KR20040105073A - 포토레지스트 도포 장치 - Google Patents

포토레지스트 도포 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼 상에 포토레지스트를 도포하는 포토레지스트 도포 장치에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼가 탑재되는 웨이퍼 척과, 그 웨이퍼 척에 결합되어 회전력을 전달하는 회전축과, 회전축에 회전력을 인가하는 구동 전동기와, 반도체 웨이퍼의 표면에 포토레지스트를 도포하는 포토레지스트 공급 노즐과, 웨이퍼 척의 회전시 도포되는 포토레지스트가 주위에 튀는 것을 제한하는 하우징과, 대기 상태의 포토레지스트 공급 노즐이 안착되는 노즐 스테이지를 포함하는 노즐 홈 베이스를 구비하는 포토레지스트 도포 장치에 있어서, 노즐 스테이지의 포토레지스트 공급 노즐 대기 위치의 하부에 포토레지스트 공급 노즐로부터의 포토레지스트 떨어짐을 감지하는 누출 감지 센서가 설치된 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 포토레지스트가 항온수와 혼합되는 경우 사전에 이를 감지하여 후속으로 진행되는 포토레지스트 도포 과정에서 노즐의 이동 중에 포토레지스트가 반도체 웨이퍼에 떨어져 발생되는 불량을 방지할 수 있다.

Description

포토레지스트 도포 장치{Apparatus for coating photo resist}
본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 웨이퍼 상에 포토레지스트를 도포하는 포토레지스트 도포 장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼에 집적회로를 형성하기 위한 웨이퍼 제조 공정(fabrication process)은 실리콘 기판에 산화막을 성장시키고 불순물을 침적시키며 침적된 불순물을 실리콘 기판 내로 원하는 깊이까지 침투시키는 확산 공정과, 식각이나 이온주입이 될 부위의 보호 부위를 선택적으로 한정하기 위해 마스크(mask)나 레티클(reticle)의 패턴을 웨이퍼 위에 만드는 사진 공정, 포토레지스트 막질에 대한 현상이 끝난 후 포토레지스트 막질 밑에 성장되거나 침적 또는 증착된 박막들을 가스나 화학약품을 이용하여 선택적으로 제거하는 식각 공정, 및 화학기상증착(CVD; Chemical Vapor Deposition)이나 이온 주입 또는 금속 증착 방법을 이용하여 특정한 막을 형성시키는 박막 공정 등의 단위 공정을 포함한다.
이와 같은 단위 공정들 중 사진 공정에서는 반도체 웨이퍼에 균일한 두께의 포토레지스트 막질을 형성하기 위하여 스핀 코팅(spin coating) 방식의 포토레지스트 도포 장치의 사용이 일반화되어 있다. 스핀 코팅 방식의 포토레지스트 도포 장치는 반도체 웨이퍼를 회전시키고 그 상태에서 반도체 웨이퍼의 표면에 포토레지스트를 떨어뜨려 회전력과 원심력에 의해 포토레지스트가 균일한 두께로 코팅되는 장치이다.
도 1은 종래 기술에 따른 포토레지스트 코팅 장치의 일 예를 나타낸 개략 구성도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 포토레지스트 도포 장치(200)는 사발(bowl) 형태로 된 하우징(210)과, 하우징(210) 내측에 포토레지스트가 하우징에 묻는 것을 방지하기 위한 내부 하우징(210a)이 설치되어 있고 그 하우징(210)의 내부에 설치되며 외부로부터 이송된 반도체 웨이퍼(10)가 진공 흡입되어 안착되는 웨이퍼 척(211)과, 그 웨이퍼 척(211)을 회전시키는 회전축(212)과 구동 전동기(213)와, 웨이퍼 척(211)의 상부에서 포토레지스트를 떨어뜨려 주는 포토레지스트 공급 노즐(214) 및 대기상태의 포토레지스트 공급 노즐(214)이 위치하는 노즐 홈 베이스(nozzle home base; 220) 등을 포함하여 구성된다.
