JP6811097B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
先ず、本実施の形態にかかる基板処理装置としての疎水化処理装置を備えた基板処理システムの構成について説明する。図1は、基板処理システム1の構成の概略を模式的に示す平面図である。図2及び図3は、各々基板処理システム1の内部構成の概略を模式的に示す、各々正面図と背面図である。そして、基板処理システム1では、被処理基板としてのウェハWに所定の処理を行う。
次に、上述した疎水化処理装置41の構成について説明する。図4は、疎水化処理装置41の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。図5は、疎水化処理装置41の構成の概略を模式的に示す平面図である。
次に、以上のように構成された基板処理システム1を用いて行われるウェハ処理について説明する。
次に、上述した疎水化処理装置41における疎水化処理について説明する。疎水化処理にあたっては、昇降機構312により蓋体301を所定の位置まで上昇させる。そして、処理容器300と蓋体301との間からウェハWが搬入され、載置台302上にウェハWが載置される。
次に、本発明の他の実施の形態について説明する。
以上の実施の形態において、イオンセンサ346は排気部340の排気管343に設けられていたが、イオンセンサ346が設けられる場所はこれに限定されない。例えば図8及び図9に示すように、イオンセンサ346は、排気部340の排気管343において、排気装置344の下流側に設けられていてもよい。また、イオンセンサ346は、ガス供給部320のガス供給管323に設けられていてもよいし、HMDSガス供給管324に設けられていてもよい。さらに、図示はしないが、イオンセンサ346は、処理容器300の内部に設けられていてもよい。
以上の実施の形態では、イオンセンサ346は反発電極351と集電電極352を有していたが、イオンセンサ346の構成はこれに限定されない。例えば図10に示すように、反発電極351を省略してもよい。HMDSガスは引火性があるため、イオンセンサ346には防爆対策が施されているのが好ましい。本実施の形態では、反発電極351を省略することで、電圧の印加を回避できるので、イオンセンサ346を防爆仕様にすることができる。
以上の実施の形態では、イオンセンサ346は疎水化処理装置41に設けられていたが、図13に示すように測定用基板としての測定用ウェハTに設けられていてもよい。測定用ウェハTは、ウェハWと同一形状を有している。
41 疎水化処理装置
200 制御部
300 処理容器
301 蓋体
320 ガス供給部
340 排気部
346 イオンセンサ
350 ガス流通路
351 反発電極
352 集電電極
353 直線部
354 屈曲部
420 風速センサ
A 処理空間
W ウェハ
T 測定用ウェハ
Claims (8)
- イオンを含む処理ガスを用いて被処理基板を処理する基板処理装置であって、
被処理基板を収容する処理容器と、
前記処理容器の内部に処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理容器の内部を排気する排気部と、
少なくとも前記処理容器の内部、前記ガス供給部の内部又は前記排気部の内部のガスに含まれる前記イオンの数を測定するイオンセンサと、を有し、
前記処理ガスはHMDSガスであることを特徴とする、基板処理装置。 - 前記イオンセンサは前記排気部に設けられていることを特徴とする、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記イオンセンサは、前記被処理基板と同形の測定用基板に設けられていることを特徴とする、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記測定用基板には、少なくとも風速センサ又は温度センサがさらに設けられていることを特徴とする、請求項3に記載の基板処理装置。
- イオンを含む処理ガスを用いて被処理基板を処理する基板処理装置であって、
被処理基板を収容する処理容器と、
前記処理容器の内部に処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理容器の内部を排気する排気部と、
少なくとも前記処理容器の内部、前記ガス供給部の内部又は前記排気部の内部のガスに含まれる前記イオンの数を測定するイオンセンサと、を有し、
前記イオンセンサの内部には、ガスが流通するガス流通路が形成され、
前記ガス流通路の内部には、イオンを捕集するための集電電極が設けられていることを特徴とする、基板処理装置。 - 前記ガス流通路は、直線状に延伸する直線部と、前記直線部に接続される屈曲部と、を有し、
前記集電電極は屈曲部に設けられていることを特徴とする、請求項5に記載の基板処理装置。 - 前記集電電極は、前記ガス流通路の内側面を覆うように設けられていることを特徴とする、請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記処理ガスはHMDSガスであることを特徴とする、請求項5〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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