JP5102615B2 - プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents
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Description
H6が含まれる。質量流量制御器59はガスがチェンバー49に供給されるときのレート
を調整する。図10に示される構成は、一定のガス流量および一定の圧力において処理ガスの連続流を与える。圧力およびガス流量は好適には反復可能な結果を与えるよう調整される。
また、特許文献3に示した従来の方式では、ファラデーカップの表面状態が経時的に変化することに起因して、イオン検出感度が変化してしまうため、正確な不純物濃度制御を行うことができないという問題があった。
また、本発明のプラズマ処理方法は、真空容器内の試料電極に試料を載置し、ガス供給装置より真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、試料電極用整合回路を介して試料電極に高周波電力を供給することによって真空容器内にプラズマを発生させつつ、プラズマ中のイオンを試料の表面に向かって加速し衝突させて試料を処理するプラズマ処理方法であって、プラズマが発生しない条件で試料電極に高周波電圧を供給して、試料電極用整合回路と試料電極との間に設けた高周波センサにより試料電極に供給される高周波電圧V0及び電流I0を測定するステップと、プラズマを発生させて試料をプラズマ処理している際に高周波センサにより試料電極に供給される高周波電圧V1及び電流I1を測定するステップと、試料電極に流れる電荷移動にもとづく実質的な高周波電流をIr=I1−I0×V1/V0として求めるステップと、前記高周波電流Irにもとづき処理条件を制御するステップとを有し、前記V0、I0、V1、I1を測定するステップは、電圧及び電流をサンプリングして波形を取得するステップと、測定された高周波電圧波形及び電流波形をフーリエ変換して基本波成分V01、I01、V11、I11と高調波成分V0n、I0n、V1n、I1n(nは2、3、・・・で第n次高調波を表す)とに分解するステップとを含み、Ir=I11−I01×V11/V01+ΣI1nとしてIrを求める(Σはn:2以上を加算)ステップである。
また、本発明においては、前記処理条件を制御するステップは、前記高周波電流Irが所定の値となるように処理条件を制御するステップとを有する。 また、本発明においては、前記処理条件を制御するステップは、前記試料電極に供給する高周波電力を変化させるステップである。
また、本発明においては、前記処理条件を制御するステップは、前記ガスの流量を変化させるステップである。
また、本発明においては、前記処理条件を制御するステップは、試料を処理している間Irを時間積分した値が所定の値となった時点で処理を終了するステップを含む。
また、本発明においては、前記プラズマは、プラズマ源に高周波電力を供給することによって前記真空容器内に発生せしめられるものである。 また、本発明においては、前記処理条件を制御するステップは、プラズマ源に供給する高周波電力を変化させるステップである。
また、本発明においては、前記波形を取得するステップで取得されたサンプリング周波数が試料電極に供給する高周波電圧の基本周波数の第3次高調波を測定するに十分な周波数であり、前記高周波電流Irを求めるに際して少なくとも第3次高調波までを考慮するものである。
また、本発明においては、前記波形を取得するステップで取得されたサンプリング周波数が試料電極に供給する高周波電圧の基本周波数の第5次高調波を測定するに十分な周波数であり、前記高周波電流Irを求めるに際して少なくとも第5次高調波までを考慮するものである。
また、本発明は、真空容器と、試料電極と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内の圧力を制御する圧力制御装置と、試料電極に高周波電力を供給する試料電極用高周波電源と、試料電極のインピーダンス整合を図る試料電極用整合回路と、試料電極用整合回路と試料電極との間に設けられた高周波センサと、高周波センサの測定値をもとに試料電極に流れる電荷移動にもとづく実質的な高周波電流を算出する演算装置とを備えたプラズマ処理装置であって、前記高周波センサが、電圧及び電流をサンプリングするサンプラ部を備え、演算部が、測定された高周波電圧波形及び電流波形をフーリエ変換して基本波成分V01、I01、V11、I11と高調波成分V0n、I0n、V1n、I1n(nは2、3、・・・で第n次高調波を表す)とに分解する分解部と、試料電極に流れる電荷移動にもとづく実質的な高周波電流Irを、Ir=Σ(I1n−I0n×V1n/V0n)として求める(Σはn:1以上を加算)加算部とを備える。
