CN212062395U - 基板处理装置和基板处理系统 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供基板处理装置和基板处理系统。使光学检测供向基板供给的流体流通的供给路径中的异物的基板处理装置小型化。基板处理装置包括：供给路径，其供向基板供给的流体流通；以及异物检测单元，所述供给路径的局部构成流路形成部，该异物检测单元利用投光部形成有朝向该流路形成部的光，作为其结果，自所述流路形成部发出光，该异物检测单元能够基于受光部接收自所述流路形成部发出的光而得到的信号来检测所述流体中的异物，其中，所述异物检测单元中的所述投光部和所述受光部设于以所述流路形成部为基准的上下左右前后的区域中的不相对的区域。

Description

基板处理装置和基板处理系统
技术领域
本实用新型涉及基板处理装置和基板处理系统。
背景技术
在半导体器件的制造工序中，通过向作为圆形的基板的半导体晶圆(以下记载为晶圆)供给各种各样的处理液来进行处理。研究通过检测该处理液中的异物，从而抑制晶圆中的缺陷的发生。在专利文献1中，记载有一种包括用于向晶圆供给抗蚀剂的配管和介于该配管的作为液中微粒计数器的传感器部的液体处理装置。
专利文献1：日本特开平5－251328号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
本实用新型提供一种能够使光学检测供向基板供给的流体流通的供给路径中的异物的基板处理装置小型化的技术。
用于解决问题的方案
本实用新型的基板处理装置包括：
供给路径，其供向基板供给的流体流通；以及
异物检测单元，所述供给路径的局部构成流路形成部，该异物检测单元利用投光部形成有朝向该流路形成部的光，作为其结果，自所述流路形成部发出光，该异物检测单元能够基于受光部接收自所述流路形成部发出的光而得到的信号来检测所述流体中的异物，其中，
所述异物检测单元中的所述投光部和所述受光部设于以所述流路形成部为基准的上下左右前后的区域中的不相对的区域。
优选的是，该基板处理装置包括：流路形成部的列，在该流路形成部的列中，相对于一个所述流路形成部在与朝向所述投光部所位于的一侧的方向以及朝向所述受光部所位于的一侧的方向不同的第1方向上成列地设有一个以上的其他的流路形成部；以及移动机构，所述受光部和所述投光部共用于多个所述流路形成部，该移动机构以所述投光部和所述受光部向与多个所述流路形成部中的被选择的流路形成部相对应的位置移动的方式，使所述投光部和所述受光部沿着所述流路形成部的列在第1方向上移动。
优选的是，所述移动机构构成为，能够在与第1方向不同的第2方向上移动，从而改变来自所述投光部的光所朝向的流路形成部与所述受光部之间的距离。
优选的是，所述移动机构在使所述投光部和所述受光部在第1方向上移动而移动到与所述被选择的流路形成部相对应的位置时，使所述投光部和所述受光部在第2方向上移动，以成为自所述被选择的流路形成部到利用所述受光部接受光为止的预先设定的受光距离。
优选的是，在将所述投光部设为第1投光部时，该基板处理装置还包括朝向所述第1投光部投光的第2投光部，所述第2投光部以朝向所述第1投光部的光的光路沿着多个所述流路形成部成列的方向的方式设置，所述第1投光部包括反射部，该反射部反射来自所述第2投光部的光并使光照到所述流路形成部。
优选的是，所述流路形成部包括内部的流路的入口和出口，所述入口和所述出口设为，以所述流路形成部为基准成为与所述投光部的位置和所述受光部的位置不同的朝向。
优选的是，所述流路形成部为方形的六面体的形状，所述入口和所述出口设于所述流路形成部的同一面。
优选的是，所述流路形成部的流路至少具有与其他流路交叉的多个部分流路，所述多个部分流路的交叉部具有曲率。
优选的是，所述流路形成部的流路具有相对于液体流通方向的上游侧将下游侧的流路设置得较窄和/或将曲率设置得较大的部分。
优选的是，所述流路形成部具有包含所述入口的第1流路、与所述第1流路正交的第2流路以及连接所述第2流路和所述出口的第3流路，所述入口和所述出口设于同一面，所述受光部测量通过光照到第1流路而放出的散射光中的第2流路侧的侧方散射光。
优选的是，来自所述投光部的光轴与所述第1流路的流动方向垂直地向所述第1流路入射，并且不通过除所述光轴所入射的第1流路以外的流路。
优选的是，所述投光部在纵向上向所述流路形成部投光，所述受光部相对于所述流路形成部设于后方。
优选的是，该基板处理装置还包括其他的测量组，该其他的测量组具有与所述投光部以及所述受光部不同的投光部以及受光部，利用所述投光部和该其他的测量组，同时或不间断地使光照到多个所述流路形成部中的至少两个所述流路形成部来检测异物。
优选的是，该基板处理装置包括壳体，该壳体收纳所述流路形成部的列、所述投光部、所述受光部、所述移动机构。
优选的是，所述壳体包括：主体部，其包含所述流路形成部的列的前方侧的壁部；以及盖，其构成相对于所述流路形成部的列位于后方或纵向的壁部并且相对于所述主体部装卸自如。
优选的是，所述投光部、所述受光部、所述移动机构中的至少任一者构成为相对于所述壳体装卸自如。
优选的是，该基板处理装置还包括投光切换机构，该投光切换机构设为在不进行测量时使光不照到所述流路形成部。
优选的是，所述流体为向所述基板供给来处理该基板的处理液，该基板处理装置包括：基板载置部，其用于载置所述基板；喷嘴，其设于所述供给路径的下游端，向载置于所述基板载置部的基板供给处理液；以及处理液供给部，其向所述供给路径供给处理液，以自所述喷嘴喷出所述处理液。
本实用新型的基板处理系统包括：
载体模块，其用于载置收纳所述基板的载体；
上述的基板处理装置；
输送机构，其在所述载体与所述基板处理装置之间输送所述基板；以及
处理模块，其包含构成所述基板处理装置的所述喷嘴和所述基板载置部，并且与所述载体模块划分开。
优选的是，所述喷嘴相对于一个所述基板载置部设有多个，所述异物检测单元包括所述流路形成部的列和所述移动机构，所述成列的多个流路形成部分别与多个所述喷嘴连接，该流路形成部的列、所述投光部、所述受光部、所述移动机构设于所述处理模块。
本实用新型的基板处理系统，包括：
上述的基板处理装置；
载体模块，其用于载置收纳所述基板的载体；以及
处理模块，其具有多个所述基板载置部和多个所述喷嘴，
所述异物检测单元具有多个所述流路形成部排列的列和所述移动机构，
所述成列的多个流路形成部分别与多个所述喷嘴连接，并设于与所述载体模块以及所述处理模块划分开的模块。
实用新型的效果
根据本实用新型，能够使光学检测供向基板供给的流体流通的供给路径中的异物的基板处理装置小型化。
附图说明
图1是作为本实用新型的一实施方式的抗蚀剂涂敷装置的概略结构图。
图2是所述抗蚀剂涂敷组件的俯视图。
图3是组装于所述抗蚀剂涂敷组件的异物检测单元的纵剖侧视图。
图4是所述异物检测单元的纵剖后视图。
图5是所述异物检测单元的立体图。
图6是所述异物检测单元的概略侧视图。
图7是所述异物检测单元的概略主视图。
图8是所述异物检测单元的分解立体图。
图9是表示所述抗蚀剂涂敷装置的动作的时序图。
图10是表示所述异物检测单元的各部分的位置关系的说明图。
图11是表示所述异物检测单元的变形例的纵剖侧视图。
图12是表示设于所述异物检测单元的流路形成部的变形例的纵剖侧视图。
图13是所述变形例的流路形成部的后视图。
图14是表示设于所述异物检测单元的流路形成部的另一变形例的纵剖侧视图。
图15是表示设于所述异物检测单元的流路形成部的又一变形例的后视图。
图16是表示所述异物检测单元的变形例的俯视图。
图17是表示所述异物检测单元的变形例的纵剖侧视图。
图18是组装抗蚀剂涂敷装置的涂敷显影装置的俯视图。
图19是所述涂敷显影装置的概略侧视图。
图20是表示所述涂敷显影装置中的异物检测单元的配置的说明图。
具体实施方式
参照图1的概略图对本实用新型的基板处理装置的一实施方式的抗蚀剂涂敷装置1进行说明。抗蚀剂涂敷装置1向作为基板的晶圆W供给作为处理液的抗蚀剂而形成抗蚀剂膜。抗蚀剂涂敷装置1例如包括12个喷嘴11(11A～11L)，其中的11个喷嘴11A～11K喷出抗蚀剂，以在晶圆W形成抗蚀剂膜。喷嘴11L向晶圆W喷出稀释剂。稀释剂向被供给抗蚀剂之前的晶圆W供给，为提高晶圆W的相对于抗蚀剂的润湿性的预湿(日文：プリウエット)用的处理液。抗蚀剂涂敷装置1包括用于光学检测这些抗蚀剂和稀释剂中的异物的异物检测单元2。
