JP6204269B2 - 送液システムの洗浄方法、送液システム、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - Google Patents

送液システムの洗浄方法、送液システム、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 Download PDF

Info

Publication number
JP6204269B2
JP6204269B2 JP2014114674A JP2014114674A JP6204269B2 JP 6204269 B2 JP6204269 B2 JP 6204269B2 JP 2014114674 A JP2014114674 A JP 2014114674A JP 2014114674 A JP2014114674 A JP 2014114674A JP 6204269 B2 JP6204269 B2 JP 6204269B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
pressure loss
cleaning
pipe
line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014114674A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015230899A (ja
Inventor
幸三 西
幸三 西
淳一 内田
淳一 内田
安達 健二
健二 安達
公一朗 田中
公一朗 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2014114674A priority Critical patent/JP6204269B2/ja
Publication of JP2015230899A publication Critical patent/JP2015230899A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6204269B2 publication Critical patent/JP6204269B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本開示は、送液システムの洗浄方法、送液システム、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。
特許文献1は、基板(例えば、半導体基板)の微細加工などを行うにあたり、送液システムを用いて、ノズルから基板の表面に塗布液を吐出することを開示している。この塗布液中には、元来パーティクル(微細粒子)等の異物が含まれうる。また、塗布液が配管を吐出口まで流れる際に、配管から塗布液中にパーティクル等の異物が混入しうる。
特開2008−305980号公報
送液システムは、フィルタやポンプ等の圧力損失が大きい要素である圧力損失部を複数有している。圧力損失部では、塗布液が特に滞留しやすい。そして、圧力損失部に塗布液が滞留すると、塗布液におけるパーティクル濃度が次第に高くなる。パーティクルの濃度が高まった塗布液がノズルから基板に吐出されると、多数のパーティクルが基板に付着してしまうため、処理された基板に欠陥が生ずる虞が高まる。
基板における欠陥の発生を避けるためには、塗布液が滞留した圧力損失部を洗浄することが考えられる。すなわち、清浄な塗布液を圧力損失部に供給して、滞留した塗布液を圧力損失部から全て排出し、清浄な塗布液で圧力損失部を置換することが考えられる。しかしながら、洗浄作業のために送液システム全体に塗布液を供給すると、基板を処理するために本来用いられるべき比較的高価な塗布液が圧力損失部の洗浄のために無駄に消費されてしまい、洗浄のためのコストが増大してしまう。
そこで、本開示は、洗浄のためのコストを抑制することが可能な送液システムの洗浄方法、送液システム、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を説明する。
本開示の一つの観点に係る送液システムの洗浄方法は、塗布液を吐出するためのノズルが一端に接続された送液ライン上に配置されている複数の圧力損失部のうち少なくとも一つに対し、送液ラインとは別に圧力損失部に接続された洗浄ラインを通じて洗浄液を供給する洗浄処理を含む。
本開示の一つの観点に係る送液システムの洗浄方法では、送液ラインとは別に圧力損失部に接続された洗浄ラインを通じて、洗浄液を圧力損失部のうち少なくとも一つに供給している。そのため、圧力損失部の洗浄のために、比較的高価な塗布液ではなく、洗浄液が用いられる。加えて、洗浄ラインを通じて洗浄液が圧力損失部に供給されるので、洗浄処理に際して、送液ラインのうち圧力損失部以外に存在している塗布液が、洗浄液によって送液ライン外に排出され難い。従って、圧力損失部の洗浄後も、送液ラインのうち圧力損失部以外に存在している塗布液を基板の処理のために用いることができる。以上より、洗浄のためのコストを抑制することが可能となる。
洗浄処理は、複数の圧力損失部における清浄度をそれぞれ監視することと、複数の圧力損失部のうち所定の清浄度以下となった圧力損失部に対し、当該圧力損失部に接続された洗浄ラインを通じて洗浄液を選択的に供給することとを行ってもよい。この場合、所定の清浄度以下となった圧力損失部が選択的に洗浄され、清浄度を保っている他の圧力損失部の洗浄は行われない。そのため、洗浄が必要な圧力損失部に対して洗浄処理が行われるので、洗浄のためのコストをより抑制することが可能となる。
送液システムは、複数の圧力損失部におけるパーティクルの数をそれぞれ計測するように構成されたカウンタをさらに備え、洗浄処理は、複数の圧力損失部におけるパーティクルの数をカウンタによりそれぞれ計測することと、複数の圧力損失部のうちカウンタの値が所定の閾値以上となった圧力損失部に対し、当該圧力損失部に接続された洗浄ラインを通じて洗浄液を選択的に供給することとを行ってもよい。
送液システムは、複数の圧力損失部の内部に塗布液が充填されている状態の時間を示す充填時間をそれぞれ計測するように構成されたタイマをさらに備え、洗浄処理は、複数の圧力損失部における充填時間をタイマによりそれぞれ計測することと、複数の圧力損失部のうちタイマの値が所定の閾値以上となった圧力損失部に対し、当該圧力損失部に接続された洗浄ラインを通じて洗浄液を選択的に供給することとを行ってもよい。
本開示の他の観点に係る送液システムは、塗布液を吐出するためのノズルが一端に接続された送液ラインと、送液ライン上に配置されている複数の圧力損失部と、送液ラインとは別に圧力損失部に接続された洗浄ラインと、複数の圧力損失部のそれぞれに洗浄液を供給する供給源と、制御部とを備え、制御部は、複数の圧力損失部のうち少なくとも一つに対し、洗浄ラインを通じて洗浄液を供給源から供給させる処理を実行する。
本開示の他の観点に係る送液システムでは、制御部が、送液ラインとは別に圧力損失部に接続された洗浄ラインを通じて、圧力損失部のうち少なくとも一つに対し、洗浄液を供給源から供給させる。そのため、圧力損失部の洗浄のために、比較的高価な塗布液ではなく、洗浄液が用いられる。加えて、洗浄ラインを通じて洗浄液を供給源から圧力損失部に供給させるので、洗浄処理に際して、送液ラインのうち圧力損失部以外に存在している塗布液が、洗浄液によって送液ライン外に排出され難い。従って、圧力損失部の洗浄後も、送液ラインのうち圧力損失部以外に存在している塗布液を基板の処理のために用いることができる。以上より、洗浄のためのコストを抑制することが可能となる。
送液システムは、フィルタ及びポンプを圧力損失部として備えてもよい。
送液システムは、ノズルから吐出される塗布液を調節する吐出用バルブを圧力損失部としてさらに備え、吐出用バルブは、送液ラインにおいてフィルタ及びポンプとノズルとの間に位置していてもよい。
