CN108780746A - 基板清洗装置、基板清洗方法、基板处理装置以及基板干燥装置 - Google Patents

基板清洗装置、基板清洗方法、基板处理装置以及基板干燥装置 Download PDF

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Abstract

提供更高性能的基板清洗装置、基板清洗方法、基板处理装置以及基板干燥装置。提供基板清洗装置，该基板清洗装置具有：基板保持旋转机构，该基板保持旋转机构保持基板并使该基板旋转；第一清洗机构，该第一清洗机构使清洗器具与所述基板接触而对所述基板进行清洗，或者通过双流体喷流对所述基板进行清洗，或者使用臭氧水对所述基板进行清洗；以及第二清洗机构，该第二清洗机构使用超声波清洗液对所述基板进行清洗。

Description

基板清洗装置、基板清洗方法、基板处理装置以及基板干燥 装置
技术领域
本发明涉及基板清洗装置、基板清洗方法、基板处理装置以及基板干燥装置。
背景技术
通常的CMP(Chemical Mechanical Polishing：化学机械研磨)装置对半导体晶片等基板进行研磨、清洗、并使其干燥。即，CMP装置具有基板研磨装置、基板清洗装置以及基板干燥装置。
作为基板清洗装置，公知有例如使用笔型清洗器具或者辊型清洗器具来进行接触清洗的结构(专利文献1)、通过双流体喷流来进行非接触清洗的结构(专利文献2)、使用臭氧水来进行清洗的结构(专利文献3)等。作为基板干燥装置，公知有例如进行IPA干燥的结构(专利文献4)等。
并且，作为以非接触的方式对半导体晶片等基板的表面进行清洗的清洗方式之一，公知有将进行了超声波处理后的纯水向基板的表面喷射来清洗表面的、利用了气蚀的超声波清洗(参照专利文献5)。
专利文献1：日本特开2015-65379号公报
专利文献2：日本特开2015-103647号公报
专利文献3：日本特开2014-117628号公报
专利文献4：日本特开2014-204427号公报
专利文献5：日本特开2014-130882号公报
发明内容
本发明的课题在于，提供更高性能的基板清洗装置、基板清洗方法、基板处理装置以及基板干燥装置。
用于解决课题的手段
根据本发明的一个方式，提供基板清洗装置，该基板清洗装置具有：基板保持旋转机构，该基板保持旋转机构保持基板并使该基板旋转；第一清洗机构，该第一清洗机构使清洗器具与所述基板接触而对所述基板进行清洗、或者通过双流体喷流对所述基板进行清洗、或者使用臭氧水对所述基板进行清洗；以及第二清洗机构，该第二清洗机构使用超声波清洗液对所述基板进行清洗。
发明效果
提供高性能的基板清洗装置、基板清洗方法、基板处理装置以及基板干燥装置。
附图说明
图1是示出包含第一实施方式的基板清洗装置的基板处理装置的整体结构的上方俯视图。
图2是在第一实施方式中采用了摆动部的情况下的基板清洗装置的侧方剖视图。
图3是在第一实施方式中采用了供给体保持部的情况下的基板清洗装置的侧方剖视图。
图4是示出在第一实施方式中所使用的供给体的方式1的侧方剖视图。
图5是示出在第一实施方式中所使用的供给体的方式2的侧方剖视图。
图6(a)-(d)是在第一实施方式中采用了方向变更部的情况下的正面剖视图，图6(e)(f)是在第一实施方式中采用了方向变更部的情况下的侧方剖视图。
图7是示出设置了两个在第一实施方式中所使用的供给体的方式的基板清洗装置的侧方剖视图。
图8是示出设置了两个在第一实施方式中所使用的振动体的方式的供给体的上方俯视图。
图9是示出在第一实施方式中所使用的供给体与辊清洗部件和供给清洗液的喷嘴一同使用的方式的基板清洗装置的侧方剖视图。
图10是示出在第一实施方式中所使用供给体与笔状清洗部件、双流体喷射清洗部以及供给清洗液的喷嘴一同使用的方式的基板清洗装置的侧方剖视图。
图11是示出在第二实施方式中所使用的供给体的方式1的侧方剖视图。
图12是示出在第二实施方式中所使用的供给体的方式2的侧方剖视图。
图13是示出在第二实施方式中所使用的供给体的方式3的侧方剖视图。
图14是示出在第二实施方式中所使用的供给体的方式4的侧方剖视图。
图15是示出在第二实施方式中所使用的供给体的方式5的侧方剖视图。
图16是示出在第二实施方式中所使用的供给管和引导管的配置方式1的上方俯视图。
图17是示出在第二实施方式中所使用的供给管和引导管的配置方式2的上方俯视图。
图18是示出在第二实施方式中所使用的供给管和引导管的配置方式3的上方俯视图。
图19(a)是示出使用了在第一实施方式中所使用的封闭部的方式的侧方剖视图，图19(b)是示出使用了在第二实施方式中所使用的封闭部的方式的侧方剖视图。
图20是示出包含第三实施方式的基板清洗装置的基板处理装置的整体结构的上方俯视图。
图21是第三实施方式的基板清洗装置的侧方剖视图。
图22是示出在第三实施方式中所使用的供给体的方式1的侧方剖视图。
图23是示出在第三实施方式中所使用的供给体的方式2的侧方剖视图。
图24是示出在第三实施方式中所使用的供给体的方式3的侧方剖视图。
图25是示出在第三实施方式中所使用的供给体的方式4的侧方剖视图。
图26是示出在第三实施方式中所使用的供给体的方式5的侧方剖视图。
图27是示出在第三实施方式中所使用的供给体的方式6的侧方剖视图。
图28是示出在第三实施方式中所使用的供给体的方式7的侧方剖视图。
图29是示出在第三实施方式中所使用的供给体相对于基板倾斜的方式的图。
图30是示出设置了两个在第三实施方式中所使用的供给体的方式的基板清洗装置的侧方剖视图。
图31是示出设置了两个在第三实施方式中所使用的振动体的方式的供给体的上方俯视图。
图32是示出在第三实施方式中所使用的供给体与辊清洗部件和供给清洗液的喷嘴一同使用的方式的基板清洗装置的侧方剖视图。
图33是示出在第三实施方式中所使用的供给体与笔状清洗部件、双流体喷射清洗部以及供给清洗液的一同使用的方式的基板清洗装置的侧方剖视图。
图34是示出在第四实施方式中所使用的供给体的侧方剖视图。
图35是示出在第四实施方式的变形例1中所使用的供给体的侧方剖视图。
图36是示出在第四实施方式的变形例2中所使用的供给体的侧方剖视图。
图37是示出包含第五实施方式的基板处理装置的处理装置的整体结构的上方俯视图。
图38是第五实施方式的基板处理装置的侧方剖视图。
图39是示出在第五实施方式中所使用的供给管、供给部以及供给管保持部等的侧方图。
图40是示出在第五实施方式中所使用的供给管和供给管保持部等的上方俯视图。
图41是第五实施方式的变形例的基板处理装置的侧方剖视图。
图42是示出在第六实施方式中所使用的供给管的侧方图。
图43(a)是示出在第七实施方式中所使用的供给管、液滴引导部和供给管保持部的一例的侧方图，图43(b)是示出在第七实施方式中所使用的供给管、液滴引导部以及供给管保持部的其他例的侧方图。
图44是从上方观察在第八实施方式中所使用的振动部和引导管等的剖视图。
图45是示意性地示出在第八实施方式中所使用的振动部、振荡器以及引导管等的概略图。
图46是示意性地示出在第八实施方式的变形例中所使用的振动部和引导管等的概略图。
图47是用于对第九实施方式中的供给管与基板的位置关系进行说明的侧方剖视图。
图48是用于对第九实施方式的变形例中的供给管与基板的位置关系进行说明的侧方剖视图。
图49是一实施方式的基板处理装置的概略顶视图。
图50是第十实施方式的基板清洗装置4的俯视图。
图51是第十实施方式的基板清洗装置4的侧视图。
图52是超声波清洗机构43的侧视图。
图53是示出卡盘爪411保持基板W的状况的顶视图。
图54A是示出对基板W的斜面进行清洗的状况的顶视图。
图54B是示出对基板W的斜面进行清洗的状况的侧视图。
图55是示出对卡盘爪411进行清洗的状况的顶视图。
图56是示出清洁装置426的概略结构的图。
图57是第十一实施方式的基板清洗装置4’的俯视图。
图58是第十一实施方式的基板清洗装置4’的侧视图。
图59是示意性地示出双流体喷嘴452的剖视图。
图60是第十二实施方式的基板清洗装置4”的俯视图。
图61是第十三实施方式的基板干燥装置5的俯视图。
图62是第十三实施方式的基板干燥装置5的立体图。
图63是第十四实施方式的基板清洗装置4”’的侧视图。
具体实施方式
(第一实施方式)
在使用了超声波清洗的情况下，无法否定如下的可能性：由于在不存在清洗液的状态(所谓的空烧的状态)下使振动部振动而导致振动部破损。
第一和第二实施方式是鉴于这样的问题而完成的，其课题在于，提供在不存在清洗液的状态(所谓的空烧的状态)下使振动部不振动的基板清洗装置。
《结构》
以下，关于具有本发明的实施方式的基板清洗装置的基板处理装置的第一实施方式，参照附图进行说明。
如图1所示，基板处理装置具有：大致矩形状的外壳110、以及对存放多个基板W的基板盒进行载置的装载口112。装载口112与外壳110相邻配置。在装载口112中能够搭载开盖盒、SMIF(Standard Mechanical Interface：标准机械界面)容器、或者FOUP(FrontOpening Unified Pod：前开口片盒)。SMIF容器、FOUP是能够通过在内部收纳基板盒并利用间隔壁进行覆盖而保持与外部空间独立的环境的密闭容器。作为基板W，能够列举例如半导体晶片等。
在外壳110的内部收容有多个(在图1所示的方式中为四个)研磨单元114a～114d、对研磨后的基板W进行清洗的第一清洗单元116和第二清洗单元118、以及使清洗后的基板W干燥的干燥单元120。研磨单元114a～114d沿着基板处理装置的长度方向排列，清洗单元116、118以及干燥单元120也沿着基板处理装置的长度方向排列。根据本实施方式的基板处理装置，在直径300mm或者450mm的半导体晶片、平面面板、CMOS(Complementary MetalOxide Semiconductor：互补金属氧化物半导体)或CCD(Charge Coupled Device：电荷耦合器件)等图像传感器、MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory：磁阻随机存取存储器)中的磁性膜的制造工序中，能够对各种基板W进行研磨处理。
在装载口112、位于装载口112侧的研磨单元114a以及干燥单元120所包围的区域中配置有第一输送机器人122。并且，与研磨单元114a～114d和清洗单元116、118以及干燥单元120平行地配置输送单元124。第一输送机器人122从装载口112接收研磨前的基板W并交接给输送单元124、或者从输送单元124接收被从干燥单元120取出的干燥后的基板W。
在第一清洗单元116与第二清洗单元118之间配置有第二输送机器人126，该第二输送机器人126在这些第一清洗单元116与第二清洗单元118之间进行基板W的交接，在第二清洗单元118与干燥单元120之间配置有第三输送机器人128，该第三输送机器人128在这些第二清洗单元118与干燥单元120之间进行基板W的交接。此外，在外壳110的内部配置有对基板处理装置的各设备的工作进行控制的控制部50。在本实施方式中，使用在外壳110的内部配置有控制部50的方式进行说明，但不限于此，也可以在外壳110的外部配置有控制部50。
作为第一清洗单元116，也可以使用辊清洗装置，该辊清洗装置在清洗液的存在下，在基板W的直径的大致全长的范围内使呈直线状延伸的辊清洗部件116a、116b接触，一边绕与基板W平行的中心轴自转一边对基板W的表面进行擦洗(参照图9)。并且，作为第二清洗单元118，也可以使用笔状清洗装置，该笔状清洗装置在清洗液的存在下，使沿铅垂方向延伸的圆柱状的笔状清洗部件118a的下端接触面接触，使笔状清洗部件118a一边自转一边朝向一方向移动，而对基板W的表面进行擦洗(参照图10)。并且，作为干燥单元120，也可以使用旋转干燥单元，该旋转干燥单元从移动的喷射喷嘴朝向水平旋转的基板W喷出IPA蒸汽而使基板W干燥，进一步使基板W高速旋转而借助离心力使基板W干燥。
另外，作为第一清洗单元116，也可以不使用辊清洗装置，而使用与第二清洗单元118相同的笔状清洗装置、或者使用通过双流体喷射而对基板W的表面进行清洗的双流体喷射清洗装置。并且，作为第二清洗单元118，也可以不使用笔状清洗装置，而使用与第一清洗单元116相同的辊清洗装置、或者使用通过双流体喷射而对基板W的表面进行清洗的双流体喷射清洗装置。本发明的实施方式的基板清洗装置既能够应用于第一清洗单元116也能够应用于第二清洗单元118，还能够与辊清洗装置、笔状清洗装置、和/或双流体喷射清洗装置一同使用。作为一例，如图9所示，本实施方式的供给体30(后述)也可以与对基板W的第一表面(图9的上表面)和第二表面(图9的下表面)进行清洗的辊清洗部件116a、116b以及供给清洗液的喷嘴117一同使用。并且，作为其他例，如图10所示，本实施方式的供给体30也可以与对基板W的第一表面(图10的上表面)进行清洗的笔状清洗部件118a和双流体喷射清洗部118b以及供给清洗液的喷嘴117一同使用。
本实施方式的清洗液包含：纯水(DIW)等冲洗液、氨过氧化氢(SC1)、盐酸过氧化氢(SC2)、硫酸过氧化氢(SPM)、硫酸加水、氢氟酸等药液。在本实施方式中只要没有特别说明，清洗液是指冲洗液或者药液中的任意一种。
如图2和图3所示，本发明的实施方式的基板清洗装置具有：支承(保持)基板W的卡盘等基板支承部70、以及使由基板支承部70支承的基板W旋转的旋转部60。并且，通过这些基板支承部70和旋转部60来构成基板旋转机构。在图2和图3所示的方式中，仅示出两个基板支承部70，但在从上方观察时，在本实施方式中均等地(以旋转中心为中心按照90°的角度)配置四个基板支承部70。另外，基板支承部70的数量只要能够稳定地支承基板W即可，也可以为例如三个。另外，作为支承基板W的基板支承部70，也可以使用主轴等。在使用了这样的主轴的情况下，基板W旋转并且被支承，还实现主轴作为旋转部的功能。另外，在图2和图3中，示出了在水平方向上支承基板W的例子，但不限于此，例如也可以采用在纵向(铅垂方向)或者倾斜方向上支承基板W的结构。基板W的旋转方向或转速由控制部50控制。基板W的转速可以是恒定的，也可以是可变的。
如图2和图3所示，供给体30经由供给管15而与供给部10连结。
如图2所示，供给体30也可以由摆动部40保持。摆动部40也可以具有：在与基板W的法线垂直的方向上延伸的第一延伸部41、以及与第一延伸部41的基端侧连结且在基板W的法线方向上延伸的第二延伸部42(参照图6)。并且，也可以在第一延伸部41的顶端部连结有供给体30。另外，本实施方式的“在基板W的法线方向上延伸”只要包含“基板W的法线方向的成分”并延伸即可，也可以从“基板W的法线方向”倾斜。并且，摆动部40也可以是，能够通过例如致动器(未图示)而沿着基板W的法线方向(图2的上下方向)移动。
如图3所示，也可以设置供给体保持部45，该供给体保持部45通过使供给体30在与基板W的法线方向垂直的面内(图3的左右和纸面的表里方向)进行例如滑动而将供给体30保持为能够移动。供给管15可以具有可塑性，也可以在供给体30移动时进行追踪。供给体保持部45也可以是，能够通过例如致动器(未图示)而沿着基板W的法线方向(图3的上下方向)移动。
为了防止清洗液或超声波清洗液飞散，也可以设置旋转杯(未图示)，该旋转杯在基板支承部70的外侧覆盖基板W的周围，与基板W同步地旋转。
如图2和图3所示，基板清洗装置具有：供给清洗液的供给部10、将从供给部10供给的清洗液向基板W供给的供给体30、以及设置在供给体30内且对从供给部10供给的清洗液施加超声波振动的振动部20。
如图4和图5所示，供给体30具有：主体部31、用于向基板W排出清洗液的流出口34、向流出口34引导清洗液的引导部32、以及使从供给部10供给的清洗液流入引导部32内的流入口33。另外，通过主体部31的内壁而形成引导部32。在本实施方式中，引导部32具有膨胀部35，该膨胀部35供通过了与振动部20对应的振动对应位置后的清洗液流入。本实施方式的“振动对应位置”是指与振动部20相对的位置，若使用图4进行说明，是指位于振动部20的下方的区域。本实施方式中的“膨胀部35”是指引导部32中的与其他的部分相比朝向外方侧膨胀的部分，例如是指具有比流出口34或者其附近的引导部32的横截面积大的横截面积的部分。
在图4和图5中，也可以在与流入口33相对的相反侧的面上设置有朝向外方侧膨胀的膨胀部35。并且，如图5所示，膨胀部35也可以在包含流入口33的面上膨胀，也可以是，包含与流入口33相对的相反侧的面以及含有流入口33的面在内的整个周缘面朝向外方侧膨胀。并且，也可以如图4所示，包含流入口33的面不膨胀，流入口33侧的面不膨胀。另外，“流入口33侧的面”是指在俯视图中(从图4的上方侧观察的情况下)，位于比引导部32的中心靠流入口33侧的位置的面。
上述的控制部50也可以在向基板W供给清洗液之前，从供给部10供给清洗液。并且，也可以取代该方式或者使用该方式，并且，控制部50控制方向变更部55(后述)，以使得在向基板W供给清洗液之前，使流出口34朝向与基板W相反的一侧的方向(参照图6(d))。另外，“与基板W相反的一侧的方向”只要包含朝向与基板W相反的一侧的成分即可，若使用图6(d)进行说明，在图6(d)中只要包含上方侧的成分即可。
在本实施方式中，利用仅使用了一个供给体30的方式来说明，但不限于此，也可以设置多个供给体30。
由振动部20产生的超声波振动经由引导部32或者封闭部36(参照图19(a))而施加给清洗液或者直接施加给清洗液。在图4和图5所示的方式中，振动部20被设置为与引导部32抵接，由振动部20产生的超声波振动经由引导部32而施加给清洗液。另一方面，在图19(a)所示的方式中，振动部20被设置为与封闭部36抵接，由振动部20产生的超声波振动经由封闭部36而施加给清洗液。
作为引导部32的材料，能够使用例如石英、不锈钢、蓝宝石、PTFE、PEEK、含碳树脂等。特别是不锈钢、石英和蓝宝石是使超声波振动更不容易衰减的材料。因此，通过使用这样的石英或者蓝宝石，能够防止施加给清洗液的超声波振动衰减。并且，封闭部36可以由包含Ta、石英、PTFE、PEEK、含碳树脂(C-PTFE、C-PEEK等)或者蓝宝石的材料形成，更具体而言，封闭部36也可以由Ta、石英、PTFE、PEEK、含碳树脂(C-PTFE、C-PEEK等)或者蓝宝石形成。
特别是，在引导部32由树脂材料构成，在引导部32内流动的清洗液的流量变多的情况下，有时由于清洗液与引导部32之间的接触而引起带电。并且，当使产生了这样的带电的引导部32的顶端接近基板W时，有可能由于引导部32中的带电的影响而经由空间使基板W的表面也带电。因此，作为引导部32的树脂材料，采用C-PTFE、C-PEEK等含碳树脂(导电性树脂材料)，使引导部32经由摆动部40等而接地连接是有益的。这是因为，通过采用这样的方式，能够使由于清洗液与引导部32之间的接触而引起的带电逃逸，能够在引导部32的顶端附近不容易引起带电，而且能够更可靠地避免基板W带电。
另外，在使用封闭部36的情况下，引导部32中的与封闭部36相对的位置开口，该开口被封闭部36完全地覆盖。另外，也可以在封闭部36与构成引导部32的壁面的外表面(主体部31)之间设置O型环等密封部件。作为一例，也可以设置比开口大的O型环等密封部件，该密封部件夹持在封闭部36与构成引导部32的壁面的外表面(主体部31)之间。
也可以如图6(a)-(f)所示，设置有能够改变流出口34的角度的方向变更部55。通过该方向变更部55，可以使供给体30能够相对于基板W倾斜而自由地改变流出口34相对于基板W的角度，也可以使流出口34能够朝向与基板W相反的一侧的方向(参照图6(b)-(d))。并且，如图6(e)(f)所示，可以使流出口34能够朝向基板W的中心部侧，也可以使流出口34能够朝向基板W的周缘部侧。
在例如希望在基板W上储存清洗液的情况下，只要供给体30以朝向与基板W的旋转方向相反的一侧供给清洗液这样的角度相对于基板W倾斜即可。另一方面，在例如希望不施加阻力地向基板W上供给清洗液的情况下，只要供给体30以沿着基板W的旋转方向供给清洗液这样的角度相对于基板W倾斜即可。另外，供给体30相对于基板W的角度可以手动地变更，也可以接收来自控制部50的信号而自动地变更。在接收来自控制部50的信号而自动地变更的情况下，供给体30被保持的角度也可以根据方案而依次变更。
也可以如图7所示，设置了两个以上的供给体30，向基板W的表面和背面双方供给清洗液。在像这样使用两个以上的供给体30的情况下，可以如图2所示那样采用摆动部40，也可以如图3所示那样采用供给体保持部45。这在其他的方式中也相同，在图4至图6以及图8至图10中的任意图中，可以如图2所示那样采用摆动部40，也可以如图3所示那样采用供给体保持部45。另外，在图4至图6中，示出使用了摆动部40的方式，这仅是一例，也可以使用图3所示的供给体保持部45。
也可以是，与供给体30对基板W的中心侧区域进行清洗时相比较，在供给体30对基板W的周缘侧区域进行清洗时，控制部50将供给体30的移动速度控制成较慢。另外，本实施方式的“中心侧区域”是与“周缘侧区域”相比较而使用的，是指与“周缘侧区域”相比较位于基板W的中心侧的区域。
