JP6933448B2 - 基板洗浄装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウェハ等の基板を洗浄する基板洗浄装置に関する。

一般的なＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）装置は、半導体ウェハ等の基板を研磨し、洗浄し、乾燥させるものである。すなわち、ＣＭＰ装置は、基板研磨装置、基板洗浄装置及び基板乾燥装置を有している。

基板洗浄装置としては、例えばペン型洗浄具又はロール型洗浄具を用いて接触洗浄を行うもの（特許文献１）、２流体噴流により非接触洗浄を行うもの（特許文献２）、オゾン水を用いて洗浄を行うもの（特許文献３）等が知られている。基板乾燥装置としては、例えばＩＰＡ乾燥を行うもの（特許文献４）等が知られている。

また、半導体ウェハ等の基板の表面を非接触で洗浄する洗浄する洗浄方式の一つとして、超音波処理された純水を基板の表面に噴射して表面を洗浄する、キャビテーションを利用した超音波洗浄が知られている（特許文献５参照）。

特開２０１５−６５３７９号公報 特開２０１５−１０３６４７号公報 特開２０１４−１１７６２８号公報 特開２０１４−２０４４２７号公報 特開２０１４−１３０８８２号公報

超音波洗浄を用いた場合には、洗浄液が存在しない状態（いわゆる空焚きの状態）で振動部を振動させることで、振動部が破損してしまう可能性を否定できない。

本発明は、このような点を鑑みてなされたものであり、洗浄液が存在しない状態（いわゆる空焚きの状態）で振動部を振動させないようにする基板洗浄装置を提供する。

本発明の第一態様による基板洗浄装置は、
洗浄液を供給する供給部と、
前記供給部から供給された洗浄液を基板に供給する供給体と、
前記供給体内に設けられ、前記供給部から供給される洗浄液に超音波振動を与える振動部と、
を備え、
前記供給体が、前記振動部に対応する振動対応位置を通過した後の前記洗浄液が流れ込む膨張部を有する。

本発明の第一態様による基板洗浄装置において、
前記供給体は、前記基板へ洗浄液を吐出させるための流出口と、前記流出口へと前記洗浄液を案内する案内部と、前記供給部から供給された洗浄液を前記案内部内に流入させる流入口と、を有し、
前記膨張部が、少なくとも前記流入口と対向する反対側の面において膨張してもよい。

本発明の第一態様による基板洗浄装置において、
前記供給体は、前記基板へ洗浄液を吐出させるための流出口と、前記流出口へと前記洗浄液を案内する案内部と、前記供給部から供給された洗浄液を前記案内部内に流入させる流入口と、を有し、
前記流入口側の面が膨張していなくてもよい。

本発明の第二態様による基板洗浄装置は、
洗浄液を供給する供給部と、
前記供給部から供給された洗浄液を基板に供給する供給体と、
前記供給体内に設けられ、前記供給部から供給される洗浄液に超音波振動を与える振動部と、
前記振動部に対応する振動対応位置を通過した後の洗浄液が流れ込む案内管と、を備える。

本発明の第二態様による基板洗浄装置は、
前記案内管を通過した洗浄液が回収される吐出液回収部をさらに備えてもよい。

本発明の第二態様による基板洗浄装置は、
前記供給体を支持するとともに、基部側を中心に揺動可能となる第一延在部をさらに備え、
前記案内管の少なくとも一部が、前記第一延在部内で延在してもよい。

本発明による基板洗浄装置は、
前記基板に前記洗浄液を供給するのに先立ち、前記供給部から前記洗浄液を供給させる制御部をさらに備えてもよい。

本発明による基板洗浄装置において、
前記制御部は、前記供給部から前記洗浄液が供給されてから第一時間経過後に前記振動部の振動を開始させてもよい。

本発明による基板洗浄装置は、
前記供給体は、前記洗浄液を流出するための流出口を有し、
前記流出口を前記基板と反対側の方向に向ける方向変更部をさらに備えてもよい。

本発明による基板洗浄装置において、
前記供給体は、前記基板へ洗浄液を吐出させるための流出口と、前記流出口へと前記洗浄液を案内する案内部と、前記供給部から供給された洗浄液を前記案内部内に流入させる流入口と、を有し、
前記案内部は導電性樹脂材料からなるとともにアースに接続されてもよい。

本発明の効果

本発明の供給体は、振動部に対応する振動対応位置を通過した後の洗浄液が流れ込む膨張部又は案内管が設けられている。このため、供給部から供給された洗浄液の振動対応位置の通過を効率よく行うことができる。したがって、洗浄液が存在しない状態（いわゆる空焚きの状態）で振動部が振動する状態が発生することを効率よく未然に防止することができる。

図１は、本発明の第１の実施の形態による基板洗浄装置を含む基板処理装置の全体構成を示す上方平面図である。 図２は、本発明の第１の実施の形態において揺動部を採用した場合の基板洗浄装置の側方断面図である。 図３は、本発明の第１の実施の形態において供給体保持部を採用した場合の基板洗浄装置の側方断面図である。 図４は、本発明の第１の実施の形態で用いられる供給体の態様１を示した側方断面図である。 図５は、本発明の第１の実施の形態で用いられる供給体の態様２を示した側方断面図である。 図６（ａ）−（ｄ）は、本発明の第１の実施の形態において方向変更部を採用した場合の正面断面図であり、図６（ｅ）（ｆ）は、本発明の第１の実施の形態において方向変更部を採用した場合の側方断面図である。 図７は、本発明の第１の実施の形態で用いられる供給体が２つ設けられた態様を示した基板洗浄装置の側方断面図である。 図８は、本発明の第１の実施の形態で用いられる振動体が２つ設けられた態様を示した、供給体の上方平面図である。 図９は、本発明の第１の実施の形態で用いられる供給体が、ロール洗浄部材及び洗浄液を供給するノズルとともに用いられている態様を示した基板洗浄装置の側方断面図である。 図１０は、本発明の第１の実施の形態で用いられる供給体が、ペンシル洗浄部材及び二流体ジェット洗浄部並びに洗浄液を供給するノズルとともに用いられている態様を示した基板洗浄装置の側方断面図である。 図１１は、本発明の第２の実施の形態で用いられる供給体の態様１を示した側方断面図である。 図１２は、本発明の第２の実施の形態で用いられる供給体の態様２を示した側方断面図である。 図１３は、本発明の第２の実施の形態で用いられる供給体の態様３を示した側方断面図である。 図１４は、本発明の第２の実施の形態で用いられる供給体の態様４を示した側方断面図である。 図１５は、本発明の第２の実施の形態で用いられる供給体の態様５を示した側方断面図である。 図１６は、本発明の第２の実施の形態で用いられる供給管及び案内管の配置態様１を示した上方平面図である。 図１７は、本発明の第２の実施の形態で用いられる供給管及び案内管の配置態様２を示した上方平面図である。 図１８は、本発明の第２の実施の形態で用いられる供給管及び案内管の配置態様３を示した上方平面図である。 図１９（ａ）は、本発明の第１の実施の形態で用いられうる閉鎖部を用いた態様を示した側方断面図であり、図１９（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態で用いられうる閉鎖部を用いた態様を示した側方断面図である。

