TW202313218A

TW202313218A - 一種晶圓清洗裝置及使用方法

Info

Publication number: TW202313218A
Application number: TW111127081A
Authority: TW
Inventors: 海叢; 志堯尹; 閆韜; 陳恩毅
Original assignee: 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司
Priority date: 2021-09-28
Filing date: 2022-07-19
Publication date: 2023-04-01
Also published as: CN115870279A; TWI822194B

Abstract

本發明公開一種晶圓清洗裝置及使用方法，所述晶圓清洗裝置，包括：處理腔、位於處理腔外的第一氣體源、第二氣體源、輸氣管、遠程等離子體源和激發電源；處理腔包括噴淋頭和基座，噴淋頭設置於處理腔內部上方；基座設置於處理腔內部下方，與噴淋頭相對設置；激發電源與噴淋頭或與基座連接；第一氣體源通過遠程等離子體源、輸氣管與處理腔內的噴淋頭連接；第一氣體源用於向遠程等離子體源或處理腔供應第一氣體；第二氣體源直接通過輸氣管與處理腔內的噴淋頭連接，第二氣體源用於向處理腔供應第二氣體。本發明集成了遠程等離子體源和激發電源，通過選擇遠程等離子體源和激發電源的打開或關閉可以去除晶圓上的污染物，從而滿足晶圓的不同清洗需求。

Description

一種晶圓清洗裝置及使用方法

本發明涉及半導體製造技術領域，尤其涉及一種晶圓清洗裝置及使用方法。

在半導體製程中，保持晶圓表面清潔是晶片製造的關鍵條件，對晶片的良品率具有極大的影響。為保證晶片的良品率，幾乎在每道工序中均需要對晶圓進行清洗，以去除晶圓上的污染物。例如在沉積工序之前需要去除晶圓上的自然氧化物和碳等污染物；在蝕刻處理之前則需要去除晶圓上殘留的漿料等污染物。尤其隨著微晶片製造的發展，對晶圓的清洗要求也越來越高；然而傳統的晶圓表面清洗工具（包括濕洗和乾洗工具）卻出現了難以滿足晶圓的清洗要求的問題，例如無法對晶圓上具有高深寬比的孔和/或溝槽進行完全清潔等，因此有必要對晶圓上污染物的處理方式進行調整。

本發明的目的在於提供一種晶圓清洗裝置及使用方法，集成了遠程等離子體源、激發電源和偏置電源，通過選擇遠程等離子體源、激發電源和偏置電源的打開或關閉可以去除晶圓表面、以及晶圓上具有高深寬比的孔和溝槽內對應的污染物，從而滿足晶圓的不同清洗需求。

