CN115870279A - 一种晶圆清洗装置及使用方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种晶圆清洗装置及使用方法，所述晶圆清洗装置，包括：处理腔、位于处理腔外的第一气体源、第二气体源、输气管、远程等离子体源和激发电源；处理腔包括喷淋头和基座，喷淋头设置于处理腔内部上方；基座设置于处理腔内部下方，与喷淋头相对设置；激发电源与喷淋头或与基座连接；第一气体源通过远程等离子体源、输气管与处理腔内的喷淋头连接；第一气体源用于向远程等离子体源或处理腔供应第一气体；第二气体源直接通过输气管与处理腔内的喷淋头连接，第二气体源用于向处理腔供应第二气体。本发明集成了远程等离子体源和激发电源，通过选择远程等离子体源和激发电源的打开或关闭可以去除晶圆上的污染物，从而满足晶圆的不同清洗需求。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗装置及使用方法。
背景技术
在半导体工艺中，保持晶圆表面清洁是芯片制造的关键条件，对芯片的良品率具有极大的影响。为保证芯片的良品率，几乎在每道工序中均需要对晶圆进行清洗，以去除晶圆上的污染物。例如在沉积工序之前需要去除晶圆上的自然氧化物和碳等污染物；在蚀刻处理之前则需要去除晶圆上残留的浆料等污染物。尤其随着微芯片制造的发展，对晶圆的清洗要求也越来越高；然而传统的晶圆表面清洗工具(包括湿洗和干洗工具)却出现了难以满足晶圆的清洗要求的问题，例如无法对晶圆上具有高深宽比的孔和/或沟槽进行完全清洁等，因此有必要对晶圆上污染物的处理方式进行调整。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆清洗装置及使用方法，集成了远程等离子体源、激发电源和偏置电源，通过选择远程等离子体源、激发电源和偏置电源的打开或关闭可以去除晶圆表面、以及晶圆上具有高深宽比的孔和沟槽内对应的污染物，从而满足晶圆的不同清洗需求。
为了达到上述目的，本发明通过以下技术方案实现：
一种晶圆清洗装置，包括：
处理腔、位于所述处理腔外的第一气体源、第二气体源、输气管、远程等离子体源和激发电源；
所述处理腔包括喷淋头和基座，所述喷淋头设置于所述处理腔内部上方；所述基座设置于所述处理腔内部下方，与所述喷淋头相对设置；
所述激发电源与所述喷淋头或与所述基座连接；
所述第一气体源通过所述远程等离子体源、所述输气管与所述处理腔内的所述喷淋头连接；所述第一气体源用于向所述远程等离子体源或所述处理腔供应第一气体；
所述第二气体源直接通过所述输气管与所述处理腔内的所述喷淋头连接，所述第二气体源用于向所述处理腔供应第二气体。
优选地，所述远程等离子体源对所述第一气体进行放电处理，以产生自由基。
优选地，所述第二气体与所述第一气体形成第一混合物或所述第二气体与所述远程等离子体源产生的所述自由基形成第二混合物；
所述输气管通过所述喷淋头向所述基座上的晶圆传送所述第一气体、所述自由基、所述第一混合物和所述第二混合物中的任意一种。
优选地，所述第一气体为含F气体和惰性载气的混合气体或含H气体和惰性载气的混合气体；
所述第二气体为含H气体和惰性载气的混合气体。
优选地，所述激发电源为第一激发电源，且所述第一激发电源与所述喷淋头连接，用于对所述第一气体和/或所述第二气体进行电离，以产生第一原位等离子体。
优选地，所述晶圆清洗装置，还包括：第一隔离环；所述第一隔离环设置于所述喷淋头与所述处理腔的顶部之间，以使所述喷淋头与所述处理腔之间绝缘。
优选地，所述第一激发电源为射频电源或直流电源。
优选地，所述第一激发电源的功率是连续的或脉冲的。
优选地，所述激发电源为第二激发电源，且所述第二激发电源与所述基座连接，用于对所述第一气体和/或所述第二气体进行电离，以产生第二原位等离子体。
优选地，所述晶圆清洗装置，还包括：第二隔离环；所述第二隔离环设置于所述基座与所述处理腔的底部之间，以使所述基座与所述处理腔之间绝缘。
优选地，所述第二激发电源为射频电源。
优选地，所述晶圆清洗装置，还包括：偏置电源；所述偏置电源与所述基座连接，用于将所述第二原位等离子体引导至所述晶圆上。
