものを用いることもできる。本実施の形態(第5の実施の形態)は容器本体98の内部に液溜99を形成し、この液溜99にレジスト液の昇華物の成分を溶解させられるように溶解液を貯留したものであり、排気流はこの溶解液を通って下流側に向かうように構成されている。本実施の形態では、捕集部における捕集能力が低下すると溶解液の交換が行われるが、この交換のタイミングは上述実施の形態と同様に排気圧力の検出値により判断してもよいし、例えば溶解液のイオン濃度の変化を監視して、溶解能力が所定のレベル以下になったことで判断するようにしてもよい。
【0035】
なお以上において、捕集部を取り外し、洗浄等により昇華物を除去するタイミングは、圧力監視手段やそれに類する他の手段によってのみ決定されるものではない。即ち、捕集部は一定量の昇華物が捕集できたものと見込まれるときに交換、または洗浄を行えばよく、具体的には所定枚数のウエハWを処理した後、或いは所定時間の経過後に装置を停止して昇華物の除去を行うようにしてもよい。
【0036】
また圧力監視手段を設けた場合において、当該圧力監視手段が監視する圧力は、捕集部内部の圧力に限定されるものではなく、捕集部の上流側例えば密閉容器内の圧力であってもよい。更に捕集部の位置は、第1の実施の形態において示したような蓋体62の天井部に限られず、例えばレジスト液の昇華物が外部雰囲気の影響を受けることで排気路7の内壁面に付着することがない限り、密閉容器6から離れた場所であっても構わない。また捕集部材82及び86には、上述したもの以外にも例えば多孔質セラミックス、樹脂ウールといった同等の効果を得ることができる他の材料を用いることも可能である。
【0037】
更にまた、給気手段から供給する気体はパージガスとしての役割を果たすものであればエアーに代えて不活性ガスを用いるようにしても構わない。一例を挙げると、本実施の形態を低酸素タイプの基板ベーク装置(オーブン)に適用する場合には、密閉容器6内にN2ガスを供給する構成とすることが好ましい。
【0038】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、薬液の塗布により形成された塗布膜をベークする装置において、前記塗布膜から生じる昇華物を捕集すると共に、密閉容器内の圧力を所定の値に維持することができ、更には配管洗浄や配管の取り替えといった作業者のメンテナンス作業における負担も軽減できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る塗布膜形成装置の実施の形態を示す平面図である。
【図2】本発明に係る塗布膜形成装置の実施の形態を示す斜視図である。
【図3】本発明に係る基板ベーク装置の実施の形態を示す斜視図である。
【図4】前記基板ベーク装置内の密閉容器及びその給排気系を示す説明図である。
【図5】前記基板ベーク装置内に設けられる捕集部(第1の実施の形態)の構造を示す縦断面図である。
【図6】第2の実施の形態に係る捕集部の構造を示す縦断面図である。
【図7】第3の実施の形態に係る捕集部の構造を示す縦断面図である。
【図8】第4の実施の形態に係る捕集部の構造を示す概略説明図である。
【図9】第5の実施の形態に係る捕集部の構造を示す縦断面図である。
【図10】従来技術に係る基板ベーク装置を示す概略説明図である。
【符号の説明】
W 半導体ウエハ
41 筐体
5 冷却アーム
6 密閉容器
61 加熱プレート
62 蓋体
64 ヒータ
65 給気手段
66 給気管
7 排気路
71 ダンパ
72 マノメータ
73 アラーム
75 エジェクタ
Claims (7)
- 表面に塗布膜が形成された基板を加熱処理する基板ベーク装置において、
基板を載置し加熱する加熱プレートと、
この加熱プレートの上方に設けられると共に基板を加熱処理する際に下降して加熱プレートの周囲を囲み、密閉容器を構成する蓋体と、
この蓋体を昇降させる昇降機構と、
前記蓋体の内方に向けて給気を行う給気手段と、
前記蓋体に設けられ、前記密閉容器内の雰囲気を排気する排気路と、
前記蓋体の上部における前記排気路に介設された、前記塗布膜の昇華物を捕集する捕集部と、
この捕集部の上流側の圧力または前記捕集部の内部圧力を監視する圧力監視手段と、
この圧力監視手段により検出された圧力検出値が予め定めた値から外れたときに警告を発するアラーム発生手段と、を備えることを特徴とする基板ベーク装置。 - 排気路における捕集部の下流側には、排気流量を調節するための排気流量調節手段が介設されていることを特徴とする請求項1に記載の基板ベーク装置。
- 前記排気路は、前記蓋体の内方の側壁で前記基板の側面を望む位置の周囲から前記密閉容器内の雰囲気を排気する流路と連通されていることを特徴とする請求項1または2記載の基板ベーク装置。
- 前記捕集部は、内部にメッシュ部材、多孔質セラミックスまたは樹脂ウールからなる捕集部材が設けられた容器本体で構成され、前記容器本体は分割可能に構成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一記載の基板ベーク装置。
- 前記捕集部は、周囲に冷却手段が設けられていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一記載の基板ベーク装置。
- 表面に塗布膜が形成された基板を加熱処理する基板ベーク方法において、
基板を加熱する加熱プレートに基板を載置する工程と、
この加熱プレートの上方に設けられる蓋体を下降させて加熱プレートの周囲を囲み、密閉容器を構成する工程と、
この密閉容器内で基板を加熱する工程と、
基板の加熱時に、密閉容器内に給気を行うと共に蓋体に設けられた排気路を介して当該密閉容器から排気を行う工程と、
基板を加熱することで生じる薬液の昇華物を、前記蓋体の上部に設けられ、且つ前記排気路に介設された捕集部にて液化または固化して回収する工程と、
前記捕集部の上流側または前記捕集部の内部圧力を監視し、当該監視部位における圧力検出値が予め定めた値から外れたときに警告を発する工程と、
を含むことを特徴とする基板ベーク方法。 - 複数枚の基板を収納した基板カセットが載置されるカセット載置部と、
基板に薬液を塗布する塗布ユニットと、
薬液の塗布された基板を加熱するための請求項1ないし5のいずれか一に記載の基板ベーク装置と、
基板を前記基板カセット、塗布ユニット及び基板ベーク装置の間で受け渡すための手段と、を備えたことを特徴とする塗布膜形成装置。
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