複数の圧力損失部における清浄度をそれぞれ監視する監視部をさらに備え、制御部は、複数の圧力損失部のうち所定の清浄度以下となった圧力損失部が監視部によって検出された場合に、当該圧力損失部に接続された洗浄ラインを通じて洗浄液を供給源から選択的に供給させる処理を実行してもよい。この場合、所定の清浄度以下となった圧力損失部が選択的に洗浄され、清浄度を保っている他の圧力損失部の洗浄は行われない。そのため、洗浄が必要な圧力損失部に対して洗浄処理が行われるので、洗浄のためのコストをより抑制することが可能となる。
複数の圧力損失部におけるパーティクルの数をそれぞれ計測するように構成されたカウンタをさらに備え、制御部は、複数の圧力損失部のうちパーティクルの数が所定の閾値以上となった圧力損失部がカウンタによって検出された場合に、当該圧力損失部に接続された洗浄ラインを通じて洗浄液を供給源から選択的に供給させる処理を実行してもよい。
複数の圧力損失部の内部に塗布液が充填されている状態の時間を示す充填時間をそれぞれ計測するように構成されたタイマをさらに備え、制御部は、複数の圧力損失部のうち充填時間が所定の閾値以上となった圧力損失部がタイマによって検出された場合に、当該圧力損失部に接続された洗浄ラインを通じて洗浄液を供給源から選択的に供給させる処理を実行してもよい。
送液システムは、フィルタ及びポンプを圧力損失部として備えると共に、フィルタ及びポンプの下流側からフィルタ及びポンプの上流側に塗布液を戻す循環路と、循環路に配置され且つ循環路を流通する塗布液中のパーティクルの数をそれぞれ計測するように構成されたカウンタとを備え、制御部は、循環路を通じてフィルタ及びポンプを循環している塗布液中のパーティクルの数が所定の閾値以上となったことがカウンタによって検出された場合に、フィルタ及びポンプにそれぞれ接続された洗浄ラインを通じて洗浄液を供給源から選択的に供給させる処理を実行してもよい。この場合、循環路を通じてフィルタ及びポンプに塗布液を循環させることで、ノズルから塗布液が吐出されていない場合であっても、フィルタ及びポンプにおけるパーティクルの増加を抑制できる。加えて、このときにフィルタ及びポンプにおけるパーティクルの数が増加した場合でも、循環路に配置されたカウンタによってパーティクルの数を計測することで、フィルタ及びポンプを選択的に洗浄することができる。
本開示の他の観点に係るコンピュータ読み取り可能な記録媒体は、上記の方法を送液システムに実行させるためのプログラムを記録している。本開示の他の観点に係るコンピュータ読み取り可能な記録媒体は、上記の方法と同様に、洗浄のためのコストを抑制することが可能となる。本明細書において、コンピュータ読み取り可能な記録媒体には、一時的でない有形の媒体(non-transitory computer recording medium)(例えば、各種の主記憶装置又は補助記憶装置)や、伝播信号(transitory computer recording medium)(例えば、ネットワークを介して提供可能なデータ信号)が含まれる。
本開示に係る送液システムの洗浄方法、送液システム、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体によれば、洗浄のためのコストを抑制することが可能となる。
図1は、基板処理システムを示す斜視図である。 図2は、図1のII−II線断面図である。 図3は、図2のIII−III線断面図である。 図4は、塗布ユニットを示す模式図である。 図5は、本実施形態に係る液供給システム(送液システム)を示す図である。 図6は、本実施形態に係る液供給システムの動作を説明するための図である。 図7は、本実施形態に係る液供給システムの動作を説明するための図である。 図8は、本実施形態に係る液供給システムの動作を説明するための図である。 図9は、本実施形態に係る液供給システムの動作を説明するための図である。 図10は、本実施形態に係る液供給システムの動作を説明するための図である。 図11は、本実施形態に係る液供給システムの動作を説明するための図である。 図12は、本実施形態に係る液供給システムの他の例を示す図である。 図13は、本実施形態に係る液供給システムの他の例を示す図である。 図14は、本実施形態に係る液供給システムの他の例を示す図である。 図15は、本実施形態に係る液供給システムの他の例を示す図である。
本発明の実施形態について図面を参照して説明するが、以下の本実施形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明を以下の内容に限定する趣旨ではない。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
[基板処理システムの構成]
基板処理システム1は、塗布・現像装置2と露光装置3とを備える。露光装置3は、レジスト膜の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜(感光性被膜)の露光対象部分にエネルギー線を照射する。エネルギー線としては、例えばArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー、g線、i線又は極端紫外線(EUV:Extreme Ultraviolet)が挙げられる。
塗布・現像装置2(基板処理装置)は、露光装置3による露光処理の前に、ウエハW(基板)の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。本実施形態において、ウエハWは円板状を呈するが、円形の一部が切り欠かれていたり、多角形などの円形以外の形状を呈するウエハを用いてもよい。ウエハWは、例えば、半導体基板、ガラス基板、マスク基板、FPD(Flat Panel Display)基板その他の各種基板であってもよい。
図1〜図3に示すように、塗布・現像装置2は、キャリアブロック4と、処理ブロック5と、インターフェースブロック6とを備える。キャリアブロック4、処理ブロック5及びインターフェースブロック6は、水平方向に並んでいる。
キャリアブロック4は、キャリアステーション12と搬入・搬出部13とを有する。搬入・搬出部13は、キャリアステーション12と処理ブロック5との間に介在している。キャリアステーション12は、複数のキャリア11を支持する。キャリア11は、例えば円形の複数枚のウエハWを密封状態で収容し、ウエハWを出し入れするための開閉扉(不図示)を側面11a側に有する。キャリア11は、側面11aが搬入・搬出部13側に面するように、キャリアステーション12上に着脱自在に設置される。搬入・搬出部13は、キャリアステーション12上の複数のキャリア11にそれぞれ対応する複数の開閉扉13aを有する。側面11aの開閉扉と開閉扉13aとを同時に開放することで、キャリア11内と搬入・搬出部13内とが連通する。搬入・搬出部13は受け渡しアームA1を内蔵している。受け渡しアームA1は、キャリア11からウエハWを取り出して処理ブロック5に渡し、処理ブロック5からウエハWを受け取ってキャリア11内に戻す。
処理ブロック5は、BCTモジュール(下層膜形成モジュール)14と、COTモジュール(レジスト膜形成モジュール)15と、TCTモジュール(上層膜形成モジュール)16と、DEVモジュール(現像処理モジュール)17とを有する。これらのモジュールは、床面側からDEVモジュール17、BCTモジュール14、COTモジュール15、TCTモジュール16の順に並んでいる。
BCTモジュール14は、ウエハWの表面上に下層膜を形成するように構成されている。BCTモジュール14は、複数の塗布ユニット(不図示)と、複数の熱処理ユニット(不図示)と、これらのユニットにウエハWを搬送する搬送アームA2とを内蔵している。塗布ユニットは、下層膜形成用の塗布液をウエハWの表面に塗布するように構成されている。熱処理ユニットは、例えば熱板によりウエハWを加熱し、加熱後のウエハWを例えば冷却板により冷却して熱処理を行うように構成されている。BCTモジュール14において行われる熱処理の具体例としては、塗布液を硬化させるための加熱処理が挙げられる。
