JP2013004705A - 基板処理方法及び基板処理ユニット - Google Patents
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Abstract
【解決手段】流体ノズルから流体を回転中の基板表面に向けて噴出させながら、該流体ノズルを回転中の基板の中心部から外周部に向けて移動させて該表面を処理する基板処理方法において、流体ノズルを、基板の中心から変位点までは一定の初期移動速度で、変位点を通過した後は、流体ノズルが基板の中心から距離rに対応する位置を通過する時の移動速度V(r)が、べき指数をαとしたとき、
V(r)×rα=一定
を満たす移動速度V(r)で移動させる。
【選択図】図4
Description
V(r)×rα=一定
を満たす移動速度V(r)で移動させることを特徴とする基板処理方法である。
このように、流体を噴出させたまま、流体ノズルを基板の最外周部に対応する位置に一時停止させることで、汚れの程度が一般に大きい基板の最外周部の洗浄を更に強化することができる。
V(r)×rα=一定
を満たす移動速度V(r)で移動させ、前記制御部は、前記初期移動速度、前記流体ノズルが処理開始位置から処理終了位置まで移動するのに必要な処理許容時間の入力値により、前記べき指数α及び前記移動速度V(r)を求めることを特徴とする基板処理ユニットである。
図1は、本発明の実施形態に係る基板処理ユニットを備えた基板処理装置の全体構成を示す平面図である。図1に示すように、基板処理装置は、略矩形状のハウジング10と、多数の半導体ウェハ等の基板をストックする基板カセットが載置されるロードポート12を備えている。ロードポート12は、ハウジング10に隣接して配置されている。ロードポート12には、オープンカセット、SMIF(Standard Manufacturing Interface)ポッド、またはFOUP(Front Opening Unified Pod)を搭載することができる。SMIF、FOUPは、内部に基板カセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。
なお、洗浄部を、洗浄ユニット16,18を上下2段に配置した上下2段構造としてもよい。この場合、洗浄部は、上下2段の基板処理ユニットを有する。
V(r)×rα=一定
を満たす移動速度V(r)で流体ノズル46を移動させるようにしている。
16 第1洗浄ユニット
18 第2洗浄ユニット(基板処理ユニット)
20 乾燥ユニット
30 制御部
40 洗浄槽
42 支持軸
44 揺動アーム
46 流体ノズル
54 モータ
60 ペンシル型洗浄具
400 乾燥ユニット(基板処理ユニット)
460,461 流体ノズル
500 支持軸
502 揺動アーム
504 モータ
506 制御部
Claims (6)
- 流体ノズルから単一または複数の流体を回転中の基板表面に向けて噴出させながら、該流体ノズルを回転中の基板の中心部から外周部に向けて移動させて該表面を処理する基板処理方法において、
前記流体ノズルを、
基板の中心から変位点までは一定の初期移動速度で、
変位点を通過した後は、前記流体ノズルが基板の中心部から距離rに対応する位置を通過する時の移動速度V(r)が、べき指数をαとしたとき、
V(r)×rα=一定
を満たす移動速度V(r)で移動させることを特徴とする基板処理方法。 - 前記べき指数αは、0<α≦1であること特徴とする請求項1記載の基板処理方法。
- 前記べき指数αは、前記流体ノズルが処理開始位置から処理終了位置まで移動するのに必要な処理許容時間により決まられることを特徴とする請求項1記載の基板処理方法。
- 前記流体ノズルが基板の最外周部に対応する位置に達した時、該流体ノズルを一時停止させることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 単一または複数の流体を噴出する流体ノズルと、
前記流体ノズルを回転中の基板の中心部から外周部に向けて移動させて移動機構と、
前記起動機構を制御する制御部とを有し、
前記移動機構は、前記流体ノズルを、基板の中心から変位点までは一定の初期移動速度で、変位点を通過した後は、前記流体ノズルが基板の中心から距離rに対応する位置を通過する時の移動速度V(r)が、べき指数をαとしたとき、
V(r)×rα=一定
を満たす移動速度V(r)で移動させ、
前記制御部は、前記初期移動速度、前記流体ノズルが処理開始位置から処理終了位置まで移動するのに必要な処理許容時間の入力値により、前記べき指数α及び前記移動速度V(r)を求めることを特徴とする基板処理ユニット。 - 前記べき指数αは、0<α≦1であること特徴とする請求項5記載の基板処理ユニット。
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