在喷嘴11A～11L连接有用于形成供处理液流通的供给路径的处理液供给管12(12A～12L)的下游端。处理液供给管12A～12K的上游端分别经由阀V1连接于处理液供给部13A～13K。处理液供给部13(13A～13K)包括分别储存抗蚀剂的瓶和自该瓶将抗蚀剂分别向喷嘴11A～11K加压输送的泵。储存于处理液供给部13A～13K的抗蚀剂的种类互不相同，向晶圆W供给从11种抗蚀剂中选择的一种抗蚀剂。
在喷嘴11L连接有处理液供给管12L的下游端，处理液供给管12L的上游端经由阀V1连接于处理液供给部13L。处理液供给部13L除了储存上述的稀释剂来代替抗蚀剂以外，与处理液供给部13A～13K相同地构成。在处理液供给管12A～12L中的喷嘴11A～11L与阀V1之间夹设有流路形成部14(14A～14L)。因而，流路形成部14构成供向晶圆W供给的流体流通的供给路径的局部。
图2的俯视图关于抗蚀剂涂敷装置1示出更详细的结构的一个例子。图中附图标记21为旋转卡盘，构成水平地吸附保持各个晶圆W的背面中央部的基板载置部。旋转卡盘21连接于旋转机构22(图2中未图示)，以能够对晶圆W进行抗蚀剂的旋转涂敷的方式在保持了晶圆W的状态下进行旋转。图中附图标记23为为了抑制处理液的飞散而包围晶圆W的侧方的杯。在该例子中，旋转卡盘21、旋转机构22以及杯23的组沿着横向排列。
图中附图标记24为在其顶端部支承喷嘴11A～11L的臂。图中附图标记25为连接臂24的基端部的移动机构，卡定于沿着杯23的排列方向延伸的导轨26。通过移动机构25移动，各喷嘴11A～11L向能够向保持于旋转卡盘21的晶圆W的中心部喷出处理液的位置移动。导轨26设于各杯23的里侧，在该导轨26的更里侧设有方形且横长的壳体31。
参照表示壳体31的内部的作为纵剖侧视图的图3、作为纵剖后视图的图4、作为立体图的图5继续说明。在说明时，将壳体31的长度方向设为左右方向。壳体31包括主体部32、上盖33以及横盖34。上盖33和横盖34利用例如螺钉等固定件安装于主体部32，由此相对于主体部32装卸自如。如后述详细说明，在壳体31内以沿着左右方向成列的方式设有上述的流路形成部14。上盖33构成相对于该流路形成部14的列位于上方即纵向上的壁部，横盖34构成相对于流路形成部14的列位于后方的壁部。
异物检测单元2由设于壳体31内的流路形成部14、光路形成部4、光源51、导光部52、计数部53以及该壳体31构成。若预先对该异物检测单元2的概要进行描述，则构成为，形成朝向流路形成部14A～14L中的被选择的一个流路形成部的光，其结果，能够利用受光元件接收自被选择的流路形成部14发出的光。然后，通过该受光来对在发出光的流路形成部14中流动的流体中的异物进行检测。
在之后的壳体31内的说明中使用的左侧、右侧分别是指自前方朝向后方观察时的左侧、右侧。因而，配置于右侧的构件在作为后视图的图4中成为配置于左侧。在壳体31内的靠前方且靠右侧的位置，如已说明那样流路形成部14A～14L设为沿着左右以直线状成列。流路形成部14A～14L互相空开些许间隔地配置，且分别相对于壳体31的主体部32固定。流路形成部14A～14L分别同样地构成，作为代表而对图3所示的流路形成部14A进行说明。流路形成部14A形成为方形且是六面体的块状，为了进行异物的光学性的检测，以能够使后述的激光透过的方式由石英或蓝宝石构成。
在流路形成部14A内形成有流路15。流路15由朝向下游侧依次连接且分别沿着流路形成部14A的各边形成的第1流路16、第2流路17、第3流路18构成。第1流路16以下游侧朝向后方的方式水平延伸，第2流路17以下游侧朝向上方的方式铅垂延伸，第3流路18以下游侧朝向前方的方式水平延伸。另外，第1流路16的上游端形成朝向流路形成部14A的处理液的入口16A，第3流路18的下游端形成来自流路形成部14A的处理液的出口18A。因而，设为第1流路16与第2流路17互相正交、第3流路18使第2流路17与出口18A连接的结构。而且，由于入口16A和出口18A均在流路形成部14A的前端面开口，因此设于同一面。另外，若将流路形成部14A中包含的第1流路16、第2流路17、第3流路18分别设为局部流路，则多个局部流路互相交叉。
在上述的第1流路16的入口16A连接有配管54的下游端，在第3流路18的出口18A连接有配管55的上游端，处理液经由流路形成部14A的流路15自配管54向配管55流通。这些配管54、55构成图1中说明的处理液供给管12A，并具有挠性，在不使激光透过的方面与流路形成部14A不同。配管54的上游侧和配管55的下游侧贯通壳体31的前方壁并向壳体31的外部引出。
另外，流路形成部14A～14L的流路15存在作为流路15A～15L来表示的情况。如上所述，流路形成部14A～14L左右成列，因此，该流路15A～15L也左右成列。在图5中省略表示，但在流路形成部14B～14L也与流路形成部14A相同地连接有配管54、55。利用这样与流路形成部14B～14L连接的各配管54、55构成图1中示出的处理液供给管12B～12L。
朝向流路形成部14A～14L的列的左侧(图4的表示中右侧)依次设有导光部52、作为第2投光部的光源51。光源51朝向导光部52沿着流路形成部14A～14L的列方向照射用于检测异物的激光。导光部52例如包含多个准直器。对于自光源51照射的激光，其光束的截面被该导光部52整形，并进一步向右侧照射，而向后述的反射部44照射。另外，例如，导光部52包含构成投光切换机构的光闸，该投光切换机构对朝向反射部44的光路进行开闭。在不进行异物的检测时，利用光闸遮蔽激光，而不进行向流路形成部14A～14L的光照射。另外，在不进行异物的检测时，可以使光源51的用于产生激光的输出降低。通过这样进行所需最小限度的输出控制，一边使来自光源51的发热量降低而抑制对周围的热影响，一边还抑制光源51的性能劣化而能够进行长时间的使用。
接下来对光路形成部4进行说明。光路形成部4包括滑动台41、导轨42、移动机构43、反射部44、聚光透镜45、支承部46、检测用光学系统47、受光部48以及光吸收部56，这些部件构成为一体的单元。滑动台41的后端部位于比流路形成部14A～14L的列靠后方侧的位置，滑动台41的前端部位于该流路形成部14A～14L的列的下方。而且，滑动台41卡定于在该滑动台41的下方设置的导轨42，导轨42左右延伸。在导轨42的后方设有移动机构43，滑动台41连接于该移动机构43。利用移动机构43，滑动台41沿着导轨42的长度方向即左右方向移动。在滑动台41上的前端部设有构成第1投光部的反射部44和聚光透镜45，聚光透镜45位于反射部44的上方。此外，在图5中省略对聚光透镜45的图示。
自滑动台41上的后端部以向上方延伸的方式形成有直立板状的支承部46。在支承部46，朝向后方依次设有检测用光学系统47、作为受光元件的受光部48。检测用光学系统47包含透镜，如后述那样，入射到检测用光学系统47的光向受光部48聚光。另外，支承部46的上端部形成朝向前方伸出的臂57，在该臂57的顶端部设有作为光束阻尼器的光吸收部56。在检测用光学系统47的内部还设有仅使特定波长通过的波长滤波器(未图示)。由此，SN比(信噪比)上升。也就是说，表示异物的检测的信号的峰值与背景信号之间容易产生差值，因此能够进行可靠性较高的异物的检测。