COTモジュール15は、下層膜上に熱硬化性且つ感光性のレジスト膜を形成するように構成されている。COTモジュール15は、複数の塗布ユニットU1と、複数の熱処理ユニットU2と、これらのユニットにウエハWを搬送する搬送アームA3とを内蔵している。塗布ユニット(成膜処理装置)U1は、レジスト膜形成用の塗布液(レジスト剤)を下層膜の上に塗布するように構成されている。熱処理ユニットU2は、例えば熱板によりウエハWを加熱し、加熱後のウエハWを例えば冷却板により冷却して熱処理を行うように構成されている。COTモジュール15において行われる熱処理の具体例としては、塗布液を硬化させるための加熱処理(PAB:Pre Applied Bake)が挙げられる。
TCTモジュール16は、レジスト膜上に上層膜を形成するように構成されている。TCTモジュール16は、複数の塗布ユニット(不図示)と、複数の熱処理ユニット(不図示)と、これらのユニットにウエハWを搬送する搬送アームA4とを内蔵している。塗布ユニットは、上層膜形成用の塗布液をウエハWの表面に塗布するように構成されている。熱処理ユニットは、例えば熱板によりウエハWを加熱し、加熱後のウエハWを例えば冷却板により冷却して熱処理を行うように構成されている。TCTモジュール16において行われる熱処理の具体例としては、塗布液を硬化させるための加熱処理が挙げられる。
DEVモジュール17は、露光されたレジスト膜の現像処理を行うように構成されている。DEVモジュール17は、複数の現像ユニット(不図示)と、複数の熱処理ユニット(不図示)と、これらのユニットにウエハWを搬送する搬送アームA5と、これらのユニットを経ずにウエハWを搬送する直接搬送アームA6とを内蔵している。現像ユニットは、レジスト膜を部分的に除去してレジストパターンを形成するように構成されている。熱処理ユニットは、例えば熱板によりウエハWを加熱し、加熱後のウエハWを例えば冷却板により冷却して熱処理を行う。DEVモジュール17において行われる熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理(PEB:Post Exposure Bake)、現像処理後の加熱処理(PB:Post Bake)等が挙げられる。
処理ブロック5内におけるキャリアブロック4側には棚ユニットU10が設けられている。棚ユニットU10は、床面からTCTモジュール16に亘るように設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットU10の近傍には昇降アームA7が設けられている。昇降アームA7は、棚ユニットU10のセル同士の間でウエハWを昇降させる。
処理ブロック5内におけるインターフェースブロック6側には棚ユニットU11が設けられている。棚ユニットU11は床面からDEVモジュール17の上部に亘るように設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
インターフェースブロック6は、受け渡しアームA8を内蔵しており、露光装置3に接続される。受け渡しアームA8は、棚ユニットU11のウエハWを取り出して露光装置3に渡し、露光装置3からウエハWを受け取って棚ユニットU11に戻すように構成されている。
[塗布ユニットの構成]
続いて、図4を参照して、塗布ユニット(液塗布装置)U1についてさらに詳しく説明する。塗布ユニットU1は、図4に示されるように、回転保持部20と、駆動部30と、液供給システム40と、制御部100とを備える。
回転保持部20は、回転部21と、保持部23とを有する。回転部21は、上方に突出したシャフト22を有する。回転部21は、例えば電動モータ等を動力源としてシャフト22を回転させる。保持部23は、シャフト22の先端部に設けられている。保持部23上には、ウエハWが水平に配置される。保持部23は、例えば吸着等によりウエハWを略水平に保持する。すなわち、回転保持部20は、ウエハWの姿勢が略水平の状態で、ウエハWの表面に対して垂直な軸(回転軸)周りでウエハWを回転させる。本実施形態では、回転軸は、円形状を呈するウエハWの中心を通っているので、中心軸でもある。本実施形態では、図4に示されるように、回転保持部20は、上方から見て時計回りにウエハWを回転させる。
駆動部30は、ノズルNを駆動するように構成されている。駆動部30は、ガイドレール31と、スライドブロック32と、アーム33とを有する。ガイドレール31は、回転保持部20(ウエハW)の上方において水平方向に沿って延びている。スライドブロック32は、ガイドレール31に沿って水平方向に移動可能となるように、ガイドレール31に接続されている。アーム33は、スライドブロック32とノズルNとを接続している。ノズルNは、アーム33の下端に配置されている。駆動部30は、例えば電動モータ等を動力源として、スライドブロック32を移動させ、これに伴ってノズルNを移動させる。平面視において、ノズルNは、ウエハWの回転軸に直交する直線上を、ウエハWの径方向に沿って移動する。
液供給システム40は、詳しくは後述するが、制御部100からの制御信号を受けて塗布液を、ノズルNからウエハWの表面Waに吐出させる。ノズルNは、ウエハWの表面Waに向けて下方に開口している。塗布液は、ウエハWの表面Waに塗布膜R(図4参照)を形成するために用いられる液である。塗布液としては、例えば、レジストパターンを形成するためのレジスト液や、反射防止膜(例えば、下層反射防止コーティング(BARC)膜、シリコン含有反射防止コーティング(SiARC)膜)を形成するための液などが挙げられる。ウエハWの表面Waに吐出された処理液が乾燥すると、図4に示されるように、ウエハWの表面Waに塗布膜Rが形成される。
制御部100は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成され、塗布ユニットU1を制御する。制御部100は、制御条件の設定画面を表示する表示部(不図示)と、制御条件を入力する入力部(不図示)と、コンピュータ読み取り可能な記録媒体からプログラムを読み取る読取部(不図示)とを有する。記録媒体は、塗布ユニットU1に成膜処理方法を実行させるためのプログラムを記録している。このプログラムが制御部100の読取部によって読み取られる。記録媒体としては、例えば、半導体メモリ、光記録ディスク、磁気記録ディスク、光磁気記録ディスクであってもよい。制御部100は、入力部に入力された制御条件と、読取部により読み取られたプログラムとに応じて塗布ユニットU1を制御する。
[液供給システムの構成]
液供給システム40の詳細な構成について、図5を参照して説明する。液供給システム40は、液ボトルBと、液タンクLEと、ポンプ装置P1,P2と、フィルタ装置F1,F2と、配管D1〜D9と、バルブVと、三方弁Vt1〜Vt6と、流量計FMとを備える。
配管D1の上流端は、Nガス源に接続されている。配管D1の下流端は、液ボトルBの上蓋近傍に位置するように、液ボトルBの上蓋部分に接続されている。液ボトルBは、塗布液の供給源として機能する。
配管D2の上流端は、液ボトルBの下底近傍に位置するように、液ボトルBの上蓋部分に接続されている。配管D2の下流端は、液タンクLEの上蓋寄りに位置するように、液タンクLEの上蓋部分に接続されている。液タンクLEは、液ボトルBから排出された塗布液を一時的に貯留する貯留部として機能する。
配管D3(送液ラインの一形態)の上流端は、液タンクLEの下底部分に接続されている。配管D3の下流端は、ノズルNに接続されている。配管D3上には、上流側から順に、三方弁Vt1、フィルタ装置F1、三方弁Vt2、三方弁Vt3、ポンプ装置P1、三方弁Vt4、三方弁Vt5、バルブV、三方弁Vt6、及びカウンタC1が設けられている。