為了達到上述目的，本發明通過以下技術方案實現：

一種晶圓清洗裝置，包括：

處理腔、位於所述處理腔外的第一氣體源、第二氣體源、輸氣管、遠程等離子體源和激發電源；

所述處理腔包括噴淋頭和基座，所述噴淋頭設置於所述處理腔內部上方；所述基座設置於所述處理腔內部下方，與所述噴淋頭相對設置；

所述激發電源與所述噴淋頭或與所述基座連接；

所述第一氣體源通過所述遠程等離子體源、所述輸氣管與所述處理腔內的所述噴淋頭連接；所述第一氣體源用於向所述遠程等離子體源或所述處理腔供應第一氣體；

所述第二氣體源直接通過所述輸氣管與所述處理腔內的所述噴淋頭連接，所述第二氣體源用於向所述處理腔供應第二氣體。

優選地，所述遠程等離子體源對所述第一氣體進行放電處理，以產生自由基。

優選地，所述第二氣體與所述第一氣體形成第一混合物或所述第二氣體與所述遠程等離子體源產生的所述自由基形成第二混合物；

所述輸氣管通過所述噴淋頭向所述基座上的晶圓傳送所述第一氣體、所述自由基、所述第一混合物和所述第二混合物中的任意一種。

優選地，所述第一氣體為含F氣體和惰性載氣的混合氣體或含H氣體和惰性載氣的混合氣體；

所述第二氣體為含H氣體和惰性載氣的混合氣體。

優選地，所述激發電源為第一激發電源，且所述第一激發電源與所述噴淋頭連接，用於對所述第一氣體和/或所述第二氣體進行電離，以產生第一原位等離子體。

優選地，所述晶圓清洗裝置，還包括：第一隔離環；所述第一隔離環設置於所述噴淋頭與所述處理腔的頂部之間，以使所述噴淋頭與所述處理腔之間絕緣。

優選地，所述第一激發電源為射頻電源或直流電源。

優選地，所述第一激發電源的功率是連續的或脈衝的。

優選地，所述激發電源為第二激發電源，且所述第二激發電源與所述基座連接，用於對所述第一氣體和/或所述第二氣體進行電離，以產生第二原位等離子體。

優選地，所述晶圓清洗裝置，還包括：第二隔離環；所述第二隔離環設置於所述基座與所述處理腔的底部之間，以使所述基座與所述處理腔之間絕緣。

優選地，所述第二激發電源為射頻電源。

優選地，所述晶圓清洗裝置，還包括：偏置電源；所述偏置電源與所述基座連接，用於將所述第二原位等離子體引導至所述晶圓上。

優選地，所述偏置電源為直流電源。

另一方面，本發明還提供一種如上述的晶圓清洗裝置的使用方法，包括：

判斷處理腔內晶圓上污染物的位置；

選擇打開第一氣體源或同時打開第一氣體源和第二氣體源；

根據所述晶圓上污染物的位置選擇遠程等離子體源或激發電源至少一個的打開或關閉。

優選地，所述污染物位於所述晶圓表面和/或第一溝槽內，

選擇所述遠程等離子體源和所述激發電源皆關閉，以使所述第一氣體或所述第一氣體和所述第二氣體形成的第一混合物對所述晶圓進行清洗；

或者，選擇所述遠程等離子體源打開且所述激發電源關閉，以使自由基或所述自由基和所述第二氣體形成的第二混合物對所述晶圓進行清洗。

優選地，所述污染物位於所述晶圓的第二溝槽內，選擇所述遠程等離子體源關閉且第一激發電源打開，以使第一原位等離子體對所述晶圓進行清洗。

優選地，所述污染物位於所述晶圓的第二溝槽內，選擇所述遠程等離子體源關閉且第二激發電源打開，以使第二原位等離子體對所述晶圓進行清洗。

優選地，選擇偏置電源打開，以將所述第二原位等離子體引導至所述晶圓表面和/或所述第二溝槽內。

優選地，所述第一溝槽的深寬比小於10:1；

所述第二溝槽的深寬比大於或等於10:1。

本發明與現有技術相比至少具有以下優點之一：

本發明提供的一種晶圓清洗裝置及使用方法，集成了遠程等離子體源、激發電源和偏置電源，其中激發電源與處理腔連接，第一氣體源向遠程等離子體源或處理腔供應第一氣體，從而能夠通過選擇遠程等離子體源和激發電源的打開或關閉去除晶圓上對應的污染物，進而滿足晶圓的不同清洗需求。

本發明中遠程等離子體源可以對第一氣體進行放電處理並得到自由基，以去除位於晶圓表面和/或第一溝槽內的污染物。

本發明中第二氣體源直接向處理腔供應第二氣體，且第二氣體可以與第一氣體在輸氣管內反應形成第一混合物或第二氣體與自由基反應形成第二混合物，反應得到的第一混合物和第二混合物則能夠去除位於晶圓表面和/或第一溝槽內的污染物。

本發明中與處理腔內噴淋頭連接的第一激發電源，可以對處理腔內的第一氣體和/或第二氣體進行電離並產生第一原位等離子體，以去除位於晶圓的第二溝槽內的污染物。

本發明中與處理腔內基座連接的第二激發電源，可以對處理腔內的第一氣體和/或第二氣體進行電離並產生第二原位等離子體，以去除位於晶圓的第二溝槽內的污染物。

本發明中通過偏置電源可以使離子鞘層增大，導致第二原位等離子體對第二溝槽的轟擊能量增大，從而能夠更有效地去除具有更高深寬比的第二溝槽內的污染物，進而提高晶圓清洗裝置的清潔能力。

以下結合附圖和具體實施方式對本發明提出的一種晶圓清洗裝置及使用方法作進一步詳細說明。根據下面說明，本發明的優點和特徵將更清楚。需要說明的是，附圖採用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施方式的目的。為了使本發明的目的、特徵和優點能夠更加明顯易懂，請參閱附圖。須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內容，以供熟悉此技術的人士瞭解與閱讀，並非用以限定本發明實施的限定條件，故不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關係的改變或大小的調整，在不影響本發明所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本發明所揭示的技術內容能涵蓋的範圍內。

需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關係術語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關係或者順序。而且，術語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，並不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設備中還存在另外的相同要素。

結合附圖1~2所示，本實施例提供一種晶圓清洗裝置，包括：處理腔110、位於所述處理腔110外的第一氣體源120、第二氣體源130、輸氣管150、遠程等離子體源140和激發電源；所述處理腔110包括噴淋頭1101和基座1102，所述噴淋頭1101設置於所述處理腔110內部上方；所述基座1102設置於所述處理腔110內部下方，與所述噴淋頭1101相對設置；所述激發電源與所述噴淋頭1101或與所述基座1102連接；所述第一氣體源120通過所述遠程等離子體源140、所述輸氣管150與所述處理腔110內的所述噴淋頭1101連接；所述第一氣體源120用於向所述遠程等離子體源140或所述處理腔110供應第一氣體；所述第二氣體源130直接通過所述輸氣管150與所述處理腔110內的所述噴淋頭1101連接；所述第二氣體源130用於向所述處理腔110供應第二氣體。

請同時參考圖1和圖2，所述遠程等離子體源140對所述第一氣體進行放電處理，以產生自由基。

可以理解的是，在一些其他的實施例中，所述第二氣體與所述第一氣體形成第一混合物或所述第二氣體與所述遠程等離子體源140產生的所述自由基形成第二混合物；所述輸氣管150通過所述噴淋頭1101向所述基座1102上的晶圓100傳送所述第一氣體、所述自由基、所述第一混合物和所述第二混合物中的任意一種。