利用移动机构43，滑动台41、反射部44、聚光透镜45、检测用光学系统47、受光部48以及光吸收部56一体地沿着流路形成部14A～14L的排列方向(左右方向)移动。在这样进行移动时，检测用光学系统47和受光部48配置于与各流路形成部14A～14L的各流路16相对的高度。另外，光吸收部56以隔着流路形成部14A～14L中的被照射光的流路形成部14与反射部44相对的方式配置。另外，虽未进行图示，但移动机构43也可以构成为通过改变流路形成部14与受光部48之间的距离来调整自流路形成部14到由受光部48接收光为止的受光距离。更具体而言，还可以包括至少使检测用光学系统47和受光部48能够相对于流路形成部14在与流路形成部14的排列方向不同的方向上相对移动的机构。即，对流路形成部14A～14L分别设定受光距离，在向一个流路形成部14投光时，调整检测用光学系统47的位置和受光部48的位置，从而成为对该流路形成部14设定的受光距离。由此，即使在以下情况下也能够以与各流路形成部14的焦点相配合的方式调整受光距离：由于多个流路形成部14具有因制作、组装而产生的形状、位置的偏差，自各流路形成部14朝向受光部48的光的焦点在所述排列方向上不一致。由此，能够进行更高精度的异物的检测。
如上所述，对流路形成部14A～14L中的被选择的一个流路形成部进行异物的检测。在进行该异物的检测时，反射部44和聚光透镜45位于作为与被选择的流路形成部14相对应的位置的该流路形成部14的铅垂下方。而且，检测用光学系统47和受光部48位于作为与被选择的流路形成部14相对应的位置的该流路形成部14的后方。另外，光吸收部56位于该流路形成部14的铅垂上方。此外，图3、图4示出流路形成部14A为被选择的流路形成部14时的各部分的配置。
图3中的点划线的箭头表示光路。还参照同样由点划线的箭头表示光路的图6、图7的示意图进行说明。自光源51经由导光部52照射的激光被反射部44反射而朝向上方即纵向并通过聚光透镜45。然后，该激光与流路形成部14A的第1流路16中的处理液的流动方向垂直地向该第1流路16入射，在该第1流路16内形成作为能量相对较高的聚光点的异物检测区域40。这样被反射部44反射并通过第1流路16的激光的光轴在自前后方向观察时倾斜地朝向上方，未通过第1流路16以外的流路即第2流路17和第3流路18而透过流路形成部14A。然后，这样透过了流路形成部14A的光向光吸收部56照射而被吸收(参照图3、图7)。在抗蚀剂在该流路形成部14A流通的过程中，通过这样形成光路来形成异物检测区域40。而且，若异物P随着抗蚀剂的流动进入该异物检测区域40，则产生散射光。
而且，该散射光中的入射到检测用光学系统47的光向受光部48照射。也就是说，向受光部48照射自流路形成部14的第1流路16朝向第2流路17侧(后方侧)的侧方散射光，在图6中，由双点划线表示该侧方散射光。如此向受光部48照射的散射光的强度与异物P的大小(粒径)相对应，受光部48进行光电转换，输出与接收到的侧方散射光的强度相对应的强度的电信号。此外，示出了所选择的流路形成部14为流路形成部14A的情况，但在选择其他的异物检测部的情况下也同样地形成光路，并向受光部48照射散射光。
返回使用了图3～图5的壳体31内的说明。在导光部52和光源51的前方设有计数部53。计数部53例如包括搭载有CPU等的基板。例如，计数部53利用未图示的线缆连接于受光部48，自受光部48接收上述的电信号，并基于该电信号进行异物的检测。作为该异物的检测，例如包含异物的计数、分级，计数部53将与该检测结果相当的检测信号向构成抗蚀剂涂敷装置1的控制部100输出。此外，上述的分级是在规定大小的每个范围进行异物的计数。
另外，如图8所示，关于上述的导光部52、光源51、光路形成部4以及计数部53，构成为通过使用例如螺栓、螺母等固定件安装于壳体31的主体部32而能够装卸。因而，在自主体部32拆除了上盖33和/或横盖34的状态下，能够将这些导光部52、光源51、光路形成部4以及计数部53取出到壳体31的外部。图中附图标记35为设于壳体31的底部的销，该销35在将光路形成部4安装于壳体31内时，用于引导该光路形成部4在横向上的位置。更具体而言，销35限制光路形成部4在导轨42的前后方向上的位置。关于导光部52、光源51、光路形成部4以及计数部53，与该销35相同地分别引导壳体31内的安装位置的构件也可以设于该壳体31。此外，图8中也与图5相同，省略对与流路形成部14L以外的流路形成部14连接的配管54、55的表示。
接下来，对构成图1、图3所示的抗蚀剂涂敷装置1的控制部100进行说明。控制部100由计算机构成，例如上述的计数部53连接于该控制部100。控制部100具有未图示的程序存储部。在该程序存储部存储有以对晶圆W进行的抗蚀剂膜的成膜和异物的检测的方式编入命令(步骤组)而成的程序。根据该程序，自控制部100向抗蚀剂涂敷装置1的各部分输出控制信号，从而进行后述的各动作。该程序例如以收纳于硬盘、光盘、磁光盘、存储卡或DVD等存储介质的状态储存于程序存储部。
接下来，参照图9的时序图对在上述的抗蚀剂涂敷装置1中进行的晶圆W的处理和异物的检测进行说明。在该时序图中，示出了调整处理液供给部13A～13L中的一个处理液供给部13的泵的压力的时刻以及处理液供给管12A～12L中的与一个处理液供给部13相对应的处理液供给管12的阀V1开闭的时刻。另外，该时序图还示出导光部52的光闸打开而向光路形成部4照射激光的时刻、构成光路形成部4的各部分进行移动的时刻、计数部53接收由受光部48获取的信号并进行异物的检测的时刻。
首先，利用未图示的基板输出机构向旋转卡盘21上输送晶圆W，在将该晶圆W保持于该旋转卡盘21的状态下，向晶圆W上方输送喷嘴11L，并且处理液供给部13L的泵进行稀释剂的抽吸，以该泵内成为规定压力的方式开始调整(时间t1)。例如，该喷嘴11L的移动和泵的工作并行，光路形成部4的滑动台41移动。而且，反射部44、聚光透镜45位于流路形成部14L的下方，检测用光学系统47和受光部48位于流路形成部14L的后方，光吸收部56位于流路形成部14L的上方。
接下来，喷嘴11L在晶圆W上方静止(时间t2)。接下来，打开处理液供给管12L的阀V1，自泵朝向喷嘴11L加压输送稀释剂。与该稀释剂的加压输送同时地，自光源51朝向反射部44照射激光，该激光如图3、图4等中说明那样被反射部44反射而朝向上方，并在流路形成部14L形成异物检测区域40(时间t3)。然后，在异物进入形成于上述的流路形成部14L的异物检测区域40时，产生散射光，该散射光经由检测用光学系统47向受光部48照射。
另一方面，被加压输送的稀释剂通过流路形成部14L的流路15，并自喷嘴11L向晶圆W的中心部喷出。然后，在成为规定的开度时，阀V1的开度的上升停止(时间t4)。之后，在流路15的液流稳定时，开始利用计数部53自受光部48获取信号，并进行异物的检测。接下来，停止利用计数部53自受光部48获取信号(时间t6)，停止来自光源51的光照射并且关闭处理液供给管12L的阀V1(时间t7)，停止向晶圆W喷出稀释剂。晶圆W进行旋转，被喷出的稀释剂在离心力的作用下向晶圆W的周缘部伸展而进行预湿。
接着，向晶圆W供给储存于处理液供给部13A～13K中的任一处理液供给部的抗蚀剂。在此，设定为向晶圆W供给处理液供给部13A的抗蚀剂。在这样向晶圆W供给处理液供给部13A的抗蚀剂时，代替喷嘴11L而使喷嘴11A位于晶圆W上方，并代替自处理液供给部13L向喷嘴供给稀释剂而自处理液供给部13A向喷嘴供给抗蚀剂。另外，代替处理液供给管12L的阀V1而使处理液供给管12A的阀V1开闭。而且，构成光路形成部4的各部分代替向与流路形成部14L相对应的位置移动，而向与流路形成部14A相对应的位置移动，并在流路形成部14A形成光路。
除了这样的差异以外，与向晶圆W供给稀释剂时相同，各部分按照图9的时序图进行工作。由此，与向晶圆W供给抗蚀剂并行地进行该抗蚀剂中的异物的检测。然后，利用晶圆W的旋转将供给到晶圆W的抗蚀剂旋转涂敷于该晶圆W的表面，而形成抗蚀剂膜。之后，利用基板输出机构自旋转卡盘21输送晶圆W。
根据该抗蚀剂涂敷装置1，作为投光部的反射部44自以流路形成部14为基准的前方、后方、上方、下方、左方以及右方的各区域中的一个区域(具体而言下方区域)向该流路形成部14照射光。而且，在未隔着流路形成部14与反射部44相对的其他的区域(具体而言后方区域)设有受光部48。
