TW202132049A - 清洗裝置及研磨裝置 - Google Patents

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藤本友章
深谷孝一
及川文利
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Abstract

本發明揭示了一種清洗裝置和研磨裝置，清洗裝置具備：清洗槽，該清洗槽劃定對晶圓進行清洗的清洗空間；晶圓旋轉機構，該晶圓旋轉機構配置在清洗槽的內側，保持晶圓並使晶圓旋轉；清洗部件，該清洗部件與晶圓的表面接觸並清洗晶圓的表面，能夠繞著在橫向上延伸的中心軸線旋轉，其軸線方向的長度比晶圓的半徑長；擺動機構，該擺動機構使清洗部件繞著位於清洗槽的內側的擺動軸線擺動，從而使清洗部件從晶圓的外側的避讓位置移動到晶圓的正上方的清洗位置；第二清洗構件，該第二清洗構件清洗晶圓的表面；及第二擺動機構，該第二擺動機構使第二清洗構件繞著位於清洗槽的內側的第二擺動軸線擺動並通過晶圓的中心的正上方。

Description

清洗裝置及研磨裝置
本發明提供一種清洗裝置和研磨裝置。
在半導體設備的製造工序中，在半導體晶圓等的基板的表面實施成膜、蝕刻、研磨等各種處理。在這些各種處理的前後，由於需要保持基板的表面潔淨，因此需要進行基板的清洗處理。在基板的清洗處理中，清洗機被廣泛地使用，該清洗機一邊通過多個輥保持基板的周緣部，一邊通過驅動輥旋轉從而使基板旋轉，將清洗部件按壓於旋轉的基板進行清洗。
[專利文獻1]日本特開平11-238713號公報中，公開了將輥狀的海綿作為清洗部件使用的輥清洗機。專利文獻1的清洗機在靠近基板的表面的周緣部的位置具有兆頻超聲波噴嘴，該兆頻超聲波噴嘴供給因超聲波而振動的清洗液。專利文獻1的清洗機具有驅動機構，該驅動機構使由輥狀的海綿構成的清洗部件沿著在X軸方向上延伸的導軌行進（並行），從對晶圓進行清洗的清洗位置移動到晶圓的外側的避讓位置。
作為近年來的市場需求，在輥擦洗工序之前或之後，將噴射噴流的噴流清洗構件以通過晶圓的中心的方式擺動，從而對晶圓的表面以非接觸的方式進行清洗的非接觸清洗的要求越來越高。
然而，在狹窄的清洗槽的內側，很難使具有比晶圓的直徑長的海綿的海綿清洗機構與非接觸清洗機構共存。因此，在現有的輥擦洗組件中，僅對晶圓的表面的周緣部附近進行非接觸清洗已是極限了。
另外，在與上述的市場需求對應的情況下，需要由設置在輥擦洗組件之前或之後的其他清洗組件進行非接觸清洗，經過一次晶圓搬送機構。在由此帶來時間損失（OHT）的延長等、無法進行一系列的清洗處理的現有結構中，無法期待WPH（Wafer per hour：每小時晶圓產量）提高、清洗性能的提高。
依據本發明，提供一種研磨裝置，在輥擦洗工序之前或之後，該研磨裝置能夠在同一清洗槽內以通過晶圓的中心的方式使第二清洗構件擺動從而清洗晶圓的表面。
另外，在專利文獻1的清洗機中，使清洗部件從清洗位置移動到避讓位置的驅動機構設於清洗槽的內側。因此，難以使清洗槽的佔用空間減小。
為了形成與晶圓的大小相比足夠狹窄的清洗槽，可以考慮以下的結構：將驅動機構配置在清洗槽的外側，並且在清洗槽的側壁形成用來使驅動機構從清洗位置行進到避讓位置的大小的開口，由閘門對該開口進行開閉。
然而，在這樣的結構中，若在閘門開口的狀態下進行藥液的供給，則存在晶圓清洗、擦洗時藥液飛散到槽外的風險，因此需要在閘門開口時將液體供給系統設為停止狀態，產生時間損失（OHT）。另外，不僅在閘門開口時，即使在閘門閉口時，由於在清洗槽的側壁與閘門之間存在一些間隙，因此存在藥液氣氛從該間隙洩露到清洗槽的外側的風險。
在能夠使清洗部件從避讓位置移動到清洗位置的清洗裝置、研磨裝置中，期望提供一種不在清洗槽的側壁形成行進用的開口，能夠使清洗槽的佔用空間減小的清洗裝置、研磨裝置。
一個實施形態的清洗裝置具備： 清洗槽，該清洗槽劃定對晶圓進行清洗的清洗空間； 晶圓旋轉機構，該晶圓旋轉機構配置在所述清洗槽的內側，保持所述晶圓並使所述晶圓旋轉； 清洗部件，該清洗部件與所述晶圓的表面接觸並對所述晶圓的表面進行清洗，該清洗部件能夠繞著在橫向上延伸的中心軸線旋轉，該清洗部件的軸線方向的長度比所述晶圓的半徑長； 擺動機構，該擺動機構使所述清洗部件繞著位於所述清洗槽的內側的擺動軸線擺動，從而使所述清洗部件從所述晶圓的外側的避讓位置移動到所述晶圓的正上方的清洗位置； 第二清洗構件，該第二清洗構件對所述晶圓的表面進行清洗；及 第二擺動機構，該第二擺動機構使所述第二清洗構件繞著位於所述清洗槽的內側的第二擺動軸線擺動，從而使所述第二清洗構件通過所述晶圓的中心的正上方。
一個實施形態的研磨裝置具備： 研磨單元，該研磨單元進行晶圓的研磨；及 清洗單元，該清洗單元對研磨後的晶圓進行清洗， 所述清洗單元具備： 清洗槽，該清洗槽劃定對晶圓進行清洗的清洗空間； 晶圓旋轉機構，該晶圓旋轉機構配置在所述清洗槽的內側，保持所述晶圓並使所述晶圓旋轉； 清洗部件，該清洗部件與所述晶圓的表面接觸並對所述晶圓的表面進行清洗，該清洗部件能夠繞著在橫向上延伸的中心軸線旋轉，該清洗部件的軸線方向的長度比所述晶圓的半徑長； 擺動機構，該擺動機構使所述清洗部件繞著位於所述清洗槽的內側的擺動軸線擺動，從而使所述清洗部件從所述晶圓的外側的避讓位置移動到所述晶圓的正上方的清洗位置； 第二清洗構件，該第二清洗構件對所述晶圓的表面進行清洗；及 第二擺動機構，該第二擺動機構使所述第二清洗構件繞著位於所述清洗槽的內側的第二擺動軸線擺動，從而使所述第二清洗構件通過所述晶圓的中心的正上方。
一個實施形態的清洗裝置具備： 清洗槽，該清洗槽劃定對晶圓進行清洗的清洗空間； 晶圓旋轉機構，該晶圓旋轉機構配置在所述清洗槽的內側，保持所述晶圓並使所述晶圓旋轉； 清洗部件，該清洗部件與所述晶圓的表面接觸並對所述晶圓的表面進行清洗，該清洗部件能夠繞著在橫向上延伸的中心軸線旋轉；及 擺動機構，該擺動機構使所述清洗部件繞著位於所述清洗槽的內側的擺動軸線擺動，從而使所述清洗部件從所述晶圓的外側的避讓位置移動到所述晶圓的正上方的清洗位置， 所述清洗部件的長度比所述晶圓的半徑長， 從所述清洗部件的中心到所述擺動軸線的距離比所述晶圓的直徑小， 當所述擺動機構使所述清洗部件繞著所述擺動軸線擺動時，所述清洗部件通過所述晶圓的中心的正上方。
一個實施形態的研磨裝置具備： 研磨單元，該研磨單元進行晶圓的研磨；及 清洗單元，該清洗單元對研磨後的晶圓進行清洗， 所述清洗單元具備： 清洗槽，該清洗槽劃定對晶圓進行清洗的清洗空間； 晶圓旋轉機構，該晶圓旋轉機構配置在所述清洗槽的內側，保持所述晶圓並使所述晶圓旋轉； 清洗部件，該清洗部件與所述晶圓的表面接觸並對所述晶圓的表面進行清洗，該清洗部件能夠繞著在橫向上延伸的中心軸線旋轉；及 擺動機構，該擺動機構使所述清洗部件繞著位於所述清洗槽的內側的擺動軸線擺動，從而使所述清洗部件從所述晶圓的外側的避讓位置移動到所述晶圓的正上方的清洗位置， 所述清洗部件的長度比所述晶圓的半徑長， 從所述清洗部件的中心到所述擺動軸線的距離比所述晶圓的直徑小， 當所述擺動機構使所述清洗部件繞著所述擺動軸線擺動時，所述清洗部件通過所述晶圓的中心的正上方。
實施形態的第一態樣的清洗裝置具備： 清洗槽，該清洗槽劃定對晶圓進行清洗的清洗空間； 晶圓旋轉機構，該晶圓旋轉機構配置在所述清洗槽的內側，保持所述晶圓並使所述晶圓旋轉； 清洗部件，該清洗部件與所述晶圓的表面接觸並對所述晶圓的表面進行清洗，該清洗部件能夠繞著在橫向上延伸的中心軸線旋轉，該清洗部件的軸線方向的長度比所述晶圓的半徑長； 擺動機構，該擺動機構使所述清洗部件繞著位於所述清洗槽的內側的擺動軸線擺動，從而使所述清洗部件從所述晶圓的外側的避讓位置移動到所述晶圓的正上方的清洗位置； 第二清洗構件，該第二清洗構件對所述晶圓的表面進行清洗；及 第二擺動機構，該第二擺動機構使所述第二清洗構件繞著位於所述清洗槽的內側的第二擺動軸線擺動，從而使所述第二清洗構件通過所述晶圓的中心的正上方。
根據該態樣，即使清洗部件是比晶圓的半徑長的長條的部件，由於通過使清洗部件繞著擺動軸線擺動從而使清洗部件從避讓位置移動到清洗位置，因此，與使清洗部件從避讓位置直線移動（行進）到清洗位置的情況相比，能夠減小使清洗部件從清洗位置移動到避讓位置所需的空間（供清洗部件通過的空間）。另外，由於擺動軸線位於清洗槽的內側，因此不需要在清洗槽的側壁形成行進用的開口。因此，在能夠使清洗部件從避讓位置移動到清洗位置的清洗裝置中，能夠不在清洗槽的側壁形成行進用的開口從而減小清洗槽的佔用空間。另外，由於不需要在清洗槽的側壁形成行進用的開口，因此能夠改善藥液氛圍洩露到清洗槽的外側。另外，繞著擺動軸線擺動從避讓位置移動到清洗位置的清洗部件和繞著第二擺動軸線擺動通過晶圓的中心的正上方的第二清洗構件配置在同一清洗槽內，因此在由清洗部件進行的輥擦洗工序之前或之後，能夠在同一清洗槽內使第二清洗構件以通過晶圓的中心的方式擺動從而清洗晶圓的表面。