优选地，所述偏置电源为直流电源。
另一方面，本发明还提供一种如上述的晶圆清洗装置的使用方法，包括：
判断处理腔内晶圆上污染物的位置；
选择打开第一气体源或同时打开第一气体源和第二气体源；
根据所述晶圆上污染物的位置选择远程等离子体源或激发电源至少一个的打开或关闭。
优选地，所述污染物位于所述晶圆表面和/或第一沟槽内，
选择所述远程等离子体源和所述激发电源皆关闭，以使所述第一气体或所述第一气体和所述第二气体形成的第一混合物对所述晶圆进行清洗；
或者，选择所述远程等离子体源打开且所述激发电源关闭，以使自由基或所述自由基和所述第二气体形成的第二混合物对所述晶圆进行清洗。
优选地，所述污染物位于所述晶圆的第二沟槽内，选择所述远程等离子体源关闭且第一激发电源打开，以使第一原位等离子体对所述晶圆进行清洗。
优选地，所述污染物位于所述晶圆的第二沟槽内，选择所述远程等离子体源关闭且第二激发电源打开，以使第二原位等离子体对所述晶圆进行清洗。
优选地，选择偏置电源打开，以将所述第二原位等离子体引导至所述晶圆表面和/或所述第二沟槽内。
优选地，所述第一沟槽的深宽比小于10:1；
所述第二沟槽的深宽比大于或等于10:1。
本发明与现有技术相比至少具有以下优点之一：
本发明提供的一种晶圆清洗装置及使用方法，集成了远程等离子体源、激发电源和偏置电源，其中激发电源与处理腔连接，第一气体源向远程等离子体源或处理腔供应第一气体，从而能够通过选择远程等离子体源和激发电源的打开或关闭去除晶圆上对应的污染物，进而满足晶圆的不同清洗需求。
本发明中远程等离子体源可以对第一气体进行放电处理并得到自由基，以去除位于晶圆表面和/或第一沟槽内的污染物。
本发明中第二气体源直接向处理腔供应第二气体，且第二气体可以与第一气体在输气管内反应形成第一混合物或第二气体与自由基反应形成第二混合物，反应得到的第一混合物和第二混合物则能够去除位于晶圆表面和/或第一沟槽内的污染物。
本发明中与处理腔内喷淋头连接的第一激发电源，可以对处理腔内的第一气体和/或第二气体进行电离并产生第一原位等离子体，以去除位于晶圆的第二沟槽内的污染物。
本发明中与处理腔内基座连接的第二激发电源，可以对处理腔内的第一气体和/或第二气体进行电离并产生第二原位等离子体，以去除位于晶圆的第二沟槽内的污染物。
本发明中通过偏置电源可以使离子鞘层增大，导致第二原位等离子体对第二沟槽的轰击能量增大，从而能够更有效地去除具有更高深宽比的第二沟槽内的污染物，进而提高晶圆清洗装置的清洁能力。
附图说明
图1是本发明实施例一提供的一种晶圆清洗装置中激发电源与喷淋头连接时的结构示意图；
图2是本发明实施例二提供的一种晶圆清洗装置中激发电源和偏置电源与基座连接时的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施方式对本发明提出的一种晶圆清洗装置及使用方法作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需要说明的是，附图采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施方式的目的。为了使本发明的目的、特征和优点能够更加明显易懂，请参阅附图。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容能涵盖的范围内。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
结合附图1～2所示，本实施例提供一种晶圆清洗装置，包括：处理腔110、位于所述处理腔110外的第一气体源120、第二气体源130、输气管150、远程等离子体源140和激发电源；所述处理腔110包括喷淋头1101和基座1102，所述喷淋头1101设置于所述处理腔110内部上方；所述基座1102设置于所述处理腔110内部下方，与所述喷淋头1101相对设置；所述激发电源与所述喷淋头1101或与所述基座1102连接；所述第一气体源120通过所述远程等离子体源140、所述输气管150与所述处理腔110内的所述喷淋头1101连接；所述第一气体源120用于向所述远程等离子体源140或所述处理腔110供应第一气体；所述第二气体源130直接通过所述输气管150与所述处理腔110内的所述喷淋头1101连接；所述第二气体源130用于向所述处理腔110供应第二气体。
