KR101009965B1 - 배기 조절 장치 - Google Patents

배기 조절 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101009965B1
KR101009965B1 KR1020100078790A KR20100078790A KR101009965B1 KR 101009965 B1 KR101009965 B1 KR 101009965B1 KR 1020100078790 A KR1020100078790 A KR 1020100078790A KR 20100078790 A KR20100078790 A KR 20100078790A KR 101009965 B1 KR101009965 B1 KR 101009965B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
exhaust
cleaning material
hole
cleaning
exhaust line
Prior art date
Application number
KR1020100078790A
Other languages
English (en)
Inventor
서부길
Original Assignee
서부길
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서부길 filed Critical 서부길
Priority to KR1020100078790A priority Critical patent/KR101009965B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101009965B1 publication Critical patent/KR101009965B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/02—Cleaning by the force of jets, e.g. blowing-out cavities

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

개시된 본 발명의 배기 조절 장치는, 기판 처리 장치에 연결된 제1배기라인과 메인 유틸리티에 연결되는 제2배기라인 상에 설치되어 상기 기판 처리 장치에서 발생되는 케미컬 흄의 배기량을 조절하는 배기 조절 장치에 있어서, 축고정홀과, 상기 제1배기라인과 상기 제2배기라인을 연결하는 배기홀이 형성된 몸체; 및 구동모터의 구동력을 전달받아 상기 몸체 내에 회전가능하게 상기 축고정홀에 설치되는 회전축과 상기 회전축과 함께 회전되어 상기 배기홀의 개구율을 제어하여 상기 케미컬 흄의 배기량을 조절하는 회전판을 구비하는 배기량 조절부재;를 포함하되, 상기 몸체는 상기 축고정홀에 연통되는 세척물질 공급경로가 형성되며, 상기 세척물질 공급경로로 공급되는 세척물질은 상기 회전축 및 회전판에 흡착되는 상기 케미컬 흄을 세척할 수 있다.