第１の実施の形態
《構成》
以下、本発明に係る基板洗浄装置を有する基板処理装置の第１の実施の形態について、図面を参照して説明する。ここで、図１乃至図１０及び図１９（ａ）は本発明の実施の形態を説明するための図である。

図１に示すように、基板処理装置は、略矩形状のハウジング１１０と、多数の基板Ｗをストックする基板カセットが載置されるロードポート１１２と、を有している。ロードポート１１２は、ハウジング１１０に隣接して配置されている。ロードポート１１２には、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface）ポッド、又はＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を搭載することができる。ＳＭＩＦポッド、ＦＯＵＰは、内部に基板カセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。基板Ｗとしては、例えば半導体ウェハ等を挙げることができる。

ハウジング１１０の内部には、複数（図１に示す態様では４つ）の研磨ユニット１１４ａ〜１１４ｄと、研磨後の基板Ｗを洗浄する第１洗浄ユニット１１６及び第２洗浄ユニット１１８と、洗浄後の基板Ｗを乾燥させる乾燥ユニット１２０とが収容されている。研磨ユニット１１４ａ〜１１４ｄは、基板処理装置の長手方向に沿って配列され、洗浄ユニット１１６、１１８及び乾燥ユニット１２０も基板処理装置の長手方向に沿って配列されている。本実施の形態の基板処理装置によれば、直径３００ｍｍ又は４５０ｍｍの半導体ウエハ、フラットパネル、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）やＣＣＤ（Charge Coupled Device）等のイメージセンサ、ＭＲＡＭ（Magnetoresistive Random Access Memory）における磁性膜の製造工程において、種々の基板Ｗを、研磨処理することができる。

ロードポート１１２、ロードポート１１２側に位置する研磨ユニット１１４ａ及び乾燥ユニット１２０に囲まれた領域には、第１搬送ロボット１２２が配置されている。また、研磨ユニット１１４ａ〜１１４ｄ並びに洗浄ユニット１１６、１１８及び乾燥ユニット１２０と平行に、搬送ユニット１２４が配置されている。第１搬送ロボット１２２は、研磨前の基板Ｗをロードポート１１２から受け取って搬送ユニット１２４に受け渡したり、乾燥ユニット１２０から取り出された乾燥後の基板Ｗを搬送ユニット１２４から受け取ったりする。

第１洗浄ユニット１１６と第２洗浄ユニット１１８との間に、これら第１洗浄ユニット１１６と第２洗浄ユニット１１８の間で基板Ｗの受け渡しを行う第２搬送ロボット１２６が配置され、第２洗浄ユニット１１８と乾燥ユニット１２０との間に、これら第２洗浄ユニット１１８と乾燥ユニット１２０の間で基板Ｗの受け渡しを行う第３搬送ロボット１２８が配置されている。さらに、ハウジング１１０の内部には、基板処理装置の各機器の動きを制御する制御部５０が配置されている。本実施の形態では、ハウジング１１０の内部に制御部５０が配置されている態様を用いて説明するが、これに限られることはなく、ハウジング１１０の外部に制御部５０が配置されてもよい。

第１洗浄ユニット１１６として、洗浄液の存在下で、基板Ｗの直径のほぼ全長にわたって直線状に延びるロール洗浄部材１１６ａ，１１６ｂを接触させ、基板Ｗに平行な中心軸周りに自転させながら基板Ｗの表面をスクラブ洗浄するロール洗浄装置が使用されてもよい（図９参照）。また、第２洗浄ユニット１１８として、洗浄液の存在下で、鉛直方向に延びる円柱状のペンシル洗浄部材１１８ａの下端接触面を接触させ、ペンシル洗浄部材１１８ａを自転させながら一方向に向けて移動させて、基板Ｗの表面をスクラブ洗浄するペンシル洗浄装置が使用されてもよい（図１０参照）。また、乾燥ユニット１２０として、水平に回転する基板Ｗに向けて、移動する噴射ノズルからＩＰＡ蒸気を噴出して基板Ｗを乾燥させ、さらに基板Ｗを高速で回転させて遠心力によって基板Ｗを乾燥させるスピン乾燥ユニットが使用されてもよい。

なお、第１洗浄ユニット１１６としてロール洗浄装置ではなく、第２洗浄ユニット１１８と同様のペンシル洗浄装置を使用したり、二流体ジェットにより基板Ｗの表面を洗浄する二流体ジェット洗浄装置を使用したりしてもよい。また、第２洗浄ユニット１１８としてペンシル洗浄装置ではなく、第１洗浄ユニット１１６と同様のロール洗浄装置を使用したり、二流体ジェットにより基板Ｗの表面を洗浄する二流体ジェット洗浄装置を使用したりしてもよい。本発明の実施の形態の基板洗浄装置は、第１洗浄ユニット１１６にも第２洗浄ユニット１１８にも適用でき、ロール洗浄装置、ペンシル洗浄装置、及び／又は、二流体ジェット洗浄装置とともに用いることもできる。一例としては、図９で示すように、本実施の形態による供給体３０（後述する）は、基板Ｗの第一表面（図９の上面）及び第二表面（図９の下面）を洗浄するロール洗浄部材１１６ａ，１１６ｂ及び洗浄液を供給するノズル１１７とともに用いられてもよい。また、別の例としては、図１０で示すように、本実施の形態による供給体３０は、基板Ｗの第一表面（図１０の上面）を洗浄するペンシル洗浄部材１１８ａ及び二流体ジェット洗浄部１１８ｂ並びに洗浄液を供給するノズル１１７とともに用いられてもよい。

本実施の形態の洗浄液には、純水（ＤＩＷ）等のリンス液と、アンモニア過酸化水素（ＳＣ１）、塩酸過酸化水素（ＳＣ２）、硫酸過酸化水素（ＳＰＭ）、硫酸加水、フッ酸等の薬液が含まれている。本実施の形態で特に断りのない限り、洗浄液は、リンス液又は薬液のいずれかを意味している。