请同时参考图1和图2，所述远程等离子体源140对所述第一气体进行放电处理，以产生自由基。
可以理解的是，在一些其他的实施例中，所述第二气体与所述第一气体形成第一混合物或所述第二气体与所述远程等离子体源140产生的所述自由基形成第二混合物；所述输气管150通过所述喷淋头1101向所述基座1102上的晶圆100传送所述第一气体、所述自由基、所述第一混合物和所述第二混合物中的任意一种。
具体的，在本实施例中，所述激发电源可以对传送至所述处理腔110内的气体进行电离，以产生原位等离子体；且所述原位等离子体、所述自由基、所述第一气体和所述第二气体皆可以去除所述晶圆100上的污染物或杂质，从而实现对所述晶圆100的清洗。更具体的，由于所述晶圆清洗装置集成了所述远程等离子体源140和所述激发电源，则通过选择所述远程等离子体源140和所述激发电源的打开或关闭，使得所述晶圆清洗装置可以具有多种工作模式，以满足所述晶圆100不同的清洗需求。所述多种工作模式可以包括：化学反应模式、远程等离子体模式和原位等离子体模式中的一种或其组合；其中，所述化学反应模式下，所述远程等离子体源140和所述激发电源皆关闭，可以直接由所述第一气体或所述第一气体与所述第二气体形成的所述第一混合物对所述晶圆100进行清洗；所述远程等离子体模式下，所述远程等离子体源140打开且所述激发电源关闭，可以由所述自由基或所述自由基与所述第二气体形成的所述第二混合物对所述晶圆100进行清洗；所述原位等离子体模式下，所述远程等离子体源140关闭且所述激发电源的打开，则可以由所述原位等离子体对所述晶圆100进行清洗，但本发明不以此为限。
具体的，在本实施例中，可以根据所述晶圆100上所述污染物的位置选择所述晶圆清洗装置的工作模式。更具体的，所述污染物位于所述晶圆表面和/或第一沟槽内，即所述污染物处于较容易清洗的位置时，可以选择所述化学反应模式或所述远程等离子体模式对所述晶圆100进行清洗；其中所述第一沟槽的深宽比小于10:1。所述污染物位于所述晶圆的第二沟槽内，即所述污染物处于难以清洗的位置时，可以选择所述原位等离子体模式对所述晶圆100进行清洗；其中所述第二沟槽的深宽比则大于或等于10:1，但本发明不以此为限。
具体的，在本实施例中，所述处理腔110的腔室压力可以为10毫托～10托。所述基座1102上可以设置加热装置，用于对所述基座1102上的所述晶圆100进行加热，以提高对所述晶圆的清洗效率。例如，所述化学反应模式下，通过对所述晶圆100进行加热，可以使所述第一气体或所述第一混合物与所述晶圆100上所述污染物的反应速率达到最佳状态，从而能够快速去除所述晶圆100上的所述污染物。此外，所述基座1102上还可以设置冷却装置，用于对所述晶圆100进行冷却，使得加热后的所述晶圆100可以快速降温。优选地，所述加热装置可以将所述晶圆加热至400℃，所述冷却装置可以将所述晶圆冷却至25℃，但本发明不以为限。
请同时参考图1和图2，所述第一气体为含F气体和惰性载气的混合气体或含H气体和惰性载气的混合气体；所述第二气体为含H气体和惰性载气的混合气体。
具体的，在本实施例中，所述第一气体为所述含H气体和所述惰性载气的混合气体时，所述第二气体源130可以不向所述处理腔110供应所述第二气体。所述第一气体为所述含F气体和所述惰性载气的混合气体时，所述第二气体源130则可以向所述处理腔110供应所述第二气体，且所述第二气体与所述第一气体形成的所述第一混合物或所述第二气体与所述自由基形成的所述第二混合物皆可以形成于所述输气管150内。更具体的，所述含F气体可以包括NF3、HF、CF4、C2F6、C4F6、C4F8、COF2、SF6、WF6、SiF4和OF2等；所述惰性载气可以包括Ar、He、Ne、N2、Kr和Xe等；所述含H气体包括H2、NH3、H2O和H2N4等，但本发明不以此为限。
