JP7318212B2 - 基板処理装置、基板処理システム及び基板処理方法。 - Google Patents
基板処理装置、基板処理システム及び基板処理方法。 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7318212B2 JP7318212B2 JP2019009831A JP2019009831A JP7318212B2 JP 7318212 B2 JP7318212 B2 JP 7318212B2 JP 2019009831 A JP2019009831 A JP 2019009831A JP 2019009831 A JP2019009831 A JP 2019009831A JP 7318212 B2 JP7318212 B2 JP 7318212B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flow path
- light
- path forming
- unit
- row
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 123
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 76
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 105
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 87
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 66
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 46
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 21
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 12
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 61
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 42
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 41
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 26
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 11
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- 101000662805 Homo sapiens Trafficking protein particle complex subunit 5 Proteins 0.000 description 1
- 101150075071 TRS1 gene Proteins 0.000 description 1
- 102100037497 Trafficking protein particle complex subunit 5 Human genes 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/02—Investigating particle size or size distribution
- G01N15/0205—Investigating particle size or size distribution by optical means
- G01N15/0211—Investigating a scatter or diffraction pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/10—Investigating individual particles
- G01N15/14—Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry
- G01N15/1456—Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry without spatial resolution of the texture or inner structure of the particle, e.g. processing of pulse signals
- G01N15/1459—Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry without spatial resolution of the texture or inner structure of the particle, e.g. processing of pulse signals the analysis being performed on a sample stream
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N2015/0042—Investigating dispersion of solids
- G01N2015/0053—Investigating dispersion of solids in liquids, e.g. trouble
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/10—Investigating individual particles
- G01N15/14—Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry
- G01N2015/1486—Counting the particles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Optical Measuring Cells (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Description