フィルタ装置F1は、塗布液に含まれるパーティクルなどの異物を除去する。ポンプ装置P1は、液タンクLE内の塗布液を吸引してノズルNに向けて送り出す。バルブ(吐出用バルブ)Vは、空気を利用して弁を開閉(オン/オフ)させるエアオペレートバルブである。バルブVは、弁の開放時にノズルNから塗布液を吐出させると共に、弁の閉鎖時にノズルNからの塗布液の吐出を停止させる。バルブVは、ノズルNから吐出される塗布液の流量を所定の大きさに制御する機能(流量制御機能)を有していてもよい。バルブVは、ノズルNからの塗布液の吐出を停止させる際に、ノズルNに塗布液が滞留しないようノズルN内の塗布液を吸引する機能(サックバック機能)を有していてもよい。フィルタ装置F1、ポンプ装置P1及びバルブVは、液体の流れを妨げやすいため、圧力損失が大きい。そのため、フィルタ装置F1、ポンプ装置P1及びバルブVはそれぞれ、圧力損失部の一形態である。以下では、フィルタ装置F1、ポンプ装置P1及びバルブVを「圧力損失部」と総称することがある。
カウンタC1は、自身を流れる塗布液中に含まれるパーティクルの数を計測するパーティクルカウンタである。カウンタC1は、バルブVの下流側に位置しているので、バルブVにおけるパーティクルの数を実質的に計測する。
配管D3は、部分D3a〜D3dを有する。部分D3aは、液タンクLEと三方弁Vt1との間で延びている。部分D3bは、三方弁Vt2と三方弁Vt3との間で延びている。部分D3cは、三方弁Vt4と三方弁Vt5との間で延びている。部分D3dは、三方弁Vt6とノズルNとの間で延びている。
三方弁Vt1は、フィルタ装置F1の入口側(上流側)に設けられている。三方弁Vt1は、部分D3aとフィルタ装置F1との間において液体の流通を可能とさせつつ部分D3a及びフィルタ装置F1と配管D8との間における液体の流通を阻止する第1の状態と、フィルタ装置F1と配管D8との間において液体の流通を可能とさせつつ部分D3aとフィルタ装置F1及び配管D8との間における液体の流通を阻止する第2の状態との間で動作する。
三方弁Vt2は、フィルタ装置F1の出口側(下流側)に設けられている。三方弁Vt2は、フィルタ装置F1と部分D3bとの間において液体の流通を可能とさせつつフィルタ装置F1及び部分D3bと配管D4との間における液体の流通を阻止する第1の状態と、フィルタ装置F1と配管D4との間において液体の流通を可能とさせつつ部分D3bとフィルタ装置F1及び配管D4との間における液体の流通を阻止する第2の状態との間で動作する。
三方弁Vt3は、ポンプ装置P1の入口側(上流側)に設けられている。三方弁Vt3は、部分D3bとポンプ装置P1との間において液体の流通を可能とさせつつ部分D3b及びポンプ装置P1と配管D9との間における液体の流通を阻止する第1の状態と、ポンプ装置P1と配管D9との間において液体の流通を可能とさせつつ部分D3bとポンプ装置P1及び配管D9との間における液体の流通を阻止する第2の状態との間で動作する。
三方弁Vt4は、ポンプ装置P1の出口側(下流側)に設けられている。三方弁Vt4は、ポンプ装置P1と部分D3cとの間において液体の流通を可能とさせつつポンプ装置P1及び部分D3cと配管D5との間における液体の流通を阻止する第1の状態と、ポンプ装置P1と配管D5との間において液体の流通を可能とさせつつ部分D3cとポンプ装置P1及び配管D5との間における液体の流通を阻止する第2の状態との間で動作する。
三方弁Vt5は、バルブVの入口側(上流側)に設けられている。三方弁Vt5は、部分D3cとバルブVとの間において液体の流通を可能とさせつつ部分D3c及びバルブVと配管D7との間における液体の流通を阻止する第1の状態と、バルブVと配管D7との間において液体の流通を可能とさせつつ部分D3cとバルブV及び配管D7との間における液体の流通を阻止する第2の状態との間で動作する。
三方弁Vt6は、バルブVの出口側(下流側)に設けられている。三方弁Vt6は、バルブVと部分D3dとの間において液体の流通を可能とさせつつバルブV及び部分D3dと配管D6との間における液体の流通を阻止する第1の状態と、バルブVと配管D6との間において液体の流通を可能とさせつつ部分D3dとバルブV及び配管D6との間における液体の流通を阻止する第2の状態との間で動作する。
配管D4の上流端は、三方弁Vt2に接続されている。配管D5の上流端は、三方弁Vt4に接続されている。配管D6の上流端は、三方弁Vt6に接続されている。配管D4〜D6を流れる液体はそれぞれ、配管D4〜D6を通じて系外(システム外)に排出される。
配管D7の上流端は、洗浄液源に接続されている。配管D7の下流端は、三方弁Vt5に接続されている。配管D7上には、上流側から順に、ポンプ装置P2、フィルタ装置F2及び流量計FMが設けられている。ポンプ装置P2は、洗浄液源から洗浄液を吸引して下流側に向けて送り出す。フィルタ装置F2は、洗浄液に含まれるパーティクルなどの異物を除去する。流量計FMは、超音波を利用して配管D7を流れる洗浄液の流速を計測し、当該流速に基づいて流量を算出する、超音波流量計である。洗浄液としては、有機溶剤が挙げられ、有機溶剤を主溶媒とする有機系薬液であってもよい。洗浄液としては、具体的にはシンナー液などが挙げられる。
配管D8は、配管D7から分岐して三方弁Vt1に接続されている。配管D9は、配管D7から分岐して三方弁Vt3に接続されている。
[液供給システムの動作]
続いて、図6〜図11を参照して、液供給システム40の動作について説明する。まず、ノズルNがウエハW上に位置している状態で、制御部100は、三方弁Vt1〜Vt6をそれぞれ第1の状態とし、バルブVを開放させと共に、Nガス源からNガスを液ボトルBに供給する。これにより、Nガス源からのNガスが配管D1を通じて液ボトルBに流入し、液ボトルB内の塗布液が配管D2を通じて液タンクLE内に移送される。
続いて、制御部100はポンプ装置P1を作動させると、液タンクLE内の塗布液が配管D3を通じてノズルNに供給される。これにより、ノズルNから塗布液がウエハWの表面Waに吐出される。
ノズルNからの塗布液の吐出が継続しているときに、制御部100は、カウンタC1によって計測されたパーティクルの数(カウンタC1の値)が所定の閾値以上となったか否かを判定する。当該閾値は、例えば20個程度であってもよい。カウンタC1の値が所定の閾値以上となったことを制御部100が検出すると、少なくともバルブVが所定の清浄度以下となっている。そのため、少なくともバルブVを洗浄する必要がある。そこで、制御部100は、Nガス源からのガスの供給及びポンプ装置P1を停止させると共に、バルブVを閉塞させる。これにより、ノズルNからの塗布液の吐出が停止する。
続いて、制御部100は、三方弁Vt1,Vt2を第2の状態とすると共に、ポンプ装置P2を作動させる。これにより、図6に示されるように、配管D7,D8,D4が連通されるので、洗浄液は、ポンプ装置P2、フィルタ装置F2、三方弁Vt1、フィルタ装置F1及び三方弁Vt2の順に流れ、系外に排出される。従って、フィルタ装置F1が洗浄液によって洗浄される。
続いて、制御部100は、三方弁Vt3,Vt4を第2の状態とする。これにより、図7に示されるように、配管D7,D9,D5が連通されるので、洗浄液は、ポンプ装置P2、フィルタ装置F2、三方弁Vt3、ポンプ装置P1及び三方弁Vt4の順に流れ、系外に排出される。従って、ポンプ装置P1が洗浄液によって洗浄される。
続いて、制御部100は、三方弁Vt5,Vt6を第2の状態とする。これにより、図8に示されるように、配管D7,D6が連通されるので、洗浄液は、ポンプ装置P2、フィルタ装置F2、三方弁Vt5、バルブV及び三方弁Vt6の順に流れ、系外に排出される。従って、バルブVが洗浄液によって洗浄される。これにより、フィルタ装置F1、ポンプ装置P1及びバルブVの洗浄が完了する。
続いて、制御部100は、三方弁Vt1,Vt3,Vt5を第1の状態とし、ポンプ装置P2を停止させると共に、Nガス源からNガスを液ボトルBに供給する。これにより、図9に示されるように、液ボトルB内の塗布液が液タンクLE及び三方弁Vt1を介してフィルタ装置F1に供給される。三方弁Vt2は第2の状態のままであるので、フィルタ装置F1の出口から流出した塗布液は、三方弁Vt2を介して配管D4を流れ、系外に排出される。従って、フィルタ装置F1内に残存していた洗浄液は、塗布液によってフィルタ装置F1から押し出され、塗布液と共に系外に排出される。こうして、フィルタ装置F1内の洗浄液が塗布液に置換される。
続いて、制御部100は、三方弁Vt2を第1の状態とする。これにより、図10に示されるように、液ボトルB内の塗布液が液タンクLE、三方弁Vt1、フィルタ装置F1、三方弁Vt2及び三方弁Vt3を介して、ポンプ装置P1に供給される。三方弁Vt4は第2の状態のままであるので、ポンプ装置P1の出口から流出した塗布液は、三方弁Vt4を介して配管D5を流れ、系外に排出される。従って、ポンプ装置P1内に残存していた洗浄液は、塗布液によってポンプ装置P1から押し出され、塗布液と共に系外に排出される。こうして、ポンプ装置P1内の洗浄液が塗布液に置換される。
続いて、制御部100は、三方弁Vt6を第1の状態とする。これにより、図11に示されるように、液ボトルB内の塗布液が液タンクLE、三方弁Vt1、フィルタ装置F1、三方弁Vt2、三方弁Vt3、ポンプ装置P1、三方弁Vt4及び三方弁Vt5を介して、バルブVに供給される。三方弁Vt6は第2の状態のままであるので、バルブVの出口から流出した塗布液は、三方弁Vt6を介して配管D6を流れ、系外に排出される。従って、バルブV内に残存していた洗浄液は、塗布液によってバルブVから押し出され、塗布液と共に系外に排出される。こうして、バルブV内の洗浄液が塗布液に置換される。
以上のような本実施形態では、配管D3(送液ライン)とは別にフィルタ装置F1に接続された配管D4,D7,D8(洗浄ライン)を通じて、洗浄液をフィルタ装置F1に供給している。配管D3(送液ライン)とは別にポンプ装置P1に接続された配管D5,D7,D9(洗浄ライン)を通じて、洗浄液をポンプ装置P1に供給している。配管D3(送液ライン)とは別にバルブVに接続された配管D6,D7(洗浄ライン)を通じて、洗浄液をバルブVに供給している。そのため、フィルタ装置F1、ポンプ装置P1及びバルブVの各圧力損失部の洗浄のために、比較的高価な塗布液ではなく、洗浄液が用いられる。加えて、洗浄ラインを通じて洗浄液が圧力損失部に供給されるので、洗浄処理に際して、送液ラインのうち圧力損失部以外に存在している塗布液が、洗浄液によって送液ライン外に排出され難い。従って、圧力損失部の洗浄後も、送液ラインのうち圧力損失部以外に存在している塗布液をウエハWの処理のために用いることができる。以上より、洗浄のためのコストを抑制することが可能となる。加えて、洗浄を必要とする圧力損失部に対して直接洗浄液が供給されるので、新品の塗布液を送液ラインの上流側から下流側に向けて各圧力損失部に順次供給することで各圧力損失部の洗浄を行おうとする場合と比較して、各圧力損失部の洗浄を素早く完了することが可能となる。
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の要旨の範囲内で種々の変形を上記の実施形態に加えてもよい。本実施形態に係る一つの変形例を、図12に示す。図12に示される液供給システム40は、カウンタC2,C3をさらに備えている点で、上記実施形態の液供給システム40と相違する。以下では、この相違点を中心に説明し、重複する説明は省略する。
カウンタC2,C3は、カウンタC1と同様に、自身を流れる塗布液中に含まれるパーティクルの数を計測するパーティクルカウンタである。カウンタC2は、配管D3の部分D3b上に設けられている。すなわち、カウンタC2は、フィルタ装置F1の下流側に位置している。そのため、カウンタC2は、フィルタ装置F1におけるパーティクルの数を実質的に計測する。
カウンタC3は、配管D3の部分D3c上に設けられている。すなわち、カウンタC3は、ポンプ装置P1の下流側に位置している。そのため、カウンタC3は、ポンプ装置P1におけるパーティクルの数を実質的に計測する。
ノズルNからの塗布液の吐出が継続しているときに、制御部100は、カウンタC1〜C3によって計測されたパーティクルの数(カウンタC1〜C3の値)が所定の閾値以上となったか否かを判定する。カウンタC1〜C3のいずれかの値が所定の閾値以上となったことを制御部100が検出すると、カウンタC1に対応するバルブV、カウンタC2に対応するフィルタ装置F1、及びカウンタC3に対応するポンプ装置P1のいずれかにおいて所定の清浄度以下となっている。そのため、所定の清浄度以下となった圧力損失部を選択的に洗浄する。
具体的には、カウンタC1の値が所定の閾値以上となったことを制御部100が検出した場合、制御部100は、ノズルNからの塗布液の吐出を停止させた後、三方弁Vt5,Vt6を第2の状態とすると共に、ポンプ装置P2を作動させる。このとき、配管D8,D9は共に第1の状態であり配管D3と連通していないので、洗浄液は、ポンプ装置P2、フィルタ装置F2、三方弁Vt5、バルブV及び三方弁Vt6の順に流れ、系外に排出される。従って、バルブVのみが洗浄液によって選択的に洗浄される。フィルタ装置F1及びポンプ装置P1についても同様に、選択的に洗浄可能である。この場合、所定の清浄度以下となった圧力損失部が選択的に洗浄され、清浄度を保っている他の圧力損失部の洗浄は行われない。そのため、洗浄が必要な圧力損失部に対して洗浄処理が行われるので、洗浄のためのコストをより抑制することが可能となる。なお、上記実施形態と同様に、カウンタC1〜C3のいずれか一つの値が所定の閾値以上となったときに、フィルタ装置F1、ポンプ装置P1及びバルブVの全てを洗浄してもよい。
本実施形態に係る他の変形例を、図13に示す。図13に示される液供給システム40は、ポンプ装置P3、三方弁Vt7,Vt8、カウンタC4、配管D10〜D12をさらに備えている点で、図12に示される変形例の液供給システム40と相違する。以下では、この相違点を中心に説明し、重複する説明は省略する。
配管D3上には、上流側から順に、三方弁Vt7、ポンプ装置P3、三方弁Vt8、カウンタC4、三方弁Vt1、フィルタ装置F1、三方弁Vt2、カウンタC2、三方弁Vt3、ポンプ装置P1、三方弁Vt4、カウンタC3、三方弁Vt5、バルブV、三方弁Vt6、及びカウンタC1が設けられている。配管D3は、部分D3eをさらに有する。部分D3eは、三方弁Vt8と三方弁Vt1との間で延びている。本変形例において、部分D3aは、液タンクLEと三方弁Vt7との間で延びている。
ポンプ装置P3は、液タンクLE内の塗布液を吸引してフィルタ装置F1に供給するフィードポンプとして機能する。一方、本変形例のポンプ装置P1は、フィルタ装置F1から塗布液を吸引してノズルNに向けて塗布液を送り出すディスペンスポンプとして機能する。フィルタ装置F1の下流側にポンプ装置P1が位置することにより、塗布液に大きな圧力を印加することなく、所定の速度で塗布液を濾過することが可能となる。
ポンプ装置P1とポンプ装置P3とは、配管D12によって相互に接続されている。配管D12上には、ポンプ装置P3寄りにバルブVaが設けられている。バルブVaが開放されると、塗布液が配管D12を通じてポンプ装置P1からポンプ装置P3に戻される。この場合、塗布液が再びフィルタ装置F1を通過するので、塗布液中に残存するパーティクルをフィルタ装置F1で捕集することができる。
カウンタC4は、カウンタC1〜C4と同様に、自身を流れる塗布液中に含まれるパーティクルの数を計測するパーティクルカウンタである。カウンタC4は、配管D3の部分D3e上に設けられている。すなわち、カウンタC4は、ポンプ装置P3の下流側に位置している。そのため、カウンタC4は、ポンプ装置P3におけるパーティクルの数を実質的に計測する。
三方弁Vt7は、ポンプ装置P3の入口側(上流側)に設けられている。三方弁Vt7は、部分D3aとポンプ装置P3との間において液体の流通を可能とさせつつ部分D3a及びポンプ装置P3と配管D11との間における液体の流通を阻止する第1の状態と、ポンプ装置P3と配管D11との間において液体の流通を可能とさせつつ部分D3aとポンプ装置P3及び配管D11との間における液体の流通を阻止する第2の状態との間で動作する。
三方弁Vt8は、ポンプ装置P3の出口側(下流側)に設けられている。三方弁Vt8は、ポンプ装置P3と部分D3eとの間において液体の流通を可能とさせつつポンプ装置P3及び部分D3eと配管D10との間における液体の流通を阻止する第1の状態と、ポンプ装置P3と配管D10との間において液体の流通を可能とさせつつ部分D3eとポンプ装置P3及び配管D10との間における液体の流通を阻止する第2の状態との間で動作する。
配管D10の上流端は、三方弁Vt8に接続されている。配管D10を流れる液体は、配管D10を通じて系外(システム外)に排出される。配管D11は、配管D7から分岐して三方弁Vt7に接続されている。
以上のような変形例においても、フィルタ装置F1、ポンプ装置P1,P3及びバルブVを選択的に洗浄可能である。そのため、洗浄が必要な圧力損失部に対して洗浄処理が行われるので、洗浄のためのコストをより抑制することが可能となる。なお、上記実施形態と同様に、カウンタC1〜C4のいずれか一つの値が所定の閾値以上となったときに、フィルタ装置F1、ポンプ装置P1,P3及びバルブVの全てを洗浄してもよい。
本実施形態に係るさらに他の変形例を、図14に示す。図14に示される液供給システム40は、カウンタC1を備えていない一方で、制御部100がタイマT1〜T3を有している点で、上記実施形態の液供給システム40と相違する。以下では、この相違点を中心に説明し、重複する説明は省略する。
タイマT1は、フィルタ装置F1の内部に塗布液が充填されている状態の時間を示す充填時間を計測するように構成されている。タイマT1によって計測された充填時間が所定の第1の閾値以上となった場合、制御部100は、フィルタ装置F1に滞留した塗布液が清浄でないと判断、すなわちフィルタ装置F1が所定の清浄度以下となったと判断して、フィルタ装置F1を選択的に洗浄する。
タイマT2は、ポンプ装置P1の内部に塗布液が充填されている状態の時間を示す充填時間を計測するように構成されている。タイマT2によって計測された充填時間が所定の第2の閾値以上となった場合、制御部100は、ポンプ装置P1に滞留した塗布液が清浄でないと判断、すなわちポンプ装置P1が所定の清浄度以下となったと判断して、ポンプ装置P1を選択的に洗浄する。
タイマT3は、バルブVの内部に塗布液が充填されている状態の時間を示す充填時間を計測するように構成されている。タイマT3によって計測された充填時間が所定の第3の閾値以上となった場合、制御部100は、バルブVに滞留した塗布液が清浄でないと判断、すなわちバルブVが所定の清浄度以下となったと判断して、バルブVを選択的に洗浄する。
タイマT1〜T3は、ノズルNからの塗布液の吐出が停止されている状態の時間を計測してもよいし、ノズルNから塗布液が吐出されている状態の時間を計測してもよいし、双方の状態の時間を計測してもよい。これらのいずれの場合も、圧力損失部(フィルタ装置F1、ポンプ装置P1又はバルブV)の内部に塗布液が充填されている態様に含まれる。また、例えば、タイマT1が第1の閾値以上となり、フィルタ装置F1が選択的に洗浄され、ポンプ装置P1及びバルブVが洗浄されなかったような場合には、タイマT1の計測値のみをリセットし、他のタイマT2,T3の計測値はリセットせずに計測を続けるようにしてもよい。
上記第1〜第3の閾値は、通常、フィルタ装置F1、ポンプ装置P1及びバルブVに応じて異なっている。これは、例えば圧力損失部の構造や容積、塗布液の種類、流速などに応じて、パーティクルの増加のしやすさが異なるためである。フィルタ装置F1の清浄度を監視するための第1の閾値は、例えば10秒程度であってもよい。ポンプ装置P1の清浄度を監視するための第2の閾値は、例えば20秒程度であってもよい。バルブVの清浄度を監視するための第3の閾値は、例えば5秒程度であってもよい。
以上のような変形例においても、フィルタ装置F1、ポンプ装置P1及びバルブVを選択的に洗浄可能である。そのため、洗浄が必要な圧力損失部に対して洗浄処理が行われるので、洗浄のためのコストをより抑制することが可能となる。なお、上記実施形態と同様に、タイマT1〜T3のいずれか一つの値が所定の閾値以上となったときに、フィルタ装置F1、ポンプ装置P1及びバルブVの全てを洗浄してもよい。
本実施形態に係るさらに他の変形例を、図15に示す。図15に示される液供給システム40は、三方弁Vt9を介して配管D5から分岐しつつ配管D3の部分D3aに戻る配管D13をさらに備え、カウンタC1が配管D3の部分D3dの代わりに配管D13上に配置されている点で、図5に示される上記実施形態の液供給システム40と相違する。
三方弁Vt9は、ポンプ装置P1と系外(システム外)との間における液体の流通を可能とさせつつ配管D5と配管D13との間における液体の流通を阻止する第1の状態と、配管D5と配管D13との間において液体の流通を可能とさせつつポンプ装置P1と系外(システム外)との間における液体の流通を阻止する第2の状態との間で動作する。
ノズルNからの塗布液の吐出が停止すると、制御部100は、三方弁Vt4,Vt9をそれぞれ第2の状態とする。これにより、部分D3a、部分D3b、配管D5及び配管D13が連通されて循環路が形成されるので、塗布液は、ポンプ装置P2により当該循環路を流通し、フィルタ装置F1及びポンプ装置P2の上流側に戻される。
ノズルNからの塗布液の吐出が停止してから所定時間以上が経過し、フィルタ装置F1等の容量が大きな圧力損失部において塗布液が長時間滞留すると、パーティクルが増加することがある。特に、フィルタ装置F1に滞留している気泡やゲルがフィルタと塗布液との界面においてパーティクルとして成長することがある。そのため、ノズルNからの塗布液の吐出が所定時間以上行われない場合には、上記の循環路において塗布液を循環させることにより、パーティクルの増加を抑制できる。
上記の循環路を塗布液が循環しているときに、カウンタC1によって計測された塗布液中のパーティクルの数(カウンタC1の値)が所定の閾値以上となった場合には、上記の実施形態と同様に、フィルタ装置F1及びポンプ装置P1の洗浄が行われる。このとき、フィルタ装置F1及びポンプ装置P1のうち一方を選択的に洗浄してもよい。バルブVの洗浄も行ってもよい。図15においては、配管D3の部分D3dにカウンタが配置されていなかったが、当該部分D3dにカウンタが配置されていてもよい。
上記実施形態では、カウンタC1の値が所定の閾値以上となったときに、フィルタ装置F1、ポンプ装置P1、バルブVの順で洗浄したが、洗浄の順序はこれに限られない。これらの圧力損失部のうちいずれか2つを同時に洗浄してもよいし、圧力損失部の全てを同時に洗浄してもよい。
上記実施形態及び変形例では、液供給システム40が一つの洗浄液源を備えていたが、各圧力損失部に対してそれぞれ一つの洗浄液源を備えていてもよい。
上記実施形態及び変形例では、各圧力損失部の上流側から下流側へと洗浄液を流通させて各圧力損失部を洗浄したが、各圧力損失部の下流側から上流側へと洗浄液を流通させて各圧力損失部を洗浄してもよい。
ウエハWを所定枚数処理するごと(ウエハWを1ロット処理するごと)に、各圧力損失部を洗浄してもよい。
液供給システム40は、下流側から液タンクLE側に向けて塗布液が流れることを防止するための要素を更に備えていてもよい。具体的には、配管D3の部分D3a上に開閉弁や逆止弁が配置されていてもよい。この場合、液タンクLEに向けた塗布液の逆流が防止できる。
1…基板処理システム、2…塗布・現像装置、40…液供給システム、100…制御部、C1〜C3…カウンタ、D1〜D9…配管、F1…フィルタ装置、N…ノズル、P1…ポンプ装置、T1〜T3…タイマ、U1…塗布ユニット、V…バルブ、Vt1〜Vt6…三方弁。

Claims (5)

  1. 塗布液を吐出するためのノズルが一端に接続された送液ライン上に配置されている複数の圧力損失部のうち少なくとも一つに対し、前記送液ラインとは別に複数の前記圧力損失部に個々に接続された洗浄ラインを通じて洗浄液を供給する洗浄処理を含む、送液システムの洗浄方法であって、
    前記送液システムは、複数の前記圧力損失部におけるパーティクルの数をそれぞれ計測するように構成されたカウンタをさらに備え、
    前記洗浄処理は、
    複数の前記圧力損失部におけるパーティクルの数を前記カウンタによりそれぞれ計測することと、
    複数の前記圧力損失部のうち前記カウンタの値が所定の閾値以上となった圧力損失部に対し、前記送液ラインを経由せずに、当該圧力損失部に接続された前記洗浄ラインを通じて洗浄液を選択的に供給することとを行う、方法
  2. 塗布液を吐出するためのノズルが一端に接続された送液ラインと、
    前記送液ライン上に配置されている複数の圧力損失部と、
    前記送液ラインとは別に複数の前記圧力損失部に個々に接続された洗浄ラインと、
    複数の前記圧力損失部のそれぞれに洗浄液を供給する供給源と、
    複数の前記圧力損失部におけるパーティクルの数をそれぞれ計測するように構成されたカウンタと、
    制御部とを備え、
    前記制御部は、
    複数の前記圧力損失部のうち少なくとも一つに対し、前記洗浄ラインを通じて洗浄液を前記供給源から供給させる処理と、
    複数の前記圧力損失部のうちパーティクルの数が所定の閾値以上となった圧力損失部が前記カウンタによって検出された場合に、当該圧力損失部に対し、前記送液ラインを経由せずに、当該圧力損失部に接続された前記洗浄ラインを通じて洗浄液を前記供給源から選択的に供給させる処理とを実行する、送液システム。
  3. 前記送液システムは、フィルタ及びポンプを前記圧力損失部として備える、請求項に記載の送液システム。
  4. 前記送液システムは、前記ノズルから吐出される塗布液を調節する吐出用バルブを前記圧力損失部としてさらに備え、
    前記吐出用バルブは、前記送液ラインにおいて前記フィルタ及び前記ポンプと前記ノズルとの間に位置している、請求項に記載の送液システム。
  5. 請求項に記載の方法を送液システムに実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。
JP2014114674A 2014-06-03 2014-06-03 送液システムの洗浄方法、送液システム、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 Active JP6204269B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014114674A JP6204269B2 (ja) 2014-06-03 2014-06-03 送液システムの洗浄方法、送液システム、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014114674A JP6204269B2 (ja) 2014-06-03 2014-06-03 送液システムの洗浄方法、送液システム、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015230899A JP2015230899A (ja) 2015-12-21
JP6204269B2 true JP6204269B2 (ja) 2017-09-27