Description

배기 조절 장치{EXHAUST CONTROL APPARATUS}
본 발명은 배기 조절 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 웨이퍼 공정에서 발생되는 케미컬 흄(chemical fune)을 배기하는 배기 조절 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조공정은 반도체 웨이퍼 상에 증착을 통해 성장시킨 박막에 감광물질을 도포하고 패턴 마스크를 통해 감광물질을 노광한 후 화학약품으로 식각하여 잔여 감광물질을 제거함으로써 원하는 패턴을 형성하는 패턴처리공정을 포함한다. 패턴처리공정은 식각 후 웨이퍼 상의 이물질을 제거하기 위하여 세정, 린스 및 건조 등의 후처리 작업을 포함한다.
반도체 웨이퍼용 웨트 스테이션(wet station)은 식각, 세정, 린스, 건조 등에서 발생되는 케미컬 흄(chemical fume)을 메인 유틸리티(main utility)를 통해 배기되도록 하는 배기 유닛을 구비한다. 배기 유닛은 웨트 스테인션과 메인 유틸리티에 연결되는 배기라인과 배기라인의 배기량을 조절하는 배기량 조절부재를 가진다.
도 1은 종래의 일반적인 배기량 조절부재를 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래의 일반적인 배기량 조절부재(10a)는 배기라인(1) 내부에 위치되어 설치된다. 배기량 조절부재(10a)는 배기라인(1) 내 원형 회전판(10a')을 설치하고 회전판(10a')의 회전에 의해 배기라인(1)의 배기량을 조절한다.
그런데, 이러한 배기량 조절부재를 가지는 배기유닛은 유체에 의해 배기량 조절부재의 오동작이 발생된다. 예를들면, 배기라인(1)이 산성 및 알칼리성의 약액(chemical)을 사용하여 기판을 처리하는 장치로부터 케미컬 흄을 배출시키는 배기라인인 경우, 배기되는 흄에 의해 배기량 조절부재(10a)가 오염될 수 있다.
특히 회전판(10a') 및 회전판(10')에 회전력을 전달하는 회전축에 케미컬 흄이 흡착되면 회전판(10a') 및 회전축이 부식될 뿐만 아니라 회전판(10a')의 회전이 원활하게 이루어지지 못하여 정확한 배기량 제어가 어려운 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 전자밸브를 제어하여 배기량 조절부재에 세척물질을 분사하는 배기 조절 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명의 배기 조절 장치는, 기판 처리 장치에 연결된 제1배기라인과 메인 유틸리티에 연결되는 제2배기라인 상에 설치되어 상기 기판 처리 장치에서 발생되는 케미컬 흄의 배기량을 조절하는 배기 조절 장치에 있어서, 축고정홀과, 상기 제1배기라인과 상기 제2배기라인을 연결하는 배기홀이 형성된 몸체; 및 구동모터의 구동력을 전달받아 상기 몸체 내에 회전가능하게 상기 축고정홀에 설치되는 회전축과 상기 회전축과 함께 회전되어 상기 배기홀의 개구율을 제어하여 상기 케미컬 흄의 배기량을 조절하는 회전판을 구비하는 배기량 조절부재;를 포함하되, 상기 몸체는 상기 축고정홀에 연통되는 세척물질 공급경로가 형성되며, 상기 세척물질 공급경로로 공급되는 세척물질은 상기 회전축 및 회전판에 흡착되는 상기 케미컬 흄을 세척할 수 있다.
상기 세척물질 공급경로 상에는 상기 세척물질의 공급을 단속하는 적어도 하나의 전자밸브가 설치되고, 상기 배기홀에 인접하여 상기 배기량의 배기압을 검출하여 제어부로 제공하는 압력센서가 설치되며, 상기 제어부는 상기 배기압에 응답하여 상기 전자밸브를 제어할 수 있다.
상기 축고정홀에는 적어도 하나의 실링부재가 설치되는 것이 바람직하다.
상기 세척물질은 초순수(DIW), 건조가스(Dry Gas) 및 세정액 중 어느 하나일 수 있다.
상술한 본 발명의 배기 조절 장치는, 전자밸브를 제어하여 배기량 조절부재에 세척물질을 분사할 수 있으므로 기판 처리 장치에서 배출되는 케미컬 흄에 의한 배기량 조절부재의 오염을 사전에 방지할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 일반적인 배기량 조절부재를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 배기 조절 장치의 구성을 도시한 사시도이다.
도 4는 도 3의 A-A' 지시선에 따른 배기 조절 장치의 단면도이다.