投光部により前記供給路の一部を成す流路形成部に向かう光が形成された結果として前記流路形成部から光が発せられて、前記流路形成部から発せられた光を受光部が受光して得られる信号に基づいて、前記流体の中の異物を検出可能な異物検出ユニットと、
を備える基板処理装置であって、
前記異物検出ユニットにおける前記投光部及び前記受光部は、前記流路形成部を基準とした上下左右前後の領域のうち対向しない領域に設けられ、
一つの前記流路形成部に対して前記投光部及び前記受光部が位置する側への方向とは別の方向に1つ以上の他の流路形成部が列をなして設けられている流路形成部の列を備え、
前記流路形成部が列をなす方向を左右方向とし、当該列に対して垂直な水平方向を前後方向とすると、
前記受光部及び前記投光部は、前記列をなす複数の流路形成部に対して一方が下方に位置し、他方が前後いずれかの側に位置し、
前記投光部及び前記受光部を、前記流路形成部の列に沿って移動させる当該投光部及び当該受光部に共通の移動機構が設けられ、
前記流路形成部は、内部の流路の入口及び出口を備え、
前記入口及び出口は、前記流路形成部を基準として前記投光部及び前記受光部の位置とは異なる向きになるよう設けられ、
前記流路形成部は、前記入口を含む第1流路と、前記第1流路と直交する第2流路と、前記第2流路と前記出口をつなぐ第3流路と、を有し、前記入口と出口が前記流路形成部の同一面に設けられ、
前記受光部は、第1流路に光が当ることで放出される散乱光のうち、第2流路側の側方散乱光を測定し、
前記投光部からの光軸は、前記第1流路に対し、前記第1流路の流れ方向に垂直に入射されると共に、前記光軸が入射された第1流路以外の流路を通らない。
本開示の他の基板処理装置は、基板に供給される流体が通流する供給路と、
投光部により前記供給路の一部を成す流路形成部に向かう光が形成された結果として前記流路形成部から光が発せられて、前記流路形成部から発せられた光を受光部が受光して得られる信号に基づいて、前記流体の中の異物を検出可能な異物検出ユニットと、
を備える基板処理装置であって、
前記異物検出ユニットにおける前記投光部及び前記受光部は、前記流路形成部を基準とした上下左右前後の領域のうち対向しない領域に設けられ、
一つの前記流路形成部に対して前記投光部及び前記受光部が位置する側への方向とは別の方向に1つ以上の他の流路形成部が列をなして設けられている流路形成部の列を備え、
前記流路形成部が列をなす方向を左右方向とし、当該列に対して垂直な水平方向を前後方向とすると、
前記受光部及び前記投光部は、前記列をなす複数の流路形成部に対して一方が下方に位置し、他方が前後いずれかの側に位置し、
前記投光部及び前記受光部を、前記流路形成部の列に沿って移動させる当該投光部及び当該受光部に共通の移動機構が設けられ、
前記流路形成部材は、前後方向に延びる第1流路と、前記第1流路と直交して上下に延びる第2流路と、前記第2流路から流路出口に向かって前後方向に延びる第3流路と、を有し、
前記受光部は、前記投光部から発せられる光が前記第1流路に当ることで放出される散乱光を受光することで前記異物を検出し、
前記投光部から発せられる光の光軸は、前記第2流路及び前記第3流路を通過しない。
また、受光側についても投光側と同様に、移動機構によって稼働する反射板が設けられ、流路形成部14から発して当該反射板により反射される光を受光する受光部48については、この反射板の移動路とは別の位置に固定して置かれた構成としてもよい。
1 レジスト塗布装置
12 処理液供給管
2 異物検出ユニット
14 流路形成部
4A 投光部
4B 受光部
53 計数部
Claims (23)
- 基板に供給される流体が通流する供給路と、
投光部により前記供給路の一部を成す流路形成部に向かう光が形成された結果として前記流路形成部から光が発せられて、前記流路形成部から発せられた光を受光部が受光して得られる信号に基づいて、前記流体の中の異物を検出可能な異物検出ユニットと、
を備える基板処理装置であって、
前記異物検出ユニットにおける前記投光部及び前記受光部は、前記流路形成部を基準とした上下左右前後の領域のうち対向しない領域に設けられ、
一つの前記流路形成部に対して前記投光部及び前記受光部が位置する側への方向とは別の方向に1つ以上の他の流路形成部が列をなして設けられている流路形成部の列を備え、
前記流路形成部が列をなす方向を左右方向とし、当該列に対して垂直な水平方向を前後方向とすると、
前記受光部及び前記投光部は、前記列をなす複数の流路形成部に対して一方が下方に位置し、他方が前後いずれかの側に位置し、
前記投光部及び前記受光部を、前記流路形成部の列に沿って移動させる当該投光部及び当該受光部に共通の移動機構が設けられ、
前記流路形成部は、内部の流路の入口及び出口を備え、
前記入口及び出口は、前記流路形成部を基準として前記投光部及び前記受光部の位置とは異なる向きになるよう設けられ、
前記流路形成部は、前記入口を含む第1流路と、前記第1流路と直交する第2流路と、前記第2流路と前記出口をつなぐ第3流路と、を有し、前記入口と出口が前記流路形成部の同一面に設けられ、
前記受光部は、第1流路に光が当ることで放出される散乱光のうち、第2流路側の側方散乱光を測定し、
前記投光部からの光軸は、前記第1流路に対し、前記第1流路の流れ方向に垂直に入射されると共に、前記光軸が入射された第1流路以外の流路を通らない基板処理装置。 - 基板に供給される流体が通流する供給路と、
投光部により前記供給路の一部を成す流路形成部に向かう光が形成された結果として前記流路形成部から光が発せられて、前記流路形成部から発せられた光を受光部が受光して得られる信号に基づいて、前記流体の中の異物を検出可能な異物検出ユニットと、
を備える基板処理装置であって、
前記異物検出ユニットにおける前記投光部及び前記受光部は、前記流路形成部を基準とした上下左右前後の領域のうち対向しない領域に設けられ、
一つの前記流路形成部に対して前記投光部及び前記受光部が位置する側への方向とは別の方向に1つ以上の他の流路形成部が列をなして設けられている流路形成部の列を備え、
前記流路形成部が列をなす方向を左右方向とし、当該列に対して垂直な水平方向を前後方向とすると、
前記受光部及び前記投光部は、前記列をなす複数の流路形成部に対して一方が下方に位置し、他方が前後いずれかの側に位置し、