假设反射部44和受光部48设为隔着流路形成部14相对。在这样设为相对的配置的情况下，考虑反射部44或受光部48位于与流路形成部14连接的配管54和配管55之间。但是，若这样地配置各部分，则为了避免与这样位于配管54、55之间的反射部44或受光部48的干涉，需要增大构成流路形成部14的纵向上的第2流路17的长度。其结果，流路形成部14的高度变大。另外，若这样使反射部44与受光部48相对，则反射部44、流路形成部14以及受光部48排列成一列，因此，导致作为该排列方向的横向上的长度变大。也就是说，若反射部44和受光部48隔着流路形成部14相对，则包含这些构件的异物检测单元2乃至抗蚀剂涂敷装置1可能大型化。
但是，如上所述，由于反射部44和受光部48设为未隔着流路形成部14相对的配置，因此，不需要增大流路形成部14的高度，也不需要由于反射部44、流路形成部14、受光部48排列而产生的空间。因而，能够对抗蚀剂涂敷装置1谋求小型化。关于已说明的专利文献1，记载有设置用于检测与喷嘴连接的抗蚀剂的流路的异物的微粒计数器。但是，对于流路与构成微粒计数器的各部分之间的位置关系并没有记载。也就是说，专利文献1中并未示出本实用新型的基板处理装置的结构。
另外，在抗蚀剂涂敷装置1中，相对于一个流路形成部14在与朝向反射部44所位于的一侧的方向以及朝向受光部48所位于的一侧的方向不同的方向(具体而言左右方向)上，成列地设有一个以上的其他的流路形成部14。而且，反射部44和受光部48利用移动机构43相对于成列的流路形成部14沿着该列移动，因而被共用化。通过在这样的方向上形成流路形成部14的列，从而在设置多个流路形成部14时，如上所述，反射部44和受光部48不会隔着各流路形成部14相对。因此，即使设置多个流路形成部14，也能够防止异物检测单元2的大型化。而且，由于反射部44和受光部48如上所述地共用化，因此，能够减少构成异物检测单元2的部件的数量，能够防止其大型化。通过这样防止异物检测单元2的大型化，能够防止抗蚀剂涂敷装置1的大型化。
另外，关于流路形成部14的入口16A和出口18A，在以流路形成部14为基准与设有反射部44的方向以及设有受光部48的方向不同的方向(具体而言前方)开口。根据这样的结构，能够防止分别与入口16A、出口18A连接的配管54和配管55向相对于流路形成部14的列而言的设置反射部44的下方和设置受光部48的后方分别引绕。因此，在对这些反射部44、该受光部48进行维护时，不需要拆除配管54、55。对在自流路形成部14观察时设于分别与反射部44、受光部48相同的方向上的聚光透镜45、检测用光学系统47进行维护的情况下，也不需要拆除配管54、55。如此，由于不需要拆除配管54、55，因此，具有容易进行维护这样的优点。此外，关于配管54、55，并不限定于上述那样以自开口的流路形成部14的入口16A、出口18A向前方延伸并贯通壳体31的前方壁的方式进行引绕。还可以以这样的方式进行引绕：在壳体31内向前方延伸，之后以朝向下方的方式弯折，并贯通壳体31的底壁。
而且，上述的入口16A和出口18A设于流路形成部14中的同一面，由构成入口16A的第1流路16产生的散射光被设于与第1流路16正交地形成的第2流路17侧(具体而言后方侧)的受光部48接收。根据这样的结构，与入口16A、18A连接的配管54、55的各端部和受光部48隔着流路形成部14相对，并抑制互相的高度的偏差，因此，能够抑制异物检测单元2的高度。而且，在自流路形成部14观察时，使配管54、55向与受光部48所位于的方向相反的方向引绕，因此，在如已说明那样多个流路形成部14以成列的方式配置时，即使各流路形成部14以互相靠近的方式进行设计，也能够防止配管54、55成为阻碍。因而，能够更可靠地谋求抗蚀剂涂敷装置1的小型化。
而且，反射部44以相对于上述的第1流路14的流动方向垂直入射的方式反射光，该反射光的光轴以不通过第2流路17和第3流路18的方式构成。因而，抑制不必要的散射光的发生，降低自受光部48输出的信号中含有的噪声，能够提高异物的检测精度。
另外，如上所述，入口16A、出口18A在流路形成部14中在同一面即向相同朝向开口，由此使配管54、55的伸长方向互相一致。通过这样使伸长方向一致，能够以贯通壳体31中的互相相同的壁部(具体而言前方壁)的方式设置配管54、55。关于壳体31的各壁部中的配管54、55未贯通的壁部，容易构成为相对于壳体31的主体部32能够拆卸的盖。设置容易拆卸的盖是为了容易对壳体31内的各部分进行维护，关于拆卸了盖的壳体31，由于开口部的面积越大则作业人员越容易使其手进入壳体31内进行作业，因此，容易进行维护。即，如上所述地将入口16A、出口18A设于流路形成部14的同一面的做法具有增多能够拆卸的盖的数量来增加拆除了各盖时的壳体31的开口部的面积，而容易对壳体31内的各部分进行维护的优点。
而且，在抗蚀剂涂敷装置1中，自光源51沿着流路形成部14的列照射激光，该激光被沿着流路形成部14的列移动的反射部44向所选择的一个流路形成部14照射。即，设为将光源51固定设于壳体31内的远离反射部44的移动区域的位置的结构。由于这样固定有光源51，因而能够防止引绕用于向光源51供给电力的线缆(未图示)的空间变大。由此，能够更可靠地抑制异物检测单元2的大型化。另外，由于光源51在壳体31内不进行移动，因而容易对该光源51进行拆卸以及重新设置。
另外，在隔着流路形成部14与反射部44相对的位置设有光吸收部56。因而，能够防止透过了流路形成部14的激光向壳体31的壁面照射而其反射光向受光部48入射，因此，能够进一步降低受光部48的输出信号中的噪声而提高异物的检测精度。光吸收部56在壳体31内可以设于每个流路形成部14，但如已说明那样，通过设为光吸收部56沿着流路形成部14的列移动且该光吸收部56被各流路形成部14共用的结构，能够降低制造成本，因而优选。此外，代替设置光吸收部56，例如壳体31的顶面(上盖33的下表面)也可以以能够吸收激光的方式构成。具体而言，可以设为在该顶面涂敷了用于吸收激光的涂料的结构。另外，该情况下，为了防止吸收了光的上盖33的温度上升，也可以在该上盖33设置例如向壳体31的外侧突出的散热用的散热片作为冷却构件。
在这样进行异物的检测的抗蚀剂涂敷装置1中，对即将向晶圆W喷出之前的处理液的纯度进行监视。因而，能够高精度地识别被处理的晶圆W是否产生了异常。根据异物的检测结果，也可以自控制部100输出控制信号从而利用控制部100停止晶圆W的处理，该情况下，能够防止对向装置1输送的后续的晶圆W进行异常的处理。另外，关于抗蚀剂涂敷装置1，成为如下结构：能够分别检测多个处理液的流路中的异物，在晶圆W产生了异常的情况下，能够确定各流路中的哪一流路为异物的发生源。因而，具有能够迅速地进行装置的相对于异常的修复的优点。
此外，作为异物的检测，可以基于来自受光部48的输出信号、表示来自受光部48的输出信号与粒径之间的对应的第1对应关系以及表示来自受光部48的输出信号与在流路中流动的异物的总数之间的对应的第2对应关系，来求得异物的粒径、异物的总数。而且，关于一个处理液供给管12中的一个处理液供给管的上游侧，例如设为与供给以规定的浓度含有大小已知的试验用的颗粒的试验液的试验液供给源连接的结构。也可以设为如下装置结构：关于该试验液，进行图9中说明的检测，基于检测结果，重新获取第1对应关系和第2对应关系，从而对各对应关系进行校正。
另外，关于壳体31，既可以横卧，也可以颠倒。即，关于以流路形成部14为基准的各部分的位置，并不限定于成为上述的位置。具体而言，既可以是是相对于流路形成部14而言受光部48位于纵向上的位置、反射部44位于横向上的位置那样的配置，也可以是各流路形成部14沿着纵向排列。
而且，关于流路形成部14、投光部、受光部48的位置关系，并不限定于各图中示出的具体例。参照表示三维坐标的图10，对该位置关系进行补充说明。图10中的坐标轴的原点设为形成于流路形成部14的流路15的上述的异物检测区域40。因而，坐标的X轴的轴向表示自异物检测区域40观察的左方和右方，Y轴的轴向表示自异物检测区域40观察的前方和后方，Z轴的轴向表示自异物检测区域40观察的上方和下方。如上所述，投光部和受光部48设于以流路形成部14为基准的上下左右前后的区域中的不相对的区域。即，在自作为投光部的反射部44朝向该异物检测区域40照射光并形成了光轴L时，在通过了原点的该光轴L的延长方向上未设置受光部48。