并且，控制部50也可以在从供给部10供给清洗液起经过第一时间后，使振动部20开始振动。并且，控制部50也可以在从供给部10供给清洗液起经过比第一时间长的第二时间后开始从流出口34向基板W进行清洗液的供给。此时，也可以在从供给部10供给清洗液起经过第一时间后继续供给清洗液，在经过比第一时间长且比第二时间短的第三时间后供给体30开始移动，在从供给部10供给清洗液起经过第二时间后，向基板W的周缘部供给清洗液。在该方式中，然后，从基板W的周缘部朝向中心部继续地持续供给清洗液。也可以与这样的方式不同，在流出口34从基板W的周缘部向中心部的上方移动的期间，停止从供给部10的清洗液的供给，在流出口34定位于基板W的中心部的上方之后(在经过第二时间后)，从流出口34再次排出清洗液，而向基板W的中心部供给清洗液。在清洗基板W的期间，第二延伸部22也可以从基板W的中心部朝向周缘部移动，相反，第二延伸部22也可以从基板W的周缘部朝向中心部移动，也可以重复进行这样的移动。
另外，在向基板W供给清洗液的情况下，并不一定需要始终对该清洗液施加超声波振动。在如用于在基板W的上表面上制造清洗液的膜的工序等那样不对清洗液施加超声波振动的情况下，也可以不进行超声波振动，而在向基板W供给清洗液之前从流出口34排出清洗液。
也可以如图2和图3所示，基板清洗装置还具有排出液回收部75，该排出液回收部75用于回收从位于待机位置的流出口34排出的清洗液。也可以是，该排出液回收部75与排液回收部(未图示)连结，对所回收的清洗液进行排液处理。
也可以如图2和图3中的上下方向的双向箭头所示，在向基板W供给清洗液时将供给体30定位于接近位置，在不向基板W供给清洗液时将供给体30定位于分离位置。另外，“分离位置”是指与“接近位置”相比较在基板W的法线方向上距离基板W较远的位置，相反，“接近位置”是指与“分离位置”相比较在基板W的法线方向上距离基板W较近的位置。也可以是，供给体30与未图示的致动器连结，通过该致动器而定位于接近位置和分离位置。
另外，可以使基板支承部70能够在上下方向上移动，使基板W相对于供给体30采取“分离位置”和“接近位置”，也可以使供给体30和基板支承部70双方能够在上下方向上移动，通过将基板W和供给体30双方适当定位，而采取“分离位置”和“接近位置”。
特别是，在引导部32由石英等使超声波振动不容易衰减的材料构成的情况下，并且在采用了向基板W供给清洗液之前将供给体30定位于接近位置的方式的情况下，在向基板W供给清洗液时，能够利用使超声波振动不容易衰减的材料所构成的引导部32而引导到接近基板W的位置，而向基板W供给清洗液。
并且，当向基板W供给清洗液的工序结束时，也可以将供给体30定位于分离位置。通过像这样将供给体30定位于分离位置，能够防止清洗液或其他的液体等以非预期的形式附着于供给体30、第一延伸部41或者供给管15。
并且，当向基板W供给清洗液的工序结束时，也可以将供给体30定位于待机位置。并且，供给体30也可以在该待机位置处定位于分离位置。待机位置是指例如供给体30没有位于基板W的法线方向的位置，在将基板W配置成沿水平方向延伸的方式中，是指供给体30没有位于基板W的上下方向的位置。作为待机位置的一例，能够列举出能够向上述的排出液回收部75排出清洗液的位置。
也可以在向基板W供给清洗液之前，从供给部10供给清洗液而从位于待机位置的流出口34朝向例如排出液回收部75排出清洗液的情况下，定位于接近位置。通过像这样定位于接近位置，能够防止排出的清洗液不小心地飞散。
供给体30也可以在待机位置处定位于分离位置(上方位置)，在该待机位置处定位于接近位置(下方位置)之后，在基板W的上方移动。通过像这样在待机位置处定位于分离位置，能够更可靠地防止清洗液或其他的液体等以非预期的形式附着于供给体30。并且，通过在待机位置处定位于接近位置(下方位置)之后使其移动，而在供给体30在基板W上移动时，还能够在接近基板W的位置供给清洗液，能够效率良好地清洗基板W。
并且，供给体30也可以在待机位置处定位于分离位置(上方位置)，在该状态下在基板W的上方移动，在将流出口34定位于基板W的中心之后，将供给体30定位于接近位置(下方位置)。根据这样的方式，能够期待如下：在供给体30在基板W的上方移动时，防止之前工序的清洗液或其他的液体等附着于供给体30。
《作用/效果》
接着，以上述的结构构成的本实施方式的作用/效果且未说明的内容为中心进行说明。
根据本实施方式，供给体30具有膨胀部35，该膨胀部35供通过了与振动部20对应的振动对应位置之后的清洗液流入。因此，能够效率良好地使从供给部10供给的清洗液在振动对应位置通过。因此，能够将在不存在清洗液的状态(所谓的空烧的状态)下产生振动部20振动的状态的情况效率良好地防患于未然。
如图4和图5所示，在采用了膨胀部35在与流入口33相对的相反侧的面上朝向外方侧膨胀的方式的情况下，能够顺利地使从流入口33流入的清洗液在振动对应位置通过。因此，能够将在不存在清洗液的状态下产生振动部20振动的状态的情况进一步效率良好地防患于未然。并且，通过采用该方式，能够效率良好地形成从流入口33流入的清洗液在膨胀部35处的对流。因此，能够进一步效率良好地消除不存在清洗液的状态。
如图4所示，在采用了流入口33侧的面不膨胀的方式的情况下，能够抑制从流入口33流入的清洗液的扩散，并且使清洗液流入引导部32内。因此，能够顺利地使从流入口33流入的清洗液在振动对应位置通过。其结果为，能够将在不存在清洗液的状态下产生振动部20振动的状态的情况进一步效率良好地防患于未然。
也可以如图4和图5所示，膨胀部35具有朝向流出口34的锥形形状35a。通过采用这样的锥形形状35a，能够在利用膨胀部35使从流入口33流入到膨胀部35的清洗液效率良好地对流之后，朝向流出口34。因此，能够进一步效率良好地消除不存在清洗液的空间。
在采用了向基板W供给清洗液之前，从供给部10供给清洗液，从位于例如待机位置的流出口34排出清洗液的方式的情况下，将氧气等进入而导致的清洗效果较低的清洗液排出，能够对氮气等进入后的清洗效果较高的清洗液施加超声波振动而用于基板W的清洗。并且，并不是通过没有充分地施加超声波而清洗效果不高的清洗液，而是能够通过充分地施加超声波而具有较高的清洗效果的清洗液对基板W进行清洗。并且，在利用进入了氧气等而没有充分地施加超声波的清洗液对基板W进行清洗的情况下，还有可能会产生不良情况，但通过采用该方式，能够将这样的不良情况的产生防患于未然。并且，能够从基板W的清洗开始时刻开始利用均匀的清洗力的清洗液对基板W进行清洗，能够实现稳定的基板清洗。
在采用了与流出口34对基板W的中心侧区域进行清洗时相比，流出口34对基板W的周缘侧区域进行清洗时供给体30的移动速度较慢的方式的情况下，与基板W的内周侧相比，能够向基板W的外周侧供给较多的清洗液。由于在基板W的外周侧应该由清洗液进行清洗的面积与在基板W的内周侧应该由清洗液进行清洗的面积相比较大，因此通过采用这样的方式，能够使基板W的每单位面积被供给的清洗液的量接近均匀的量。
在将从旋转的基板W的中心起的距离设为r时，该距离r时的圆弧的长度为2πr。因此，也可以根据该2πr来计算供给体30的移动速度，根据该移动速度而使供给体30移动。也可以不是这样的方式，而是简单地在从基板W的中心部朝向周缘部移动的期间，连续地或者断续地使供给体30的移动速度变慢，相反也可以在从基板W的周缘部朝向中心部移动的期间，连续地或者断续地使供给体30的移动速度变快。根据这样的方式，在控制不会变复杂的方面是有益的。
在采用了在从供给部10供给清洗液起经过第一时间后使振动部20开始振动的方式的情况下，由于在使清洗液流入之后使振动部20振动，因此更可靠地防止在不存在清洗液的状态(所谓的空烧的状态)下振动部20振动而使振动部20破损的情况。
作为一例，第一时间为例如0.1秒～1秒左右。关于第一时间，只要能够防止在与振动部20相对的部分不存在清洗液的状态即可，因此不需要采取那么长的时间。
另外，也可以在将位于引导部32内的清洗液向排出液回收部75等排出时，使振动部20不振动。然而，通过在将位于引导部32内的清洗液向排出液回收部75等排出时使振动部20预先振动，而在能够利用施加了超声波振动的清洗液在引导部32内预先进行清洗的方面是有益的。并且，通过预先施加超声波振动，能够预先对引导部32内的清洗液施加充分的超声波振动(能够蓄积充分的能量)，当在基板W上进行清洗时，能够从最初开始供给清洗力充分高的清洗液。
并且，在采用了在从供给部10供给清洗液起经过比第一时间长的第二时间后开始从流出口34向基板W进行清洗液的供给的方式的情况下，能够更可靠地利用具有较高的清洗效果的清洗液对基板W进行清洗。另外，作为一例，第二时间是位于引导部32内的清洗液全部出现的程度的时间。该第二时间可以根据引导部32内的体积和供给清洗液的供给速度来计算，也可以通过实验导出。第二时间为例如1秒～5秒左右。
在采用了设置有用于将从位于待机位置的流出口34排出的清洗液进行回收的排出液回收部75的方式的情况下，能够可靠地回收没有用于清洗的被排出的清洗液。因此，能够将从流出口34排出的清洗液反弹而成为雾从而给基板W带来不良影响的可能性防患于未然。
并且，在通过混合了液体和气体的双流体而对基板W的表面进行清洗的双流体喷射清洗装置上组装了本实施方式的基板清洗装置的方式中(参照图10)，例如也可以在双流体喷射清洗工序前，通过本实施方式的供给体30来进行基板W的清洗。根据这样的方式，在能够通过施加了超声波的清洗液的气蚀效果而使附着于基板W的粒子浮起之后，进行双流体喷射清洗的方面是有益的。另外，气蚀效果是指利用了通过超声波使清洗液中产生的气泡破裂而产生的冲击波的清洗效果。
变形例
也可以采用如下的方式：振动部20以第一频率和比第一频率低的第二频率进行振动，而对清洗液施加超声波振动。并且，也可以采用以三个以上的频率对清洗液施加超声波振动的方式。
根据本变形例，能够以不同的频率对清洗液施加超声波振动。因此，能够根据用途而改变清洗液的清洗力。
一个振动部20也可以以不同的频率进行振动，但也可以如图8所示，振动部20具有以第一频率进行振动的第一振动部20a以及以比第一频率低的第二频率进行振动的第二振动部20b。根据这样的方式，在能够以简单的结构施加不同的频率的超声波振动的方面是有益的。
也可以如图8所示，第一振动部20a也可以与对该第一振动部20a发送信号的第一发射器21a电连接。同样，第二振动部20b也可以与对该第二振动部20b发送信号的第二发射器21b电连接。
在图8所示的方式中，供给体30具有由壳体30'保持的第一供给体30a和第二供给体30b。并且，第一供给体30a具有与第一发射器21a连接的第一振动部20a，第二供给体30b具有与第二发射器21b连接的第二振动部20b。在图8所示的方式中，通过使壳体30'移动而使第一供给体30a和第二供给体30b移动，但也可以采用第一供给体30a与第二供给体30b分别移动的方式。由于当清洗液碰撞基板W时超声波振动衰减，因此即使同时使用不同的频率的清洗液，提供不同的频率而产生的效果也没怎么变化。因此，也可以同时使用不同的频率的清洗液。
在本实施方式中，也可以是，第一频率为900kHz以上5MHz以下，第二频率小于900kHz。在以900kHz以上的频率进行振动的情况下，由于振动幅度较小，因此能够去除比较小的杂质，并且，由于气蚀的效果较小，因此能够减小施加给基板W的负载。另一方面，在以小于900kHz的频率进行振动的情况下，由于振动幅度较大，因此能够去除比较大的杂质。当第一频率与第二频率之差较小时效果之差也较小。因此，作为一例，第一频率与第二频率之差可以为500kHz左右，例如作为第一频率使用950kHz，作为第二频率使用430kHz。并且，不限于此，例如作为第一频率能够使用950kHz，作为第二频率能够使用750kHz。
在采用了这样的方式的情况下，且与笔状清洗装置一同采用本实施方式的基板清洗装置的情况下(参照图10)，也可以是，(1)以第二频率对清洗液施加超声波振动来清洗基板W，(2)然后，使用笔状清洗部件118a来清洗基板W，(3)然后，以第一频率对清洗液施加超声波振动来清洗基板W。根据这样的方式，首先，利用以第二频率施加了超声波振动的清洗液来去除较大的杂质，然后进行笔状清洗部件118a的清洗，作为修整，能够利用以第一频率施加了超声波振动的清洗液来去除较小的杂质。因此，与从前相比能够降低施加给笔状清洗部件118a的负载，而且能够延长笔状清洗部件118a的寿命。
并且，作为其他的方式，也可以是，(1)使用笔状清洗部件118a来清洗基板W，(1)然后，以第二频率对清洗液施加超声波振动来清洗基板W，(3)然后，以第一频率对清洗液施加超声波振动来清洗基板W。在这样的方式中，也出于与上述相同的理由，与从前相比能够降低施加给笔状清洗部件118a的负载，而且能够延长笔状清洗部件118a的寿命。
(第二实施方式)
接着，使用图11至图18和图19(b)对第二实施方式进行说明。
在第二实施方式中，设置有引导管39，该引导管39供通过了与振动部20对应的振动对应位置后的清洗液流入。也可以如图13所示，在引导管39上设置有阀等开闭部38。该开闭部38也可以接收来自控制部50的指令而进行开闭。作为一例，也可以在向基板W供给清洗液之前，在从供给部10供给清洗液前开闭部38处于打开状态，在经过了恒定时间(例如1秒～几秒)后开闭部38处于关闭状态。
通过了引导管39的清洗液也可以在排出液回收部75(参照图2和图3)中被回收。
在采用摆动部40的情况下，引导管39的至少一部分也可以在第一延伸部41内延伸(参照图15至图18)。
在第二实施方式中，其他的结构采用与第一实施方式大致相同的方式。因此，根据本实施方式，能够得到与第一实施方式相同的效果。
在像本实施方式那样采用了引导管39的情况下，也与第一实施方式相同地，能够效率良好地使从供给部10供给的清洗液在振动对应位置通过。因此，能够将在不存在清洗液的状态(所谓的空烧的状态)下产生振动部20振动的状态的情况效率良好地防患于未然。
在采用对通过了引导管39的清洗液进行回收的排出液回收部75的情况下，在能够可靠地回收没有用于基板W的清洗的清洗液的方面是有益的。
如图15至图18所示，在采用了引导管39的至少一部分在第一延伸部41内延伸的方式的情况下，在效率良好地利用第一延伸部41内的空间、并且能够将没有用于基板W的清洗的清洗液向第一延伸部41的基部侧引导的方面是有益的。
也可以如图11至图13所示，引导管39设置于与流入口33相对的位置。即，引导管39也可以设置于与流入口33相对的位置。在采用了该方式的情况下，能够将从流入口33流入到引导部32内的清洗液顺利地引导到引导管39。
并且，也可以如图11至图13所示，以使供给管15和引导管39的上端与引导部32的上端一致的方式进行设置。通过采用这样的方式，能够在与振动部20对应的振动对应位置，使从供给管15流入的清洗液顺利地流入引导管39。因此，能够进一步效率良好地防止在不存在清洗液的状态(所谓的空烧的状态)下产生振动部20振动的状态的情况。
也可以如图11和图13所示，引导管39与供给管15延伸的方向平行地延伸，但也可以如图12所示，采用弯折的方式。在图12中，引导管39朝向与基板W相反的一侧(图12的上方侧)弯折。但不限于此，引导管39可以朝向基板W侧弯折，引导管39也可以向与基板W的面方向平行的方向弯折。另外，在采用了引导管39朝向上方侧弯折的方式的情况下，由于清洁室内的空气等外气沿着引导管39朝向上方侧移动，因此在空气等外气不容易积存在与振动部20对应的振动对应位置的方面是有益的。
并且，也可以如图14所示，引导管39具有终端部39a，使流入到引导管39内的清洗液不向外方流出。另外，在采用了具有终端部39a的方式且引导管39朝向上方侧弯折的方式的情况下，能够期待空气等外气积存于终端部39a，在空气等外气不容易积存于与振动部20对应的振动对应位置的方面是有益的。
如图13和图15所示，在采用了设置有阀等开闭部38的方式的情况下，在通过在向基板W供给清洗液时使开闭部38处于关闭状态而能够将从供给部10供给的全部清洗液或者大致全部清洗液向基板W供给的方面是有益的。并且，通过在向基板W供给清洗液前，使开闭部38处于打开状态，能够使流入到引导管39内的清洗液顺利地流动，在即使空气等外气存在于振动对应位置也能够顺利地冲走的方面是有益的。
供给管15和引导管39的配置方式能够自由地变更，也可以如图16所示，引导管39埋设在供给体10内，也可以如图15和图17所示，引导管39的一部分露出到供给体10的外方，也可以如图18所示，供给管15和引导管39的一部分露出到外方。
另外，也可以如图19(b)所示，使用封闭部36。在使用该封闭部36的情况下，与第一实施方式中说明的内容同样，引导部32中的与封闭部36相对的位置开口，该开口被封闭部36完全覆盖。
上述的各实施方式的记载、变形例和附图的发明仅仅是用于对所要保护的技术方案中记载的发明进行说明的一例，没有通过上述的实施方式的记载或者附图的发明来限定所要保护的技术方案中记载的发明。
在上述中，使用对基板W的整个表面进行清洗的方式进行了说明，但不限于此，例如，也可以用于对基板W的斜面部进行清洗的斜面清洗装置、搭载于电镀装置的旋转干燥(SRD)装置等。
[符号说明]
10 供给部
20 振动部
20a 第一振动部
20b 第二振动部
30 供给体
32 引导部
33 流入口
34 流出口
35 膨胀部
39 引导管
41 第一延伸部
50 控制部
55 方向变更部
75 排出液回收部
W 基板
[用于解决第一和第二实施方式的课题的手段]
第一方式的基板清洗装置具有：
供给部，该供给部供给清洗液；
供给体，该供给体向基板供给从所述供给部供给的清洗液；以及
振动部，该振动部设置在所述供给体内，对从所述供给部供给的清洗液施加超声波振动，
所述供给体具有膨胀部，该膨胀部供通过了与所述振动部对应的振动对应位置后的所述清洗液流入。
在第一方式的基板清洗装置中，也可以是，
所述供给体具有：流出口，该流出口用于向所述基板排出清洗液；引导部，该引导部向所述流出口引导所述清洗液；以及流入口，该流入口使从所述供给部供给的清洗液流入所述引导部内，
所述膨胀部至少在与所述流入口相对的相反侧的面上膨胀。
在第一方式的基板清洗装置中，也可以是，
所述供给体具有：流出口，该流出口用于向所述基板排出清洗液；引导部，该引导部向所述流出口引导所述清洗液；以及流入口，该流入口使从所述供给部供给的清洗液流入所述引导部内，
所述流入口侧的面不膨胀。
第二方式的基板清洗装置具有：
供给部，该供给部供给清洗液；
供给体，该供给体向基板供给从所述供给部供给的清洗液；以及
振动部，该振动部设置在所述供给体内，对从所述供给部供给的清洗液施加超声波振动；以及
引导管，该引导管供通过了与所述振动部对应的振动对应位置后的清洗液流入。
第二方式的基板清洗装置也可以是，
还具有排出液回收部，该排出液回收部对通过了所述引导管的清洗液进行回收。
第二方式的基板清洗装置也可以是，
还具有第一延伸部，该第一延伸部支承所述供给体，并且能够以基部侧为中心进行摆动，
所述引导管的至少一部分在所述第一延伸部内延伸。
基板清洗装置也可以是，
还具有控制部，该控制部在向所述基板供给所述清洗液之前，从所述供给部供给所述清洗液。
在基板清洗装置中，也可以是，
所述控制部在从所述供给部供给所述清洗液起经过第一时间后是所述振动部开始振动。
基板清洗装置也可以是，
所述供给体具有用于供所述清洗液流出的流出口，
该基板清洗装置还具有方向变更部，该方向变更部使所述流出口朝向与所述基板相反的一侧的方向。
在基板清洗装置中，也可以是，
所述供给体具有：流出口，该流出口用于向所述基板排出清洗液；引导部，该引导部向所述流出口引导所述清洗液；以及流入口，该流入口使从所述供给部供给的清洗液流入所述引导部内，
所述引导部由导电性树脂材料构成，并且进行接地连接。
[第一和第二实施方式的效果]
本实施方式的供给体设置有供通过了与振动部对应的振动对应位置后的清洗液流入的膨胀部或者引导管。因此，能够效率良好地使从供给部供给的清洗液在振动对应位置通过。因此，能够将在不存在清洗液的状态(所谓的空烧的状态)下产生振动部振动的状态的情况效率良好地防患于未然。
(第三实施方式)
在使用了超声波清洗的情况下，由于通过超声波而产生振动，因此会产生从前没有预定的课题。作为该一例，有时由于与清洗液接触的部件振动而产生细小的尘埃等。
第三和第四实施方式是鉴于这样的点而完成的，其目的在于，提供基板清洗装置和基板处理装置，在向半导体晶片等基板供给施加了超声波振动的清洗液时，能够防止产生细小的尘埃等。
另外，在第三和第四实施方式中，与之前的附图的符号不同，重新标注附图的符号。
《结构》
以下，关于具有本发明实施方式的基板清洗装置的基板处理装置的第三实施方式，参照附图进行说明。这里，图20至图33是用于对本发明的实施方式进行说明的图。
如图20所示，基板处理装置具有：大致矩形状的外壳110、以及对存放多个基板W的基板盒进行载置的装载口112。装载口112与外壳110相邻地配置。在装载口112中能够搭载开盖盒、SMIF(Standard Mechanical Interface)容器、或者FOUP(Front Opening UnifiedPod)。SMIF容器、FOUP是能够通过在内部收纳基板盒并利用间隔壁进行覆盖而保持与外部空间独立的环境的密闭容器。作为基板W，能够列举例如半导体晶片等。