具体的，在本实施例中，所述第一气体的成分可以根据所述污染物的成分和/或所述晶圆清洗装置的工作模式进行确定。例如，所述污染物的成分为碳时，所述晶圆清洗装置的工作模式可以为所述远程等离子体模式，所述第一气体则可以为H2和Ar的混合气体，且此时无需所述第二气体。所述污染物的成分为SiO2时，若所述晶圆清洗装置的工作模式为所述化学反应模式，则所述第一气体可以为HF和Ar的混合气体，所述第二气体可以为NH3和Ar的混合气体；所述污染物的成分同样为SiO2时，若所述晶圆清洗装置的工作模式为所述远程等离子体模式，则所述第一气体可以为NF3和Ar的混合气体，所述第二气体可以为NH3和Ar的混合气体，但本发明不以此为限。
请继续参考图1，在实施例一中，所述激发电源为第一激发电源161，且所述第一激发电源161与所述喷淋头1101连接，用于对所述第一气体和/或所述第二气体进行电离，以产生第一原位等离子体。
可以理解的是，在一些其他的实施例中，所述晶圆清洗装置，还包括：第一隔离环171；所述第一隔离环171设置于所述喷淋头1101与所述处理腔110的顶部之间，以使所述喷淋头1101与所述处理腔110之间绝缘。
在一些实施例中，所述第一激发电源161为射频电源或直流电源。
具体的，所述激发电源为所述第一激发电源161时，所述晶圆清洗装置的工作模式可以为第一原位等离子体模式，且在所述第一原位等离子体模式下由所述第一原位等离子体对所述晶圆100进行清洗。其中，所述第一激发电源161的功率既可以连续的，也可以是脉冲的，当所述第一激发电源161的功率是脉冲的，由于能量低，可以降低对于所述晶圆100上特征、沟槽等结构的损伤，且所述第一激发电源161的功率为脉冲功率时，所述第一激发电源161的占空比可以为5％～90％；此外，所述第一激发电源161的功率是可控的，可以为10～2000W，电子的能量可以为5～15eV。优选地，所述第一激发电源161的功率为脉冲功率，以在去除所述晶圆100上所述污染物的过程中降低或消除对所述晶圆100的损伤，但本发明不以此为限。
在本实施例中，所述第一激发电源161为射频电源时，所述射频电源可以为射频ICP源或射频CCP源，频率可以为20KHz～60MHz。由于所述射频电源的能量大于所述直流电源的能量，使得由所述射频电源产生的所述第一原位等离子体的密度大于由所述直流电源产生的所述第一原位等离子体的密度，可以更好地去除所述晶圆100上的所述污染物。
请参考图2，在实施例二中，所述激发电源为第二激发电源162，且所述第二激发电源162与所述基座1102连接，用于对所述第一气体和/或所述第二气体进行电离，以产生第二原位等离子体。
可以理解的是，在一些其他的实施例中，所述晶圆清洗装置，还包括：第二隔离环172；所述第二隔离环172设置于所述基座1102与所述处理腔110的底部之间，以使所述基座1102与所述处理腔110之间绝缘。
在一些实施例中，所述第二激发电源162为射频电源。
具体的，在本实施例中，所述激发电源为所述第二激发电源162时，所述晶圆清洗装置的工作模式可以为第二原位等离子体模式，且在所述第二原位等离子体模式下由所述第二原位等离子体对所述晶圆100进行清洗。其中，所述第二激发电源162的功率既可以连续的，也可以是脉冲的，当所述第二激发电源162的功率是脉冲的，由于能量低，可以降低对于所述晶圆100上特征、沟槽等结构的损伤，且所述第二激发电源162的功率为脉冲功率时，所述第二激发电源162的占空比可以为5％～90％；此外，所述第二激发电源162的功率是可控的，可以为10～2000W，电子的能量可以为5～15eV。更具体的，所述第二激发电源162可以为射频ICP源或射频CCP源，频率可以为20KHz～60MHz。优选地，所述第二激发电源162的功率为脉冲功率，以在去除所述晶圆100上所述污染物的过程中降低或消除对所述晶圆100的损伤，但本发明不以此为限。
请继续参考图2，所述晶圆清洗装置，还包括：偏置电源180；所述偏置电源180与所述基座1102连接，用于增加离子鞘层厚度，使得所述第二原位等离子体的轰击强度增大。