図２及び図３に示すように、本発明の実施の形態による基板洗浄装置は、基板Ｗを支持（保持）するチャック等の基板支持部７０と、基板支持部７０によって支持された基板Ｗを回転させる回転部６０とを有している。そして、これら基板支持部７０及び回転部６０によって基板回転機構が構成されている。図２及び図３に示す態様では、基板支持部７０が２つだけ示されているが、上方から見たときに、本実施の形態では４つの基板支持部７０が均等に（回転中心を中心として９０°の角度で）配置されている。なお、基板支持部７０の数は、基板Ｗを安定的に支持できればよく、例えば３つとしてもよい。なお、基板Ｗを支持する基板支持部７０としては、スピンドル等も用いることができる。このようなスピンドルを用いた場合には、基板Ｗは回転されつつ支持されることになり、スピンドルが回転部としての機能も果たすことになる。なお、図２及び図３では、水平方向に基板Ｗを支持した例を示したが、これに限定されず、例えば、縦方向（鉛直方向）又は斜め方向に基板Ｗを支持する構成としてもよい。基板Ｗの回転方向や回転数は制御部５０に制御される。基板Ｗの回転数は一定でもよいし可変であってもよい。

図２及び図３に示すように、供給体３０は、供給管１５を介して供給部１０に連結されている。

図２に示すように、供給体３０は、揺動部４０によって保持されてもよい。揺動部４０は、基板Ｗの法線に直交する方向に延びた第一延在部４１と、第一延在部４１の基端側に連結され、基板Ｗの法線方向に延びた第二延在部４２（図６参照）と、を有してもよい。そして、第一延在部４１の先端部に供給体３０が連結されてもよい。なお、本実施の形態における「基板Ｗの法線方向に延びた」とは、「基板Ｗの法線方向の成分」を含んで延びていれば足り、「基板Ｗの法線方向」から傾斜していてもよい。また、揺動部４０は、例えばアクチュエータ（図示せず）によって基板Ｗの法線方向（図２の上下方向）に沿って移動可能となってもよい。

図３に示すように、供給体３０を基板Ｗの法線方向に直交する面内（図３の左右及び紙面の表裏方向）で例えばスライドすることで移動可能に保持する供給体保持部４５が設けられてもよい。供給管１５は可塑性を有していてもよく、供給体３０が移動する際に追従するようになってもよい。供給体保持部４５は、例えばアクチュエータ（図示せず）によって基板Ｗの法線方向（図３の上下方向）に沿って移動可能となってもよい。

洗浄液や超音波洗浄液が飛散するのを防止するために、基板支持部７０の外側にあって基板Ｗの周囲を覆い、基板Ｗと同期して回転する回転カップ（図示せず）を設けてもよい。

図２及び図３に示すように、基板洗浄装置は、洗浄液を供給する供給部１０と、供給部１０から供給された洗浄液を基板Ｗに供給する供給体３０と、供給体３０内に設けられ、供給部１０から供給される洗浄液に超音波振動を与える振動部２０と、を有している。

図４及び図５に示すように、供給体３０は、本体部３１と、基板Ｗへ洗浄液を吐出させるための流出口３４と、流出口３４へと洗浄液を案内する案内部３２と、供給部１０から供給された洗浄液を案内部３２内に流入させる流入口３３と、を有している。なお、本体部３１の内壁によって案内部３２が形成されている。本実施の形態では、案内部３２が、振動部２０に対応する振動対応位置を通過した後の洗浄液が流れ込む膨張部３５を有している。本実施の形態における「振動対応位置」とは、振動部２０と対向している位置であり、図４を用いて説明すると、振動部２０の下方に位置する領域である。本実施の形態における「膨張部３５」とは、案内部３２における他の部分よりも外方側に向かって膨張した部分であり、例えば、流出口３４又はその近辺における案内部３２の横断面積よりも大きな横断面積を有している部分のことを意味している。

図４及び図５に流入口３３と対向する反対側の面において外方側に向かって膨張した膨張部３５が設けられてもよい。また、図５に示すように、膨張部３５は流入口３３を含む面でも膨張していてもよく、流入口３３と対向する反対側の面及び流入口３３を含む面を含む周縁面全体が外方側に向かって膨張していてもよい。また、図４に示すように、流入口３３を含む面は膨張しておらず、流入口３３側の面が膨張していなくてもよい。なお、「流入口３３側の面」とは、平面図（図４の上方側から見た場合）において、案内部３２の中心よりも流入口３３側に位置する面のことを意味している。

前述した制御部５０は、基板Ｗに洗浄液を供給するのに先立ち、供給部１０から洗浄液を供給させるようになっていてもよい。また、この態様の代わりに又はこの態様を用いつつ、制御部５０は、基板Ｗに洗浄液を供給するのに先立ち、流出口３４を基板Ｗと反対側の方向に向けるように方向変更部５５（後述する）を制御してもよい（図６（ｄ）参照）。なお、「基板Ｗと反対側の方向」とは、基板Ｗと反対側に向かう成分を含んでいればよく、図６（ｄ）を用いて説明すると図６（ｄ）において上方側の成分を含んでいればよい。

本実施の形態では、供給体３０が主に一つだけ用いられる態様を用いて説明するが、これに限られることはなく、供給体３０は複数設けられてもよい。

振動部２０によって発生される超音波振動は洗浄液に案内部３２又は閉鎖部３６（図１９（ａ）参照）を介して又は直接付与されることになる。図４及び図５に示される態様では、振動部２０が案内部３２に当接して設けられ、振動部２０によって発生される超音波振動は案内部３２を介して洗浄液に付与されるようになっている。他方、図１９（ａ）に示される態様では、振動部２０が閉鎖部３６に当接して設けられ、振動部２０によって発生される超音波振動は閉鎖部３６を介して洗浄液に付与されるようになっている。

案内部３２の材料としては例えば石英、ステンレス、サファイア、PTFE、PEEK、炭素含有樹脂等を用いることができる。とりわけ、石英及びサファイアは、超音波振動をより減衰させにくい材料となっている。このため、このような石英又はサファイアを用いることで、洗浄液に加えられた超音波振動が減衰されることを防止することができる。また、閉鎖部３６は、Ｔａ、石英、PTFE、PEEK、炭素含有樹脂（C-PTFE、C-PEEK等）又はサファイアを含む材料から形成されてもよく、より具体的には、閉鎖部３６は、Ｔａ、石英、PTFE,PEEK、炭素含有樹脂（C-PTFE、C-PEEK等）又はサファイアから形成されてもよい。

