JP6811059B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本開示は、基板処理装置に関する。

特許文献１には、レジストが塗布された基板を加熱する（ベーク処理を行う）こと等により発生する排気を外部に排出する排気装置が開示されている。

特開２００７−１０３６３８号公報

ここで、レジストの種類によっては、ベーク処理時に多量の昇華物が発生し、排気中に多量の昇華物が含まれる場合がある。この場合、排気ダクト内で排気が冷やされると、排気ダクトの内壁に昇華物が凝集・堆積し、排気ダクトの排気流量が低下するおそれがある。従来、排気ダクトに堆積した昇華物は、例えば定期的に排気ダクト（縦ダクト及び横ダクト）を取り外しシンナーで洗浄すること等により除去されている。しかしながら、排気ダクトの取り外し及び取り付け作業は、複数人で行う必要があり煩雑である。また、排気ダクトが洗浄されている間は、基板処理装置の処理を停止する必要があるため、基板処理装置の稼働率が低下してしまう。

本開示は上記実情に鑑みてなされたものであり、排気ダクトのメンテナンスを簡易化すると共に稼働率の向上が図られた基板処理装置を提供することを目的とする。

本開示の一側面に係る基板処理装置は、塗布膜が形成された基板を加熱処理する熱処理部と、加熱処理により発生する昇華物を含んだ排気が流入し、排気が壁面に沿った旋回流を形成することで昇華物をサイクロン効果により捕集する容器本体と、容器本体に洗浄液を供給する液供給機構と、を備える。

この基板処理装置では、サイクロン構造の容器本体に、昇華物を含んだ排気が流入する。サイクロン構造の容器本体内部では、上昇旋回流と下降旋回流（壁面に沿った旋回流）が生じ、排気中の昇華物は該壁面に沿った旋回流に巻き込まれ、遠心力で容器本体の側壁に付着する。これにより、昇華物（不純物）が除去された排気を、上昇旋回流により容器本体の外部に排出することができ、排気ダクトに昇華物が詰まることを抑制できる。ここで、容器本体の側壁に付着する昇華物の量が増加すると、側壁において昇華物を付着させにくくなってしまう。この場合には、排気から昇華物を十分に取り除くことができず、昇華物を多く含んだ排気が上昇旋回流により外部に排出されるおそれがある。この点、本基板処理装置では、容器本体に洗浄液が供給されるため、該洗浄液により、側壁に付着した昇華物を洗い流すことができる。このことで、側壁を、昇華物が付着しやすい状態に保つことができ、排気から昇華物を適切に取り除くことができる。以上より、本基板処理装置によれば、排気ダクトのメンテナンスを簡易化し、稼働率の向上を図ることができる。

液供給機構は、洗浄液を旋回流に沿って吐出し供給してもよい。これにより、旋回流によって側壁に付着した昇華物を、洗浄液によってより適切に洗い流すことができる。

液供給機構は、ミスト状の洗浄液が排気の流路を通過するように、洗浄液を供給してもよい。これによって、排気の流路においてミスト状の洗浄液により昇華物を捕えることができ、排気から昇華物を好適に除去することができる。

基板処理装置は、コントローラを更に備え、コントローラは、熱処理部に基板の加熱処理を実行させることと、加熱処理の実行に伴い、洗浄液の流量が増加するように液供給機構を制御することと、を実行するように構成されていてもよい。これにより、排気が発生するタイミング以降に洗浄液の流量を自動的に増加させることができる。

基板処理装置は、コントローラと、排気中より取り除かれた昇華物を監視する監視センサと、を更に備え、コントローラは、監視センサによる監視に基づき、排気中より取り除かれた昇華物が所定量以上であるか否かを判定することと、昇華物が所定量以上である場合に、洗浄液の流量が増加するように液供給機構を制御することと、を実行するように構成されていてもよい。これにより、実際の昇華物の量を判定して、適切なタイミングで洗浄液の流量を増加させることができる。

監視センサは、容器本体の側壁に設けられていてもよい。これにより、側壁に付着した昇華物の量を監視することができ、適切なタイミングで洗浄液の流量を増加させることができる。

基板処理装置は、排気から分離した昇華物を回収する回収タンクを更に備え、液供給機構は、回収タンクに洗浄液を供給してもよい。洗浄液が供給されている回収タンクを用いて昇華物を回収することにより、洗浄液によって濃度が薄められた昇華物を回収することができるため、昇華物の回収時において昇華物が堆積すること（張り付くこと）等を抑制できる。

監視センサは、監視タンク内に設けられていてもよい。これにより、回収された昇華物の量を監視することができ、適切なタイミングで洗浄液の流量を増加させることができる。

基板処理装置は、容器本体における排気の導入領域である排気導入部に配置され該容器本体を加熱する加熱部を更に備えていてもよい。昇華物は、温度が低下した状態において凝集・付着し易くなる。このため、加熱部により排気導入部が加熱されることにより、排気導入部を昇華物が付着しにくい領域とできる。このことで、排気ダクトの近傍領域に昇華物が付着することを抑制でき、排気ダクトに昇華物が詰まることをより適切に抑制できる。なお、上記加熱部が設けられることにより、昇華物は、排気導入部の下流の領域に主に付着することとなる。上述した回収タンクが排気導入部の最下流に設けられた場合には、昇華物が付着する領域を回収タンクの近傍とすることができ、昇華物の回収効率を向上させることができる。

基板処理装置は、コントローラと、排気中より取り除かれた昇華物を監視する監視センサと、を更に備え、コントローラは、監視センサによる監視に基づき、排気中より取り除かれた昇華物が所定量以上であるか否かを判定することと、昇華物が所定量以上である場合に、洗浄液の流量が増加するように液供給機構を制御することと、を実行するように構成されており、監視センサは、容器本体における排気導入部よりも下流の領域である昇華物凝集部に配置されていてもよい。これにより、昇華物が付着しやすい昇華物凝集部において、昇華物の量を適切に監視することができる。