Family

ID=54887566

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014114674A Active JP6204269B2 (ja) 2014-06-03 2014-06-03 送液システムの洗浄方法、送液システム、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6204269B2 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11433420B2 (en) * 2017-12-12 2022-09-06 Tokyo Electron Limited Solution supply apparatus and solution supply method
KR102644786B1 (ko) * 2017-12-28 2024-03-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
JP6547871B2 (ja) * 2018-04-06 2019-07-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP7318212B2 (ja) * 2019-01-24 2023-08-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理システム及び基板処理方法。
KR102093279B1 (ko) * 2019-07-09 2020-03-25 (주)에스티글로벌 케미컬 용액의 파티클 모니터링 장치 및 방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3035873B2 (ja) * 1991-07-15 2000-04-24 沖電気工業株式会社 レジスト塗布装置
JPH10177940A (ja) * 1996-12-17 1998-06-30 Sony Corp 薬液供給装置
JPH11147068A (ja) * 1997-06-03 1999-06-02 Sony Corp 処理装置及び処理方法
JP4011210B2 (ja) * 1998-10-13 2007-11-21 株式会社コガネイ 薬液供給方法および薬液供給装置
JP3947398B2 (ja) * 2001-12-28 2007-07-18 株式会社コガネイ 薬液供給装置および薬液供給方法
JP3917601B2 (ja) * 2004-04-14 2007-05-23 株式会社東芝 薬液の認定方法および半導体装置の製造方法
JP2007266211A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Toshiba Corp 半導体製造装置及び半導体製造方法
JP5018255B2 (ja) * 2007-06-07 2012-09-05 東京エレクトロン株式会社 薬液供給システム及び薬液供給方法並びに記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015230899A (ja) 2015-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6204269B2 (ja) 送液システムの洗浄方法、送液システム、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
US10035173B2 (en) Chemical supply system, substrate treatment apparatus incorporating the same, and coating and developing system incorporating the same apparatus
JP5890198B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR101176292B1 (ko) 레지스트액 공급 장치, 레지스트액 공급 방법 및 컴퓨터로 판독가능한 기억 매체
KR101771276B1 (ko) 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체
US11664249B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and recording medium
KR20170042483A (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
TWI524454B (zh) 處理液供給裝置、處理液供給方法及電腦記憶媒體
JP5571056B2 (ja) 処理液供給方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び処理液供給装置
JP2024051067A (ja) 処理液除去方法、処理液除去装置、基板処理装置、基板処理方法
JP5503602B2 (ja) 処理液供給装置、処理液供給方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
TWI657866B (zh) Coating device, coating method and recording medium
JP3624116B2 (ja) 処理装置及び処理方法
JP2015179728A (ja) 流路切替装置、液供給システム、液供給方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2015103662A (ja) フィルタ洗浄方法、液処理装置及び記憶媒体
KR20120064038A (ko) 현상 장치, 이를 구비하는 현상 도포 시스템 및 현상 방법
JP6244324B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2010141162A (ja) 基板の処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
JP4160651B2 (ja) 基板処理装置
KR20150031184A (ko) 기판 액 처리 장치
JP4391387B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20220047059A (ko) 기판 처리 장치, 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법
JP6101228B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR101454037B1 (ko) 레지스트액 공급 장치, 레지스트액 공급 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
KR102693497B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160509

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170118

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170131

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170328

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170829

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170831

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6204269

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250