また、本発明は、真空容器と、試料電極と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内の圧力を制御する圧力制御装置と、試料電極に高周波電力を供給する試料電極用高周波電源と、試料電極のインピーダンス整合を図る試料電極用整合回路と、試料電極用整合回路と試料電極との間に設けられた高周波センサと、高周波センサの測定値をもとに試料電極に流れる電荷移動にもとづく実質的な高周波電流を算出する演算装置とを備えたプラズマ処理装置であって、前記高周波センサが、電圧及び電流をサンプリングするサンプラ部を備え、演算部が、測定された高周波電圧波形及び電流波形をフーリエ変換して基本波成分V01、I01、V11、I11と高調波成分V0n、I0n、V1n、I1n(nは2、3、・・・で第n次高調波を表す)とに分解する分解部と、試料電極に流れる電荷移動にもとづく実質的な高周波電流Irを、Ir=I11−I01×V11/V01+ΣI1nとして求める(Σはn:2以上を加算)加算部とを備える。
また、本発明のプラズマ処理装置においては、さらにプラズマ源と、プラズマ源に高周波電力を供給するプラズマ源用高周波電源とを備える。
また、本発明のプラズマ処理装置においては、サンプリング周波数が試料電極に供給する高周波電圧の基本周波数の第3次高調波を測定するに十分な周波数であり、前記高周波電流Irを求めるに際して少なくとも第3次高調波までを考慮する。
また、本発明のプラズマ処理装置においては、サンプリング周波数が試料電極に供給する高周波電圧の基本周波数の第5次高調波を測定するに十分な周波数であり、前記高周波電流Irを求めるに際して少なくとも第5次高調波までを考慮する。
この構成により、試料表面に入射するイオン電流を正確にモニタリングできるプラズマ処理方法を提供することができ、とくに、試料表面に導入される不純物濃度や非晶質層の厚さの制御性に優れたプラズマ処理方法を提供することができる。また、非晶質層の厚さによって不純物の導入深さを制御することができるため、不純物導入領域の深さを高精度に制御することができる。なおここで制御される処理条件については後述する。
この構成により、簡便なプロセス制御性を実現できる。
(実施の形態1)
以下、本発明の実施の形態1について、図1から図6を参照して説明する。
図1に、本発明の実施の形態1において用いたプラズマ処理装置の断面図を示す。図1において、真空容器1内に、ガス供給装置2から所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのターボ分子ポンプ3により排気を行い、圧力制御装置としての調圧弁4により真空容器1内を所定の圧力に保つことができる。プラズマ源用高周波電源5により13.56MHzの高周波電力を試料電極6に対向した誘電体窓7の近傍に設けられたコイル8(図1中には、コイルの断面部が図示されている)に供給することにより、真空容器1内に誘導結合型プラズマを発生させることができる。試料電極6上に、試料としてのシリコン基板9を載置する。また、試料電極6に高周波電力を供給するための試料電極用高周波電源10が設けられており、これは、試料としての基板9がプラズマに対して負の電位をもつように、試料電極6の電位を制御する電圧源として機能する。真空容器1内のガスは、排気口11からポンプ3へ排気される。試料電極6は、基板9を載置する略正方形状の台座であり、各辺において支柱12により真空容器1に固定され、計4本の支柱12により、真空容器1に固定されている。
試料電極用整合回路13は、可変コンデンサ20及び21とコイル22を備え、試料電極用整合回路13の高周波入力側から試料電極側をみたインピーダンスが、試料電極用高周波電源10と試料電極用整合回路13を接続するための接続ケーブルの特性インピーダンスに等しくなるよう、インピーダンス整合を図るためのものである。
したがって、実質的な高周波電流またはその時間積分値が所定の値となるように処理条件を制御することにより、試料表面に入射するイオン電流を正確にモニタリングできるプラズマ処理方法及び装置を提供することができ、とくに、試料表面に導入される不純物濃度や非晶質層の厚さの制御性に優れたプラズマ処理方法及び装置を提供することが可能となる。
