JP2001203151A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP2001203151A JP2001203151A JP2000013356A JP2000013356A JP2001203151A JP 2001203151 A JP2001203151 A JP 2001203151A JP 2000013356 A JP2000013356 A JP 2000013356A JP 2000013356 A JP2000013356 A JP 2000013356A JP 2001203151 A JP2001203151 A JP 2001203151A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ノズルに付着したレジスト液の経時変化を防止
する。 【解決手段】半導体ウエハにレジスト液を塗布するコー
ター等の半導体製造装置において、ノズル１は、塗布作
業をしない休止時に、待機ポット部２に移動し待機す
る。待機ポット部２は、開口部３、容器部６を有し、開
口部３にノズル１が待機状態にあるとき密閉状態を保持
するためのＯリング４、空気をパージするガスのガス供
給パイプ７、レジスト液を溶解する溶剤１０を供給する
ための溶剤供給パイプ８を備える。なお、ドレインパイ
プ９を付設する。待機ポット部２内は二窒素により空気
がパージされ、容器部６に溶剤１０が貯溜されるため、
ノズル１は、待機時は溶剤１０の雰囲気中に保持されて
待機するので、ノズル先端に付着したレジスト液の経時
変化による固化などが防止される。パージガスや溶剤１
０は、所定のシーケンスで供給され一定の雰囲気を維持
する。
する。 【解決手段】半導体ウエハにレジスト液を塗布するコー
ター等の半導体製造装置において、ノズル１は、塗布作
業をしない休止時に、待機ポット部２に移動し待機す
る。待機ポット部２は、開口部３、容器部６を有し、開
口部３にノズル１が待機状態にあるとき密閉状態を保持
するためのＯリング４、空気をパージするガスのガス供
給パイプ７、レジスト液を溶解する溶剤１０を供給する
ための溶剤供給パイプ８を備える。なお、ドレインパイ
プ９を付設する。待機ポット部２内は二窒素により空気
がパージされ、容器部６に溶剤１０が貯溜されるため、
ノズル１は、待機時は溶剤１０の雰囲気中に保持されて
待機するので、ノズル先端に付着したレジスト液の経時
変化による固化などが防止される。パージガスや溶剤１
０は、所定のシーケンスで供給され一定の雰囲気を維持
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
関し、より詳細には、半導体ウエハにフォトレジスト液
を塗布する塗布機（コーター）や塗布したフォトレジス
ト液を現像液に溶かし込む現像機（デベロッパー）等に
おいて、半導体ウエハにフォトレジスト液や現像液等の
薬液を供給する半導体製造装置に関する。
関し、より詳細には、半導体ウエハにフォトレジスト液
を塗布する塗布機（コーター）や塗布したフォトレジス
ト液を現像液に溶かし込む現像機（デベロッパー）等に
おいて、半導体ウエハにフォトレジスト液や現像液等の
薬液を供給する半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程中、フォトリ
ソグラフィ工程では、半導体ウエハ（以下、ウエハとい
う。）表面上に感光性樹脂であるフォトレジスト液をコ
ーターにより塗布し、またこの塗布したフォトレジスト
液をデベロッパーにより現像液に溶かしてレジストパタ
ーンを構成することが行われている。この場合、フォト
レジスト液や現像液は、コーターやデベロッパーに設け
られた薬液供給装置のノズルより、高速回転装置に設置
されたウエハ表面上に滴下することによって行われる。
ソグラフィ工程では、半導体ウエハ（以下、ウエハとい
う。）表面上に感光性樹脂であるフォトレジスト液をコ
ーターにより塗布し、またこの塗布したフォトレジスト
液をデベロッパーにより現像液に溶かしてレジストパタ
ーンを構成することが行われている。この場合、フォト
レジスト液や現像液は、コーターやデベロッパーに設け
られた薬液供給装置のノズルより、高速回転装置に設置
されたウエハ表面上に滴下することによって行われる。
【０００３】図４は、従来のフォトレジストコーターの
断面を模式的に示す図で、図中、ウエハＷは、真空吸着
する水平な円形のチャック２１に同心に真空吸着され、
チャック２１は、該チャック２１を回転するための図示
しないモータに連結する回転支持体２２に支持されてい
る。ウエハＷの上面には、フォトレジスト液２３を供給
するノズル１が、図示しない待機装置から移動してウエ
ハＷに対向する。
断面を模式的に示す図で、図中、ウエハＷは、真空吸着
する水平な円形のチャック２１に同心に真空吸着され、
チャック２１は、該チャック２１を回転するための図示
しないモータに連結する回転支持体２２に支持されてい
る。ウエハＷの上面には、フォトレジスト液２３を供給
するノズル１が、図示しない待機装置から移動してウエ
ハＷに対向する。
【０００４】ウエハＷがチャック２１に吸着されると、
ノズル１からフォトレジスト液２３が滴下される。そし
て、チャック２１がウエハＷと共に高速回転し、ウエハ
Ｗ上のフォトレジスト液２３はウエハＷの上面を遠心力
で放射状に広がり、ウエハＷの上面全域にわたって塗布
される。
ノズル１からフォトレジスト液２３が滴下される。そし
て、チャック２１がウエハＷと共に高速回転し、ウエハ
Ｗ上のフォトレジスト液２３はウエハＷの上面を遠心力
で放射状に広がり、ウエハＷの上面全域にわたって塗布
される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ノズルは、通常、塗布
作業の開始前は塗布作業とは作業環境条件が異なる図示
しない別の待機ポットに留め置かれているため、ノズル
先端部に付着しているフォトレジスト液が経時的に粘度
変化して定着し、ウエハ上への吐出不良を招来する。こ
のため、薬液塗布工程において、所定量の薬液を高精度
に吐出することができなくなり、レジスト膜厚（膜厚平
均値、面内均一性等）に影響し、再生率や製品歩留まり
の悪化を生じていた。これを防ぐためにダミーディスペ
ンス等が行われているが材料費用もかかり環境保全にも
適していない等の問題点があった。
作業の開始前は塗布作業とは作業環境条件が異なる図示
しない別の待機ポットに留め置かれているため、ノズル
先端部に付着しているフォトレジスト液が経時的に粘度
変化して定着し、ウエハ上への吐出不良を招来する。こ
のため、薬液塗布工程において、所定量の薬液を高精度
に吐出することができなくなり、レジスト膜厚（膜厚平
均値、面内均一性等）に影響し、再生率や製品歩留まり
の悪化を生じていた。これを防ぐためにダミーディスペ
ンス等が行われているが材料費用もかかり環境保全にも
適していない等の問題点があった。
【０００６】本発明は、かかる実情に鑑みてなされたも
ので、レジストノズルの待機中、該ノズルの待機環境条
件を管理することにより、前記ノズルに付着したフォト
レジスト液等の薬液の性質が経時的に変化するの防止し
た半導体製造装置を提供するものである。
ので、レジストノズルの待機中、該ノズルの待機環境条
件を管理することにより、前記ノズルに付着したフォト
レジスト液等の薬液の性質が経時的に変化するの防止し
た半導体製造装置を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、半導
体ウエハにノズルから薬液を供給する装置を有する半導
体製造装置であって、前記ノズルが薬液を供給しない休
止時に前記ノズルを待機させる待機装置を具備した半導
体製造装置において、前記待機装置に、前記ノズルの待
機時に密閉状態を保持する密閉手段と、前記薬液を溶解
する溶剤を収容する貯溜手段と、前記待機装置内の空気
をパージするガスの供給手段と、前記薬液を溶解する溶
剤の供給手段とを設け、前記待機装置を、前記薬液を供
給する装置と別体に構成したことを特徴とする。
体ウエハにノズルから薬液を供給する装置を有する半導
体製造装置であって、前記ノズルが薬液を供給しない休
止時に前記ノズルを待機させる待機装置を具備した半導
体製造装置において、前記待機装置に、前記ノズルの待
機時に密閉状態を保持する密閉手段と、前記薬液を溶解
する溶剤を収容する貯溜手段と、前記待機装置内の空気
をパージするガスの供給手段と、前記薬液を溶解する溶
剤の供給手段とを設け、前記待機装置を、前記薬液を供
給する装置と別体に構成したことを特徴とする。
【０００８】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、前記ガスの供給手段はガスの圧力可変装置を、前記
溶剤の供給手段は溶剤の流量可変装置をそれぞれ有し、
前記ガスの圧力及び前記溶剤の流量を制御可能としたこ
とを特徴とする。
て、前記ガスの供給手段はガスの圧力可変装置を、前記
溶剤の供給手段は溶剤の流量可変装置をそれぞれ有し、
前記ガスの圧力及び前記溶剤の流量を制御可能としたこ
とを特徴とする。
【０００９】請求項３の発明は、半導体ウエハにノズル
から薬液を供給する装置を有する半導体製造装置であっ
て、前記ノズルが薬液を供給しない休止時に前記ノズル
を待機させる待機装置を具備した半導体製造装置におい
て、前記待機装置に、前記ノズルの待機時に密閉状態を
保持する密閉手段と、前記薬液を溶解する溶剤を収容す
る貯溜手段と、前記待機装置内の空気をパージするガス
の供給手段と、前記薬液を溶解する溶剤の供給手段とを
設け、前記待機装置を、前記薬液を供給する装置と一体
に構成したことを特徴とする。
から薬液を供給する装置を有する半導体製造装置であっ
て、前記ノズルが薬液を供給しない休止時に前記ノズル
を待機させる待機装置を具備した半導体製造装置におい
て、前記待機装置に、前記ノズルの待機時に密閉状態を
保持する密閉手段と、前記薬液を溶解する溶剤を収容す
る貯溜手段と、前記待機装置内の空気をパージするガス
の供給手段と、前記薬液を溶解する溶剤の供給手段とを
設け、前記待機装置を、前記薬液を供給する装置と一体
に構成したことを特徴とする。
【００１０】請求項４の発明は、請求項３の発明におい
て、前記ガスの供給手段はガスの圧力可変装置を、前記
溶剤の供給手段は溶剤の流量可変装置をそれぞれ有し、
前記ガスの圧力及び前記溶剤の流量を制御可能としたこ
とを特徴とする。
て、前記ガスの供給手段はガスの圧力可変装置を、前記
溶剤の供給手段は溶剤の流量可変装置をそれぞれ有し、
前記ガスの圧力及び前記溶剤の流量を制御可能としたこ
とを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は、本発明が適用される半導
体製造装置の全体概略断面図で、図中、半導体製造装置
は、レジストノズル１及び図示しない真空吸着チャッ
ク、回転モータ等からなるフォトレジスト液２３を供給
する装置と、該装置と別体に構成され、レジストノズル
１がフォトレジスト液２３を供給しない休止時にレジス
トノズル１を待機させる待機ポット部２とから構成され
る。レジストノズル１は、システム制御部２６の制御の
もとに待機ポット部２から作業位置に移動し、ウエハＷ
と対峙する。フォトレジスト液２３は、タンク２４に収
容されており、システム制御部２６の制御によりポンプ
２５が稼動し、バルブ２７が制御されることにより所定
量のフォトレジスト液２３がウエハＷに吐出される。な
お、これらの制御は、制御盤２８から必要に応じ制御状
況を表示装置２９でモニタしながら行なう。
体製造装置の全体概略断面図で、図中、半導体製造装置
は、レジストノズル１及び図示しない真空吸着チャッ
ク、回転モータ等からなるフォトレジスト液２３を供給
する装置と、該装置と別体に構成され、レジストノズル
１がフォトレジスト液２３を供給しない休止時にレジス
トノズル１を待機させる待機ポット部２とから構成され
る。レジストノズル１は、システム制御部２６の制御の
もとに待機ポット部２から作業位置に移動し、ウエハＷ
と対峙する。フォトレジスト液２３は、タンク２４に収
容されており、システム制御部２６の制御によりポンプ
２５が稼動し、バルブ２７が制御されることにより所定
量のフォトレジスト液２３がウエハＷに吐出される。な
お、これらの制御は、制御盤２８から必要に応じ制御状
況を表示装置２９でモニタしながら行なう。
【００１２】図２は、本発明に係るレジストノズルの待
機ポット部の拡大断面図で、図中、待機ポット部２はレ
ジストノズル１を受け入れる開口部３及び後述する溶剤
１０を貯溜する容器部６を有する。開口部３にはＯリン
グ４が取付けられ、レジストノズル１がこのＯリング４
のリング部５に挿入されて待機ポット部２に待機中は気
密が保たれるようになっている。また、待機ポット部２
には内部空気をパージするガスパージ用のガス供給パイ
プ７及びフォトレジスト液２３を溶解する溶剤１０を供
給する溶剤供給パイプ８が接続されている。なお、９は
溶剤１０のドレインパイプである。
機ポット部の拡大断面図で、図中、待機ポット部２はレ
ジストノズル１を受け入れる開口部３及び後述する溶剤
１０を貯溜する容器部６を有する。開口部３にはＯリン
グ４が取付けられ、レジストノズル１がこのＯリング４
のリング部５に挿入されて待機ポット部２に待機中は気
密が保たれるようになっている。また、待機ポット部２
には内部空気をパージするガスパージ用のガス供給パイ
プ７及びフォトレジスト液２３を溶解する溶剤１０を供
給する溶剤供給パイプ８が接続されている。なお、９は
溶剤１０のドレインパイプである。
【００１３】レジストノズル１が、ウエハＷへのフォト
レジスト液２３の吐出作業を終了し、フォトレジスト液
２３の供給装置から待機ポット部２に移動すると、Ｏリ
ング４のリング部５に挿入され待機状態に入る。このと
き、これを制御、監視しているシステム制御部２６は、
図示しないガスパージ用ガス収容タンクからガス供給パ
イプ７を介してガスを待機ポット部２に供給し、待機ポ
ット部２内の空気をパージする。ガスパージ用ガスとし
ては、例えば、二窒素（Ｎ２）を使用し、溶剤１０は、
フォトレジスト液２３に乳酸エチルを使用する場合は、
乳酸エチル溶媒を使用する。
レジスト液２３の吐出作業を終了し、フォトレジスト液
２３の供給装置から待機ポット部２に移動すると、Ｏリ
ング４のリング部５に挿入され待機状態に入る。このと
き、これを制御、監視しているシステム制御部２６は、
図示しないガスパージ用ガス収容タンクからガス供給パ
イプ７を介してガスを待機ポット部２に供給し、待機ポ
ット部２内の空気をパージする。ガスパージ用ガスとし
ては、例えば、二窒素（Ｎ２）を使用し、溶剤１０は、
フォトレジスト液２３に乳酸エチルを使用する場合は、
乳酸エチル溶媒を使用する。
【００１４】また図示しない溶剤収容タンクから溶剤１
０が溶剤供給パイプ８を通じて待機ポット部２の容器部
６に供給され、貯溜されている。溶剤１０は、フォトレ
ジスト液２３を溶解する性質を有すると共に揮発性を有
するので、ノズル１に付着したフォトレジスト液２３
が、待機ポット部２内において溶剤１０の雰囲気下に曝
されるときは、ガスパージ用ガスと相俟ってフォトレジ
スト液２３の経時変化による固化などの現象を防ぐこと
ができる。溶剤１０は、レジスト溶媒又はレジスト液を
溶解する性質の高いものを選択、組み合わせて使用すれ
ばよい。なお、レジストコーティングの際のエッジリン
ス、バックリンスに使用するシンナーを溶剤１０として
使用することができる。
０が溶剤供給パイプ８を通じて待機ポット部２の容器部
６に供給され、貯溜されている。溶剤１０は、フォトレ
ジスト液２３を溶解する性質を有すると共に揮発性を有
するので、ノズル１に付着したフォトレジスト液２３
が、待機ポット部２内において溶剤１０の雰囲気下に曝
されるときは、ガスパージ用ガスと相俟ってフォトレジ
スト液２３の経時変化による固化などの現象を防ぐこと
ができる。溶剤１０は、レジスト溶媒又はレジスト液を
溶解する性質の高いものを選択、組み合わせて使用すれ
ばよい。なお、レジストコーティングの際のエッジリン
ス、バックリンスに使用するシンナーを溶剤１０として
使用することができる。
【００１５】ノズル１がＯリング４のリング部５に挿入
されている状態は、密閉状態にはあるが、リング部５と
レジストノズル１との間には若干の隙間があるため、完
全密閉状態にあるわけではない。このため待機ポット部
２内の環境条件は徐々に変化する。この変化に対応する
ため、システム制御部２６に、時間経過と待機ポット部
２内の環境条件変化に対応して、待機ポット部２内の環
境条件が一定に保たれるようなプログラムを記憶させ、
このプログラムに従ってガスの圧力や溶剤の流量を制御
する。
されている状態は、密閉状態にはあるが、リング部５と
レジストノズル１との間には若干の隙間があるため、完
全密閉状態にあるわけではない。このため待機ポット部
２内の環境条件は徐々に変化する。この変化に対応する
ため、システム制御部２６に、時間経過と待機ポット部
２内の環境条件変化に対応して、待機ポット部２内の環
境条件が一定に保たれるようなプログラムを記憶させ、
このプログラムに従ってガスの圧力や溶剤の流量を制御
する。
【００１６】即ち、プログラムとして、パージガスは絶
えず微量流し、溶剤１０は一定時間毎に供給を行うこと
を基本設定とする。このため、ガス供給パイプ７及び溶
剤供給パイプ８に、それぞれ、圧力可変可能なレギュレ
ータ及び流量可変調整可能なフローメーターを設置し、
パージガスの圧力及び溶剤１０の流量をシステム御装部
２６により制御する。さらに、基本的な設定以外に任意
にノズル先端レジストの経時変化に対応させるプログラ
ムを設定できる機能を有するように構成する。
えず微量流し、溶剤１０は一定時間毎に供給を行うこと
を基本設定とする。このため、ガス供給パイプ７及び溶
剤供給パイプ８に、それぞれ、圧力可変可能なレギュレ
ータ及び流量可変調整可能なフローメーターを設置し、
パージガスの圧力及び溶剤１０の流量をシステム御装部
２６により制御する。さらに、基本的な設定以外に任意
にノズル先端レジストの経時変化に対応させるプログラ
ムを設定できる機能を有するように構成する。
【００１７】図３は、本発明が適用される他の半導体製
造装置の全体概略構成図であり、図中、半導体製造装置
は、レジストノズル１及び図示しない真空吸着チャッ
ク、回転モータ等からなるフォトレジスト液２３を塗布
する装置が、レジストノズル１を待機させるポット部
２′（待機装置）内に構成されるよう一体として構成す
る。そして、ポット部２′に前記待機ポット部２と同様
の設備、つまりＯリング４、容器部６、ガス供給パイプ
７、溶剤供給パイプ８、ドレインパイプ９を設け、レジ
ストノズル１はフォトレジスト液２３を塗布する作業
時、及び塗布作業を行わない休止（待機）時とも、該ポ
ット部２′内に保持するようにする。
造装置の全体概略構成図であり、図中、半導体製造装置
は、レジストノズル１及び図示しない真空吸着チャッ
ク、回転モータ等からなるフォトレジスト液２３を塗布
する装置が、レジストノズル１を待機させるポット部
２′（待機装置）内に構成されるよう一体として構成す
る。そして、ポット部２′に前記待機ポット部２と同様
の設備、つまりＯリング４、容器部６、ガス供給パイプ
７、溶剤供給パイプ８、ドレインパイプ９を設け、レジ
ストノズル１はフォトレジスト液２３を塗布する作業
時、及び塗布作業を行わない休止（待機）時とも、該ポ
ット部２′内に保持するようにする。
【００１８】レジストノズル１が塗布作業を休止してい
る待機時は、前記待機ポット部２と同様に内部空気をパ
ージし、レジストノズル１が溶剤１０の雰囲気に曝され
るようにする。このときポット部２′の内部環境条件が
一定に保たれるようシステム制御部２６に備えたプログ
ラムによりパージガスの圧力及び溶剤１０の流量を制御
することにより管理する。
る待機時は、前記待機ポット部２と同様に内部空気をパ
ージし、レジストノズル１が溶剤１０の雰囲気に曝され
るようにする。このときポット部２′の内部環境条件が
一定に保たれるようシステム制御部２６に備えたプログ
ラムによりパージガスの圧力及び溶剤１０の流量を制御
することにより管理する。
【００１９】なお、フォトレジスト液を塗布する装置と
待機装置を一体構成とする場合、図３には示していない
が、容器部１０の設置位置、形状、構造は設計的に任意
に構成することができる。
待機装置を一体構成とする場合、図３には示していない
が、容器部１０の設置位置、形状、構造は設計的に任意
に構成することができる。
【００２０】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、薬液を供給し
ない休止時にノズルを溶剤雰囲気中に保持するので、ノ
ズルに付着した薬液の経時変化を防止することができる
とともに、薬液供給装置と待機装置を別体に構成したの
で、設備構成が簡単になり、保守、管理が容易になる。
ない休止時にノズルを溶剤雰囲気中に保持するので、ノ
ズルに付着した薬液の経時変化を防止することができる
とともに、薬液供給装置と待機装置を別体に構成したの
で、設備構成が簡単になり、保守、管理が容易になる。
【００２１】請求項２の発明によれば、請求項１の発明
の効果に加えて、溶剤雰囲気を一定に維持するためのタ
イミング、シーケンスが任意に設定でき、溶剤雰囲気の
保守、管理が容易になる。
の効果に加えて、溶剤雰囲気を一定に維持するためのタ
イミング、シーケンスが任意に設定でき、溶剤雰囲気の
保守、管理が容易になる。
【００２２】請求項３の発明によれば、薬液を供給しな
い休止時にノズルを溶剤雰囲気中に保持するので、ノズ
ルに付着した薬液の経時変化を防止することができると
ともに、薬液供給装置と待機装置を一体構成としたの
で、ノズルを、薬液を供給しない休止時に別の待機装置
に移動させる必要がなく作業性が向上する。
い休止時にノズルを溶剤雰囲気中に保持するので、ノズ
ルに付着した薬液の経時変化を防止することができると
ともに、薬液供給装置と待機装置を一体構成としたの
で、ノズルを、薬液を供給しない休止時に別の待機装置
に移動させる必要がなく作業性が向上する。
【００２３】請求項４の発明によれば、請求項３の発明
の効果に加えて、溶剤雰囲気を一定に維持するためのタ
イミング、シーケンスが任意に設定でき、溶剤雰囲気の
保守が容易になる。
の効果に加えて、溶剤雰囲気を一定に維持するためのタ
イミング、シーケンスが任意に設定でき、溶剤雰囲気の
保守が容易になる。
【図１】本発明が適用される半導体製造装置の全体概略
構成図である。
構成図である。
【図２】本発明に係るレジストノズルの待機ポット部の
拡大断面図である。
拡大断面図である。
【図３】本発明が適用される他の半導体製造装置の全体
概略構成図である。
概略構成図である。
【図４】従来のフォトレジストコーターの断面を模式的
に示す図である。
に示す図である。
１…レジストノズル、２…待機ポット部、３…開口部、
４…Ｏリング、５…リング部、６…容器部、７…ガス供
給パイプ、８…溶剤供給パイプ、９…ドレインパイプ、
１０…溶剤、２６…システム制御部、２７…バルブ、２
８…制御盤、２９…表示装置、Ｗ…ウエハ
４…Ｏリング、５…リング部、６…容器部、７…ガス供
給パイプ、８…溶剤供給パイプ、９…ドレインパイプ、
１０…溶剤、２６…システム制御部、２７…バルブ、２
８…制御盤、２９…表示装置、Ｗ…ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６９Ｃ Ｆターム(参考） 2H025 EA05 2H096 CA14 4D075 AC64 AC84 AC93 AC94 AC95 BB65Z CA48 DA08 DB14 DC22 EA45 4F042 AA07 BA06 BA12 CC08 EB25 5F046 JA02 JA27 LA04 LA19
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体ウエハにノズルから薬液を供給す
る装置を有する半導体製造装置であって、前記ノズルが
薬液を供給しない休止時に前記ノズルを待機させる待機
装置を具備した半導体製造装置において、前記待機装置
に、 前記ノズルの待機時に密閉状態を保持する密閉手段と、 前記薬液を溶解する溶剤を収容する貯溜手段と、 前記待機装置内の空気をパージするガスの供給手段と、 前記薬液を溶解する溶剤の供給手段とを設け、前記待機
装置を、前記薬液を供給する装置と別体に構成したこと
を特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体製造装置におい
て、前記ガスの供給手段はガスの圧力可変装置を、前記
溶剤の供給手段は溶剤の流量可変装置をそれぞれ有し、
前記ガスの圧力及び前記溶剤の流量を制御可能としたこ
とを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項３】 半導体ウエハにノズルから薬液を供給す
る装置を有する半導体製造装置であって、前記ノズルが
薬液を供給しない休止時に前記ノズルを待機させる待機
装置を具備した半導体製造装置において、前記待機装置
に、 前記ノズルの待機時に密閉状態を保持する密閉手段と、 前記薬液を溶解する溶剤を収容する貯溜手段と、 前記待機装置内の空気をパージするガスの供給手段と、 前記薬液を溶解する溶剤の供給手段とを設け、前記待機
装置を、前記薬液を供給する装置と一体に構成したこと
を特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項４】 請求項３記載の半導体製造装置におい
て、前記ガスの供給手段はガスの圧力可変装置を、前記
溶剤の供給手段は溶剤の流量可変装置をそれぞれ有し、
前記ガスの圧力及び前記溶剤の流量を制御可能としたこ
とを特徴とする半導体製造装置。
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| JP2000013356A JP2001203151A (ja) | 2000-01-21 | 2000-01-21 | 半導体製造装置 |
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