在外壳110的内部收容有多个(在图20所示的方式中为四个)研磨单元114a～114d、对研磨后的基板W进行清洗的第一清洗单元116和第二清洗单元118、以及使清洗后的基板W干燥的干燥单元120。研磨单元114a～114d沿着基板处理装置的长度方向排列，清洗单元116、118和干燥单元120也沿着基板处理装置的长度方向排列。根据本实施方式的基板处理装置，在直径300mm或者450mm的半导体晶片、平面面板、CMOS(Complementary MetalOxide Semiconductor)或CCD(Charge Coupled Device)等图像传感器、MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)中的磁性膜的制造工序中，能够对各种基板进行研磨处理。
在装载口112、位于装载口112侧的研磨单元114a以及干燥单元120所包围的区域中配置有第一输送机器人122。并且，与研磨单元114a～114d和清洗单元116、118以及干燥单元120平行地配置有输送单元124。第一输送机器人122从装载口112接收研磨前的基板W并交接给输送单元124、或者从输送单元124接收从干燥单元120取出的干燥后的基板W。
在第一清洗单元116与第二清洗单元118之间配置有第二输送机器人126，该第二输送机器人126在这些第一清洗单元116与第二清洗单元118之间进行基板W的交接，在第二清洗单元118与干燥单元120之间配置有第三输送机器人128，该第三输送机器人128在这些第二清洗单元118与干燥单元120之间进行基板W的交接。此外，在外壳110的内部配置有对基板处理装置的各设备的工作进行控制的控制部50。在本实施方式中，使用在外壳110的内部配置有控制部50的方式进行说明，但不限于此，也可以在外壳110的外部配置有控制部50。
作为第一清洗单元116，也可以使用辊清洗装置，该辊清洗装置在清洗液的存在下，在基板W的直径的大致全长的范围内使呈直线状延伸的辊清洗部件116a、116b接触，一边绕与基板W平行的中心轴自转一边对基板W的表面进行擦洗(参照图32)。并且，作为第二清洗单元118，也可以使用笔状清洗装置，该笔状清洗装置在清洗液的存在下，使沿铅垂方向延伸的圆柱状的笔状清洗部件118a的下端接触面接触，使笔状清洗部件118a一边自转一边朝向一方向移动，而对基板W的表面进行擦洗(参照图33)。并且，作为干燥单元120，也可以使用旋转干燥单元，该旋转干燥单元从移动的喷射喷嘴朝向水平旋转的基板W喷出IPA蒸汽而使基板W干燥，进一步使基板W高速旋转而借助离心力使基板W干燥。
另外，也可以是，作为第一清洗单元116不使用辊清洗装置，而使用与第二清洗单元118相同的笔状清洗装置、或者使用通过双流体喷射而对基板W的表面进行清洗的双流体喷射清洗装置。并且，作为第二清洗单元118，也可以不使用笔状清洗装置，而使用与第一清洗单元116相同的辊清洗装置、或者使用通过双流体喷射而对基板W的表面进行清洗的双流体喷射清洗装置。本发明的实施方式的基板清洗装置既能够应用于第一清洗单元116也能够应用于第二清洗单元118，还能够与辊清洗装置、笔状清洗装置、和/或双流体喷射清洗装置一同使用。作为一例，如图32所示，本实施方式的供给体30(后述)也可以与对基板W的第一表面(图32的上表面)和第二表面(图32的下表面)进行清洗的辊清洗部件116a、116b以及供给清洗液的喷嘴117一同使用。并且，作为其他例，如图33所示，本实施方式的供给体30也可以与对基板W的第一表面(图33的上表面)进行清洗的笔状清洗部件118a和双流体喷射清洗部118b以及供给清洗液的喷嘴117一同使用。
本实施方式的清洗液包含纯水(DIW)等冲洗液、氨过氧化氢(SC1)、盐酸过氧化氢(SC2)、硫酸过氧化氢(SPM)、硫酸加水、氢氟酸等药液。在本实施方式中只要没有特别说明，清洗液是指冲洗液或者药液中的任意一种。
如图21所示，本发明的实施方式的基板清洗装置具有：支承(保持)基板W的卡盘等基板支承部70、以及使由基板支承部70支承的基板W旋转的旋转部60。并且，通过这些基板支承部70和旋转部60来构成基板旋转机构。在图21所示的方式中，仅示出两个基板支承部70，但在从上方观察时，在本实施方式中均等地(以旋转中心为中心按照90°的角度)配置四个基板支承部70。另外，基板支承部的数量只要能够稳定地支承基板W即可，也可以为例如三个。另外，作为支承基板W的基板支承部70，也可以使用主轴等。在使用了这样的主轴的情况下，基板W旋转并且被支承，还实现主轴作为旋转部的功能。另外，在图21中，示出了在水平方向上支承基板W的例子，但不限于此，例如也可以采用在纵向(铅垂方向)上支承基板W结构。基板W的旋转方向或转速由控制部50控制。基板W的转速可以是恒定的，也可以是可变的。
为了防止清洗液或超声波清洗液飞散，也可以设置旋转杯(未图示)，该旋转杯在基板支承部70的外侧覆盖基板W的周围，与基板W同步地旋转。
如图21所示，基板清洗装置具有供给清洗液的供给部10。如图22至图28所示，基板清洗装置还具有：对从供给部10供给的清洗液施加超声波振动的振动部20、以及从流出口34对基板W供给从供给部10供给的清洗液的供给体30。
图22至图28所示的供给体30具有：主体部48；流入口33，该流入口33供从供给部10供给的清洗液流入；第一引导部31，该第一引导部31经由第一引导路31a将从流入口33流入的清洗液引导到流出口34，并且具有与流入口33和流出口34不同的开口部35(在图22至图28中位于上端。)；由O型环等构成的密封部45，该密封部45经由第一引导部31设置于第一引导路31a的至少一部分的周缘外方；以及封闭部40，该封闭部40覆盖开口部35并且与密封部45接触。
如图21所示，供给体30经由供给管15而与供给部10连结(具体而言，供给体30的开口部与供给管15相互连结，但这些连接部分的详细结构在图21中省略。)。该供给管15可以具有可塑性，也可以像后述那样在供给体30移动时进行追踪。封闭部40可以由包含Ta、石英、PFA(聚四氟乙烯)或者蓝宝石的材料形成，更具体而言，封闭部40也可以由Ta、石英、PFA或者蓝宝石形成。
在本实施方式中，利用主要仅使用一个供给体30的方式进行说明，但不限于此，也可以设置多个供给体30(参照图30和图31)。
由振动部20产生的超声波振动经由封闭部40和/或第一引导部31而施加给清洗液。在图22至图27所示的方式中，振动部20被设置为与封闭部40抵接，由振动部20产生的超声波振动经由封闭部40而施加给清洗液。不限于这样的方式，也可以如图28所示，振动部20被设置为与第一引导部31抵接，由振动部20产生的超声波振动经由第一引导部31而施加给清洗液。另外，从通过清洗液而效率良好地传递超声波振动的观点出发，与封闭部40相邻地设置振动部20是有益的，特别是与封闭部40相邻地设置振动部20并且封闭部40由石英或者蓝宝石构成是有益的。
也可以如图22所示，封闭部40在第一引导部31的周缘外方具有向基板W侧(图22的下方侧)突出的第一突出部41。第一突出部41也可以在其端部与主体部48之间夹持密封部45。更具体而言，也可以如图22所示，主体部48具有夹持用部件49，在第一突出部41的端部与夹持用部件49之间夹持密封部45。
并且，也可以如图23和图24所示，第一引导部31在与基板W相反的一侧(图22的下方侧)的端部具有切口36。在该情况下，也可以采用如下的方式：密封部45位于切口36内，密封部45经由第一引导部31而设置于第一引导路31a的至少一部分的周缘外方。在该方式中，也可以如图23所示那样封闭部40覆盖切口36的整体，也可以如图24所示那样封闭部40覆盖切口36的一部分。
也可以如图25和图26所示，第一引导部31在与基板W相反的一侧的端部具有凹部37。在该情况下，也可以采用如下的方式：密封部45位于凹部37内，密封部45经由第一引导部31而设置于第一引导路31a的至少一部分的周缘外方。在该方式中，也可以如图25所示，封闭部40不具有设置于第一引导部31的端面(在图25中为上端面)、且向第一引导部31的周缘外方突出的第一突出部41，也可以如图26所示，封闭部40具有向第一引导部31的周缘外方突出的第一突出部41。
也可以如图27所示，第一引导部31在与基板W相反的一侧的侧面具有凹部37。在该情况下，也可以采用如下的方式：密封部45位于凹部37内，密封部45经由第一引导部31而设置于第一引导路31a的至少一部分的周缘外方。在该方式中，也可以是，封闭部40在第一引导部31的周缘外方具有向基板W侧突出的第一突出部41，密封部45位于该第一突出部41的周缘内方。这里，“相反的一侧的侧面”是指比流入口33靠基板W的相反的一侧(图27的上方侧)，在侧面没有设置流入口33的方式中，是指比第一引导部31的长度方向的中心靠基板W的相反的一侧(图27的上方侧)。
作为第一引导部31的材料，能够使用例如石英、不锈钢、蓝宝石、PFA等。特别是石英和蓝宝石为使超声波振动更不容易衰减的材料。因此，通过使用这样的石英或者蓝宝石，能够防止施加给清洗液的超声波振动衰减。
也可以如图29(a)-(c)所示，供给体30能够相对于基板W倾斜，能够自由地改变流出口34相对于基板W的角度。在例如希望在基板W上储存清洗液的情况下，只要供给体30以朝向与基板W的旋转方向相反的一侧供给清洗液这样的角度相对于基板W倾斜即可。另一方面，在例如希望不施加阻力地向基板W上供给清洗液的情况下，只要供给体30以沿着基板W的旋转方向供给清洗液这样的角度相对于基板W倾斜即可。另外，供给体30相对于基板W的角度可以手动地变更，也可以接收来自控制部50的信号而自动地变更。在接收来自控制部50的信号而自动地变更的情况下，供给体30被保持的角度也可以根据方案而依次变更。
也可以如图30所示，设置了两个以上的供给体30，向基板W的表面和背面双方供给清洗液。
也可以是，与供给体30对基板W的中心侧区域进行清洗时相比较，在供给体30对基板W的周缘侧区域进行清洗时，图20所示的控制部50将供给体30的移动速度控制成较慢。另外，本实施方式的“中心侧区域”是与“周缘侧区域”相比较而使用的，是指与“周缘侧区域”相比较位于基板W的中心侧的区域。
并且，控制部50也可以在从供给部10供给清洗液起经过第一时间后使振动部20开始振动。并且，控制部50也可以在从供给部10供给清洗液起经过比第一时间长的第二时间后开始从流出口34向基板W进行清洗液的供给。此时，也可以在从供给部10供给清洗液起经过第一时间后继续供给清洗液，在经过比第一时间长且比第二时间短的第三时间后供给体30开始移动，在从供给部10供给清洗液起经过第二时间后，向基板W的周缘部供给清洗液。在该方式中，然后，从基板W的周缘部朝向中心部继续地持续供给清洗液。也可以与这样的方式不同，在流出口34从基板W的周缘部向中心部的上方移动的期间，停止从供给部10的清洗液的供给，在流出口34定位于基板W的中心部的上方之后(在经过第二时间后)，从流出口34再次排出清洗液，而向基板W的中心部供给清洗液。在清洗基板W的期间，第二延伸部22也可以从基板W的中心部朝向周缘部移动，相反，第二延伸部22也可以从基板W的周缘部朝向中心部移动，也可以重复进行这样的移动。
另外，在向基板W供给清洗液的情况下，并不一定需要始终对该清洗液施加超声波振动。当像用于在基板W的上表面上制造清洗液的膜的工序等那样不对清洗液施加超声波振动的情况下，也可以不进行超声波振动，而在向基板W供给清洗液之前从流出口34排出清洗液。
也可以如图21所示，基板清洗装置还具有排出液回收部75，该排出液回收部75用于在供给体30位于待机位置时，回收从位于待机位置的流出口34排出的清洗液。并且，从供给体的流出口34向下方排出的清洗液向设置于排出液回收部75的上部的开口部供给而被回收。该排出液回收部75与排液回收部(未图示)连结，排出液回收部75所回收的清洗液向排液回收部供给，被进行排液处理。
也可以如图21的双向箭头所示，供给体30不仅在基板W的面方向(图21的左右方向)上移动，而且能够在基板W的法线方向(图21的上下方向)上移动。在该情况下，也可以是，在向基板W供给清洗液时将供给体30定位于接近位置，在不向基板W供给清洗液时将供给体30定位于分离位置。另外，“分离位置”是指与“接近位置”相比较在基板W的法线方向上距离基板W较远的位置，相反，“接近位置”是指与“分离位置”相比较在基板W的法线方向上距离基板W较近的位置。也可以是，供给体30与未图示的致动器连结，通过该致动器而定位于接近位置和分离位置。
另外，可以使基板支承部70能够在上下方向上移动，使基板W相对于供给体30采取“分离位置”和“接近位置”，也可以使供给体30和基板支承部70双方能够在上下方向上移动，通过将基板W和供给体30双方适当定位，而采取“分离位置”和“接近位置”。
特别是，在第一引导部31由石英等使超声波振动不容易衰减的材料构成的情况下，并且在采用了向基板W供给清洗液之前将供给体30定位于接近位置的方式的情况下，在向基板W供给清洗液时，能够利用使超声波振动不容易衰减的材料所构成的第一引导部31而引导到接近基板W的位置，而向基板W供给清洗液。
并且，当向基板W供给清洗液的工序结束时，也可以将供给体30定位于分离位置。通过像这样将供给体30定位于分离位置，能够防止清洗液或其他的液体等以非预期的形式附着于供给体30或者供给管15。
并且，当向基板W供给清洗液的工序结束时，也可以将供给体30定位于待机位置。并且，供给体30也可以在该机位置处于定位分离位置。待机位置是指例如供给体30没有位于基板W的法线方向的位置，在将基板W配置成沿水平方向延伸的方式中，是指供给体30没有位于基板W的上下方向的位置。作为待机位置的一例，能够列举出能够向上述的排出液回收部75排出清洗液的位置。
也可以在向基板W供给清洗液之前，从供给部10供给清洗液而从位于待机位置的流出口34朝向例如排出液回收部75排出清洗液的情况下，定位于接近位置。通过像这样定位于接近位置，能够防止排出的清洗液不小心地飞散。
供给体30也可以在待机位置处定位于分离位置(上方位置)，在该待机位置处定位于接近位置(下方位置)之后，在基板W的上方移动。通过像这样在待机位置处定位于分离位置，能够更可靠地防止清洗液或其他的液体等非预期的形式附着于供给体30。并且，通过在待机位置处定位于接近位置(下方位置)之后使其移动，而在供给体30在基板W上移动时，还能够在接近基板W的位置供给清洗液，能够效率良好地清洗基板W。
并且，供给体30也可以在待机位置处定位于分离位置(上方位置)，在该状态下在基板W的上方移动，在将流出口34定位于基板W的中心之后，将供给体30定位于接近位置(下方位置)。根据这样的方式，能够期待如下：在供给体30在基板W的上方移动时，防止之前工序的清洗液或其他的液体等附着于供给体30。
《作用/效果》
接着，以由上述的结构构成的本实施方式的作用/效果且未说明的内容为中心进行说明。
如图22至图28所示，在本实施方式中，密封部45经由第一引导部31而设置于第一引导路31a的至少一部分的周缘外方，封闭部40覆盖开口部35并且与密封部45接触。当对清洗液施加超声波振动时，有可能由于超声波振动而从密封部45产生细小的尘埃等(由于超声波振动将密封部45的一部分剥离而成为尘埃)，通过采用该方式，即使从密封部45产生细小的尘埃等，也由于该尘埃等很难混入第一引导路31a内的清洗液，因此能够防止该尘埃等被供给到该基板W。另外，由于与密封部45相比较，封闭部40由强度高的材料形成，因此不容易由于超声波振动将封闭部40的一部分剥离而成为尘埃。
如图22所示，在采用了封闭部40在周缘具有向基板W侧突出的第一突出部41，第一突出部41的端部位于第一引导部31的周缘外方，在第一突出部41的端部与主体部48的夹持用部件49之间夹持密封部45的方式的情况下，即使清洗液在封闭部40中传递而到达密封部45，也由于密封部45位于第一引导部31的周缘外方，因此从密封部45产生的尘埃不会漏出到第一引导部31内的清洗液。因此，能够更可靠地防止尘埃混入清洗液。
特别是，如图22所示，在采用与封闭部40相邻地设置振动部20且封闭部40振动的方式的情况下，由于清洗液从封闭部40与第一引导部31之间所形成的间隙到达第一引导部31的周缘外方，因此像上述那样，采用第一突出部41的端部位于第一引导部31的周缘外方且在第一突出部41的端部与主体部48之间夹持密封部45的方式是特别有益的。
如图23和图24所示，在采用了第一引导部31在与基板W相反的一侧的端部具有切口36，密封部45位于切口36内，密封部45经由第一引导部31而设置于第一引导路31a的至少一部分的周缘外方的方式的情况下，即使清洗液在封闭部40中传递而到达密封部45，也由于密封部45位于第一引导部31的周缘外方，因此从密封部45产生的尘埃不会漏出到第一引导部31内的清洗液。但是，在该方式中，由于在第一引导路31a中引导的清洗液与密封部45之间的距离较近，而且密封部45设置于第一引导部31的上端，因此在图22所示的方式中，在尘埃不容易混入清洗液的方面是有益的。
如图25和图26所示，在采用了第一引导部31在与基板W相反的一侧的端部具有凹部37，密封部45位于凹部37内，密封部45经由第一引导部31而设置于第一引导路31a的至少一部分的周缘外方的方式的情况下，即使清洗液在封闭部40中传递而到达密封部45，也由于密封部45位于第一引导部31的周缘外方，因此从密封部45产生的尘埃不会漏出到第一引导部31内的清洗液。但是，在该方式中，也由于在第一引导路31a中引导的清洗液与密封部45之间的距离较近，而且密封部45设置于第一引导部31的上端，因此在图22所示的方式中，在尘埃不容易混入清洗液的方面是有益的。
如图27所示，在采用了第一引导部31在与基板W相反的一侧的侧面具有凹部37，密封部45位于凹部37内，密封部45经由第一引导部31而设置于第一引导路31a的至少一部分的周缘外方的方式的情况下，即使清洗液在封闭部40中传递而到达密封部45，也由于密封部45位于第一引导部31的周缘外方，因此从密封部45产生的尘埃不会漏出到第一引导部31内的清洗液。根据该方式，能够与图22所示的方式同种程度地，得到尘埃不容易混入清洗液的效果。
在采用了向基板W供给清洗液之前，从供给部10供给清洗液，从位于待机位置的流出口34排出清洗液的方式的情况下，将氧气等进入而导致清洗效果较低的清洗液排出，能够对氮气等进入后的清洗效果较高的清洗液施加超声波振动而用于基板W的清洗。并且，并不是通过没有充分地施加超声波而清洗效果不高的清洗液，而是能够通过充分地施加超声波而具有较高的清洗效果的清洗液对基板W进行清洗。并且，在利用进入了氧气等而没有充分地施加超声波的清洗液对基板W进行清洗的情况下，还有可能会产生不良情况，但通过采用该方式，能够将这样的不良情况的产生防患于未然。并且，能够从基板W的清洗开始时刻开始利用均匀的清洗力的清洗液对基板W进行清洗，能够实现稳定的基板清洗。
在采用了与流出口34对基板W的中心侧区域进行清洗时相比较，流出口34对基板W的周缘侧区域进行清洗时供给体30的移动速度较慢的方式的情况下，与基板W的内周侧相比，能够向基板W的外周侧供给较多的清洗液。由于在基板W的外周侧应该由清洗液进行清洗的面积与在基板W的内周侧应该由清洗液进行清洗的面积相比较大，因此通过采用这样的方式，能够使基板W的每单位面积被供给的清洗液的量接近均匀的量。
在将从旋转的基板W的中心起的距离设为r时，该距离r时的圆弧的长度为2πr。因此，也可以根据该2πr来计算供给体30的移动速度，根据该移动速度而使供给体30移动。也可以不是这样的方式，而是简单地在从基板W的中心部朝向周缘部移动的期间，连续地或者断续地使供给体30的移动速度变慢，相反在从基板W的周缘部朝向中心部移动的期间，连续地或者断续地使供给体30的移动速度变快。根据这样的方式，在控制不会变复杂的方面是有益的。
在采用了在从供给部10供给清洗液起经过第一时间后使振动部20开始振动的方式的情况下，能够防止在不存在清洗液的状态(所谓的空烧的状态)下振动部20振动而使振动部20破损的情况。即，在第一引导部31内，空气等会进入清洗液内，有时产生在与振动部20相对的部分(在图22至图27中第一引导部31的上端)不存在清洗液的状态。关于这点，在采用了上述的方式的情况下，由于在使振动部20振动前供给清洗液，因此能够防止在不存在清洗液的状态(所谓的空烧的状态)下使振动部20振动而使振动部20破损的情况。
作为一例，第一时间为例如0.1秒～1秒左右。关于第一时间，只要能够防止在与振动部20相对的部分不存在清洗液的状态即可，不需要采取那么长的时间。
另外，也可以在将位于第一引导部31内的清洗液向排出液回收部75等排出时，使振动部20不振动。然而，通过在将位于第一引导部31内的清洗液向排出液回收部75等排出时使振动部20预先振动，而在能够利用施加了超声波振动的清洗液在第一引导部31内预先进行清洗的方面是有益的。并且，通过预先施加超声波振动，能够预先对第一引导部31内的清洗液施加充分的超声波振动(能够蓄积充分的能量)，当在基板W上进行清洗时，能够从最初开始供给清洗力充分高的清洗液。
并且，在采用了在从供给部10供给清洗液起经过比第一时间长的第二时间后开始从流出口34向基板W进行清洗液的供给的方式的情况下，能够更可靠地利用具有较高的清洗效果的清洗液对基板W进行清洗。另外，作为一例，第二时间是位于第一引导部31内的清洗液全部出现的程度的时间。该第二时间可以根据第一引导部31内的体积和供给清洗液的供给速度来计算，也可以通过实验导出。第二时间为例如几秒～5秒左右。