あるいは、実質的な高周波電流の時間積分値が所定の値となった時点で非晶質化処理を停止する(処理を終了する)ようにしてもよい。
あるいは、実質的な高周波電流の時間積分値が所定の値となった時点でドーピング処理を停止する(処理を終了する)ようにしてもよい。
本出願は、2005年4月4日出願の日本特許出願、出願番号2005-107775に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
2 ガス供給装置
3 ターボ分子ポンプ
4 調圧弁
5 プラズマ源用高周波電源
6 試料電極
7 誘電体窓
8 コイル
9 基板
10 試料電極用高周波電源
11 排気口
12 支柱
13 試料電極用整合回路
14 高周波センサ
15 演算装置
Claims (15)
- 真空容器内の試料電極に試料を載置し、ガス供給装置より真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、試料電極用整合回路を介して試料電極に高周波電力を供給することによって真空容器内にプラズマを発生させつつ、プラズマ中のイオンを試料の表面に向かって加速し衝突させて試料を処理するプラズマ処理方法であって、
プラズマが発生しない条件で試料電極に高周波電圧を供給して、試料電極用整合回路と試料電極との間に設けた高周波センサにより試料電極に供給される高周波電圧V0及び電流I0を測定するステップと、
プラズマを発生させて試料をプラズマ処理している際に高周波センサにより試料電極に供給される高周波電圧V1及び電流I1を測定するステップと、
試料電極に流れる電荷移動にもとづく実質的な高周波電流をIr=I1−I0×V1/V0として求めるステップと、
前記高周波電流Irにもとづき処理条件を制御するステップとを有し、
前記V0、I0、V1、I1を測定するステップは、電圧及び電流をサンプリングして波形を取得するステップと、測定された高周波電圧波形及び電流波形をフーリエ変換して基本波成分V01、I01、V11、I11と高調波成分V0n、I0n、V1n、I1n(nは2、3、・・・で第n次高調波を表す)とに分解するステップとを含み、Ir=Σ(I1n−I0n×V1n/V0n)としてIrを求める(Σはn:1以上を加算)ステップであるプラズマ処理方法。 - 真空容器内の試料電極に試料を載置し、ガス供給装置より真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、試料電極用整合回路を介して試料電極に高周波電力を供給することによって真空容器内にプラズマを発生させつつ、プラズマ中のイオンを試料の表面に向かって加速し衝突させて試料を処理するプラズマ処理方法であって、
プラズマが発生しない条件で試料電極に高周波電圧を供給して、試料電極用整合回路と試料電極との間に設けた高周波センサにより試料電極に供給される高周波電圧V0及び電流I0を測定するステップと、
プラズマを発生させて試料をプラズマ処理している際に高周波センサにより試料電極に供給される高周波電圧V1及び電流I1を測定するステップと、
試料電極に流れる電荷移動にもとづく実質的な高周波電流をIr=I1−I0×V1/V0として求めるステップと、
前記高周波電流Irにもとづき処理条件を制御するステップとを有し、
前記V0、I0、V1、I1を測定するステップは、電圧及び電流をサンプリングして波形を取得するステップと、測定された高周波電圧波形及び電流波形をフーリエ変換して基本波成分V01、I01、V11、I11と高調波成分V0n、I0n、V1n、I1n(nは2、3、・・・で第n次高調波を表す)とに分解するステップとを含み、Ir=I11−I01×V11/V01+ΣI1nとしてIrを求める(Σはn:2以上を加算)ステップであるプラズマ処理方法。 - 請求項1または2に記載のプラズマ処理方法であって、
前記処理条件を制御するステップは、前記高周波電流Irが所定の値となるように処理条件を制御するステップとを有するプラズマ処理方法。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載のプラズマ処理方法であって、
前記処理条件を制御するステップは、
前記試料電極に供給する高周波電力を変化させるステップであるプラズマ処理方法。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載のプラズマ処理方法であって、
前記処理条件を制御するステップは、
前記ガスの流量を変化させるステップであるプラズマ処理方法。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載のプラズマ処理方法であって、