可以理解的是，在一些其他的实施例中，所述偏置电源180为直流电源。
具体的，在本实施例中，所述偏置电源180的设置使得所述晶圆清洗装置的工作模式可以为第二原位等离子体+偏置模式，且在所述第二原位等离子体+偏置模式下同样由所述第二原位等离子体对所述晶圆100进行清洗。其中，通过所述偏置电源180可以将所述第二原位等离子体引导至所述晶圆100表面和/或所述第二沟槽内，从而能够更有效地去除所述晶圆100第二沟槽内的所述污染物，进而提高所述晶圆清洗装置的清洁能力，但本发明不以此为限。
具体的，在本实施例中，所述偏置电源180的功率既可以连续的，也可以是脉冲的；且所述偏置电源180的功率为脉冲功率时，所述偏置电源180的占空比可以为5％～90％。优选地，所述偏置电源180的功率为脉冲功率，以在引导所述第二原位等离子体过程中降低或消除对所述晶圆100的损伤，但本发明不以此为限。
另一方面，本实施例还提供一种如上述的晶圆清洗装置的使用方法，包括：步骤S1、基于当前制程判断处理腔110内晶圆100上污染物的位置，所述位置可以是晶圆100的表面，第一沟槽内部和/或第二沟槽内部；步骤S2、选择打开第一气体源120或同时打开第一气体源120和第二气体源130；步骤S3、根据所述晶圆100上污染物的位置选择远程等离子体源140或激发电源至少一个的打开或关闭。
具体的，在本实施例中，执行所述步骤S2之前还包括将所述晶圆100放入所述处理腔110的所述基座1102上，但本发明不以此为限。
可以理解的是，在一些其他的实施例中，所述污染物位于所述晶圆100表面和/或第一沟槽内，选择所述远程等离子体源140和所述激发电源皆关闭，以使所述第一气体或所述第一气体和所述第二气体形成的第一混合物对所述晶圆100进行清洗，且此时所述晶圆清洗装置的工作模式为所述化学反应模式；或者，选择所述远程等离子体源140打开且所述激发电源关闭，以使自由基或所述自由基和所述第二气体形成的第二混合物对所述晶圆100进行清洗，且此时所述晶圆清洗装置的工作模式为所述远程等离子体模式。
在一些实施例中，所述污染物位于所述晶圆100的第二沟槽内，选择所述远程等离子体源140关闭且第一激发电源161打开，以使第一原位等离子体对所述晶圆进行清洗，且此时所述晶圆清洗装置的工作模式为所述第一原位等离子体模式。
在一些其他的实施例中，所述污染物位于所述晶圆100的第二沟槽内，选择所述远程等离子体源140关闭且第二激发电源162打开，以使第二原位等离子体对所述晶圆100进行清洗，且此时所述晶圆清洗装置的工作模式为所述第二原位等离子体模式。
在一些实施例中，选择偏置电源180打开，以将所述第二原位等离子体引导至所述晶圆100表面和/或所述第二沟槽内，且此时所述晶圆清洗装置的工作模式为所述第二原位等离子体+偏置模式。
在一些实施例中，所述第一沟槽的深宽比小于10:1；所述第二沟槽的深宽比大于或等于10:1。
综上所述，本实施例提供的一种晶圆清洗装置及使用方法，晶圆清洗装置集成了远程等离子体源和激发电源，其中激发电源与处理腔连接，第一气体源可以向远程等离子体源或处理腔供应第一气体，从而能够通过选择远程等离子体源和激发电源的打开或关闭去除晶圆上对应的污染物，进而满足晶圆的不同清洗需求。本实施例中，远程等离子体源可以对第一气体进行放电处理并得到自由基，以去除位于晶圆表面和/或第一沟槽内的污染物；激发电源可以对处理腔内的气体进行电离并产生原位等离子体，以去除位于晶圆的第二沟槽内的污染物。此外本实施例中，第二气体源可以向处理腔供应第二气体，且第二气体可以与第一气体形成第一混合物或第二气体与自由基形成第二混合物，第一混合物和第二混合物则能够去除位于晶圆表面和/或第一沟槽内的污染物。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。
Claims (19)
1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括：
处理腔(110)、位于所述处理腔(110)外的第一气体源(120)、第二气体源(130)、输气管(150)、远程等离子体源(140)和激发电源；