반도체 웨이퍼(10)가 웨이퍼 척(211)에 탑재되어 진공 압력에 의해 고정된 상태에서 구동 전동기(213)의 동작에 따라 회전축(212)이 회전되어 웨이퍼 척(211)에 회전력이 인가된다. 웨이퍼 척(211)은 회전되며 탑재되어 있는 반도체 웨이퍼(10)를 회전시키게 된다. 이때, 반도체 웨이퍼(10)의 상부에서 포토레지스트 공급 노즐(214)로부터 포토레지스트(230)가 반도체 웨이퍼(10) 표면에 도포된다. 반도체 웨이퍼 표면에 도포된 포토레지스트(230)는 웨이퍼 척(211)의 회전력에 의해 필요한 정도의 일정한 두께를 갖게 된다.
반도체 웨이퍼(10)에 포토레지스트(230)의 도포가 완료되면 포토레지스트 공급 노즐(214)이 대기 상태의 위치인 노즐 홈 베이스(220)로 이동된다. 이동된 노즐(214)들은 노즐 홈 베이스(220)에서 대기된다. 노즐 스테이지(221)에서노즐(214)들은 외부 환경으로부터 어느 정도 차단되며 작업 대기 중에 감광액이 경화되어 노즐이 막히지 않도록 일정 주기로 포토레지스트가 배출되는 더미 디스펜싱(dummy dispensing)이 이루어진다.
이와 같은 종래의 포토레지스트 도포 장치에서 포토레지스트 공급 노즐은 포토레지스트가 공급되는 포토레지스트 공급라인과 공급되는 포토레지스트의 온도를 제어하기 위하여 항온수가 공급라인을 둘러싸도록 하는 구조를 갖는다. 별도의 제어기를 통하여 노즐로 공급되는 항온수의 온도를 제어함으로써 노즐을 통하여 공급되는 감광액의 온도가 일정 수준으로 유지되도록 구성되어 있다.
그런데, 전술한 바와 같은 종래의 포토레지스트 도포 장치는 포토레지스트가 공급되는 공급라인과 항온수 공급라인이 찢김으로 인하여 포토레지스트와 항온수가 서로 혼합되는 경우가 발생된다. 항온수가 포토레지스트에 유입될 경우 포토레지스트의 점도가 낮아져 포토레지스트 공급 노즐의 이동 중에 반도체 웨이퍼에 포토레지스트를 떨어뜨리는 문제가 발생된다. 종래의 포토레지스트 도포 장치의 경우 항온수가 포토레지스트 공급 노즐에 유입될 경우에 대한 모니터링(monitoring)이 가능하지 않기 때문에 목적하는 포토레지스트 막질의 형성이 이루어지지 않아 품질 불량을 발생시키게 된다.