實施形態的第二態樣的清洗裝置是第一態樣的清洗裝置，其中， 從所述清洗部件的中心到所述擺動軸線的距離比所述晶圓的直徑小， 當所述擺動機構使所述清洗部件繞著所述擺動軸線擺動時，所述清洗部件通過所述晶圓的中心的正上方。
根據該態樣，即使清洗部件是比晶圓的半徑長的長條的部件，從清洗部件的中心到擺動軸線的距離也被規定成比晶圓的直徑小，由於通過使清洗部件繞著該擺動軸線擺動從而使清洗部件從避讓位置移動到清洗位置，因此，與使清洗部件從避讓位置直線移動（行進）到清洗位置的情況相比，能夠減小使清洗部件從清洗位置移動到避讓位置所需的空間（供清洗部件通過的空間）。
實施形態的第三態樣的清洗裝置是第一或第二態樣的清洗裝置，其中， 所述擺動軸線處於從所述清洗部件的所述中心軸線的延長線上離開的位置。
根據該態樣，由於擺動軸線不在清洗部件的中心軸線的延長線上，因此能夠使從清洗部件的中心到擺動軸線的距離縮短至清洗部件的長度的一半以下，能夠進一步減小使清洗部件從清洗位置移動到避讓位置所需的空間（供清洗部件通過的空間），能夠進一步減小清洗槽的佔用空間。
實施形態的第四態樣的清洗裝置是第一~第三態樣中任意一個態樣的清洗裝置，其中， 所述擺動機構使所述清洗部件從所述避讓位置移動到所述清洗位置時的擺動角小於90°。
根據該態樣，與擺動機構使清洗部件從避讓位置移動到清洗位置時的擺動角在90°以上的情況相比，能夠進一步減小使清洗部件從清洗位置移動到避讓地位置所需的空間（供清洗部件通過的空間），能夠進一步減小清洗槽的佔用空間。
實施形態的第五態樣的清洗裝置是第一~第四態樣中任意一個態樣的清洗裝置，其中， 所述第二清洗構件是將噴流噴射到所述晶圓的表面，從而以非接觸的方式進行清洗的噴流清洗構件。
實施形態的第六態樣的清洗裝置是第一~第四態樣中任意一個態樣的清洗裝置，其中， 所述第二清洗構件是能夠繞著在縱向上延伸的中心軸線旋轉，與所述晶圓的表面接觸並對所述晶圓的表面進行清洗的筆型清洗構件。
實施形態的第七態樣的清洗裝置是第一~第六態樣中任意一個態樣的清洗裝置，其中， 從所述第二清洗構件的中心到所述第二擺動軸線的距離比從所述清洗部件的中心到所述擺動軸線的距離大且比所述晶圓的直徑小。
實施形態的第八態樣的清洗裝置使第一~第七態樣中任意一個態樣的清洗裝置，其中， 所述第二擺動機構使所述第二清洗構件繞著所述第二擺動軸線擺動，從而使所述第二清洗構件在位於所述晶圓的外側且所述清洗槽的內側的第二避讓位置、所述晶圓的正上方的第二清洗位置及所述清洗槽的外側的維護位置之間移動。
實施形態的第九態樣的清洗裝置是第八態樣的清洗裝置，其中， 當在所述清洗槽的內側更換或維護所述清洗部件時，所述第二擺動機構使所述第二清洗構件避讓到所述清洗槽的外側。
根據該態樣，當在清洗槽的內側進行清洗部件的更換或維護時，第二清洗構件避讓到清洗槽的外側，因此，操作者能夠不被第二清洗構件妨礙前進路線地接觸到清洗部件，提高工作效率。
實施形態的第十態樣的清洗裝置是第八或第九態樣的清洗裝置，其中， 還具備監視構件，該監視構件對所述第二清洗構件是否位於所述清洗槽的外側進行監視。
根據該態樣，即使操作者不用眼確認第二清洗構件是否位於清洗槽的外側，也能夠通過監視構件自動地進行確認，提高工作效率。
實施形態的第十一態樣的清洗裝置是第十態樣的清洗裝置，其中， 在所述第二清洗構件位於所述清洗槽的外側的情況下，所述監視構件使所述第二清洗構件的動作停止。
根據該態樣，在第二清洗構件位於清洗槽的外側的情況下，監視構件使第二清洗構件的動作自動地停止，因此能夠防止第二清洗構件的動作錯誤地繼續而污染清洗槽的外側。
實施形態的第十二態樣的清洗裝置是第一~第十一態樣中任意一個態樣的清洗裝置，其中， 所述擺動軸線和所述第二擺動軸線被定位在從所述晶圓的中心觀察時彼此相反的一側。
根據該態樣，能夠有效地利用清洗槽的內部空間，進一步減小清洗槽的佔用空間。
實施形態的第十三態樣的研磨裝置具備： 研磨單元，該研磨單元進行晶圓的研磨；及 清洗單元，該清洗單元對研磨後的晶圓進行清洗， 所述清洗單元具備： 清洗槽，該清洗槽劃定對晶圓進行清洗的清洗空間； 晶圓旋轉機構，該晶圓旋轉機構配置在所述清洗槽的內側，保持所述晶圓並使所述晶圓旋轉； 清洗部件，該清洗部件與所述晶圓的表面接觸並對所述晶圓的表面進行清洗，該清洗部件能夠繞著在橫向上延伸的中心軸線旋轉，該清洗部件的軸線方向的長度比所述晶圓的半徑長； 擺動機構，該擺動機構使所述清洗部件繞著位於所述清洗槽的內側的擺動軸線擺動，從而使所述清洗部件從所述晶圓的外側的避讓位置移動到所述晶圓的正上方的清洗位置； 第二清洗構件，該第二清洗構件對所述晶圓的表面進行清洗；及 第二擺動機構，該第二擺動機構使所述第二清洗構件繞著位於所述清洗槽的內側的第二擺動軸線擺動，從而使所述第二清洗構件通過所述晶圓的中心的正上方。
根據該態樣，在同一清洗槽內，即使清洗部件繞著擺動軸線擺動，並且清洗部件是比晶圓的半徑長的長條的部件，也通過使清洗部件繞著擺動軸線擺動從而使清洗部件從避讓位置移動到清洗位置，因此，與使清洗部件從避讓位置直線移動（行進）到清洗位置的情況相比，能夠減小使清洗部件從清洗位置移動到避讓位置所需的空間（供清洗部件通過的空間）。另外，由於擺動軸線位於清洗槽的內側，因此不需要在清洗槽的側壁形成行進用的開口。因此，在具備了能夠使清洗部件從避讓位置移動到清洗位置的清洗組件的研磨裝置中，能夠不在清洗槽的側壁形成行進用的開口從而減小清洗槽的佔用空間。另外，由於不需要在清洗槽的側壁形成行進用的開口，因此能夠改善藥液氛圍洩露到清洗槽的外側。另外，繞著擺動軸線擺動從避讓位置移動到清洗位置的清洗部件和繞著第二擺動軸線擺動通過晶圓的中心的正上方的第二清洗構件配置在同一清洗槽內，因此在由清洗部件進行的輥擦洗工序之前或之後，能夠在同一清洗槽內使第二清洗構件以通過晶圓的中心的方式擺動從而清洗晶圓的表面。
實施形態的第十四態樣的研磨裝置是第十三態樣的研磨裝置，其中， 從所述清洗部件的中心到所述擺動軸線的距離比所述晶圓的直徑小， 當所述擺動機構使所述清洗部件繞著所述擺動軸線擺動時，所述清洗部件通過所述晶圓的中心的正上方。
根據該態樣，即使清洗部件是比晶圓的半徑長的長條的部件，從清洗部件的中心到擺動軸線的距離也被規定成比晶圓的直徑小，由於通過使清洗部件繞著該擺動軸線擺動從而使清洗部件從避讓位置移動到清洗位置，因此，與使清洗部件從避讓位置直線移動（行進）到清洗位置的情況相比，能夠減小使清洗部件從清洗位置移動到避讓位置所需的空間（供清洗部件通過的空間）。
實施形態的第十五態樣的研磨裝置是第十三或第十四態樣的研磨裝置，其中， 所述擺動軸線處於從所述清洗部件的所述中心軸線的延長線上離開的位置。
根據該態樣，由於擺動軸線不在清洗部件的中心軸線的延長線上，因此能夠使從清洗部件的中心到擺動軸線的距離縮短至清洗部件的長度的一半以下，能夠進一步減小使清洗部件從清洗位置移動到避讓位置所需的空間（供清洗部件通過的空間），能夠進一步減小清洗槽的佔用空間。
實施形態的第十六態樣的研磨裝置是第十三~第十五態樣中任意一個態樣的研磨裝置，其中， 所述擺動機構使所述清洗部件從所述避讓位置移動到所述清洗位置時的擺動角小於90°。
根據該態樣，與擺動機構使清洗部件從避讓位置移動到清洗位置時的擺動角在90°以上的情況相比，能夠進一步減小使清洗部件從清洗位置移動到避讓地位置所需的空間（供清洗部件通過的空間），能夠進一步減小清洗槽的佔用空間。
實施形態的第十七態樣的研磨裝置是第十三~第十六態樣中任意一個態樣的研磨裝置，其中， 所述第二清洗構件是將噴流噴射到所述晶圓的表面，從而以非接觸的方式進行清洗的噴流清洗構件。
實施形態的第十八態樣的研磨裝置是第十三~第十六態樣中任意一個態樣的研磨裝置，其中， 所述第二清洗構件是能夠繞著在縱向上延伸的中心軸線旋轉，與所述晶圓的表面接觸並對所述晶圓的表面進行清洗的筆型清洗構件。
實施形態的第十九態樣的研磨裝置是第十三~第十八態樣中任意一個態樣的研磨裝置，其中， 從所述第二清洗構件的中心到所述第二擺動軸線的距離比從所述清洗部件的中心到所述擺動軸線的距離大且比所述晶圓的直徑小。
實施形態的第二十態樣的研磨裝置是第十三~第十九態樣中任意一個態樣的研磨裝置，其中， 所述第二擺動機構使所述第二清洗構件繞著所述第二擺動軸線擺動，從而使所述第二清洗構件在位於所述晶圓的外側且所述清洗槽的內側的第二避讓位置、所述晶圓的正上方的第二清洗位置及所述清洗槽的外側的維護位置之間移動。