由于如此未设置受光部48，如已说明那样，能够防止由于成为投光部和受光部隔着流路形成部的结构而引起的异物检测单元2的大型化。在图10所示的例子中，沿着Z轴由反射部44形成有光轴L(由点划线的箭头进行表示)。因而，只要不在该Z轴上设置受光部48即可。同样地，例如在沿着X轴由反射部44形成光轴L的情况下，在该X轴上未设置受光部48。此外，在该图10的说明中，将投光部作为反射部44进行了说明，在此所指的投光部为以决定最终朝向异物检测区域的光路的方向的方式进行投光的构件。因而，例如，也可以将光源51搭载于滑动台41，自该光源51不经由反射部44而直接向流路形成部14照射激光并进行投光，该情况下，投光部为光源51。
另外，作为激光的相对于流路形成部14的照射位置，并不限定于已说明的例子。但是，若通过激光的照射而形成的异物检测区域40中的处理液的流路方向与该照射方向平行，则无法连续向在流路中流动的异物照射光并进行准确的检测，因此，以这些方向不成为平行而互相交叉的方式进行光照射。此外，在此所指的交叉分别包含正交、斜交叉。另外，在已说明的结构例中，在流路形成部14中，以自下方朝向上方的方式供给处理液，但并不限定于沿着这样的方向进行供给。
另外，关于上述的流路形成部14的流路15，为了向作为进行测量的区域的壳体31内导入处理液，并自壳体31内将处理液排出，如上所述弯折地构成。能够这样地进行处理液的相对于壳体31内的导入和排出即可，因而关于流路形成部14的流路15，并不限定于已说明的结构例。图11所示的例子未设置上侧的横向的第3流路18，而是第2流路17在流路形成部14的上端开口，由此该流路形成部14的流路15形成为侧视呈L字型。而且，配管54的下游侧弯折，由此贯通壳体31的前方壁。关于配管54，也可以设为贯通壳体31的上部，但根据已说明的理由，优选设为与配管55一起贯通壳体31的前方壁的结构。
图12、图13中示出另一流路形成部14的结构例，图12是该流路形成部14的纵剖侧视图，图13是该流路形成部14的后视图。在该例子中，如图3中已说明的例子那样，流路形成部14的流路15由第1流路16、第2流路17以及第3流路18构成。该流路15的下端部朝向后方突出，形成有以在自第2流路17观察时构成凸透镜形状的方式鼓出的球面透镜部19。另外，关于构成流路15的部分流路互相交叉的交叉部201、202，设为具有曲率的结构。更具体地进行说明，在图13所示的例子中，朝向前方观察时的第2流路17的上端部和下端部的左右的角带有圆角，由此该上端部和该下端部设为大致半圆状，而形成为已说明的具有曲率的交叉部201、202。如此设置具有曲率的交叉部201、202是为了防止处理液的流动在流路15的弯折部停滞。若由该停滞导致异物在异物检测区域40滞留，则可能因滞留而产生微粒，但通过设置交叉部201、202，能够更可靠地防止产生这样的不良情况。另外，流路形成部14的后端面的下端部朝向后方突出，而形成有凸透镜部27。在前后方向上观察时，球面透镜部19的中心与凸透镜部27的中心彼此一致。设置该凸透镜部27、球面透镜部19是为了将自异物检测区域40照射来的侧方散射光更可靠地向检测用光学系统47导入，而提高检测精度。
图14是表示又一流路形成部14的结构的纵剖侧视图。该流路形成部14的流路15形成为侧视呈U字状。因而，关于流路15，与入口16A附近(液体流通方向的上游侧)的区域的曲率相比，流路15的作为其下游侧的长度方向上的中心部附近的区域49的曲率较大。此外，还可以使处理液供给管12在壳体31内呈U字弯曲，并以形成与该图14的流路15相同的形状的流路的方式在壳体31内进行引绕，通过向该处理液供给管12照射光来进行异物的检测。关于该处理液供给管12在壳体31内的部位，为了进行其检测，而构成为具有透光性。另外，在进行异物的检测时流路内壁的形状对照射光的轨迹产生影响的情况、想要降低所检测的信号的噪声的情况下，可以至少使照射光所通过的内壁部分平坦。另外，也可以对该内壁部分进行镜面加工。此时，进行镜面加工的部分的表面粗糙度例如为纳米级。这一点并不限定于图14中示出的流路形成部14的例子，在其他的例子中也相同。
图15是表示再一流路形成部14的结构的后视图。该流路形成部14的流路15由第1流路16、第2流路17以及第3流路18构成，关于其中的第2流路17，构成为下游侧相对于上游侧较窄。更具体而言，若说明图15所示的结构例，则第2流路17随着朝向上侧而流路的左右的宽度变窄。如图14、图15中示出的例子那样，增大、减小流路15的下游侧的曲率的目的在于消除停滞部分而提高流通液体的置换效率。这样防止异物在流路15中滞留，能够降低滞留微粒的产生风险。另外，除此以外，在一边流通液体一边进行异物检测时，降低由先流动的部分残留、混合产生的影响，而能够进行可靠性较高的检测。另外，通过设置参照图13说明的具有曲率的交叉部201、202的方式，也能够获得相同的效果。如此，更期望在靠近照到光的检测对象部的交叉部设置曲率，但在其他的交叉部也设置曲率的情况下，也能够提高置换效率。
另外，关于异物检测单元2，可以相对于流路形成部14A～14L设有光源51、导光部52以及光路形成部4的多个组(测量组)。在图16所示的例子中，示出了设有两个上述的测量组的异物检测单元2的俯视图。光源51、导光部52以及光路形成部4的一个测量组进行流路形成部14A～14F的异物的检测，光源51、导光部52以及光路形成部4的另一测量组进行流路形成部14G～14L的异物的检测。也就是说，一组相对于从流路形成部14A～14F中选择的流路形成部如上所述地形成光路，另一组相对于从流路形成部14G～14L中选择的流路形成部如上所述地形成光路。
例如后述说明，具有设为多个抗蚀剂涂敷装置1共有异物检测单元2的结构的情况。该情况下，在一个流路形成部14与另一流路形成部14之间，抗蚀剂流动的时间差较小或不存在时间差，因而认为光路形成部4无法在与一个流路形成部14相对应的位置和与另一流路形成部14相对应的位置之间移动。但是，在这样的情况下，通过如该图16所示地设置多个测量组，能够对一个流路形成部14、另一流路形成部14互相独立地进行检测。因而，在该异物检测单元2中，能够向两个流路形成部14同时照射光并检测异物。另外，还能够在两个流路形成部14之间不间断地照射光也就是在停止向一个流路形成部14照射光的同时开始向另一流路形成部14照射光，而在各流路形成部14中检测异物。此外，关于上述的测量组，也可以设为三个以上。
另外，异物检测单元2也可以如图17所示地构成。关于该图17所示的异物检测单元2，作为与图3中说明的异物检测单元2之间的不同点，可列举设有分隔壁63这一点。该分隔壁63自壳体31的前方壁以通过配管54、55以及流路形成部14A～15L的下侧的方式向后方延伸，之后，朝向上方弯折而通过流路形成部14A～15L的后方侧并与壳体31的顶壁接触。利用分隔壁63将壳体31内划分成包含流路形成部14在内的第1配置区域61和包含光路形成部4、光源51、导光部52、计数部53在内的第2配置区域62。在左右方向上观察时，流路形成部14的列与光路形成部4的移动区域未重叠，因此能够设置这样的分隔壁63。为了能够向各流路形成部14照射光并进行异物的检测，分隔壁63以具有透光性的方式由例如石英、或设有避开检测时的光路的孔、局部的石英质的窗的金属板构成。
该分隔壁63构成隔热构件。具体进行说明，认为位于第2配置区域62的光源51、光路形成部4以及计数部53由于受到被供给的电流和激光的能量而分别发热。但是，由于利用分隔壁63相对于第2配置区域62划分第1配置区域61，因此，自第2配置区域62的各部分产生的热不易向第1配置区域61传递。因而，能够抑制第1配置区域61的温度上升，能够可靠性较高地防止在位于第1配置区域61的流路形成部14A～14K中流通的抗蚀剂的由热导致的变质。
而且，设有向第1配置区域61供给作为非活性气体的N2(氮)气体的N2气体供给部64和从第1配置区域61排气的排气部65。如上所述，由于光源51、光路形成部以及计数部53发热，因此，考虑通过在壳体31内将流路形成部14的周围设为N2气体环境来进行防爆应对。通过如上所述地设置分隔壁63，能够仅向壳体31内的第1配置区域61供给N2气体，如此进行防爆应对。作为其结果，与向壳体31内整体供给N2气体的情况相比，具有能够抑制N2气体的使用量的优点。