前記投光部及び前記受光部を、前記流路形成部の列に沿って移動させる当該投光部及び当該受光部に共通の移動機構が設けられ、
前記流路形成部材は、前後方向に延びる第1流路と、前記第1流路と直交して上下に延びる第2流路と、前記第2流路から流路出口に向かって前後方向に延びる第3流路と、を有し、
前記受光部は、前記投光部から発せられる光が前記第1流路に当ることで放出される散乱光を受光することで前記異物を検出し、
前記投光部から発せられる光の光軸は、前記第2流路及び前記第3流路を通過しない基板処理装置。 - 前記光軸は流路形成部の下方から、前後方向から見て斜め上方に向う請求項2記載の基板処理装置。
- 前記受光部及び前記投光部は前記複数の流路形成部に共用され、
前記移動機構は、前記複数の流路形成部のうち選択された流路形成部に対応する位置に前記投光部および前記受光部を移動させる請求項1ないし3のいずれか一つに記載の基板処理装置。 - 前記移動機構は、前記投光部からの光が向かう流路形成部と、前記受光部との間の距離を変えるように、少なくとも前記受光部を前記流路形成部がなす列とは別の方向に移動可能に構成されている請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記投光部を第1の投光部とすると、
前記第1の投光部に向けて投光する第2の投光部をさらに備え
前記第2の投光部は、前記第1の投光部に向けた光の光路が前記複数の流路形成部が列をなす方向に沿うように設けられ
前記第1の投光部は、前記第2の投光部からの光を反射して前記流路形成部に光を当てる反射部を備え、前記流路形成部の列の下方に位置し、上方に位置する前記流路形成部へ向けて光を反射し、
前記受光部は前記前後いずれかの側に位置し、前記流路形成部から前後いずれかの側に向う光を受光する請求項4または5に記載の基板処理装置。 - 前記流路形成部は、内部の流路の入口及び出口を備え、
前記入口及び出口は、前記流路形成部を基準として前記投光部及び前記受光部の位置とは異なる向きになるよう設けられている請求項1ないし6いずれかに記載の基板処理装置。 - 前記流路形成部の流路は、少なくとも他流路と交差する複数の部分流路を有し、
前記複数の部分流路の交差部は曲率を有する、請求項1ないし7いずれかに記載の基板処理装置。 - 前記流路形成部の流路は、通液方向の上流側に対して下流側の流路を狭く、又は/かつ
曲率を大きく設けられている部分を有する、請求項1ないし8いずれかに記載の基板処理装置。 - 前記流路形成部は、前記入口を含む第1流路と、前記第1流路と直交する第2流路と、前記第2流路と前記出口をつなぐ第3流路と、を有し、前記入口と出口が前記流路形成部の同一面に設けられ、
前記受光部は、第1流路に光が当ることで放出される散乱光のうち、第2流路側の側方散乱光を測定する請求項7記載の基板処理装置。 - 前記投光部からの光軸は、前記第1流路に対し、前記第1流路の流れ方向に垂直に入射されると共に、前記光軸が入射された第1流路以外の流路を通らないことを特徴とする
請求項10記載の基板処理装置。 - 前記投光部および前記受光部とは異なる投光部及び受光部を有する別の測定セットをさらに備え、
前記投光部および当該別の測定セットにより、前記複数の流路形成部のうち少なくとも2つに対し、同時または間断無く光を当てて異物を検出することを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。 - 前記流路形成部の列、前記投光部、前記受光部、前記移動機構を格納する筐体を備える請求項1ないし12のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記筐体は前記流路形成部の列の前方側の壁部を含む本体部と、
前記流路形成部の列に対して後方または縦方向に位置する壁部をなすと共に前記本体部に対して着脱自在な蓋と、
により構成される請求項13記載の基板処理装置。 - 前記投光部、前記受光部、前記移動機構のうちの少なくともいずれかは、前記筐体に対して着脱自在に構成される請求項13又は14に記載の基板処理装置。
- 測定しないときは光を前記流路形成部に当てないようにする投光切替え機構をさらに備える、請求項1ないし15のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記流体は、前記基板に供給されて当該基板を処理する処理液であり、
前記基板が載置される基板載置部と、
前記供給路の下流端に設けられ、前記基板載置部に載置された前記基板に処理液を供給するノズルと、
前記ノズルから前記処理液が吐出されるように前記供給路に処理液を供給する処理液供給部と、
を備える請求項1ないし16のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記入口及び出口は、前後方向において前記受光部が位置する側とは反対側に各々設けられ、流路形成部は前記入口と前記出口とを接続する曲がった流路を備え、
前記入口及び出口の各々に配管が接続される請求項7記載の基板処理装置。 - 前記基板が格納されるキャリアが載置されるキャリアブロックと、
請求項1または2記載の前記基板処理装置と、
前記キャリアと前記基板処理装置との間で前記基板を搬送する搬送機構と、
前記キャリアブロックに対して区画された処理ブロックと、
を備え、
前記基板処理装置は、前記処理ブロック内に設けられており、
前記基板が載置される基板載置部と、
前記載置部に載置された前記基板に前記流体を供給するノズルと、を備える基板処理システム。 - 前記ノズルは一つの前記基板載置部に対して複数設けられ、
前記異物検出ユニットは、前記流路形成部の列と、前記複数の流路形成部のうち選択された流路形成部に対応する位置に前記投光部および前記受光部が移動するように、前記流路形成部の列に沿って前記投光部および前記受光部を移動させる移動機構と、を備え、
前記列をなす複数の流路形成部は前記複数のノズルに各々接続され、
当該流路形成部の列、前記投光部、前記受光部、前記移動機構は、前記処理ブロックに設けられる請求項19記載の基板処理システム。 - 請求項17に記載の基板処理装置と、
前記基板が格納されるキャリアが載置されるキャリアブロックと
複数の前記基板載置部及び前記ノズルを有する処理ブロックと、を備え
前記異物検出ユニットは、前記流路形成部が複数並ぶ列と、前記移動機構を有し、