所述处理腔(110)包括喷淋头(1101)和基座(1102)，所述喷淋头(1101)设置于所述处理腔(110)内部上方；所述基座(1102)设置于所述处理腔(110)内部下方，与所述喷淋头(1101)相对设置；
所述激发电源与所述喷淋头(1101)或与所述基座(1102)连接；
所述第一气体源(120)通过所述远程等离子体源(140)、所述输气管(150)与所述处理腔(110)内的所述喷淋头(1101)连接；所述第一气体源(120)用于向所述远程等离子体源(140)或所述处理腔(110)供应第一气体；
所述第二气体源(130)直接通过所述输气管(150)与所述处理腔(110)内的所述喷淋头(1101)连接；所述第二气体源(130)用于向所述处理腔(110)供应第二气体。
2.如权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述远程等离子体源(140)对所述第一气体进行放电处理，以产生自由基。
3.如权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，
所述第二气体与所述第一气体形成第一混合物或所述第二气体与所述远程等离子体源(140)产生的所述自由基形成第二混合物；
所述输气管(150)通过所述喷淋头(1101)向所述基座(1102)上的晶圆(100)传送所述第一气体、所述自由基、所述第一混合物和所述第二混合物中的任意一种。
4.如权利要求3所述的晶圆清洗装置，其特征在于，
所述第一气体为含F气体和惰性载气的混合气体或含H气体和惰性载气的混合气体；
所述第二气体为含H气体和惰性载气的混合气体。
5.如权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，
所述激发电源为第一激发电源(161)，且所述第一激发电源(161)与所述喷淋头(1101)连接，用于对所述第一气体和/或所述第二气体进行电离，以产生第一原位等离子体。
6.如权利要求5所述的晶圆清洗装置，其特征在于，还包括：第一隔离环(171)；所述第一隔离环(171)设置于所述喷淋头(1101)与所述处理腔(110)的顶部之间，以使所述喷淋头(1101)与所述处理腔(110)之间绝缘。
7.如权利要求5所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一激发电源(161)为射频电源或直流电源。
8.如权利要求7所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一激发电源(161)的功率是连续的或脉冲的。
9.如权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，
所述激发电源为第二激发电源(162)，且所述第二激发电源(162)与所述基座(1102)连接，用于对所述第一气体和/或所述第二气体进行电离，以产生第二原位等离子体。
10.如权利要求9所述的晶圆清洗装置，其特征在于，还包括：第二隔离环(172)；所述第二隔离环(172)设置于所述基座(1102)与所述处理腔(110)的底部之间，以使所述基座(1102)与所述处理腔(110)之间绝缘。
11.如权利要求9所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第二激发电源(162)为射频电源。
12.如权利要求9所述的晶圆清洗装置，其特征在于，还包括：偏置电源(180)；所述偏置电源(180)与所述基座(1102)连接，用于将所述第二原位等离子体引导至所述晶圆(100)上。
13.如权利要求12所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述偏置电源(180)为直流电源。
14.一种如权利要求1～13中任意一项所述的晶圆清洗装置的使用方法，其特征在于，包括：
判断处理腔内晶圆上污染物的位置；
选择打开第一气体源或同时打开第一气体源和第二气体源；