特に、案内部３２が樹脂材料からなり、案内部３２内を流れる洗浄液の流量が多くなるような場合には、洗浄液と案内部３２との間の接触に起因して帯電を引き起こしてしまうことがある。そして、このような帯電が生じた案内部３２の先端を基板Ｗに接近させると、案内部３２における帯電の影響で、空間を経て基板Ｗの表面も帯電してしまうおそれがある。そこで、案内部３２の樹脂材料として、C-PTFE、C-PEEK等の炭素含有樹脂（導電性樹脂材料）を採用し、案内部３２を揺動部４０等を介してアースに接続することが有益である。このような態様を採用することで、洗浄液と案内部３２との間の接触に起因して帯電した電気を逃がすことができ、案内部３２の先端付近で帯電が起こりにくくすることができ、ひいては基板Ｗが帯電することをより確実に回避できるためである。

なお、閉鎖部３６が用いられる場合には、案内部３２のうち閉鎖部３６に対向する位置は開口しており、当該開口が閉鎖部３６で完全に覆われることになる。なお、閉鎖部３６と案内部３２を構成する壁面の外面（本体部３１）との間にはＯリング等のシール部材が設けられていてもよい。一例としては、開口よりも大きなＯリング等のシール部材が設けられ、このシール部材が閉鎖部３６と案内部３２を構成する壁面の外面（本体部３１）との間で挟持されてもよい。

図６（ａ）−（ｆ）に示すように、流出口３４の角度を変えることができる方向変更部５５が設けられてもよい。この方向変更部５５によって、供給体３０が基板Ｗに対して傾斜可能となって流出口３４の基板Ｗに対する角度を自在に変えることができてもよいし、流出口３４を基板Ｗと反対側の方向に向けることができるようになってもよい（図６（ｂ）−（ｄ）参照）。また、図６（ｅ）（ｆ）に示すように、基板Ｗの中心部側に流出口３４を向けることができるようになってもよいし、基板Ｗの周縁部側に流出口３４を向けることができるようになってもよい。

例えば基板Ｗ上に洗浄液を貯めたい場合には、基板Ｗの回転方向と逆側に向かって洗浄液を供給するような角度で供給体３０が基板Ｗに対して傾斜すればよい。他方、例えば抵抗を加えることなく基板Ｗ上に洗浄液を供給したい場合には、基板Ｗの回転方向に沿って洗浄液を供給するような角度で供給体３０が基板Ｗに対して傾斜すればよい。なお、供給体３０の基板Ｗに対する角度は、手動で変更されてもよいし、制御部５０からの信号を受けて自動で変更されてもよい。制御部５０からの信号を受けて自動で変更される場合には、供給体３０の保持される角度がレシピに従って順次変更されるようになってもよい。

図７に示すように、供給体３０が２つ以上設けられ、基板Ｗの表面及び裏面の両方に洗浄液を供給するようになっていてもよい。このように２つ以上の供給体３０を用いる場合には、図２に示すように揺動部４０が採用されてもよいし、図３に示すように供給体保持部４５が採用されてもよい。このことは他の態様でも同様であり、図４乃至図６及び図８乃至図１０のいずれにおいても、図２に示すように揺動部４０が採用されてもよいし、図３に示すように供給体保持部４５が採用されてもよい。なお、図４乃至図６では、揺動部４０を用いた態様を示しているが、これはあくまでも一例であり、図３に示すような供給体保持部４５を用いてもよい。

制御部５０は、供給体３０の移動速度を、供給体３０が基板Ｗの中心側領域を洗浄するときと比較して、供給体３０が基板Ｗの周縁側領域を洗浄するときに遅くなるに制御してもよい。なお、本実施の形態における「中心側領域」とは「周縁側領域」と比較して用いられており、「周縁側領域」と比較して基板Ｗの中心側に位置する領域のことを意味する。

また、制御部５０は、供給部１０から洗浄液が供給されてから第一時間経過後に振動部２０の振動を開始させてもよい。また、制御部５０は、供給部１０から洗浄液が供給されてから第一時間よりも長い第二時間経過後に流出口３４から基板Ｗに対して洗浄液の供給を開始させてもよい。この際、供給部１０から洗浄液が供給されてから第一時間経過後は継続して洗浄液が供給され、第一時間よりも長く第二時間よりも短い第三時間経過後に供給体３０が移動を開始し、供給部１０から洗浄液が供給されてから第二時間経過後に、基板Ｗの周縁部に洗浄液が供給されてもよい。この態様では、その後、基板Ｗの周縁部から中心部に向かって継続して洗浄液が供給され続けることになる。このような態様とは異なり、基板Ｗの周縁部から中心部の上方に流出口３４が移動する間は供給部１０からの洗浄液の供給が停止され、流出口３４が基板Ｗの中心部の上方に位置付けられた後で（第二時間経過後に）、流出口３４から洗浄液が再度吐出されて、基板Ｗの中心部に洗浄液が供給されてもよい。基板Ｗを洗浄している間、第二延在部２２が基板Ｗの中心部から周縁部に向かって移動してもよいし、逆に、第二延在部２２が基板Ｗの周縁部から中心部に向かって移動してもよいし、このような移動が繰り返し行われてもよい。

なお、洗浄液を基板Ｗに供給する場合に、当該洗浄液に対して超音波振動が必ずしも常に与えられる分けではない。基板Ｗの上面に洗浄液の膜を作るための工程等のように洗浄液に超音波振動が与えられない場合には、超音波振動を行うことなく、基板Ｗに洗浄液を供給するのに先立って流出口３４から洗浄液を吐出させることが行われてもよい。

基板洗浄装置は、図２及び図３に示すように、待機位置にある流出口３４から吐出された洗浄液を回収するための吐出液回収部７５をさらに有してもよい。この吐出液回収部７５は排液回収部（図示せず）に連結されており、回収された洗浄液は排液処理されてもよい。

図２及び図３における上下方向の両方向矢印で示すように、基板Ｗに洗浄液を供給する際に供給体３０が近接位置に位置付けられ、基板Ｗに洗浄液を供給しないときには供給体３０が離隔位置に位置付けられてもよい。なお、「離隔位置」は、「近接位置」と比較して基板Ｗから基板Ｗの法線方向において遠い位置のことを意味し、逆に、「近接位置」は「離隔位置」と比較して基板Ｗから基板Ｗの法線方向において近い位置のことを意味する。供給体３０は図示しないアクチュエータに連結されており、このアクチュエータによって近接位置及び離隔位置に位置付けられるようになってもよい。

なお、基板支持部７０が上下方向に移動可能となり、基板Ｗが供給体３０に対して「離隔位置」及び「近接位置」を取るようになってもよいし、供給体３０及び基板支持部７０の両方が上下方向に移動可能となり、基板Ｗと供給体３０の両方を適宜位置付けることで、「離隔位置」及び「近接位置」を取るようになってもよい。

特に、案内部３２が石英等の超音波振動を減衰させにくい材料からなる場合であって、基板Ｗに洗浄液を供給するのに先立ち供給体３０が近接位置に位置付けられる態様を採用した場合には、基板Ｗに洗浄液を供給する際に、基板Ｗに近い位置まで、超音波振動を減衰させにくい材料からなる案内部３２で案内して、洗浄液を基板Ｗに供給することができる。