도 5는 도 3의 B-B' 지시선에 따른 배기 조절 장치의 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대해 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어 이해를 용이하게 하기 위하여 동일한 수단에 대하여 동일한 참조 번호를 사용한다. 본 명세서의 설명 과정에서 이용되는 숫자, 예를 들면, 제1, 제2 등은 동일 또는 유사한 개체를 구분하기 위한 식별 기호에 불과하다.
본 실시예에서는 반도체 기판을 습식으로 처리하는 장치를 예를 들어 설명하였으나, 본 발명은 화학적 처리액을 사용하여 케미컬 흄(chemical fume)이 발생되는 기판을 처리하는 모든 기판 처리 장치에 적용될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치(10)는, 세정 장치(100)와 자동 배기 조절 장치(200)를 포함한다.
상기 세정장치(100)는 기판(W)을 습식으로 처리하는 공정을 수행하는 장치로서, 내부에 기판(W)을 세정하는 공간을 제공하는 용기(vessel; 110), 용기(110) 내부에서 기판(W)을 지지하는 척(chuck; 120), 척(120)을 회전시켜 기판(W)을 설정된 회전속도로 회전시키는 구동부(driving member; 130), 기판(W)의 처리면에 처리유체를 분사하는 분사노즐(injection nozzle; 140)을 포함한다.
처리유체는 다양한 종류의 약액, 초순수(DIW; Deionized Water) 및 건조가스(dry gas)가 사용될 수 있다. 약액은 포토레지스트(photoresist), 세정액, 및 식각액 등이 포함될 수 있다. 용기(110) 내측 벽에는 상하로 적층되는 회수통들(112, 114, 116)이 구비된다. 구동부(130)는 기판(W)으로부터 비산되는 처리액을 회수통들(112, 114, 116) 중 어느 하나로 유입되도록 척(120)의 높이를 조절할 수 있다.
상기 배기 조절 장치(200)는 회수통들(112, 114, 116) 내 공간과 연통되도록 기판 처리 장치(100)에 연결된 제1배기라인(150)과 메인 유틸리티(미도시)에 연결되는 제2배기라인(152)에 연결되어, 세정장치(100)에서 발생되는 케미컬 흄의 배기를 수행한다. 세정장치(100)에서 사용되는 약액은 산성 및 알칼리성의 케미컬들이 사용되므로 이들로부터 발생되는 유독성 케미컬 흄은 제1배기라인(150)에 연결된 자동 배기 조절 장치(200)를 통해 제2배기라인(152)으로 배출될 수 있다.
제1배기라인(150) 또는 제2배기라인(152)에는 진공펌프(vacuum pump; 미도시)가 설치될 수 있다. 진공펌프는 제1배기라인(150) 및 제2배기라인(152)에 유동압을 제공하여 제1배기라인(150) 및 제2배기라인(152)가 세정 장치(100)에서 발생된 케미컬 흄을 강제로 흡입하도록 한다.
도 3은 도 2에 도시된 배기 조절 장치의 구성을 도시한 사시도이고, 도 4는 도 3의 A-A' 지시선에 따른 배기 조절 장치의 단면도이고, 도 5는 도 3의 B-B' 지시선에 따른 배기 조절 장치의 단면도이다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 자동 배기 조절 장치(200)는 세정 장치(100)에 연결된 제1배기라인(150)과 메인 유틸리티(미도시)에 연결되는 제2배기라인(152) 상에 설치되어 세정 장치(100)에서 발생되는 케미컬 흄의 배기량을 조절하는 배기 조절 장치로서, 헤드(210), 몸체(220), 배기량 조절부재(240) 및 제어부(250)를 포함한다.
상기 헤드(210)는 구동력을 제공하는 구동모터(212)가 설치되고, 구동모터(212)에 인접하여 구동모터(212)의 원점 위치를 검출하여 제어부(250)로 제공하는 모터 원점 센서(252)가 설치된다. 구동모터(212)는 배기량 조절부재(240)의 회전축(242)과 연결부(214)를 통해 연결된다.
상기 몸체(220)는 배기량 조절부재(240)의 회전축(242)이 회전가능하게 고정되는 축고정홀(225), 제1연결관(230)과 제2연결관(232)을 연결하는 배기홀(221) 및 축고정홀(225)에 연통되는 세척물질 공급경로(222)가 형성된다. 제1연결관(230)은 제1배기라인(150)에 연결되고, 제2연결관(232)은 제2배기라인(152)에 연결된다. 상기 세척물질은 초순수(DIW; Deionized Water), 건조가스(Dry Gas) 및 세정액 중 어느 하나일 수 있다.
세척물질 공급라인(224)에 연결된 세척물질 공급경로(222) 상에는 제어부(250)의 제어에 따라 세척물질의 공급을 단속하는 적어도 하나의 전자밸브(solenoid vavle; 256)가 설치되는 것이 바람직하다. 배기홀(221)에 인접한 제2연결관(232) 내부에 배기홀(221)의 배기압을 검출하여 제어부(250)로 제공하는 압력센서(254)가 설치된다. 축고정홀(225)에는 회전축(242)을 감싸는 적어도 하나의 링 형상(ring type)의 실링부재(224)가 설치된다.