在采用了设置有用于将从位于待机位置的流出口34排出的清洗液进行回收的排出液回收部75的方式的情况下，能够可靠地回收没有用于清洗的被排出的清洗液。因此，能够将从流出口34排出的清洗液反弹而成为雾从而给基板W带来不良影响的可能性防患于未然。
并且，在通过混合了液体和气体的双流体而对基板W的表面进行清洗的双流体喷射清洗装置上组装了本实施方式的基板清洗装置的方式中(参照图33)，例如也可以在双流体喷射清洗工序前，通过本实施方式的供给体30来进行基板W的清洗。根据这样的方式，在能够通过施加了超声波的清洗液的气蚀效果而使附着于基板W的粒子浮起之后，进行双流体喷射清洗的方面是有益的。另外，气蚀效果是指利用了通过超声波使清洗液中产生的气泡破裂而产生的冲击波的清洗效果。
变形例
也可以采用如下的方式：振动部20以第一频率和比第一频率低的第二频率进行振动，而对清洗液施加超声波振动。并且，也可以采用以三个以上的频率对清洗液施加超声波振动的方式。
根据本变形例，能够以不同的频率对清洗液施加超声波振动。因此，能够根据用途而改变清洗液的清洗力。
一个振动部20也可以以不同的频率进行振动，但也可以如图31所示，振动部20具有以第一频率进行振动的第一振动部20a以及以比第一频率低的第二频率进行振动的第二振动部20b。根据这样的方式，在能够以简单的结构施加不同的频率的超声波振动的方面是有益的。
也可以如图31所示，第一振动部20a与对该第一振动部20a发送信号的第一发射器21a电连接。同样，第二振动部20b也可以与对该第二振动部20b发送信号的第二发射器21b电连接。
在图31所示的方式中，供给体30具有由壳体30'保持的第一供给体30a和第二供给体30b。并且，第一供给体30a具有与第一发射器21a连接的第一振动部20a，第二供给体30b具有与第二发射器21b连接的第二振动部20b。在图31所示的方式中，通过使壳体30'移动而使第一供给体30a和第二供给体30b移动，但也可以采用第一供给体30a与第二供给体30b分别移动的方式。由于当清洗液碰撞基板W时超声波振动衰减，因此即使同时使用不同的频率的清洗液，提供不同的频率而产生的效果也没怎么变化。因此，也可以同时使用不同的频率的清洗液。
在本实施方式中，也可以是，第一频率为900kHz以上5MHz以下，第二频率小于900kHz。在以900kHz以上的频率进行振动的情况下，由于振动幅度较小，因此能够去除比较小的杂质，并且，由于气蚀的效果较小，因此能够减小施加给基板W的负载。另一方面，在以小于900kHz的频率进行振动的情况下，由于振动幅度较大，因此能够去除比较大的杂质。当第一频率与第二频率之差较小时效果之差也较小。因此，作为一例，第一频率与第二频率之差可以为500kHz左右，例如作为第一频率使用950kHz，作为第二频率使用430kHz。并且，不限于此，例如作为第一频率能够使用950kHz，作为第二频率能够使用750kHz。
在采用了这样的方式的情况下，且与笔状清洗装置一同采用本实施方式的基板清洗装置的情况下(参照图33)，也可以是，(1)以第二频率对清洗液施加超声波振动来清洗基板W，(2)然后，使用笔状清洗部件118a来清洗基板W，(3)然后，以第一频率对清洗液施加超声波振动来清洗基板W。根据这样的方式，首先，利用以第二频率施加了超声波振动的清洗液去除较大的杂质，然后进行笔状清洗部件118a的清洗，作为修整，能够利用以第一频率施加了超声波振动的清洗液来去除较小的杂质。因此，与从前相比能够降低施加给笔状清洗部件118a的负载，而且能够延长笔状清洗部件118a的寿命。
并且，作为其他的方式，也可以是，(1)使用笔状清洗部件118a来清洗基板W，(1)然后，以第二频率对清洗液施加超声波振动来清洗基板W，(3)然后，以第一频率对清洗液施加超声波振动来清洗基板W。在这样的方式中，也出于与上述相同的理由，与从前相比能够降低施加给笔状清洗部件118a的负载，而且能够延长笔状清洗部件118a的寿命。
(第四实施方式)
接着，对第四实施方式进行说明。
在第四实施方式中，如图34所示，供给体30具有第二引导部39，该第二引导部39具有供从供给部10供给的清洗液流入的流入口33以及用于将从流入口33流入的清洗液向基板W供给的流出口34。在第二引导部39中没有设置流入口33和流出口34以外的开口。在该第四实施方式中，没有设置第三实施方式那样的开口部35和覆盖开口部35的、并且与密封部45接触的作为其他部件的封闭部40。取而代之，第二引导部39具有将流出口34的相反的一侧封闭的端部39b，端部39b与振动部20抵接。采用由振动部20产生的超声波振动经由第二引导部39的端部39b而施加给清洗液的方式。另外，在图34的方式中，由于供给管15的上侧内表面与端部39b的内表面为相同高度，因此能够更可靠地防止空气残留在端部39b附近而成为空烧的状态。并且，也可以如图35所示，将缓冲部件45a设置于振动部20的周缘外方。作为缓冲部件45a，也可以使用第三实施方式中使用的密封部45那样的部件。
并且，也可以如图36所示，使接液部为一体构造，成为振动部20粘接于主体部48的一体构造。并且，也可以通过将与主体部48分体设置的盖部48a向粘接有振动部20的主体部48按压，而在盖部48a与主体部48之间夹入O型环等密封部45b。在该方式中，也可以在振动部20的周缘外方，主体部48与O型环等密封部45b接触，在振动部20的外周设置有空间、或者设置有硅或发泡剂等而能够相对于空间移位进行追踪。
本实施方式的第二引导部39也可以由使超声波振动不容易衰减的材料一体成型。
在第四实施方式中，其他的结构采用与第三实施方式大致相同的方式。因此，根据本实施方式，能够得到与第三实施方式相同的效果。
根据本实施方式，在第二引导部39中没有设置流入口33和流出口34以外的开口。因此，有可能与清洗液接触的密封部45原本不存在，因此，即使对清洗液施加超声波振动，也不会导致源于密封部45的细小的尘埃混入清洗液而供给到基板。
并且，在第二引导部39由使超声波振动不容易衰减的材料一体成型的情况下，能够极力防止清洗液中的超声波振动在第二引导部39中衰减，而将清洗液供给到基板W。
另外，从通过清洗液而效率良好地传递由振动部20产生的超声波振动的观点出发，像第三实施方式那样，使用封闭部40并且与该封闭部40相邻地设置振动部20是有益的。
上述的各实施方式的记载、变形例以及附图的发明仅仅是用于对所要保护的技术方案中记载的发明进行说明的一例，没有通过上述的实施方式的记载或者附图的发明来限定所要保护的技术方案中记载的发明。
在上述中，使用对表面被研磨处理后的基板W的整个表面进行清洗的方式来说明，但不限于此，例如也可以用于为了对斜面部被研磨后的基板W进行清洗而搭载于斜面研磨装置的清洗装置、为了对背面被研磨后的基板W进行清洗而搭载于背面研磨装置的清洗装置、或者搭载于研磨装置或电镀装置的旋转干燥(SRD)装置等。
[符号说明]
10 供给部
20 振动部
20a 第一振动部
20b 第二振动部
30 供给体
31 第一引导部
31a 第一引导路
34 流出口
35 开口部
36 切口
37 凹部
39 第二引导部
40 封闭部
41 第一突出部
45 密封部
48 主体部
50 控制部
75 排出液回收部
[用于解决第三和第四实施方式中的课题的手段]
第三方式的基板清洗装置具有：
供给部，该供给部供给清洗液；
振动部，该振动部对从所述供给部供给的清洗液施加超声波振动；以及
供给体，该供给体从流出口向基板供给从所述供给部供给的清洗液，
所述供给体具有：流入口，该流入口供从所述供给部供给的清洗液流入；第一引导部，该第一引导部经由第一引导路将从所述流入口流入的清洗液向所述流出口引导，并且具有与所述流入口和所述流出口不同的开口部；密封部，该密封部经由所述第一引导部而设置于所述第一引导路的至少一部分的周缘外方；以及封闭部，该封闭部覆盖所述开口部并且与所述密封部接触，
由所述振动部产生的超声波振动经由所述封闭部或者所述第一引导部而施加给清洗液。
在第三方式的基板清洗装置中，也可以是，
所述供给体具有夹持用部件，
所述封闭部在所述第一引导部的周缘外方具有向所述基板侧突出的第一突出部，
所述第一突出部在其端部与所述夹持用部件之间夹持所述密封部。
在第三方式的基板清洗装置中，也可以是，
所述第一引导部在与所述基板相反的一侧具有凹部或者切口，
所述密封部位于所述凹部或者所述切口内，
所述凹部或者所述切口的至少一部分被所述封闭部覆盖。
在第三方式的基板清洗装置中，也可以是，
所述第一引导部在与所述基板相反的一侧的侧面具有凹部，
所述封闭部在所述第一引导部的周缘外方具有向所述基板侧突出的第一突出部，
所述密封部的至少一部分位于所述第一突出部的周缘内方。
在第三方式的基板清洗装置中，也可以是，
由所述振动部产生的超声波振动经由所述封闭部而施加给清洗液。
在第三方式的基板清洗装置中，也可以是，
所述第一引导部由使超声波振动不容易衰减的材料构成。
第四方式的基板清洗装置具有：
供给部，该供给部供给清洗液；
振动部，该振动部对从所述供给部供给的清洗液施加超声波振动；以及
供给体，该供给体从流出口向基板供给从所述供给部供给的清洗液，
所述供给体具有第二引导部，该第二引导部具有供从所述供给部供给的清洗液流入的流入口和所述流出口，
在所述第二引导部没有设置所述流入口和所述流出口以外的开口，
由所述振动部产生的超声波振动经由所述第二引导部而施加给清洗液。
在第四方式的基板清洗装置中，也可以是，
所述第二引导部由使超声波振动不容易衰减的材料一体成型。
[第三和第四实施方式的效果]
根据第三方式，密封部经由第一引导部而设置于第一引导路的至少一部的周缘外方，封闭部对开口部进行覆盖并且与密封部接触。当对清洗液施加超声波振动时，有可能由于超声波振动而从密封部产生细小的尘埃等，但通过采用该方式，即使从密封部产生细小的尘埃等，也能够防止该尘埃等混入第一引导路内的清洗液而供给到基板。
根据第四方式，在第二引导部没有设置流入口和流出口以外的开口。因此，有可能与清洗液接触的密封部原本不存在。因此，即使对清洗液施加超声波振动，也不会导致源于密封部的细小的尘埃混入清洗液而供给到基板。
(第五实施方式)
在半导体晶片等基板的制造过程中，包含对形成在基板上的金属等的膜进行研磨的研磨工序，在该研磨工序之后，进行用于去除作为研磨屑的微小粒子的清洗。例如，在利用金属埋入于形成在基板表面的绝缘膜内的配线槽而形成配线的嵌入配线形成工序中，在嵌入配线形成后通过化学机械性研磨(CMP)对基板表面的多余的金属进行研磨去除。由于在CMP后的基板表面上存在用于CMP的浆料的残渣(浆料残渣)或金属研磨屑等粒子(缺损)，因此需要通过清洗将其去除。
当基板表面的清洗不充分且在基板表面上残留有残渣物时，从基板表面的残留有残渣物的部分产生泄漏、或者成为密接性不良的原因，在可靠性的方面存在问题。因此，需要以较高的清洗度对金属膜、阻挡膜和绝缘膜等露出的基板表面进行清洗。近年来，伴随着半导体器件的微细化，应该去除的粒子的直径变小，对于清洗的要求也变严格。
作为CMP装置内的研磨后的清洗方式，公知有使用了辊清洗部件的清洗、使用了笔状清洗部件的清洗、使用了双流体喷嘴的清洗等。在这些清洗中，基板绕其中心轴旋转，并且对基板的表面供给药液或冲洗液(以下，将药液和冲洗液总称为“清洗液”。)。并且，在这些清洗中，有时在进行了使辊清洗部件、笔状清洗部件、双流体喷嘴发挥作用而进行的清洗(药液清洗)之后，至少供给冲洗液作为清洗液，进行使辊清洗部件、笔状清洗部件、双流体喷嘴不发挥作用而进行的清洗(漂洗清洗)。
作为将清洗液向基板的表面供给的方法，公知有从单管喷嘴排出清洗液而抛投到基板表面的方法、从喷雾喷嘴喷出雾状的清洗液而抛投到基板表面的方法、从多孔管喷嘴(雨淋管)排出清洗液而抛投到基板表面的方法等。向基板的表面供给的清洗液受到基于基板的旋转的离心力而朝向基板的外周流动。另外，抛投到基板后的清洗液的流动不仅受到该离心力的影响，当在抛投到基板的表面之前清洗液存在向与基板的表面平行的方向的流动的情况下，受到该流动的惯性的影响，在基板的表面倾斜的情况下，受到重力的影响，并且，清洗液与基板的表面的接触角也成为决定清洗液的流动的主要原因。
在基板的一部分存在清洗液的流动较少的部位或清洗液停滞的部位、或者在该部分残留有浆料残渣或金属研磨屑等粒子等，有时清洗变得不充分。
另一方面，作为非接触地清洗半导体晶片等基板的表面的清洗方式之一，公知有将超声波处理后的纯水向基板的表面喷射而清洗表面的、使用了气蚀的超声波清洗。
伴随着近年来的半导体器件的微细化，对于清洗装置等基板处理装置的清洗度的要求也提高。然而，在以往的清洗装置中，微小的粒子(例如，65nm以下的粒子)的去除极其困难。特别是，当基板的直径从目前主流的300mm变成将来的450mm时，在基板的一部分，这样的不充分的清洗变得明显。
第五至第九实施方式是鉴于这样的点而完成的，其目的在于，提供向半导体晶片等基板供给清洗液而清洗基板的基板处理装置。
另外，在第五至第九实施方式中，与之前的附图的符号不同，重新标注附图的符号。
《结构》
以下，关于本发明的基板处理装置的实施方式，参照附图进行说明。这里，图37至图41是用于对本发明的实施方式进行说明的图。
如图37所示，处理装置具有：大致矩形状的外壳110、以及对存放多个基板W(参照图38等)的基板盒进行载置的装载口112。装载口112与外壳110相邻配置。在装载口112中能够搭载开盖盒、SMIF(Standard Mechanical Interface)容器、或者FOUP(Front OpeningUnified Pod)。SMIF容器，FOUP是能够通过在内部收纳基板盒并利用间隔壁进行覆盖而保持与外部空间独立的环境的密闭容器。作为基板W，能够列举例如半导体晶片等。
在外壳110的内部收容有多个(在图37所示的方式中为四个)研磨单元114a～114d、对研磨后的基板W进行清洗的第一清洗单元116和第二清洗单元118、以及使清洗后的基板W干燥的干燥单元120。研磨单元114a～114d沿着基板处理装置的长度方向排列，清洗单元116、118以及干燥单元120也沿着基板处理装置的长度方向排列。
在装载口112、位于装载口112侧的研磨单元114a以及干燥单元120所包围的区域中配置有第一输送机器人122。并且，与研磨单元114a～114d和清洗单元116、118以及干燥单元120平行地配置有输送单元124。第一输送机器人122从装载口112接收研磨前的基板W并交接给输送单元124、或者从输送单元124接收从干燥单元120取出的干燥后的基板W。
在第一清洗单元116与第二清洗单元118之间配置有第二输送机器人126，该第二输送机器人126在这些第一清洗单元116与第二清洗单元118之间进行基板W的交接，在第二清洗单元118与干燥单元120之间配置有第三输送机器人128，该第三输送机器人128在这些第二清洗单元118与干燥单元120之间进行基板W的交接。此外，在外壳110的内部配置有对基板处理装置的各设备的工作进行控制的控制部50。在本实施方式中，使用在外壳110的内部配置有控制部50的方式进行说明，但不限于此，也可以在外壳110的外部配置有控制部50。
在图37所示的方式中，作为第一清洗单元116，使用辊清洗装置，该辊清洗装置在清洗液的存在下，在基板W的直径的大致全长的范围内使呈直线状延伸的辊清洗部件接触，一边绕与基板W平行的中心轴自转一边对基板W的表面进行擦洗。并且，作为第二清洗单元118，使用笔状清洗装置，该笔状清洗装置在清洗液的存在下，使呈铅垂方向延伸的圆柱状的笔状清洗部件的下端接触面接触，使笔状清洗部件一边自转一边朝向一方向移动，而对基板W的表面进行擦洗。并且，作为干燥单元120，使用旋转干燥单元，该旋转干燥单元从移动的喷射喷嘴朝向水平旋转的基板W喷出IPA蒸汽而使基板W干燥，进一步使基板W高速旋转而借助离心力使基板W干燥。
另外，在图37所示的方式中，作为第一清洗单元116使用辊清洗装置，但也可以是，作为第一清洗单元116使用与第二清洗单元118相同的笔状清洗装置、或者使用通过双流体喷射而对基板W的表面进行清洗的双流体喷射清洗装置。并且，在图37所示的方式中，作为第二清洗单元118使用笔状清洗装置，但也可以是，作为第二清洗单元118使用与第一清洗单元116相同的辊清洗装置、或者使用通过双流体喷射而对基板W的表面进行清洗的双流体喷射清洗装置。本发明的实施方式的基板处理装置既能够应用于第一清洗单元116也能够应用于第二清洗单元118，还能够与辊清洗装置、笔状清洗装置、和/或流体喷射清洗装置一同使用。
本实施方式的清洗液包含纯水(DIW)等冲洗液、氨过氧化氢(SC1)、盐酸过氧化氢(SC2)、硫酸过氧化氢(SPM)、硫酸加水、氢氟酸等药液。在本实施方式中只要没有特别说明，清洗液是指冲洗液或者药液中的任意一种。
如图38所示，本发明的实施方式的基板处理装置具有：支承(保持)基板W的卡盘等基板支承部40、以及使由基板支承部40支承的基板W旋转的旋转部60。并且，通过这些基板支承部40和旋转部60来构成基板旋转机构。在图38所示的方式中，仅示出两个基板支承部40，但在从上方观察时，在本实施方式中均等地(以旋转中心为中心按照90°的角度)配置四个基板支承部40。另外，基板支承部的数量只要能够稳定地支承基板即可，也可以为例如三个。另外，作为支承基板W的基板支承部40，也可以使用主轴等。在使用了这样的主轴的情况下，基板W旋转并且被支承，还实现主轴作为旋转部的功能。另外，在图38中，示出了在水平方向上支承基板W的例子，但不限于此，例如也可以采用在纵向(铅垂方向)上支承基板W的结构。
如图39所示，基板处理装置具有：供给清洗液的供给部10；对从供给部10供给的清洗液施加超声波振动的振动部15；以及供给管20，该供给管20具有供给口23，对由振动部15施加了超声波振动后的清洗液进行引导，而从供给口23向基板W供给该清洗液。基板处理装置具有上述的控制部50(参照图37)，通过该控制部50来控制基板处理动作。控制部50在对基板W供给清洗液之前，从供给部10供给清洗液，从位于待机位置(参照图40)的供给口23排出清洗液。
供给管20也可以具有：在与基板W的法线垂直的方向上延伸的第一延伸部21、以及从第一延伸部21朝向基板W的法线方向且朝向基板W延伸的第二延伸部22。作为一例，也可以如图39所示，具有：在横向上延伸的第一延伸部21、以及从第一延伸部21沿上下方向(在图39所示的方式中为下方向)延伸的第二延伸部22。并且，也可以在第二延伸部22的端部(在图39所示的方式中为下端部)设置有供给口23。另外，本实施方式的“在基板W的法线方向上延伸”只要包含“基板W的法线方向的成分”并延伸即可，也可以从“基板W的法线方向”倾斜。同样，“在与基板W的法线垂直的方向上延伸”只要包含“与基板W的法线垂直的方向”并延伸即可，也可以从“与基板W的法线垂直的方向”倾斜。并且，本实施方式的“横向”是指包含水平方向的成分的方向，也可以从水平方向倾斜。并且，本实施方式的“上下方向”是指包含铅垂方向的成分的方向，也可以从铅垂方向倾斜。并且，也可以如图39所示，第一延伸部21的长度比第二延伸部22的长度长。
在本实施方式中，以下，使用第一延伸部21在横向上延伸、第二延伸部22在上下方向上延伸的方式进行说明，但不限于此，也可以像上述那样，采用在纵向(铅垂方向)上支承基板W的结构。在该情况下，第一延伸部21在上下方向上延伸，第二延伸部22在横向上延伸。
作为供给管20的材料，能够使用例如石英、不锈钢等。特别是石英是使超声波振动更不容易衰减的材料。因此，通过使用这样的石英，能够防止施加给清洗液的超声波振动衰减。另外，在作为供给管20的材料使用石英的情况下，还考虑由于使石英熔化的情况因此作为药液不使用氢氟酸。然而，在作为供给管20的材料使用石英的情况下，也能够使用稀释的氢氟酸(DHF)。
如图40所示，第一延伸部21也可以是，能够以摆动轴29为中心在基板W的上方(表面侧)摆动，在该情况下，摆动轴29也可以设置于第一延伸部21的基端部侧。本实施方式的“第一延伸部21的基端部侧”是指例如在使第一延伸部21的全长进行3等分时，位于最靠基端部侧的区域。另外，第一延伸部21也可以是，能够以摆动轴29为中心在基板W的下方(背面侧)摆动，第一延伸部21也可以是，能够以摆动轴29为中心在基板W的上方和下方摆动。在图41所示的方式中，后述的上方侧第一延伸部21a能够以摆动轴29为中心在基板W的上方摆动，后述的下方侧第一延伸部21b能够以摆动轴29为中心在基板W的下方摆动。
也可以如图39所示，设置有供给管保持部30，该供给管保持部30将第一延伸部21保持为能够以第一延伸部21的长度方向的轴(在图39的左右方向上延伸的轴)为中心进行旋转。在采用了这样的方式的情况下，在能够自由地改变供给口23相对于基板W的角度的方面是有益的。在例如希望在基板W上储存清洗液的情况下，只要供给管保持部30以朝向与基板W的旋转方向相反的一侧供给清洗液这样的角度保持供给管20即可。另一方面，在例如希望不施加阻力地向基板W上供给清洗液的情况下，只要供给管保持部30以沿着基板W的旋转方向供给清洗液这样的角度保持供给管20即可。另外，通过供给管保持部30保持供给管20的角度可以手动地变更，也可以接收来自控制部50的信号而自动地变更。在接收来自控制部50的信号而自动地变更的情况下，供给管20被保持的角度也可以根据方案而依次变更。