此外，关于流路形成部14，并不限定于设置多个，也可以仅设置一个。另外，并不限定于在壳体31内收纳所有上述的各构件，例如计数部53也可以设于壳体31的外侧。另外，壳体31也可以以仅拆卸上盖33、横盖34中的一者的方式构成。另外，多个流路形成部14不需要成为逐个独立。也就是说，不需要作为分开的构件来形成各流路形成部14，也可以在一个构件形成多个流路并成为一体。
而且，也可以设为已说明的设于壳体31内的导光部52、光源51、光路形成部4以及计数部53中的仅任一者相对于壳体31能够装卸。另外，在上述的例子中，设为构成光路形成部4的各部分一起相对于壳体31能够装卸，但并不限定于这样进行装卸。例如既可以设为移动机构43与滑动台41独立地相对于壳体31进行装卸，也可以设为具备受光部48的支承部46、反射部44分别独立地相对于滑动台41装卸自如。也就是说，能够设为作为投光部的反射部44、受光部48、移动机构43中的至少任一者相对于壳体31装卸自如的结构。另外，代替使用反射构件44作为投光部，也可以使用光纤激光器。由于光纤的柔软性，该光纤激光器能够追随利用移动机构43进行的光路形成部4的移动，仅通过改变光纤的长度，就能够将成为热源的激光发生部(已说明的例子中光源51)设于与受光部48、流路形成部14分开的期望的位置。因而，容易降低热影响。
另外，关于受光侧也与投光侧相同，设置利用移动机构来运行的反射板，关于接收自流路形成部14发出并被该反射板反射的光的受光部48，也可以设为固定放置于与该反射板的移动路径不同的位置的结构。
接下来，参照图18的俯视图和图19的纵剖侧视图对包含上述的抗蚀剂涂敷装置1的基板处理系统的一个例子的涂敷显影装置7进行说明。涂敷显影装置7进行如下操作：通过向晶圆W的表面涂敷抗蚀剂来形成抗蚀剂膜；通过对曝光后的抗蚀剂膜进行显影来形成抗蚀剂图案。涂敷显影装置7构成为在横向上以直线状连接载体模块B1、检查模块B2、多用途模块B3、处理模块B4以及接口模块B5。这些各模块B1～B5分别具备壳体，并互相划分。图中附图标记B6为曝光装置，连接于接口模块B5。
载置于载体模块B1的载置台71的载体C内的晶圆W利用输送机构73在载体C与检查模块B2之间交接。图中附图标记72为对载体模块B1的分隔壁和载体C的盖进行开闭的开闭部。检查模块B2包括检查抗蚀剂图案形成后的晶圆W的检查组件74和用于在与多用途模块B3以及处理模块B4之间交接晶圆W的交接组件TRS。
多用途模块B3包括许多用于在与构成处理模块B4的各单位模块E1～E6以及检查模块B2之间交接晶圆W的交接组件TRS。该许多交接组件TRS互相层叠，构成塔T1。另外，为了相对于构成塔T1的各组件交接晶圆W而设有升降自如的输送机构70。
处理模块B4构成为自下方依次层叠对晶圆W进行液体处理的单位模块E1～E6，在单位模块E1～E6中互相并行地进行晶圆W的输送和处理。单位模块E1～E3互相相同地构成。在图18中示出有单位模块E1，作为代表而对该单位模块E1进行说明。在该单位模块E1设有自多用途模块B3侧朝向接口模块B5侧延伸的输送区域76。在该输送区域76设有相对于构成上述的塔T1的各组件和构成处理模块B4的各组件输送晶圆W的输送机构F1。在朝向该输送区域76的长度方向观察时，在左右的一侧设有加热组件79，在左右的另一侧设有抗蚀剂涂敷装置1的设置区域77、78。此外，在此所说的左右不一定与异物检测单元2的说明中使用的左右一致。
设置区域77、78沿着输送区域76的长度方向配置。而且，在设置区域77、78分别设有上述的两个杯23、两个旋转卡盘21、支承喷嘴11A～11L的臂24、移动机构25以及构成异物检测单元2的壳体31。也就是说，在单位模块E1设有基板载置部与喷嘴的多个组。上述的杯23沿着输送区域76的长度方向成列地配置。另外，在自杯23的列观察时，壳体31设于与输送区域76相反的一侧。此外，关于与喷嘴11A～11L连接的处理液供给管12A～12L和处理液供给部13A～13L，自设置区域77、78向多用途模块B3引绕，与设于该多用途模块B3的构成处理液供给部13的泵连接。
单位模块E4～E6除了设置向设置区域77、78供给显影液来进行显影的显影液组件以外，与单位模块E1～E3相同地构成。另外，在图19中，将单位模块E2～E6中的与单位模块E1的输送机构F1相当的输送机构表示为输送机构F2～F6。
接口模块B5具备跨着单位模块E1～B6地上下延伸的塔T2、T3、T4。塔T2包括设于与各单位模块E1～E6相对应的高度的交接组件TRS，上述的输送机构F1～F6向相对应的各高度的交接组件TRS输送晶圆W。另外，在接口模块B5设有用于相对于塔T2和塔T3进行晶圆W的交接的升降自如的输送机构81、用于相对于塔T2和塔T4进行晶圆W的交接的升降自如的输送机构82以及用于在塔T2与曝光装置B6之间进行晶圆W的交接的输送机构83。对设于塔T2、T3的组件省略记载。
对该涂敷显影装置7中的晶圆W的输送路径进行说明。利用输送机构73自载体C向检查模块B2的交接组件TRS输送晶圆W，然后，借助输送机构75向多用途模块B3的塔T1的交接组件TRS0输送该晶圆W。自此开始，利用输送机构70向单位模块E1、E2、E3分配输送晶圆W。
分配的晶圆W借助交接组件TRS1～TRS3被向各单位模块E1～E3的抗蚀剂涂敷装置1的杯23输送，并接受预湿和抗蚀剂涂敷处理。与这些处理并行地，进行使用图9说明的异物的检测。接着，在将晶圆W输送到加热组件79并进行加热处理之后，向塔T2的交接组件TRS11、TRS21、TRS31输送该晶圆W，并利用输送机构81、83借助塔T2、T3向曝光装置B6送入，使抗蚀剂膜曝光。
曝光后的晶圆W利用输送机构83、82在塔T2、T4之间输送，并分别向塔T1的与单位模块E4～E6相对应的交接组件TRS41、TRS51、TRS61输送。然后，晶圆W向加热组件79输送并进行曝光后的加热处理(曝光后烘烤)。接着，将晶圆W向显影组件输送并向该晶圆W供给显影液，而形成抗蚀剂图案。然后，晶圆W在借助塔T1的交接组件TRS4～TRS6、输送机构75向检查模块B2的检查组件74输送并接受了检查之后，借助输送机构73返回到载体C。
在上述的涂敷显影装置7中，壳体31设于杯23的附近。更具体而言，在与设有杯23的单位模块E相同的单位模块E设有异物检测单元2。根据这样的配置，能够相对缩短自流路形成部14A～14L到喷嘴11A～11L的流路的长度。若考虑有可能自处理液供给管12A～12L产生异物，则通过使该流路的长度较短，从而抑制流路形成部14A～14L与喷嘴11A～11L之间的关于异物的量的差。因而，能够高精度地对向晶圆W供给的处理液的纯度进行监视。
但是，各壳体31并不限定于设于单位模块E1～E3的杯23的附近，还可以设于较大程度地远离杯23的检查模块B2、多用途模块B3。图18中的附图标记85、86表示检查模块B2、多用途模块B3中的壳体设置区域的一个例子，例如能够在该壳体设置区域85或该壳体设置区域86设置多个壳体31。也就是说，异物检测单元2能够设于与载体模块B1和处理模块B4划分开的模块，能够自这样配置的异物检测单元2的流路形成部14向各单位模块E1～E3的喷嘴11A～11L供给处理液。为了抑制占有空间，设于壳体设置区域85、86的各壳体31例如互相层叠。
另外，在已说明的例子中，说明了对自喷嘴11A～11L喷出的全部处理液进行异物的检测，但并不限定于这样对全部处理液进行异物的检测，也可以仅对要求较高纯度的处理液进行检测。图20示出仅对与设于单位模块E1～E3的设置区域77、78的各抗蚀剂涂敷装置1的喷嘴11A连接的流路形成部14A进行异物的检测的结构例。该图20所示的壳体31例如设于上述的壳体设置区域85或壳体设置区域86。而且，在该壳体31中，代替收纳流路形成部14A～14L，而收纳与设于各设置区域77、78的喷嘴11A相对应的流路形成部14A。也就是说，在该图20所示的例子中，成为六个抗蚀剂涂敷装置1共用一个异物检测单元2的结构。通过设为这样的结构，能够谋求涂敷显影装置7的制造成本及运用成本的降低。此外，如此在多个抗蚀剂涂敷装置1之间共用异物检测单元2的情况下，有时在各异物检测单元2之间同时或不间断地进行处理，因此，设为图16中说明的设置多个测量组的结构是有效的。
