JPH05251328A - フォトレジスト膜塗布装置 - Google Patents
フォトレジスト膜塗布装置Info
- Publication number
- JPH05251328A JPH05251328A JP8326492A JP8326492A JPH05251328A JP H05251328 A JPH05251328 A JP H05251328A JP 8326492 A JP8326492 A JP 8326492A JP 8326492 A JP8326492 A JP 8326492A JP H05251328 A JPH05251328 A JP H05251328A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- particles
- photoresist film
- coating apparatus
- chemical
- chemical solution
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- Pending
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 薬液配管系に液体パーティクルカウンタを設
けてパーティクルを監視し、パーティクルの発生に起因
する半導体ウエハの歩留り低下を防止することにある。 【構成】 薬液配管系に液体パーティクルカウンタのセ
ンサ部および制御部２を設置し、センサ部１を通過する
薬液中のパーティクル数を測定する。その結果、パーテ
ィクルの個数が設定規格を満足するものであれば半導体
ウエハ上にフォトレジスト薬液を滴下するが、規格外で
あればダミーディスペンスを行ってフォトレジスト薬液
をドレーンタンク１２へ排出する。規格を満足するよう
になった段階で、フォトレジスト薬液を半導体ウエハ上
に滴下する。これによって、パーティクルに起因する半
導体ウエハの歩留り低下を防ぐことができる。
けてパーティクルを監視し、パーティクルの発生に起因
する半導体ウエハの歩留り低下を防止することにある。 【構成】 薬液配管系に液体パーティクルカウンタのセ
ンサ部および制御部２を設置し、センサ部１を通過する
薬液中のパーティクル数を測定する。その結果、パーテ
ィクルの個数が設定規格を満足するものであれば半導体
ウエハ上にフォトレジスト薬液を滴下するが、規格外で
あればダミーディスペンスを行ってフォトレジスト薬液
をドレーンタンク１２へ排出する。規格を満足するよう
になった段階で、フォトレジスト薬液を半導体ウエハ上
に滴下する。これによって、パーティクルに起因する半
導体ウエハの歩留り低下を防ぐことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体デバイスの製造装
置に関し、特に薬液をウエハ上にディスペンスする構造
を有するフォトレジスト膜塗布装置に関する。
置に関し、特に薬液をウエハ上にディスペンスする構造
を有するフォトレジスト膜塗布装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のスピン式薬液塗布装置として、フ
ォトレジスト膜塗布装置を例に挙げて説明する。従来の
フォトレジスト膜塗布装置を図４に示す。図４におい
て、開封したレジスト容器１０にレジスト配管９の取り
付けられているキャップ８を配置し、薬液ポンプ６を経
て、薬液フィルタ７を通過したレジストはノズルより滴
下される。フィルタ用の薬液フィルタには、０．２μｍ
以上のパーティクルを除去するフィルタサイズを使用す
るのが一般的であり、近年、半導体デバイスにおける設
計ルールの微細化に伴って、０．１μｍのメッシュサイ
ズを有するフィルタを使用する例も少なくない。
ォトレジスト膜塗布装置を例に挙げて説明する。従来の
フォトレジスト膜塗布装置を図４に示す。図４におい
て、開封したレジスト容器１０にレジスト配管９の取り
付けられているキャップ８を配置し、薬液ポンプ６を経
て、薬液フィルタ７を通過したレジストはノズルより滴
下される。フィルタ用の薬液フィルタには、０．２μｍ
以上のパーティクルを除去するフィルタサイズを使用す
るのが一般的であり、近年、半導体デバイスにおける設
計ルールの微細化に伴って、０．１μｍのメッシュサイ
ズを有するフィルタを使用する例も少なくない。
【０００３】さらに、使用されるレジストが高粘度（一
般的に、５０ｃｐ以上の粘度を指す。）タイプであるな