實施形態的第二十一態樣的研磨裝置是第二十態樣的研磨裝置，其中， 當在所述清洗槽的內側更換或維護所述清洗部件時，所述第二擺動機構使所述第二清洗構件避讓到所述清洗槽的外側。
根據該態樣，當在清洗槽的內側進行清洗部件的更換或維護時，第二清洗構件避讓到清洗槽的外側，因此，操作者能夠不被第二清洗構件妨礙前進路線地接觸到清洗部件，提高工作效率。
實施形態的第二十二態樣的研磨裝置是第二十或二十一態樣的研磨裝置，其中， 還具備監視構件，該監視構件對所述第二清洗構件是否位於所述清洗槽的外側進行監視。
根據該態樣，即使操作者不用眼確認第二清洗構件是否位於清洗槽的外側，也能夠通過監視構件自動地進行確認，提高工作效率。
實施形態的第二十三態樣的研磨裝置是第二十二態樣的研磨裝置，其中， 在所述第二清洗構件位於所述清洗槽的外側的情況下，所述監視構件使所述第二清洗構件的動作停止。
根據該態樣，在第二清洗構件位於清洗槽的外側的情況下，監視構件使第二清洗構件的動作自動地停止，因此能夠防止第二清洗構件的動作錯誤地繼續而污染清洗槽的外側。
實施形態的第二十四態樣的研磨裝置是第十三~第二十三態樣中任意一個態樣的研磨裝置，其中， 所述擺動軸線和所述第二擺動軸線被定位在從所述晶圓的中心觀察時彼此相反的一側。
根據該態樣，能夠有效地利用清洗槽的內部空間，進一步減小清洗槽的佔用空間。
實施形態的第二十五態樣的清洗裝置具備： 清洗槽，該清洗槽劃定對晶圓進行清洗的清洗空間； 晶圓旋轉機構，該晶圓旋轉機構配置在所述清洗槽的內側，保持所述晶圓並使所述晶圓旋轉； 清洗部件，該清洗部件與所述晶圓的表面接觸並對所述晶圓的表面進行清洗，該清洗部件能夠繞著在橫向上延伸的中心軸線旋轉；及 擺動機構，該擺動機構使所述清洗部件繞著位於所述清洗槽的內側的擺動軸線擺動，從而使所述清洗部件從所述晶圓的外側的避讓位置移動到所述晶圓的正上方的清洗位置， 所述清洗部件的長度比所述晶圓的半徑長， 從所述清洗部件的中心到所述擺動軸線的距離比所述晶圓的直徑小， 當所述擺動機構使所述清洗部件繞著所述擺動軸線擺動時，所述清洗部件通過所述晶圓的中心的正上方。
根據該態樣，即使清洗部件是比晶圓的半徑長的長條的部件，從清洗部件的中心到擺動軸線的距離也被規定成比晶圓的直徑小，由於通過使清洗部件繞著該擺動軸線擺動從而使清洗部件從避讓位置移動到清洗位置，因此，與使清洗部件從避讓位置直線移動（行進）到清洗位置的情況相比，能夠減小使清洗部件從清洗位置移動到避讓位置所需的空間（供清洗部件通過的空間）。另外，由於擺動軸線位於清洗槽的內側，因此不需要在清洗槽的側壁形成行進用的開口。因此，在能夠使清洗部件從避讓位置移動到清洗位置的清洗裝置中，能夠不在清洗槽的側壁形成行進用的開口從而減小清洗槽的佔用空間。另外，由於不需要在清洗槽的側壁形成行進用的開口，因此能夠改善藥液氛圍洩露到清洗槽的外側。
實施形態的第二十六態樣的清洗裝置是第二十五態樣的清洗裝置，其中， 所述擺動軸線處於從所述清洗部件的所述中心軸線的延長線上離開的位置。
根據該態樣，由於擺動軸線不在清洗部件的中心軸線的延長線上，因此能夠使從清洗部件的中心到擺動軸線的距離縮短至清洗部件的長度的一半以下，能夠進一步減小使清洗部件從清洗位置移動到避讓位置所需的空間（供清洗部件通過的空間），能夠進一步減小清洗槽的佔用空間。
實施形態的第二十七態樣的清洗裝置是第二十五或第二十六態樣的清洗裝置，其中， 所述擺動機構使所述清洗部件從所述避讓位置移動到所述清洗位置時的擺動角小於90°。
根據該態樣，與擺動機構使清洗部件從避讓位置移動到清洗位置時的擺動角在90°以上的情況相比，能夠進一步減小使清洗部件從清洗位置移動到避讓地位置所需的空間（供清洗部件通過的空間），能夠進一步減小清洗槽的佔用空間。
實施形態的第二十八態樣的清洗裝置是第二十五~第二十七態樣中任意一個態樣的清洗裝置，其中，還具備 升降機構，該升降機構使所述清洗部件升降；及 負荷控制機構，該負荷控制機構控制所述清洗部件對所述晶圓的表面施加的負荷。
實施形態的第二十九態樣的清洗裝置是第二十八態樣的清洗裝置，其中， 所述升降機構具有： 在縱向上延伸的柱部，該柱部被設置成貫通所述清洗槽的壁面； 腕部，該腕部從所述柱部沿橫向延伸；及 驅動構件，該驅動構件設置在向所述清洗槽的外側突出的所述柱部的端部， 所述擺動機構設置在所述腕部的頂端部， 所述升降機構使所述清洗部件與所述擺動機構一體地升降。
實施形態的第三十態樣的清洗裝置是第二十九態樣的清洗裝置，其中， 所述腕部以跨越所述避讓位置的上方或下方的方式在橫向上延伸。
根據該態樣，當清洗部件位於避讓位置時，成為在腕部的下方或上方的空間收容有清洗部件的狀態，因此能夠有效地利用清洗槽的內部空間，進一步減小清洗槽的佔用空間。
實施形態的第三十一態樣的研磨裝置具備： 研磨單元，該研磨單元進行晶圓的研磨；及 清洗單元，該清洗單元對研磨後的晶圓進行清洗， 所述清洗單元具備： 清洗槽，該清洗槽劃定對晶圓進行清洗的清洗空間； 晶圓旋轉機構，該晶圓旋轉機構配置在所述清洗槽的內側，保持所述晶圓並使所述晶圓旋轉； 清洗部件，該清洗部件與所述晶圓的表面接觸並對所述晶圓的表面進行清洗，該清洗部件能夠繞著在橫向上延伸的中心軸線旋轉；及 擺動機構，該擺動機構使所述清洗部件繞著位於所述清洗槽的內側的擺動軸線擺動，從而使所述清洗部件從所述晶圓的外側的避讓位置移動到所述晶圓的正上方的清洗位置， 所述清洗部件的長度比所述晶圓的半徑長， 從所述清洗部件的中心到所述擺動軸線的距離比所述晶圓的直徑小， 當所述擺動機構使所述清洗部件繞著所述擺動軸線擺動時，所述清洗部件通過所述晶圓的中心的正上方。
根據該態樣，即使清洗部件是比晶圓的半徑長的長條的部件，從清洗部件的中心到擺動軸線的距離也被規定成比晶圓的直徑小，由於通過使清洗部件繞著該擺動軸線擺動從而使清洗部件從避讓位置移動到清洗位置，因此，與使清洗部件從避讓位置直線移動（行進）到清洗位置的情況相比，能夠減小使清洗部件從清洗位置移動到避讓位置所需的空間（供清洗部件通過的空間）。另外，由於擺動軸線位於清洗槽的內側，因此不需要在清洗槽的側壁形成行進用的開口。因此，在具備了能夠使清洗部件從避讓位置移動到清洗位置的清洗組件的研磨裝置中，能夠不在清洗槽的側壁形成行進用的開口從而減小清洗槽的佔用空間。另外，由於不需要在清洗槽的側壁形成行進用的開口，因此能夠改善藥液氛圍洩露到清洗槽的外側。
實施形態的第三十二態樣的研磨裝置是第三十一態樣的研磨裝置，其中， 所述擺動軸線處於從所述清洗部件的所述中心軸線的延長線上離開的位置。
根據該態樣，由於擺動軸線不在清洗部件的中心軸線的延長線上，因此能夠使從清洗部件的中心到擺動軸線的距離縮短至清洗部件的長度的一半以下，能夠進一步減小使清洗部件從清洗位置移動到避讓地位置所需的空間（供清洗部件通過的空間），能夠進一步減小清洗槽的佔用空間。
實施形態的第三十三態樣的研磨裝置是第三十一或三十二態樣的研磨裝置，其中， 所述擺動機構使所述清洗部件從所述避讓位置移動到所述清洗位置時的擺動角小於90°。
根據該態樣，與擺動機構使清洗部件從避讓位置移動到清洗位置時的擺動角在90°以上的情況相比，能夠進一步減小使清洗部件從清洗位置移動到避讓地位置所需的空間（供清洗部件通過的空間），能夠進一步減小清洗槽的佔用空間。
實施形態的第三十四態樣的研磨裝置是第三十一~第三十三態樣中任意一個態樣的研磨裝置，其中，還具備： 升降機構，該升降機構使所述清洗部件升降；及 負荷控制機構，該負荷控制機構控制所述清洗部件對所述晶圓的表面施加的負荷。
實施形態的第三十五態樣的研磨裝置是第三十四態樣的研磨裝置，其中， 所述升降機構具有： 在縱向上延伸的柱部，該柱部被設置成貫通所述清洗槽的壁面； 腕部，該腕部從所述柱部沿橫向延伸；及 驅動構件，該驅動構件設置在向所述清洗槽的外側突出的所述柱部的端部， 所述擺動機構設置在所述腕部的頂端部， 所述升降機構使所述清洗部件與所述擺動機構一體地升降。
實施形態的第三十六態樣的研磨裝置是第三十五態樣的研磨裝置，其中， 所述腕部以跨越所述避讓位置的上方或下方的方式在橫向上延伸。
根據該態樣，當清洗部件位於避讓位置時，成為在腕部的下方或上方的空間收容有清洗部件的狀態，因此能夠有效地利用清洗槽的內部空間，進一步減小清洗槽的佔用空間。
以下，參照附圖對實施形態的具體例進行詳細說明。另外，在以下的說明及以下的說明所使用的附圖中，對能夠相同地構成的部分使用相同的符號，並省略重複說明。