此外，成为异物的检测对象的处理液并不限定于抗蚀剂、稀释剂，例如可以是显影液、用于清洗处理晶圆W的清洗液、防反射膜形成用的化学溶液、绝缘膜形成用的化学溶液、用于粘贴晶圆W的粘接剂等。因而，作为基板处理装置，并不限定于抗蚀剂涂敷装置1，还可以是显影装置、清洗装置等。
另外，关于上述的处理液供给管12A～12K，设为例如自上游侧切换地供给抗蚀剂和清洗液的结构，设为自喷嘴11向晶圆W以外的部位喷出稀释剂。该稀释剂为处理液供给管12A～12K的清洗液，关于该清洗液，也与抗蚀剂相同，也可以设为在处理液供给管12A～12K内流通的过程中进行异物的检测。在这样对清洗液进行异物的检测的情况下，能够基于检测结果在适当的时刻结束清洗，而防止清洗所使用的处理液浪费。关于该处理液供给管12A～12K的清洗，也可以基于抗蚀剂中的异物的检测结果而自动地进行。如此，本实用新型能够应用于检测在供该处理液流通的流路中流动的液体中的异物的情况，并不限定于检测向晶圆W供给的处理液中含有的异物。
另外，例如在显影装置中，为了在显影后使晶圆W干燥，也可以设置向晶圆W供给非活性气体的气体喷嘴。而且，也可以对与该气体喷嘴的上游侧连接的流路进行上述的异物的检测。也就是说，作为利用本技术进行异物的检测的流体，并不限定于液体，还可以是气体。
此外，应该认为在此记载的实施方式在所有方面为例示，而并不是限制性的。上述的实施方式也可以在不脱离所附的权利要求书及其主旨的范围内以各种方式进行省略、替换、变更。

Claims (25)

1.一种基板处理装置，该基板处理装置包括：
供给路径，其供向基板供给的流体流通；以及
异物检测单元，所述供给路径的局部构成流路形成部，该异物检测单元利用投光部形成有朝向该流路形成部的光，作为其结果，自所述流路形成部发出光，该异物检测单元能够基于受光部接收自所述流路形成部发出的光而得到的信号来检测所述流体中的异物，其特征在于，
所述异物检测单元中的所述投光部和所述受光部设于以所述流路形成部为基准的上下左右前后的区域中的不相对的区域。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置包括：
流路形成部的列，在该流路形成部的列中，相对于一个所述流路形成部在与朝向所述投光部所位于的一侧的方向以及朝向所述受光部所位于的一侧的方向不同的第1方向上成列地设有一个以上的其他的流路形成部；以及
移动机构，所述受光部和所述投光部共用于多个所述流路形成部，该移动机构以所述投光部和所述受光部向与多个所述流路形成部中的被选择的流路形成部相对应的位置移动的方式，使所述投光部和所述受光部沿着所述流路形成部的列在第1方向上移动。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述移动机构构成为，能够在与第1方向不同的第2方向上移动，从而改变来自所述投光部的光所朝向的流路形成部与所述受光部之间的距离。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述移动机构在使所述投光部和所述受光部在第1方向上移动而移动到与所述被选择的流路形成部相对应的位置时，使所述投光部和所述受光部在第2方向上移动，以成为自所述被选择的流路形成部到利用所述受光部接受光为止的预先设定的受光距离。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
在将所述投光部设为第1投光部时，
该基板处理装置还包括朝向所述第1投光部投光的第2投光部，
所述第2投光部以朝向所述第1投光部的光的光路沿着多个所述流路形成部成列的方向的方式设置，
所述第1投光部包括反射部，该反射部反射来自所述第2投光部的光并使光照到所述流路形成部。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述流路形成部包括内部的流路的入口和出口，
所述入口和所述出口设为，以所述流路形成部为基准成为与所述投光部的位置和所述受光部的位置不同的朝向。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述流路形成部为方形的六面体的形状，
所述入口和所述出口设于所述流路形成部的同一面。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述流路形成部的流路至少具有与其他流路交叉的多个部分流路，
所述多个部分流路的交叉部具有曲率。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述流路形成部的流路具有相对于液体流通方向的上游侧将下游侧的流路设置得较窄和/或将曲率设置得较大的部分。
10.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述流路形成部具有包含所述入口的第1流路、与所述第1流路正交的第2流路以及连接所述第2流路和所述出口的第3流路，所述入口和所述出口设于同一面，
所述受光部测量通过光照到第1流路而放出的散射光中的第2流路侧的侧方散射光。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，
来自所述投光部的光轴与所述第1流路的流动方向垂直地向所述第1流路入射，并且不通过除所述光轴所入射的第1流路以外的流路。
12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述投光部在纵向上向所述流路形成部投光，
所述受光部相对于所述流路形成部设于后方。
13.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置还包括其他的测量组，该其他的测量组具有与所述投光部以及所述受光部不同的投光部以及受光部，
利用所述投光部和该其他的测量组，同时或不间断地使光照到多个所述流路形成部中的至少两个所述流路形成部来检测异物。
14.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置包括壳体，该壳体收纳所述流路形成部的列、所述投光部、所述受光部、所述移动机构。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，
所述壳体包括：
主体部，其包含所述流路形成部的列的前方侧的壁部；以及
盖，其构成相对于所述流路形成部的列位于后方或纵向的壁部并且相对于所述主体部装卸自如。
16.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，
所述投光部、所述受光部、所述移动机构中的至少任一者构成为相对于所述壳体装卸自如。
17.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置还包括投光切换机构，该投光切换机构设为在不进行测量时使光不照到所述流路形成部。
18.根据权利要求2～5、13～16中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述流体为向所述基板供给来处理该基板的处理液，
该基板处理装置包括：
基板载置部，其用于载置所述基板；
喷嘴，其设于所述供给路径的下游端，向载置于所述基板载置部的基板供给处理液；以及
处理液供给部，其向所述供给路径供给处理液，以自所述喷嘴喷出所述处理液。
19.根据权利要求1、6～12、17中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述流体为向所述基板供给来处理该基板的处理液，
该基板处理装置包括：
基板载置部，其用于载置所述基板；
喷嘴，其设于所述供给路径的下游端，向载置于所述基板载置部的基板供给处理液；以及
处理液供给部，其向所述供给路径供给处理液，以自所述喷嘴喷出所述处理液。