基板処理装置は、容器本体に振動を与える振動子を更に備えていてもよい。これにより、側壁に付着した昇華物を振り落として除去することができる。

本開示によれば、排気ダクトのメンテナンスを簡易化すると共に稼働率の向上が図られた基板処理装置を提供することができる。

基板処理システムの斜視図である。 図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。 図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。 昇華物回収ユニットの模式図である。 液供給機構の配置を示す模式図である。 コントローラのハードウェア構成を示すブロック図である。 ベーク処理手順を示すフローチャートである。 洗浄液供給処理手順を示すフローチャートである。 廃液処理手順を示すフローチャートである。 廃液処理を説明するための図である。 熱処理手順を示すタイミングチャートである。 比較例に係る基板処理装置を用いた場合の排気ダクトのメンテナンスを説明するための図である。 変形例に係る基板処理装置の模式図である。 加熱部の配置を示す模式図である。

以下、実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

〔基板処理システム〕
基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜（塗布膜）の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハＷである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。

基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ウェハＷ上に形成されたレジスト膜の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷの表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。

（塗布・現像装置）
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１〜図３に示すように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、コントローラ１００とを備える。

キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのウェハＷの導入及び塗布・現像装置２内からのウェハＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ウェハＷ用の複数のキャリア１１を支持可能であり、受け渡しアームＡ１を内蔵している。キャリア１１は、例えば円形の複数枚のウェハＷを収容する。受け渡しアームＡ１は、キャリア１１からウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。

処理ブロック５は、複数の処理モジュール１４，１５，１６，１７を有する。図２及び図３に示すように、処理モジュール１４，１５，１６，１７は、複数の液処理ユニットＵ１と、複数の熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を経ずにウェハＷを搬送する直接搬送アームＡ６を更に内蔵している。液処理ユニットＵ１は、処理液をウェハＷの表面に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板及び冷却板を内蔵しており、熱板によりウェハＷを加熱し、加熱後のウェハＷを冷却板により冷却して熱処理を行う。

処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウェハＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１４の液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をウェハＷ上に塗布する。処理モジュール１４の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１５は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜の上に塗布する。処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１６は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１６の液処理ユニットＵ１は、上層膜形成用の処理液をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１６の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１７の液処理ユニットＵ１は、露光済みのウェハＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１７の熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）等が挙げられる。

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

インタフェースブロック６は、露光装置３との間でウェハＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウェハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。

コントローラ１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。

まずコントローラ１００は、キャリア１１内のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように受け渡しアームＡ１を制御し、このウェハＷを処理モジュール１４用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１４内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの表面上に下層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、下層膜が形成されたウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１５用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１５内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１６用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１６内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１７用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように直接搬送アームＡ６を制御し、このウェハＷを露光装置３に送り出すように受け渡しアームＡ８を制御する。その後コントローラ１００は、露光処理が施されたウェハＷを露光装置３から受け入れて棚ユニットＵ１１に戻すように受け渡しアームＡ８を制御する。

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを処理モジュール１７内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜に現像処理を施すように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷをキャリア１１内に戻すように昇降アームＡ７及び受け渡しアームＡ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。

（昇華物回収ユニット）
次に、処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２に係る昇華物回収ユニット２０（図４参照）について説明する。図４に示すように、昇華物回収ユニット２０は、容器本体３０と、液供給機構４０と、回収タンク５０と、監視センサ６０とを備える。熱処理ユニットＵ２（熱処理部）の熱板ＨＰによって、レジスト膜が形成されたウェハＷが加熱される（ベーク処理が行われる）と、昇華物ＳＵを多く含んだ排気ＢＥが発生する。昇華物回収ユニット２０は、排気ＢＥから昇華物ＳＵを回収することにより、昇華物ＳＵが除去された排気ＡＥを排気ダクト９０に排出する構成である。

容器本体３０は、ウェハＷから発生した昇華物ＳＵを含んだ排気ＢＥが流入する構成である。容器本体３０では、排気ＢＥが壁面に沿った旋回流を形成することにより昇華物ＳＵがサイクロン効果により捕集される。容器本体３０は、排気の導入領域である排気導入部における側壁の内径よりも、排気導入部の下流の領域（底面側の領域）における側壁の内径が小さくなる構造とされており、例えばすり鉢状のサイクロン構造に形成されている。容器本体３０の上部側側面には、ウェハＷからの排気ＢＥが流れる排気管８１が連通している。容器本体３０の上方には、昇華物ＳＵが除去された排気ＡＥが流れる排気管８２が連通している。排気管８２は、排気ダクト９０に連通している。排気ダクト９０は、排気管８２に連通し水平方向に延びる横ダクト９１と、横ダクト９１に連通し垂直方向に延びる縦ダクト９２とを備える。

サイクロン構造の容器本体３０では、上昇旋回流と下降旋回流とが生じる。排気ＢＥに含まれた昇華物ＳＵは、下降旋回流に巻き込まれ、遠心力によって容器本体３０の側壁３１に付着する。そして、昇華物ＳＵが除去された排気ＡＥが、上昇旋回流により容器本体３０の外部に排出され、排気管８２を介して排気ダクト９０に排出される。なお、排気管８１は、容器本体３０側の排気口が、下降旋回流を発生させ易い向きに配置されていてもよい。排気ＡＥには、排気ダクト９０における昇華物ＳＵの堆積が問題とならない程度の少量の昇華物ＳＵが含まれていてもよい。