また、基板Ｗに対して洗浄液を供給する工程が終了すると、供給体３０は離隔位置に位置付けられてもよい。このように供給体３０を離隔位置に位置付けることで、供給体３０、第一延在部４１又は供給管１５に予期せぬ形で洗浄液やその他の液体等が付着することを防止できる。

また、基板Ｗに対して洗浄液を供給する工程が終了すると、供給体３０は待機位置に位置付けられてもよい。そして、供給体３０はこの待機位置において離隔位置に位置付けられてもよい。待機位置とは、例えば基板Ｗの法線方向に供給体３０が位置しない位置を意味し、基板Ｗが水平方向に沿って延在するように配置されている態様では、基板Ｗの上下方向に供給体３０が位置していないことを意味する。待機位置の一例としては、前述した吐出液回収部７５に洗浄液を吐出できる位置を挙げることができる。

基板Ｗに洗浄液を供給するのに先立ち、供給部１０から洗浄液を供給して、待機位置にある流出口３４から例えば吐出液回収部７５に向かって洗浄液を吐出させる場合には、近接位置に位置付けられてもよい。このように近接位置に位置付けることで、吐出された洗浄液が不用意に飛び散ることを防止できる。

供給体３０は待機位置において離隔位置（上方位置）に位置付けられ、当該待機位置において近接位置（下方位置）に位置付けられてから、基板Ｗの上方で移動されてもよい。このように待機位置において離隔位置に位置付けられることで、供給体３０に予期せぬ形で洗浄液やその他の液体等が付着することをより確実に防止できる。また、待機位置において近接位置（下方位置）に位置付けられてから移動させることで、基板Ｗ上を供給体３０が移動する際に、基板Ｗに近い位置で洗浄液を供給することもでき、基板Ｗを効率よく洗浄することができる。

また、供給体３０は待機位置において離隔位置（上方位置）に位置付けられ、その状態で基板Ｗの上方を移動され、基板Ｗの中心に流出口３４が位置付けられた後で、供給体３０が近接位置（下方位置）に位置付けられてもよい。このような態様によれば、基板Ｗの上方を供給体３０が移動する際に、前工程の洗浄液やその他の液体等が供給体３０に付着することを防止することを期待できる。

《作用・効果》
次に、上述した構成からなる本実施の形態による作用・効果であって、未だ説明していないものを中心に説明する。

本実施の形態によれば、供給体３０が振動部２０に対応する振動対応位置を通過した後の洗浄液が流れ込む膨張部３５を有している。このため、供給部１０から供給された洗浄液の振動対応位置の通過を効率よく行うことができる。したがって、洗浄液が存在しない状態（いわゆる空焚きの状態）で振動部２０が振動する状態が発生することを効率よく未然に防止することができる。

図４及び図５に示すように、膨張部３５が、流入口３３と対向する反対側の面において外方側に向かって膨張している態様を採用した場合には、流入口３３から流入された洗浄液の振動対応位置の通過をスムーズに行うことができる。このため、洗浄液が存在しない状態で振動部２０が振動する状態が発生することをより効率よく未然に防止することができる。また、この態様を採用することで、流入口３３から流入された洗浄液の膨張部３５における対流を効率よく形成できる。このため、洗浄液が存在しない状態をさらに効率よく解消できる。

図４に示すように、流入口３３側の面が膨張していない態様を採用した場合には、流入口３３から流入された洗浄液の拡散を抑えつつ、洗浄液を案内部３２内に流し込むことができる。このため、流入口３３から流入された洗浄液の振動対応位置の通過をスムーズに行うことができる。この結果、洗浄液が存在しない状態で振動部２０が振動する状態が発生することをより効率よく未然に防止することができる。

図４及び図５に示すように、膨張部３５が、流出口３４に向かったテーパー形状３５ａを有していてもよい。このようなテーパー形状３５ａを採用することで、流入口３３から膨張部３５に流れ込んだ洗浄液を膨張部３５で効率よく対流させた後で、流出口３４に向かわせることができる。このため、洗浄液が存在しない空間をより効率よくなくすことができる。

基板Ｗに洗浄液を供給するのに先立ち、供給部１０から洗浄液を供給させ、例えば待機位置にある流出口３４から洗浄液を吐出させる態様を採用した場合には、酸素等が入ってしまい洗浄効果の低い洗浄液を排出し、窒素等が入った洗浄効果の高い洗浄液に超音波振動を与えて基板Ｗの洗浄に用いることができる。また、超音波が十分に与えられておらず洗浄効果の高くない洗浄液ではなく、超音波が十分に与えられて高い洗浄効果を有する洗浄液で基板Ｗを洗浄することができる。また、酸素等が入ってしまい超音波が十分に与えられていない洗浄液で基板Ｗを洗浄した場合には、不具合が発生してしまう可能性もあるが、この態様を採用することで、このような不具合の発生を未然に防止することができる。また、基板Ｗの洗浄開始時点から均一な洗浄力の洗浄液で基板Ｗを洗浄することができ、安定した基板洗浄を実現できる。

供給体３０の移動速度が、流出口３４が基板Ｗの中心側領域を洗浄するときと比較して、流出口３４が基板Ｗの周縁側領域を洗浄するときに遅くなる態様を採用した場合には、基板Ｗの外周側に対して内周側と比較して多くの洗浄液を供給することができる。基板Ｗの外周側において洗浄液で洗浄されるべき面積は、基板Ｗの内周側において洗浄液で洗浄されるべき面積と比較して大きくなっていることから、このような態様を採用することで基板Ｗの単位面積あたりに供給される洗浄液の量を均一なものに近づけることができる。

回転される基板Ｗの中心からの距離をｒとしたときに、当該距離ｒにおける円弧の長さは２πｒとなる。このため、この２πｒに基づいて、供給体３０の移動速度を算出し、当該移動速度に基づいて供給体３０を移動させてもよい。このような態様ではなく、単純に、基板Ｗの中心部から周縁部に向かって移動する間、連続的又は断続的に供給体３０の移動速度を遅くし、逆に、基板Ｗの周縁部から中心部に向かって移動する間、連続的又は断続的に供給体３０の移動速度を速くしてもよい。このような態様によれば、制御が複雑にならない点で有益である。

供給部１０から洗浄液が供給されてから第一時間経過後に振動部２０の振動を開始させる態様を採用した場合には、洗浄液を流し込んでから振動部２０を振動させるので、洗浄液が存在しない状態（いわゆる空焚きの状態）で振動部２０が振動して、振動部２０が破損してしまうことをより確実に防止できる。