20.一种基板处理系统，其特征在于，
该基板处理系统包括：
载体模块，其用于载置收纳所述基板的载体；
权利要求18所述的基板处理装置；
输送机构，其在所述载体与所述基板处理装置之间输送所述基板；以及
处理模块，其包含构成所述基板处理装置的所述喷嘴和所述基板载置部，并且与所述载体模块划分开。
21.根据权利要求20所述的基板处理系统，其特征在于，
所述喷嘴相对于一个所述基板载置部设有多个，
所述异物检测单元包括所述流路形成部的列和所述移动机构，
所述成列的多个流路形成部分别与多个所述喷嘴连接，
该流路形成部的列、所述投光部、所述受光部、所述移动机构设于所述处理模块。
22.一种基板处理系统，其特征在于，
该基板处理系统包括：
载体模块，其用于载置收纳所述基板的载体；
权利要求19所述的基板处理装置；
输送机构，其在所述载体与所述基板处理装置之间输送所述基板；以及
处理模块，其包含构成所述基板处理装置的所述喷嘴和所述基板载置部，并且与所述载体模块划分开。
23.根据权利要求22所述的基板处理系统，其特征在于，
所述基板处理装置包括：
流路形成部的列，在该流路形成部的列中，相对于一个所述流路形成部在与朝向所述投光部所位于的一侧的方向以及朝向所述受光部所位于的一侧的方向不同的第1方向上成列地设有一个以上的其他的流路形成部；以及
移动机构，所述受光部和所述投光部共用于多个所述流路形成部，该移动机构以所述投光部和所述受光部向与多个所述流路形成部中的被选择的流路形成部相对应的位置移动的方式，使所述投光部和所述受光部沿着所述流路形成部的列在第1方向上移动，
所述喷嘴相对于一个所述基板载置部设有多个，
所述异物检测单元包括所述流路形成部的列和所述移动机构，
所述成列的多个流路形成部分别与多个所述喷嘴连接，
该流路形成部的列、所述投光部、所述受光部、所述移动机构设于所述处理模块。
24.一种基板处理系统，其特征在于，
该基板处理系统包括：
权利要求18所述的基板处理装置；
载体模块，其用于载置收纳所述基板的载体；以及
处理模块，其具有多个所述基板载置部和多个所述喷嘴，
所述异物检测单元具有多个所述流路形成部排列的列和所述移动机构，
所述成列的多个流路形成部分别与多个所述喷嘴连接，并设于与所述载体模块以及所述处理模块划分开的模块。
25.一种基板处理系统，其特征在于，
该基板处理系统包括：
权利要求19所述的基板处理装置；
载体模块，其用于载置收纳所述基板的载体；以及
处理模块，其具有多个所述基板载置部和多个所述喷嘴，
所述基板处理装置包括：
流路形成部的列，在该流路形成部的列中，相对于一个所述流路形成部在与朝向所述投光部所位于的一侧的方向以及朝向所述受光部所位于的一侧的方向不同的第1方向上成列地设有一个以上的其他的流路形成部；以及
移动机构，所述受光部和所述投光部共用于多个所述流路形成部，该移动机构以所述投光部和所述受光部向与多个所述流路形成部中的被选择的流路形成部相对应的位置移动的方式，使所述投光部和所述受光部沿着所述流路形成部的列在第1方向上移动，
所述异物检测单元具有多个所述流路形成部排列的列和所述移动机构，
所述成列的多个流路形成部分别与多个所述喷嘴连接，并设于与所述载体模块以及所述处理模块划分开的模块。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113013050A (zh) * 2021-03-01 2021-06-22 福建晶安光电有限公司 晶片翘曲测量装置和方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202245103A (zh) * 2021-02-03 2022-11-16 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
JP2022148186A (ja) * 2021-03-24 2022-10-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および配管着脱パーツ洗浄方法
CN118401825A (zh) 2021-12-27 2024-07-26 东京毅力科创株式会社 异物检测装置和异物检测方法
KR20240132469A (ko) 2022-01-07 2024-09-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액 처리 방법, 액 처리 장치 및 프로그램

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6395341A (ja) * 1986-10-13 1988-04-26 Kowa Co 液中微粒子測定装置
JPS63292039A (ja) * 1987-05-26 1988-11-29 Fuji Electric Co Ltd 液体中微粒子検出装置
JPS6475032A (en) * 1987-09-16 1989-03-20 Hitachi Ltd Apparatus for supplying treating liquid
JPH03209713A (ja) * 1990-01-11 1991-09-12 Mitsubishi Electric Corp レジスト塗布装置
JPH05251328A (ja) 1992-03-05 1993-09-28 Nec Yamagata Ltd フォトレジスト膜塗布装置
US5938847A (en) * 1996-09-03 1999-08-17 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for coating a film on an object being processed
JP3412606B2 (ja) * 2000-08-04 2003-06-03 株式会社島津製作所 レーザ回折・散乱式粒度分布測定装置
JP4078043B2 (ja) * 2001-06-25 2008-04-23 株式会社ルネサステクノロジ プラズマ処理装置内の浮遊異物検出方法及びその装置並びに半導体デバイスの処理装置
JP5123618B2 (ja) * 2007-09-07 2013-01-23 東京エレクトロン株式会社 容器清浄度計測装置、基板処理システム及び容器清浄度計測方法
JP6204269B2 (ja) * 2014-06-03 2017-09-27 東京エレクトロン株式会社 送液システムの洗浄方法、送液システム、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP6319193B2 (ja) * 2015-06-03 2018-05-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US9677988B1 (en) * 2015-07-10 2017-06-13 David E. Doggett Integrating radiation collection and detection apparatus
TWI773721B (zh) * 2017-01-20 2022-08-11 日商東京威力科創股份有限公司 異物檢測裝置、異物檢測方法及記憶媒體
JP7260308B2 (ja) * 2019-01-24 2023-04-18 リオン株式会社 流体中浮遊物質測定用フローセル及び粒子計数装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113013050A (zh) * 2021-03-01 2021-06-22 福建晶安光电有限公司 晶片翘曲测量装置和方法
CN113013050B (zh) * 2021-03-01 2022-11-18 福建晶安光电有限公司 晶片翘曲测量装置和方法

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