らば、レジスト配管系に薬液フィルタを設置すると、一
定量のレジスト滴下量が得られないこともある。よっ
て、薬液フィルタを設置せず、レジスト容器から直接、
半導体ウエハにレジストを滴下する場合もある。このよ
うな薬液をウエハ上にディスペンスする機構を有するフ
ォトレジスト膜塗布装置は、ポリイミド塗布機，ＳＯＧ
塗布機，およびＰＢＦ塗布機等と同様の構造であり、そ
の他にも現像装置，エッチング装置，および洗浄装置と
同様の構造である。
般的に、５０ｃｐ以上の粘度を指す。）タイプであるな
らば、レジスト配管系に薬液フィルタを設置すると、一
定量のレジスト滴下量が得られないこともある。よっ
て、薬液フィルタを設置せず、レジスト容器から直接、
半導体ウエハにレジストを滴下する場合もある。このよ
うな薬液をウエハ上にディスペンスする機構を有するフ
ォトレジスト膜塗布装置は、ポリイミド塗布機，ＳＯＧ
塗布機，およびＰＢＦ塗布機等と同様の構造であり、そ
の他にも現像装置，エッチング装置，および洗浄装置と
同様の構造である。
【０００４】上述した従来のフォトレジスト膜塗布装置
では、レジスト配管系に薬液フィルタを設置しているの
で、一定サイズ以上のパーティクルを除去できる機構と
なっている。しかし、薬液フィルタの出口側とノズルと
の間で発生したパーティクルを除去できない。一方、レ
ジスト配管系に薬液フィルタを設置していない場合に
は、レジスト容器からノズルまでの全ての配管で発生し
たパーティクルを除去できない。
では、レジスト配管系に薬液フィルタを設置しているの
で、一定サイズ以上のパーティクルを除去できる機構と
なっている。しかし、薬液フィルタの出口側とノズルと
の間で発生したパーティクルを除去できない。一方、レ
ジスト配管系に薬液フィルタを設置していない場合に
は、レジスト容器からノズルまでの全ての配管で発生し
たパーティクルを除去できない。
【０００５】したがって、この場合にはパーティクルが
そのまま半導体ウエハに滴下されてしまい、パーティク
ルに起因する半導体ウエハの歩留り低下が懸念される。
よって、レジスト配管系を含むレジストのパーティクル
を定期的に測定する必要がある。その場合には、作業者
の工数が非常に増大し、塗布装置を稼働させる妨げとな
り、時間の無駄が生ずる。
そのまま半導体ウエハに滴下されてしまい、パーティク
ルに起因する半導体ウエハの歩留り低下が懸念される。
よって、レジスト配管系を含むレジストのパーティクル
を定期的に測定する必要がある。その場合には、作業者
の工数が非常に増大し、塗布装置を稼働させる妨げとな
り、時間の無駄が生ずる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする問題
は、レジスト容器からノズルまでの配管系で発生したパ
ーティクルが直接、半導体ウエハ上に滴下されてしま
い、パーティクルに起因する半導体デバイスの歩留り低
下が懸念される点である。
は、レジスト容器からノズルまでの配管系で発生したパ
ーティクルが直接、半導体ウエハ上に滴下されてしま
い、パーティクルに起因する半導体デバイスの歩留り低
下が懸念される点である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、薬液配管系に
パーティクル数を計測する液体パーティクルカウンタを
備え、薬液中のパーティクルレベルをモニタすることを
特徴とする。
パーティクル数を計測する液体パーティクルカウンタを
備え、薬液中のパーティクルレベルをモニタすることを
特徴とする。
【０００８】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して詳細に
説明する。図１は、本発明による半導体デバイス製造用
のフォトレジスト膜塗布装置の一実施例を示す配管系統
図である。図１において、１は液体パーティクルカウン
タのセンサ部，２は液体パーティクルカウンタの制御
部，３は配管の切り換え弁，４はパーティクルカウンタ
側の配管，５はディスペンサ側配管，６は薬液ポンプ，
７は薬液フィルタ，８はキャップ，９はレジスト配管，
１０はレジスト容器，１１はスピンコート部，１２はド
レーンタンクである。
説明する。図１は、本発明による半導体デバイス製造用
のフォトレジスト膜塗布装置の一実施例を示す配管系統
図である。図１において、１は液体パーティクルカウン
タのセンサ部，２は液体パーティクルカウンタの制御
部，３は配管の切り換え弁，４はパーティクルカウンタ
側の配管，５はディスペンサ側配管，６は薬液ポンプ，