상기 배기량 조절부재(240)는 구동모터(212)의 구동력을 전달받아 몸체(220) 내에 회전가능하게 축고정홀(225)에 설치되는 회전축(242)과, 회전축(242)과 함께 회전되어 배기홀(221)의 개구율을 제어하여 케미컬 흄의 배기량을 조절하는 회전판(244)을 구비한다.
상기 제어부(250)는 압력센서(254)로부터 검출된 배기홀(221)의 배기압에 응답하여 전자밸브(254)를 제어하고, 모터 원점 센서(252)로부터 검출된 위치 정보에 응답하여 구동모터(212)의 회전방향 및 회전수를 제어한다.
이하 본 발명의 일실시예에 따른 배기 조절 장치의 동작 과정을 설명한다.
기판 처리 공정이 개시되면, 기판 이송 장치(미도시)는 세정 장치(100)의 척(120)에 기판(W)을 안착시키고, 구동부(130)는 척(120)을 회전시킨다. 분사노즐(140)은 기판(W) 처리 면에 약액을 분사하고 분사된 약액은 원심력에 의해 기판(W)으로 부터 비산되어 회수통들(112, 114, 116)로 각각 회수된다. 약액에 의한 기판(W) 처리가 완료되면, 분사노즐(140)은 기판에 초순수 및 건조가스를 분사하여 기판(W)을 약액을 씻어(rinse)낸 후 건조시킨다. 건조가 완료되면 기판 이송 장치는 기판(W)을 언로딩(unloading)하여 후속공정이 수행되는 설비로 이송한다.
상술한 기판 처리 공정에서 배기 조절 장치(200)는 세정 장치(100)의 세정 공정 시 발생되는 케미컬 흄의 배기량을 조절한다. 구체적으로 배기량 조절 과정은 다음과 같다. 먼저 배기량을 증가시킬 경우 제어부(250)는 구동모터(212)를 구동시켜 배기량 조절부재(240)의 회전판(244)이 배기홀(221)을 덮는 개구율이 증가하도록 회전판(244)을 회전시킨다. 다음으로 배기량을 감소시킬 경우 제어부(250)는 구동모터(212)를 구동시켜 배기량 조절부재(240)의 회전판(244)이 배기홀(221)을 덮는 개구율을 감소하도록 회전판(244)을 회전시킨다. 제어부(250)는 모터 원점 센서(252)로부터 제공되는 위치정보를 이용하여 회전판(244)의 회전각도량을 적절하게 제어할 수 있다.
또한 상술한 기판 처리 공정에서 배기 조절 장치(200)는 세정 장치(100)의 세정 공정 시 발생되는 케미컬 흄의 배기량이 일정하도록 케미컬 흄의 배기량을 조절할 수도 있다. 예를 들면, 제어부(250)는 압력센서(254)로부터 제공되는 배기압과 미리 설정된 기준 배기압을 비교함을 통하여 배기홀(221)의 배기압이 일정하게 유지되도록 배기량 조절부재(240)의 회전판(244)을 적절한 방향과 각도로 회전시킴으로써 케미컬 흄의 배기량을 일정하게 유지할 수 있다.
한편, 제어부(250)는 세정 장치(100)의 세정 공정 시 발생되는 케미컬 흄의 배기량을 조절하는 과정에서, 회전판(244)의 회전각도량과 배기홀(221)의 배기압의 관계가 미리 예측된 관계를 벗어나는 경우 배기량 조절부재(240)가 케미컬 흄에 의해 흡착된 오동작 발생 가능 상태로 판단할 수 있다. 예를들면, 제어부(250)는 구동모터(212)를 구동시켜 회전판(244)이 배기홀(221)을 덮는 개구율이 증가하도록 회전판(244)을 회전시켰음에서 배기홀(221)의 배기압이 증가하지 않으며 배기량 조절부재(240)가 케미컬 흄에 의해 흡착된 비정상적인 상태로 판단하고, 전자밸브(256)를 제어하여 세척물질공급경로(222)를 통해 세척물질이 배기량 조절부재(240)의 회전축(242) 및 회전판(244)에 분사되도록 한다. 세척물질공급경로(222)를 통해 분사된 세척물질은 배기량 조절부재(240)의 회전축(242) 및 회전판(244)에 흡착되어 형성된 케미컬 파우더(chemical powder)를 제거할 수 있다.
따라서 본 발명의 일실시예에 따른 배기 조절 장치에 따르면, 케미컬 흄으로 인한 오염을 사전에 예방할 수 있으므로 케미컬 흄으로 인해 정확한 배기량 제어가 어려운 종래 문제점이 해소될 수 있게 된다.
이상에서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
210: 헤드 212: 구동모터
214: 연결부 220: 몸체
221: 배기홀 222: 세척물질 공급 경로
224: 실링부재 225: 축고정홀
230: 제1연결관 232: 제2연결관
240: 배기량조절밸브 242: 회전축
244: 회전판 250: 제어부
252: 모터 원점 센서 254: 압력센서