也可以如图41所示，供给管20具有：用于清洗基板W的上表面的上方侧供给管20a、以及用于清洗基板W的下表面的下方侧供给管20b。在该方式中，上方侧供给管20a采用与图39所示的供给管20相同的结构。即，上方侧供给管20a具有：在横向上延伸的上方侧第一延伸部21a、以及从上方侧第一延伸部21a沿上下方向(在图41所示的方式中为下方向)延伸的上方侧第二延伸部22a，在上方侧第二延伸部22a的端部(在图41所示的方式中为下端部)设置有供给口23a。另一方面，下方侧供给管20b具有：在横向上延伸的下方侧第一延伸部21b、以及从下方侧第一延伸部21b沿上下方向(在图41所示的方式中为上方向)延伸的下方侧第二延伸部22b，在下方侧第二延伸部22b的端部(在图41所示的方式中为上端部)设置有供给口23b。
也可以是，与供给口23对基板W的中心侧区域进行清洗时相比较，在供给口23对基板W的周缘侧区域进行清洗时，图37所示的控制部50将供给管20的摆动速度控制成较慢。另外，本实施方式的“中心侧区域”是与“周缘侧区域”相比较而使用的，是指与“周缘侧区域”相比较位于基板W的中心侧的区域。
并且，控制部50也可以在从图39所示的供给部10供给清洗液起经过第一时间后使振动部15开始振动。并且，控制部50也可以在从供给部10供给清洗液起经过比第一时间长的第二时间后开始从供给口23向基板W进行清洗液的供给。此时，也可以在从供给部10供给清洗液起经过第一时间后继续供给清洗液，在经过比第一时间长且比第二时间短的第三时间后以摆动轴29为中心开始进行第二延伸部22的摆动，在从供给部10供给清洗液起经过第二时间后，向基板W的周缘部供给清洗液。在该方式中，然后，从基板W的周缘部朝向中心部继续地持续供给清洗液。也可以与这样的方式不同，在供给口23从基板W的周缘部向中心部的上方移动的期间，停止从供给部10的清洗液的供给，在供给口23定位于基板W的中心部的上方之后(在经过第二时间后)，从供给口23再次排出清洗液，而向基板W的中心部供给清洗液。在清洗基板W的期间，第二延伸部22也可以从基板W的中心部朝向周缘部摆动，相反，第二延伸部22也可以从基板W的周缘部朝向中心部摆动，也可以重复进行这样的摆动。
另外，在向基板W供给清洗液的情况下，并不一定需要始终对该清洗液施加超声波振动。当像用于在基板W的上表面上制造清洗液的膜的工序等那样不对清洗液施加超声波振动的情况下，也可以不进行超声波振动，而在向基板W供给清洗液之前从供给口23排出清洗液。
也可以如图40所示，基板处理装置还具有排出液回收部70，该排出液回收部70用于回收从位于待机位置的供给口23排出的清洗液。该排出液回收部70与排液回收部(未图示)连结，对所回收的清洗液进行排液处理。
《方法》
使用了本实施方式的基板处理装置的基板W的处理方法(基板处理方法)的一例如下。另外，由于与上述重复，因此仅简单地进行说明，但能够在“方法”中应用上述“结构”中描述的所有的方式。并且，相反，能够在“结构”中应用“方法”中描述的所有的方式。并且，用于实施本实施方式的方法的程序可以记录在记录介质中，也可以利用计算机(未图示)来读取该记录介质，而由基板处理装置实施本实施方式的方法。
首先，基板W由卡盘等基板支承部40支承(保持)(参照图38)。此时，供给管20位于待机位置(参照图40)，供给口23定位于排出液回收部70的上方，成为在基板W的上方不存在供给口23的状态。
接着，从供给部10供给清洗液。从供给部10供给的清洗液由排出液回收部70接收，而在该状态下由排液回收部(未图示)回收。
在从供给部10供给清洗液起经过第一时间后使振动部15(参照图39)开始振动。
并且，在从供给部10供给清洗液起经过第二时间后，开始从供给口23向基板W进行清洗液的供给。此时，也可以在经过比第一时间长且比第二时间短的第三时间后开始以摆动轴29为中心进行第二延伸部22的摆动，在从供给部10供给清洗液起经过第二时间后，开始向基板W的周缘部供给清洗液。也可以与这样的方式不同，在供给口23从基板W的周缘部向中心部的上方移动的期间，停止从供给部10的清洗液的供给，在供给口23定位于基板W的中心部的上方之后(在经过第二时间后)，向基板W的中心部供给清洗液。
像上述那样，在清洗基板W的期间，第二延伸部22也可以从基板W的中心部朝向周缘部摆动，相反，第二延伸部22也可以从基板W的周缘部朝向中心部摆动，也可以重复进行这样的摆动。也可以是，与供给口23对基板W的中心侧区域进行清洗时相比较，在供给口23对基板W的周缘侧区域进行清洗时，此时的摆动速度较慢。摆动速度的变化可以连续地变化，也可以断续地变化。并且，也可以在从基板W的中心部朝向周缘部摆动的期间、以及从基板W的周缘部朝向中心部摆动的期间双方，与供给口23对基板W的中心侧区域进行清洗时相比较，在供给口23对基板W的周缘侧区域进行清洗时，摆动速度较慢。
另外，在清洗液是药液的情况下，也可以在药液的处理结束后供给冲洗液。并且，冲洗液也可以以与药液相同的方式向基板W供给。另外，供给药液的供给管与供给冲洗液的供给管可以使用相同结构，也可以使用不同的结构。
《作用/效果》
接着，以由上述的结构构成的本实施方式的作用/效果且未说明的内容为中心进行说明。
根据本实施方式，在向基板W供给清洗液之前，从供给部10供给清洗液，从位于待机位置的供给口23排出清洗液。因此，将氧气等进入而导致清洗效果较低的清洗液排出，能够对氮气等进入后的清洗效果较高的清洗液施加超声波振动而用于基板W的清洗。并且，并不是通过没有充分地施加超声波而清洗效果不高的清洗液，而是能够通过充分地施加超声波而具有较高的清洗效果的清洗液对基板W进行清洗。
并且，在利用氧气等进入而导致没有充分地施加超声波的清洗液对基板W进行了清洗的情况下，还有可能产生不良情况，但通过采用本实施方式的方式，能够将这样的不良情况的产生防患于未然。并且，通过采用本实施方式的方式，能够从基板W的清洗开始时刻开始利用均匀的清洗力的清洗液对基板W进行清洗，能够实现稳定的基板清洗。
像上述那样，在本实施方式中，也可以如图39至图41所示，采用如下的方式：供给管20具有：在横向上延伸的第一延伸部21、以及从第一延伸部21沿上下方向延伸的第二延伸部22，在第二延伸部22的端部设置有供给口23，第一延伸部21能够以设置于基端部侧的摆动轴29为中心进行摆动。在采用了这样的方式的情况下，仅使第一延伸部21摆动就能够自由地将供给口23从基板W的中心位置定位到周缘位置。并且，在供给管20的材料是使超声波振动不容易衰减的材料的情况下，抑制超声波振动的衰减并且将清洗液送到基板W附近，由于能够向基板W供给该清洗液，因此能够得到对于基板W的较高的清洗效果。
另一方面，在采用了这样的方式的情况下，供给管20的长度变长，并且，积存在供给管20内的清洗液的量变多。当像这样清洗液的量变多时，氧气溶解或者没有充分地施加超声波而导致清洗效果不高的清洗液的量也会变多。关于这点，在本实施方式中，由于在向基板W供给清洗液之前从供给部10供给清洗液，从位于待机位置的供给口23排出清洗液，因此能够将有可能由于这样的清洗效果不高的清洗液而产生的不良影响防患于未然。
在采用了与供给口23对基板W的中心侧区域进行清洗时相比较，在供给口23对基板W的周缘侧区域进行清洗时供给管20的摆动速度较慢的方式的情况下，与基板W的内周侧相比，能够向基板W的外周侧供给较多的清洗液。由于在基板W的外周侧应该由清洗液进行清洗的面积与在基板W的内周侧应该由清洗液进行清洗的面积相比较大，因此通过采用这样的方式，能够使基板W的每单位面积被供给的清洗液的量接近均匀的量。
在将从旋转的基板W的中心起的距离设为r时，该距离r时的圆弧的长度为2πr。因此，也可以根据该2πr来计算供给管20的摆动速度，根据该摆动速度而使第一延伸部21摆动。也可以不是这样的方式，而是简单地在从基板W的中心部朝向周缘部摆动的期间，连续地或者断续地使摆动速度变慢，相反在从基板W的周缘部朝向中心部摆动的期间，连续地或者断续地使摆动速度变快。根据这样的方式，在控制不会变复杂的方面是有益的。
在采用了在从供给部10供给清洗液起经过第一时间后使振动部15开始振动的方式的情况下，能够在振动部15浸入清洗液的状态下使振动部15开始振动。即，有时产生在供给管20内空气等会进入清洗液内而导致例如在图39所示的振动部15的部分不存在清洗液的状态。关于这点，在采用了该方式的情况下，由于在使振动部15振动前供给清洗液，因此能够防止在不存在清洗液的状态(所谓的空烧的状态)下使振动部15振动而使振动部15破损的情况。
作为一例，第一时间为例如0.1秒～1秒左右。关于第一时间，只要能够防止振动部15没有浸入清洗液的状态即可，不需要那么长的时间。
另外，也可以在将位于供给管20内的清洗液向排出液回收部70等排出时，使振动部15不振动。然而，通过在将位于供给管20内的清洗液向排出液回收部70等排出时使振动部15预先振动，而在能够利用施加了超声波振动的清洗液在供给管20内预先进行清洗的方面是有益的。并且，通过预先施加超声波振动，能够预先对供给管20内的清洗液施加充分的超声波振动(能够蓄积充分的能量)，当在基板W上进行清洗时，能够从最初开始供给清洗力充分高的清洗液。第二时间为例如几秒～10秒左右。
并且，在采用了在从供给部10供给清洗液起经过比第一时间长的第二时间后开始从供给口23向基板W进行清洗液的供给的方式的情况下，能够更可靠地利用具有较高的清洗效果的清洗液对基板W进行清洗。另外，作为一例，第二时间是位于供给管20内的清洗液全部出现的程度的时间。该第二时间可以根据供给管20内的体积和供给清洗液的供给速度来计算，也可以通过实验导出。
在采用了设置有用于回收从位于待机位置的供给口23排出的清洗液的排出液回收部70的方式的情况下，能够可靠地回收没有用于清洗的被排出的清洗液。因此，能够将从供给口23排出的清洗液反弹而成为雾从而给基板W带来不良影响的可能性防患于未然。
并且，在通过混合了液体和气体的双流体而对基板W的表面进行清洗的双流体喷射清洗装置上组装了本实施方式的基板处理装置的方式中，例如也可以在双流体喷射清洗工序前，通过本实施方式的基板处理装置来进行基板W的清洗。根据这样的方式，在能够通过施加了超声波的清洗液的气蚀效果而使附着于基板W的粒子浮起之后，进行双流体喷射清洗的方面是有益的。另外，气蚀效果是指利用了通过超声波使清洗液中产生的气泡破裂而产生的冲击波的清洗效果。
(第六实施方式)
接着，对第六实施方式进行说明。
在第六实施方式中，将第一延伸部21的顶端侧定位于比基端侧高的位置。作为一例，也可以如图42所示，第一方向相对于水平方向倾斜，随着从基板W的周缘部朝向中心部而沿着基板W的法线方向(在图42中为上下方向)的距离变远。
第一延伸部21从第一延伸部21的基端部(图42的右侧端部)延伸的第一方向也可以相对于水平方向呈优选为比0°大且比30°小的范围内的任意的角度。因为若脱离该范围则还产生无法充分确保清洗效果的可能性。
在第六实施方式中，其他的结构采用与第五实施方式大致相同的方式。
在像本实施方式那样采用了第一延伸部21的顶端侧定位于比基端侧高的位置的方式的情况下，由于附着于第一延伸部21的液滴向基端部侧流动，因此能够防止液滴滴落到基板W或其他的部件上。另外，由于像本实施方式那样在对清洗液施加超声波振动的方式中供给管20会振动，因此有时附着于供给管20的清洗液会落下。因此，采用这样的方式是有益的。
并且，在采用了这样的方式的情况下，能够期待从供给口23进入清洗液内的氧气等积存在第一延伸部21与第二延伸部22的边界部的上方位置(参照图42的虚线的圆标记“○”)。其结果为，能够进一步防止产生振动部15没有浸入清洗液的状态。
并且，也可以如图42所示，第一方向与第二延伸部22从第二延伸部22的基端部(图42的上侧端部)延伸的第二方向所形成的角度θ为钝角(与第一方向相反的一侧的方向与第二方向为锐角)。在采用了这样的方式的情况下，从供给口23进入清洗液内的氧气等能够不容易进入第一延伸部21。其结果为，能够极力防止氧气等进入积存在供给管20内的清洗液。因此，能够对清洗效果较高的清洗液施加超声波振动而用于基板W的清洗。
并且，由于从供给口23进入清洗液内的氧气等不容易进入第一延伸部21，因而能够极力防止产生振动部15没有浸入清洗液的状态。特别是，如图39所示，在振动部15位于第二延伸部22的基端侧的情况下，本实施方式的效果较大。
另外，在上述中说明为第六实施方式是与第五实施方式大致相同的方式，但在第六实施方式中，不需要必须采用第五实施方式所示的方式。例如，控制部50也可以不采用如下的方式：在向基板W供给清洗液之前，从供给部10供给清洗液，从位于待机位置的供给口23排出清洗液。
(第七实施方式)
接着，对第七实施方式进行说明。
在第七实施方式中，如图43(a)(b)所示，在第一延伸部21的下方设置有沿着第一延伸部21延伸的液滴引导部45。另外，在本实施方式中，如图38所示，假定供给管20位于基板W的上方侧。
在第七实施方式中，其他的结构采用与第五实施方式大致相同的方式。
在本实施方式中，由于在第一延伸部21的下方设置有沿着第一延伸部21延伸的液滴引导部45，因此附着于供给管20的液滴在液滴引导部45中传递而向基端部侧引导。因此，能够将液滴落到基板W或其他的部件上的情况防患于未然。
本实施方式的液滴引导部45也可以由亲水性材料构成。在采用了这样的亲水性的材料的情况下，液滴被更可靠地沿着液滴引导部45引导。因此，能够更可靠地防止液滴滴落到基板W或其他的部件上。并且，不限于此，液滴引导部45也可以由疏水性材料构成。
作为液滴引导部45的材料，例如能够使用耐化学品的PFA(四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物)、PEEK(聚醚醚酮)、金属SUS(特别是SUS316)等。
并且，液滴引导部45也可以从下方支承第一延伸部21，并且与第一延伸部21一同摆动。在采用了这样的方式的情况下，还能够实现通过液滴引导部45来支承第一延伸部21的功能。
并且，也可以如图43(a)所示，液滴引导部45的厚度朝向基端侧而变厚(也可以呈锥形形状)。在采用了这样的方式的情况下，由于能够使液滴引导部45倾斜，因此能够将附着于供给管20的液滴更可靠向基端部侧引导。
另外，在上述中说明为第七实施方式是与第五实施方式大致相同的方式，但第七实施方式也与第六实施方式同样，不需要必须采用第五实施方式所示的方式。
并且，也可以使第七实施方式与第六实施方式组合。例如，在第七实施方式中，也可以是，第一延伸部21从第一延伸部21的基端部延伸的第一方向与第二延伸部22从第二延伸部22的基端部延伸的第二方向所形成的角度θ为钝角。
(第八实施方式)
接着，对第八实施方式进行说明。
在第八实施方式中，采用以第一频率和比第一频率低的第二频率进行振动而对清洗液施加超声波振动的方式。另外，在本实施方式的方式中，也可以采用以三个以上的频率对清洗液施加超声波振动的方式。
在第八实施方式中，其他的结构采用与第五实施方式大致相同的方式。
根据本实施方式，能够以不同的频率对清洗液施加超声波振动。因此，能够根据用途而改变清洗液的清洗力。
一个振动部也可以以不同的频率进行振动，但也可以如图44所示，振动部15具有以第一频率进行振动的第一振动部15a以及以比第一频率低的第二频率进行振动的第二振动部15b。根据这样的方式，在能够以简单的结构施加不同的频率的超声波振动的方面是有益的。另外，图44是从上方观察在本实施方式中使用的振动部15a、15b和引导管25a、25b、26等的剖视图。
也可以如图45所示，第一振动部15a与对该第一振动部15a发送信号的第一发射器17a电连接。同样，第二振动部15b也可以与对该第二振动部15b发送信号的第二发射器17b电连接。另外，图45是示意性地示出在本实施方式中使用的振动部15a、15b、振荡器17a、17b和引导管25a、25b、26等的概略图。
在本实施方式中，也可以是，第一频率为900kHz以上5MHz以下，第二频率小于900kHz。在以900kHz以上的频率进行振动的情况下，由于振动幅度较小，因此能够去除比较小的杂质，并且由于气蚀的效果变小因此能够减小施加给基板W的负载。另一方面，在以小于900kHz的频率进行振动的情况下，由于振动幅度较大，因此能够去除比较大的杂质。当第一频率与第二频率之差较小时效果之差也较小。因此，作为一例，第一频率与第二频率之差可以为500kHz左右，例如作为第一频率能够使用950kHz，作为第二频率能够使用430kHz。并且，不限于此，例如作为第一频率能够使用950kHz，作为第二频率能够使用750kHz。
在采用了这样的方式的情况下，且与笔状清洗装置一同采用本实施方式的基板处理装置的情况下，也可以是，(1)以第二频率对清洗液施加超声波振动来清洗基板W，(2)然后，使用笔状清洗部件来清洗基板W，(3)然后，以第一频率对清洗液施加超声波振动来清洗基板W。根据这样的方式，首先，利用以第二频率施加了超声波振动的清洗液来去除较大的杂质，然后进行笔状清洗部件的清洗，作为修整，能够利用以第一频率施加了超声波振动的清洗液来去除较小的杂质。因此，与从前相比能够降低施加给笔状清洗部件的负载，而且能够延长笔状清洗部件的寿命。
并且，作为其他的方式，也可以是，(1)使用笔状清洗部件来清洗基板W，(1)然后，以第二频率对清洗液施加超声波振动来清洗基板W，(3)然后，以第一频率对清洗液施加超声波振动来清洗基板W。在这样的方式中，也出于与上述相同的理由，与从前相比能够降低施加给笔状清洗部件的负载，而且能够延长笔状清洗部件的寿命。
并且，也可以如图44和图45所示，在振动部15具有第一振动部15a和第二振动部15b的情况下，供给管20具有：第一引导管25a，该第一引导管25a引导由第一振动部15a进行了振动的清洗液；第二引导管25b，该第二引导管25b引导由第二振动部15b进行了振动的清洗液；以及共用引导管26，该共用引导管26与第一引导管25a和第二引导管25b连结，将由这些第一引导管25a和第二引导管25b引导来的任意的清洗液都引导到供给口23。在采用了这样的方式的情况下，能够仅在施加不同的频率的振动的部位设置多个引导管(第一引导管25a和第二引导管25b)，在采用具有第一振动部15a和第二振动部15b这样的多个振动部的方式的情况下也能够极力防止装置变大。
在该情况下，也可以如图44所示，采用如下的方式：共用引导管26设置在供给管保持部30内，共用引导管26与第一延伸部21连通。
并且，也可以如图45所示，共用引导管26还设置在供给部10与第一引导管25a和第二引导管25b之间。在该情况下，也可以在供给部10与第一引导管25a和第二引导管25b之间设置有三通阀等切换部27。在这样的方式中，接收来自控制部50的信号而适当对切换部27进行切换，从供给部10供给的清洗液被引导到第一引导管25a和第二引导管25b中的任意一方。另外，也可以是，从供给部10供给的清洗液在第一引导管25a和第二引导管25b双方中流动，而从供给口23供给混入了不同的频率的清洗液。
也可以不是上述的方式，而如图46所示，设置有二个供给管(第一引导管25a和第二引导管25b各自实现作为供给管20的作用)，由第一振动部15a施加了超声波振动的清洗液从第一引导管25a的供给口28a向基板W供给，由第二振动部15b施加了超声波振动的清洗液从第二引导管25b的供给口28b向基板W供给。通过采用这样的方式，由于通过由适合各频率的“直径”构成的引导管来引导清洗液，能够将该清洗液向基板W供给，因此能够更可靠地得到符合各频率的效果。
另外，在上述中说明为第八实施方式是与第五实施方式大致相同的方式，但第八实施方式也与第六实施方式和第七实施方式同样，不需要必须采用第五实施方式所示的方式。
并且，也可以使第八实施方式与第六实施方式组合。例如，在第八实施方式中，也可以是，第一延伸部21从第一延伸部21的基端部延伸的第一方向与第二延伸部22从第二延伸部22的基端部延伸的第二方向所形成的角度θ为钝角。
并且，也可以使第八实施方式与第七实施方式组合。例如，在第八实施方式中，也可以在第一延伸部21的下方设置有沿着第一延伸部21延伸的液滴引导部45。
并且，也可以使第八实施方式与第六实施方式和第七实施方式组合。例如，在第八实施方式中，也可以是，第一延伸部21从基端部延伸的第一方向与第二延伸部22从第一延伸部21延伸的第二方向所形成的角度θ为钝角，并且在第一延伸部21的下方设置有沿着第一延伸部21延伸的液滴引导部45。
(第九实施方式)
接着，对第九实施方式进行说明。
在第九实施方式中，供给管20的材料是使超声波振动不容易衰减的材料，并且控制部50在向基板W供给清洗液之前，使定位于分离位置的供给管20定位于接近位置。作为使超声波振动不容易衰减的材料，能够列举出声阻抗比超纯水大且耐久性优越的材料、例如石英。
另外，本实施方式的“分离位置”是指与“接近位置”相比较在基板表面的法线方向上距离基板W较远的位置，相反，“接近位置”是指与“分离位置”相比较在基板表面的法线方向上距离基板W较近的位置。如图47所示，在一个供给管20相对于基板W设置在上方的方式中，供给管20能够在上下方向上移动，将供给管20定位于上方时称为位于“分离位置”，将定位于下方时称为位于“接近位置”。并且，如图48所示，在上方侧供给管20a相对于基板W设置于上方、下方侧供给管20b相对于基板W设置于下方的方式中，将上方侧供给管20a定位于上方时称为位于“分离位置”，将定位于下方时称为位于“接近位置”，相反，将下方侧供给管20b定位于下方时称为位于“分离位置”，将定位于上方时称为位于“接近位置”。另外，在图47中，使用供给管20相对于基板W移动的方式来进行说明，但不限于此，也可以是，基板支承部40能够在上下方向上移动，使基板W相对于供给管20采取“分离位置”和“接近位置”，也可以是，供给管20和基板支承部40双方能够在上下方向上移动，通过将基板W和供给管20双方进行适当定位而采取“分离位置”和“接近位置”。