前記列をなす複数の流路形成部は前記複数のノズルに各々接続され、前記キャリアブロック及び前記処理ブロックに対して区画されたブロックに設けられる基板処理システム。 - 基板に供給される流体が通流する供給路と、
投光部により前記供給路の一部を成す流路形成部に向かう光が形成された結果として前記流路形成部から光が発せられて、前記流路形成部から発せられた光を受光部が受光して得られる信号に基づいて、前記流体の中の異物を検出可能な異物検出ユニットと、
を備える基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
前記異物検出ユニットにおける前記投光部及び前記受光部は、流路形成部を基準とした上下左右前後の領域のうち対向しない領域に設けられ、
前記投光部により前記供給路の一部を成す流路形成部に向かう光を形成する工程と、
前記流路形成部に向かう光が形成された結果として当該流路形成部から発せられた光を受光部に受光させる工程と、
前記受光部が受光して得られる信号に基づいて、前記流体の中の異物を検出する工程と、
を備え、
一つの前記流路形成部に対して前記投光部及び前記受光部が位置する側への方向とは別の方向に1つ以上の他の流路形成部が列をなして設けられている流路形成部の列を備え、
前記流路形成部が列をなす方向を左右方向とし、当該列に対して垂直な水平方向を前後方向とすると、
前記受光部及び前記投光部は、前記列をなす複数の流路形成部に対して一方が下方に位置し、他方が前後いずれかの側に位置し、
前記投光部及び前記受光部を当該投光部及び当該受光部に共通の移動機構により、前記流路形成部の列に沿って移動機構により移動させる工程を備え、
前記流路形成部は、内部の流路の入口及び出口を備え、
前記入口及び出口は、前記流路形成部を基準として前記投光部及び前記受光部の位置とは異なる向きになるよう設けられ、
前記流路形成部は、前記入口を含む第1流路と、前記第1流路と直交する第2流路と、前記第2流路と前記出口をつなぐ第3流路と、を有し、前記入口と出口が前記流路形成部の同一面に設けられ、
前記受光部は、第1流路に光が当ることで放出される散乱光のうち、第2流路側の側方散乱光を測定し、
前記投光部からの光軸は、前記第1流路に対し、前記第1流路の流れ方向に垂直に入射されると共に、前記光軸が入射された第1流路以外の流路を通らない基板処理方法。 - 基板に供給される流体が通流する供給路と、
投光部により前記供給路の一部を成す流路形成部に向かう光が形成された結果として前記流路形成部から光が発せられて、前記流路形成部から発せられた光を受光部が受光して得られる信号に基づいて、前記流体の中の異物を検出可能な異物検出ユニットと、
を備える基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
前記異物検出ユニットにおける前記投光部及び前記受光部は、流路形成部を基準とした上下左右前後の領域のうち対向しない領域に設けられ、
前記投光部により前記供給路の一部を成す流路形成部に向かう光を形成する工程と、
前記流路形成部に向かう光が形成された結果として当該流路形成部から発せられた光を受光部に受光させる工程と、
前記受光部が受光して得られる信号に基づいて、前記流体の中の異物を検出する工程と、
を備え、
一つの前記流路形成部に対して前記投光部及び前記受光部が位置する側への方向とは別の方向に1つ以上の他の流路形成部が列をなして設けられている流路形成部の列を備え、
前記流路形成部が列をなす方向を左右方向とし、当該列に対して垂直な水平方向を前後方向とすると、
前記受光部及び前記投光部は、前記列をなす複数の流路形成部に対して一方が下方に位置し、他方が前後いずれかの側に位置し、
前記投光部及び前記受光部を当該投光部及び当該受光部に共通の移動機構により、前記流路形成部の列に沿って移動機構により移動させる工程を備え、
前記流路形成部材は、前後方向に延びる第1流路と、前記第1流路と直交し上下に延びる第2流路と、前記第2流路から流路出口に向かって前後方向に延びる第3流路と、を有し、
前記受光部は、前記投光部から発せられる光が前記第1流路に当ることで放出される散乱光を受光することで前記異物を検出し、
前記投光部から発せられる光の光軸は、第2流路及び第3流路を通過しない基板処理方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019009831A JP7318212B2 (ja) | 2019-01-24 | 2019-01-24 | 基板処理装置、基板処理システム及び基板処理方法。 |
TW109100822A TWI839437B (zh) | 2019-01-24 | 2020-01-10 | 基板處理裝置、基板處理系統及基板處理方法 |
KR1020200004752A KR20200092256A (ko) | 2019-01-24 | 2020-01-14 | 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 |
US16/746,118 US11002656B2 (en) | 2019-01-24 | 2020-01-17 | Substrate processing apparatus, substrate processing system, and substrate processing method |
CN202010074294.8A CN111477564A (zh) | 2019-01-24 | 2020-01-22 | 基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法 |
CN202020143435.2U CN212062395U (zh) | 2019-01-24 | 2020-01-22 | 基板处理装置和基板处理系统 |
US17/245,220 US11340152B2 (en) | 2019-01-24 | 2021-04-30 | Substrate processing apparatus, substrate processing system, and substrate processing method |