Claims (4)

  1. 기판 처리 장치에 연결된 제1배기라인과 메인 유틸리티에 연결되는 제2배기라인 상에 설치되어 상기 기판 처리 장치에서 발생되는 케미컬 흄의 배기량을 조절하는 배기 조절 장치에 있어서,
    축고정홀과, 상기 제1배기라인과 상기 제2배기라인을 연결하는 배기홀이 형성된 몸체; 및 구동모터의 구동력을 전달받아 상기 몸체 내에 회전가능하게 상기 축고정홀에 설치되는 회전축과 상기 회전축과 함께 회전되어 상기 배기홀의 개구율을 제어하여 상기 케미컬 흄의 배기량을 조절하는 회전판을 구비하는 배기량 조절부재;를 포함하되,
    상기 몸체는 상기 축고정홀에 연통되는 세척물질 공급경로가 형성되며, 상기 세척물질 공급경로로 공급되는 세척물질은 상기 회전축 및 회전판에 흡착되는 상기 케미컬 흄을 세척하며,
    상기 세척물질 공급경로 상에는 상기 세척물질의 공급을 단속하는 적어도 하나의 전자밸브가 설치되고, 상기 배기홀에 인접하여 상기 배기홀의 배기압을 검출하여 제어부로 제공하는 압력센서가 설치되며,
    상기 제어부는 상기 배기압에 응답하여 상기 전자밸브를 제어하고,
    상기 축고정홀에는 적어도 하나의 실링부재가 설치되는 것을 특징으로 하는 배기 조절 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 세척물질은 초순수(DIW), 건조가스(Dry Gas) 및 세정액 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 배기 조절 장치.
KR1020100078790A 2010-08-16 2010-08-16 배기 조절 장치 KR101009965B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100078790A KR101009965B1 (ko) 2010-08-16 2010-08-16 배기 조절 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100078790A KR101009965B1 (ko) 2010-08-16 2010-08-16 배기 조절 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101009965B1 true KR101009965B1 (ko) 2011-01-20

Family

ID=43616616

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100078790A KR101009965B1 (ko) 2010-08-16 2010-08-16 배기 조절 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101009965B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150076812A (ko) * 2013-12-27 2015-07-07 세메스 주식회사 기판처리장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040017162A (ko) * 2002-08-20 2004-02-26 삼성전자주식회사 스핀 코터 배기 시스템
KR20080020035A (ko) * 2006-08-30 2008-03-05 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040017162A (ko) * 2002-08-20 2004-02-26 삼성전자주식회사 스핀 코터 배기 시스템
KR20080020035A (ko) * 2006-08-30 2008-03-05 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150076812A (ko) * 2013-12-27 2015-07-07 세메스 주식회사 기판처리장치
KR102096953B1 (ko) 2013-12-27 2020-05-27 세메스 주식회사 기판처리장치 및 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100841498B1 (ko) 매엽식 기판세정장치
US6793769B2 (en) Substrate processing apparatus
KR100445259B1 (ko) 세정방법 및 이를 수행하기 위한 세정 장치
US20080142051A1 (en) Recovery cup cleaning method and substrate treatment apparatus
TWI759526B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
CN111095512B (zh) 清洗半导体硅片的方法及装置
US7300598B2 (en) Substrate processing method and apparatus
KR20100046800A (ko) 매엽식 기판 처리 장치 및 그 장치에서의 배기 방법
TW202132049A (zh) 清洗裝置及研磨裝置
US6492284B2 (en) Reactor for processing a workpiece using sonic energy
KR20210088644A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 세정 방법
KR101009965B1 (ko) 배기 조절 장치
JP4236109B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP2010239013A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US20030010352A1 (en) Multi-process system
JPH11145099A (ja) 基板処理装置
US20080029123A1 (en) Sonic and chemical wafer processor
JP3891389B2 (ja) 液処理方法及び液処理装置
CN107433275B (zh) 石英腔体的清洗装置及清洗方法
KR20090132965A (ko) 매엽식 세정장치
US7596886B1 (en) Method and system to separate and recycle divergent chemistries
JP2009032901A (ja) 基板処理装置
KR100819019B1 (ko) 기판 세정 장치
KR100436900B1 (ko) 웨이퍼 세정 장치
KR100745482B1 (ko) 기판 이면 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131104

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141028

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151104

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161101

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171128

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181129

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191107

Year of fee payment: 10