液供給機構４０は、容器本体３０に洗浄液を供給する構成である。洗浄液は、容器本体３０の側壁３１に付着した昇華物ＳＵを洗い流せるものであればよく、例えばシンナー等である。液供給機構４０は、液源４１と、配管４２，４２ａ，４２ｂと、バルブ４３ａ，４３ｂと、ノズル４４ａ，４４ｂとを有している。図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、ノズル４４ａの容器本体３０側の供給口は、排気管８１の排気口と同様に、容器本体３０の壁面に沿った、換言すれば排気ＡＥの旋回流に沿った向きに配置されている。これにより、液供給機構４０は、洗浄液を排気ＢＥの旋回流に沿って吐出し供給する。なお、図５（ｂ）は容器本体３０を平面視した図である。

液源４１は、洗浄液を蓄えるタンクである。液源４１に蓄えられた洗浄液は、例えば加圧用の不活性ガス（例えば窒素ガス）を送出する加圧源（不図示）によって配管４２側に圧送されるものであってもよいし、ポンプ（不図示）によって配管４２側に圧送されるものであってもよい。

配管４２は、液源４１から延びる洗浄液の流路である。配管４２は、分岐箇所において配管４２ａと配管４２ｂとに分岐している。配管４２ａは、分岐箇所から容器本体３０の上部側側面に向かって延びる配管である。配管４２ｂは、分岐箇所から回収タンク５０に向かって延びる配管である。

バルブ４３ａは、配管４２ａに設けられている。バルブ４３ａは例えばエアオペレーションバルブであり、配管４２ａ内の流路を開閉する。バルブ４３ａが開くことにより、液源４１の洗浄液が容器本体３０側に圧送される。バルブ４３ａの開閉は、コントローラ１００により制御される（詳細は後述）。

バルブ４３ｂは、配管４２ｂに設けられている。バルブ４３ｂは例えばエアオペレーションバルブであり、配管４２ｂ内の流路を開閉する。バルブ４３ｂが開くことにより、液源４１の洗浄液が回収タンク５０側に圧送される。バルブ４３ｂの開閉は、コントローラ１００により制御される（詳細は後述）。

ノズル４４ａは、配管４２ａの先端（容器本体３０側の端部）に取り付けられており、容器本体３０の上部側側面に設けられている。ノズル４４ａは、容器本体３０の上部側側面のうち、排気管８１が連通している箇所よりは下方に設けられている。ノズル４４ａは、容器本体３０の側壁３１を濡らすように洗浄液を吐出する。より詳細には、ノズル４４ａは、洗浄液が容器本体３０の側壁３１を螺旋状に流れるように、洗浄液を吐出する。このように、液供給機構４０は、洗浄液が容器本体３０の側壁３１を螺旋状に流れるように洗浄液を供給するものである。

ノズル４４ｂは、配管４２ｂの先端（回収タンク５０側の端部）に取り付けられており、回収タンク５０の上方に設けられている。ノズル４４ｂは、回収タンク５０の上方から回収タンク５０内に洗浄液を吐出する。このように、液供給機構４０は、回収タンク５０に洗浄液を供給する。

回収タンク５０は、容器本体３０の下方に配置されており、排気ＢＥから分離した昇華物ＳＵを回収する。より詳細には、回収タンク５０は、洗浄液によって側壁３１から洗い流され、重力により下方に落ちた昇華物ＳＵを回収する。上述したように、回収タンク５０には、ノズル４４ｂから洗浄液が直接供給される。また、回収タンク５０には、ノズル４４ａから容器本体３０に吐出された洗浄液が回収される。回収タンク５０には、液位センサ７２が取り付けられている。液位センサ７２は、回収タンク５０内の液位を測定し、測定結果をコントローラ１００に出力する。また、回収タンク５０には、回収タンク５０内の洗浄液を排出するためのポンプ７１が接続されている。回収タンク５０内の液位は、コントローラ１００によって制御されるポンプ７１によって調整される（詳細は後述）。

監視センサ６０は、排気ＢＥ中から取り除かれた昇華物ＳＵを監視するセンサである。監視センサ６０は監視結果をコントローラ１００に出力する。監視センサ６０は、例えば容器本体３０の側壁３１に設けられており、例えば側壁３１の汚れ具合（昇華物ＳＵの張り付き具合）を特定することにより、排気ＢＥ中から取り除かれた昇華物ＳＵを監視する。監視センサ６０は、容器本体３０の側壁３１のうち、昇華物ＳＵが張り付き易い箇所、すなわち、排気管８１の連通箇所及びノズル４４ａが設けられた箇所よりも下方であって排気ＢＥの温度低下によって昇華物ＳＵが堆積し易い箇所に設けられている。監視センサ６０は、例えば光学式センサ又は超音波センサである。光学式センサは、例えば側壁３１の透明度を特定することにより側壁３１の汚れ具合を特定するものである。超音波センサは、例えば側壁３１における厚みを特定することにより側壁３１の汚れ具合を特定するものである。

また、監視センサ６０は、例えば回収タンク５０内に設けられており、例えば洗浄液及び昇華物ＳＵを含む廃液の汚れ具合（昇華物ＳＵの含有具合）を特定することにより、排気ＢＥ中から取り除かれた昇華物ＳＵを監視してもよい。この場合、監視センサ６０は、例えば、廃液の色の変化に基づき排気ＢＥ中から取り除かれた昇華物ＳＵを監視する色検知センサや、パーティクルカウント等である。なお、監視センサ６０は、容器本体３０の側壁３１及び回収タンク５０内のいずれか一方に設けられていてもよいし、双方に設けられていてもよい。

（コントローラ）
昇華物回収ユニット２０、及び処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２は、上述のコントローラ１００により制御される。以下、昇華物回収ユニット２０、及び処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２を制御するためのコントローラ１００の構成を説明する。