JP2021103463A JP7238922B2 (ja) | 2019-01-24 | 2021-06-22 | 基板処理装置及び基板処理方法。 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019009831A JP7318212B2 (ja) | 2019-01-24 | 2019-01-24 | 基板処理装置、基板処理システム及び基板処理方法。 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021103463A Division JP7238922B2 (ja) | 2019-01-24 | 2021-06-22 | 基板処理装置及び基板処理方法。 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020119996A JP2020119996A (ja) | 2020-08-06 |
JP7318212B2 true JP7318212B2 (ja) | 2023-08-01 |
Family
ID=71732387
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019009831A Active JP7318212B2 (ja) | 2019-01-24 | 2019-01-24 | 基板処理装置、基板処理システム及び基板処理方法。 |
JP2021103463A Active JP7238922B2 (ja) | 2019-01-24 | 2021-06-22 | 基板処理装置及び基板処理方法。 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021103463A Active JP7238922B2 (ja) | 2019-01-24 | 2021-06-22 | 基板処理装置及び基板処理方法。 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11002656B2 (ja) |
JP (2) | JP7318212B2 (ja) |
KR (1) | KR20200092256A (ja) |
CN (2) | CN111477564A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW202245103A (zh) * | 2021-02-03 | 2022-11-16 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體 |
CN113013050B (zh) * | 2021-03-01 | 2022-11-18 | 福建晶安光电有限公司 | 晶片翘曲测量装置和方法 |
JP2022148186A (ja) * | 2021-03-24 | 2022-10-06 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および配管着脱パーツ洗浄方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002048699A (ja) | 2000-08-04 | 2002-02-15 | Shimadzu Corp | レーザ回折・散乱式粒度分布測定装置 |
JP2015230899A (ja) | 2014-06-03 | 2015-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 送液システムの洗浄方法、送液システム、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP2016225574A (ja) | 2015-06-03 | 2016-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
WO2018135487A1 (ja) | 2017-01-20 | 2018-07-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 異物検出装置、異物検出方法及び記憶媒体 |
JP2020118550A (ja) | 2019-01-24 | 2020-08-06 | リオン株式会社 | 流体中浮遊物質測定用フローセル及び粒子計数装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6395341A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-26 | Kowa Co | 液中微粒子測定装置 |
JPS63292039A (ja) * | 1987-05-26 | 1988-11-29 | Fuji Electric Co Ltd | 液体中微粒子検出装置 |
JPS6475032A (en) * | 1987-09-16 | 1989-03-20 | Hitachi Ltd | Apparatus for supplying treating liquid |
JPH03209713A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | レジスト塗布装置 |
JPH05251328A (ja) | 1992-03-05 | 1993-09-28 | Nec Yamagata Ltd | フォトレジスト膜塗布装置 |
US5938847A (en) * | 1996-09-03 | 1999-08-17 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for coating a film on an object being processed |
US9677988B1 (en) * | 2015-07-10 | 2017-06-13 | David E. Doggett | Integrating radiation collection and detection apparatus |
-
2019
- 2019-01-24 JP JP2019009831A patent/JP7318212B2/ja active Active
-
2020
- 2020-01-14 KR KR1020200004752A patent/KR20200092256A/ko active Search and Examination