一例として、第一時間は例えば０．１秒〜１秒程度である。第一時間に関しては、振動部２０と対向する部分に洗浄液が存在しない状態が防止できればよいので、そこまで長い時間をとる必要はない。

なお、案内部３２内にある洗浄液を吐出液回収部７５等に吐出する際には、振動部２０を振動させなくてもよい。ただ、案内部３２内にある洗浄液を吐出液回収部７５等に吐出する際に振動部２０を予め振動させておくことで、超音波振動が与えられた洗浄液で案内部３２内を予め洗浄することができる点で有益である。また、予め超音波振動を与えることで、案内部３２内の洗浄液に十分な超音波振動を予め与えることができ（十分なエネルギーを蓄えることができ）、基板Ｗに洗浄する際に、最初から十分に洗浄力の高い洗浄液を供給することができる。

また、供給部１０から洗浄液が供給されてから、第一時間よりも長い第二時間経過後に流出口３４から基板Ｗに対して洗浄液の供給を開始させる態様を採用した場合には、より確実に、高い洗浄効果を有する洗浄液で基板Ｗを洗浄することができる。なお、第二時間は、一例として、案内部３２内にある洗浄液が全て出る程度の時間である。この第二時間は、案内部３２内の体積と洗浄液が供給される供給速度から算出されてもよいし、実験的に導き出されてもよい。第二時間は例えば１秒〜５秒程度である。

待機位置にある流出口３４から吐出された洗浄液を回収するための吐出液回収部７５を設けた態様を採用した場合には、洗浄に用いられない吐出された洗浄液を確実に回収することができる。このため、流出口３４から吐出された洗浄液が跳ね返ってミストとなって、基板Ｗに悪影響を及ぼす可能性を未然に低減できる。

また、液体及び気体を混合した二流体によって基板Ｗの表面を洗浄する二流体ジェット洗浄装置に本実施の形態の基板洗浄装置が組み込まれた態様では（図１０参照）、例えば、二流体ジェット洗浄工程の前に、本実施の形態の供給体３０によって基板Ｗの洗浄を行ってもよい。このような態様によれば、超音波が与えられた洗浄液のキャビテーション効果によって、基板Ｗに付着した粒子を浮かせたうえで、二流体ジェット洗浄を行うことができる点で有益である。なお、キャビテーション効果とは、超音波により洗浄液に生じた気泡が破裂することにより生じた衝撃波を利用した洗浄効果である。

変形例
振動部２０は、第一周波数及び第一周波数よりも低い第二周波数で振動して、洗浄液に超音波振動を与える態様となってもよい。また、３つ以上の周波数で洗浄液に超音波振動を与える態様となってもよい。

本変形例によれば、異なる周波数で洗浄液に超音波振動を与えることができる。このため、用途に応じて、洗浄液による洗浄力を変えることができる。

一つの振動部２０が異なる周波数で振動してもよいが、図８に示すように、振動部２０が、第一周波数で振動する第一振動部２０ａと、第一周波数よりも低い第二周波数で振動する第二振動部２０ｂとを有してもよい。このような態様によれば、簡単な構成で異なる周波数の超音波振動を与えることができる点で有益である。

図８に示すように、第一振動部２０ａは、この第一振動部２０ａに信号を送る第一発信器２１ａと電気的に接続されてもよい。同様に、第二振動部２０ｂは、この第二振動部２０ｂに信号を送る第二発信器２１ｂと電気的に接続されてもよい。

図８に示す態様では、供給体３０が、筐体３０'によって保持された第一供給体３０ａ及び第二供給体３０ｂを有している。そして、第一供給体３０ａが第一発信器２１ａに接続された第一振動部２０ａを有し、第二供給体３０ｂが第二発信器２１ｂに接続された第二振動部２０ｂを有している。図８に示す態様では、筐体３０'が移動することで、第一供給体３０ａ及び第二供給体３０ｂが移動することになるが、第一供給体３０ａと第二供給体３０ｂとが別々に移動する態様であってもよい。洗浄液が基板Ｗに衝突すると超音波振動が減衰することから、異なる周波数の洗浄液を同時に使用しても、異なる周波数を提供することによる効果はあまり変わらない。このため、異なる周波数の洗浄液を同時に使用することもできる。

本実施の形態では、第一周波数が９００ｋＨｚ以上５ＭＨｚ以下となり、第二周波数が９００ｋＨｚ未満となってもよい。９００ｋＨｚ以上の周波数で振動させた場合には、振動幅が小さいので、比較的小さな不純物を除去することができ、またキャビテーションの効果が小さくなるので基板Ｗに加わる負荷を小さくすることができる。他方、９００ｋＨｚ未満の周波数で振動させた場合には、振動幅が大きいので、比較的大きな不純物を除去することができる。第一周波数と第二周波数との差が小さいと効果の差も小さい。このため、一例として、第一周波数と第二周波数との差が５００ｋＨｚ程であってもよく、例えば第一周波数として９５０ｋＨｚを用い、第二周波数として４３０ｋＨｚを用いることもできる。また、これに限られることはなく、例えば第一周波数として９５０ｋＨｚを用い、第二周波数として７５０ｋＨｚを用いることができる。

このような態様を採用した場合であって、本実施の形態の基板洗浄装置をペンシル洗浄装置とともに採用した場合には（図１０参照）、（１）第二周波数で洗浄液に超音波振動を与えて基板Ｗを洗浄し、（２）その後で、ペンシル洗浄部材１１８ａを用いて基板Ｗを洗浄し、（３）その後で、第一周波数で洗浄液に超音波振動を与えて基板Ｗを洗浄するようにしてもよい。このような態様によれば、まず、第二周波数で超音波振動を与えられた洗浄液で大きな不純物を除去し、その後でペンシル洗浄部材１１８ａによる洗浄を行い、仕上げとして第一周波数で超音波振動を与えられた洗浄液で小さな不純物を除去することができる。このため、ペンシル洗浄部材１１８ａにかかる負荷を従前と比べて低減することができ、ひいては、ペンシル洗浄部材１１８ａの寿命を長くすることができる。

また、別の態様として、（１）ペンシル洗浄部材１１８ａを用いて基板Ｗを洗浄し、（１）その後で、第二周波数で洗浄液に超音波振動を与えて基板Ｗを洗浄し、（３）その後で、第一周波数で洗浄液に超音波振動を与えて基板Ｗを洗浄するようにしてもよい。このような態様でも、上述したのと同様の理由から、ペンシル洗浄部材１１８ａにかかる負荷を従前と比べて低減することができ、ひいては、ペンシル洗浄部材１１８ａの寿命を長くすることができる。