コントローラ１００は、処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２にウェハＷのベーク処理を実行させることと、該ベーク処理の実行に伴い、洗浄液の流量が増加するように液供給機構４０を制御することと、を実行するように構成されている。

コントローラ１００は、監視センサ６０による監視によって分離しているとされた昇華物ＳＵが所定量以上であるか否かを判定することと、該昇華物ＳＵが所定量以上である場合に、洗浄液の流量が増加するように液供給機構４０を制御することと、を実行するように構成されていてもよい。

図４に例示するように、コントローラ１００は、機能上のモジュール（以下、「機能モジュール」という。）として、ベーク処理制御部１０１と、液供給制御部１０２と、汚れ判定部１０３と、液位判定部１０４と、排出制御部１０５とを有する。

ベーク処理制御部１０１は、ウェハＷのベーク処理を実行させるように処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２を制御する。具体的には、ベーク処理制御部１０１は、ウェハＷの加熱、及び、該加熱後の冷却を実行させるように、処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２を制御する。

液供給制御部１０２は、ベーク処理の実行が開始されたことに伴い、容器本体３０の側壁３１に向かって吐出される洗浄液の流量が増加するように（例えば、洗浄液の吐出が開始されるように）、液供給機構４０のバルブ４３ａを開く。また、液供給制御部１０２は、ベーク処理が終了したことに伴い、容器本体３０の側壁３１に向かって吐出される洗浄液の流量が減少するように（例えば、洗浄液の吐出が停止されるように）、液供給機構４０のバルブ４３ａを閉める。

液供給制御部１０２は、汚れ判定部１０３からの液供給指示に応じて、容器本体３０の側壁３１に向かって吐出される洗浄液の流量が増加するように（例えば、洗浄液の吐出が開始されるように）、液供給機構４０のバルブ４３ａを開く。また、液供給制御部１０２は、汚れ判定部１０３からの液供給停止指示に応じて、容器本体３０の側壁３１に向かって吐出される洗浄液の流量が減少するように（例えば、洗浄液の吐出が停止されるように）、液供給機構４０のバルブ４３ａを閉める。

液供給制御部１０２は、例えばベーク処理の実行が開始されたことに伴い、回収タンク５０の上方から回収タンク５０に向かって吐出される洗浄液の流量が増加するように（例えば、洗浄液の吐出が開始されるように）、液供給機構４０のバルブ４３ｂを開く。なお、液供給制御部１０２によってバルブ４３ｂが開かれるタイミングは、これに限定されない。

汚れ判定部１０３は、監視センサ６０による監視によって分離しているとされた昇華物ＳＵが所定量以上であるか否かを判定する。汚れ判定部１０３は、昇華物ＳＵが所定量以上である場合には、液供給指示を液供給制御部１０２に出力する。汚れ判定部１０３は、昇華物ＳＵが所定量以上でない場合には、液供給停止指示を液供給制御部１０２に出力する。

液位判定部１０４は、液位センサ７２によって測定された液位が所定の第１閾値以上であるか否かを判定する。液位判定部１０４は、液位が第１閾値以上である場合には、排出指示を排出制御部１０５に出力する。また、液位判定部１０４は、排出指示を出力した後において、液位センサ７２によって測定された液位が、上述した第１閾値よりも低い所定の第２閾値以下であるか否かを判定する。液位判定部１０４は、液位が第２閾値以下である場合には、排出停止指示を排出制御部１０５に出力する。

排出制御部１０５は、液位判定部１０４からの排出指示に応じて、回収タンク５０内の廃液が排出されるように、ポンプ７１を制御する。また、排出制御部１０５は、液位判定部１０４からの排出停止指示に応じて、回収タンク５０内の廃液の排出が停止されるように、ポンプ７１を制御する。

コントローラ１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えばコントローラ１００は、図６に示す回路１２０を有する。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３と、入出力ポート１２４と、タイマー１２５とを有する。

入出力ポート１２４は、処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２、バルブ４３ａ，４３ｂ、監視センサ６０、ポンプ７１、及び液位センサ７２等との間で電気信号の入出力を行う。タイマー１２５は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。ストレージ１２３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体を有する。記録媒体は、後述の基板処理手順を実行させるためのプログラムを記録している。記録媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１２２は、ストレージ１２３の記録媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２１による演算結果を一時的に記録する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。

なお、コントローラ１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えばコントローラ１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成されていてもよい。

〔基板処理手順〕
次に、基板処理方法の一例として、コントローラ１００の制御に応じて、昇華物回収ユニット２０、及び処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２が実行するベーク処理手順、洗浄液供給処理手順、及び廃液処理手順を説明する。ベーク処理では、ベーク処理制御部１０１が、ウェハＷのベーク処理を実行させるように処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２を制御する。洗浄液供給処理では、液供給制御部１０２が、ベーク処理の実行が開始されたことに伴い、容器本体３０の側壁３１に向けて洗浄液が吐出されるように、液供給機構４０を制御する。具体的には、液供給制御部１０２は、液供給機構４０のバルブ４３ａを開く。これにより、液源４１の洗浄液が、配管４２，４２ａ及びノズル４４ａを介して、容器本体３０の上部側側面から容器本体３０の内部に吐出され、容器本体３０の側壁３１を螺旋状に流れる。

（ベーク処理手順）
以下、ベーク処理手順について詳述する。図７に示すように、コントローラ１００はまずステップＳ１１を実行する。ステップＳ１１では、ベーク処理制御部１０１がウェハＷの加熱が開始されるように処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２を制御する。ウェハＷの加熱は、熱処理ユニットＵ２が内蔵する熱板ＨＰにより行われる。

つづいて、コントローラ１００はステップＳ１２を実行する。ステップＳ１２では、ベーク処理制御部１０１が、ステップＳ１１の処理の実行開始から所定時間が経過したか否かを判定する。