＜基板處理裝置＞ 圖1是表示一個實施形態的基板處理裝置（也稱為研磨裝置）1的整體結構的俯視圖。
如圖1所示，基板處理裝置1具有大致矩形形狀的殼體10及供儲存多個晶圓W（參照圖2等）的基板匣盒（未圖示）載放的裝載端口12。裝載端口12與殼體10相鄰配置。在裝載端口12能夠搭載開放式匣盒、SMIF（Standard Manufacturing Interface：標準機械接口）盒或FOUP（Front Opening Unified Pod：晶圓傳送盒）。 SMIF盒和FOUP是在內部收容基板匣盒，並由隔壁覆蓋從而能夠保持與外部空間獨立的環境的密閉容器。作為晶圓W，能夠列舉出例如半導體晶圓等。
在殼體10的內部，收容有多個（在圖1所示的態樣中為四個）研磨單元14a~14d、對研磨後的晶圓W進行清洗的第一清洗單元16a和第二清洗單元16b及使清洗後的晶圓W乾燥的干燥單元20。研磨單元14a~14d沿著殼體10的長邊方向排列，清洗單元16a、16b及乾燥單元20也沿著殼體10的長邊方向排列。
在被裝載端口12、位於裝載端口12側的研磨單元14a及乾燥單元20包圍的區域，配置有第一搬送機器人22。另外，在排列有研磨單元14a~14d的區域與排列有清洗單元16a、16b及乾燥單元20的區域之間，與殼體10的長邊方向平行地配置有搬送單元24。第一搬送機器人22從裝載端口12接受研磨前的晶圓W並交接給搬送單元24，或從搬送單元24接受從乾燥單元20取出的干燥後的晶圓W。
在第一清洗單元16a與第二清洗單元16b之間配置有第二搬送機器人26，該第二搬送機器人26在第一清洗單元16a與第二清洗單元16b之間進行晶圓W的交接。另外，在第二清洗單元16b與乾燥單元20之間配置有第三搬送機器人28，該第三搬送機器人28在第二清洗單元16b與乾燥單元20之間進行晶圓W的交接。
另外，在基板處理裝置1設有控制各設備14a~14d、16a、16b、22、24、26、28的動作的控制裝置30。作為控制裝置30，例如可使用可編程邏輯控制器（PLC）。在圖1所示的態樣中，控制裝置30配置在殼體10的內部，但不限於此，控制裝置30也可以配置在殼體10的外部。
作為第一清洗單元16a和/或第二清洗單元16b，可以使用輥型清洗裝置（後述的一個實施形態的清洗裝置16），在清洗液的存在下，該輥型清洗裝置使在水平方向上延伸的輥狀清洗部件與晶圓W的表面接觸，一邊使輥狀清洗部件自轉一邊擦洗晶圓W的表面，也可以使用鉛筆型清洗裝置（未圖示），在清洗液的存在下，該鉛筆型清洗裝置使在鉛垂方向上延伸的圓柱狀的鉛筆狀清洗部件與晶圓W的表面接觸，使鉛筆狀清洗部件一邊自轉一邊朝向與晶圓W的表面平行的一個方向移動，從而擦洗晶圓W的表面，也可以使用拋光清洗研磨裝置（未圖示），在清洗液的存在下，該拋光清洗研磨裝置使具有在鉛垂方向上延伸的旋轉軸線的拋光清洗研磨部件與晶圓W的表面接觸，使拋光清洗研磨部件一邊自轉一邊朝向與晶圓W的表面平行的一個方向移動，從而擦洗研磨晶圓W的表面，也可以使用雙流體噴流清洗裝置（未圖示），該雙流體噴流清洗裝置通過雙流體噴流清洗晶圓W的表面。另外，作為第一清洗單元16a和/或第二清洗單元16b，也可以將這些輥型清洗裝置、鉛筆型清洗裝置、拋光清洗研磨裝置及雙流體噴流清洗裝置中的任意兩個以上進行組合而使用。
清洗液中含有純水（DIW）等的沖洗液、氨過氧化氫（SC1）、鹽酸過氧化氫（SC2）、硫酸過氧化氫（SPM）、硫酸加水、氫氟酸等藥液。在本實施形態中，只要沒有特別聲明，清洗液指沖洗液或藥液中的任意一種。
作為乾燥單元20，可以使用旋轉乾燥裝置，該旋轉乾燥裝置從向與晶圓W的表面平行的一個方向移動的噴射噴嘴朝向旋轉的晶圓W噴出異丙醇（IPA）蒸汽使晶圓W乾燥，再使晶圓W以高速旋轉，通過離心力使晶圓W乾燥。
＜清洗裝置＞ 接著，對一個實施形態的清洗裝置16進行說明。圖2是透過清洗裝置16的清洗槽41表示的立體圖，是表示清洗部件43位於避讓位置的狀態的圖。圖3是從上方觀察圖2所示的清洗裝置16時的內部俯視圖。圖4是從裡側觀察圖2所示的清洗裝置16時的內部立體圖。圖5是從左側觀察圖2所示的清洗裝置16時的內部立體圖。
本實施形態的清洗裝置16能夠作為上述基板處理裝置1中的第一清洗單元16a和/或第二清洗單元16b使用。
如圖2~圖5所示，清洗裝置16具有：清洗槽41，該清洗槽41劃定對晶圓W進行清洗的清洗空間；晶圓旋轉機構42，該晶圓旋轉機構42配置在清洗槽41的內側，保持晶圓W並使晶圓W旋轉；清洗部件43，該清洗部件43與晶圓W的表面接觸並對晶圓W的表面進行清洗，該清洗部件43能夠繞著在橫向上延伸的中心軸線旋轉；擺動機構44，該擺動機構44使清洗部件43繞著位於清洗槽41的內側的擺動軸線擺動，使清洗部件43從晶圓W的外側的避讓位置移動到晶圓W正上方的清洗位置；升降機構45，該升降機構45使清洗部件43升降；及液體供給噴嘴46a、46b，該液體供給噴嘴46a、46b向晶圓W供給清洗液。
其中，清洗槽41具有大致長方體形狀。在圖示的例中，用於將晶圓W搬入或搬出清洗槽41的內側的晶圓搬入搬出口41a、41b分別形成在清洗槽41的左右的側壁面，晶圓搬入搬出口41a、41b能夠分別通過閘門50a、50b開閉。
在清洗槽41的內側配置有在左右方向上延伸的清掃構件51，該清掃構件51與清洗槽41的里側的側壁面相鄰。清掃構件51具有按壓清洗部件43的清掃面。清掃面例如由石英等形成為平面狀。另外，清掃面的材質和形狀可以根據清洗部件43的材質和形狀等適當地變更。例如，可以採用聚氯乙烯（PVC）作為清掃面的材質。
在清掃面上配置有未圖示的藥液管、純水管等。從藥液管噴射的藥液可以是與從液體供給噴嘴46a、46b供給到晶圓W的藥液相同的藥液。在清洗部件43被配置在避讓位置的狀態下，清洗部件43一邊旋轉（自轉）一邊被清掃構件51按壓，通過將藥液朝向清洗部件43噴射，附著於清洗部件43的污垢脫落。這樣，在清洗部件43以被按壓於清掃構件51的狀態旋轉（自轉）規定量之後，清洗部件43上升並從清掃構件51遠離，接著，通過朝向清掃構件51和清洗部件43噴射純水，清掃構件51和清洗部件43的污垢脫落。
在本實施形態中，晶圓旋轉機構42具有保持晶圓W的周緣部的多個（在圖示的例中為四個）的輥42a~42d。多個輥42a~42通過從未圖示的旋轉驅動部（例如電機）受到的旋轉驅動力分別向相同的方向旋轉（自轉），由此，被多個輥42a~42d保持的晶圓W通過作用於各輥42a~42d與晶圓W的周緣部之間的摩擦力向與各輥42a~42d的旋轉方向相反的方向旋轉。
作為清洗部件43能夠使用在橫向上延伸的圓柱狀的輥狀海綿。作為輥狀海綿的材質能夠使用多孔質的聚乙烯醇（PVA）制海綿、聚氨酯泡沫海綿等。清洗部件43的軸線方向的長度比晶圓W的半徑長。清洗部件43的軸線方向的長度也可以比晶圓W的直徑長。在清洗部件43被配置在晶圓W正上方的清洗位置的狀態下，從液體供給噴嘴46a、46b朝向旋轉的晶圓W的表面噴射藥液和/或純水，清洗部件43在清洗部件43的周面與晶圓W的表面接觸的狀態下旋轉（自轉），由此清洗晶圓W的表面。
在圖示的例中，與清洗部件43的軸線方向平行地延伸的保持件431配置在清洗部件43的上方。保持件431將清洗部件43的兩端部保持為能夠繞著清洗部件43的中心軸線旋轉（自轉）。在保持件431的內部設有使清洗部件43繞著清洗部件43的中心軸線旋轉（自轉）的電機（未圖示）。另外，在保持件431的內部也可以設有測量清洗部件43對晶圓W的表面施加的負荷的負載傳感器（未圖示）。負荷控制機構（未圖示）與負載傳感器連接。負荷控制機構根據負載傳感器的測量結果控制升降機構45的動作，由此控制清洗部件43對晶圓W的表面施加的負荷。負荷控制機構也可以設於控制裝置30（參照圖1）。
在本實施形態中，升降機構45具有：在縱向上延伸的柱部45a，該柱部45a被設置成貫通清洗槽41的壁面；腕部45b，該腕部45b從柱部45a的一端部沿橫向延伸；及驅動構件45c，該驅動構件45c設置在向清洗槽41的外側突出的柱部45a的另一端部。驅動構件45c例如是電機。
在圖示的例中，在清洗槽41的里側（圖3中的紙面上側）的側壁面之中的左端部分的上側部分，形成有向裡側凹陷的凹部，柱部45a配置在該凹部。腕部45b設置成以跨越避讓位置的上方的方式從該柱部45a的上端部向跟前側（圖3中的紙面下側）延伸。由此，在清洗部件43被配置在避讓位置的狀態下，成為清洗部件43被收容在腕部45b的下方的空間的狀態，因此能夠有效地利用清洗槽41的內部空間，進一步減小清洗槽41的佔用空間。