在本实施方式中，也可以如图47所示，设置有使供给管20在上下方向上移动的致动器等驱动部90。
在第九实施方式中，其他的结构采用与第五实施方式大致相同的方式。
像上述那样，根据本实施方式，供给管20的材料是使超声波振动不容易衰减的材料，并且在向基板W供给清洗液之前，使定位于分离位置的供给管20定位于接近位置。因此，在向基板W供给清洗液时，能够利用使超声波振动不容易衰减的材料所构成的供给管20而引导到接近基板W的位置，而向基板W供给清洗液。
并且，当向基板W供给清洗液的工序结束时，供给管20也可以定位于分离位置。通过像这样将供给管20定位于分离位置，能够防止清洗液或其他的液体等以非预期的形式附着于供给管20。
并且，当向基板W供给清洗液的工序结束时，第一延伸部21也可以以摆动轴29为中心进行摆动而定位于待机位置(参照图40)。并且，供给管20也可以在该待机位置处定位于分离位置。
也可以在向基板W供给清洗液之前，从供给部10供给清洗液而从位于待机位置的供给口23朝向例如排出液回收部70排出清洗液的情况下，定位于接近位置。通过像这样定位于接近位置，能够防止排出的清洗液不小心地飞散。
在图47所示的方式中，供给管20也可以在待机位置(参照图40)处定位于分离位置(上方位置)，在该待机位置处定位于接近位置(下方位置)之后，在基板W的上方摆动。通过像这样在待机位置处定位于分离位置，能够更可靠地防止清洗液或其他的液体等以非预期的形式附着于供给管20。并且，通过在待机位置处定位于接近位置(下方位置)之后在基板W的上方摆动，而在供给管20在基板W上摆动移动时，能够在接近基板W的位置供给清洗液，能够效率良好地清洗基板W。
并且，供给管20也可以在待机位置(参照图40)处定位于分离位置(上方位置)，在该状态下在基板W的上方摆动，在将供给口23定位于基板W的中心之后，将供给管20定位于接近位置(下方位置)。根据这样的方式，能够期待如下：在供给管20在基板W的上方移动时，防止之前工序的清洗液或其他的液体等附着于供给管20。
并且，供给管20也可以在待机位置(参照图40)处定位于接近位置(下方位置)，在基板W的上方摆动之前定位于分离位置(上方位置)，在该状态下在基板W的上方摆动，在供给口23定位于基板W的中心之后，将供给管20定位于接近位置(下方位置)。作为采用这样的方式的理由，因为在供给管20位于待机位置(参照图40)时，清洗液或其他的液体等以非预期的形式附着于供给管20的可能性较低。
使用图47进行说明，但在图48所示的方式中也能够由控制部50进行相同的控制。但是，关于位于基板W的下方的下方侧供给管20b，接近位置为上方位置，分离位置为下方位置。另外，也可以与图47同样，设置有使上方侧供给管20a和下方侧供给管20b分别在上下方向上移动的致动器等驱动部90。
另外，在上述中说明为第九实施方式是与第五实施方式大致相同的方式，但第九实施方式也与第六实施方式、第七实施方式和第八实施方式同样，不需要必须采用第五实施方式所示的方式。
并且，也可以使第九实施方式与第六实施方式组合。例如，在第九实施方式中，也可以是，第一延伸部21从第一延伸部21的基端部延伸的第一方向与第二延伸部22从第二延伸部22的基端部延伸的第二方向所形成的角度θ为钝角。
并且，也可以使第九实施方式与第七实施方式组合。例如，在第九实施方式中，也可以在第一延伸部21的下方设置有沿着第一延伸部21延伸的液滴引导部45。
并且，也可以使第九实施方式与第八实施方式组合。例如，在第九实施方式中，也可以以第一频率和比第一频率低的第二频率进行振动，对清洗液施加超声波振动。
并且，可以使第九实施方式与第六实施方式和第七实施方式组合，可以使第九实施方式与第六实施方式和第八实施方式组合，也可以使第九实施方式与第七实施方式和第八实施方式组合。并且，也可以使第九实施方式与第六实施方式、第七实施方式和第八实施方式组合。
并且，在第八实施方式和第九实施方式的各个实施方式中，没有具体地记载“方法”，但与第五实施方式同样，能够使用在第八实施方式和第九实施方式中分别说明的所有的方式，而提供基板处理方法。并且，用于实施第八实施方式和第九实施方式各自所提供的方法的程序也可以记录在记录介质中。并且，也可以是，通过利用计算机(未图示)来读取该记录介质，而由基板处理装置实施第八实施方式和第九实施方式各自所提供的方法。
上述的各实施方式的记载、变形例和附图的发明仅仅是用于说明所要保护的技术方案中记载的发明的一例，所要保护的技术方案中记载的发明不会被上述的实施方式的记载或者附图的发明来限定。
在上述中，使用对基板W的整个表面进行清洗的方式进行说明，但不限于此，也可以用于清洗基板W的斜面部的方式。
[符号说明]
10 供给部
15 振动部
15a 第一振动部
15b 第二振动部
20 供给管
21 第一延伸部
22 第二延伸部
23 供给口
25a 第一引导管
25b 第二引导管
26 共用引导管
29 摆动轴
45 液滴引导部
50 控制部
70 排出液回收部
[用于解决第五至第九实施方式中的课题的手段]
第五方式的基板处理装置具有：
供给部，该供给部供给清洗液；
振动部，该振动部对从所述供给部供给的所述清洗液施加超声波振动；
供给管，该供给管具有供给口，引导由所述振动部施加了超声波振动后的所述清洗液，而从所述供给口向基板供给该清洗液；以及
控制部，该控制部在向所述基板供给所述清洗液之前，从所述供给部供给所述清洗液，从位于待机位置的所述供给口排出所述清洗液。
在第五方式的基板处理装置中，也可以是，
所述供给管具有：在与所述基板的法线垂直的方向上延伸的第一延伸部、以及从所述第一延伸部朝向所述基板的法线方向且朝向所述基板延伸的第二延伸部，
在所述第二延伸部的端部设置有所述供给口，
该基板处理装置还具有摆动轴，该摆动轴用于将所述第一延伸部的基端部支承为能够在所述基板的表面侧或者背面侧摆动。
在第五方式的基板处理装置中，也可以是，
与所述供给口对所述基板的中心侧区域进行清洗时比较，在所述供给口对所述基板的周缘侧区域进行清洗时，所述供给管的摆动速度较慢。
第五方式的基板处理装置也可以是，
还具有排出液回收部，该排出液回收部用于回收从位于所述待机位置的所述供给口排出的所述清洗液。
在第五方式的基板处理装置中，也可以是，
所述供给管由使超声波振动不容易衰减的材料构成。
在第五方式的基板处理装置中，也可以是，
所述控制部在从所述供给部供给所述清洗液起经过第一时间后使所述振动部开始振动。
在第五方式的基板处理装置中，也可以是，
所述控制部在从所述供给部供给所述清洗液起经过比所述第一时间长的第二时间后，开始从所述供给口向所述基板供给所述清洗液。
第六方式的基板处理装置具有：
供给部，该供给部供给清洗液；
振动部，该振动部对从所述供给部供给的所述清洗液施加超声波振动；以及
供给管，该供给管具有供给口，引导由所述振动部施加了超声波振动后的所述清洗液，而从所述供给口向基板供给该清洗液，
所述供给管具有：在横向上延伸的第一延伸部、以及从所述第一延伸部向上下方向延伸的第二延伸部，
所述第一延伸部的顶端侧定位于比基端侧高的位置。
在第六方式的基板处理装置中，也可以是，
所述第一延伸部从所述第一延伸部的基端部延伸的第一方向相对于水平方向倾斜，沿着所述基板的法线方向的距离随着从所述基板的周缘部朝向中心部而变远。
第七方式的基板处理装置具有：
供给部，该供给部供给清洗液；
振动部，该振动部对从所述供给部供给的所述清洗液施加超声波振动；以及
供给管，该供给管具有供给口，引导由所述振动部施加了超声波振动后的所述清洗液，而从所述供给口向基板供给该清洗液，
所述供给管具有：在横向上延伸的第一延伸部、以及从所述第一延伸部向下方向延伸的第二延伸部，
在所述第一延伸部的下方设置有沿着所述第一延伸部延伸的液滴引导部。
在第七方式的基板处理装置中，也可以是，
所述第一延伸部能够以摆动轴为中心而在所述基板的上方进行摆动，
所述液滴引导部从下方支承所述第一延伸部，并且与所述第一延伸部一同摆动。
第八方式的基板处理装置也可以是，具有：
供给部，该供给部供给清洗液；
振动部，该振动部对从所述供给部供给的所述清洗液施加超声波振动；以及
供给管，该供给管具有供给口，引导由所述振动部施加了超声波振动后的所述清洗液，而从所述供给口向基板供给该清洗液，
所述振动部以第一频率和比所述第一频率低的第二频率进行振动而对所述清洗液施加超声波振动。
在第八方式的基板处理装置中，也可以是，
所述振动部具有：以所述第一频率进行振动的第一振动部、以及以所述第二频率进行振动的第二振动部。
在第八方式的基板处理装置中，也可以是，
所述第一频率为900kHz以上，
所述第二频率小于900kHz。
在第八方式的基板处理装置中，也可以是，
所述供给管具有：第一引导管，该第一引导管引导由所述第一振动部施加了振动后的所述清洗液；第二引导管，该第二引导管引导由所述第二振动部施加了振动后的所述清洗液；以及共用引导管，该共用引导管与所述第一引导管和所述第二引导管连结，将所述第一引导管和所述第二引导管所引导来的任意的清洗液都向所述供给口引导。
第九方式的基板处理装置具有：
供给部，该供给部供给清洗液；
振动部，该振动部对从所述供给部供给的所述清洗液施加超声波振动；
供给管，该供给管具有供给口，引导由所述振动部施加了超声波振动后的所述清洗液，而从所述供给口向基板供给该清洗液；以及
控制部，该控制部在向所述基板供给所述清洗液之前，使定位于分离位置的所述供给管相对于所述基板定位于接近位置，或者使定位于分离位置的所述基板相对于所述供给管定位于接近位置，
所述供给管的材料是使超声波振动不容易衰减的材料。
[第五至第九实施方式的效果]
根据第五方式，在向基板供给清洗液之前，从供给部供给清洗液，从位于待机位置的供给口排出清洗液。因此，能够将氧气等进入而导致清洗效果较低的清洗液排出，对清洗效果较高的清洗液施加超声波振动而用于基板的清洗。并且，并不是通过没有充分地施加超声波而清洗效果不高的清洗液，而是能够通过充分地施加超声波而具有较高的清洗效果的清洗液对基板进行清洗。
根据第六方式，第一延伸部的顶端侧定位于比基端侧高的位置。因此，附着于供给管的液滴在第一延伸部中传递而向基端部侧引导。因此，能够将液滴落到基板或其他的部件上的情况防患于未然。
根据第七方式，在第一延伸部的下方设置有沿着第一延伸部延伸的液滴引导部。因此，附着于供给管的液滴在液滴引导部中传递而向基端部侧引导。因此，能够将液滴落到基板或其他的部件上的情况防患于未然。
根据第八方式，由于振动部具有：以第一频率进行振动的第一振动部、以及以比第一频率低的第二频率进行振动的第二振动部，因此能够以不同的频率对清洗液施加超声波振动。因此，能够根据用途来改变清洗液的清洗力。
根据第九方式，供给管的材料是使超声波振动不容易衰减的材料，并且在向基板供给清洗液之前，使定位于分离位置的供给管相对于基板定位于接近位置，或者使定位于分离位置的基板相对于供给管定位于接近位置。因此，在向基板供给清洗液时，能够利用使超声波振动不容易衰减的材料所构成的供给管而引导到接近基板的位置，而向基板供给清洗液。
(第十实施方式)
基板清洗装置有时无法去除微小的粒子。并且，有时基板清洗装置自身被污染，若在该状态下进行清洗则反而会使基板污染。因而，不能说这样的基板清洗装置一定具有充分的性能。并且，上述的基板干燥装置也有时由于基板干燥装置自身被污染而不能说是一定具有充分的性能。
第十至第十四实施方式鉴于这样的问题点而完成的，第十至第十四实施方式的课题在于，提供更高性能的基板清洗装置和基板干燥装置以及基板处理装置，并且提供使用了这样的基板清洗装置的基板清洗方法。
另外，在第十至第十四实施方式中，与之前的附图的符号不同，重新标注附图的符号。
图49是一个实施方式的基板处理装置的概略顶视图。本基板处理装置在直径300mm或者450mm的半导体晶片、平面面板、CMOS(Complementary Metal OxideSemiconductor)或CCD(Charge Coupled Device)等图像传感器、MRAM(MagnetoresistiveRandom Access Memory)中的磁性膜的制造工序中，对各种基板进行处理。
基板处理装置具有：大致矩形状的外壳1、对存放多个基板的基板盒进行载置的装载口2、一个或者多个(在图49所示的方式中为四个)基板研磨装置3、一个或多个(在图49所示的方式中为两个)基板清洗装置4、基板干燥装置5、输送机构6a～6d以及控制部7。
装载口2与外壳1相邻配置。在装载口2中能够搭载开盖盒、SMIF(StandardMechanical Interface)容器、或者FOUP(Front Opening Unified Pod)。SMIF容器、FOUP是能够通过在内部收纳基板盒并利用间隔壁进行覆盖而保持与外部空间独立的环境的密闭容器。作为基板，能够列举例如半导体晶片等。
对基板进行研磨的基板研磨装置3、对研磨后的基板进行清洗的基板清洗装置4、使清洗后的基板干燥的基板干燥装置5收容在外壳1内。基板研磨装置3沿着基板处理装置的长度方向排列，基板清洗装置4和基板干燥装置5也沿着基板处理装置的长度方向排列。
在本实施方式中，基板清洗装置4进行使用了笔型清洗器具的接触清洗和使用了超声波清洗水的非接触清洗。详细情况后述说明，使用了笔型清洗器具的接触清洗是指在清洗液的存在下，使沿铅垂方向延伸的圆柱状的笔状型清洗器具的下端接触面与基板接触，使清洗器具一边自转一边朝向一方向移动，而对基板的表面进行擦洗。
基板干燥装置5可以使用旋转干燥单元，该旋转干燥单元从移动的喷射喷嘴朝向水平旋转的基板喷出IPA蒸汽而使基板干燥，进一步使基板高速旋转而借助离心力使基板干燥。
在装载口2、位于装载口2侧的基板研磨装置3以及基板干燥装置5所包围的区域中，配置有输送机构6a。并且，与基板研磨装置3和基板清洗装置4以及基板干燥装置5平行地配置有输送机构6b。输送机构6a从装载口2接收研磨前的基板并交接给输送机构6b、或者从输送机构6b接收从基板干燥装置5取出的干燥后的基板。
在两个基板清洗装置4之间配置有输送机构6c，该输送机构6c在这些基板清洗装置4之间进行基板的交接，在基板清洗装置4与基板干燥装置5之间配置有输送机构6c，该输送机构6c在这些基板清洗装置4与基板干燥装置5之间进行基板的交接。
此外，在外壳1的内部配置有对基板处理装置的各设备的工作进行控制的控制部7。在本实施方式中，使用在外壳1的内部配置有控制部7的方式进行说明，但不限于此，也可以在外壳1的外部配置有控制部7。
图50和图51分别是第十实施方式的基板清洗装置4的俯视图和侧视图。基板清洗装置4具有基板保持旋转机构41、笔型清洗机构42、超声波清洗机构43，它们收纳在具有开闭器44a的壳体44内。并且，基板清洗装置4内的各部分由图49的控制部7进行控制。
基板保持旋转机构41具有卡盘爪411和旋转驱动轴412。
卡盘爪411是被设置为对作为清洗对象的基板W的外周端部(边缘部分)进行把持而保持基板W的保持部件。在本实施方式中，设置有四个卡盘爪411，在相邻的卡盘爪411彼此之间设置有不会阻碍输送基板W的机械手(未图示)的工作的间隔。卡盘爪411以能够水平保持基板W的面的方式分别与旋转驱动轴412连接。在本实施方式中，基板W被卡盘爪411保持为使基板W的表面WA朝上。
旋转驱动轴412构成为，能够绕与基板W的面垂直延伸的轴线进行旋转，能够通过旋转驱动轴412绕轴线的旋转而使基板W在水平面内旋转。旋转驱动轴412的旋转方向或转速由控制部7控制。转速可以是恒定的，也可以是可变的。
并且，为了防止后述的清洗液或超声波清洗液飞散，也可以设置旋转杯(后述)，该旋转杯在基板保持旋转机构41(更具体而言，该卡盘爪411)的外侧覆盖基板W的周围，与旋转驱动轴412同步地旋转(后述)。
笔型清洗机构42具有：笔型清洗器具421、支承笔型清洗器具421的臂422、使臂422移动的移动机构423、清洗液喷嘴424、冲洗液喷嘴425、以及清洁装置426。
笔型清洗器具421是例如圆柱状的PVA(例如海绵)制成的清洗器具，在卡盘爪411所保持的基板W的上方被配设为轴线与基板W垂直。笔型清洗器具421的下表面对基板W进行清洗，其上表面由臂422支承。
臂422是平棒状的部件，典型地说，被配设为长度方向与基板W平行。臂422在一端将笔型清洗器具421支承为能够绕其轴线旋转，在另一端连接有移动机构423。
移动机构423使臂422在铅垂地上下移动，并且使臂422在水平面内摆动。移动机构423使臂422在水平方向上的摆动采用笔型清洗器具421的轨迹以臂422的上述另一端为中心描绘圆弧的方式。移动机构423能够像箭头A所示那样使笔型清洗器具421在基板W的中心与基板W的外侧的退避位置之间摆动。移动机构423由控制部7控制。
清洗液喷嘴424在利用笔型清洗器具421对基板W进行清洗时，供给药液或纯水等清洗液。冲洗液喷嘴425向基板W供给纯水等冲洗液。清洗液喷嘴424和冲洗液喷嘴425不仅设置有用于基板W的表面WA的结构，而且优选设置有用于背面WB的结构。清洗液或冲洗液的供给时机或供给量等由控制部7控制。
清洁装置426配置在比基板W的配置位置靠外侧的位置，移动机构423能够使笔型清洗器具421在清洁装置426上移动。清洁装置426对笔型清洗器具421进行清洗。
在以上说明的笔型清洗机构42中，在基板W旋转的状态下，从清洗液喷嘴424向基板W上供给清洗液，并且使笔型清洗器具421的下表面与基板W的表面WA接触而使臂422摆动，由此对基板W进行物理性接触清洗。
超声波清洗机构43隔着基板W而配置在与笔型清洗机构42相反的一侧的位置。
图52是超声波清洗机构43的侧视图。超声波清洗机构43具有：清洗液供给部431、振动部432、供给管433、保持部434、摆动轴435、以及液滴引导部436。超声波清洗机构43使用施加了超声波的清洗液(以下，也称为超声波清洗液)而对基板进行非接触清洗。
清洗液供给部431供给纯水等清洗液。振动部432对来自清洗液供给部431的清洗液施加超声波振动。所施加的超声波振动的频率可以是恒定的频率，也可以是，能够从多个频率(例如900kHz左右的高频、430kHz左右的低频)进行选择。通常，适合于所施加的超声波的频率越高则去除越微小的粒子，相反适合于频率越低则去除越大的粒子。
供给管433引导超声波清洗液，而从顶端的供给口433a向基板W供给。通过以点的方式向基板W上供给超声波清洗液而对基板W进行非接触清洗。保持部434保持振动部432和供给管433的基端部侧。摆动轴435从保持部434的底向下方延伸，通过使保持部434摆动，而像图50的箭头B所示那样，供给管433的供给口433a在基板W的中心与基板W的外侧的退避位置之间进行摆动。
清洗液供给部431进行清洗液的供给的时机或供给量、振动部432施加超声波振动的时机或超声波的频率、摆动轴435使供给管433摆动的时机或速度由控制部7进行驱动控制。
对供给管433进行详细说明。作为供给管433的材料，能够使用石英、不锈钢等。特别是，由于石英使超声波振动不容易衰减，因此是优选的。
供给管433也可以由从振动部432侧延伸的第一延伸部433b和从其顶端向下方(例如铅垂下方)延伸的第二延伸部433c构成，在第二延伸部433c的顶端设置有供给口433a。这里，第一延伸部433b也可以在水平方向上延伸，但优选倾斜而使振动部432侧越低且第二延伸部433c侧越高。换言之，优选第一延伸部433b与第二延伸部433c所呈的角是锐角。由此，能够抑制氧气等从供给口433a进入供给管433内，能够防止因氧气在清洗液中溶解而引起的清洗力降低。
并且，通过使第一延伸部433b倾斜，而使附着于第一延伸部433b的下部的液滴向振动部432侧流动，能够防止液滴滴落到基板W或其他的部件上。并且，通过设置有沿着第一延伸部433b延伸的液滴引导部436，即使附着于第一延伸部433b的下部的液滴滴落，该液滴也在液滴引导部436中传递而向振动部432侧引导，能够防止液滴滴落到基板W或其他的部件上。
此外，保持部434也可以将第一延伸部433b保持为能够以其长度方向的轴为中心进行旋转。由此，能够调整供给口433a相对于基板的角度。例如，在希望在基板W上储存超声波清洗液的情况下，只要保持部434以朝向与基板W的旋转方向相反的一侧供给超声波清洗液这样的角度保持供给管433即可。另一方面，在希望不施加阻力地向基板W上供给超声波清洗液的情况下，只要保持部434以沿着基板W的旋转方向供给超声波清洗液这样的角度保持供给管433即可。
另外，由保持部434保持供给管433的角度可以手动地变更，也可以接收来自控制部7的信号而自动地变更。在接收来自控制部7的信号而自动地变更的情况下，供给管433被保持的角度也可以根据方案而依次变更。
供给管433在基板清洗时在基板W的上方摆动，在待机时在基板W被保持的位置的外侧进行待机。另外，优选在开始基板清洗之前，在待机位置进行“先输出”。“先输出”是指使振动部432不进行动作而从供给管433排出规定的时间清洗液。有时在待机时氧气溶解在清洗液中，这样的清洗液的清洗力变差。因此，在预先排出那样的清洗液之后，使供给管433向基板W的上方移动，振动部432对清洗液施加超声波振动而供给超声波清洗液，由此能够效率良好地进行清洗。