ステップＳ１２において所定時間が経過していると判定されるまでは、ステップＳ１２の処理が繰り返し行われる。一方で、ステップＳ１２において所定時間が経過していると判定された場合には、コントローラ１００はステップＳ１３を実行する。ステップＳ１３では、ベーク処理制御部１０１がウェハＷの冷却が開始されるように処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２を制御する。ウェハＷの冷却は、熱処理ユニットＵ２が内蔵する冷却板により行われる。

（洗浄液供給処理手順）
以下、洗浄液供給処理手順について詳述する。図８に示すように、コントローラ１００はまずステップＳ２１を実行する。ステップＳ２１では、ベーク処理制御部１０１が、ベーク処理を実行中であるか否かを判定すると共に、汚れ判定部１０３が、昇華物ＳＵが所定量以上であるか（汚れ有りか）否かを判定する。

ステップＳ２１においてベーク処理の実行中又は汚れ有りと判定されるまでは、ステップＳ２１の処理が繰り返し行われる。一方で、ステップＳ２１においてベーク処理の実行中又は汚れ有りと判定された場合には、コントローラ１００はステップＳ２２を実行する。ステップＳ２２では、液供給制御部１０２が液供給機構４０のバルブ４３ａを開く。すなわち、ステップＳ２２において、容器本体３０の側壁３１への洗浄液の吐出が開始される。

つづいて、コントローラ１００はステップＳ２３を実行する。ステップＳ２３では、ベーク処理制御部１０１が、ベーク処理が終了しているか否かを判定すると共に、汚れ判定部１０３が、昇華物ＳＵが所定量以上でないか（汚れ無しか）否かを判定する。

ステップＳ２３においてベーク処理が終了していて且つ汚れ無しと判定されるまでは、ステップＳ２３の処理が繰り返し行われる。一方で、ステップＳ２３においてベーク処理が終了していて且つ汚れ無しと判定された場合には、コントローラ１００はステップＳ２４を実行する。ステップＳ２４では、液供給制御部１０２が液供給機構４０のバルブ４３ａを閉める。すなわち、ステップＳ２４において、容器本体３０の側壁３１への洗浄液の吐出が停止される。

（廃液処理手順）
上述したように、回収タンク５０内に蓄積された、洗浄液及び昇華物ＳＵを含む廃液は、所定の条件を満たした場合に、回収タンク５０外に排出される。以下では、廃液処理手順について詳述する。

図１０に示すように、回収タンク５０には、液位センサ７２として、液位センサ７３，７４，７５が設けられている。液位センサ７４は、液位が所定の第１閾値（高さ：Ｈ）に到達したことを検出するセンサである。液位センサ７３は、液位が置第１閾値よりも低い第２閾値（高さ：Ｌ）に到達したことを検出するセンサである。液位センサ７５は、液位が第１閾値よりも高い第３閾値（高さ：ＨＨ）に到達したことを検出するセンサである。

図９に示すように、廃液処理においては、コントローラ１００はまずステップＳ３１を実行する。ステップＳ３１では、液位判定部１０４が、液位センサ７２によって測定された液位が第１閾値である高さＨ以上であるか否かを判定する。例えば回収タンク５０内の廃液の液位が図１０（ａ）に示される状態である場合には、液位センサ７４によって液位が高さＨ以上であることが検出されないため、液位判定部１０４は液位が高さＨ以上でないと判定する。この場合には、液位が高さＨ以上であると判定されるまで、ステップＳ３１の処理が繰り返し行われる。

一方で、廃液の液位が図１０（ｂ）に示される状態である場合には、液位センサ７４によって液位が高さＨ以上であることが検出されるため、液位判定部１０４は、液位が高さＨ以上であると判定し、排出制御部１０５に排出指示を出力する。この場合、コントローラ１００はステップＳ３２を実行する。ステップＳ３２では、排出制御部１０５が、液位判定部１０４からの排出指示に応じて、回収タンク５０内の廃液が回収タンク５０の外部に排出されるように、ポンプ７１を制御する。

つづいて、コントローラ１００はステップＳ３３を実行する。ステップＳ３３では、液位判定部１０４が、液位センサ７２によって測定された液位が、第１閾値よりも低い第２閾値である高さＬ以下であるか否かを判定する。

ステップＳ３３において液位が高さＬ以下であると判定されるまでは、ステップＳ３３の処理が繰り返し行われる。一方で、廃液の液位が図１０（ｃ）に示される状態である場合には、液位センサ７３によって液位が高さＬ以下であることが検出されるため、液位判定部１０４は、液位が高さＬ以下であると判定し、排出制御部１０５に排出停止指示を出力する。この場合、コントローラ１００はステップＳ３４を実行する。ステップＳ３４では、排出制御部１０５が、液位判定部１０４からの排出停止指示に応じて、回収タンク５０内の廃液の排出が停止されるように、ポンプ７１を制御する。

（各処理の実行タイミング）
次に、上述したベーク処理、洗浄液供給処理、及び廃液処理の実行タイミングの一例について、図１１を参照して説明する。

図１１に示すように、時刻ｔ１において、ベーク処理制御部１０１によってウェハＷのベーク処理が開始されると同時に、液供給制御部１０２によって液供給機構４０のバルブ４３ａが開かれ、液供給機構４０による容器本体３０への洗浄液の供給が開始される。なお、ベーク処理の開始と洗浄液供給の開始とは必ずしも一致している必要はなく、いずれかの処理が先行して行われるものであってもよい。

洗浄液の供給開始によって回収タンク５０内の廃液量が増加し、時刻ｔ２において、液位センサ７４により、液位が所定の第１閾値（高さ：Ｈ）に到達したことが検出される。この場合、液位判定部１０４によって液位が高さＨ以上であると判定され、排出制御部１０５によって回収タンク５０内の廃液が外部に排出されるようにポンプ７１が制御（ＯＮ）される。

時刻ｔ１において開始されたベーク処理が時刻ｔ３において終了すると、時刻ｔ３から所定時間経過した後に、液供給制御部１０２により、液供給機構４０のバルブ４３ａが閉められ、容器本体３０への洗浄液の供給が停止される。

また、時刻ｔ２において回収タンク５０からの廃液の排出を開始したことによって、時刻ｔ４において、液位センサ７３により液位が所定の第２閾値（高さ：Ｌ）以下であることが検出される。この場合、時刻ｔ４から所定時間経過した後に、排出制御部１０５によって回収タンク５０内の廃液の排出が停止されるようにポンプ７１が制御（ＯＦＦ）される。

時刻ｔ５において、汚れ判定部１０３により、監視センサ６０が検出した昇華物ＳＵが所定量以上である（汚れ有り）と判定され、液供給制御部１０２により、液供給機構４０による容器本体３０への洗浄液の供給が開始される。そして、時刻ｔ６において、汚れ判定部１０３により、監視センサ６０が検出した昇華物ＳＵが所定量以上でない（汚れ無し）と判定されると、所定時間経過した後に、液供給制御部１０２により容器本体３０への洗浄液の供給が停止される。

時刻ｔ７において、ベーク処理制御部１０１によってウェハＷのベーク処理が開始されると同時に、液供給制御部１０２によって液供給機構４０による容器本体３０への洗浄液の供給が開始される。ベーク処理が終了する時刻ｔ９よりも前の時刻ｔ８において、汚れ判定部１０３により、監視センサ６０が検出した昇華物ＳＵが所定量以上である（汚れ有り）と判定されると、ベーク処理の終了時刻ｔ９が洗浄液の供給停止の契機とならず、その後、汚れ判定部１０３により、監視センサ６０が検出した昇華物ＳＵが所定量以上でない（汚れ無し）と判定された時刻ｔ１０から所定時間経過した後に、液供給制御部１０２により容器本体３０への洗浄液の供給が停止される。このように、ベーク処理が終了するタイミングにおいて汚れ有りと判定されている場合には、洗浄液の供給が停止されず、その後に汚れ無しとなった後に洗浄液の供給が停止される。

時刻ｔ１１において、汚れ判定部１０３により、監視センサ６０が検出した昇華物ＳＵが所定量以上である（汚れ有り）と判定されると、液供給制御部１０２により、液供給機構４０による容器本体３０への洗浄液の供給が開始される。汚れ無しと判定される時刻ｔ１３よりも前の時刻ｔ１２において、ベーク処理制御部１０１によりウェハＷのベーク処理が開始されると、汚れ無しと判定される時刻ｔ１３が洗浄液の供給停止の契機とならず、その後、ベーク処理が終了した時刻ｔ１４から所定時間経過した後に、液供給制御部１０２により容器本体３０への洗浄液の供給が停止される。このように、汚れ無しと判定されるタイミングにおいてベーク処理が継続している場合には、洗浄液の供給が停止されず、その後にベーク処理が終了した後に洗浄液の供給が停止される。

また、ベーク処理に伴い洗浄液の供給が開始されたことによって回収タンク５０内の廃液量が増加し、時刻ｔ１５において、液位センサ７４により、液位が所定の第１閾値（高さ：Ｈ）に到達したことが検出されるとする。この場合、液位判定部１０４によって液位が高さＨ以上であると判定され、排出制御部１０５によって回収タンク５０内の廃液が外部に排出されるようにポンプ７１が制御（ＯＮ）される。その後、時刻ｔ１６において、回収タンク５０からの廃液の排出を開始したことによって、液位センサ７３により液位が所定の第２閾値（高さ：Ｌ）以下であることが検出される。この場合、第２閾値（高さ：Ｌ）よりも高い第１閾値の到達を検出する液位センサ７４は、通常であれば液位が第１閾値（高さ：Ｈ）以下であることを検出していなければならない。しかし、何らかの異常により、液位センサ７４によって、液位が第１閾値（高さ：Ｈ）より高いと検出されている場合には、時刻ｔ１６において、液位センサの論理不整合が発生していると判定され、液供給制御部１０２により洗浄液の供給が停止される。

また、時刻ｔ１７において、液位センサ７４により、液位が所定の第１閾値（高さ：Ｈ）に到達したことが検出されるとする。この場合、液位判定部１０４によって液位が高さＨ以上であると判定され、排出制御部１０５によって回収タンク５０内の廃液が外部に排出されるようにポンプ７１が制御（ＯＮ）される。その後、廃液が外部に排出されているにもかかわらず、所定の時間が経過しても液位が第２閾値（高さ：Ｌ）以下とならない場合には、何らかの異常が発生していると考えられるため、時刻ｔ１７から所定の時間が経過した時刻ｔ１８において、タイムアウトと判定され、液供給制御部１０２により洗浄液の供給が停止される。

また、ベーク処理に伴い洗浄液の供給が開始されたことによって回収タンク５０内の廃液量が増加し、時刻ｔ１９において、液位センサ７４により、液位が所定の第１閾値（高さ：Ｈ）に到達したことが検出されるとする。この場合、液位判定部１０４によって液位が高さＨ以上であると判定され、排出制御部１０５によって回収タンク５０内の廃液が外部に排出されるようにポンプ７１が制御（ＯＮ）される。その後、図１０（ｄ）に示すように洗浄液が第３閾値（高さ：ＨＨ）に到達すると、時刻ｔ２０において、液位センサ７５により、液位が第３閾値（高さ：ＨＨ）に到達したことが検出される。この場合、液位センサの不良等何らかの異常が発生していると考えられるため、液供給制御部１０２により洗浄液の供給が停止される。

〔本実施形態の作用効果〕
以上に説明したように、塗布・現像装置２は、レジスト膜が形成されたウェハＷを加熱処理する熱処理ユニットＵ２と、加熱処理により発生する昇華物ＳＵを含んだ排気ＢＥが流入し、排気ＢＥが壁面に沿った旋回流を形成することで昇華物ＳＵをサイクロン効果により捕集する容器本体３０と、容器本体３０に洗浄液を供給する液供給機構４０と、を備える。

この塗布・現像装置２では、サイクロン構造の容器本体３０に、昇華物ＳＵを含んだ排気ＢＥが流入する。サイクロン構造の容器本体３０内部では、上昇旋回流と下降旋回流（壁面に沿った旋回流）が生じ、排気ＢＥ中の昇華物ＳＵは該壁面に沿った旋回流に巻き込まれ、遠心力で容器本体３０の側壁３１に付着する。これにより、昇華物ＳＵ（不純物）が除去された排気ＡＥを、上昇旋回流により容器本体３０の外部に排出することができ、排気ダクト９０に昇華物が詰まることを抑制できる。ここで、容器本体の側壁に付着する昇華物の量が増加すると、側壁において昇華物を付着させにくくなってしまう。この場合には、排気から昇華物を十分に取り除くことができず、昇華物を多く含んだ排気が上昇旋回流により外部に排出されるおそれがある。この点、塗布・現像装置２では、容器本体３０に洗浄液が供給されるため、該洗浄液により、側壁３１に付着した昇華物ＳＵを洗い流すことができる。このことで、側壁３１を、昇華物ＳＵが付着し易い状態に保つことができ、排気ＢＥから昇華物ＳＵを適切に取り除くことができる。なお、洗浄液が供給されることにより、容器本体３０の側壁３１を適切に冷却することができるため、昇華物ＳＵが凝集し易くなり、側壁３１への昇華物ＳＵの付着を促進することができる。

図１２は、比較例に係る基板処理装置を用いた場合の排気ダクト９０のメンテナンスを説明するための図である。当該比較例に係る基板処理装置は、本実施形態の塗布・現像装置２とは異なり、サイクロン構造の容器本体３０及び液供給機構４０を備えていない。すなわち、比較例に係る基板処理装置では、ウェハＷの加熱処理により発生する、昇華物ＳＵを含んだ排気ＢＥがそのまま排気ダクト９０に流入する。この場合、排気ダクト９０内で排気が冷やされると、排気ダクト９０の内壁に昇華物ＳＵが凝集・堆積するおそれがある。このため、比較例に係る基板処理装置を用いた場合には、図１２に示すように、定期的に排気ダクト９０（横ダクト９１及び縦ダクト９２）を取り外し、シンナーを溜めたプールに該排気ダクト９０を漬けること等により、排気ダクト９０の昇華物ＳＵを除去している。しかしながら、排気ダクト９０は長いもので２０００ｍｍ以上の長さのものもあり、取り回しが困難であることから、このような作業は複数人で行う必要があり煩雑である。また、排気ダクト９０がプールにおいて洗浄されている間は基板処理装置の処理を停止する必要があるため、基板処理装置の稼働率が低下することも問題となる。

これに対して、本実施形態の塗布・現像装置２は、洗浄液によって側壁３１を洗い流すことにより、側壁３１を昇華物ＳＵが付着し易い状態に保ち、排気ＢＥから昇華物ＳＵを適切に取り除き、排気ダクト９０に昇華物が詰まることを抑制するものである。このため、塗布・現像装置２では、上述した比較例と比べて、排気ダクト９０の取り外し洗浄等の頻度が下がることとなり、排気ダクト９０のメンテナンスが簡易化すると共に、稼働率が向上する。

液供給機構４０は、洗浄液を旋回流に沿って吐出し供給する。これにより、旋回流によって側壁３１に付着した昇華物ＳＵを、洗浄液によってより適切に洗い流すことができる。

塗布・現像装置２は、コントローラ１００を更に備え、コントローラ１００は、熱処理ユニットＵ２にウェハＷの加熱処理を実行させることと、加熱処理の実行に伴い、洗浄液の流量が増加するように液供給機構４０を制御することと、を実行するように構成されている。これにより、加熱処理によって排気が発生するタイミング以降に、洗浄液の流量を自動的に増加させることができる。

塗布・現像装置２は、排気ＢＥ中より取り除かれた昇華物ＳＵを監視する監視センサ６０を更に備え、コントローラ１００は、監視センサ６０による監視に基づき、排気ＢＥ中より取り除かれた昇華物ＳＵが所定量以上であるか否かを判定することと、昇華物ＳＵが所定量以上である場合に、洗浄液の流量が増加するように液供給機構４０を制御することと、を実行するように構成されている。これにより、実際の昇華物の量を判定して、適切なタイミングで洗浄液の流量を増加させることができる。

監視センサ６０は、容器本体３０の側壁３１に設けられている。これにより、側壁３１に付着した昇華物ＳＵの量を監視することができ、適切なタイミングで洗浄液の流量を増加させることができる。

塗布・現像装置２は、排気ＢＥから分離した昇華物ＳＵを回収する回収タンク５０を更に備え、液供給機構４０は、回収タンク５０に洗浄液を供給する。洗浄液が供給されている回収タンク５０を用いて昇華物ＳＵを回収することにより、洗浄液によって濃度が薄められた昇華物ＳＵを回収することができるため、昇華物ＳＵの回収時において昇華物ＳＵが堆積すること（張り付くこと）等を抑制できる。

監視センサ６０は、回収タンク５０内に設けられていてもよい。これにより、回収された昇華物ＳＵの量を監視することができ、適切なタイミングで洗浄液の流量を増加させることができる。

以上、実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

例えば、図１３（ａ）に示されるように、液供給機構１４０は、ミスト状の洗浄液が排気ＢＥの流路である排気管８１内を通過するように、洗浄液を供給するものであってもよい。この場合、液供給機構４０の配管１４２ａは排気管８１内に挿通されており、配管１４２ａの先端に取り付けられたノズル１４４ａは排気管８１内においてミスト状の洗浄液を噴射する。これによって、排気ＢＥの流路においてミスト状の洗浄液により昇華物ＳＵを捕えることができ、排気ＢＥから昇華物ＳＵを好適に除去することができる。

また、図１３（ｂ）に示すように、容器本体３０の一部の領域には、容器本体３０の一部を加熱するヒータ２３５（加熱部）が配置されていてもよい。より詳細には、図１４に示すように、容器本体３０における排気ＢＥの導入領域（ノズル４４ａの供給口に近い部分）である排気導入部２０１に、ヒータ２３５が配置されていてもよい。上述したように、昇華物ＳＵは温度が低下した状態において凝集・付着し易くなる。このため、ヒータ２３５により排気導入部２０１が加熱されることにより、排気導入部２０１を昇華物ＳＵが付着しにくい領域とできる。このことで、排気ダクト９０の近傍領域に昇華物ＳＵが付着することを抑制でき、排気ダクト９０に昇華物ＳＵが詰まることをより適切に抑制できる。なお、ヒータ２３５が設けられることにより、昇華物ＳＵは排気導入部２０１の下流の領域である昇華物凝集部２０２に主に付着することとなる。すなわち、昇華物ＳＵは回収タンク５０の近傍に付着することとなる。これにより、昇華物ＳＵの回収効率を向上させることができる。この場合、監視センサ６０は昇華物凝集部２０２に配置される。これにより、昇華物ＳＵが付着しやすい昇華物凝集部２０２において、昇華物ＳＵの量を適切に監視することができる。

また、図１３（ｃ）に示すように、容器本体３０に振動を与える振動子２３６を備えていてもよい。当該振動子２３６を振動させることによって、側壁３１に付着した昇華物ＳＵを振り落として除去することができる。このような振動子２３６は、例えば、昇華物ＳＵが主に付着する、昇華物凝集部２０２（図１４参照）に配置される。

２…塗布・現像装置（基板処理装置）、３０…容器本体、３１…側壁、４０…液供給機構、５０…回収タンク、６０…監視センサ、１００…コントローラ、２３５…ヒータ（加熱部）、２３６…振動子、Ｕ２…熱処理ユニット（熱処理部）、Ｗ…ウェハ（基板）。

Claims (10)

1. 塗布膜が形成された基板を加熱処理する熱処理部と、
   前記加熱処理により発生する昇華物を含んだ排気が流入し、前記排気が壁面に沿った旋回流を形成することで昇華物をサイクロン効果により捕集する容器本体と、
   前記容器本体に洗浄液を供給する液供給機構と、
   コントローラと、
   排気中より取り除かれた前記昇華物を監視する監視センサと、を備え、
   前記コントローラは、
   前記監視センサによる監視に基づき、排気中より取り除かれた前記昇華物が所定量以上であるか否かを判定することと、
   前記昇華物が前記所定量以上である場合に、前記洗浄液の流量が増加するように前記液供給機構を制御することと、を実行するように構成されている、基板処理装置。
2. 前記液供給機構は、前記洗浄液を前記旋回流に沿って吐出し供給する、請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記液供給機構は、ミスト状の前記洗浄液が前記排気の流路を通過するように、前記洗浄液を供給する、請求項1又は２記載の基板処理装置。
4. コントローラを更に備え、
   前記コントローラは、
   前記熱処理部に前記基板の加熱処理を実行させることと、
   前記加熱処理の実行に伴い、前記洗浄液の流量が増加するように前記液供給機構を制御することと、を実行するように構成されている、請求項１〜３のいずれか一項記載の基板処理装置。
5. 前記監視センサは、前記容器本体の側壁に設けられている、請求項１〜４のいずれか一項記載の基板処理装置。
6. 前記排気から分離した前記昇華物を回収する回収タンクを更に備え、
   前記液供給機構は、前記回収タンクに前記洗浄液を供給する、請求項１〜５のいずれか一項記載の基板処理装置。
7. 前記監視センサは、前記回収タンク内に設けられている、請求項６記載の基板処理装置。
8. 塗布膜が形成された基板を加熱処理する熱処理部と、
   前記加熱処理により発生する昇華物を含んだ排気が流入し、前記排気が壁面に沿った旋回流を形成することで昇華物をサイクロン効果により捕集する容器本体と、
   前記容器本体に洗浄液を供給する液供給機構と、
   前記容器本体における前記排気の導入領域である排気導入部に配置され、該容器本体を加熱する加熱部と、を備える、基板処理装置。
9. コントローラと、
   排気中より取り除かれた前記昇華物を監視する監視センサと、を更に備え、
   前記コントローラは、
   前記監視センサによる監視に基づき、排気中より取り除かれた前記昇華物が所定量以上であるか否かを判定することと、
   前記昇華物が前記所定量以上である場合に、前記洗浄液の流量が増加するように前記液供給機構を制御することと、を実行するように構成されており、
   前記監視センサは、前記容器本体における前記排気導入部よりも下流の領域である昇華物凝集部に配置されている、請求項８記載の基板処理装置。
10. 塗布膜が形成された基板を加熱処理する熱処理部と、
    前記加熱処理により発生する昇華物を含んだ排気が流入し、前記排気が壁面に沿った旋回流を形成することで昇華物をサイクロン効果により捕集する容器本体と、
    前記容器本体に洗浄液を供給する液供給機構と、
    前記容器本体に振動を与える振動子と、を備える、基板処理装置。

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