在本實施形態中，擺動機構44設於腕部45b的頂端部，擺動機構44的擺動軸線A在清洗槽41的內側被定位於腕部45b的頂端部。擺動機構44例如是電機。保持清洗部件43的保持件431的端部經由擺動機構44被保持在腕部45b的頂端部。
升降機構45的柱部45a通過從驅動構件45c受到的直線驅動力，與腕部45b一體地在縱向上直線移動。由此，設於腕部45b的頂端部的擺動機構44、保持件431及清洗部件43也與柱部45a及腕部45b一起在縱向上直線移動。參照圖2~圖5，在清洗部件43被配置在避讓位置的狀態下，升降機構45動作，由此清洗部件43在與清掃構件51接觸的高度位置和從清掃構件51遠離的高度位置之間升降移動。
另外，在清洗部件43被配置在從清掃構件51遠離的高度位置的狀態下，保持件431和清洗部件43通過從擺動機構44受到的旋轉驅動力，繞著被定位在腕部45b的頂端部的擺動軸線A擺動（迴旋）。由此，清洗部件43從晶圓W的外側的避讓位置（參照圖2~圖5）移動到晶圓W的正上方的清洗位置（參照圖6和圖7）。在擺動機構44使清洗部件43繞著擺動軸線A擺動時，清洗部件43也可以構成為通過晶圓W的中心的正上方。
圖6是透過清洗裝置16的清洗槽41表示的立體圖，是表示清洗部件43位於清洗位置的狀態的圖。圖7是表示從上方觀察圖6所示的清洗裝置16時的內部俯視圖。
參照圖6和圖7，在清洗部件43被配置在清洗位置的狀態下，升降機構45動作，由此清洗部件43在接觸晶圓W的表面的高度位置與從晶圓W的表面遠離的高度位置之間升降移動。並且，在洗部件43的周面與晶圓W的表面接觸的狀態下，從液體供給噴嘴46a、46b朝向旋轉的晶圓W的表面噴射藥液和/或純水，並且清洗部件43旋轉（自轉） ，由此清洗晶圓W的表面。
圖8是透過清洗裝置16的清洗槽41表示的立體圖，是用於說明使清洗部件43從清洗位置移動到避讓位置所需的空間（供清洗部件通過的空間）的圖。圖9是從上方觀察圖8所示的清洗裝置16時的內部俯視圖。在圖8和圖9中，被標註符號C1、C2的圓弧狀的曲線表示使清洗部件43從清洗位置移動到避讓位置所需的空間（即，供清洗部件43（保持件431）通過的空間）的輪廓線。
在本實施形態中，如圖9所示，從清洗部件43的中心到擺動機構44的擺動軸線A的距離L（也稱為迴旋半徑）比晶圓W的直徑D小（L＜D）。由此，如圖8和圖9所示，即使清洗部件43是比晶圓W的半徑長的長條的輥狀海綿，從清洗部件43的中心到擺動軸線A的距離L也被規定成比晶圓W的直徑小，通過使清洗部件43繞著該擺動軸線A擺動來使清洗部件43從避讓位置移動到清洗位置，由此，與使清洗部件43從避讓位置直線移動（行進）到清洗位置的情況相比，能夠減小使清洗部件43從清洗位置移動到避讓位置所需的空間。
在本實施形態中，如圖3和圖7所示，擺動機構44的擺動軸線A處於從清洗部件43的中心軸線的延長線上離開的位置（即，擺動軸線A不在清洗部件43的中心軸線的延長線上）。假設擺動軸線A在清洗部件43的中心軸線的延長線上的情況下，無法使從清洗部件43的中心到擺動軸線A的距離L縮短至清洗部件43的軸線方向的長度的一半以下（清洗部件43的端部與擺動軸線A碰撞）。與此相對，在本實施形態中，擺動軸線A不在清洗部件43的中心軸線的延長線上，因此能夠使從清洗部件43的中心到擺動軸線A的距離L縮短至清洗部件43的軸線方向的長度的一半以下，由此，能夠進一步減小使清洗部件43從清洗位置移動到避讓位置所需的空間（供清洗部件通過的空間）。
在本實施形態中，如圖9所示，擺動機構44使清洗部件43從避讓位置移動到清洗位置時的擺動角θ小於90°。由此，與使清洗部件43從避讓位置移動到清洗位置時的擺動角θ在90°以上的情況相比，能夠進一步減小使清洗部件43從清洗位置移動到避讓位置所需的空間（供清洗部件通過的空間）。
在本實施形態中，清洗裝置16還具有：背面清洗部件47，該背面清洗部件47與晶圓W的背面接觸並對晶圓W的背面進行清洗；第二清洗構件48，該第二清洗構件48清洗晶圓W的表面；及第二擺動機構49，該第二擺動機構49使第二清洗構件48繞著位於清洗槽41的內側的第二擺動軸線B擺動，並使第二清洗構件48從晶圓W的外側的第二避讓位置移動到晶圓W的正上方的第二清洗位置。第二擺動機構49構成為：使第二清洗構件48繞著位於清洗槽41的內側的第二擺動軸線B擺動，並使第二清洗構件48通過晶圓W的中心的正上方。
作為背面清洗部件47，能夠使用在橫向上延伸的圓柱狀的輥狀海綿。作為輥狀海綿的材質能夠使用多孔質的聚乙烯醇（PVA）制海綿、聚氨酯泡沫海綿等。背面清洗部件47配置在晶圓W的正下方。背面清洗部件47的軸線方向的長度比晶圓W的半徑長。背面清洗部件47的軸線方向的長度也可以比晶圓W的直徑長。在背面清洗部件47的周面與晶圓W的背面接觸的狀態下，從未圖示的噴嘴朝向旋轉的晶圓W的背面噴射藥液和/或純水，並且背面清洗部件47旋轉（自轉），由此清洗晶圓W的背面。
在圖示的例中，與背面清洗部件47的軸線方向平行地延伸的保持件471配置在背面清洗部件47的下方。保持件471將背面清洗部件47的兩端部保持為能夠繞著背面清洗部件47的中心軸線旋轉（自轉）。在保持件471的內部設有使背面清洗部件47繞著背面清洗部件47的中心軸線旋轉（自轉）的電機（未圖示）。另外，在保持件471的內部也可以設有測量背面清洗部件47對晶圓W的背面施加的負荷的負載傳感器（未圖示）。負載傳感器與上述負荷控制機構（未圖示）連接。負荷控制機構根據負載傳感器的測量結果控制使背面清洗部件47和保持件471升降的構件（未圖示）的動作，由此控制背面清洗部件47對晶圓W的背面施加的負荷。
在本實施形態中，第二清洗構件48是將噴流噴射到晶圓W的表面，從而以非接觸的方式進行清洗的噴流清洗構件。作為噴流清洗構件，例如可以使用噴射兆頻超聲波（高頻超聲波）噴流來清洗晶圓W的表面的兆頻超聲波噴流清洗構件，也可以使用噴射雙流體噴流來清洗晶圓W的表面的雙流體噴流清洗構件。
作為一個變形例，第二清洗構件48可以是能夠繞著在縱向上延伸的中心軸線旋轉（自轉），在清洗液的存在下，與晶圓W的表面接觸並對晶圓W的表面進行清洗的筆型清洗構件（也稱為鉛筆型清洗構件），也可以是拋光研磨構件。
第二擺動機構49具有：在縱向上延伸的第二柱部49a，該第二柱部49a被設置成貫通清洗槽41的壁面（在圖示的例中為地板面）；第二腕部49b ，該第二腕部49b從第二柱部49a的一端部（在圖示的例中為上端部）沿著橫向延伸；及第二驅動構件49c（參照圖14），該第二驅動構件49c設置在向清洗槽41的外側突出的柱部的另一端部（在圖示的例中為下端部）。第二驅動構件49c例如是電機。
第二清洗構件48以被懸掛在第二腕部49b的頂端部的方式被支承。第二柱部49a通過從第二驅動構件49c受到的旋轉驅動力，與第二腕部49b一體地繞著第二擺動軸線B擺動。由此，設於第二腕部49b的頂端部的第二清洗構件48也與第二柱部49a及第二腕部49b一起繞著第二擺動軸線B擺動（迴旋）。
在本實施形態中，從晶圓W的中心觀察時，第二柱部49a配置在與擺動機構44相反的一側，從晶圓W的中心觀察時，第二擺動機構49的第二擺動軸線B被定位在與擺動機構44的擺動軸線A相反的一側。由此，有效地利用清洗槽41的內部空間，進一步減小清洗槽41的佔用空間。
在本實施形態中，如圖9所示，從第二清洗構件48的中心到第二擺動機構49的第二擺動軸線B的距離L2比從清洗部件43的中心到擺動機構44的擺動軸線A的距離L大且比晶圓W的直徑D小（L＜L2＜D）。
在本實施形態中，第二擺動機構49使第二清洗構件48繞著第二擺動軸線B擺動，從而使第二清洗構件48在位於晶圓W的外側且位於清洗槽41的內側的第二避讓位置（參照圖2~圖9）、晶圓W的正上方的第二清洗位置（參照圖10、圖11）及清洗槽41的外側的維護位置（參照圖12~圖14）之間移動。
圖10是透過清洗裝置16的清洗槽41表示的立體圖，是表示清洗部件43位於避讓位置、第二清洗構件48位於清洗位置的狀態的圖。圖11是從上方觀察圖10所示的清洗裝置16時的內部俯視圖。
如圖10和圖11所示，在清洗部件43被配置在避讓位置、第二清洗構件48被配置在第二清洗位置的狀態下，第二清洗構件48將噴流噴射到晶圓W的表面，並且第二擺動機構49使第二清洗構件48繞著第二擺動軸線B擺動，使第二清洗構件48從晶圓W的表面的一方（例如左側）的周緣部通過晶圓W的中心到另一方（例如右側）的周緣部進行往返移動，由此向旋轉的晶圓W的表面整體供給噴流，從而清洗晶圓W的表面整體。
圖12是透過清洗裝置16的清洗槽41表示的立體圖，是表示第二清洗構件48位於維護位置的狀態的圖。圖13是從上方觀察圖12所示的清洗裝置16時的內部俯視圖。圖14是從左側觀察圖12所示的清洗裝置16時的立體圖。
如圖12~圖14所示，在清洗槽41的側壁面的一部分（在圖示的例中為跟前側的壁面）被拆除的狀態下，第二擺動機構49使第二清洗構件48繞著第二擺動軸線B擺動，由此第二清洗構件48向清洗槽41的外側的維護位置移動。第二清洗構件48能夠移動到維護位置，由此進行第二清洗構件48的更換或維護的操作者能夠容易地接觸到第二清洗構件48，提高工作效率。
第二擺動機構49也可以當在清洗槽41的內側更換或維護清洗部件43時使第二清洗構件48避讓到清洗槽41的外側。第二清洗構件48避讓到清洗槽41的外側，由此，進行清洗部件43的更換或維護的操作者能夠不被第二清洗構件48妨礙前進路線地接觸到清洗部件43，提高工作效率。
在本實施形態中，在清洗裝置16設有監視構件60，該監視構件60對第二清洗構件48是否位於清洗槽41的外側進行監視。
圖15是放大表示第二清洗構件48位於清洗槽41的內側的狀態下的監視構件60的立體圖。圖16是放大表示第二清洗構件48位於清洗槽41的外側的狀態下的監視構件60的立體圖。
在圖15和圖16所示的例中，監視構件60具有凸緣部61和開關62。凸緣部61被同軸狀地固定在第二擺動機構49的第二柱部49a的下端部，當第二柱部49a通過第二驅動構件49c而繞著第二擺動軸線B旋轉時，凸緣部61與第二柱部49a一體地旋轉。
開關62例如是機械開關，與凸緣部61相鄰地配置。當第二擺動機構49（或操作者）使第二清洗構件48繞著第二擺動軸線B擺動並從清洗槽41的內側向外側移動時，如圖16所示，凸緣部61與第二柱部49a一起繞著第二擺動軸線B向一個方向旋轉並與開關62接觸，開關62被按下。由此，開關62成為斷開狀態，檢測到第二清洗構件48位於清洗槽41的外側。另一方面，當第二擺動機構49（或操作者）使第二清洗構件48繞著第二擺動軸線B擺動並從清洗槽41的外側向內側移動時，如圖15所示，凸緣部61與第二柱部49a一起繞著第二擺動軸線B向相反方向旋轉並從開關62遠離，開關62通過回复力回到初期狀態。由此，開關62成為接通狀態，檢測到第二清洗構件48位於清洗槽41的內側。另外，在此，當第二清洗構件48位於清洗槽41的外側時開關62成為斷開狀態，當第二清洗構件48位於清洗槽41的內側時開關62成為接通狀態，但並不限定於此，也可以是當第二清洗構件48位於清洗槽41的外側時開關62成為接通狀態，當第二清洗構件48位於清洗槽41的內側時開關62成為斷開狀態。
監視構件60可以在檢測到第二清洗構件48位於清洗槽41的外側的情況下，向第二清洗構件48的動作控制部發送停止信號，停止第二清洗構件48的動作（例如噴流的噴射）。在第二清洗構件48位於清洗槽41的外側的情況下，監視構件60使第二清洗構件48的動作自動地停止，由此能夠防止第二清洗構件48在動作的狀態下向清洗槽41的外側移動導致因第二清洗構件48動作（例如噴流的噴射）而污染清洗槽41的外側的情況。
如圖6和圖7所示，第二擺動機構49的第二腕部49b配置在比清洗部件43高的高度位置，在清洗部件43配置在清洗位置、第二清洗構件48配置在第二避讓位置的狀態下，清洗部件43的端部也可以潛入第二擺動機構49的第二腕部49b的下方。在該情況下，能夠有效地利用清洗槽41的內部空間，進一步減小清洗槽41的佔用空間。
如圖17和圖18所示，在清洗部件43被配置在清洗位置的狀態下，第二擺動機構49也可以使第二清洗構件48繞著第二擺動軸線B擺動，使第二清洗構件48從第二避讓位置移動到晶圓W的周緣部的正上方。由此，能夠在通過清洗部件43對晶圓W的表面進行輥擦洗的同時，通過從第二清洗構件48供給的噴流對晶圓W的表面的周緣部進行非接觸清洗。
接著，對由這樣的結構構成的清洗裝置16的動作進行說明。
首先，參照圖2~圖5，在清洗部件43配置在晶圓W的外側的避讓位置、第二清洗構件48配置在晶圓W的外側的第二避讓位置的狀態下，閘門50a成為開狀態，作為清洗對象的晶圓W（例如研磨處理後的晶圓W）穿過晶圓搬入搬出口41a被搬入清洗槽41的內側。晶圓W被保持在晶圓旋轉機構42並旋轉。
接著，在清洗部件43從清掃構件51遠離的狀態下，如圖8和圖9所示，擺動機構44使清洗部件43繞著擺動軸線A擺動（迴旋），使清洗部件43從避讓位置移動到晶圓W的正上方的清洗位置。在擺動機構44使清洗部件43繞著擺動軸線A擺動時，清洗部件43通過晶圓W的中心的正上方。
接著，如圖6和圖7所示，在清洗部件43被配置在清洗位置的狀態下，升降機構45使清洗部件43向下方移動，使清洗部件43的周面與晶圓W的表面接觸。另外，使背面清洗部件47升降的構件（未圖示）使背面清洗部件47向上方移動，使背面清洗部件47的周面與晶圓W的背面接觸。另外，也可以是清洗部件43的下方移動與背面清洗部件47的升降動作與上述的順序相反或者同時進行。
然後，在清洗部件43的周面與晶圓W的表面接觸的狀態下，從液體供給噴嘴46a、46b朝向晶圓W的表面噴射清洗液，並且清洗部件43旋轉（自轉），由此清洗晶圓W的表面。同樣地，在背面清洗部件47的周面與晶圓W的背面接觸的狀態下，從未圖示的噴嘴朝向晶圓W的背面噴射清洗液，並且背面清洗部件47旋轉（自轉），由此清洗晶圓W的背面。
此時，如圖16和圖17所示，可以是第二擺動機構49使第二清洗構件48繞著第二擺動軸線B擺動，從而使第二清洗構件48從第二避讓位置移動到晶圓W的正上方，通過使第二清洗構件48一邊在晶圓W的正上方擺動一邊從第二清洗構件48噴射噴流，由此對晶圓W的表面進行非接觸清洗。通過清洗部件43對晶圓W的表面進行輥擦洗，同時通過從第二清洗構件48供給的噴流對晶圓W的表面進行非接觸清洗，由此提高清洗效率。在此，也可以是第二擺動機構49使第二清洗構件48繞著第二擺動軸線B擺動，從而使第二清洗構件48從第二避讓位置移動到晶圓W的周緣部的正上方，通過使第二清洗構件48一邊在晶圓W的周緣部的正上方擺動一邊從第二清洗構件48噴射噴流，由此對晶圓W的表面的周緣部進行非接觸清洗。
清洗部件43對晶圓W的表面的清洗結束之後，升降機構45使清洗部件43向上方移動，使清洗部件43的周面從晶圓W的表面遠離。然後，如圖8和圖9所示，擺動機構44使清洗部件43繞著擺動軸線A擺動（迴旋），從而使清洗部件43從清洗位置移動到晶圓W的外側的避讓位置。
接著，如圖10和圖11所示，第二擺動機構49使第二清洗構件48繞著第二擺動軸線擺動（迴旋），從而使第二清洗構件48從晶圓W的外側的第二避讓位置移動到晶圓W的正上方的第二清洗位置。然後，第二清洗構件48向晶圓W的表面噴射噴流，並且第二擺動機構49使第二清洗構件48繞著第二擺動軸線B擺動，使第二清洗構件48從晶圓W的表面的一方（例如左側）的周緣部通過晶圓W的中心到另一方（例如右側）的周緣部進行往返移動，由此向旋轉的晶圓W的表面整體供給噴流，從而對晶圓W的表面整體進行非接觸清洗。
在第二清洗構件48對晶圓W的表面的清洗結束之後，第二擺動機構49使第二清洗構件48繞著第二擺動軸線B擺動（迴旋），從而使第二清洗構件48從第二清洗位置移動到晶圓W的外側的第二避讓位置。然後，閘門50b成為開狀態，清洗處理後的晶圓W穿過晶圓搬入搬出口41b被搬出到清洗槽41的外側。
另外，在上述實施形態中，在清洗部件43對晶圓W的清洗之後進行第二清洗構件48對晶圓W的清洗，但也可以在清洗部件43對晶圓W的清洗之前進行第二清洗構件48對晶圓W的清洗。
在通過如上所述的清洗工序對多個晶圓W進行清洗之後進行第二清洗構件48的更換或維護的情況下，如圖12~圖14所示，在清洗槽41的側壁面的一部分（在圖示的例中為跟前側的壁面）被拆除之後，第二擺動機構49使第二清洗構件48繞著第二擺動軸線B擺動，從而使第二清洗構件48移動到清洗槽41的外側的維護位置。由此，進行第二清洗構件48的更換或維護的操作者能夠容易地接觸到第二清洗構件48，提高工作效率。
另外，當在清洗槽41的內側進行第一清洗構件43的更換或維護的情況下，第二擺動機構49使第二清洗構件48繞著第二擺動軸線B擺動，從而使第二清洗構件48避讓到清洗槽41的外側。由此，進行清洗部件43的更換或維護的操作者能夠不被第二清洗構件48妨礙前進路線地接觸到清洗部件43，提高工作效率。
根據如上所述的本實施形態，即使清洗部件43是比晶圓W的半徑長的長條的部件，從清洗部件43的中心到擺動機構44的擺動軸線A的距離L也被規定成比晶圓W的直徑小，由於通過使清洗部件43繞著該擺動軸線A擺動從而使清洗部件43從避讓位置移動到清洗位置，因此，與使清洗部件43從避讓位置直線移動（行進）到清洗位置的情況相比，能夠減小使清洗部件43從清洗位置移動到避讓位置所需的空間（即，供清洗部件43通過的空間）。另外，由於擺動機構44的擺動軸線A位於清洗槽41的內側，因此不需要在清洗槽41的側壁形成行進用的開口。因此，在能夠使清洗部件43從避讓位置移動到清洗位置的清洗裝置16中，能夠不在清洗槽41的側壁形成行進用的開口，能夠進一步減小清洗槽41的佔用空間。另外，根據本實施形態，由於不需要在清洗槽41的側壁形成行進用的開口，因此能夠改善藥液氛圍洩露到清洗槽41的外側。
另外，根據本實施形態，擺動機構44的擺動軸線A處於從清洗部件43的中心軸線的延長線上離開的位置，而不在清洗部件43的中心軸線的延長線上，因此，能夠將從清洗部件43的中心到擺動軸線A的距離L縮短至清洗部件43的長度的一半以下，能夠進一步減小使清洗部件43從清洗位置移動到避讓位置所需的空間（供清洗部件通過的空間），能夠進一步減小清洗槽41的佔用空間。
另外，根據本實施形態，擺動機構44使清洗部件43從避讓位置移動到清洗位置時的擺動角θ小於90°，因此與該擺動角在90°以上的情況相比，能夠進一步減小使清洗部件43從清洗位置移動到避讓位置所需的空間（供清洗部件通過的空間），能夠進一步減小清洗槽41的佔用空間。
另外，根據本實施形態，升降機構45的腕部45b以跨越避讓位置的上方的方式在橫向上延伸，當清洗部件43位於避讓位置時，成為在腕部45b的下方的空間收容有清洗部件43的狀態，因此能夠有效地利用清洗槽41的內部空間，進一步減小清洗槽41的佔用空間。
另外，根據本實施形態，即使清洗部件43是比晶圓W的半徑長的長條的部件，也通過使清洗部件43繞著擺動軸線A擺動從而使清洗部件43從避讓位置移動到清洗位置，因此，與使清洗部件43從避讓位置直線移動（行進）到清洗位置的情況相比，能夠減小使清洗部件43從清洗位置移動到避讓位置所需的空間（供清洗部件通過的空間）。另外，由於擺動軸線A位於清洗槽41的內側，因此不需要在清洗槽41的側壁形成行進用的開口。因此，在能夠使清洗部件43從避讓位置移動到清洗位置的清洗裝置16中，能夠不在清洗槽41的側壁形成行進用的開口從而進一步減小清洗槽41的佔用空間。另外，由於不需要在清洗槽41的側壁形成行進用的開口，因此能夠改善藥液氛圍洩露到清洗槽41的外側。另外，繞著擺動軸線A擺動從避讓位置移動到清洗位置的清洗部件43和繞著第二擺動軸線B擺動通過晶圓W的中心的正上方的第二清洗構件48配置在同一清洗槽41內，因此在由清洗部件43進行輥擦洗工序之前或之後，能夠在同一清洗槽41內使第二清洗構件48以通過晶圓W的中心的方式擺動從而清洗晶圓W的表面。由此，能夠提高WPH（Wafer per hour：每小時晶圓產量）、提高清洗性能。
另外，根據本實施形態，即使清洗部件43是比晶圓W的半徑長的長條的部件，從清洗部件43的中心到擺動軸線A的距離L也比晶圓W的直徑D小，當擺動機構44使清洗部件43繞著擺動軸線A擺動時，清洗部件43通過晶圓W的中心的正上方，因此，與使清洗部件43從避讓位置直線移動（行進）到清洗位置的情況相比，能夠減小使清洗部件43從清洗位置移動到避讓位置所需的空間（供清洗部件通過的空間）。
另外，根據本實施形態，當在清洗槽41的內側進行清洗部件43的更換或維護時，第二擺動機構49使第二清洗構件48避讓到清洗槽41的外側，因此，操作者能夠不被第二清洗構件48妨礙前進路線地接觸到清洗部件43，提高工作效率。
另外，根據本實施形態，由於設有對第二清洗構件48是否位於清洗槽41的外側進行監視的監視構件60，因此即使操作者不用眼確認第二清洗構件48是否位於清洗槽41的外側，也能夠通過監視構件60自動地進行確認，提高工作效率。
另外，根據本實施形態，在第二清洗構件48位於清洗槽41的外側的情況下，監視構件60使第二清洗構件48的動作自動地停止，因此能夠防止第二清洗構件48的動作錯誤地繼續而污染清洗槽41的外側。
另外，根據本實施形態，擺動軸線A和第二擺動軸線B被定位在從晶圓W的中心觀察時彼此相反的一側，因此能夠有效地利用清洗槽41的內部空間，進一步減小清洗槽41的佔用空間。
以上，通過例示說明了本發明的實施形態和變形例，但本發明的範圍並不限定於此，在本發明要求保護的範圍內能夠根據目的進行變更、變形。另外，各實施形態和變形例能夠在處理內容不矛盾的範圍內適當地組合。
10:殼體 12:裝載端口 14a~14d:研磨單元 16a~16b:清洗單元 20:乾燥單元 22:第一搬送機器人 24:搬送單元 26:第二搬送機器人 28:第三搬送機器人 30:控制裝置 41:清洗槽 41a:晶圓搬入搬出口 41b:晶圓搬入搬出口 42:晶圓旋轉機構 42a~42d:輥 43:清洗部件 44:擺動機構 45:升降機構 45a:柱部 45b:腕部 45c:驅動構件 46a:液體供給噴嘴 46b:液體供給噴嘴 47:背面清洗部件 48:第二清洗構件 49:第二擺動機構 49a:第二柱部 49b:第二腕部 49c:第二驅動構件 50a:閘門 50b:閘門 51:清掃構件 60:監視構件 61:凸緣部 62:開關 431:保持件 471:保持件 A:擺動軸線 B:第二擺動軸線 C1:被標註符號 C2:被標註符號 L:距離 L2:距離 W:晶圓
圖1係表示一個實施形態的研磨裝置的整體結構的俯視圖。 圖2係透過一個實施形態的清洗裝置的清洗槽表示的立體圖，是表示清洗部件位於避讓位置的狀態的圖。 圖3係從上方觀察圖2所示的清洗裝置時的內部俯視圖。 圖4係從裡側觀察圖2所示的清洗裝置時的內部立體圖。 圖5係從左側觀察圖2所示的清洗裝置時的內部立體圖。 圖6係透過一個實施形態的清洗裝置的清洗槽表示的立體圖，是表示清洗部件位於清洗位置的狀態的圖。 圖7係從上方觀察圖6所示的清洗裝置時的內部俯視圖。 圖8係透過一個實施形態的清洗裝置的清洗槽表示的立體圖，是用於說明使清洗部件從清洗位置移動到避讓位置所需的空間（供清洗部件通過的空間）的圖。 圖9係從上方觀察圖8所示的清洗裝置時的內部俯視圖。 圖10係透過一個實施形態的清洗裝置的清洗槽表示的立體圖，是表示清洗部件位於避讓位置、第二清洗構件位於第二清洗位置的狀態的圖。 圖11係從上方觀察圖10所示的清洗裝置時的內部俯視圖。 圖12係透過一個實施形態的清洗裝置的清洗槽表示的立體圖，是表示第二清洗構件位於維護位置的狀態的圖。 圖13係從上方觀察圖12所示的清洗裝置時的內部俯視圖。 圖14係從左側觀察圖12所示的清洗裝置時的立體圖。 圖15係放大表示第二清洗構件位於清洗槽的內側的狀態下的監視構件的立體圖。 圖16係放大表示第二清洗構件位於清洗槽的外側的狀態下的監視構件的立體圖。 圖17係透過一個實施形態的清洗裝置的清洗槽表示的立體圖，是表示清洗部件位於清洗位置、第二清洗構件位於第二清洗位置的狀態的圖。 圖18係從上方觀察圖17所示的清洗裝置時的內部俯視圖。
41:清洗槽
41b:晶圓搬入搬出口
42:晶圓旋轉機構
42a~42d:輥
43:清洗部件
44:擺動機構
45:升降機構
45a:柱部
45b:腕部
45c:驅動構件
46a:液體供給噴嘴
46b:液體供給噴嘴
47:背面清洗部件
48:第二清洗構件
49:第二擺動機構
49a:第二柱部
49b:第二腕部
50a:閘門
50b:閘門
51:清掃構件
431:保持件
471:保持件
A:擺動軸線
B:第二擺動軸線
W:晶圓

Claims (36)

  1. 一種清洗裝置，其具備： 清洗槽，該清洗槽劃定對晶圓進行清洗的清洗空間； 晶圓旋轉機構，該晶圓旋轉機構配置在所述清洗槽的內側，保持所述晶圓並使所述晶圓旋轉； 清洗部件，該清洗部件與所述晶圓的表面接觸並對所述晶圓的表面進行清洗，該清洗部件能夠繞著在橫向上延伸的中心軸線旋轉，該清洗部件的軸線方向的長度比所述晶圓的半徑長； 擺動機構，該擺動機構使所述清洗部件繞著位於所述清洗槽的內側的擺動軸線擺動，從而使所述清洗部件從所述晶圓的外側的避讓位置移動到所述晶圓的正上方的清洗位置； 第二清洗構件，該第二清洗構件對所述晶圓的表面進行清洗；及 第二擺動機構，該第二擺動機構使所述第二清洗構件繞著位於所述清洗槽的內側的第二擺動軸線擺動，從而使所述第二清洗構件通過所述晶圓的中心的正上方。
  2. 根據請求項1所述的清洗裝置，其中， 從所述清洗部件的中心到所述擺動軸線的距離比所述晶圓的直徑小， 當所述擺動機構使所述清洗部件繞著所述擺動軸線擺動時，所述清洗部件通過所述晶圓的中心的正上方。
  3. 根據請求項1或2所述的清洗裝置，其中， 所述擺動軸線處於從所述清洗部件的所述中心軸線的延長線上離開的位置。
  4. 根據請求項1~3中任一項所述的清洗裝置，其中， 所述擺動機構使所述清洗部件從所述避讓位置移動到所述清洗位置時的擺動角小於90°。
  5. 根據請求項1~4中任一項所述的清洗裝置，其中， 所述第二清洗構件是將噴流噴射到所述晶圓的表面，從而以非接觸的方式進行清洗的噴流清洗構件。
  6. 根據請求項1~4中任一項所述的清洗裝置，其中， 所述第二清洗構件是能夠繞著在縱向上延伸的中心軸線旋轉，與所述晶圓的表面接觸並對所述晶圓的表面進行清洗的筆型清洗構件。
  7. 根據請求項1~6中任一項所述的清洗裝置，其中， 從所述第二清洗構件的中心到所述第二擺動軸線的距離比從所述清洗部件的中心到所述擺動軸線的距離大且比所述晶圓的直徑小。
  8. 根據請求項1~7中任一項所述的清洗裝置，其中， 所述第二擺動機構使所述第二清洗構件繞著所述第二擺動軸線擺動，從而使所述第二清洗構件在位於所述晶圓的外側且所述清洗槽的內側的第二避讓位置、所述晶圓的正上方的第二清洗位置及所述清洗槽的外側的維護位置之間移動。
  9. 根據請求項8所述的清洗裝置，其中， 當在所述清洗槽的內側更換或維護所述清洗部件時，所述第二擺動機構使所述第二清洗構件避讓到所述清洗槽的外側。
  10. 根據請求項8或9所述的清洗裝置，其中， 還具備監視構件，該監視構件對所述第二清洗構件是否位於所述清洗槽的外側進行監視。
  11. 根據請求項10所述的清洗裝置，其中， 在所述第二清洗構件位於所述清洗槽的外側的情況下，所述監視構件使所述第二清洗構件的動作停止。
  12. 根據請求項1~11中任一項所述的清洗裝置，其中， 所述擺動軸線和所述第二擺動軸線被定位在從所述晶圓的中心觀察時彼此相反的一側。
  13. 一種研磨裝置，其具備： 研磨單元，該研磨單元進行晶圓的研磨；及 清洗單元，該清洗單元對研磨後的晶圓進行清洗， 所述清洗單元具備： 清洗槽，該清洗槽劃定對晶圓進行清洗的清洗空間； 晶圓旋轉機構，該晶圓旋轉機構配置在所述清洗槽的內側，保持所述晶圓並使所述晶圓旋轉； 清洗部件，該清洗部件與所述晶圓的表面接觸並對所述晶圓的表面進行清洗，該清洗部件能夠繞著在橫向上延伸的中心軸線旋轉，該清洗部件的軸線方向的長度比所述晶圓的半徑長； 擺動機構，該擺動機構使所述清洗部件繞著位於所述清洗槽的內側的擺動軸線擺動，從而使所述清洗部件從所述晶圓的外側的避讓位置移動到所述晶圓的正上方的清洗位置； 第二清洗構件，該第二清洗構件對所述晶圓的表面進行清洗；及 第二擺動機構，該第二擺動機構使所述第二清洗構件繞著位於所述清洗槽的內側的第二擺動軸線擺動，從而使所述第二清洗構件通過所述晶圓的中心的正上方。
  14. 根據請求項13所述的研磨裝置，其中， 從所述清洗部件的中心到所述擺動軸線的距離比所述晶圓的直徑小， 當所述擺動機構使所述清洗部件繞著所述擺動軸線擺動時，所述清洗部件通過所述晶圓的中心的正上方。
  15. 根據請求項13或14所述的研磨裝置，其中， 所述擺動軸線處於從所述清洗部件的所述中心軸線的延長線上離開的位置。
  16. 根據請求項13~15中任一項所述的研磨裝置，其中， 所述擺動機構使所述清洗部件從所述避讓位置移動到所述清洗位置時的擺動角小於90°。
  17. 根據請求項13~16中任一項所述的研磨裝置，其中， 所述第二清洗構件是將噴流噴射到所述晶圓的表面，從而以非接觸的方式進行清洗的噴流清洗構件。
  18. 根據請求項13~16中任一項所述的研磨裝置，其中， 所述第二清洗構件是能夠繞著在縱向上延伸的中心軸線旋轉，與所述晶圓的表面接觸並對所述晶圓的表面進行清洗的筆型清洗構件。
  19. 根據請求項13~18中任一項所述的研磨裝置，其中， 從所述第二清洗構件的中心到所述第二擺動軸線的距離比從所述清洗部件的中心到所述擺動軸線的距離大且比所述晶圓的直徑小。
  20. 根據請求項13~19中任一項所述的研磨裝置，其中， 所述第二擺動機構使所述第二清洗構件繞著所述第二擺動軸線擺動，從而使所述第二清洗構件在位於所述晶圓的外側且所述清洗槽的內側的第二避讓位置、所述晶圓的正上方的第二清洗位置及所述清洗槽的外側的維護位置之間移動。
  21. 根據請求項20所述的研磨裝置，其中， 當在所述清洗槽的內側更換或維護所述清洗部件時，所述第二擺動機構使所述第二清洗構件避讓到所述清洗槽的外側。
  22. 根據請求項20或21所述的研磨裝置，其中， 還具備監視構件，該監視構件對所述第二清洗構件是否位於所述清洗槽的外側進行監視。
  23. 根據請求項22所述的研磨裝置，其中， 在所述第二清洗構件位於所述清洗槽的外側的情況下，所述監視構件使所述第二清洗構件的動作停止。
  24. 根據請求項13~23中任一項所述的研磨裝置，其中， 所述擺動軸線和所述第二擺動軸線被定位在從所述晶圓的中心觀察時彼此相反的一側。
  25. 一種清洗裝置，其具備： 清洗槽，該清洗槽劃定對晶圓進行清洗的清洗空間； 晶圓旋轉機構，該晶圓旋轉機構配置在所述清洗槽的內側，保持所述晶圓並使所述晶圓旋轉； 清洗部件，該清洗部件與所述晶圓的表面接觸並對所述晶圓的表面進行清洗，該清洗部件能夠繞著在橫向上延伸的中心軸線旋轉；及 擺動機構，該擺動機構使所述清洗部件繞著位於所述清洗槽的內側的擺動軸線擺動，從而使所述清洗部件從所述晶圓的外側的避讓位置移動到所述晶圓的正上方的清洗位置， 所述清洗部件的長度比所述晶圓的半徑長， 從所述清洗部件的中心到所述擺動軸線的距離比所述晶圓的直徑小， 當所述擺動機構使所述清洗部件繞著所述擺動軸線擺動時，所述清洗部件通過所述晶圓的中心的正上方。
  26. 根據請求項25所述的清洗裝置，其中， 所述擺動軸線處於從所述清洗部件的所述中心軸線的延長線上離開的位置。
  27. 根據請求項25或26所述的清洗裝置，其中， 所述擺動機構使所述清洗部件從所述避讓位置移動到所述清洗位置時的擺動角小於90°。
  28. 根據請求項25~27中任一項所述的清洗裝置，其中，還具備： 升降機構，該升降機構使所述清洗部件升降；及 負荷控制機構，該負荷控制機構控制所述清洗部件對所述晶圓的表面施加的負荷。
  29. 根據請求項28所述的清洗裝置，其中， 所述升降機構具有： 在縱向上延伸的柱部，該柱部被設置成貫通所述清洗槽的壁面； 腕部，該腕部從所述柱部沿橫向延伸；及 驅動構件，該驅動構件設置在向所述清洗槽的外側突出的所述柱部的端部， 所述擺動機構設置在所述腕部的頂端部， 所述升降機構使所述清洗部件與所述擺動機構一體地升降。
  30. 根據請求項29所述的清洗裝置，其中， 所述腕部以跨越所述避讓位置的上方或下方的方式在橫向上延伸。
  31. 一種研磨裝置，其具備： 研磨單元，該研磨單元進行晶圓的研磨；及 清洗單元，該清洗單元對研磨後的晶圓進行清洗， 所述清洗單元具備： 清洗槽，該清洗槽劃定對晶圓進行清洗的清洗空間； 晶圓旋轉機構，該晶圓旋轉機構配置在所述清洗槽的內側，保持所述晶圓並使所述晶圓旋轉； 清洗部件，該清洗部件與所述晶圓的表面接觸並對所述晶圓的表面進行清洗，該清洗部件能夠繞著在橫向上延伸的中心軸線旋轉；及 擺動機構，該擺動機構使所述清洗部件繞著位於所述清洗槽的內側的擺動軸線擺動，從而使所述清洗部件從所述晶圓的外側的避讓位置移動到所述晶圓的正上方的清洗位置， 所述清洗部件的長度比所述晶圓的半徑長， 從所述清洗部件的中心到所述擺動軸線的距離比所述晶圓的直徑小， 當所述擺動機構使所述清洗部件繞著所述擺動軸線擺動時，所述清洗部件通過所述晶圓的中心的正上方。
  32. 根據請求項31所述的研磨裝置，其中， 所述擺動軸線處於從所述清洗部件的所述中心軸線的延長線上離開的位置。
  33. 根據請求項31或32所述的研磨裝置，其中， 所述擺動機構使所述清洗部件從所述避讓位置移動到所述清洗位置時的擺動角小於90°。
  34. 根據請求項31~33中任一項所述的研磨裝置，其中，還具備： 升降機構，該升降機構使所述清洗部件升降；及 負荷控制機構，該負荷控制機構控制所述清洗部件對所述晶圓的表面施加的負荷。
  35. 根據請求項34所述的研磨裝置，其中， 所述升降機構具有： 在縱向上延伸的柱部，該柱部被設置成貫通所述清洗槽的壁面； 腕部，該腕部從所述柱部沿橫向延伸；及 驅動構件，該驅動構件設置在向所述清洗槽的外側突出的所述柱部的端部， 所述擺動機構設置在所述腕部的頂端部， 所述升降機構使所述清洗部件與所述擺動機構一體地升降。
  36. 根據請求項35所述的研磨裝置，其中， 所述腕部以跨越所述避讓位置的上方或下方的方式在橫向上延伸。
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