另外，在本实施方式中，主要假定如下：在图49所示的基板处理装置中，在基板清洗装置4对基板W的表面进行清洗之前，基板研磨装置3对基板W的表面进行研磨。因此，在基板清洗时基板W的表面在某种程度上平坦化，图案配线等的高宽比(图案的高度相对于线宽的比率)并没有那么大。因此，考虑即使进行超声波清洗，图案配线也不容易倒塌。
在本实施方式中，基板清洗装置4具有笔型清洗机构42和超声波清洗机构43双方。因此，能够进行如下的动作。
首先，能够并用接触清洗和非接触清洗。也可以同时进行笔型清洗机构42的接触清洗和超声波清洗机构43的非接触清洗。有时仅通过笔型清洗器具421的接触清洗无法去除基板W的微小的粒子，但通过从供给口433a供给超声波清洗液而向粒子传递振动，能够辅助笔型清洗器具421的粒子去除。例如，有时通过将超声波清洗液向基板W上的某位置供给而使粒子浮起，通过使笔型清洗器具421在该位置滑动而去除粒子。
并且，也可以依次进行接触清洗和非接触清洗。作为一例，首先，进行使用来自清洗液喷嘴424的清洗液的接触清洗。由此，能够去除较大的粒子。接着，停止来自清洗液喷嘴424的清洗液供给，作为修整清洗，进行使用超声波清洗液的非接触清洗。由此，能够去除微小的粒子。
也有时由于使用笔型清洗器具421的接触清洗而产生源于笔型清洗器具421或浆料(纳米硅石等)的微小的(小于100nm的)粒子。在这样的情况下，也能够通过在接触清洗之后进行非接触清洗而进一步可靠地去除微小的粒子。
并且作为其他例，首先，进行使用低频(例如430kHz)的超声波清洗液的非接触清洗，尽可能去除较大的粒子。接着，停止超声波清洗液的供给，使用来自清洗液喷嘴424的清洗液来进行接触清洗。由于在去除了较大的粒子的状态下进行接触清洗，因此使笔型清洗器具421长寿命化。然后，使用高频(例如900kHz)的超声波清洗液来进行非接触清洗，去除微小的粒子。
并且，也能够将超声波清洗液的非接触清洗应用于漂洗。笔型清洗机构42也有时进行作为清洗液使用药液的接触清洗。在该情况下，在下一工序，在输送基板W之前需要漂洗。在本实施方式中，也能够通过在使用了药液的接触清洗之后，使用对纯水施加了超声波的超声波清洗液来进行非接触清洗，而进行清洗并且进行漂洗处理。
并且，超声波清洗机构43也能够利用供给管433能够摆动的情况(即，能够从供给管433向与从清洗液喷嘴424供给的清洗液不同的位置供给超声波清洗液)，在对基板进行清洗时，利用笔型清洗器具421对清洗困难的位置进行清洗。
例如，如图53中顶视图所示，由于卡盘爪411对基板W的边缘部分进行把持，因此，由于卡盘爪411的存在，笔型清洗器具421无法对基板W的边缘进行清洗。因此，像图示那样，以使供给管433的供给口433a位于基板W的边缘上的方式使供给管433摆动，向基板W的边缘(即，笔型清洗器具421无法清洗的区域)供给超声波清洗液。由此，能够对基板W的边缘以外的部分(笔型清洗器具421不与卡盘爪411干涉的部分)进行接触清洗，对基板W的边缘进行非接触清洗。
并且，如图54A中顶视图所示，如图54B中侧视图所示，供给管433也可以供给超声波清洗液，以使超声波清洗液的一部分向基板W的边缘滴下，另一部分向基板W的外侧滴下。由此，能够对基板W的斜面进行清洗。
在对基板W的边缘或斜面进行清洗时，换言之，在将超声波清洗液向基板W的外周附近供给时，与超声波清洗液向基板W的内侧供给的情况相比，优选旋转驱动轴412使基板W低速旋转。另外，基板W的边缘、或者斜面例如是指从基板W的周缘起宽度5mm左右的部分。
此外，超声波清洗机构43不仅对基板W进行清洗，而且也可以对基板清洗装置4自身进行清洗。例如，如图55中顶视图所示，超声波清洗机构43也可以从供给管433向卡盘爪411供给超声波清洗液而对卡盘爪411进行清洗。并且，超声波清洗机构43也可以向壳体44(特别是其底面)供给超声波清洗液而对壳体44进行清洗。此外，在基板保持旋转机构41具有设置于卡盘爪411的外侧的旋转杯的情况下(具体的结构后述说明)，超声波清洗机构43也可以向旋转杯(特别是其内表面或底面)供给超声波清洗液而对旋转杯进行清洗。并且，超声波清洗机构43也可以像下面那样向笔型清洗器具421供给超声波清洗液而对笔型清洗器具421进行清洗。
图56是示出清洁装置426的概略结构的图。清洁装置426具有：导水管4261，该导水管4261呈L字状，由像例如石英那样超声波振动不容易衰减的素材构成；以及清洗杯4262。在笔型清洗器具421的清洗时，通过使供给管433摆动，而使其供给口433a向导水管4261的上方移动。此时，例如也可以通过使导水管4261的直径的大小比供给口433a稍微大，而使供给口433a和导水管4261彼此连结、或者卡合。并且，从供给口433a将超声波清洗液向导水管4261供给，导水管4261向清洗杯4262引导超声波清洗液。并且，通过使臂422摆动和下降，而使笔型清洗器具421的下部进入清洗杯4262内。由此，在清洗杯4262内，笔型清洗器具421由超声波清洗液进行清洗。此外，能够对供给管433的位置、喷射清洗液时的角度进行调整，能够变更超声波清洗液的排出速度，因此也能够对壳体44等这样的部件进行清洗。
像以上说明的那样，在第十实施方式中，基板清洗装置4具有笔型清洗机构42和超声波清洗机构43双方。因此，能够通过并用两者而提高清洗力。并且，除了进行基板清洗之外，还能够进行卡盘爪411、笔型清洗器具421、壳体44等这样的基板清洗装置4自身的清洗。根据以上，实现更高性能的基板清洗装置4。
另外，在本实施方式中对使用了笔型清洗器具421的笔型清洗机构42进行说明，也可以应用使用辊型清洗器具来进行接触清洗的辊清洗机构。辊清洗装置在清洗液的存在下，在基板W的直径的大致全长的范围内使呈直线状延伸的辊清洗部件接触，一边绕与基板平行的中心轴自转一边对基板的表面进行擦洗。
(第十一实施方式)
上述的第一基板清洗装置具有：使用清洗器具来进行接触清洗的清洗机构、以及进行超声波清洗的超声波清洗机构43。与此相对，在接下来说明的第十一实施方式中，基板清洗装置具有：进行双流体喷流清洗的清洗机构、以及超声波清洗机构。以下，以与第十实施方式的不同点为中心进行说明。
图57和图58分别是第十一实施方式的基板清洗装置4’的俯视图和侧视图。取代图50和图51的笔型清洗机构42，基板清洗装置4’具有双流体喷流清洗机构45。双流体喷流清洗机构45具有：双流体喷流供给单元451、向基板W的上表面供给双流体喷流的双流体喷嘴452、保持该双流体喷嘴452的喷嘴臂453、以及使喷嘴臂453摆动和升降的移动机构454。
双流体喷流供给单元451具有第一气体供给源451a、第二气体供给源451b以及液体供给源451c。第一气体供给源451a向双流体喷嘴452供给第一气体。第二气体供给源451b向双流体喷嘴452供给比第一气体高压的第二气体。第一气体和第二气体可以相同，也可以不同。液体供给源451c向双流体喷嘴452供给纯水等液体。
图59是示意性地示出双流体喷嘴452的剖视图。在双流体喷嘴452中，在中央形成第一喷射喷嘴452a，以包围该第一喷射喷嘴452a的方式形成第二喷射喷嘴452b。从第一气体供给源451a和液体供给源451c分别向第一喷射喷嘴452a供给第一气体和液体，对它们进行混合而成为第一双流体喷流。并且，从第二气体供给源451b和液体供给源451c分别向第二喷射喷嘴452b供给高压的第二气体和液体，对它们进行混合而成为第二双流体喷流。
如图59所示，由于第二气体处于高压，因此在第一双流体喷流与第二双流体喷流之间存在速度差。由此，第二双流体喷流通过与第一双流体喷流的接触而聚集。由于像这样这样第二双流体喷流进行聚集，因此冲击波相对于基板W的表面的入射角变大(接近90度)，结果为，冲击波击中形成在基板W的表面上的微小的凹部内存在的粒子，能够去除这些粒子。
返回图57和图58，在喷嘴臂453的一端安装有双流体喷嘴452，在另一端连接有移动机构454。移动机构454能够像箭头A所示那样使双流体喷嘴452在基板W的中心与基板W的外侧的退避位置之间进行摆动。移动机构454由控制部7进行控制。
以上说明的基板清洗装置4’像如下那样对基板W进行清洗。即，在通过基板保持旋转机构41使基板W旋转的状态下，双流体喷嘴452一边在基板W的上方摆动一边向基板W的上表面供给第一和第二双流体喷流。由此，通过双流体喷流对基板W的上表面进行清洗。特别是，能够去除图案配线的阶梯或表面划痕等凹部内存在的100nm以下的尺寸的微小粒子。将像这样使用了双流体喷流的清洗称为双流体喷流清洗、或者双流体清洗。
在本实施方式中，取代第十实施方式的笔型清洗机构42而具有双流体喷流清洗机构45，但能够与第十实施方式同样地进行动作。即，能够同时或者依次进行双流体喷流清洗机构45的清洗和超声波清洗机构43的非接触清洗。并且，也能够通过使用对纯水施加了超声波振动的超声波清洗液，而由超声波清洗机构43进行清洗并且漂洗。此外，超声波清洗机构43可以对基板W的边缘或斜面进行清洗，也可以对卡盘爪411、壳体44、杯等进行清洗。
这样，在第十一实施方式中，基板清洗装置4’具有双流体喷流清洗机构45和超声波清洗机构43双方。因此，能够通过并用两者而提高清洗力。并且，除了进行基板清洗之外，还能够进行基板清洗装置4’自身的清洗。
(第十二实施方式)
在接下来说明的第十二实施方式中，基板清洗装置具有进行臭氧水清洗的臭氧水清洗机构和超声波清洗机构43。
图60是第十二实施方式的基板清洗装置4”的俯视图。取代图57和图58的双流体喷流清洗机构45，基板清洗装置4”具有臭氧水清洗机构46。臭氧水清洗机构46具有：臭氧水供给单元461、向基板W的上表面供给臭氧水的臭氧水喷嘴462、保持该臭氧水喷嘴462的喷嘴臂463、以及使喷嘴臂463摆动和升降的移动机构464。能够认为在臭氧水清洗机构46中，利用臭氧水供给单元461来替换图57和图58的双流体喷流清洗机构45中的双流体喷流供给单元451。
臭氧水供给单元461将例如氧气作为主原料而通过放电来产生臭氧气体，向臭氧水喷嘴462供给使臭氧气体溶解于水而得到的臭氧水。作为臭氧水供给单元461的具体的结构例，能够采用上述专利文献4中记载的结构。
在喷嘴臂463的一端安装有臭氧水喷嘴462，在另一端连接有移动机构464。移动机构464能够像箭头A所示那样使臭氧水喷嘴462在基板W的中心与基板W的外侧的退避位置之间进行摆动。移动机构464由控制部7进行控制。
在通过基板保持旋转机构41使基板W旋转的状态下，臭氧水喷嘴462一边在基板W的上方摆动，一边向基板W的上表面供给臭氧水。由此，通过臭氧水对基板W的上表面进行清洗。
在本实施方式中，取代第十实施方式的笔型清洗机构42或第十一实施方式的双流体喷流清洗机构45，而具有臭氧水清洗机构46，但能够与第一和第十一实施方式同样地进行动作。即，能够同时或者依次进行臭氧水清洗机构46的清洗和超声波清洗机构43的非接触清洗。并且，也能够通过使用对纯水施加了超声波振动的超声波清洗液，而由超声波清洗机构43进行清洗并且进行漂洗。此外，超声波清洗机构43可以对基板W的边缘或斜面进行清洗，也可以对卡盘爪411、壳体44、杯等进行清洗。
这样，在第十二实施方式中，基板清洗装置4”具有臭氧水清洗机构46和超声波清洗机构43双方。因此，能够通过并用两者而提高清洗力。并且，除了进行基板清洗之外，还能够进行基板清洗装置4”自身的清洗。
(第十三实施方式)
在上述的第一～第十二实施方式中，基板清洗装置具有超声波清洗机构。与此相对，在接下来说明的第十三实施方式中，基板干燥装置5具有超声波清洗机构。以下，以与第一～三实施方式的不同点为中心进行说明。
图61和图62分别是第十三实施方式的基板干燥装置5的俯视图和立体图。基板干燥装置5具有与基板清洗装置4中的结构相同的基板保持旋转机构41、干燥机构51以及超声波清洗机构43。
干燥机构51具有：向基板W供给冲洗液的冲洗液喷嘴511、向基板W供给干燥气体的干燥气体喷嘴512、以及使冲洗液喷嘴511和干燥气体喷嘴512与基板W的面平行地移动的移动机构513。
移动机构513包含可动臂513a、可动轴513b以及驱动源513c而构成。可动臂513a具有比基板W的半径大的长度。在其顶端部分安装有冲洗液喷嘴511和干燥气体喷嘴512。可动轴513b是将驱动源513c的动力传递给可动臂513a的棒状的部件，以其长度方向与可动臂513a的长度方向垂直的方式其一端连接于可动臂513a的与顶端部分相反的一侧的端部，其另一端连接于驱动源513c。驱动源513c是使可动轴513b绕轴线转动的装置。可动轴513b被设置为在基板W的外侧沿铅垂方向延伸。
可动臂513a构成为能够使从安装于与可动轴513b的连接端相反的一侧的干燥气体喷嘴512排出的干燥气体流碰撞到基板W的旋转中心。移动机构513构成为，当驱动源513c运行时经由可动轴513b使可动臂513a旋转，根据可动臂513a的旋转而使设置于其顶端部分的冲洗液喷嘴511和干燥气体喷嘴512向远离基板W的中心而朝向外周的方向移动。
在本实施方式中，移动机构513兼具有：冲洗液喷嘴移动机构，该冲洗液喷嘴移动机构相对于由基板保持旋转机构41进行旋转的基板W，以相对地远离基板W的中心的方式使冲洗液喷嘴511在基板W的上方移动；以及干燥气体喷嘴移动机构，该干燥气体喷嘴移动机构相对于由基板保持旋转机构41进行旋转的基板W，以相对地远离基板W的中心的方式使干燥气体喷嘴512在基板W的上方移动。
冲洗液喷嘴511是为了避免由于基板W的表面WA上的液体从液滴的状态开始干燥所引起的水印等缺陷的产生，而以液流(冲洗液流)的状态向基板W供给用于利用液膜来覆盖基板W的上表面的冲洗液的喷嘴(呈筒状从顶端的细孔喷出流体的装置)。
冲洗液典型地说是纯水，但也可以使用去除了溶解盐类和溶解有机物的去离子水、二氧化碳水溶液、(氢水或电解离子水等)功能水等。从排除作为水印产生的原因的溶解盐类和溶解有机物的观点出发，可以使用去离子水。并且，由于基板W的旋转而使冲洗液在基板W上移动，与之相伴的静电的产生会吸引异物，从使冲洗液的导电率上升而抑制带电的观点出发，可以使用二氧化碳水溶液。
干燥气体喷嘴512是向覆盖基板W的上表面的冲洗液的膜供给IPA(异丙醇)、并且以气体流(干燥气体流)的状态向基板W供给用于将冲洗液的膜排出的干燥气体的喷嘴。典型地说，干燥气体是使IPA的蒸汽混合于作为载气发挥功能的氮气或氩等惰性气体而得到的，也可以是IPA蒸汽本身。
继续进行来自冲洗液喷嘴511的冲洗液供给，并且从干燥气体喷嘴512供给IPA和干燥气体流。由此，冲洗液通过干燥气体流而被去除，并且IPA溶解于冲洗液而使冲洗液的表面张力降低，通过马兰哥尼力来去除冲洗液。像以上那样，能够抑制水印的产生，并且使基板W的表面干燥。将像这样使用IPA而使基板W干燥的情况称为IPA干燥。
另外，在干燥机构51进行基板W的干燥时，超声波清洗机构43的供给管433不是在基板W上方，而退避到退避位置。
这样，在第十三实施方式中，基板干燥装置5具有干燥机构51和超声波清洗机构43双方。因此，除了进行基板干燥之外，还能够进行卡盘爪411或壳体44等基板干燥装置5自身的清洗。在本实施方式中也是，通过构成为能够对例如超声波供给装置43的供给管433的位置、喷射清洗液时的角度进行调整，并且能够对超声波清洗液的排出速度进行变更，而使基板干燥装置5自身的清洗也变得更容易。
并且，当供给基板W时微小的粒子保持附着在基板W上这样的情况下，在不具有超声波清洗机构43的一般的基板干燥装置中，有可能无法充分地去除这样的微小的粒子。与此相对，根据本实施方式的基板干燥装置5，能够提供基板干燥装置5，防止由于清洗部件与基板W物理性接触而引起产生微细的粒子从而逆污染，对基板W表面进行充分地清洗且冲洗，进一步进行干燥。
(第十四实施方式)
接着，以下对第十四实施方式进行说明。在上述的第十一实施方式中，基板清洗装置4’具有双流体喷流清洗机构45和超声波清洗机构43。与此相对，在接下来说明的第十四实施方式中，基板清洗装置还具有配置在基板的周围的罩。
图63是第十四实施方式的基板清洗装置4”’的侧视图。
如图63所示，基板清洗装置4”’具有：保持基板W并使其旋转的基板保持旋转机构41、朝向基板W的表面喷出双流体喷射的双流体喷嘴452、配置在基板W的周围的罩63、以及使旋转罩63旋转的罩旋转机构(未图示)。罩旋转机构例如使罩向与基板W相同的旋转方向旋转。
基板保持旋转机构41具有：多个卡盘441、对这些卡盘进行固定的圆形的台座671、支承该台座671的工作台672、支承该工作台672的中空状的支承轴673、以及使支承轴673旋转的马达602。在该情况下，台座671、工作台672、支承轴673配置在同轴上。旋转罩63固定于工作台672的端部，工作台672与旋转罩63都配置在同轴上。并且，卡盘441所保持的基板W与旋转罩63位于同轴上。
马达602与支承轴673的外周面连结，马达602的转矩传递给支承轴673，由此卡盘441所保持的基板W旋转。在该情况下，基板W与旋转罩63一体旋转，可以使两者的相对速度为零，也可以设置少许的速度差。并且，也可以通过分别不同的旋转机构而使基板W和旋转罩63旋转。另外，使基板W与旋转罩63以相同速度旋转是指，使基板W与旋转罩63向相同方向以相同角速度旋转，不包含彼此向相反方向旋转。
并且，如图所示，在工作台672上形成有多个排出孔674。排出孔674是例如在旋转罩63的周向上延伸的长孔，清洗液与载气或周围的环境的气体一同通过该排出孔674而排出。在本实施方式中，使排气量为1～3m3/分左右。此外，在旋转罩63的外侧设置有固定罩675，固定罩675采用不旋转的结构。通过像这样构成，能够抑制基板W液滴的反弹，能够防止液滴再附着于基板的表面。
本实施方式的双流体喷嘴452也可以以朝向基板W的旋转方向的上游侧喷射双流体喷射的方式按照规定的角度进行配置。
基板清洗装置4”’像如下那样清洗基板W。即，在通过基板保持旋转机构41使基板W旋转的状态下，双流体喷嘴452一边在基板W的上方摆动，一边向基板W的上表面供给第一和第二双流体喷流。由此，通过双流体喷流而对基板W的上表面进行清洗。然而，该双流体清洗也称为基于液滴碰撞后的横向上的液体移动的清洗机理，为了去除在基板W表面上的图案配线的阶梯或表面划痕等凹部内存在的100nm以下的尺寸的微小粒子，在本实施方式中，例如，同时或者依次进行该双流体清洗的非接触清洗和超声波清洗机构43的非接触清洗而进行清洗。此外，还能够通过使用对纯水施加了超声波振动的超声波清洗液，而由超声波清洗机构43进行清洗并且进行漂洗。此外，超声波清洗机构43可以对基板W的边缘或斜面进行清洗，也可以对卡盘爪411、壳体44、旋转杯63、固定杯675等进行清洗。
超声波清洗机构43中的供给管433在基板W清洗时在基板W的上方摆动，在待机时在保持基板W的位置的外侧进行待机。
在采用了这样的结构的情况下，在双流体清洗和超声波清洗机构43的非接触清洗时，即使由于通过基板W的旋转所产生的离心力而从基板W的表面成为液滴而飞散、或者由于通过双流体清洗所产生的侧喷射而使基板W的表面的液滴飞散，从而导致液滴碰撞到旋转罩63，由于使旋转罩63向与基板W相同的旋转方向旋转，因此与旋转罩63不旋转的情况相比，能够降低液滴的碰撞速度。由此，能够抑制液滴从旋转罩63反弹，能够防止液滴再附着于基板W的表面。并且，在这样构成的基板清洗装置4”’中，当连续地进行处理时旋转罩63的内侧会污染，因此例如也可以使超声波清洗机构43对旋转罩63的内侧进行清洗。
另外，也可以与第十四实施方式的基板清洗装置4”’同样，在第一和第三实施方式的基板清洗装置4、4”中，也使罩(杯)配置在基板W的周围，而由超声波清洗机构43向该杯供给超声波清洗液。同样，在这样构成的基板清洗装置中，由于当连续地进行处理时旋转罩的内侧会污染，因此在不存在基板的状态下一边使杯旋转，一边使超声波清洗机构43的喷嘴在该杯内摆动，而能够对旋转罩63的内侧或底部进行清洗。
上述的实施方式是以本领域技术人员能够实施本发明为目的而进行记载的。上述实施方式的各种变形例对于本领域技术人员来说是显而易见的，本发明的技术思想也能够应用于其他的实施方式。因此，本发明不限于所记载的实施方式，应该是基于所要保护的技术方案所定义的技术思想的最大范围。例如，当采用了在基板保持机构中将基板W保持为纵向放置的状态下进行清洗的基板清洗装置的情况下，当然也能够使用上述的实施方式的超声波清洗机构43。
[符号说明]
3 基板研磨装置
4、4’ 基板清洗装置
41 基板保持旋转机构
42 笔型清洗机构
43 超声波清洗机构
44 壳体
45 双流体喷流清洗机构
46 臭氧水清洗机构
5 基板干燥装置
51 干燥机构
[用于解决第十至第十四实施方式的课题的手段]
根据一个方式，提供基板清洗装置，该基板清洗装置具有：基板保持旋转机构，该基板保持旋转机构保持基板并使该基板旋转；第一清洗机构，该第一清洗机构使清洗器具与所述基板接触而对所述基板进行清洗、或者通过双流体喷流对所述基板进行清洗、或者使用臭氧水对所述基板进行清洗；以及第二清洗机构，该第二清洗机构使用超声波清洗液对所述基板进行清洗。
由于基板清洗装置具有第一和第二清洗机构，因此通过并用两者而提高清洗力，并且第二清洗机构还能够对基板清洗装置自身进行清洗。
也可以是，所述第一清洗机构对所述基板进行清洗，并且所述第二清洗机构对所述基板进行清洗。