前記処理条件を制御するステップは、
試料を処理している間Irを時間積分した値が所定の値となった時点で処理を終了するステップを含むプラズマ処理方法。 - 請求項1乃至6のいずれかに記載のプラズマ処理方法であって、
前記プラズマは、プラズマ源に高周波電力を供給することによって前記真空容器内に発生せしめられるものであるプラズマ処理方法。 - 請求項7に記載のプラズマ処理方法であって、
前記処理条件を制御するステップは、プラズマ源に供給する高周波電力を変化させるステップであるプラズマ処理方法。 - 請求項1乃至8のいずれかに記載のプラズマ処理方法であって、
前記波形を取得するステップで取得されたサンプリング周波数が試料電極に供給する高周波電圧の基本周波数の第3次高調波を測定するに十分な周波数であり、前記高周波電流Irを求めるに際して少なくとも第3次高調波までを考慮するものであるプラズマ処理方法。 - 請求項1乃至8のいずれかに記載のプラズマ処理方法であって、
前記波形を取得するステップで取得されたサンプリング周波数が試料電極に供給する高周波電圧の基本周波数の第5次高調波を測定するに十分な周波数であり、前記高周波電流Irを求めるに際して少なくとも第5次高調波までを考慮するものであるプラズマ処理方法。 - 真空容器と、試料電極と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内の圧力を制御する圧力制御装置と、試料電極に高周波電力を供給する試料電極用高周波電源と、試料電極のインピーダンス整合を図る試料電極用整合回路と、試料電極用整合回路と試料電極との間に設けられた高周波センサと、高周波センサの測定値をもとに試料電極に流れる電荷移動にもとづく実質的な高周波電流を算出する演算装置とを備えたプラズマ処理装置であって、
前記高周波センサが、電圧及び電流をサンプリングするサンプラ部を備え、演算部が、測定された高周波電圧波形及び電流波形をフーリエ変換して基本波成分V01、I01、V11、I11と高調波成分V0n、I0n、V1n、I1n(nは2、3、・・・で第n次高調波を表す)とに分解する分解部と、試料電極に流れる電荷移動にもとづく実質的な高周波電流Irを、Ir=Σ(I1n−I0n×V1n/V0n)として求める(Σはn:1以上を加算)加算部とを備えたプラズマ処理装置。 - 真空容器と、試料電極と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内の圧力を制御する圧力制御装置と、試料電極に高周波電力を供給する試料電極用高周波電源と、試料電極のインピーダンス整合を図る試料電極用整合回路と、試料電極用整合回路と試料電極との間に設けられた高周波センサと、高周波センサの測定値をもとに試料電極に流れる電荷移動にもとづく実質的な高周波電流を算出する演算装置とを備えたプラズマ処理装置であって、
前記高周波センサが、電圧及び電流をサンプリングするサンプラ部を備え、演算部が、測定された高周波電圧波形及び電流波形をフーリエ変換して基本波成分V01、I01、V11、I11と高調波成分V0n、I0n、V1n、I1n(nは2、3、・・・で第n次高調波を表す)とに分解する分解部と、試料電極に流れる電荷移動にもとづく実質的な高周波電流Irを、Ir=I11−I01×V11/V01+ΣI1nとして求める(Σはn:2以上を加算)加算部とを備えたプラズマ処理装置。 - 請求項11または12に記載のプラズマ処理装置であって、
さらにプラズマ源と、プラズマ源に高周波電力を供給するプラズマ源用高周波電源とを備えたプラズマ処理装置。 - 請求項11乃至13のいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、
サンプリング周波数が試料電極に供給する高周波電圧の基本周波数の第3次高調波を測定するに十分な周波数であり、前記高周波電流Irを求めるに際して少なくとも第3次高調波までを考慮するプラズマ処理装置。 - 請求項11乃至13のいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、
サンプリング周波数が試料電極に供給する高周波電圧の基本周波数の第5次高調波を測定するに十分な周波数であり、前記高周波電流Irを求めるに際して少なくとも第5次高調波までを考慮するプラズマ処理装置。
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