第２の実施の形態
次に、図１１乃至図１８及び図１９（ｂ）を用いて、本発明の第２の実施の形態について説明する。

第２の実施の形態では、振動部２０に対応する振動対応位置を通過した後の洗浄液が流れ込む案内管３９が設けられている。図１３に示すように、案内管３９にバルブ等の開閉部３８が設けられてもよい。この開閉部３８は、制御部５０からの指令を受けて開閉するようになっていてもよい。一例としては、基板Ｗに洗浄液を供給するのに先立ち、供給部１０から洗浄液を供給させる前に開閉部３８が開状態となり、一定時間（例えば１秒〜数秒）が経過した後で開閉部３８が閉状態となってもよい。

案内管３９を通過した洗浄液は吐出液回収部７５（図２及び図３参照）で回収されてもよい。

揺動部４０を採用する場合には、案内管３９の少なくとも一部が第一延在部４１内で延在してもよい（図１５乃至図１８参照）。

第２の実施の形態において、その他の構成は、第１の実施の形態と略同一の態様となっている。このため、本実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。

本実施の形態のように案内管３９を採用した場合にも、第１の実施の形態と同様、供給部１０から供給された洗浄液の振動対応位置の通過を効率よく行うことができる。したがって、洗浄液が存在しない状態（いわゆる空焚きの状態）で振動部２０が振動する状態が発生することを効率よく未然に防止することができる。

案内管３９を通過した洗浄液が回収される吐出液回収部７５を採用する場合には、基板Ｗの洗浄に用いない洗浄液を確実に回収できる点で有益である。

図１５乃至図１８に示すように、案内管３９の少なくとも一部が第一延在部４１内で延在する態様を採用した場合には、第一延在部４１内の空間を効率よく利用しつつ、基板Ｗの洗浄に用いない洗浄液を第一延在部４１の基部側に案内できる点で有益である。

図１１乃至図１３に示すように、案内管３９は流入口３３に対向する位置に設けられてもよい。つまり、案内管３９が流入口３３と対向する位置に設けられてもよい。この態様を採用した場合には、流入口３３から案内部３２内に流入した洗浄液をスムーズに案内管３９へと導くことができる。

また、図１１乃至図１３に示すように、供給管１５及び案内管３９の上端が案内部３２の上端に合致するようにして設けられていてもよい。このような態様を採用することで、振動部２０に対応する振動対応位置において、供給管１５から流入された洗浄液を案内管３９へとスムーズに流し込むことができる。このため、さらに効率よく、洗浄液が存在しない状態（いわゆる空焚きの状態）で振動部２０が振動する状態が発生することを防止することができる。

図１１及び図１３に示すように、案内管３９は供給管１５が延在する方向と並行に延びてもよいが、図１２に示すように、屈曲する態様となってもよい。図１２では、基板Ｗと反対側（図１２の上方側）に向かって案内管３９が屈曲しているが。これに限られることはなく、基板Ｗ側に向かって案内管３９が屈曲してもよいし、基板Ｗの面方向と平行な方向に案内管３９が屈曲してもよい。なお、案内管３９が上方側に向かって屈曲する態様を採用した場合には、クリーンルーム内の空気等の外気が案内管３９に沿って上方側へと向かって移動するので、振動部２０に対応する振動対応位置に空気等の外気が溜まりにくくなる点で有益である。

また、図１４に示すように、案内管３９が終端部３９ａを有し、案内管３９内に流入した洗浄液が外方へと流出されないようになっていてもよい。なお、終端部３９ａを有する態様で案内管３９が上方側に向かって屈曲する態様を採用した場合には、終端部３９ａに空気等の外気が溜まることを期待でき、振動部２０に対応する振動対応位置に空気等の外気が溜まりにくくなる点で有益である。

図１３及び図１５に示すように、バルブ等の開閉部３８が設けられた態様を採用した場合には、基板Ｗに洗浄液を供給する際に開閉部３８を閉状態にすることで、供給部１０から供給された洗浄液の全て又はほぼ全てを基板Ｗに供給することができる点で有益である。また、基板Ｗに洗浄液を供給する前では、開閉部３８を開状態にすることで、案内管３９内に流入した洗浄液をスムーズに流すことができ、仮に振動対応位置に空気等の外気が存在してもスムーズに押し流すことができる点で有益である。

供給管１５及び案内管３９の配置態様は自在に変更することができ、図１６に示すように案内管３９が供給体１０内に埋設されていてもよいし、図１５及び図１７に示すように案内管３９の一部が供給体１０の外方に露出していてもよいし、図１８に示すように供給管１５及び案内管３９の一部が外方に露出していてもよい。

なお、図１９（ｂ）に示すように、閉鎖部３６が用いられてもよい。この閉鎖部３６を用いる場合には、第１の実施の形態で説明したのと同様、案内部３２のうち閉鎖部３６に対向する位置は開口しており、当該開口が閉鎖部３６で完全に覆われることになる。

上述した各実施の形態の記載、変形例及び図面の開示は、特許請求の範囲に記載された発明を説明するための一例に過ぎず、上述した実施の形態の記載又は図面の開示によって特許請求の範囲に記載された発明が限定されることはない。

上記では、基板Ｗの表面全体を洗浄する態様を用いて説明したが、これに限られることはなく、例えば、基板Ｗのべベル部を洗浄するベベル洗浄装置、めっき装置に搭載されるスピン乾燥（ＳＲＤ）装置等にも用いることもできる。

１０ 供給部
２０ 振動部
２０ａ 第一振動部
２０ｂ 第二振動部
３０ 供給体
３２ 案内部
３３ 流入口
３４ 流出口
３５ 膨張部
３９ 案内管
４１ 第一延在部
５０ 制御部
５５ 方向変更部
７５ 吐出液回収部
Ｗ 基板

Claims (16)