따라서 본 발명의 목적은 항온수가 포토레지스트에 혼합되어 발생되는 공정 불량을 사전 감지하여 후속으로 진행되는 포토레지스트 도포에서의 불량 발생을 방지할 수 있는 포토레지스트 도포 장치를 제공하는 데에 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 포토레지스트 코팅 장치의 일 예를 나타낸 개략 구성도,
도 2는 본 발명에 포토레지스트 도포 장치의 제 1실시예를 나타낸 개략 구성도, 및
도 3은 본 발명에 따른 포토레지스트 도포 장치의 제 2실시예를 나타낸 개략 구성도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10; 반도체 웨이퍼 100,200; 포토레지스트 도포 장치
110,210; 하우징 111,211; 웨이퍼 척
112,212; 회전축 113,213; 구동 전동기(motor)
114,214; 포토레지스트 공급 노즐 115; 포토레지스트
117; 포토레지스트 공급라인 119; 항온수 공급라인
120,220; 노즐 홈 베이스 121,221; 노즐 스테이지
123,223; 안내 구멍(guide hole) 131; 누출 감지 센서
132; 브라킷(bracket) 133; 보호 덮개
135; 보호덮개 이동수단 137; 브라킷 이동수단
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 포토레지스트 도포 장치는, 반도체 웨이퍼가 탑재되는 웨이퍼 척과, 그 웨이퍼 척에 결합되어 회전력을 전달하는 회전축과, 회전축에 회전력을 인가하는 구동 전동기와, 반도체 웨이퍼의 표면에 포토레지스트를 도포하는 포토레지스트 공급 노즐과, 웨이퍼 척의 회전시 도포되는 포토레지스트가 주위에 튀는 것을 제한하는 하우징과, 대기 상태의 포토레지스트 공급 노즐이 안착되는 노즐 스테이지를 포함하는 노즐 홈 베이스를 구비하는 포토레지스트 도포 장치에 있어서, 노즐 스테이지의 포토레지스트 공급 노즐 대기 위치의 하부에 포토레지스트 공급 노즐로부터의 포토레지스트 떨어짐을 감지하는 누출 감지 센서가 설치된 것을 특징으로 한다.
바람직하게는 누출 감지 센서를 덮는 보호 덮개와 그 보호 덮개와 결합되어 운동시키는 보호덮개 이동수단을 포함하도록 하거나, 누출 감지 센서가 브라킷에 고정되고 그 브라킷을 이동시키는 브라킷 이동수단을 포함하도록 하여, 더미 디스펜싱이 진행될 때 누출 감지 센서로 포토레지스트가 떨어지는 것을 방지한다. 누출 감지 센서는 포토레지스트 공급 노즐의 수와 동일한 개수로 설치되며, 누출 감지 센서로는 액체 감지 센서가 적용될 수 있다.
이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명에 따른 본 발명에 따른 포토레지스트 도포 장치의 실시예를 소개하기로 한다.
도 2는 본 발명에 포토레지스트 도포 장치의 제 1실시예를 나타낸 개략 구성도이다.
도 2에 도시된 본 발명에 따른 포토레지스트 도포 장치(100)는 사발(bowl) 형태의 하우징(110)과, 하우징(110) 내측에 포토레지스트가 하우징에 묻는 것을 방지하기 위한 내부 하우징(110a)과, 내부 하우징(110a)의 내부에 설치되며 외부로부터 이송된 반도체 웨이퍼(10)가 탑재되어 진공 흡입에 의해 고정되는 웨이퍼 척(111)과 웨이퍼 척(111)에 회전력을 전달하는 회전축(112)과 그 회전축(112)에 회전력을 인가하는 구동 전동기(113)와 웨이퍼 척(111)의 상부에서 반도체 웨이퍼(10)에 포토레지스트를 공급하는 복수 개의 포토레지스트 공급 노즐(114) 및 대기 상태의 포토레지스트 공급 노즐(114)들이 가이드 홀(123)에 삽입되어 대기되는 노즐 스테이지(121)를 포함하는 노즐 홈 베이스(120) 등을 포함하여 구성되어 있다.
노즐 스테이지(121)의 포토레지스트 공급 노즐(114)들의 대기 위치, 즉 각각의 가이드 홀(123)들의 하부에는 누출 감지 센서(131)들이 브라킷(133)에 고정되도록 설치되어 있다. 노즐 홈 베이스(120)에는 브라킷(131)과 포토레지스트 공급 노즐(114)의 사이로 이동되는 보호 덮개(135)와 그와 결합되어 이동시키는 보호덮개 이동수단(137)이 설치되어 있다. 여기서, 보호덮개 이동수단으로는 공압 실린더가 사용될 수 있다.