７は薬液フィルタ，８はキャップ，９はレジスト配管，
１０はレジスト容器，１１はスピンコート部，１２はド
レーンタンクである。
【０００９】図２は、レジストが半導体ウエハ上に滴下
されるまでの一連の動作を示すフローチャートである。
まず、レジストを塗布する半導体ウエハがスピンコート
部１１上に搬送される。レジストを塗布するシーケンス
は予め装置側に入力しておき、動作シーケンスにしたが
って、使用されるレジスト配管系に設置されている薬液
ポンプ６の動作が指示される。これに同時に、配管切り
換え弁３がパーティクルカウンタ側の配管４に切り換え
られる。
されるまでの一連の動作を示すフローチャートである。
まず、レジストを塗布する半導体ウエハがスピンコート
部１１上に搬送される。レジストを塗布するシーケンス
は予め装置側に入力しておき、動作シーケンスにしたが
って、使用されるレジスト配管系に設置されている薬液
ポンプ６の動作が指示される。これに同時に、配管切り
換え弁３がパーティクルカウンタ側の配管４に切り換え
られる。
【００１０】薬液ポンプ６を経て、薬液フィルタ７を通
過したレジストは、パーティクルカウンタ側の配管４に
送られる。続いて、レジストはパーティクルカウンタ側
の配管４に設置されている液体パーティクルカウンタの
センタ部１を通過する。センサ部１では通過したレジス
ト中のパーティクル個数を感知して、液体パーティクル
カウンタの制御部２に測定数を送信する。
過したレジストは、パーティクルカウンタ側の配管４に
送られる。続いて、レジストはパーティクルカウンタ側
の配管４に設置されている液体パーティクルカウンタの
センタ部１を通過する。センサ部１では通過したレジス
ト中のパーティクル個数を感知して、液体パーティクル
カウンタの制御部２に測定数を送信する。
【００１１】液体パーティクルカウンタのセンサ部１を
通過したレジスト中のパーティクル個数が設定規格を満
足すれば、配管切り換え弁３がディスペンス側配管５に
切り換わり、半導体ウエハに滴下される。一方、規格外
であれば、そのままダミーディスペンス（ドレーンタン
ク１２への排出）を続け、レジスト中のパーティクル個
数が規格を満足する段階で配管切り換え弁３がディスペ
ンス側配管５に切り換えられ、半導体ウエハに薬液が滴
下される。
通過したレジスト中のパーティクル個数が設定規格を満
足すれば、配管切り換え弁３がディスペンス側配管５に
切り換わり、半導体ウエハに滴下される。一方、規格外
であれば、そのままダミーディスペンス（ドレーンタン
ク１２への排出）を続け、レジスト中のパーティクル個
数が規格を満足する段階で配管切り換え弁３がディスペ
ンス側配管５に切り換えられ、半導体ウエハに薬液が滴
下される。
【００１２】また、アラーム機能の追加でダミーディス
ペンスを一定回数だけ実施しても、パーティクル個数が
設定規格内に入らない場合には、製品の処理を停止し、
レジストおよびレジスト配管系の汚染であることを知ら
せることが可能である。
ペンスを一定回数だけ実施しても、パーティクル個数が
設定規格内に入らない場合には、製品の処理を停止し、
レジストおよびレジスト配管系の汚染であることを知ら
せることが可能である。
【００１３】図３は、本発明による半導体デバイス製造
用のフォトレジスト膜塗布装置の第２の実施例を示す配
管系統図である。図３において、符号は図１におけるも
のと同様である。第２の実施例では、半導体ウエハにレ
ジストを滴下する直前に、液体パーティクルカウンタの
センサ部１でレジスト中でパーティクル個数を計測し、
計測された数を液体パーティクルカウンタの制御部２に
送信する。パーティクル個数が設定規格を満足すると
き、フォトレジストがそのまま半導体ウエハに滴下さ
れ、規格外となったフォトレジストは半導体ウエハ上に
は滴下されない。これは、機構部により制御される。
用のフォトレジスト膜塗布装置の第２の実施例を示す配
管系統図である。図３において、符号は図１におけるも
のと同様である。第２の実施例では、半導体ウエハにレ
ジストを滴下する直前に、液体パーティクルカウンタの
センサ部１でレジスト中でパーティクル個数を計測し、
計測された数を液体パーティクルカウンタの制御部２に
送信する。パーティクル個数が設定規格を満足すると
き、フォトレジストがそのまま半導体ウエハに滴下さ
れ、規格外となったフォトレジストは半導体ウエハ上に
は滴下されない。これは、機構部により制御される。
【００１４】規格外のとき、機構部の制御によりデイス
ペンス配管５が自動的にドレーン側に移動し、ダミーデ
イスペンス（ドレーンタンク１２への排出）を行う。レ
ジスト中のパーティクル個数が規格を満足するようにな
ったとき、再び、デイスペンス配管５が半導体ウエハ上
に移動し、半導体ウエハ上にレジストを滴下するように
なり、レジスト中のパーティクル個数を常時、モニタす
ることができる。なお、第２の実施例においては第１の
実施例に示すような配管切り換え弁３を必要とはしな
い。このため、一連の動作から図３の(a),(b) が削除さ
れる。
ペンス配管５が自動的にドレーン側に移動し、ダミーデ
イスペンス（ドレーンタンク１２への排出）を行う。レ
ジスト中のパーティクル個数が規格を満足するようにな
ったとき、再び、デイスペンス配管５が半導体ウエハ上
に移動し、半導体ウエハ上にレジストを滴下するように
なり、レジスト中のパーティクル個数を常時、モニタす
ることができる。なお、第２の実施例においては第１の
実施例に示すような配管切り換え弁３を必要とはしな
い。このため、一連の動作から図３の(a),(b) が削除さ
れる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、薬液配管
系にパーティクル数を計測する液体パーティクルカウン
タを設置することにより、薬液中のパーティクル個数を
モニタすることができ、パーティクルにより汚染された
薬液が半導体ウエハ上に滴下されることを未然に防止で
きる利点がある。このため、パーティクルに起因する半
導体デバイスの歩留りの低下を防止できると同時に、異
常の発生を未然に防ぐことができる利点がある。
系にパーティクル数を計測する液体パーティクルカウン
タを設置することにより、薬液中のパーティクル個数を
モニタすることができ、パーティクルにより汚染された
薬液が半導体ウエハ上に滴下されることを未然に防止で
きる利点がある。このため、パーティクルに起因する半
導体デバイスの歩留りの低下を防止できると同時に、異
常の発生を未然に防ぐことができる利点がある。
【００１６】また、フォトレジスト膜塗布装置において
は、レジスト配線系に液体パーティクルカウンタを設置
することにより、常時、レジスト中のパーティクル数を
モニタできるため、パーティクルの測定を必要とせず、
結果的に、作業者の工数を大幅に低減することができ、
塗布装置の稼働率も向上できる効果がある。本発明は、
ポリイミド塗布機、ＳＯＧ塗布機、ＰＢＦ塗布機、現像
装置、エッチング装置、洗浄装置等の枚葉処理を行う装
置に適用した際においても、同様の効果が期待できる。
は、レジスト配線系に液体パーティクルカウンタを設置
することにより、常時、レジスト中のパーティクル数を
モニタできるため、パーティクルの測定を必要とせず、
結果的に、作業者の工数を大幅に低減することができ、
塗布装置の稼働率も向上できる効果がある。本発明は、
ポリイミド塗布機、ＳＯＧ塗布機、ＰＢＦ塗布機、現像
装置、エッチング装置、洗浄装置等の枚葉処理を行う装
置に適用した際においても、同様の効果が期待できる。
【図１】本発明によるフォトレジスト膜塗布装置の第１
の実施例を示す配管系統図である。
の実施例を示す配管系統図である。
【図２】本発明による半導体ウエハ上へのフォトレジス
ト膜の塗布過程を示すフローチャートである。
ト膜の塗布過程を示すフローチャートである。
【図３】本発明によるフォトレジスト膜塗布装置の第２
の実施例を示す配管系統図である。
の実施例を示す配管系統図である。
【図４】従来技術によるフォトレジスト膜塗布装置の一
例を示す配管系統図である。
例を示す配管系統図である。
１ センサ部 ２ 制御部 ３ 切り換え弁 ４，５，９ 配管 ６ 薬液ポンプ ７ 薬液フィルタ ８ キャップ １０ レジスト容器 １１ スピンコート部 １２ ドレーンタンク
Claims (3)
- 【請求項１】 レジスト容器から取り出した薬液を薬液
フィルタを経由して薬液ポンプにより吸引し、配管を経
由してスピンコート部に導き、スピニングにより前記薬
液の膜を半導体ウエハ上に塗布して形成させ、ドレーン
をドレーンタンクに排出することができるように構成し
たフォトレジスト膜塗布装置において、 前記薬液ポンプと前記スピンコート部との間に配置さ
れ、前記薬液に存在するパーティクルの個数を検出する
ためのセンサ部と、 前記センサ部により検出されたパーティクルの個数が設
定規格を満足するときに限って前記スピンコート部へ前
記薬液を導き、前記半導体ウエハ上に前記薬液を塗布さ
せるための制御部とを備えたフォトレジスト膜塗布装
置。 - 【請求項２】 前記制御部の制御によって、前記パーテ
ィクルの個数が前記設定規格を満足するときに前記薬液
をディスペンス側配管に導き、前記設定規格を満足しな
いときにはダミーディスペンスを行うように配管を切り
換えるための配管切り換え弁を備えて構成した請求項１
記載のフォトレジスト膜塗布装置。 - 【請求項３】 前記制御部の制御によって、前記パーテ
ィクルの個数が前記設定規格を満足するときには前記薬
液を自動的にディスペンス位置に配管を移動させ、前記
設定規格を満足しないときにはダミーディスペンス位置
へ配管を移動させるための機構部を備えて構成した請求
項１記載のフォトレジスト膜塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8326492A JPH05251328A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | フォトレジスト膜塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8326492A JPH05251328A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | フォトレジスト膜塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251328A true JPH05251328A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=13797496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8326492A Pending JPH05251328A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | フォトレジスト膜塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05251328A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR100506811B1 (ko) * | 1998-02-05 | 2005-10-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치 제조용 포토레지스트 분석방법 |
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| JP2016042565A (ja) * | 2014-08-19 | 2016-03-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
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| KR102093279B1 (ko) * | 2019-07-09 | 2020-03-25 | (주)에스티글로벌 | 케미컬 용액의 파티클 모니터링 장치 및 방법 |
| KR20200092256A (ko) | 2019-01-24 | 2020-08-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 |
| KR20220014824A (ko) | 2020-07-29 | 2022-02-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
-
1992
- 1992-03-05 JP JP8326492A patent/JPH05251328A/ja active Pending
Cited By (18)
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| TWI769476B (zh) * | 2019-07-09 | 2022-07-01 | 南韓商半導體科技全球有限公司 | 化學溶液的顆粒監測裝置及方法 |
| KR20220014824A (ko) | 2020-07-29 | 2022-02-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
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