JP2003266006A - 薬液塗布装置及びその薬液管理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レジスト等の薬液等を、最適な条件下で品質
の保持された状態でウェーハ等の基板に塗布しうる薬液
塗布装置及びその薬液管理方法を提供する。 【解決手段】 ウェーハ１４が収容されるコーターカッ
プ１０と、ウェーハ１４を略水平面内で保持し、ウェー
ハ１４を略水平面内で回転するウェーハチャック１６及
びスピンモータ１８と、ウェーハ１４表面にレジストを
滴下するコーティングノズル２２と、レジストが貯蔵さ
れ、コーティングノズル２２に配管４０を介してレジス
トを供給するレジスト供給部１２と、レジストの特性に
基づき、配管４０内に停滞するレジストのうち所定の停
滞時間を経過したものをコーティングノズル２２から排
出させる制御部５４とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レジスト等の薬液
をウェーハ等の基板に塗布する薬液塗布装置及びその薬
液管理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体素子等の微細部品を製造
する工程においては、フォトリソグラフィー技術が用い
られている。すなわち、回路パターン等を形成すべき導
電層等が形成された半導体ウェーハ上にフォトレジスト
等の成膜材を塗布し、パターン露光等で潜像パターンを
形成する。次いで、これを現像することによりレジスト
パターンが形成される。こうして形成されたレジストパ
ターンを介して、導電層導電層などをエッチングするこ
とにより、回路パターン等が形成される。

【０００３】レジストの塗布に用いられる従来のレジス
ト塗布装置について、図７を用いて説明する。図７は従
来のレジスト塗布装置の構造を示す概略図である。

【０００４】図７に示すように、レジスト塗布装置は、
ウェーハへのレジストの塗布が行われるコーターカップ
１００と、塗布すべきレジストを供給するレジスト供給
部１０２とを有している。

【０００５】レジストの塗布が行われるコーターカップ
１００内には、レジストが塗布されるウェーハ１０４を
略水平に保持するウェーハチャック１０６が設けられて
いる。ウェーハ１０４は、レジストが塗布される面を上
にしてウェーハチャック１０６上に保持されている。

【０００６】ウェーハチャック１０６には、ウェーハチ
ャック１０６に保持されたウェーハ１０４を水平面内で
回転するためのスピンモーター１０８が、モータフラン
ジ１１０を介して接続されている。

【０００７】ウェーハ１０４の中央付近の上方には、レ
ジスト供給部１０２から供給されるレジストが滴下され
る複数のコーティングノズル１１２がウェーハ１０４表
面に対向するように設けられている。

【０００８】また、ウェーハ１０４の外周付近の上方及
び下方には、ウェーハ１０４の表裏面それぞれに対向す
るように、ウェーハ１０４を洗浄するためのシンナーが
噴出される表面エッジリンスノズル１１４及び裏面エッ
ジリンスノズル１１６が設けられている。表面エッジリ
ンスノズル１１４及び裏面エッジリンスノズル１１６
は、それぞれ配管１１８ａ、１１８ｂを介して、シンナ
ーが貯蔵されたシンナータンク１２０に接続されてい
る。シンナータンク１２０には、貯蔵されたシンナーを
表面エッジリンスノズル１１４及び裏面エッジリンスノ
ズル１１６から噴出させるための気体が導入されるガス
注入口１２２が設けられている。

【０００９】上記のコーターカップ１００は、レジスト
塗布時の温度を一定に保つためのカップ温度調節器１２
４内に収容されている。また、コーターカップ１００に
は、廃液口１２６及び排気口１２８が設けられている。

【００１０】複数のコーティングノズル１１２には、配
管１３０を介してレジスト供給部１０２が接続されてい
る。なお、図７では、簡単のため、コーティングノズル
１２２の１つとレジスト供給部１１２を接続する１つの
配管１３０のみを示している。

【００１１】配管１３０には、レジスト供給部１０２か
らレジストをコーティングノズル１１２へ送るレジスト
ポンプ１３２と、配管１３０内を流れるレジストから塵
などを除去するためのフィルタ１３４と、配管１３０内
を流れるレジストの温度を一定に保つためのレジスト温
度調節器１３６とが設けられている。

【００１２】レジスト供給部１０２は、各種レジストを
貯蔵した複数のレジストボトル１４０ａ、１４０ｂ、１
４０ｃを有し、レジストボトルレジストボトル１４０
ａ、１４０ｂ、１４０ｃが配管１３０に接続されてい
る。なお、図７では、レジストボトル１４０ａが配管１
３０に接続されている。

【００１３】レジスト供給部１０２から配管１３０を通
じてレジストポンプ１３２によりコーティングノズル１
１２のいずれかに送られたレジストは、ウェーハチャッ
ク１０６に保持されたウェーハ１０４上に滴下される。
レジストが滴下されたウェーハ１０４は、をスピンモー
タ１１０により所定の速度で回転される。こうして、ウ
ェーハ１０４表面にレジストが略均一に塗布されること
となる。

【００１４】上述のレジスト塗布装置により塗布される
レジストは、温度や、湿度、コーターカップ内の雰囲気
等の外的要因により、その特性が大きく影響されること
が知られている。特に、化学増幅型レジストはその傾向
が顕著であることが知られている。

【００１５】コーティングノズルから吐出される時点で
のレジスト自体の温度や、ウェーハ温度、塗布を行う環
境の温度等により、ウェーハ上に塗布されたレジストの
膜厚は大きく変動する。また、レジスト塗布装置の配管
内部でのレジストの停滞時間等によっても、ウェーハ上
に塗布されたレジストの膜厚は大きく変動する。この結
果、レジストの感度や線幅も大きく変動することとな
る。また、劣化によって膜厚も変化するが、酸発生済み
のレジストが自己分解して感度や線幅が変動する。

【００１６】図８はレジスト膜厚と感度及び線幅との関
係の一例を示すグラフである。図８から明らかなよう
に、レジストの膜厚によって感度、線幅の両者とも大き
く変動していることがわかる。

【００１７】また、通常、レジスト膜の下にはＢＡＲＣ
（Bottom Anti-Reflective Coating）が形成されるが、
このＢＡＲＣの膜厚の変化によっても、レジスト感度や
線幅は変化する。さらに、ＢＡＲＣには酸が添加されて
いるため、ＢＡＲＣの膜厚や光学定数が変化しなくて
も、温度変化により、ＢＡＲＣとレジストとの界面付近
の酸濃度が変化することとなり、レジストの形状や寸法
が影響を受ける場合がある。

【００１８】また、レジストの膜厚や線幅は、レジスト
の保存温度やレジストの保存日数によっても大きな影響
を受ける。図９（ａ）はレジストの保存温度及び保存日
数と膜厚との関係の一例を示すグラフであり、図９
（ｂ）はレジストの保存温度及び保存日数と線幅との関
係の一例を示すグラフである。

【００１９】図９（ａ）に示すように、同じ保存日数で
は、保存温度によって塗布されたレジスト膜の膜厚に差
が生じる。その結果、図９（ｂ）に示すように、保存温
度によって線幅が異なっている。また、図９（ａ）に示
すように、同じ保存温度であっても、レジストの保存日
数によってレジスト膜の膜厚も変化する。その結果、図
９（ｂ）に示すように、保存日数によって線幅も変化し
ている。

【００２０】上述したレジスト特性への温度の影響を回
避すべく、従来のレジスト塗布装置においては、次のよ
うな対策が講じられていた。まず、塗布するレジストが
収容されているレジスト供給部と、ウェーハへのレジス
トの塗布が行われるレジスト塗布部を約２３℃の一定温
度に調節されていた。ただし、レジスト塗布装置は通常
温度管理されたクリーンルームで用いられるため、レジ
スト供給部については特に厳密な温度調整はされていな
い。また、レジスト供給部とレジスト塗布部との間の配
管内におけるレジスト温度を約２３℃の一定温度に保つ
ように制御されていた。

【００２１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レジス
ト供給部からレジスト塗布部までの間の温度を厳密に制
御しようとしても、実際には、レジスト吐出付近での温
度と、レジストが通過する配管での温度は異なってお
り、厳密な温度制御は困難であった。

【００２２】また、レジスト塗布装置の配管内にレジス
トが長時間停滞していると、レジストが変質してその粘
度や感度が変化してしまうことが確認されている。

【００２３】図１０は複数のウェーハに連続してレジス
トを塗布した場合のドーズのばらつきを示すグラフであ
る。なお、ドーズのばらつきは、図中●、◆、△で示す
グラフの三種類のレジストについて示している。図中●
はポジ型レジストを短期間放置した際のデータである。
図中◆はネガ型レジストを短期間（２〜３日）放置した
際のデータである。図中△はポジ型レジストを長期間
（５日以上）放置した際のデータである。いずれについ
ても１３０ｎｍパターンが形成できる適正露光量をＣＤ
−ＳＥＭ（Critical Dimension Scanning Electron Mic
roscope）により算出した。

【００２４】図中●で示すレジストの場合は、最初の数
枚のウェーハのドーズがずれている。これには、レジス
ト自体が劣化しているためにドーズがずれる場合と、レ
ジストの粘度が変化したためにドーズがずれる場合とが
ある。前者は化学増幅型レジストを塗布したときによく
みられる現象である。後者はＳＯＧ（Spin On Glass）
などの塗布型酸化膜の材料を塗布したときによくみられ
る現象である。

【００２５】図中◆で示すレジストの場合は、滴下ノズ
ル内部とコーターカップ内に溜まっているレジストが劣
化している。これは、長期間レジストを使用していなか
ったか或いは温度や湿度の変化によりレジストが劣化し
たためである。

【００２６】図中△で示すレジストの場合は、レジスト
を塗布していき、後のウェーハになるほどドーズが徐々
に上昇している。この場合は、レジスト自体の粘度が変
化している。このため、ノズル内部のレジスト全部のダ
ミーディスペンスを行わなければ、各ウェーハについて
のドーズを安定化することはできない。

【００２７】一方、配管内に長時間停滞し品質が劣化し
たと考えられるレジストは、従来、そのレジストの種類
等とは無関係に、配管内のレジストを一定量を排出する
ダミーディスペンスを行うことにより処理されていた。

【００２８】しかし、レジストの種類によって、温度変
化に敏感なレジストも存在すれば、温度変化に敏感でな
いレジストも存在する。すなわち、一旦所定の管理温度
を外れた状態におかれると粘度等が変化し品質が劣化す
るものや、規格外の温度におかれても、品質をある程度
維持する安定性を有するものもある。前者の場合には、
一旦所定の管理温度を外れた状態におかれた場合には、
温度変化をした部分のレジストを除去する必要があり、
このためレジストの吐出を十分に行わなければならな
い。一方、後者の場合にも、前者と同様にレジストのダ
ミーディスペンスを行ったのでは、その分使用可能なレ
ジストが無駄となりコストの上昇を招いてしまう。この
ように、レジストの無駄防止等のためにも、種類に応じ
てレジストの管理、処理を行う必要があるが、従来は、
レジストの種類に応じた管理、処理が十分になされてい
るとはいえなかった。

【００２９】また、これまで、膜厚の面内均一性が良好
なレジスト塗布の実現等を目的として、以下のレジスト
塗布装置が提案されている。

【００３０】特開平１１−２７６９６２号公報に開示さ
れた技術では、コーターカップ内の温度とレジスト温度
調節器の温度差を一定に保つことにより、レジストの面
内均一性の向上を図っている。

【００３１】また、特開平５−７４６９８号公報に開示
された技術では、レジストが吐出されるノズル先端部に
温度センサを設け、この温度センサの検出結果に基づ
き、レジスト恒温層及び塗布室の温度を所定の温度に制
御している。これにより、吐出されるレジストの温度を
一定に保っている。

【００３２】しかしながら、上記従来の塗布技術では、
ある安定化条件の下でしか、その効果を発揮することが
できないと考えられる。現在用いられている化学増幅型
レジストや、溶剤の種類によっては温度を一定に保った
としても、時間の経過とともに材料の劣化が進行してい
くものもある。つまり、レジストによっては、経時変化
に弱いもの、温度変化に敏感なもの、揮発性の高いもの
等様々なものが存在するため、レジストの種類や特性に
応じてレジストを管理しなければ、最適な条件下で、品
質の保持されたレジストをウェーハに塗布することはで
きない。

【００３３】本発明の目的は、レジスト等の薬液等を、
最適な条件下で品質の保持された状態でウェーハ等の基
板に塗布しうる薬液塗布装置及びその薬液管理方法を提
供することにある。

【００３４】

【課題を解決するための手段】上記目的は、基板が収容
される塗布室と、前記基板を略水平面内で保持し、前記
基板を略水平面内で回転する基板回転手段と、前記基板
表面に薬液を滴下する薬液滴下手段と、前記薬液が貯蔵
され、前記薬液滴下手段に配管を介して前記薬液を供給
する薬液供給手段と、前記薬液の特性に基づき、前記配
管内に停滞する前記薬液のうち所定の停滞時間を経過し
たものを前記薬液滴下手段から排出させる制御手段とを
有することを特徴とする薬液塗布装置により達成され
る。

【００３５】また、上記目的は、基板が収容される塗布
室と、前記基板を略水平面内で保持し、前記基板を略水
平面内で回転する基板回転手段と、前記基板表面に薬液
を滴下する薬液滴下手段と、前記薬液が貯蔵され、前記
薬液滴下手段に配管を介して前記薬液を供給する薬液供
給手段と、前記配管内の前記薬液の温度を測定する温度
計と、前記温度計の測定結果に基づき、前記配管内の前
記薬液の温度が所定の温度範囲外に外れた場合に、前記
薬液の特性に基づき、前記配管内の前記薬液を前記薬液
滴下手段から排出させる制御手段とを有することを特徴
とする薬液塗布装置により達成される。

【００３６】また、上記目的は、基板が収容される塗布
室と、前記基板を略水平面内で保持し、前記基板を略水
平面内で回転する基板回転手段と、前記基板表面に薬液
を滴下する薬液滴下手段と、前記薬液が貯蔵され、前記
薬液滴下手段に配管を介して前記薬液を供給する薬液供
給手段と、前記塗布室内の湿度を測定する湿度計と、前
記湿度計の測定結果に基づき、前記塗布室内の湿度が所
定の値以上になった場合に、前記薬液の特性に基づき、
前記配管内の前記薬液を前記薬液滴下手段から排出させ
る制御手段とを有することを特徴とする薬液塗布装置に
より達成される。

【００３７】また、上記目的は、基板が収容される塗布
室と、前記基板を略水平面内で保持し、前記基板を略水
平面内で回転する基板回転手段と、前記基板表面に薬液
を滴下する薬液滴下手段と、前記薬液が貯蔵され、前記
薬液滴下手段に配管を介して前記薬液を供給する薬液供
給手段と、前記塗布室内のアミンの濃度を測定するアミ
ンセンサと、前記アミンセンサの測定結果に基づき、前
記塗布室内のアミンの濃度が所定の値以上になった場合
に、前記薬液の特性に基づき、前記配管内の前記薬液を
前記薬液滴下手段から排出させる制御手段とを有するこ
とを特徴とする薬液塗布装置により達成される。

【００３８】また、上記目的は、基板が収容される塗布
室と、前記基板を略水平面内で保持し、前記基板を略水
平面内で回転する基板回転手段と、前記基板表面に薬液
を滴下する薬液滴下手段と、前記薬液が貯蔵され、前記
薬液滴下手段に配管を介して前記薬液を供給する薬液供
給手段とを有する薬液塗布装置の薬液管理方法であっ
て、前記薬液の特性に基づき、前記配管内に停滞する前
記薬液のうち所定の停滞時間を経過したものを前記薬液
滴下手段から排出させることを特徴とする薬液塗布装置
の薬液管理方法により達成される。

【００３９】

【発明の実施の形態】本発明の一実施形態による薬液塗
布装置について図１乃至図６を用いて説明する。なお、
本実施形態による薬液塗布装置は、半導体装置の製造工
程において、半導体装置を構成する各種の層をパターニ
ングの際に用いるレジストをウェーハに塗布するレジス
ト塗布装置である。図１は本実施形態による薬液塗布装
置の構成を示す概略図、図２は配管内におけるレジスト
の停滞日数を説明する図、図３乃至図５は本実施形態に
よるレジスト塗布装置におけるレジストの管理方法を示
すフローチャート、図６は本実施形態によるレジスト塗
布装置によるドーズの安定化の効果を示すグラフであ
る。

【００４０】〔１〕レジスト塗布装置 まず、本実施形態によるレジスト塗布装置について図１
を用いて説明する。

【００４１】図１に示すように、レジスト塗布装置は、
ウェーハへのレジストの塗布が行われるコーターカップ
１０と、塗布すべきレジストを供給するレジスト供給部
１２とを有している。

【００４２】レジストの塗布が行われるコーターカップ
１０内には、レジストが塗布されるウェーハ１４を略水
平に保持するウェーハチャック１６が設けられている。
ウェーハ１４は、レジストが塗布される面を上にしてウ
ェーハチャック１６上に保持されている。

【００４３】ウェーハチャック１６には、ウェーハチャ
ック１６に保持されたウェーハ１４を水平面内で回転す
るためのスピンモーター１８が、モータフランジ２０を
介して接続されている。

【００４４】ウェーハ１４の中央付近の上方には、レジ
スト供給部１２から供給されるレジストが滴下される複
数のコーティングノズル２２がウェーハ１４表面に対向
するように設けられている。

【００４５】また、ウェーハ１４の外周付近の上方及び
下方には、ウェーハ１４の表裏面それぞれに対向するよ
うに、ウェーハ１４を洗浄するためのシンナーが噴出さ
れる表面エッジリンスノズル２４及び裏面エッジリンス
ノズル２６が設けられている。表面エッジリンスノズル
２４及び裏面エッジリンスノズル２６は、それぞれ配管
２８ａ、２８ｂを介して、シンナーが貯蔵されたシンナ
ータンク３０に接続されている。シンナータンク３０に
は、貯蔵されたシンナーを表面エッジリンスノズル２４
及び裏面エッジリンスノズル２６から噴出させるための
気体が導入されるガス注入口３２が設けられている。

【００４６】コーターカップ１０は、レジスト塗布時の
温度を一定に保つためのカップ温度調節器３４内に収容
されている。また、コーターカップ１０には、廃液口３
６及び排気口３８が設けられている。

【００４７】複数のコーティングノズル２２には、配管
４０を介してレジスト供給部１２が接続されている。な
お、図１では、簡単のため、コーティングノズル２２の
１つとレジスト供給部１２を接続する１つの配管４０の
みを示している。

【００４８】配管４０には、レジスト供給部１２からレ
ジストをコーティングノズルへ送るレジストポンプ４２
と、配管４０内を流れるレジストから塵などを除去する
ためのフィルタ４４と、配管４０内を流れるレジストの
温度を一定に保つためのレジスト温度調節器４６とが設
けられている。さらに、配管４０には、配管４０内を流
れたレジストの量をモニタする流量計４８ａ、４８ｂ
と、配管４０内のレジストの温度をモニタする温度計５
０ａ、５０ｂと、配管４０内の所定の位置のレジストの
有無を検知するレジストセンサ５２が設けられている。
また、レジスト温度調節器４６には、温度調節時の温度
をモニタする温度計５０ｃが設けられている。

【００４９】配管４０に設けられた流量計４８ａ、４８
ｂ、温度計５０ａ、５０ｂ、レジストセンサ５２、及び
レジスト温度調節器４６の温度計５０ｃには、これらに
より得られた情報に基づきレジスト塗布装置の動作を制
御する制御部５４が接続されている。制御部５４による
動作制御については後述する。

【００５０】レジスト供給部１２は、各種レジストを貯
蔵した複数のレジストボトル５６ａ、５６ｂ、５６ｃを
有し、レジストボトル５６ａ、５６ｂ、５６ｃが配管４
０に接続されている。なお、図１では、レジストボトル
５６ａが配管４０に接続されている。

【００５１】また、レジスト供給部１２には、レジスト
ボトル５６ａ、５６ｂ、５６ｃの管理温度を調節する温
度調節器５８が設けられている。温度調節器５８には、
温度調節時の温度をモニタする温度計５０ｄが設けられ
ている。温度計５６ｄは制御部５４に接続されている。

【００５２】次に、本実施形態による薬液塗布装置の各
構成要素の動作について詳述する。

【００５３】コーターカップ１０内では、ウェーハ１４
に対してレジストの塗布が行われる。

【００５４】カップ温度調節器３４は、制御部５４から
の制御信号に基づき、コーターカップ１０内部の温度調
節し、所定の温度に保つ。

【００５５】また、レジスト塗布時にコーターカップ１
０内に生じた不要なレジストやウェーハのリンスに用い
た溶剤は、廃液口３６から排出することができる。ま
た、排気口３８から必要に応じてコーターカップ１０内
を排気することができ、コーターカップ１０を清浄に保
つことができる。

【００５６】また、コーターカップ１０内には、コータ
ーカップ１０内のアミン濃度を検出するアミンセンサが
設けられている（図示せず）。アミンセンサは、制御部
５４に接続され、アミンセンサにより測定された濃度情
報は、制御部５４に入力される。これにより、レジスト
の特性に影響を与えるアミンの濃度に応じて、レジスト
塗布の停止やダミーディスペンスの必要性の有無を判断
することができる。

【００５７】さらに、コーターカップ１０内には、コー
ターカップ１０内の湿度を測定する湿度計が設けられて
いる（図示せず）。湿度計により測定された湿度情報
は、制御部５４に入力される。これにより、レジストの
特性に影響を与えるコーターカップ１０内の湿度に応じ
て、レジスト塗布の停止やダミーディスペンスの必要性
の有無を判断することができる。

【００５８】ウェーハチャック１６は、レジストを塗布
すべきウェーハ１４を、レジスト塗布面を上にして略水
平に保持する。

【００５９】スピンモータ１８は、ウェーハチャック１
６を略水平面内で回転する。これにより、ウェーハチャ
ック１６に保持されたウェーハ１４を略水平面内で回転
することができる。後述するコーティングノズル２２か
ら表面にレジストが滴下されたウェーハ１４をスピンモ
ータ１８により回転することにより、レジストをウェー
ハ１４表面に略均一に塗布することができる。

【００６０】表面エッジリンスノズル２４及び裏面エッ
ジリンスノズル２６は、レジストをウェーハ１４に塗布
した後に、ウェーハ１４外周部の表裏面をシンナーによ
りリンスするためのものである。

【００６１】シンナータンク３０には、ウェーハ１４外
周部の表裏面をリンスするための溶剤としてシンナーが
貯蔵されている。なお、ウェーハ１４外周部の表裏面を
リンスするための溶剤は、シンナーに限定されるもので
はなく、レジストの種類等に応じて種々の溶剤をシンナ
ーに代えて用いることができる。

【００６２】シンナータンク３０のガス注入口３２から
気体を導入することにより、シンナータンク３０内のシ
ンナーが配管２８ａ、２８ｂを介して表面エッジリンス
ノズル２４及び裏面エッジリンスノズル２６へと供給さ
れる。表面エッジリンスノズル２４及び裏面エッジリン
スノズル２６へと供給されたシンナーは、表面エッジリ
ンスノズル２４及び裏面エッジリンスノズル２６からウ
ェーハ１４外周部の表裏面に向けて噴出する。こうし
て、ウェーハ１４外周部の表裏面をシンナーによりリン
スすることができる。

【００６３】複数のコーティングノズル２２は、滴下す
るレジストの種類等に応じて適宜使い分けられる。レジ
スト供給部１２から供給されるレジストの種類に応じ
て、各コーティングノズル２２に配管４０が接続され
る。

【００６４】コーティングノズル２２は、制御部５４の
吐出信号に基づき、レジスト供給部１２から配管４０を
介して供給されるレジストを所定の量ウェーハ１４表面
に滴下する。また、コーティングノズル２２は、制御部
５４からの吐出信号に基づき、レジストを滴下して配管
４０内に一定期間以上停滞したレジストを入れ替えるダ
ミーディスペンスを行う。

【００６５】レジスト供給部１２のレジストボトル５４
ａ、５４ｂ、５４ｃには、ウェーハ１４に塗布すべき各
種レジスト或いは溶媒が貯蔵されている。必要に応じて
塗布すべきレジストが貯蔵されたレジストボトル５４
ａ、５４ｂ、５４ｃに配管４０が接続される。

【００６６】また、レジスト供給部１２の温度調節器５
８は、レジストボトル５４ａ、５４ｂ、５４ｃの管理温
度を調節する。温度調節器５８に設けられた温度計５０
ｃは、レジストボトル５４ａ、５４ｂ、５４ｃの管理温
度をモニタする。温度計５０ｃによりモニタされた管理
温度の情報は制御部５４に入力される。

【００６７】温度調節器５８により、クリーンルームの
常温である２３℃より低温に保つことにより、レジスト
の品質を長期間にわたって保持することができる。この
ためには、例えば、レジストの塗布が行われるコーター
カップ１０内の温度よりも、レジスト供給部１２の温度
を３〜２０℃低温に保つことが望ましい。また、レジス
トボトル５４ａ、５４ｂ、５４ｃを二重瓶して外気の温
度変化に強くしてもよいし、外側に銅板等を取り付けて
冷却効果を上げるようにしてもよい。

【００６８】さらに、レジスト供給部１２には、レジス
ト供給部１２の湿度を測定する湿度計が設けられている
（図示せず）。湿度計により測定された湿度情報は、制
御部５４に入力される。これにより、レジストの特性に
影響を与えるレジスト供給部１２の湿度に応じて、レジ
スト塗布の停止やダミーディスペンスの必要性の有無を
判断することができる。

【００６９】レジストポンプ４２は、配管４０に接続さ
れたレジストボトル５４ａからレジストを汲み上げ、配
管４０を介してコーティングノズル２２に送る。

【００７０】フィルタ４４は、レジストポンプ４２から
コーティングノズル２２へと向かって配管４０内を流れ
るレジストから塵などを除去する。

【００７１】流量計４８ａ、４８ｂは、配管４０内を通
過したレジストの量をモニタする。流量計４８ａ、４８
ｂによりモニタされたレジストの流量情報は、制御部５
４に入力される。なお、図１では、配管４０に２つの流
量計４８ａ、４８ｂを設けているが、流量計の数は、要
求される精度等に応じて適宜設計変更することが可能で
ある。

【００７２】温度計５０ａ、５０ｂは、配管４０内のレ
ジストの温度をモニタする。温度計５０ａ、５０ｂによ
りモニタされたレジストの温度情報は、制御部５４に入
力される。なお、図１では、配管４０に２つの温度計５
０ａ、５０ｂを設けているが、流量計の数は、要求され
る精度等に応じて適宜設計変更することが可能である。

【００７３】レジストセンサ５２は、配管４０の所定の
位置におけるレジストの有無を検知する。レジストセン
サ５２により検知されたレジストの有無に関する情報
は、制御部５４に入力される。

【００７４】レジスト温度調節器４６は、制御部５４か
らの制御信号に基づき、配管４０内を流れるレジストの
温度を調節する。

【００７５】制御部５４は、まず、温度計５０ａ、５０
ｂ、５０ｃ、５０ｄから入力される温度情報に基づき、
カップ温度調節器３４、レジスト温度調節器４６、温度
調節器５８による温度調節を制御する。

【００７６】例えば、コーターカップ１０内の温度が常
に約２３℃となるように、カップ温度調節器３４による
温度調節を制御する。また、配管４０内のレジスト温度
が常に約２３℃となるようにレジスト温度調節器４６に
よる温度調節を制御する。さらに、レジスト供給部１２
の温度が常にコーターカップ１０内の温度よりも２〜２
０℃低温となるように、温度調節器５８による温度調節
を制御する。

【００７７】また、制御部５４は、配管４０内のレジス
ト温度が、その品質が保持される温度の許容範囲を超え
た場合に、レジストの種類に応じてダミーディスペンス
の必要性の有無を判断する。例えば、品質の保持可能な
温度の許容範囲を超えた場合に品質の回復が不可能なレ
ジストの場合には、コーティングノズル２２に吐出信号
を入力し配管４０内のレジストを排出するダミーディス
ペンスを行う。また、品質の保持可能な温度の許容範囲
を超えても品質の回復が可能なレジストの場合には、レ
ジスト温度調節器４６により配管４０内のレジストの温
度が許容範囲内になるまでレジストの塗布を停止する。

【００７８】また、制御部５４は、コーターカップ１０
内の湿度計及びレジスト供給部１２の湿度計から入力さ
れる湿度情報に基づき、レジストの種類に応じてダミー
ディスペンスの必要性の有無を判断する。例えば、湿度
変化により反応を起こしてしまうレジストの場合には、
湿度変化が起きたときに、コーティングノズル２２に吐
出信号を入力しコーティングノズル２２内のレジストを
排出するダミーディスペンスを行う。

【００７９】また、制御部５４は、コーターカップ１０
内のアミンセンサから入力されるアミンの濃度情報に基
づき、レジストの種類に応じてダミーディスペンスの必
要性の有無を判断する。例えば、アミンと反応を起こす
レジストの場合には、コーターカップ１０内のアミン濃
度が所定の濃度以上となったときに、コーティングノズ
ル２２に吐出信号を入力しコーティングノズル２２内の
レジストを排出するダミーディスペンスを行う。

【００８０】また、制御部５４は、流量計４８ａ、４８
ｂからのレジストの流量情報、及びレジストセンサ５２
からの配管４０内の所定の位置におけるレジストの有無
の流量情報に基づき、配管４０内におけるレジストの停
滞日数を算出する。

【００８１】例えば、以下の表１は、配管４０の長さが
１ｍ、直径１ｃｍの場合のレジストの吐出量、レジスト
が配管４０内を進行する長さ、及びレジストの進行具合
との関係の一例を示すものである。

【００８２】

【表１】 レジスト塗布装置によるレジスト塗布の１日目に２２ｃ
ｃのレジストを吐出した場合、レジストは７．０１ｃｍ
配管４０内を進行する。次いで、２日目に３５ｃｃのレ
ジストを吐出した場合、これにより１１．１５ｃｍ配管
４０内を進行する。これにより、１日目、２日目合わせ
てレジストは配管４０内を１８．２ｃｍ進行したことに
なる。表１には、同様に、３日目から１０日についての
レジストの吐出量、レジストの配管４０内を進行する長
さ、及びレジストの進行具合との関係についても示して
いる。

【００８３】こうして、１０日間で配管４０内には、図
２に示すように、配管４０の位置によって停滞日数の異
なるレジストが存在する。

【００８４】制御部５４は、上述のようなレジストの停
滞日数の算出結果に基づき、停滞日数が所定の日数を超
えてレジストの品質が劣化したと考えられる場合は、コ
ーティングノズル２２に吐出信号を入力し、所定の停滞
日数を経過した分のレジストのダミーディスペンスを行
う。また、必要に応じてコーティングノズル２２及び／
又は配管４０内の洗浄を行う。

【００８５】上述のように、本実施形態によるレジスト
塗布装置は、配管４０内のレジストの温度のモニタし、
必要に応じて適宜レジストのダミーディスペンスを行う
ことに特徴がある。また、レジストの配管４０内での停
滞日数をモニタし、所定の停滞日数を経過したレジスト
についてダミーディスペンスを行うことに特徴がある。
また、コーターカップ１０内の湿度をモニタし、必要に
応じてレジストのダミーディスペンスを行うことに特徴
がある。また、コーターカップ１０内のアミン濃度をモ
ニタし、必要に応じてレジストのダミーディスペンスを
行うことに特徴がある。これらにより、常に最適な条件
で品質の保持されたレジストを一定の膜厚でウェーハ１
４に塗布することができる。また、ダミーディスペンス
の量を必要最小限のものとすることができるので、コス
トを低減することができる。

【００８６】〔２〕レジスト塗布方法 次に、本実施形態によるレジスト塗布装置によるレジス
ト塗布方法及びその間のレジストの管理方法について図
１、図３乃至図６を用いて説明する。

【００８７】まず、レジストポンプ４２により、レジス
ト供給部１２から配管４０を通じてコーティングノズル
２２にレジストを送る。

【００８８】次いで、コーティングノズル２２から、所
定の量のレジストを、ウェーハチャック１６に保持され
たウェーハ１４上に滴下する。

【００８９】次いで、スピンモータ１８により、レジス
トが滴下されたウェーハ１４を所定の速度で回転する。
こうして、ウェーハ１４表面にレジストが略均一に塗布
される。

【００９０】次いで、シンナータンク３０のガス注入口
３２からガスを導入し表面エッジリンスノズル２４及び
裏面エッジリンスノズル４６からシンナーを噴出させな
がら、ウェーハ１４を所定の速度でスピンモータ１８に
より回転する。こうして、レジストが塗布されたウェー
ハ１４の外周部がリンスされる。

【００９１】こうして、ウェーハ１４へレジストが塗布
される。

【００９２】次いで、必要に応じて、ウェーハチャック
１６上のウェーハ１４を新たなものに交換し、ウェーハ
へのレジストの塗布を継続する。

【００９３】本実施形態によるレジスト塗布装置は、上
述のレジストの塗布の際に、配管４０内のレジストの温
度や、配管４０内でのレジストの停滞日数、レジストの
塗布が行われるコーターカップ１０内の温度、レジスト
供給部１２の温度等の種々の状況をモニタし、これらの
モニタ情報に基づき、制御部５４によりコーターカップ
１０内等の温度、ダミーディスペンスのタイミング等を
制御することに主たる特徴がある。これにより、常時最
適な条件下で、品質が保持されたレジストをウェーハ１
４に一定の膜厚で塗布することができ、また、ダミーデ
ィスペンスを行うレジストの量を必要最小限のものとす
ることができる。

【００９４】以下、制御部５４によるレジストの管理方
法について図４乃至図７に示すフローチャートを用いて
説明する。

【００９５】まず、制御部５４に制御パラメータを入力
する（ステップＳ１０）。制御部５４に入力する制御パ
ラメータとしては、例えば以下のパラメータ（ａ）乃至
（ｈ）を用いる。

【００９６】 （ａ）レジストの種類 （ｂ）レジストの適正温度値 （ｃ）レジストの適正温度範囲 （ｄ）レジストの最大経時変化保証日数 （ｅ）温度変化後のレジストの品質回復の可否 （ｆ）配管内でのレジストの保証日数 （ｇ）レジストのアミンとの反応の有無 （ｈ）レジストの湿度変化による反応の有無 レジスト塗布の間、パラメータ（ｂ）及び（ｃ）に基づ
き温度の制御を行う。すなわち、コーターカップ１０内
の温度が常に約２３℃となるように、カップ温度調節器
３４による温度調節を制御する。また、配管４０内のレ
ジスト温度が常に約２３℃となるようにレジスト温度調
節器４６による温度調節を制御する。さらに、レジスト
供給部１２の温度が常にコーターカップ１０内の温度よ
りも２〜２０℃低温となるように、温度調節器５８によ
る温度調節を制御する。

【００９７】次いで、パラメータ（ｃ）に基づき、配管
４０内のレジスト温度が、品質保持可能な温度の許容範
囲内にあるか否かを検査する（ステップＳ１１）。

【００９８】品質保持可能な温度の許容範囲内にあり、
問題がない場合にはレジストの塗布を継続する（ステッ
プＳ１２）。

【００９９】品質の保持可能な温度の許容範囲を超えた
場合に、パラメータ（ｅ）に基づき、レジストの種類に
応じてダミーディスペンスの必要性の有無を判断する
（ステップＳ１３）。

【０１００】品質の保持可能な温度の許容範囲を超えて
も品質の回復が可能なレジストの場合には、レジスト温
度調節器４６により配管４０内のレジストの温度が許容
範囲内になるまでレジストの塗布を停止する（ステップ
Ｓ１４）。

【０１０１】品質の保持可能な温度の許容範囲を超えた
場合に品質の回復が不可能なレジストの場合には、配管
４０内のレジストを排出するダミーディスペンスを行う
（ステップＳ１５）。

【０１０２】各ステップを経た後、処理を継続する（ス
テップＳ１６）。

【０１０３】次いで、流量計４８ａ、４８ｂからのレジ
ストの流量情報、及びレジストセンサ５２からの配管４
０内の所定の位置におけるレジストの有無の流量情報に
基づき、配管４０内におけるレジストの停滞日数を算出
する（ステップＳ１７）。

【０１０４】パラメータ（ｆ）に基づき、配管４０内の
レジスト全体が、品質保証日数以上配管４０内に停滞し
たか否かを検査する（ステップＳ１８）。

【０１０５】停滞していない場合には処理を継続し（ス
テップＳ１９）、停滞していた場合には、配管４０内の
レジスト全部を排出するダミーディスペンスを行う（ス
テップＳ２０）。

【０１０６】次いで、同様に、流量計４８ａ、４８ｂか
らのレジストの流量情報、及びレジストセンサ５２から
の配管４０内の所定の位置におけるレジストの有無の流
量情報に基づき、配管４０内におけるレジストの停滞日
数を算出する（ステップＳ２１）。

【０１０７】パラメータ（ｆ）に基づき、配管４０内の
レジストの一部が、品質保証日数以上配管４０内に停滞
したか否かを検査する（ステップＳ２２）。停滞してい
ない場合には処理を継続し（ステップＳ２３）、停滞し
ていた場合には、配管４０内の品質保証日数以上停滞し
ていたレジストの一部を排出するダミーディスペンスを
行う（ステップＳ２４）。

【０１０８】次いで、コーターカップ１０内の湿度を常
時モニタしておき（ステップＳ２４）、コーターカップ
１０内の湿度の変化の有無を検査する（ステップＳ２
５）。

【０１０９】コーターカップ１０内の湿度に変化がない
場合には、処理を継続する（ステップＳ２６）。

【０１１０】コーターカップ１０内の湿度が変化した場
合には、パラメータ（ｈ）に基づき、レジストの種類に
応じてダミーディスペンスの必要性の有無を判断する
（ステップＳ２７）。

【０１１１】湿度変化があっても反応を起こさないレジ
ストの場合には、処理を継続する（ステップＳ２８）。

【０１１２】湿度変化により反応を起こしてしまうレジ
ストの場合には、配管４０内のレジストを排出するダミ
ーディスペンスを行う（ステップＳ２９）。

【０１１３】次いで、コーターカップ１０内のアミンの
濃度を常時モニタしておき（ステップＳ３０）、パラメ
ータ（ｇ）に基づき、コーターカップ１０内のアミンの
濃度が所定の濃度を超えた場合に、レジストの種類に応
じてダミーディスペンスの必要性の有無を判断する（ス
テップＳ３１）。

【０１１４】アミンと反応しないレジストの場合には、
処理を継続する（ステップＳ３２）。

【０１１５】アミンと反応するレジストの場合には、コ
ーターカップ１０内のアミン濃度が所定の濃度以上とな
ったときに、配管４０内のレジストを排出するダミーデ
ィスペンスを行う（ステップＳ３３）。

【０１１６】各ステップを経た後、処理を継続する（ス
テップＳ３４）。レジスト塗布の間、上述したレジスト
の管理を継続して行う。

【０１１７】なお、上述した各ダミーディスペンスを行
った後、新たにレジストの塗布を開始する前に、必要に
応じて、配管４０やコーティングノズル２２の洗浄を適
宜行ってもよい。

【０１１８】以上のようにして、レジストの塗布条件を
常に最適に保ち、品質の保持されたレジストを一定の膜
厚でウェーハ１４に塗布することができる。また、ダミ
ーディスペンスを行うレジストの量を必要最小限のもの
とすることができる。

【０１１９】図６（ａ）は従来のレジスト塗布装置によ
り複数のウェーハにレジストを塗布した場合の感度を示
すグラフであり、図６（ｂ）は本実施形態によるレジス
ト塗布装置により複数のウェーハにレジストを塗布した
場合の感度を示すグラフである。それぞれ図中●、◆、
△で示す三種類のレジストについて得られたものであ
る。図中●はポジ型レジストを短期間放置した際のデー
タである。図中◆はネガ型レジストを短期間（２〜３
日）放置した際のデータである。図中△はポジ型レジス
トを長期間（５日以上）放置した際のデータである。い
ずれについても１３０ｎｍパターンが形成できる適正露
光量をＣＤ−ＳＥＭにより算出した。

【０１２０】図６（ａ）に示すように、従来のレジスト
塗布装置による場合は、いずれのレジストについても、
ウェーハ間でドーズがばらついた。

【０１２１】一方、図６（ｂ）に示すように、本実施形
態によるレジスト塗布装置による場合は、ウェーハ間で
ドーズがばらつくことなく、１枚目のウェーハから２５
枚目のウェーハまでドーズがほぼ一定にすることができ
た。

【０１２２】このように、本実施形態によれば、配管４
０内のレジストの温度のモニタし、必要に応じて適宜レ
ジストのダミーディスペンスを行い、また、レジストの
配管４０内での停滞日数をモニタし、所定の停滞日数を
経過したレジストについてのみダミーディスペンスを行
い、また、コーターカップ１０内の湿度をモニタし、必
要に応じてレジストのダミーディスペンスを行い、ま
た、コーターカップ１０内のアミン濃度をモニタし、必
要に応じてレジストのダミーディスペンスを行うので、
常に最適な条件で品質の保持されたレジストを一定の膜
厚でウェーハ１４に塗布することができる。また、ダミ
ーディスペンスを行うレジストの量を必要最小限のもの
とすることができるので、コストを低減することができ
る。

【０１２３】［変形実施形態］本発明の上記実施形態に
限らず種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態
では、レジストをウェーハ１４に塗布していたが、ウェ
ーハ１４に限定されるものではなく、ガラス基板等の種
々の基板にレジストを塗布することができる。

【０１２４】また、上記実施形態では、レジストの塗布
について説明したが、本発明はレジストの塗布のみに限
らず、種々の薬液の塗布に適用することができる。例え
ば、シンナー等の溶媒の塗布や、ＳＯＧ膜等の塗布型絶
縁膜を形成するための材料の塗布にも適用することがで
きる。

【０１２５】また、上記実施形態では、コーティングノ
ズル２２とレジスト供給部１２とを配管４０を介して接
続していたが、チューブ等により両者を接続してもよ
い。

【０１２６】（付記１） 基板が収容される塗布室と、
前記基板を略水平面内で保持し、前記基板を略水平面内
で回転する基板回転手段と、前記基板表面に薬液を滴下
する薬液滴下手段と、前記薬液が貯蔵され、前記薬液滴
下手段に配管を介して前記薬液を供給する薬液供給手段
と、前記薬液の特性に基づき、前記配管内に停滞する前
記薬液のうち所定の停滞時間を経過したものを前記薬液
滴下手段から排出させる制御手段とを有することを特徴
とする薬液塗布装置。

【０１２７】（付記２） 基板が収容される塗布室と、
前記基板を略水平面内で保持し、前記基板を略水平面内
で回転する基板回転手段と、前記基板表面に薬液を滴下
する薬液滴下手段と、前記薬液が貯蔵され、前記薬液滴
下手段に配管を介して前記薬液を供給する薬液供給手段
と、前記配管内の前記薬液の温度を測定する温度計と、
前記温度計の測定結果に基づき、前記配管内の前記薬液
の温度が所定の温度範囲外に外れた場合に、前記薬液の
特性に基づき、前記配管内の前記薬液を前記薬液滴下手
段から排出させる制御手段とを有することを特徴とする
薬液塗布装置。

【０１２８】（付記３） 付記２記載の薬液塗布装置に
おいて、前記制御手段は、前記薬液が、前記所定の温度
範囲外に外れると品質が劣化し回復できないものである
場合には、前記配管内の前記薬液を前記薬液滴下手段か
ら排出させ、前記薬液が、前記所定の温度範囲外に外れ
ても品質が劣化しない又は劣化しても回復できるもので
ある場合には、前記配管内の前記薬液を前記薬液滴下手
段から排出させないことを特徴とする薬液塗布装置。

【０１２９】（付記４） 基板が収容される塗布室と、
前記基板を略水平面内で保持し、前記基板を略水平面内
で回転する基板回転手段と、前記基板表面に薬液を滴下
する薬液滴下手段と、前記薬液が貯蔵され、前記薬液滴
下手段に配管を介して前記薬液を供給する薬液供給手段
と、前記塗布室内の湿度を測定する湿度計と、前記湿度
計の測定結果に基づき、前記塗布室内の湿度が所定の値
以上になった場合に、前記薬液の特性に基づき、前記配
管内の前記薬液を前記薬液滴下手段から排出させる制御
手段とを有することを特徴とする薬液塗布装置。

【０１３０】（付記５） 付記４記載の薬液塗布装置に
おいて、前記制御手段は、前記薬液が、前記塗布室の湿
度が前記所定の値以上になると品質が劣化し回復できな
いものである場合には、前記配管内の前記薬液を前記薬
液滴下手段から排出させ、前記薬液が、前記塗布室の湿
度が前記所定の値以上になっても品質が劣化しない又は
劣化しても回復できるものである場合には、前記配管内
の前記薬液を前記薬液滴下手段から排出させないことを
特徴とする薬液塗布装置。

【０１３１】（付記６） 基板が収容される塗布室と、
前記基板を略水平面内で保持し、前記基板を略水平面内
で回転する基板回転手段と、前記基板表面に薬液を滴下
する薬液滴下手段と、前記薬液が貯蔵され、前記薬液滴
下手段に配管を介して前記薬液を供給する薬液供給手段
と、前記塗布室内のアミンの濃度を測定するアミンセン
サと、前記アミンセンサの測定結果に基づき、前記塗布
室内のアミンの濃度が所定の値以上になった場合に、前
記薬液の特性に基づき、前記配管内の前記薬液を前記薬
液滴下手段から排出させる制御手段とを有することを特
徴とする薬液塗布装置。

【０１３２】（付記７） 付記６記載の薬液塗布装置に
おいて、前記制御手段は、前記薬液が、前記塗布室内の
アミンの濃度が前記所定の値以上になると品質が劣化し
回復できないものである場合には、前記配管内の前記薬
液を前記薬液滴下手段から排出させ、前記薬液が、前記
塗布室のアミンの濃度が前記所定の値以上になっても品
質が劣化しない又は劣化しても回復できるものである場
合には、前記配管内の前記薬液を前記薬液滴下手段から
排出させないことを特徴とする薬液塗布装置。

【０１３３】（付記８） 付記１乃至７のいずれかに記
載の薬液塗布装置において、前記塗布室の温度よりも、
前記薬液供給手段の温度を低温に保つ温度調節手段を更
に有することを特徴とする薬液塗布装置。

【０１３４】（付記９） 付記８記載の薬液塗布装置に
おいて、前記温度調節手段は、前記薬液供給部の温度を
前記塗布室の温度よりも、２〜２０℃低温に保つことを
特徴とする薬液塗布装置。

【０１３５】（付記１０） 基板が収容される塗布室
と、前記基板を略水平面内で保持し、前記基板を略水平
面内で回転する基板回転手段と、前記基板表面に薬液を
滴下する薬液滴下手段と、前記薬液が貯蔵され、前記薬
液滴下手段に配管を介して前記薬液を供給する薬液供給
手段とを有する薬液塗布装置の薬液管理方法であって、
前記薬液の特性に基づき、前記配管内に停滞する前記薬
液のうち所定の停滞時間を経過したものを前記薬液滴下
手段から排出させることを特徴とする薬液塗布装置の薬
液管理方法。

【０１３６】（付記１１） 基板が収容される塗布室
と、前記基板を略水平面内で保持し、前記基板を略水平
面内で回転する基板回転手段と、前記基板表面に薬液を
滴下する薬液滴下手段と、前記薬液が貯蔵され、前記薬
液滴下手段に配管を介して前記薬液を供給する薬液供給
手段と、前記配管内の前記薬液の温度を測定する温度計
とを有する薬液塗布装置の薬液管理方法であって、前記
温度計の測定結果に基づき、前記配管内の前記薬液の温
度が所定の温度範囲外に外れた場合に、前記薬液の特性
に基づき、前記配管内の前記薬液を前記薬液滴下手段か
ら排出させることを特徴とする薬液塗布装置の薬液管理
方法。

【０１３７】（付記１２） 付記１１記載の薬液塗布装
置の薬液管理方法において、前記薬液が、前記所定の温
度範囲外に外れると品質が劣化し回復できないものであ
る場合には、前記配管内の前記薬液を前記薬液滴下手段
から排出させ、前記薬液が、前記所定の温度範囲外に外
れても品質が劣化しない又は劣化しても回復できるもの
である場合には、前記配管内の前記薬液を前記薬液滴下
手段から排出させないことを特徴とする薬液塗布装置の
薬液管理方法。

【０１３８】（付記１３） 基板が収容される塗布室
と、前記基板を略水平面内で保持し、前記基板を略水平
面内で回転する基板回転手段と、前記基板表面に薬液を
滴下する薬液滴下手段と、前記薬液が貯蔵され、前記薬
液滴下手段に配管を介して前記薬液を供給する薬液供給
手段と、前記塗布室内の湿度を測定する湿度計とを有す
る薬液塗布装置の薬液管理方法であって、前記湿度計の
測定結果に基づき、前記塗布室内の湿度が所定の値以上
になった場合に、前記薬液の特性に基づき、前記配管内
の前記薬液を前記薬液滴下手段から排出させることを特
徴とする薬液塗布装置の薬液管理方法。

【０１３９】（付記１４） 付記１３記載の薬液塗布装
置の薬液管理方法において、前記薬液が、前記塗布室の
湿度が前記所定の値以上になると品質が劣化し回復でき
ないものである場合には、前記配管内の前記薬液を前記
薬液滴下手段から排出させ、前記薬液が、前記塗布室の
湿度が前記所定の値以上になっても品質が劣化しない又
は劣化しても回復できるものである場合には、前記配管
内の前記薬液を前記薬液滴下手段から排出させないこと
を特徴とする薬液塗布装置の薬液管理方法。

【０１４０】（付記１５） 基板が収容される塗布室
と、前記基板を略水平面内で保持し、前記基板を略水平
面内で回転する基板回転手段と、前記基板表面に薬液を
滴下する薬液滴下手段と、前記薬液が貯蔵され、前記薬
液滴下手段に配管を介して前記薬液を供給する薬液供給
手段と、前記塗布室内のアミンの濃度を測定するアミン
センサとを有する薬液塗布装置の薬液管理方法であっ
て、前記アミンセンサの測定結果に基づき、前記塗布室
内のアミンの濃度が所定の値以上になった場合に、前記
薬液の特性に基づき、前記配管内の前記薬液を前記薬液
滴下手段から排出させるを有することを特徴とする薬液
塗布装置の薬液管理方法。

【０１４１】（付記１６） 付記１５記載の薬液塗布装
置の薬液管理方法において、前記薬液が、前記塗布室内
のアミンの濃度が前記所定の値以上になると品質が劣化
し回復できないものである場合には、前記配管内の前記
薬液を前記薬液滴下手段から排出させ、前記薬液が、前
記塗布室のアミンの濃度が前記所定の値以上になっても
品質が劣化しない又は劣化しても回復できるものである
場合には、前記配管内の前記薬液を前記薬液滴下手段か
ら排出させないことを特徴とする薬液塗布装置の薬液管
理方法。

【０１４２】（付記１７） 付記１０乃至１６のいずれ
かに記載の薬液塗布装置の薬液管理方法において、前記
塗布室の温度よりも、前記薬液供給手段の温度を低温に
保つことを特徴とする薬液塗布装置の薬液管理方法。

【０１４３】（付記１８） 付記１７に記載の薬液管理
方法において、前記薬液供給部の温度を前記塗布室の温
度よりも、２〜２０℃低温に保つことを特徴とする薬液
管理方法。

【０１４４】

【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、基板が収
容される塗布室と、基板を略水平面内で保持し、基板を
略水平面内で回転する基板回転手段と、基板表面に薬液
を滴下する薬液滴下手段と、薬液が貯蔵され、薬液滴下
手段に配管を介して薬液を供給する薬液供給手段とを有
する薬液塗布装置であって、薬液の特性に基づき、配管
内に停滞する薬液のうち所定の停滞時間を経過したもの
を薬液滴下手段から排出させる制御手段を更に有するの
で、最適な条件下で品質の保持された薬液を一定の膜厚
で基板に塗布することができ、また、ダミーディスペン
スを行うレジストの量を必要最小限のものとすることが
できる。

【０１４５】また、制御手段は、配管内の薬液の温度が
所定の温度範囲外に外れた場合に、薬液の特性に基づ
き、配管内の薬液を薬液滴下手段から排出させるので、
最適な条件下で品質の保持された薬液を一定の膜厚で基
板に塗布することができる。

【０１４６】また、制御手段は、塗布室内の湿度が所定
の値以上になった場合に、薬液の特性に基づき、配管内
の薬液を薬液滴下手段から排出させるので、最適な条件
下で品質の保持された薬液を一定の膜厚で基板に塗布す
ることができる。

【０１４７】また、制御手段は、塗布室内のアミンの濃
度が所定の値以上になった場合に、薬液の特性に基づ
き、配管内の薬液を薬液滴下手段から排出させるので、
最適な条件下で品質の保持された薬液を一定の膜厚で基
板に塗布することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態によるレジスト塗布装置の
構成を示す概略図である。

【図２】本発明の一実施形態によるレジスト塗布装置の
配管内におけるレジストの停滞日数を説明する図であ
る。

【図３】本発明の一実施形態によるレジスト塗布装置に
おけるレジストの管理方法を示すフローチャート（その
１）である。

【図４】本発明の一実施形態によるレジスト塗布装置に
おけるレジストの管理方法を示すフローチャート（その
２）である。

【図５】本発明の一実施形態によるレジスト塗布装置に
おけるレジストの管理方法を示すフローチャート（その
３）である。

【図６】本発明の一実施形態によるレジスト塗布装置に
より塗布されたレジスト膜のドーズの安定化の効果を示
すグラフである。

【図７】従来のレジスト塗布装置の構成を示す概略図で
ある。

【図８】従来のレジスト塗布装置によりウェーハ上に塗
布されたレジストの膜厚と感度及び線幅との関係を示す
グラフである。

【図９】レジストの保存温度及び保存日数と膜厚等との
関係の一例を示すグラフである。

【図１０】従来のレジスト装置により複数のウェーハに
連続してレジストを塗布した場合のドーズのばらつきを
示すグラフである。

【符号の説明】

１０…コーターカップ １２…レジスト供給部 １４…ウェーハ １６…ウェーハチャック １８…スピンモータ ２０…モータフランジ ２２…コーティングノズル ２４…表面エッジリンスノズル ２６…裏面エッジリンスノズル ２８ａ、２８ｂ…配管 ３０…シンナータンク ３２…ガス注入口 ３４…カップ温度調節器 ３６…廃液口 ３８…排気口 ４０…配管 ４２…レジストポンプ ４４…フィルタ ４６…レジスト温度調節器 ４８ａ、４８ｂ…流量計 ５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５６ｄ…温度計 ５２…レジストセンサ ５４…制御部 ５６ａ、５６ｂ、５６ｃ…レジストボトル ５８…温度調節器 １００…コーターカップ １０２…レジスト供給部 １０４…ウェーハ １０６…ウェーハチャック １０８…スピンモータ １１０…モータフランジ １１２…コーティングノズル １１４…表面エッジリンスノズル １１６…裏面エッジリンスノズル １１８ａ、１１８ｂ…配管 １２０…シンナータンク １２２…ガス注入口 １２４…カップ温度調節器 １２６…廃液口 １２８…排気口 １３０…配管 １３２…レジストポンプ １３４…フィルタ １３６…レジスト温度調節器 １４０ａ、１４０ｂ、１４０ｃ…レジストボトル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AA18 AB16 EA05 4F041 AA02 AA06 AB02 BA31 BA32 BA60 4F042 AA07 BA16 BA20 CA01 CA08 CB12 CC06 5F046 JA03 JA16 JA27

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板が収容される塗布室と、 前記基板を略水平面内で保持し、前記基板を略水平面内
   で回転する基板回転手段と、 前記基板表面に薬液を滴下する薬液滴下手段と、 前記薬液が貯蔵され、前記薬液滴下手段に配管を介して
   前記薬液を供給する薬液供給手段と、 前記薬液の特性に基づき、前記配管内に停滞する前記薬
   液のうち所定の停滞時間を経過したものを前記薬液滴下
   手段から排出させる制御手段とを有することを特徴とす
   る薬液塗布装置。
2. 【請求項２】 基板が収容される塗布室と、 前記基板を略水平面内で保持し、前記基板を略水平面内
   で回転する基板回転手段と、 前記基板表面に薬液を滴下する薬液滴下手段と、 前記薬液が貯蔵され、前記薬液滴下手段に配管を介して
   前記薬液を供給する薬液供給手段と、 前記配管内の前記薬液の温度を測定する温度計と、 前記温度計の測定結果に基づき、前記配管内の前記薬液
   の温度が所定の温度範囲外に外れた場合に、前記薬液の
   特性に基づき、前記配管内の前記薬液を前記薬液滴下手
   段から排出させる制御手段とを有することを特徴とする
   薬液塗布装置。
3. 【請求項３】 基板が収容される塗布室と、 前記基板を略水平面内で保持し、前記基板を略水平面内
   で回転する基板回転手段と、 前記基板表面に薬液を滴下する薬液滴下手段と、 前記薬液が貯蔵され、前記薬液滴下手段に配管を介して
   前記薬液を供給する薬液供給手段と、 前記塗布室内の湿度を測定する湿度計と、 前記湿度計の測定結果に基づき、前記塗布室内の湿度が
   所定の値以上になった場合に、前記薬液の特性に基づ
   き、前記配管内の前記薬液を前記薬液滴下手段から排出
   させる制御手段とを有することを特徴とする薬液塗布装
   置。
4. 【請求項４】 基板が収容される塗布室と、 前記基板を略水平面内で保持し、前記基板を略水平面内
   で回転する基板回転手段と、 前記基板表面に薬液を滴下する薬液滴下手段と、 前記薬液が貯蔵され、前記薬液滴下手段に配管を介して
   前記薬液を供給する薬液供給手段と、 前記塗布室内のアミンの濃度を測定するアミンセンサ
   と、 前記アミンセンサの測定結果に基づき、前記塗布室内の
   アミンの濃度が所定の値以上になった場合に、前記薬液
   の特性に基づき、前記配管内の前記薬液を前記薬液滴下
   手段から排出させる制御手段とを有することを特徴とす
   る薬液塗布装置。
5. 【請求項５】 基板が収容される塗布室と、前記基板を
   略水平面内で保持し、前記基板を略水平面内で回転する
   基板回転手段と、前記基板表面に薬液を滴下する薬液滴
   下手段と、前記薬液が貯蔵され、前記薬液滴下手段に配
   管を介して前記薬液を供給する薬液供給手段とを有する
   薬液塗布装置の薬液管理方法であって、 前記薬液の特性に基づき、前記配管内に停滞する前記薬
   液のうち所定の停滞時間を経過したものを前記薬液滴下
   手段から排出させることを特徴とする薬液塗布装置の薬
   液管理方法。