포토레지스트에 항온수가 유입된 경우 노즐 홈 베이스(120)의 노즐 스테이지(121)에 포토레지스트 공급 노즐(114)이 대기되고 있는 동안 떨어지게 된다. 이때 누출 감지 센서(131)에 포토레지스트가 떨어지게 되어 감지된다. 그리고, 누출 감지 센서(131)의 감지 신호에 따라 포토레지스트 도포 장치(100)의 동작이멈추어지거나 작업자가 알 수 있도록 경보음이나 경보등이 발생된다. 이에 따라, 작업자가 적절한 조치를 취할 수 있게 되어 후속 공정에서의 포토레지스트 도포 불량이 방지된다.
한편, 정상적인 대기 상태에서 보호 덮개(135)가 누출 감지 센서(121) 상부를 가리지 않도록 후진되어 있다가 더미 디스펜싱이 진행되는 경우 보호 덮개(135)가 전진되어 누출 감지 센서(131) 상부를 덮는다. 이에 따라 누출 감지 센서(131)의 오동작이 방지된다.
도 3은 본 발명에 따른 포토레지스트 도포 장치의 제 2실시예를 나타낸 개략 구성도이다.
도 3에 도시된 본 발명에 따른 포토레지스트 도포 장치(150)는, 전술한 실시예와 달리 누출 감지 센서(181)가 설치되는 브라킷(183)과 그를 이동시키기 위한 브라킷 이동 수단(187)을 포함하여 구성된다. 더미 디스펜싱이 진행되는 동안에는 브라킷(183)이 후진되어 누출 감지 센서(181)를 포토레지스트 공급 노즐(114)의 하부로부터 외측으로 이동되어 더미 디스펜싱 진행 시에 떨어지는 포토레지스트에 의해 누출 감지 센서(181)가 동작되는 않도록 구성된다.
전술한 실시예들에서와 같이 본 발명에 따른 솔더 레지스트 도포 장치의 경우, 대기 상태의 포토레지스트 공급 노즐로부터의 포토레지스트 누출이 발생되면, 누출 감지 센서에 의해 감지된다. 그리고, 더미 디스펜싱이 진행될 대는 보호덮개로 덮여져 보호되거나 포토레지스트 공급 노즐의 하부로부터 이동되어 누출 감지 센서의 감지가 이루어지지 않도록 된다.
이상과 같은 본 발명에 따른 포토레지스트 도포 장치에 의하면, 포토레지스트가 항온수와 혼합되는 경우 사전에 이를 감지하여 후속으로 진행되는 포토레지스트 도포 과정에서 노즐의 이동 중에 포토레지스트가 반도체 웨이퍼에 떨어져 발생되는 불량을 방지할 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 포토레지스트 도포 장치는 전술한 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 중심사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있음은 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.

Claims (5)

  1. 반도체 웨이퍼가 탑재되는 웨이퍼 척과, 그 웨이퍼 척에 결합되어 회전력을 전달하는 회전축과, 회전축에 회전력을 인가하는 구동 전동기와, 반도체 웨이퍼의 표면에 포토레지스트를 도포하는 포토레지스트 공급 노즐과, 웨이퍼 척의 회전시 도포되는 포토레지스트가 주위에 튀는 것을 제한하는 하우징과, 대기 상태의 포토레지스트 공급 노즐이 안착되는 노즐 스테이지를 포함하는 노즐 홈 베이스를 구비하는 포토레지스트 도포 장치에 있어서, 노즐 스테이지의 포토레지스트 공급 노즐 대기 위치의 하부에 포토레지스트 공급 노즐로부터의 포토레지스트 떨어짐을 감지하는 누출 감지 센서가 설치된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 도포 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 누출 감지 센서를 덮는 보호 덮개와 그 보호 덮개와 결합되어 운동시키는 보호덮개 이동수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 도포 장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 누출 감지 센서가 브라킷에 고정되고 그 브라킷을 이동시키는 브라킷 이동수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 도포 장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 누출 감지 센서는 상기 포토레지스트 공급 노즐의 수와 동일한 개수로 설치된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 도포 장치.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 누출 감지 센서는 액체 감지 센서인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 도포 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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