- 2020-01-17 US US16/746,118 patent/US11002656B2/en active Active
- 2020-01-22 CN CN202010074294.8A patent/CN111477564A/zh active Pending
- 2020-01-22 CN CN202020143435.2U patent/CN212062395U/zh active Active
-
2021
- 2021-04-30 US US17/245,220 patent/US11340152B2/en active Active
- 2021-06-22 JP JP2021103463A patent/JP7238922B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002048699A (ja) | 2000-08-04 | 2002-02-15 | Shimadzu Corp | レーザ回折・散乱式粒度分布測定装置 |
JP2015230899A (ja) | 2014-06-03 | 2015-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 送液システムの洗浄方法、送液システム、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP2016225574A (ja) | 2015-06-03 | 2016-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
WO2018135487A1 (ja) | 2017-01-20 | 2018-07-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 異物検出装置、異物検出方法及び記憶媒体 |
JP2020118550A (ja) | 2019-01-24 | 2020-08-06 | リオン株式会社 | 流体中浮遊物質測定用フローセル及び粒子計数装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7238922B2 (ja) | 2023-03-14 |
CN111477564A (zh) | 2020-07-31 |
US20200240891A1 (en) | 2020-07-30 |
US11340152B2 (en) | 2022-05-24 |
JP2020119996A (ja) | 2020-08-06 |
CN212062395U (zh) | 2020-12-01 |
US20210247286A1 (en) | 2021-08-12 |
KR20200092256A (ko) | 2020-08-03 |
JP2021168395A (ja) | 2021-10-21 |
TW202043740A (zh) | 2020-12-01 |
US11002656B2 (en) | 2021-05-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7238922B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法。 | |
US20230395380A1 (en) | Processing apparatus for forming a coating film on a substrate having a camera and a mirror member | |
US10958879B2 (en) | Substrate imaging apparatus | |
KR102405539B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP6773188B2 (ja) | 塗布膜形成装置及び塗布膜形成システム | |
TW202200988A (zh) | 異物偵測裝置、基板處理裝置、異物偵測方法及記錄媒體 | |
JP6547871B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
TWI839437B (zh) | 基板處理裝置、基板處理系統及基板處理方法 | |
JP7491126B2 (ja) | 基板処理装置、及び基板処理方法。 | |
WO2021193198A1 (ja) | 異物検出装置、基板処理装置、及び異物検出装置の動作確認方法 | |
WO2023127488A1 (ja) | 異物検出装置及び異物検出方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200515 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211028 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220622 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220705 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220829 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221101 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230214 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230411 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230418 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230620 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230703 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7318212 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |