CN113043158A - 清洗装置、研磨装置 - Google Patents

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Abstract

一种清洗装置、研磨装置，清洗装置具备：清洗槽，该清洗槽划定对晶片进行清洗的清洗空间；晶片旋转机构，该晶片旋转机构配置在清洗槽的内侧，保持晶片并使晶片旋转；清洗部件，该清洗部件与晶片的表面接触并清洗晶片的表面，能够绕着在横向上延伸的中心轴线旋转，其轴线方向的长度比晶片的半径长；摆动机构，该摆动机构使清洗部件绕着位于清洗槽的内侧的摆动轴线摆动，从而使清洗部件从晶片的外侧的避让位置移动到晶片的正上方的清洗位置；第二清洗构件，该第二清洗构件清洗晶片的表面；以及第二摆动机构，该第二摆动机构使第二清洗构件绕着位于清洗槽的内侧的第二摆动轴线摆动并通过晶片的中心的正上方。

Description

清洗装置、研磨装置
技术领域
本发明涉及一种清洗装置、研磨装置。
背景技术
在半导体设备的制造工序中，在半导体晶片等的基板的表面实施成膜、蚀刻、研磨等各种处理。在这些各种处理的前后，由于需要保持基板的表面洁净，因此需要进行基板的清洗处理。在基板的清洗处理中，清洗机被广泛地使用，该清洗机一边通过多个辊保持基板的周缘部，一边通过驱动辊旋转从而使基板旋转，将清洗部件按压于旋转的基板进行清洗。
在日本特开平11-238713号公报(专利文献1)中，公开了将辊状的海绵作为清洗部件使用的辊清洗机。专利文献1的清洗机在靠近基板的表面的周缘部的位置具有兆频超声波喷嘴，该兆频超声波喷嘴供给因超声波而振动的清洗液。专利文献1的清洗机具有驱动机构，该驱动机构使由辊状的海绵构成的清洗部件沿着在X轴方向上延伸的导轨行进(并行)，从对晶片进行清洗的清洗位置移动到晶片的外侧的避让位置。
作为近年来的市场需求，在辊擦洗工序之前或之后，将喷射喷流的喷流清洗构件以通过晶片的中心的方式摆动，从而对晶片的表面以非接触的方式进行清洗的非接触清洗的要求越来越高。
然而，在狭窄的清洗槽的内侧，很难使具有比晶片的直径长的海绵的海绵清洗机构与非接触清洗机构共存。因此，在现有的辊擦洗组件中，仅对晶片的表面的周缘部附近进行非接触清洗已是极限了。
另外，在与上述的市场需求对应的情况下，需要由设置在辊擦洗组件之前或之后的其他清洗组件进行非接触清洗，经过一次晶片搬送机构。在由此带来时间损失(OHT)的延长等、无法进行一系列的清洗处理的现有结构中，无法期待WPH(Wafer per hour：每小时晶片产量)提高、清洗性能的提高。
发明内容
期望提供一种研磨装置，在辊擦洗工序之前或之后，该研磨装置能够在同一清洗槽内以通过晶片的中心的方式使第二清洗构件摆动从而清洗晶片的表面。
另外，在专利文献1的清洗机中，使清洗部件从清洗位置移动到避让位置的驱动机构设于清洗槽的内侧。因此，难以使清洗槽的占用空间减小。
为了形成与晶片的大小相比足够狭窄的清洗槽，可以考虑以下的结构：将驱动机构配置在清洗槽的外侧，并且在清洗槽的侧壁形成用来使驱动机构从清洗位置行进到避让位置的大小的开口，由闸门对该开口进行开闭。
然而，在这样的结构中，若在闸门开口的状态下进行药液的供给，则存在晶片清洗、擦洗时药液飞散到槽外的风险，因此需要在闸门开口时将液体供给系统设为停止状态，产生时间损失(OHT)。另外，不仅在闸门开口时，即使在闸门闭口时，由于在清洗槽的侧壁与闸门之间存在一些间隙，因此存在药液气氛从该间隙泄露到清洗槽的外侧的风险。
在能够使清洗部件从避让位置移动到清洗位置的清洗装置、研磨装置中，期望提供一种不在清洗槽的侧壁形成行进用的开口，能够使清洗槽的占用空间减小的清洗装置、研磨装置。
一个实施方式的清洗装置具备：
清洗槽，该清洗槽划定对晶片进行清洗的清洗空间；
晶片旋转机构，该晶片旋转机构配置在所述清洗槽的内侧，保持所述晶片并使所述晶片旋转；
清洗部件，该清洗部件与所述晶片的表面接触并对所述晶片的表面进行清洗，该清洗部件能够绕着在横向上延伸的中心轴线旋转，该清洗部件的轴线方向的长度比所述晶片的半径长；
摆动机构，该摆动机构使所述清洗部件绕着位于所述清洗槽的内侧的摆动轴线摆动，从而使所述清洗部件从所述晶片的外侧的避让位置移动到所述晶片的正上方的清洗位置；
第二清洗构件，该第二清洗构件对所述晶片的表面进行清洗；以及
第二摆动机构，该第二摆动机构使所述第二清洗构件绕着位于所述清洗槽的内侧的第二摆动轴线摆动，从而使所述第二清洗构件通过所述晶片的中心的正上方。
一个实施方式的研磨装置具备：
研磨单元，该研磨单元进行晶片的研磨；以及
清洗单元，该清洗单元对研磨后的晶片进行清洗，
所述清洗单元具备：
清洗槽，该清洗槽划定对晶片进行清洗的清洗空间；
晶片旋转机构，该晶片旋转机构配置在所述清洗槽的内侧，保持所述晶片并使所述晶片旋转；
清洗部件，该清洗部件与所述晶片的表面接触并对所述晶片的表面进行清洗，该清洗部件能够绕着在横向上延伸的中心轴线旋转，该清洗部件的轴线方向的长度比所述晶片的半径长；
摆动机构，该摆动机构使所述清洗部件绕着位于所述清洗槽的内侧的摆动轴线摆动，从而使所述清洗部件从所述晶片的外侧的避让位置移动到所述晶片的正上方的清洗位置；
第二清洗构件，该第二清洗构件对所述晶片的表面进行清洗；以及
第二摆动机构，该第二摆动机构使所述第二清洗构件绕着位于所述清洗槽的内侧的第二摆动轴线摆动，从而使所述第二清洗构件通过所述晶片的中心的正上方。
一个实施方式的清洗装置具备：
清洗槽，该清洗槽划定对晶片进行清洗的清洗空间；
晶片旋转机构，该晶片旋转机构配置在所述清洗槽的内侧，保持所述晶片并使所述晶片旋转；
清洗部件，该清洗部件与所述晶片的表面接触并对所述晶片的表面进行清洗，该清洗部件能够绕着在横向上延伸的中心轴线旋转；以及
摆动机构，该摆动机构使所述清洗部件绕着位于所述清洗槽的内侧的摆动轴线摆动，从而使所述清洗部件从所述晶片的外侧的避让位置移动到所述晶片的正上方的清洗位置，
所述清洗部件的长度比所述晶片的半径长，
从所述清洗部件的中心到所述摆动轴线的距离比所述晶片的直径小，
当所述摆动机构使所述清洗部件绕着所述摆动轴线摆动时，所述清洗部件通过所述晶片的中心的正上方。
一个实施方式的研磨装置具备：
研磨单元，该研磨单元进行晶片的研磨；以及
清洗单元，该清洗单元对研磨后的晶片进行清洗，
所述清洗单元具备：
清洗槽，该清洗槽划定对晶片进行清洗的清洗空间；
晶片旋转机构，该晶片旋转机构配置在所述清洗槽的内侧，保持所述晶片并使所述晶片旋转；
清洗部件，该清洗部件与所述晶片的表面接触并对所述晶片的表面进行清洗，该清洗部件能够绕着在横向上延伸的中心轴线旋转；以及
摆动机构，该摆动机构使所述清洗部件绕着位于所述清洗槽的内侧的摆动轴线摆动，从而使所述清洗部件从所述晶片的外侧的避让位置移动到所述晶片的正上方的清洗位置，
所述清洗部件的长度比所述晶片的半径长，
从所述清洗部件的中心到所述摆动轴线的距离比所述晶片的直径小，
当所述摆动机构使所述清洗部件绕着所述摆动轴线摆动时，所述清洗部件通过所述晶片的中心的正上方。
附图说明
图1是表示一个实施方式的研磨装置的整体结构的俯视图。
图2是透过一个实施方式的清洗装置的清洗槽表示的立体图，是表示清洗部件位于避让位置的状态的图。
图3是从上方观察图2所示的清洗装置时的内部俯视图。
图4是从里侧观察图2所示的清洗装置时的内部立体图。
图5是从左侧观察图2所示的清洗装置时的内部立体图。
图6是透过一个实施方式的清洗装置的清洗槽表示的立体图，是表示清洗部件位于清洗位置的状态的图。
图7是从上方观察图6所示的清洗装置时的内部俯视图。
图8是透过一个实施方式的清洗装置的清洗槽表示的立体图，是用于说明使清洗部件从清洗位置移动到避让位置所需的空间(供清洗部件通过的空间)的图。
图9是从上方观察图8所示的清洗装置时的内部俯视图。
图10是透过一个实施方式的清洗装置的清洗槽表示的立体图，是表示清洗部件位于避让位置、第二清洗构件位于第二清洗位置的状态的图。
图11是从上方观察图10所示的清洗装置时的内部俯视图。
图12是透过一个实施方式的清洗装置的清洗槽表示的立体图，是表示第二清洗构件位于维护位置的状态的图。
图13是从上方观察图12所示的清洗装置时的内部俯视图。
图14是从左侧观察图12所示的清洗装置时的立体图。
图15是放大表示第二清洗构件位于清洗槽的内侧的状态下的监视构件的立体图。
图16是放大表示第二清洗构件位于清洗槽的外侧的状态下的监视构件的立体图。
图17是透过一个实施方式的清洗装置的清洗槽表示的立体图，是表示清洗部件位于清洗位置、第二清洗构件位于第二清洗位置的状态的图。
图18是从上方观察图17所示的清洗装置时的内部俯视图。
具体实施方式
实施方式的第一方式的清洗装置具备：
清洗槽，该清洗槽划定对晶片进行清洗的清洗空间；
晶片旋转机构，该晶片旋转机构配置在所述清洗槽的内侧，保持所述晶片并使所述晶片旋转；
清洗部件，该清洗部件与所述晶片的表面接触并对所述晶片的表面进行清洗，该清洗部件能够绕着在横向上延伸的中心轴线旋转，该清洗部件的轴线方向的长度比所述晶片的半径长；
摆动机构，该摆动机构使所述清洗部件绕着位于所述清洗槽的内侧的摆动轴线摆动，从而使所述清洗部件从所述晶片的外侧的避让位置移动到所述晶片的正上方的清洗位置；
第二清洗构件，该第二清洗构件对所述晶片的表面进行清洗；以及
第二摆动机构，该第二摆动机构使所述第二清洗构件绕着位于所述清洗槽的内侧的第二摆动轴线摆动，从而使所述第二清洗构件通过所述晶片的中心的正上方。
根据该方式，即使清洗部件是比晶片的半径长的长条的部件，由于通过使清洗部件绕着摆动轴线摆动从而使清洗部件从避让位置移动到清洗位置，因此，与使清洗部件从避让位置直线移动(行进)到清洗位置的情况相比，能够减小使清洗部件从清洗位置移动到避让位置所需的空间(供清洗部件通过的空间)。另外，由于摆动轴线位于清洗槽的内侧，因此不需要在清洗槽的侧壁形成行进用的开口。因此，在能够使清洗部件从避让位置移动到清洗位置的清洗装置中，能够不在清洗槽的侧壁形成行进用的开口从而减小清洗槽的占用空间。另外，由于不需要在清洗槽的侧壁形成行进用的开口，因此能够改善药液氛围泄露到清洗槽的外侧。另外，绕着摆动轴线摆动从避让位置移动到清洗位置的清洗部件和绕着第二摆动轴线摆动通过晶片的中心的正上方的第二清洗构件配置在同一清洗槽内，因此在由清洗部件进行的辊擦洗工序之前或之后，能够在同一清洗槽内使第二清洗构件以通过晶片的中心的方式摆动从而清洗晶片的表面。
实施方式的第二方式的清洗装置是第一方式的清洗装置，其中，
从所述清洗部件的中心到所述摆动轴线的距离比所述晶片的直径小，
当所述摆动机构使所述清洗部件绕着所述摆动轴线摆动时，所述清洗部件通过所述晶片的中心的正上方。
根据该方式，即使清洗部件是比晶片的半径长的长条的部件，从清洗部件的中心到摆动轴线的距离也被规定成比晶片的直径小，由于通过使清洗部件绕着该摆动轴线摆动从而使清洗部件从避让位置移动到清洗位置，因此，与使清洗部件从避让位置直线移动(行进)到清洗位置的情况相比，能够减小使清洗部件从清洗位置移动到避让位置所需的空间(供清洗部件通过的空间)。
实施方式的第三方式的清洗装置是第一或第二方式的清洗装置，其中，
所述摆动轴线处于从所述清洗部件的所述中心轴线的延长线上离开的位置。
根据该方式，由于摆动轴线不在清洗部件的中心轴线的延长线上，因此能够使从清洗部件的中心到摆动轴线的距离缩短至清洗部件的长度的一半以下，能够进一步减小使清洗部件从清洗位置移动到避让位置所需的空间(供清洗部件通过的空间)，能够进一步减小清洗槽的占用空间。
实施方式的第四方式的清洗装置是第一～第三方式中任意一个方式的清洗装置，其中，
所述摆动机构使所述清洗部件从所述避让位置移动到所述清洗位置时的摆动角小于90°。
根据该方式，与摆动机构使清洗部件从避让位置移动到清洗位置时的摆动角在90°以上的情况相比，能够进一步减小使清洗部件从清洗位置移动到避让地位置所需的空间(供清洗部件通过的空间)，能够进一步减小清洗槽的占用空间。
实施方式的第五方式的清洗装置是第一～第四方式中任意一个方式的清洗装置，其中，
所述第二清洗构件是将喷流喷射到所述晶片的表面，从而以非接触的方式进行清洗的喷流清洗构件。
实施方式的第六方式的清洗装置是第一～第四方式中任意一个方式的清洗装置，其中，
所述第二清洗构件是能够绕着在纵向上延伸的中心轴线旋转，与所述晶片的表面接触并对所述晶片的表面进行清洗的笔型清洗构件。
实施方式的第七方式的清洗装置是第一～第六方式中任意一个方式的清洗装置，其中，
从所述第二清洗构件的中心到所述第二摆动轴线的距离比从所述清洗部件的中心到所述摆动轴线的距离大且比所述晶片的直径小。
实施方式的第八方式的清洗装置使第一～第七方式中任意一个方式的清洗装置，其中，
所述第二摆动机构使所述第二清洗构件绕着所述第二摆动轴线摆动，从而使所述第二清洗构件在位于所述晶片的外侧且所述清洗槽的内侧的第二避让位置、所述晶片的正上方的第二清洗位置以及所述清洗槽的外侧的维护位置之间移动。
实施方式的第九方式的清洗装置是第八方式的清洗装置，其中，
当在所述清洗槽的内侧更换或维护所述清洗部件时，所述第二摆动机构使所述第二清洗构件避让到所述清洗槽的外侧。
根据该方式，当在清洗槽的内侧进行清洗部件的更换或维护时，第二清洗构件避让到清洗槽的外侧，因此，操作者能够不被第二清洗构件妨碍前进路线地接触到清洗部件，提高工作效率。
实施方式的第十方式的清洗装置是第八或第九方式的清洗装置，其中，
还具备监视构件，该监视构件对所述第二清洗构件是否位于所述清洗槽的外侧进行监视。
根据该方式，即使操作者不用眼确认第二清洗构件是否位于清洗槽的外侧，也能够通过监视构件自动地进行确认，提高工作效率。
实施方式的第十一方式的清洗装置是第十方式的清洗装置，其中，
在所述第二清洗构件位于所述清洗槽的外侧的情况下，所述监视构件使所述第二清洗构件的动作停止。
根据该方式，在第二清洗构件位于清洗槽的外侧的情况下，监视构件使第二清洗构件的动作自动地停止，因此能够防止第二清洗构件的动作错误地继续而污染清洗槽的外侧。
实施方式的第十二方式的清洗装置是第一～第十一方式中任意一个方式的清洗装置，其中，
所述摆动轴线和所述第二摆动轴线被定位在从所述晶片的中心观察时彼此相反的一侧。
根据该方式，能够有效地利用清洗槽的内部空间，进一步减小清洗槽的占用空间。
实施方式的第十三方式的研磨装置具备：
研磨单元，该研磨单元进行晶片的研磨；以及
清洗单元，该清洗单元对研磨后的晶片进行清洗，
所述清洗单元具备：
清洗槽，该清洗槽划定对晶片进行清洗的清洗空间；
晶片旋转机构，该晶片旋转机构配置在所述清洗槽的内侧，保持所述晶片并使所述晶片旋转；
清洗部件，该清洗部件与所述晶片的表面接触并对所述晶片的表面进行清洗，该清洗部件能够绕着在横向上延伸的中心轴线旋转，该清洗部件的轴线方向的长度比所述晶片的半径长；
摆动机构，该摆动机构使所述清洗部件绕着位于所述清洗槽的内侧的摆动轴线摆动，从而使所述清洗部件从所述晶片的外侧的避让位置移动到所述晶片的正上方的清洗位置；
第二清洗构件，该第二清洗构件对所述晶片的表面进行清洗；以及
第二摆动机构，该第二摆动机构使所述第二清洗构件绕着位于所述清洗槽的内侧的第二摆动轴线摆动，从而使所述第二清洗构件通过所述晶片的中心的正上方。
根据该方式，在同一清洗槽内，即使清洗部件绕着摆动轴线摆动，并且清洗部件是比晶片的半径长的长条的部件，也通过使清洗部件绕着摆动轴线摆动从而使清洗部件从避让位置移动到清洗位置，因此，与使清洗部件从避让位置直线移动(行进)到清洗位置的情况相比，能够减小使清洗部件从清洗位置移动到避让位置所需的空间(供清洗部件通过的空间)。另外，由于摆动轴线位于清洗槽的内侧，因此不需要在清洗槽的侧壁形成行进用的开口。因此，在具备了能够使清洗部件从避让位置移动到清洗位置的清洗组件的研磨装置中，能够不在清洗槽的侧壁形成行进用的开口从而减小清洗槽的占用空间。另外，由于不需要在清洗槽的侧壁形成行进用的开口，因此能够改善药液氛围泄露到清洗槽的外侧。另外，绕着摆动轴线摆动从避让位置移动到清洗位置的清洗部件和绕着第二摆动轴线摆动通过晶片的中心的正上方的第二清洗构件配置在同一清洗槽内，因此在由清洗部件进行的辊擦洗工序之前或之后，能够在同一清洗槽内使第二清洗构件以通过晶片的中心的方式摆动从而清洗晶片的表面。
实施方式的第十四方式的研磨装置是第十三方式的研磨装置，其中，
从所述清洗部件的中心到所述摆动轴线的距离比所述晶片的直径小，
当所述摆动机构使所述清洗部件绕着所述摆动轴线摆动时，所述清洗部件通过所述晶片的中心的正上方。
根据该方式，即使清洗部件是比晶片的半径长的长条的部件，从清洗部件的中心到摆动轴线的距离也被规定成比晶片的直径小，由于通过使清洗部件绕着该摆动轴线摆动从而使清洗部件从避让位置移动到清洗位置，因此，与使清洗部件从避让位置直线移动(行进)到清洗位置的情况相比，能够减小使清洗部件从清洗位置移动到避让位置所需的空间(供清洗部件通过的空间)。
实施方式的第十五方式的研磨装置是第十三或第十四方式的研磨装置，其中，
所述摆动轴线处于从所述清洗部件的所述中心轴线的延长线上离开的位置。
根据该方式，由于摆动轴线不在清洗部件的中心轴线的延长线上，因此能够使从清洗部件的中心到摆动轴线的距离缩短至清洗部件的长度的一半以下，能够进一步减小使清洗部件从清洗位置移动到避让位置所需的空间(供清洗部件通过的空间)，能够进一步减小清洗槽的占用空间。
实施方式的第十六方式的研磨装置是第十三～第十五方式中任意一个方式的研磨装置，其中，
所述摆动机构使所述清洗部件从所述避让位置移动到所述清洗位置时的摆动角小于90°。
根据该方式，与摆动机构使清洗部件从避让位置移动到清洗位置时的摆动角在90°以上的情况相比，能够进一步减小使清洗部件从清洗位置移动到避让地位置所需的空间(供清洗部件通过的空间)，能够进一步减小清洗槽的占用空间。
实施方式的第十七方式的研磨装置是第十三～第十六方式中任意一个方式的研磨装置，其中，
所述第二清洗构件是将喷流喷射到所述晶片的表面，从而以非接触的方式进行清洗的喷流清洗构件。
实施方式的第十八方式的研磨装置是第十三～第十六方式中任意一个方式的研磨装置，其中，
所述第二清洗构件是能够绕着在纵向上延伸的中心轴线旋转，与所述晶片的表面接触并对所述晶片的表面进行清洗的笔型清洗构件。
实施方式的第十九方式的研磨装置是第十三～第十八方式中任意一个方式的研磨装置，其中，
从所述第二清洗构件的中心到所述第二摆动轴线的距离比从所述清洗部件的中心到所述摆动轴线的距离大且比所述晶片的直径小。
实施方式的第二十方式的研磨装置是第十三～第十九方式中任意一个方式的研磨装置，其中，
所述第二摆动机构使所述第二清洗构件绕着所述第二摆动轴线摆动，从而使所述第二清洗构件在位于所述晶片的外侧且所述清洗槽的内侧的第二避让位置、所述晶片的正上方的第二清洗位置以及所述清洗槽的外侧的维护位置之间移动。
实施方式的第二十一方式的研磨装置是第二十方式的研磨装置，其中，
当在所述清洗槽的内侧更换或维护所述清洗部件时，所述第二摆动机构使所述第二清洗构件避让到所述清洗槽的外侧。
根据该方式，当在清洗槽的内侧进行清洗部件的更换或维护时，第二清洗构件避让到清洗槽的外侧，因此，操作者能够不被第二清洗构件妨碍前进路线地接触到清洗部件，提高工作效率。
实施方式的第二十二方式的研磨装置是第二十或二十一方式的研磨装置，其中，
还具备监视构件，该监视构件对所述第二清洗构件是否位于所述清洗槽的外侧进行监视。
根据该方式，即使操作者不用眼确认第二清洗构件是否位于清洗槽的外侧，也能够通过监视构件自动地进行确认，提高工作效率。
实施方式的第二十三方式的研磨装置是第二十二方式的研磨装置，其中，
在所述第二清洗构件位于所述清洗槽的外侧的情况下，所述监视构件使所述第二清洗构件的动作停止。
根据该方式，在第二清洗构件位于清洗槽的外侧的情况下，监视构件使第二清洗构件的动作自动地停止，因此能够防止第二清洗构件的动作错误地继续而污染清洗槽的外侧。
实施方式的第二十四方式的研磨装置是第十三～第二十三方式中任意一个方式的研磨装置，其中，
所述摆动轴线和所述第二摆动轴线被定位在从所述晶片的中心观察时彼此相反的一侧。
根据该方式，能够有效地利用清洗槽的内部空间，进一步减小清洗槽的占用空间。
实施方式的第二十五方式的清洗装置具备：
清洗槽，该清洗槽划定对晶片进行清洗的清洗空间；
晶片旋转机构，该晶片旋转机构配置在所述清洗槽的内侧，保持所述晶片并使所述晶片旋转；
清洗部件，该清洗部件与所述晶片的表面接触并对所述晶片的表面进行清洗，该清洗部件能够绕着在横向上延伸的中心轴线旋转；以及
摆动机构，该摆动机构使所述清洗部件绕着位于所述清洗槽的内侧的摆动轴线摆动，从而使所述清洗部件从所述晶片的外侧的避让位置移动到所述晶片的正上方的清洗位置，
所述清洗部件的长度比所述晶片的半径长，
从所述清洗部件的中心到所述摆动轴线的距离比所述晶片的直径小，
当所述摆动机构使所述清洗部件绕着所述摆动轴线摆动时，所述清洗部件通过所述晶片的中心的正上方。
根据该方式，即使清洗部件是比晶片的半径长的长条的部件，从清洗部件的中心到摆动轴线的距离也被规定成比晶片的直径小，由于通过使清洗部件绕着该摆动轴线摆动从而使清洗部件从避让位置移动到清洗位置，因此，与使清洗部件从避让位置直线移动(行进)到清洗位置的情况相比，能够减小使清洗部件从清洗位置移动到避让位置所需的空间(供清洗部件通过的空间)。另外，由于摆动轴线位于清洗槽的内侧，因此不需要在清洗槽的侧壁形成行进用的开口。因此，在能够使清洗部件从避让位置移动到清洗位置的清洗装置中，能够不在清洗槽的侧壁形成行进用的开口从而减小清洗槽的占用空间。另外，由于不需要在清洗槽的侧壁形成行进用的开口，因此能够改善药液氛围泄露到清洗槽的外侧。
实施方式的第二十六方式的清洗装置是第二十五方式的清洗装置，其中，
所述摆动轴线处于从所述清洗部件的所述中心轴线的延长线上离开的位置。
根据该方式，由于摆动轴线不在清洗部件的中心轴线的延长线上，因此能够使从清洗部件的中心到摆动轴线的距离缩短至清洗部件的长度的一半以下，能够进一步减小使清洗部件从清洗位置移动到避让位置所需的空间(供清洗部件通过的空间)，能够进一步减小清洗槽的占用空间。
实施方式的第二十七方式的清洗装置是第二十五或第二十六方式的清洗装置，其中，
所述摆动机构使所述清洗部件从所述避让位置移动到所述清洗位置时的摆动角小于90°。
根据该方式，与摆动机构使清洗部件从避让位置移动到清洗位置时的摆动角在90°以上的情况相比，能够进一步减小使清洗部件从清洗位置移动到避让地位置所需的空间(供清洗部件通过的空间)，能够进一步减小清洗槽的占用空间。
实施方式的第二十八方式的清洗装置是第二十五～第二十七方式中任意一个方式的清洗装置，其中，还具备
升降机构，该升降机构使所述清洗部件升降；以及
负荷控制机构，该负荷控制机构控制所述清洗部件对所述晶片的表面施加的负荷。
实施方式的第二十九方式的清洗装置是第二十八方式的清洗装置，其中，
所述升降机构具有：
在纵向上延伸的柱部，该柱部被设置成贯通所述清洗槽的壁面；
腕部，该腕部从所述柱部沿横向延伸；以及
驱动构件，该驱动构件设置在向所述清洗槽的外侧突出的所述柱部的端部，
所述摆动机构设置在所述腕部的顶端部，
所述升降机构使所述清洗部件与所述摆动机构一体地升降。
实施方式的第三十方式的清洗装置是第二十九方式的清洗装置，其中，
所述腕部以跨越所述避让位置的上方或下方的方式在横向上延伸。
根据该方式，当清洗部件位于避让位置时，成为在腕部的下方或上方的空间收容有清洗部件的状态，因此能够有效地利用清洗槽的内部空间，进一步减小清洗槽的占用空间。
实施方式的第三十一方式的研磨装置具备：
研磨单元，该研磨单元进行晶片的研磨；以及
清洗单元，该清洗单元对研磨后的晶片进行清洗，
所述清洗单元具备：
清洗槽，该清洗槽划定对晶片进行清洗的清洗空间；
晶片旋转机构，该晶片旋转机构配置在所述清洗槽的内侧，保持所述晶片并使所述晶片旋转；
清洗部件，该清洗部件与所述晶片的表面接触并对所述晶片的表面进行清洗，该清洗部件能够绕着在横向上延伸的中心轴线旋转；以及
摆动机构，该摆动机构使所述清洗部件绕着位于所述清洗槽的内侧的摆动轴线摆动，从而使所述清洗部件从所述晶片的外侧的避让位置移动到所述晶片的正上方的清洗位置，
所述清洗部件的长度比所述晶片的半径长，
从所述清洗部件的中心到所述摆动轴线的距离比所述晶片的直径小，
当所述摆动机构使所述清洗部件绕着所述摆动轴线摆动时，所述清洗部件通过所述晶片的中心的正上方。
根据该方式，即使清洗部件是比晶片的半径长的长条的部件，从清洗部件的中心到摆动轴线的距离也被规定成比晶片的直径小，由于通过使清洗部件绕着该摆动轴线摆动从而使清洗部件从避让位置移动到清洗位置，因此，与使清洗部件从避让位置直线移动(行进)到清洗位置的情况相比，能够减小使清洗部件从清洗位置移动到避让位置所需的空间(供清洗部件通过的空间)。另外，由于摆动轴线位于清洗槽的内侧，因此不需要在清洗槽的侧壁形成行进用的开口。因此，在具备了能够使清洗部件从避让位置移动到清洗位置的清洗组件的研磨装置中，能够不在清洗槽的侧壁形成行进用的开口从而减小清洗槽的占用空间。另外，由于不需要在清洗槽的侧壁形成行进用的开口，因此能够改善药液氛围泄露到清洗槽的外侧。
实施方式的第三十二方式的研磨装置是第三十一方式的研磨装置，其中，
所述摆动轴线处于从所述清洗部件的所述中心轴线的延长线上离开的位置。
根据该方式，由于摆动轴线不在清洗部件的中心轴线的延长线上，因此能够使从清洗部件的中心到摆动轴线的距离缩短至清洗部件的长度的一半以下，能够进一步减小使清洗部件从清洗位置移动到避让地位置所需的空间(供清洗部件通过的空间)，能够进一步减小清洗槽的占用空间。
实施方式的第三十三方式的研磨装置是第三十一或三十二方式的研磨装置，其中，
所述摆动机构使所述清洗部件从所述避让位置移动到所述清洗位置时的摆动角小于90°。
根据该方式，与摆动机构使清洗部件从避让位置移动到清洗位置时的摆动角在90°以上的情况相比，能够进一步减小使清洗部件从清洗位置移动到避让地位置所需的空间(供清洗部件通过的空间)，能够进一步减小清洗槽的占用空间。
实施方式的第三十四方式的研磨装置是第三十一～第三十三方式中任意一个方式的研磨装置，其中，还具备：
升降机构，该升降机构使所述清洗部件升降；以及
负荷控制机构，该负荷控制机构控制所述清洗部件对所述晶片的表面施加的负荷。
实施方式的第三十五方式的研磨装置是第三十四方式的研磨装置，其中，
所述升降机构具有：
在纵向上延伸的柱部，该柱部被设置成贯通所述清洗槽的壁面；
腕部，该腕部从所述柱部沿横向延伸；以及
驱动构件，该驱动构件设置在向所述清洗槽的外侧突出的所述柱部的端部，
所述摆动机构设置在所述腕部的顶端部，
所述升降机构使所述清洗部件与所述摆动机构一体地升降。
实施方式的第三十六方式的研磨装置是第三十五方式的研磨装置，其中，
所述腕部以跨越所述避让位置的上方或下方的方式在横向上延伸。
根据该方式，当清洗部件位于避让位置时，成为在腕部的下方或上方的空间收容有清洗部件的状态，因此能够有效地利用清洗槽的内部空间，进一步减小清洗槽的占用空间。
以下，参照附图对实施方式的具体例进行详细说明。另外，在以下的说明以及以下的说明所使用的附图中，对能够相同地构成的部分使用相同的符号，并省略重复说明。
＜基板处理装置＞
图1是表示一个实施方式的基板处理装置(也称为研磨装置)1的整体结构的俯视图。
如图1所示，基板处理装置1具有大致矩形形状的壳体10以及供储存多个晶片W(参照图2等)的基板匣盒(未图示)载放的装载端口12。装载端口12与壳体10相邻配置。在装载端口12能够搭载开放式匣盒、SMIF(Standard Manufacturing Interface：标准机械接口)盒或FOUP(Front Opening Unified Pod：前开式传送盒)。SMIF盒和FOUP是在内部收容基板匣盒，并由隔壁覆盖从而能够保持与外部空间独立的环境的密闭容器。作为晶片W，能够列举出例如半导体晶片等。
在壳体10的内部，收容有多个(在图1所示的方式中为四个)研磨单元14a～14d、对研磨后的晶片W进行清洗的第一清洗单元16a和第二清洗单元16b以及使清洗后的晶片W干燥的干燥单元20。研磨单元14a～14d沿着壳体10的长边方向排列，清洗单元16a、16b以及干燥单元20也沿着壳体10的长边方向排列。
在被装载端口12、位于装载端口12侧的研磨单元14a以及干燥单元20包围的区域，配置有第一搬送机器人22。另外，在排列有研磨单元14a～14d的区域与排列有清洗单元16a、16b以及干燥单元20的区域之间，与壳体10的长边方向平行地配置有搬送单元24。第一搬送机器人22从装载端口12接受研磨前的晶片W并交接给搬送单元24，或从搬送单元24接受从干燥单元20取出的干燥后的晶片W。
在第一清洗单元16a与第二清洗单元16b之间配置有第二搬送机器人26，该第二搬送机器人26在第一清洗单元16a与第二清洗单元16b之间进行晶片W的交接。另外，在第二清洗单元16b与干燥单元20之间配置有第三搬送机器人28，该第三搬送机器人28在第二清洗单元16b与干燥单元20之间进行晶片W的交接。
另外，在基板处理装置1设有控制各设备14a～14d、16a、16b、22、24、26、28的动作的控制装置30。作为控制装置30，例如可使用可编程逻辑控制器(PLC)。在图1所示的方式中，控制装置30配置在壳体10的内部，但不限于此，控制装置30也可以配置在壳体10的外部。
作为第一清洗单元16a和/或第二清洗单元16b，可以使用辊型清洗装置(后述的一个实施方式的清洗装置16)，在清洗液的存在下，该辊型清洗装置使在水平方向上延伸的辊状清洗部件与晶片W的表面接触，一边使辊状清洗部件自转一边擦洗晶片W的表面，也可以使用铅笔型清洗装置(未图示)，在清洗液的存在下，该铅笔型清洗装置使在铅垂方向上延伸的圆柱状的铅笔状清洗部件与晶片W的表面接触，使铅笔状清洗部件一边自转一边朝向与晶片W的表面平行的一个方向移动，从而擦洗晶片W的表面，也可以使用抛光清洗研磨装置(未图示)，在清洗液的存在下，该抛光清洗研磨装置使具有在铅垂方向上延伸的旋转轴线的抛光清洗研磨部件与晶片W的表面接触，使抛光清洗研磨部件一边自转一边朝向与晶片W的表面平行的一个方向移动，从而擦洗研磨晶片W的表面，也可以使用双流体喷流清洗装置(未图示)，该双流体喷流清洗装置通过双流体喷流清洗晶片W的表面。另外，作为第一清洗单元16a和/或第二清洗单元16b，也可以将这些辊型清洗装置、铅笔型清洗装置、抛光清洗研磨装置以及双流体喷流清洗装置中的任意两个以上进行组合而使用。
清洗液中含有纯水(DIW)等的冲洗液、氨过氧化氢(SC1)、盐酸过氧化氢(SC2)、硫酸过氧化氢(SPM)、硫酸加水、氢氟酸等药液。在本实施方式中，只要没有特别声明，清洗液指冲洗液或药液中的任意一种。
作为干燥单元20，可以使用旋转干燥装置，该旋转干燥装置从向与晶片W的表面平行的一个方向移动的喷射喷嘴朝向旋转的晶片W喷出异丙醇(IPA)蒸汽使晶片W干燥，再使晶片W以高速旋转，通过离心力使晶片W干燥。
＜清洗装置＞
接着，对一个实施方式的清洗装置16进行说明。图2是透过清洗装置16的清洗槽41表示的立体图，是表示清洗部件43位于避让位置的状态的图。图3是从上方观察图2所示的清洗装置16时的内部俯视图。图4是从里侧观察图2所示的清洗装置16时的内部立体图。图5是从左侧观察图2所示的清洗装置16时的内部立体图。
本实施方式的清洗装置16能够作为上述基板处理装置1中的第一清洗单元16a和/或第二清洗单元16b使用。
如图2～图5所示，清洗装置16具有：清洗槽41，该清洗槽41划定对晶片W进行清洗的清洗空间；晶片旋转机构42，该晶片旋转机构42配置在清洗槽41的内侧，保持晶片W并使晶片W旋转；清洗部件43，该清洗部件43与晶片W的表面接触并对晶片W的表面进行清洗，该清洗部件43能够绕着在横向上延伸的中心轴线旋转；摆动机构44，该摆动机构44使清洗部件43绕着位于清洗槽41的内侧的摆动轴线摆动，使清洗部件43从晶片W的外侧的避让位置移动到晶片W正上方的清洗位置；升降机构45，该升降机构45使清洗部件43升降；以及液体供给喷嘴46a、46b，该液体供给喷嘴46a、46b向晶片W供给清洗液。
其中，清洗槽41具有大致长方体形状。在图示的例中，用于将晶片W搬入或搬出清洗槽41的内侧的晶片搬入搬出口41a、41b分别形成在清洗槽41的左右的侧壁面，晶片搬入搬出口41a、41b能够分别通过闸门50a、50b开闭。
在清洗槽41的内侧配置有在左右方向上延伸的清扫构件51，该清扫构件51与清洗槽41的里侧的侧壁面相邻。清扫构件51具有按压清洗部件43的清扫面。清扫面例如由石英等形成为平面状。另外，清扫面的材质和形状可以根据清洗部件43的材质和形状等适当地变更。例如，可以采用聚氯乙烯(PVC)作为清扫面的材质。
在清扫面上配置有未图示的药液管、纯水管等。从药液管喷射的药液可以是与从液体供给喷嘴46a、46b供给到晶片W的药液相同的药液。在清洗部件43被配置在避让位置的状态下，清洗部件43一边旋转(自转)一边被清扫构件51按压，通过将药液朝向清洗部件43喷射，附着于清洗部件43的污垢脱落。这样，在清洗部件43以被按压于清扫构件51的状态旋转(自转)规定量之后，清洗部件43上升并从清扫构件51远离，接着，通过朝向清扫构件51和清洗部件43喷射纯水，清扫构件51和清洗部件43的污垢脱落。
在本实施方式中，晶片旋转机构42具有保持晶片W的周缘部的多个(在图示的例中为四个)的辊42a～42d。多个辊42a～42通过从未图示的旋转驱动部(例如电机)受到的旋转驱动力分别向相同的方向旋转(自转)，由此，被多个辊42a～42d保持的晶片W通过作用于各辊42a～42d与晶片W的周缘部之间的摩擦力向与各辊42a～42d的旋转方向相反的方向旋转。
作为清洗部件43能够使用在横向上延伸的圆柱状的辊状海绵。作为辊状海绵的材质能够使用多孔质的聚乙烯醇(PVA)制海绵、聚氨酯泡沫海绵等。清洗部件43的轴线方向的长度比晶片W的半径长。清洗部件43的轴线方向的长度也可以比晶片W的直径长。在清洗部件43被配置在晶片W正上方的清洗位置的状态下，从液体供给喷嘴46a、46b朝向旋转的晶片W的表面喷射药液和/或纯水，清洗部件43在清洗部件43的周面与晶片W的表面接触的状态下旋转(自转)，由此清洗晶片W的表面。
在图示的例中，与清洗部件43的轴线方向平行地延伸的保持件431配置在清洗部件43的上方。保持件431将清洗部件43的两端部保持为能够绕着清洗部件43的中心轴线旋转(自转)。在保持件431的内部设有使清洗部件43绕着清洗部件43的中心轴线旋转(自转)的电机(未图示)。另外，在保持件431的内部也可以设有测量清洗部件43对晶片W的表面施加的负荷的负载传感器(未图示)。负荷控制机构(未图示)与负载传感器连接。负荷控制机构根据负载传感器的测量结果控制升降机构45的动作，由此控制清洗部件43对晶片W的表面施加的负荷。负荷控制机构也可以设于控制装置30(参照图1)。
在本实施方式中，升降机构45具有：在纵向上延伸的柱部45a，该柱部45a被设置成贯通清洗槽41的壁面；腕部45b，该腕部45b从柱部45a的一端部沿横向延伸；以及驱动构件45c，该驱动构件45c设置在向清洗槽41的外侧突出的柱部45a的另一端部。驱动构件45c例如是电机。
在图示的例中，在清洗槽41的里侧(图3中的纸面上侧)的侧壁面之中的左端部分的上侧部分，形成有向里侧凹陷的凹部，柱部45a配置在该凹部。腕部45b设置成以跨越避让位置的上方的方式从该柱部45a的上端部向跟前侧(图3中的纸面下侧)延伸。由此，在清洗部件43被配置在避让位置的状态下，成为清洗部件43被收容在腕部45b的下方的空间的状态，因此能够有效地利用清洗槽41的内部空间，进一步减小清洗槽41的占用空间。
在本实施方式中，摆动机构44设于腕部45b的顶端部，摆动机构44的摆动轴线A在清洗槽41的内侧被定位于腕部45b的顶端部。摆动机构44例如是电机。保持清洗部件43的保持件431的端部经由摆动机构44被保持在腕部45b的顶端部。
升降机构45的柱部45a通过从驱动构件45c受到的直线驱动力，与腕部45b一体地在纵向上直线移动。由此，设于腕部45b的顶端部的摆动机构44、保持件431以及清洗部件43也与柱部45a以及腕部45b一起在纵向上直线移动。参照图2～图5，在清洗部件43被配置在避让位置的状态下，升降机构45动作，由此清洗部件43在与清扫构件51接触的高度位置和从清扫构件51远离的高度位置之间升降移动。
另外，在清洗部件43被配置在从清扫构件51远离的高度位置的状态下，保持件431和清洗部件43通过从摆动机构44受到的旋转驱动力，绕着被定位在腕部45b的顶端部的摆动轴线A摆动(回旋)。由此，清洗部件43从晶片W的外侧的避让位置(参照图2～图5)移动到晶片W的正上方的清洗位置(参照图6和图7)。在摆动机构44使清洗部件43绕着摆动轴线A摆动时，清洗部件43也可以构成为通过晶片W的中心的正上方。
图6是透过清洗装置16的清洗槽41表示的立体图，是表示清洗部件43位于清洗位置的状态的图。图7是表示从上方观察图6所示的清洗装置16时的内部俯视图。
参照图6和图7，在清洗部件43被配置在清洗位置的状态下，升降机构45动作，由此清洗部件43在接触晶片W的表面的高度位置与从晶片W的表面远离的高度位置之间升降移动。并且，在洗部件43的周面与晶片W的表面接触的状态下，从液体供给喷嘴46a、46b朝向旋转的晶片W的表面喷射药液和/或纯水，并且清洗部件43旋转(自转)，由此清洗晶片W的表面。
图8是透过清洗装置16的清洗槽41表示的立体图，是用于说明使清洗部件43从清洗位置移动到避让位置所需的空间(供清洗部件通过的空间)的图。图9是从上方观察图8所示的清洗装置16时的内部俯视图。在图8和图9中，被标注符号C1、C2的圆弧状的曲线表示使清洗部件43从清洗位置移动到避让位置所需的空间(即，供清洗部件43(保持件431)通过的空间)的轮廓线。
在本实施方式中，如图9所示，从清洗部件43的中心到摆动机构44的摆动轴线A的距离L(也称为回旋半径)比晶片W的直径D小(L＜D)。由此，如图8和图9所示，即使清洗部件43是比晶片W的半径长的长条的辊状海绵，从清洗部件43的中心到摆动轴线A的距离L也被规定成比晶片W的直径小，通过使清洗部件43绕着该摆动轴线A摆动来使清洗部件43从避让位置移动到清洗位置，由此，与使清洗部件43从避让位置直线移动(行进)到清洗位置的情况相比，能够减小使清洗部件43从清洗位置移动到避让位置所需的空间。
在本实施方式中，如图3和图7所示，摆动机构44的摆动轴线A处于从清洗部件43的中心轴线的延长线上离开的位置(即，摆动轴线A不在清洗部件43的中心轴线的延长线上)。假设摆动轴线A在清洗部件43的中心轴线的延长线上的情况下，无法使从清洗部件43的中心到摆动轴线A的距离L缩短至清洗部件43的轴线方向的长度的一半以下(清洗部件43的端部与摆动轴线A碰撞)。与此相对，在本实施方式中，摆动轴线A不在清洗部件43的中心轴线的延长线上，因此能够使从清洗部件43的中心到摆动轴线A的距离L缩短至清洗部件43的轴线方向的长度的一半以下，由此，能够进一步减小使清洗部件43从清洗位置移动到避让位置所需的空间(供清洗部件通过的空间)。
在本实施方式中，如图9所示，摆动机构44使清洗部件43从避让位置移动到清洗位置时的摆动角θ小于90°。由此，与使清洗部件43从避让位置移动到清洗位置时的摆动角θ在90°以上的情况相比，能够进一步减小使清洗部件43从清洗位置移动到避让位置所需的空间(供清洗部件通过的空间)。
在本实施方式中，清洗装置16还具有：背面清洗部件47，该背面清洗部件47与晶片W的背面接触并对晶片W的背面进行清洗；第二清洗构件48，该第二清洗构件48清洗晶片W的表面；以及第二摆动机构49，该第二摆动机构49使第二清洗构件48绕着位于清洗槽41的内侧的第二摆动轴线B摆动，并使第二清洗构件48从晶片W的外侧的第二避让位置移动到晶片W的正上方的第二清洗位置。第二摆动机构49构成为：使第二清洗构件48绕着位于清洗槽41的内侧的第二摆动轴线B摆动，并使第二清洗构件48通过晶片W的中心的正上方。
作为背面清洗部件47，能够使用在横向上延伸的圆柱状的辊状海绵。作为辊状海绵的材质能够使用多孔质的聚乙烯醇(PVA)制海绵、聚氨酯泡沫海绵等。背面清洗部件47配置在晶片W的正下方。背面清洗部件47的轴线方向的长度比晶片W的半径长。背面清洗部件47的轴线方向的长度也可以比晶片W的直径长。在背面清洗部件47的周面与晶片W的背面接触的状态下，从未图示的喷嘴朝向旋转的晶片W的背面喷射药液和/或纯水，并且背面清洗部件47旋转(自转)，由此清洗晶片W的背面。
在图示的例中，与背面清洗部件47的轴线方向平行地延伸的保持件471配置在背面清洗部件47的下方。保持件471将背面清洗部件47的两端部保持为能够绕着背面清洗部件47的中心轴线旋转(自转)。在保持件471的内部设有使背面清洗部件47绕着背面清洗部件47的中心轴线旋转(自转)的电机(未图示)。另外，在保持件471的内部也可以设有测量背面清洗部件47对晶片W的背面施加的负荷的负载传感器(未图示)。负载传感器与上述负荷控制机构(未图示)连接。负荷控制机构根据负载传感器的测量结果控制使背面清洗部件47和保持件471升降的构件(未图示)的动作，由此控制背面清洗部件47对晶片W的背面施加的负荷。
在本实施方式中，第二清洗构件48是将喷流喷射到晶片W的表面，从而以非接触的方式进行清洗的喷流清洗构件。作为喷流清洗构件，例如可以使用喷射兆频超声波(高频超声波)喷流来清洗晶片W的表面的兆频超声波喷流清洗构件，也可以使用喷射双流体喷流来清洗晶片W的表面的双流体喷流清洗构件。
作为一个变形例，第二清洗构件48可以是能够绕着在纵向上延伸的中心轴线旋转(自转)，在清洗液的存在下，与晶片W的表面接触并对晶片W的表面进行清洗的笔型清洗构件(也称为铅笔型清洗构件)，也可以是抛光研磨构件。
第二摆动机构49具有：在纵向上延伸的第二柱部49a，该第二柱部49a被设置成贯通清洗槽41的壁面(在图示的例中为地板面)；第二腕部49b，该第二腕部49b从第二柱部49a的一端部(在图示的例中为上端部)沿着横向延伸；以及第二驱动构件49c(参照图14)，该第二驱动构件49c设置在向清洗槽41的外侧突出的柱部的另一端部(在图示的例中为下端部)。第二驱动构件49c例如是电机。
第二清洗构件48以被悬挂在第二腕部49b的顶端部的方式被支承。第二柱部49a通过从第二驱动构件49c受到的旋转驱动力，与第二腕部49b一体地绕着第二摆动轴线B摆动。由此，设于第二腕部49b的顶端部的第二清洗构件48也与第二柱部49a以及第二腕部49b一起绕着第二摆动轴线B摆动(回旋)。
在本实施方式中，从晶片W的中心观察时，第二柱部49a配置在与摆动机构44相反的一侧，从晶片W的中心观察时，第二摆动机构49的第二摆动轴线B被定位在与摆动机构44的摆动轴线A相反的一侧。由此，有效地利用清洗槽41的内部空间，进一步减小清洗槽41的占用空间。
在本实施方式中，如图9所示，从第二清洗构件48的中心到第二摆动机构49的第二摆动轴线B的距离L2比从清洗部件43的中心到摆动机构44的摆动轴线A的距离L大且比晶片W的直径D小(L＜L2＜D)。
在本实施方式中，第二摆动机构49使第二清洗构件48绕着第二摆动轴线B摆动，从而使第二清洗构件48在位于晶片W的外侧且位于清洗槽41的内侧的第二避让位置(参照图2～图9)、晶片W的正上方的第二清洗位置(参照图10、图11)以及清洗槽41的外侧的维护位置(参照图12～图14)之间移动。
图10是透过清洗装置16的清洗槽41表示的立体图，是表示清洗部件43位于避让位置、第二清洗构件48位于清洗位置的状态的图。图11是从上方观察图10所示的清洗装置16时的内部俯视图。
如图10和图11所示，在清洗部件43被配置在避让位置、第二清洗构件48被配置在第二清洗位置的状态下，第二清洗构件48将喷流喷射到晶片W的表面，并且第二摆动机构49使第二清洗构件48绕着第二摆动轴线B摆动，使第二清洗构件48从晶片W的表面的一方(例如左侧)的周缘部通过晶片W的中心到另一方(例如右侧)的周缘部进行往返移动，由此向旋转的晶片W的表面整体供给喷流，从而清洗晶片W的表面整体。
图12是透过清洗装置16的清洗槽41表示的立体图，是表示第二清洗构件48位于维护位置的状态的图。图13是从上方观察图12所示的清洗装置16时的内部俯视图。图14是从左侧观察图12所示的清洗装置16时的立体图。
如图12～图14所示，在清洗槽41的侧壁面的一部分(在图示的例中为跟前侧的壁面)被拆除的状态下，第二摆动机构49使第二清洗构件48绕着第二摆动轴线B摆动，由此第二清洗构件48向清洗槽41的外侧的维护位置移动。第二清洗构件48能够移动到维护位置，由此进行第二清洗构件48的更换或维护的操作者能够容易地接触到第二清洗构件48，提高工作效率。
第二摆动机构49也可以当在清洗槽41的内侧更换或维护清洗部件43时使第二清洗构件48避让到清洗槽41的外侧。第二清洗构件48避让到清洗槽41的外侧，由此，进行清洗部件43的更换或维护的操作者能够不被第二清洗构件48妨碍前进路线地接触到清洗部件43，提高工作效率。
在本实施方式中，在清洗装置16设有监视构件60，该监视构件60对第二清洗构件48是否位于清洗槽41的外侧进行监视。
图15是放大表示第二清洗构件48位于清洗槽41的内侧的状态下的监视构件60的立体图。图16是放大表示第二清洗构件48位于清洗槽41的外侧的状态下的监视构件60的立体图。
在图15和图16所示的例中，监视构件60具有凸缘部61和开关62。凸缘部61被同轴状地固定在第二摆动机构49的第二柱部49a的下端部，当第二柱部49a通过第二驱动构件49c而绕着第二摆动轴线B旋转时，凸缘部61与第二柱部49a一体地旋转。
开关62例如是机械开关，与凸缘部61相邻地配置。当第二摆动机构49(或操作者)使第二清洗构件48绕着第二摆动轴线B摆动并从清洗槽41的内侧向外侧移动时，如图16所示，凸缘部61与第二柱部49a一起绕着第二摆动轴线B向一个方向旋转并与开关62接触，开关62被按下。由此，开关62成为断开状态，检测到第二清洗构件48位于清洗槽41的外侧。另一方面，当第二摆动机构49(或操作者)使第二清洗构件48绕着第二摆动轴线B摆动并从清洗槽41的外侧向内侧移动时，如图15所示，凸缘部61与第二柱部49a一起绕着第二摆动轴线B向相反方向旋转并从开关62远离，开关62通过回复力回到初期状态。由此，开关62成为接通状态，检测到第二清洗构件48位于清洗槽41的内侧。另外，在此，当第二清洗构件48位于清洗槽41的外侧时开关62成为断开状态，当第二清洗构件48位于清洗槽41的内侧时开关62成为接通状态，但并不限定于此，也可以是当第二清洗构件48位于清洗槽41的外侧时开关62成为接通状态，当第二清洗构件48位于清洗槽41的内侧时开关62成为断开状态。
监视构件60可以在检测到第二清洗构件48位于清洗槽41的外侧的情况下，向第二清洗构件48的动作控制部发送停止信号，停止第二清洗构件48的动作(例如喷流的喷射)。在第二清洗构件48位于清洗槽41的外侧的情况下，监视构件60使第二清洗构件48的动作自动地停止，由此能够防止第二清洗构件48在动作的状态下向清洗槽41的外侧移动导致因第二清洗构件48动作(例如喷流的喷射)而污染清洗槽41的外侧的情况。
如图6和图7所示，第二摆动机构49的第二腕部49b配置在比清洗部件43高的高度位置，在清洗部件43配置在清洗位置、第二清洗构件48配置在第二避让位置的状态下，清洗部件43的端部也可以潜入第二摆动机构49的第二腕部49b的下方。在该情况下，能够有效地利用清洗槽41的内部空间，进一步减小清洗槽41的占用空间。
如图17和图18所示，在清洗部件43被配置在清洗位置的状态下，第二摆动机构49也可以使第二清洗构件48绕着第二摆动轴线B摆动，使第二清洗构件48从第二避让位置移动到晶片W的周缘部的正上方。由此，能够在通过清洗部件43对晶片W的表面进行辊擦洗的同时，通过从第二清洗构件48供给的喷流对晶片W的表面的周缘部进行非接触清洗。
接着，对由这样的结构构成的清洗装置16的动作进行说明。
首先，参照图2～图5，在清洗部件43配置在晶片W的外侧的避让位置、第二清洗构件48配置在晶片W的外侧的第二避让位置的状态下，闸门50a成为开状态，作为清洗对象的晶片W(例如研磨处理后的晶片W)穿过晶片搬入搬出口41a被搬入清洗槽41的内侧。晶片W被保持在晶片旋转机构42并旋转。
接着，在清洗部件43从清扫构件51远离的状态下，如图8和图9所示，摆动机构44使清洗部件43绕着摆动轴线A摆动(回旋)，使清洗部件43从避让位置移动到晶片W的正上方的清洗位置。在摆动机构44使清洗部件43绕着摆动轴线A摆动时，清洗部件43通过晶片W的中心的正上方。
接着，如图6和图7所示，在清洗部件43被配置在清洗位置的状态下，升降机构45使清洗部件43向下方移动，使清洗部件43的周面与晶片W的表面接触。另外，使背面清洗部件47升降的构件(未图示)使背面清洗部件47向上方移动，使背面清洗部件47的周面与晶片W的背面接触。另外，也可以是清洗部件43的下方移动与背面清洗部件47的升降动作与上述的顺序相反或者同时进行。
然后，在清洗部件43的周面与晶片W的表面接触的状态下，从液体供给喷嘴46a、46b朝向晶片W的表面喷射清洗液，并且清洗部件43旋转(自转)，由此清洗晶片W的表面。同样地，在背面清洗部件47的周面与晶片W的背面接触的状态下，从未图示的喷嘴朝向晶片W的背面喷射清洗液，并且背面清洗部件47旋转(自转)，由此清洗晶片W的背面。
此时，如图16和图17所示，可以是第二摆动机构49使第二清洗构件48绕着第二摆动轴线B摆动，从而使第二清洗构件48从第二避让位置移动到晶片W的正上方，通过使第二清洗构件48一边在晶片W的正上方摆动一边从第二清洗构件48喷射喷流，由此对晶片W的表面进行非接触清洗。通过清洗部件43对晶片W的表面进行辊擦洗，同时通过从第二清洗构件48供给的喷流对晶片W的表面进行非接触清洗，由此提高清洗效率。在此，也可以是第二摆动机构49使第二清洗构件48绕着第二摆动轴线B摆动，从而使第二清洗构件48从第二避让位置移动到晶片W的周缘部的正上方，通过使第二清洗构件48一边在晶片W的周缘部的正上方摆动一边从第二清洗构件48喷射喷流，由此对晶片W的表面的周缘部进行非接触清洗。
清洗部件43对晶片W的表面的清洗结束之后，升降机构45使清洗部件43向上方移动，使清洗部件43的周面从晶片W的表面远离。然后，如图8和图9所示，摆动机构44使清洗部件43绕着摆动轴线A摆动(回旋)，从而使清洗部件43从清洗位置移动到晶片W的外侧的避让位置。
接着，如图10和图11所示，第二摆动机构49使第二清洗构件48绕着第二摆动轴线摆动(回旋)，从而使第二清洗构件48从晶片W的外侧的第二避让位置移动到晶片W的正上方的第二清洗位置。然后，第二清洗构件48向晶片W的表面喷射喷流，并且第二摆动机构49使第二清洗构件48绕着第二摆动轴线B摆动，使第二清洗构件48从晶片W的表面的一方(例如左侧)的周缘部通过晶片W的中心到另一方(例如右侧)的周缘部进行往返移动，由此向旋转的晶片W的表面整体供给喷流，从而对晶片W的表面整体进行非接触清洗。
在第二清洗构件48对晶片W的表面的清洗结束之后，第二摆动机构49使第二清洗构件48绕着第二摆动轴线B摆动(回旋)，从而使第二清洗构件48从第二清洗位置移动到晶片W的外侧的第二避让位置。然后，闸门50b成为开状态，清洗处理后的晶片W穿过晶片搬入搬出口41b被搬出到清洗槽41的外侧。
另外，在上述实施方式中，在清洗部件43对晶片W的清洗之后进行第二清洗构件48对晶片W的清洗，但也可以在清洗部件43对晶片W的清洗之前进行第二清洗构件48对晶片W的清洗。
在通过如上所述的清洗工序对多个晶片W进行清洗之后进行第二清洗构件48的更换或维护的情况下，如图12～图14所示，在清洗槽41的侧壁面的一部分(在图示的例中为跟前侧的壁面)被拆除之后，第二摆动机构49使第二清洗构件48绕着第二摆动轴线B摆动，从而使第二清洗构件48移动到清洗槽41的外侧的维护位置。由此，进行第二清洗构件48的更换或维护的操作者能够容易地接触到第二清洗构件48，提高工作效率。
另外，当在清洗槽41的内侧进行第一清洗构件43的更换或维护的情况下，第二摆动机构49使第二清洗构件48绕着第二摆动轴线B摆动，从而使第二清洗构件48避让到清洗槽41的外侧。由此，进行清洗部件43的更换或维护的操作者能够不被第二清洗构件48妨碍前进路线地接触到清洗部件43，提高工作效率。
根据如上所述的本实施方式，即使清洗部件43是比晶片W的半径长的长条的部件，从清洗部件43的中心到摆动机构44的摆动轴线A的距离L也被规定成比晶片W的直径小，由于通过使清洗部件43绕着该摆动轴线A摆动从而使清洗部件43从避让位置移动到清洗位置，因此，与使清洗部件43从避让位置直线移动(行进)到清洗位置的情况相比，能够减小使清洗部件43从清洗位置移动到避让位置所需的空间(即，供清洗部件43通过的空间)。另外，由于摆动机构44的摆动轴线A位于清洗槽41的内侧，因此不需要在清洗槽41的侧壁形成行进用的开口。因此，在能够使清洗部件43从避让位置移动到清洗位置的清洗装置16中，能够不在清洗槽41的侧壁形成行进用的开口，能够进一步减小清洗槽41的占用空间。另外，根据本实施方式，由于不需要在清洗槽41的侧壁形成行进用的开口，因此能够改善药液氛围泄露到清洗槽41的外侧。
另外，根据本实施方式，摆动机构44的摆动轴线A处于从清洗部件43的中心轴线的延长线上离开的位置，而不在清洗部件43的中心轴线的延长线上，因此，能够将从清洗部件43的中心到摆动轴线A的距离L缩短至清洗部件43的长度的一半以下，能够进一步减小使清洗部件43从清洗位置移动到避让位置所需的空间(供清洗部件通过的空间)，能够进一步减小清洗槽41的占用空间。
另外，根据本实施方式，摆动机构44使清洗部件43从避让位置移动到清洗位置时的摆动角θ小于90°，因此与该摆动角在90°以上的情况相比，能够进一步减小使清洗部件43从清洗位置移动到避让位置所需的空间(供清洗部件通过的空间)，能够进一步减小清洗槽41的占用空间。
另外，根据本实施方式，升降机构45的腕部45b以跨越避让位置的上方的方式在横向上延伸，当清洗部件43位于避让位置时，成为在腕部45b的下方的空间收容有清洗部件43的状态，因此能够有效地利用清洗槽41的内部空间，进一步减小清洗槽41的占用空间。
另外，根据本实施方式，即使清洗部件43是比晶片W的半径长的长条的部件，也通过使清洗部件43绕着摆动轴线A摆动从而使清洗部件43从避让位置移动到清洗位置，因此，与使清洗部件43从避让位置直线移动(行进)到清洗位置的情况相比，能够减小使清洗部件43从清洗位置移动到避让位置所需的空间(供清洗部件通过的空间)。另外，由于摆动轴线A位于清洗槽41的内侧，因此不需要在清洗槽41的侧壁形成行进用的开口。因此，在能够使清洗部件43从避让位置移动到清洗位置的清洗装置16中，能够不在清洗槽41的侧壁形成行进用的开口从而进一步减小清洗槽41的占用空间。另外，由于不需要在清洗槽41的侧壁形成行进用的开口，因此能够改善药液氛围泄露到清洗槽41的外侧。另外，绕着摆动轴线A摆动从避让位置移动到清洗位置的清洗部件43和绕着第二摆动轴线B摆动通过晶片W的中心的正上方的第二清洗构件48配置在同一清洗槽41内，因此在由清洗部件43进行辊擦洗工序之前或之后，能够在同一清洗槽41内使第二清洗构件48以通过晶片W的中心的方式摆动从而清洗晶片W的表面。由此，能够提高WPH(Wafer per hour：每小时晶片产量)、提高清洗性能。
另外，根据本实施方式，即使清洗部件43是比晶片W的半径长的长条的部件，从清洗部件43的中心到摆动轴线A的距离L也比晶片W的直径D小，当摆动机构44使清洗部件43绕着摆动轴线A摆动时，清洗部件43通过晶片W的中心的正上方，因此，与使清洗部件43从避让位置直线移动(行进)到清洗位置的情况相比，能够减小使清洗部件43从清洗位置移动到避让位置所需的空间(供清洗部件通过的空间)。
另外，根据本实施方式，当在清洗槽41的内侧进行清洗部件43的更换或维护时，第二摆动机构49使第二清洗构件48避让到清洗槽41的外侧，因此，操作者能够不被第二清洗构件48妨碍前进路线地接触到清洗部件43，提高工作效率。
另外，根据本实施方式，由于设有对第二清洗构件48是否位于清洗槽41的外侧进行监视的监视构件60，因此即使操作者不用眼确认第二清洗构件48是否位于清洗槽41的外侧，也能够通过监视构件60自动地进行确认，提高工作效率。
另外，根据本实施方式，在第二清洗构件48位于清洗槽41的外侧的情况下，监视构件60使第二清洗构件48的动作自动地停止，因此能够防止第二清洗构件48的动作错误地继续而污染清洗槽41的外侧。
另外，根据本实施方式，摆动轴线A和第二摆动轴线B被定位在从晶片W的中心观察时彼此相反的一侧，因此能够有效地利用清洗槽41的内部空间，进一步减小清洗槽41的占用空间。
以上，通过例示说明了本发明的实施方式和变形例，但本发明的范围并不限定于此，在本发明要求保护的范围内能够根据目的进行变更、变形。另外，各实施方式和变形例能够在处理内容不矛盾的范围内适当地组合。

Claims (36)

1.一种清洗装置，其特征在于，具备：
清洗槽，该清洗槽划定对晶片进行清洗的清洗空间；
晶片旋转机构，该晶片旋转机构配置在所述清洗槽的内侧，保持所述晶片并使所述晶片旋转；
清洗部件，该清洗部件与所述晶片的表面接触并对所述晶片的表面进行清洗，该清洗部件能够绕着在横向上延伸的中心轴线旋转，该清洗部件的轴线方向的长度比所述晶片的半径长；
摆动机构，该摆动机构使所述清洗部件绕着位于所述清洗槽的内侧的摆动轴线摆动，从而使所述清洗部件从所述晶片的外侧的避让位置移动到所述晶片的正上方的清洗位置；
第二清洗构件，该第二清洗构件对所述晶片的表面进行清洗；以及
第二摆动机构，该第二摆动机构使所述第二清洗构件绕着位于所述清洗槽的内侧的第二摆动轴线摆动，从而使所述第二清洗构件通过所述晶片的中心的正上方。
2.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，
从所述清洗部件的中心到所述摆动轴线的距离比所述晶片的直径小，
当所述摆动机构使所述清洗部件绕着所述摆动轴线摆动时，所述清洗部件通过所述晶片的中心的正上方。
3.根据权利要求1或2所述的清洗装置，其特征在于，
所述摆动轴线处于从所述清洗部件的所述中心轴线的延长线上离开的位置。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的清洗装置，其特征在于，
所述摆动机构使所述清洗部件从所述避让位置移动到所述清洗位置时的摆动角小于90°。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的清洗装置，其特征在于，
所述第二清洗构件是将喷流喷射到所述晶片的表面，从而以非接触的方式进行清洗的喷流清洗构件。
6.根据权利要求1～4中任意一项所述的清洗装置，其特征在于，
所述第二清洗构件是能够绕着在纵向上延伸的中心轴线旋转，与所述晶片的表面接触并对所述晶片的表面进行清洗的笔型清洗构件。
7.根据权利要求1～6中任意一项所述的清洗装置，其特征在于，
从所述第二清洗构件的中心到所述第二摆动轴线的距离比从所述清洗部件的中心到所述摆动轴线的距离大且比所述晶片的直径小。
8.根据权利要求1～7中任意一项所述的清洗装置，其特征在于，
所述第二摆动机构使所述第二清洗构件绕着所述第二摆动轴线摆动，从而使所述第二清洗构件在位于所述晶片的外侧且所述清洗槽的内侧的第二避让位置、所述晶片的正上方的第二清洗位置以及所述清洗槽的外侧的维护位置之间移动。
9.根据权利要求8所述的清洗装置，其特征在于，
当在所述清洗槽的内侧更换或维护所述清洗部件时，所述第二摆动机构使所述第二清洗构件避让到所述清洗槽的外侧。
10.根据权利要求8或9所述的清洗装置，其特征在于，
还具备监视构件，该监视构件对所述第二清洗构件是否位于所述清洗槽的外侧进行监视。
11.根据权利要求10所述的清洗装置，其特征在于，
在所述第二清洗构件位于所述清洗槽的外侧的情况下，所述监视构件使所述第二清洗构件的动作停止。
12.根据权利要求1～11中任意一项所述的清洗装置，其特征在于，
所述摆动轴线和所述第二摆动轴线被定位在从所述晶片的中心观察时彼此相反的一侧。
13.一种研磨装置，其特征在于，具备：
研磨单元，该研磨单元进行晶片的研磨；以及
清洗单元，该清洗单元对研磨后的晶片进行清洗，
所述清洗单元具备：
清洗槽，该清洗槽划定对晶片进行清洗的清洗空间；
晶片旋转机构，该晶片旋转机构配置在所述清洗槽的内侧，保持所述晶片并使所述晶片旋转；
清洗部件，该清洗部件与所述晶片的表面接触并对所述晶片的表面进行清洗，该清洗部件能够绕着在横向上延伸的中心轴线旋转，该清洗部件的轴线方向的长度比所述晶片的半径长；
摆动机构，该摆动机构使所述清洗部件绕着位于所述清洗槽的内侧的摆动轴线摆动，从而使所述清洗部件从所述晶片的外侧的避让位置移动到所述晶片的正上方的清洗位置；
第二清洗构件，该第二清洗构件对所述晶片的表面进行清洗；以及
第二摆动机构，该第二摆动机构使所述第二清洗构件绕着位于所述清洗槽的内侧的第二摆动轴线摆动，从而使所述第二清洗构件通过所述晶片的中心的正上方。
14.根据权利要求13所述的研磨装置，其特征在于，
从所述清洗部件的中心到所述摆动轴线的距离比所述晶片的直径小，
当所述摆动机构使所述清洗部件绕着所述摆动轴线摆动时，所述清洗部件通过所述晶片的中心的正上方。
15.根据权利要求13或14所述的研磨装置，其特征在于，
所述摆动轴线处于从所述清洗部件的所述中心轴线的延长线上离开的位置。
16.根据权利要求13～15中任意一项所述的研磨装置，其特征在于，
所述摆动机构使所述清洗部件从所述避让位置移动到所述清洗位置时的摆动角小于90°。
17.根据权利要求13～16中任意一项所述的研磨装置，其特征在于，
所述第二清洗构件是将喷流喷射到所述晶片的表面，从而以非接触的方式进行清洗的喷流清洗构件。
18.根据权利要求13～16中任意一项所述的研磨装置，其特征在于，
所述第二清洗构件是能够绕着在纵向上延伸的中心轴线旋转，与所述晶片的表面接触并对所述晶片的表面进行清洗的笔型清洗构件。
19.根据权利要求13～18中任意一项所述的研磨装置，其特征在于，
从所述第二清洗构件的中心到所述第二摆动轴线的距离比从所述清洗部件的中心到所述摆动轴线的距离大且比所述晶片的直径小。
20.根据权利要求13～19中任意一项所述的研磨装置，其特征在于，
所述第二摆动机构使所述第二清洗构件绕着所述第二摆动轴线摆动，从而使所述第二清洗构件在位于所述晶片的外侧且所述清洗槽的内侧的第二避让位置、所述晶片的正上方的第二清洗位置以及所述清洗槽的外侧的维护位置之间移动。
21.根据权利要求20所述的研磨装置，其特征在于，
当在所述清洗槽的内侧更换或维护所述清洗部件时，所述第二摆动机构使所述第二清洗构件避让到所述清洗槽的外侧。
22.根据权利要求20或21所述的研磨装置，其特征在于，
还具备监视构件，该监视构件对所述第二清洗构件是否位于所述清洗槽的外侧进行监视。
23.根据权利要求22所述的研磨装置，其特征在于，
在所述第二清洗构件位于所述清洗槽的外侧的情况下，所述监视构件使所述第二清洗构件的动作停止。
24.根据权利要求13～23中任意一项所述的研磨装置，其特征在于，
所述摆动轴线和所述第二摆动轴线被定位在从所述晶片的中心观察时彼此相反的一侧。
25.一种清洗装置，其特征在于，具备：
清洗槽，该清洗槽划定对晶片进行清洗的清洗空间；
晶片旋转机构，该晶片旋转机构配置在所述清洗槽的内侧，保持所述晶片并使所述晶片旋转；
清洗部件，该清洗部件与所述晶片的表面接触并对所述晶片的表面进行清洗，该清洗部件能够绕着在横向上延伸的中心轴线旋转；以及
摆动机构，该摆动机构使所述清洗部件绕着位于所述清洗槽的内侧的摆动轴线摆动，从而使所述清洗部件从所述晶片的外侧的避让位置移动到所述晶片的正上方的清洗位置，
所述清洗部件的长度比所述晶片的半径长，
从所述清洗部件的中心到所述摆动轴线的距离比所述晶片的直径小，
当所述摆动机构使所述清洗部件绕着所述摆动轴线摆动时，所述清洗部件通过所述晶片的中心的正上方。
26.根据权利要求25所述的清洗装置，其特征在于，
所述摆动轴线处于从所述清洗部件的所述中心轴线的延长线上离开的位置。
27.根据权利要求25或26所述的清洗装置，其特征在于，
所述摆动机构使所述清洗部件从所述避让位置移动到所述清洗位置时的摆动角小于90°。
28.根据权利要求25～27中任意一项所述的清洗装置，其特征在于，还具备：
升降机构，该升降机构使所述清洗部件升降；以及
负荷控制机构，该负荷控制机构控制所述清洗部件对所述晶片的表面施加的负荷。
29.根据权利要求28所述的清洗装置，其特征在于，
所述升降机构具有：
在纵向上延伸的柱部，该柱部被设置成贯通所述清洗槽的壁面；
腕部，该腕部从所述柱部沿横向延伸；以及
驱动构件，该驱动构件设置在向所述清洗槽的外侧突出的所述柱部的端部，
所述摆动机构设置在所述腕部的顶端部，
所述升降机构使所述清洗部件与所述摆动机构一体地升降。
30.根据权利要求29所述的清洗装置，其特征在于，
所述腕部以跨越所述避让位置的上方或下方的方式在横向上延伸。
31.一种研磨装置，其特征在于，具备：
研磨单元，该研磨单元进行晶片的研磨；以及
清洗单元，该清洗单元对研磨后的晶片进行清洗，
所述清洗单元具备：
清洗槽，该清洗槽划定对晶片进行清洗的清洗空间；
晶片旋转机构，该晶片旋转机构配置在所述清洗槽的内侧，保持所述晶片并使所述晶片旋转；
清洗部件，该清洗部件与所述晶片的表面接触并对所述晶片的表面进行清洗，该清洗部件能够绕着在横向上延伸的中心轴线旋转；以及
摆动机构，该摆动机构使所述清洗部件绕着位于所述清洗槽的内侧的摆动轴线摆动，从而使所述清洗部件从所述晶片的外侧的避让位置移动到所述晶片的正上方的清洗位置，
所述清洗部件的长度比所述晶片的半径长，
从所述清洗部件的中心到所述摆动轴线的距离比所述晶片的直径小，
当所述摆动机构使所述清洗部件绕着所述摆动轴线摆动时，所述清洗部件通过所述晶片的中心的正上方。
32.根据权利要求31所述的研磨装置，其特征在于，
所述摆动轴线处于从所述清洗部件的所述中心轴线的延长线上离开的位置。
33.根据权利要求31或32所述的研磨装置，其特征在于，
所述摆动机构使所述清洗部件从所述避让位置移动到所述清洗位置时的摆动角小于90°。
34.根据权利要求31～33中任意一项所述的研磨装置，其特征在于，还具备：
升降机构，该升降机构使所述清洗部件升降；以及
负荷控制机构，该负荷控制机构控制所述清洗部件对所述晶片的表面施加的负荷。
35.根据权利要求34所述的研磨装置，其特征在于，
所述升降机构具有：
在纵向上延伸的柱部，该柱部被设置成贯通所述清洗槽的壁面；
腕部，该腕部从所述柱部沿横向延伸；以及
驱动构件，该驱动构件设置在向所述清洗槽的外侧突出的所述柱部的端部，
所述摆动机构设置在所述腕部的顶端部，
所述升降机构使所述清洗部件与所述摆动机构一体地升降。
36.根据权利要求35所述的研磨装置，其特征在于，
所述腕部以跨越所述避让位置的上方或下方的方式在横向上延伸。
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