根据所述晶圆上污染物的位置选择远程等离子体源或激发电源至少一个的打开或关闭。
15.如权利要求14所述的晶圆清洗装置的使用方法，其特征在于，所述污染物位于所述晶圆表面和/或第一沟槽内，
选择所述远程等离子体源和所述激发电源皆关闭，以使所述第一气体或所述第一气体和所述第二气体形成的第一混合物对所述晶圆进行清洗；
或者，选择所述远程等离子体源打开且所述激发电源关闭，以使自由基或所述自由基和所述第二气体形成的第二混合物对所述晶圆进行清洗。
16.如权利要求15所述的晶圆清洗装置的使用方法，其特征在于，所述污染物位于所述晶圆的第二沟槽内，
选择所述远程等离子体源关闭且第一激发电源打开，以使第一原位等离子体对所述晶圆进行清洗。
17.如权利要求15所述的晶圆清洗装置的使用方法，其特征在于，所述污染物位于所述晶圆的第二沟槽内，
选择所述远程等离子体源关闭且第二激发电源打开，以使第二原位等离子体对所述晶圆进行清洗。
18.如权利要求17所述的晶圆清洗装置的使用方法，其特征在于，选择偏置电源打开，以将所述第二原位等离子体引导至所述晶圆表面和/或所述第二沟槽内。
19.如权利要求16或17所述的晶圆清洗装置的使用方法，其特征在于，
所述第一沟槽的深宽比小于10:1；
所述第二沟槽的深宽比大于或等于10:1。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111141067.3A CN115870279A (zh) | 2021-09-28 | 2021-09-28 | 一种晶圆清洗装置及使用方法 |
| TW111127081A TWI822194B (zh) | 2021-09-28 | 2022-07-19 | 一種晶圓清洗裝置及使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202111141067.3A CN115870279A (zh) | 2021-09-28 | 2021-09-28 | 一种晶圆清洗装置及使用方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115870279A true CN115870279A (zh) | 2023-03-31 |
Family
ID=85763284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202111141067.3A Pending CN115870279A (zh) | 2021-09-28 | 2021-09-28 | 一种晶圆清洗装置及使用方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115870279A (zh) |
| TW (1) | TWI822194B (zh) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108780746B (zh) * | 2016-03-08 | 2024-03-22 | 株式会社荏原制作所 | 基板清洗装置、基板清洗方法、基板处理装置以及基板干燥装置 |
| KR102636428B1 (ko) * | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
-
2021
- 2021-09-28 CN CN202111141067.3A patent/CN115870279A/zh active Pending
-
2022
- 2022-07-19 TW TW111127081A patent/TWI822194B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202313218A (zh) | 2023-04-01 |
| TWI822194B (zh) | 2023-11-11 |
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