通过使第一和第二清洗机构同时进行清洗，而提高清洗力。
也可以是，所述第一清洗机构对所述基板进行清洗，然后，所述第二清洗机构对所述基板进行清洗。
在存在第一清洗机构无法去除的粒子的情况下，也能够通过由第二清洗机构进行修整清洗而去除粒子，提高清洗力。
也可以是，所述第二清洗机构使用第一频率的所述超声波清洗液对所述基板进行清洗，然后，所述第一清洗机构对所述基板进行清洗，然后，所述第二清洗机构使用比所述第一频率高的第二频率的所述超声波清洗液对所述基板进行清洗。
通过使用低频的超声波清洗液来预先去除较大的粒子，而使第二清洗机构中的清洗器具长寿命化，并且能够使用高频的超声波清洗液来去除较小的粒子。
也可以是，所述第一清洗机构使用药液对所述基板进行接触清洗，然后，所述第二清洗机构使用对纯水施加了超声波振动的所述超声波清洗液对所述基板进行清洗。
由此，第二清洗机构还能够进行清洗并且进行漂洗。
也可以是，所述第二清洗机构向所述基板的边缘供给所述超声波清洗液。
由此，在第一清洗机构无法对基板的边缘进行清洗的情况下，第二清洗机构也能够对基板的边缘进行清洗。
也可以是，所述第二清洗机构供给所述超声波清洗液，以使所述超声波清洗液的一部分滴到所述基板的边缘，另一部分滴到所述基板的外侧。
由此，也能够对基板的斜面进行清洗。
也可以是，在所述第二清洗机构向所述基板的边缘供给所述超声波清洗液时，与所述第二清洗机构向所述基板的内侧供给所述超声波清洗液的情况相比，所述基板保持旋转机构使所述基板低速旋转。
也可以是，所述基板保持旋转机构具有保持所述基板的一部分的保持部件，所述第一清洗机构使所述清洗器具与所述基板接触而对所述基板进行清洗，所述第二清洗机构向由于所述保持部件的存在而导致所述清洗器具无法清洗的区域供给所述超声波清洗液。
由此，第二清洗机构能够对第一清洗机构无法清洗的基板上的部位进行清洗。
也可以是，所述基板保持旋转机构具有保持所述基板的一部分的保持部件，所述第二清洗机构向所述保持部件供给所述超声波清洗液。
由此，不仅能够清洗基板，还能够清洗基板清洗装置的保持部件。
也可以是，所述基板保持旋转机构、所述第一清洗机构和所述第二清洗机构位于壳体内，所述第二清洗机构向所述壳体供给所述超声波清洗液。
由此，不仅能够清洗基板，还能够清洗基板清洗装置的壳体。
也可以是，该基板清洗装置具有设置在所述基板保持旋转机构的外侧的杯，
所述第二清洗机构向所述杯供给所述超声波清洗液。
由此，不仅能够清洗基板，还能够清洗基板清洗装置的杯。
也可以是，所述第一清洗机构使所述清洗器具与所述基板接触而对所述基板进行清洗，所述第二清洗机构向所述清洗器具供给所述超声波清洗液。
由此，不仅能够清洗基板，还能够清洗基板清洗装置的清洗器具。
根据其他的方式，提供基板处理装置，该基板处理装置具有上述基板清洗装置以及对基板进行研磨的基板研磨装置。
根据其他的方式，提供基板清洗方法，该基板清洗方法是使用基板清洗装置对所述基板进行清洗的方法，其中，该基板清洗装置具有：第一清洗机构，该第一清洗机构使清洗器具与所述基板接触而对所述基板进行清洗、或者通过双流体喷流对所述基板进行清洗、或者使用臭氧水对所述基板进行清洗；以及第二清洗机构，该第二清洗机构使用超声波清洗液对所述基板进行清洗，所述第一清洗机构对所述基板进行清洗的同时所述第二清洗机构对所述基板进行清洗。
通过由第一和第二清洗机构同时进行清洗，而提高清洗力。
并且，根据其他的方式，提供基板清洗方法，该基板清洗方法是使用基板清洗装置对所述基板进行清洗的方法，其中，该基板清洗装置具有：第一清洗机构，该第一清洗机构使清洗器具与所述基板接触而对所述基板进行清洗、或者通过双流体喷流对所述基板进行清洗、或者使用臭氧水对所述基板进行清洗；以及第二清洗机构，该第二清洗机构使用超声波清洗液对所述基板进行清洗，所述第一清洗机构对所述基板进行清洗，然后所述第二清洗机构对所述基板进行清洗。
在存在第一清洗机构无法去除的粒子的情况下，也能够通过由第二清洗机构进行修整清洗而去除粒子，提高清洗力。
并且，根据其他的方式，提供基板清洗方法，该基板清洗方法是使用基板清洗装置对所述基板进行清洗的方法，其中，该基板清洗装置具有：第一清洗机构，该第一清洗机构使清洗器具与所述基板接触而对所述基板进行清洗、或者通过双流体喷流对所述基板进行清洗、或者使用臭氧水对所述基板进行清洗；以及第二清洗机构，该第二清洗机构使用超声波清洗液对所述基板进行清洗，所述第二清洗机构使用第一频率的所述超声波清洗液对所述基板进行清洗，然后，所述第一清洗机构对所述基板进行清洗，然后，所述第二清洗机构使用比所述第一频率高的第二频率的所述超声波清洗液对所述基板进行清洗。
通过使用低频的超声波清洗液来预先去除较大的粒子，而使第二清洗机构中的清洗器具长寿命化。并且，能够使用高频的超声波清洗液来去除较小的粒子。
并且，根据其他的方式，提供基板干燥装置，该基板干燥装置具有：基板保持旋转机构，该基板保持旋转机构保持基板并使该基板旋转；干燥机构，该干燥机构使所述基板干燥；以及超声波清洗机构，该超声波清洗机构使用超声波清洗液对所述基板进行清洗。
由于基板干燥装置具有超声波清洗机构，因此还能够对基板干燥装置自身进行清洗。
[第十至第十四实施方式的效果]
通过具有超声波清洗机构，而提供高性能的基板清洗装置、基板干燥装置和基板处理装置。并且，提供使用了这样的基板清洗装置的基板清洗方法。

Claims (47)

1.一种基板清洗装置，其特征在于，该基板清洗装置具有：
基板保持旋转机构，该基板保持旋转机构保持基板并使该基板旋转；
第一清洗机构，该第一清洗机构使清洗器具与所述基板接触而对所述基板进行清洗，或者通过双流体喷流对所述基板进行清洗，或者使用臭氧水对所述基板进行清洗；以及
第二清洗机构，该第二清洗机构使用超声波清洗液对所述基板进行清洗。
2.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于，
该基板清洗装置构成为，所述第一清洗机构使用药液对所述基板进行接触清洗，然后，
所述第二清洗机构使用对纯水施加了超声波振动的所述超声波清洗液对所述基板进行清洗。
3.根据权利要求1或2所述的基板清洗装置，其特征在于，
所述第二清洗机构至少向所述基板的边缘供给所述超声波清洗液。
4.根据权利要求3所述的基板清洗装置，其特征在于，
在所述第二清洗机构向所述基板的边缘供给所述超声波清洗液时，与所述第二清洗机构向所述基板的内侧供给所述超声波清洗液的情况相比，所述基板保持旋转机构使所述基板低速旋转。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的基板清洗装置，其特征在于，
所述基板保持旋转机构具有保持所述基板的一部分的保持部件，
所述第二清洗机构向所述保持部件供给所述超声波清洗液。
6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的基板清洗装置，其特征在于，
所述基板保持旋转机构、所述第一清洗机构和所述第二清洗机构位于壳体内，
所述第二清洗机构向所述壳体供给所述超声波清洗液。
7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的基板清洗装置，其特征在于，
该基板清洗装置具有设置在所述基板保持旋转机构的外侧的杯，
所述第二清洗机构向所述杯供给所述超声波清洗液。
8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的基板清洗装置，其特征在于，
所述第二清洗机构具有供给所述超声波清洗液的供给管，该供给管构成为能够在清洗基板时的第一位置与向所述清洗器具供给所述超声波清洗液而进行清洗时的第二位置之间移动。
9.一种基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置具有：
基板研磨装置，该基板研磨装置对基板进行研磨；以及
权利要求1至8中的任意一项所述的基板清洗装置。
10.一种基板清洗方法，该基板清洗方法是使用基板清洗装置对基板进行清洗的方法，其中，该基板清洗装置具有：
第一清洗机构，该第一清洗机构使清洗器具与所述基板接触而对所述基板进行清洗，或者通过双流体喷流对所述基板进行清洗，或者使用臭氧水对所述基板进行清洗；以及
第二清洗机构，该第二清洗机构使用超声波清洗液对所述基板进行清洗，
该基板清洗方法的特征在于，
所述第一清洗机构对所述基板进行清洗，同时所述第二清洗机构对所述基板进行清洗。
11.一种基板清洗方法，该基板清洗方法是使用基板清洗装置对基板进行清洗的方法，其中，该基板清洗装置具有：
第一清洗机构，该第一清洗机构使清洗器具与所述基板接触而对所述基板进行清洗，或者通过双流体喷流对所述基板进行清洗，或者使用臭氧水对所述基板进行清洗；以及
第二清洗机构，该第二清洗机构使用超声波清洗液对所述基板进行清洗，
该基板清洗方法的特征在于，
所述第一清洗机构对所述基板进行清洗，然后所述第二清洗机构对所述基板进行清洗。
12.一种基板清洗方法，该基板清洗方法是使用基板清洗装置对基板进行清洗的方法，其中，该基板清洗装置具有：
第一清洗机构，该第一清洗机构使清洗器具与所述基板接触而对所述基板进行清洗，或者通过双流体喷流对所述基板进行清洗，或者使用臭氧水对所述基板进行清洗；以及
第二清洗机构，该第二清洗机构使用超声波清洗液对所述基板进行清洗，
该基板清洗方法的特征在于，
所述第二清洗机构使用第一频率的所述超声波清洗液对所述基板进行清洗，然后，
所述第一清洗机构对所述基板进行清洗，然后，
所述第二清洗机构使用比所述第一频率高的第二频率的所述超声波清洗液对所述基板进行清洗。
13.一种基板干燥装置，其特征在于，该基板干燥装置具有：
基板保持旋转机构，该基板保持旋转机构保持基板并使该基板旋转；
干燥机构，该干燥机构使所述基板干燥；以及
超声波清洗机构，该超声波清洗机构使用超声波清洗液对所述基板进行清洗。
14.一种基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置具有：
供给部，该供给部供给清洗液；
振动部，该振动部对从所述供给部供给的所述清洗液施加超声波振动；
供给管，该供给管具有供给口，引导由所述振动部施加了超声波振动后的所述清洗液，而从所述供给口向基板供给该清洗液；以及
控制部，该控制部在向所述基板供给所述清洗液之前，从所述供给部供给所述清洗液，并从位于待机位置的所述供给口排出所述清洗液。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，
所述供给管具有：在与所述基板的法线垂直的方向上延伸的第一延伸部、以及从所述第一延伸部朝向所述基板的法线方向且朝向所述基板延伸的第二延伸部，
在所述第二延伸部的端部设置有所述供给口，
该基板处理装置还具有摆动轴，该摆动轴用于将所述第一延伸部的基端部支承为能够在所述基板的表面侧或者背面侧摆动。
16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，
与所述供给口对所述基板的中心侧区域进行清洗时比较，在所述供给口对所述基板的周缘侧区域进行清洗时，所述供给管的摆动速度较慢。
17.根据权利要求14至16中的任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置还具有排出液回收部，该排出液回收部用于回收从位于所述待机位置的所述供给口排出的所述清洗液。
18.根据权利要求14至17中的任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述供给管由使超声波振动不容易衰减的材料构成。
19.根据权利要求14至18中的任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部在从所述供给部供给所述清洗液起经过第一时间后，使所述振动部开始振动。
20.根据权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部在从所述供给部供给所述清洗液起经过比所述第一时间长的第二时间后，开始从所述供给口向所述基板供给所述清洗液。
21.一种基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置具有：
供给部，该供给部供给清洗液；
振动部，该振动部对从所述供给部供给的所述清洗液施加超声波振动；以及
供给管，该供给管具有供给口，引导由所述振动部施加了超声波振动后的所述清洗液，而从所述供给口向基板供给该清洗液，
所述供给管具有：在横向上延伸的第一延伸部、以及从所述第一延伸部向上下方向延伸的第二延伸部，
所述第一延伸部的顶端侧定位于比基端侧高的位置。
22.根据权利要求21所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一延伸部从所述第一延伸部的基端部延伸的第一方向相对于水平方向倾斜，沿着所述基板的法线方向的距离随着从所述基板的周缘部朝向中心部而变远。
23.一种基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置具有：
供给部，该供给部供给清洗液；
振动部，该振动部对从所述供给部供给的所述清洗液施加超声波振动；以及
供给管，该供给管具有供给口，引导由所述振动部施加了超声波振动后的所述清洗液，而从所述供给口向基板供给该清洗液，
所述供给管具有：在横向上延伸的第一延伸部、以及从所述第一延伸部向下方向延伸的第二延伸部，
在所述第一延伸部的下方设置有沿着所述第一延伸部延伸的液滴引导部。
24.根据权利要求23所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一延伸部能够以摆动轴为中心而在所述基板的上方进行摆动，
所述液滴引导部从下方支承所述第一延伸部，并且与所述第一延伸部一同摆动。
25.一种基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置具有：
供给部，该供给部供给清洗液；
振动部，该振动部对从所述供给部供给的所述清洗液施加超声波振动；以及
供给管，该供给管具有供给口，引导由所述振动部施加了超声波振动后的所述清洗液，而从所述供给口向基板供给该清洗液，
所述振动部以第一频率和比所述第一频率低的第二频率进行振动而对所述清洗液施加超声波振动。
26.根据权利要求25所述的基板处理装置，其特征在于，
所述振动部具有：以所述第一频率进行振动的第一振动部、以及以所述第二频率进行振动的第二振动部。
27.根据权利要求25或26所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一频率为900kHz以上，
所述第二频率小于900kHz。
28.根据权利要求25至27中的任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述供给管具有：第一引导管，该第一引导管引导由所述第一振动部施加了振动后的所述清洗液；第二引导管，该第二引导管引导由所述第二振动部施加了振动后的所述清洗液；以及共用引导管，该共用引导管与所述第一引导管和所述第二引导管连结，将所述第一引导管和所述第二引导管所引导来的任意的清洗液都向所述供给口引导。
29.一种基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置具有：
供给部，该供给部供给清洗液；
振动部，该振动部对从所述供给部供给的所述清洗液施加超声波振动；
供给管，该供给管具有供给口，引导由所述振动部施加了超声波振动后的所述清洗液，而从所述供给口向基板供给该清洗液；以及
控制部，该控制部在向所述基板供给所述清洗液之前，使定位于分离位置的所述供给管相对于所述基板定位于接近位置，或者使定位于分离位置的所述基板相对于所述供给管定位于接近位置，
所述供给管的材料是使超声波振动不容易衰减的材料。
30.一种基板清洗装置，其特征在于，该基板清洗装置具有：
供给部，该供给部供给清洗液；
振动部，该振动部对从所述供给部供给的清洗液施加超声波振动；以及
供给体，该供给体从流出口向基板供给从所述供给部供给的清洗液，
所述供给体具有：流入口，该流入口供从所述供给部供给的清洗液流入；第一引导部，该第一引导部将从所述流入口流入的清洗液经由第一引导路向所述流出口引导，并且具有与所述流入口和所述流出口不同的开口部；密封部，该密封部经由所述第一引导部而设置于所述第一引导路的至少一部分的周缘外方；以及封闭部，该封闭部覆盖所述开口部并且与所述密封部接触，
由所述振动部产生的超声波振动经由所述封闭部或者所述第一引导部而施加给清洗液。
31.根据权利要求30所述的基板清洗装置，其特征在于，
所述供给体具有夹持用部件，
所述封闭部在所述第一引导部的周缘外方具有向所述基板侧突出的第一突出部，
所述第一突出部在所述第一突出部的端部与所述夹持用部件之间夹持所述密封部。
32.根据权利要求30或31所述的基板清洗装置，其特征在于，
所述第一引导部在与所述基板相反的一侧具有凹部或者切口，
所述密封部位于所述凹部或者所述切口内，
所述凹部或者所述切口的至少一部分被所述封闭部覆盖。
33.根据权利要求30至32中的任意一项所述的基板清洗装置，其特征在于，
所述第一引导部在与所述基板相反的一侧的侧面具有凹部，
所述封闭部在所述第一引导部的周缘外方具有向所述基板侧突出的第一突出部，
所述密封部的至少一部分位于所述第一突出部的周缘内方。
34.根据权利要求30至33中的任意一项所述的基板清洗装置，其特征在于，
由所述振动部产生的超声波振动经由所述封闭部而施加给清洗液。
35.根据权利要求30至34中的任意一项所述的基板清洗装置，其特征在于，
所述第一引导部由使超声波振动不容易衰减的材料构成。
36.一种基板清洗装置，其特征在于，该基板清洗装置具有：
供给部，该供给部供给清洗液；
振动部，该振动部对从所述供给部供给的清洗液施加超声波振动；以及
供给体，该供给体从流出口向基板供给从所述供给部供给的清洗液，
所述供给体具有第二引导部，该第二引导部具有供从所述供给部供给的清洗液流入的流入口和所述流出口，
在所述第二引导部没有设置所述流入口和所述流出口以外的开口，
由所述振动部产生的超声波振动经由所述第二引导部而施加给清洗液。
37.根据权利要求36所述的基板清洗装置，其特征在于，
所述第二引导部由使超声波振动不容易衰减的材料一体成型。
38.一种基板清洗装置，其特征在于，该基板清洗装置具有：
供给部，该供给部供给清洗液；
供给体，该供给体向基板供给从所述供给部供给的清洗液；以及
振动部，该振动部设置在所述供给体内，对从所述供给部供给的清洗液施加超声波振动，
所述供给体具有膨胀部，该膨胀部供通过了与所述振动部对应的振动对应位置后的所述清洗液流入。
39.根据权利要求38所述的基板清洗装置，其特征在于，
所述供给体具有：流出口，该流出口用于向所述基板排出清洗液；引导部，该引导部向所述流出口引导所述清洗液；以及流入口，该流入口使从所述供给部供给的清洗液流入所述引导部内，
所述膨胀部至少在与所述流入口相对的相反侧的面上膨胀。
40.根据权利要求38或39所述的基板清洗装置，其特征在于，
所述供给体具有：流出口，该流出口用于向所述基板排出清洗液；引导部，该引导部向所述流出口引导所述清洗液；以及流入口，该流入口使从所述供给部供给的清洗液流入所述引导部内，
所述流入口侧的面没有膨胀。
41.一种基板清洗装置，其特征在于，该基板清洗装置具有：
供给部，该供给部供给清洗液；
供给体，该供给体向基板供给从所述供给部供给的清洗液；
振动部，该振动部设置在所述供给体内，对从所述供给部供给的清洗液施加超声波振动；以及
引导管，该引导管供通过了与所述振动部对应的振动对应位置后的清洗液流入。
42.根据权利要求41所述的基板清洗装置，其特征在于，
该基板清洗装置还具有排出液回收部，该排出液回收部对通过了所述引导管的清洗液进行回收。
43.根据权利要求41或42所述的基板清洗装置，其特征在于，
该基板清洗装置还具有第一延伸部，该第一延伸部支承所述供给体，并且能够以基部侧为中心进行摆动，
所述引导管的至少一部分在所述第一延伸部内延伸。
44.根据权利要求38至43中的任意一项所述的基板清洗装置，其特征在于，
该基板清洗装置还具有控制部，该控制部在向所述基板供给所述清洗液之前，从所述供给部供给所述清洗液。
45.根据权利要求38至44中的任意一项所述的基板清洗装置，其特征在于，
所述控制部在从所述供给部供给所述清洗液起经过第一时间后，使所述振动部开始振动。
46.根据权利要求38至45中的任意一项所述的基板清洗装置，其特征在于，
所述供给体具有用于供所述清洗液流出的流出口，
该基板清洗装置还具有方向变更部，该方向变更部使所述流出口朝向与所述基板相反的一侧的方向。
47.根据权利要求38至46中的任意一项所述的基板清洗装置，其特征在于，
所述供给体具有：流出口，该流出口用于向所述基板排出清洗液；引导部，该引导部向所述流出口引导所述清洗液；以及流入口，该流入口使从所述供给部供给的清洗液流入所述引导部内，
所述引导部由导电性树脂材料构成，并且进行接地连接。
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