1. 洗浄液を供給する供給部と、
   前記供給部から供給された洗浄液を基板に供給する供給体と、
   前記供給体内に設けられ、前記供給部から供給される洗浄液に超音波振動を与える振動部と、
   を備え、
   前記供給体は、洗浄液が通過する際に洗浄液に超音波振動を与える前記振動部に対向する振動対応位置を通過した後の前記洗浄液が流れ込む膨張部を含む案内部を有し、
   前記洗浄液の存在下で基板表面をスクラブ洗浄する洗浄部材とともに前記供給体が洗浄液を基板に供給する際に、基板上の除去すべき不純物の大きさに対応させて、前記振動部が、第一周波数の超音波振動及び該第一周波数の超音波振動より小さい第二周波数の超音波振動を前記振動対応位置で前記洗浄液に選択的に与えるように構成されたことを特徴とする基板洗浄装置。
2. 前記供給体は、前記基板へ洗浄液を吐出させるための流出口と、前記流出口へと前記洗浄液を案内する案内部と、前記供給部から供給された洗浄液を前記案内部内に流入させる流入口と、を有し、
   前記膨張部は、少なくとも前記流入口と対向する反対側の面において膨張していることを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄装置。
3. 前記供給体は、前記基板へ洗浄液を吐出させるための流出口と、前記流出口へと前記洗浄液を案内する案内部と、前記供給部から供給された洗浄液を前記案内部内に流入させる流入口と、を有し、
   前記流入口側の面が膨張していないことを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載の基板洗浄装置。
4. 洗浄液を供給する供給部と、
   前記供給部から供給された洗浄液を基板に供給する供給体と、
   前記供給体内に設けられ、前記供給部から供給される洗浄液に超音波振動を与える振動部と、
   前記振動部に対応する振動対応位置を通過した後の洗浄液が流れ込む案内管と、
   を備え、
   前記洗浄液の存在下で基板表面をスクラブ洗浄する洗浄部材とともに前記供給体が洗浄液を基板に供給する際に、基板上の除去すべき不純物の大きさに対応させて、前記振動部が、第一周波数の超音波振動及び該第一周波数の超音波振動より小さい第二周波数の超音波振動を前記振動対応位置で前記洗浄液に選択的に与えるように構成されたことを特徴とする基板洗浄装置。
5. 前記案内管を通過した洗浄液が回収される吐出液回収部をさらに備えたことを特徴とする請求項４に記載の基板洗浄装置。
6. 洗浄液を供給する供給部と、
   前記供給部から供給された洗浄液を基板に供給する供給体と、
   前記供給体内に設けられ、前記供給部から供給される洗浄液に超音波振動を与える振動部と、
   前記振動部に対応する振動対応位置を通過した後の洗浄液が流れ込む案内管と、
   前記供給体を支持するとともに、基部側を中心に揺動可能となる第一延在部と、
   を備え、
   前記案内管の少なくとも一部は、前記第一延在部内で延在することを特徴とする基板洗浄装置。
7. 洗浄液を供給する供給部と、
   前記供給部から供給された洗浄液を基板に供給する供給体と、
   前記供給体内に設けられ、前記供給部から供給される洗浄液に超音波振動を与える振動部と、
   を備え、
   前記洗浄液の存在下で基板表面をスクラブ洗浄する洗浄部材とともに前記供給体が洗浄液を基板に供給する際に、基板上の除去すべき不純物の大きさに対応させて、前記振動部が、第一周波数の超音波振動及び該第一周波数の超音波振動より小さい第二周波数の超音波振動を振動対応位置で前記洗浄液に選択的に与えるように構成されたことを特徴とする基板洗浄装置。
8. 前記基板に前記洗浄液を供給するのに先立ち、前記供給部から前記洗浄液を供給させる制御部をさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の基板洗浄装置。
9. 前記供給部から前記洗浄液が供給されてから第一時間経過後に前記振動部の振動を開始させる制御部をさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の基板洗浄装置。
10. 前記供給体は、前記洗浄液を流出するための流出口を有し、
    前記流出口を前記基板と反対側の方向に向ける方向変更部をさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の基板洗浄装置。
11. 前記供給体は、前記基板へ洗浄液を吐出させるための流出口と、前記流出口へと前記洗浄液を案内する案内部と、前記供給部から供給された洗浄液を前記案内部内に流入させる流入口と、を有し、
    前記案内部は導電性樹脂材料からなるとともにアースに接続されていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の基板洗浄装置。
12. 前記振動部は、第１振動部と第２振動部を有していることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の基板洗浄装置。
13. 第一周波数の超音波洗浄液を用いて基板を洗浄し、その後、洗浄部材が基板をスクラブ洗浄し、その後、第一周波数より高い第二周波数の超音波洗浄液を用いて基板を洗浄するように装置を制御する制御部をさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の基板洗浄装置。
14. 洗浄液を供給する供給部と、
    前記供給部から供給された洗浄液を基板に供給する供給体と、
    前記供給体内に設けられ、前記供給部から供給される洗浄液に超音波振動を与える振動部と、
    を備え、
    前記供給体は、前記振動部に対応する振動対応位置を通過した後の前記洗浄液が流れ込む膨張部を有し、
    前記洗浄液の存在下で基板表面をスクラブ洗浄する洗浄部材とともに前記供給体が洗浄液を基板に供給する際に、前記振動部が、第一周波数の超音波振動及び該第一周波数の超音波振動と異なる第二周波数の超音波振動を前記洗浄液に与えるように構成され、
    前記第一周波数の超音波洗浄液を用いて基板を洗浄し、その後、前記洗浄部材が基板をスクラブ洗浄し、その後、第一周波数より高い前記第二周波数の超音波洗浄液を用いて基板を洗浄するように装置を制御する制御部をさらに備えたことを特徴とする基板洗浄装置。
15. 洗浄液を供給する供給部と、
    前記供給部から供給された洗浄液を基板に供給する供給体と、
    前記供給体内に設けられ、前記供給部から供給される洗浄液に超音波振動を与える振動部と、
    前記振動部に対応する振動対応位置を通過した後の洗浄液が流れ込む案内管と、
    を備え、
    前記洗浄液の存在下で基板表面をスクラブ洗浄する洗浄部材とともに前記供給体が洗浄液を基板に供給する際に、前記振動部が、第一周波数の超音波振動及び該第一周波数の超音波振動と異なる第二周波数の超音波振動を前記洗浄液に与えるように構成され、
    前記第一周波数の超音波洗浄液を用いて基板を洗浄し、その後、前記洗浄部材が基板をスクラブ洗浄し、その後、第一周波数より高い前記第二周波数の超音波洗浄液を用いて基板を洗浄するように装置を制御する制御部をさらに備えたことを特徴とする基板洗浄装置。
16. 洗浄液を供給する供給部と、
    前記供給部から供給された洗浄液を基板に供給する供給体と、
    前記供給体内に設けられ、前記供給部から供給される洗浄液に超音波振動を与える振動部と、
    を備え、
    前記洗浄液の存在下で基板表面をスクラブ洗浄する洗浄部材とともに前記供給体が洗浄液を基板に供給する際に、前記振動部が、第一周波数の超音波振動及び該第一周波数の超音波振動と異なる第二周波数の超音波振動を前記洗浄液に与えるように構成され、
    前記第一周波数の超音波洗浄液を用いて基板を洗浄し、その後、前記洗浄部材が基板をスクラブ洗浄し、その後、第一周波数より高い前記第二周波数の超音波洗浄液を用いて基板を洗浄するように装置を制御する制御部をさらに備えたことを特徴とする基板洗浄装置。

Images