具體的，在本實施例中，所述激發電源可以對傳送至所述處理腔110內的氣體進行電離，以產生原位等離子體；且所述原位等離子體、所述自由基、所述第一氣體和所述第二氣體皆可以去除所述晶圓100上的污染物或雜質，從而實現對所述晶圓100的清洗。更具體的，由於所述晶圓清洗裝置集成了所述遠程等離子體源140和所述激發電源，則通過選擇所述遠程等離子體源140和所述激發電源的打開或關閉，使得所述晶圓清洗裝置可以具有多種工作模式，以滿足所述晶圓100不同的清洗需求。所述多種工作模式可以包括：化學反應模式、遠程等離子體模式和原位等離子體模式中的一種或其組合；其中，所述化學反應模式下，所述遠程等離子體源140和所述激發電源皆關閉，可以直接由所述第一氣體或所述第一氣體與所述第二氣體形成的所述第一混合物對所述晶圓100進行清洗；所述遠程等離子體模式下，所述遠程等離子體源140打開且所述激發電源關閉，可以由所述自由基或所述自由基與所述第二氣體形成的所述第二混合物對所述晶圓100進行清洗；所述原位等離子體模式下，所述遠程等離子體源140關閉且所述激發電源的打開，則可以由所述原位等離子體對所述晶圓100進行清洗，但本發明不以此為限。

具體的，在本實施例中，可以根據所述晶圓100上所述污染物的位置選擇所述晶圓清洗裝置的工作模式。更具體的，所述污染物位於所述晶圓表面和/或第一溝槽內，即所述污染物處於較容易清洗的位置時，可以選擇所述化學反應模式或所述遠程等離子體模式對所述晶圓100進行清洗；其中所述第一溝槽的深寬比小於10:1。所述污染物位於所述晶圓的第二溝槽內，即所述污染物處於難以清洗的位置時，可以選擇所述原位等離子體模式對所述晶圓100進行清洗；其中所述第二溝槽的深寬比則大於或等於10:1，但本發明不以此為限。

具體的，在本實施例中，所述處理腔110的腔室壓力可以為10毫托~10 托。所述基座1102上可以設置加熱裝置，用於對所述基座1102上的所述晶圓100進行加熱，以提高對所述晶圓的清洗效率。例如，所述化學反應模式下，通過對所述晶圓100進行加熱，可以使所述第一氣體或所述第一混合物與所述晶圓100上所述污染物的反應速率達到最佳狀態，從而能夠快速去除所述晶圓100上的所述污染物。此外，所述基座1102上還可以設置冷卻裝置，用於對所述晶圓100進行冷卻，使得加熱後的所述晶圓100可以快速降溫。優選地，所述加熱裝置可以將所述晶圓加熱至400℃，所述冷卻裝置可以將所述晶圓冷卻至25℃，但本發明不以為限。

請同時參考圖1和圖2，所述第一氣體為含F氣體和惰性載氣的混合氣體或含H氣體和惰性載氣的混合氣體；所述第二氣體為含H氣體和惰性載氣的混合氣體。

具體的，在本實施例中，所述第一氣體為所述含H氣體和所述惰性載氣的混合氣體時，所述第二氣體源130可以不向所述處理腔110供應所述第二氣體。所述第一氣體為所述含F氣體和所述惰性載氣的混合氣體時，所述第二氣體源130則可以向所述處理腔110供應所述第二氣體，且所述第二氣體與所述第一氣體形成的所述第一混合物或所述第二氣體與所述自由基形成的所述第二混合物皆可以形成於所述輸氣管150內。更具體的，所述含F氣體可以包括NF ₃、HF、CF ₄、C ₂F ₆、C ₄F ₆、C ₄F ₈、COF ₂、 SF ₆、WF ₆、SiF ₄和OF ₂等；所述惰性載氣可以包括Ar、He、Ne、N ₂、Kr和Xe等；所述含H氣體包括H ₂、NH ₃、H ₂O和H ₂N ₄等，但本發明不以此為限。

具體的，在本實施例中，所述第一氣體的成分可以根據所述污染物的成分和/或所述晶圓清洗裝置的工作模式進行確定。例如，所述污染物的成分為碳時，所述晶圓清洗裝置的工作模式可以為所述遠程等離子體模式，所述第一氣體則可以為H ₂和Ar的混合氣體，且此時無需所述第二氣體。所述污染物的成分為SiO ₂時，若所述晶圓清洗裝置的工作模式為所述化學反應模式，則所述第一氣體可以為HF和Ar的混合氣體，所述第二氣體可以為NH ₃和Ar的混合氣體；所述污染物的成分同樣為SiO ₂時，若所述晶圓清洗裝置的工作模式為所述遠程等離子體模式，則所述第一氣體可以為NF ₃和Ar的混合氣體，所述第二氣體可以為NH ₃和Ar的混合氣體，但本發明不以此為限。

請繼續參考圖1，在實施例一中，所述激發電源為第一激發電源161，且所述第一激發電源161與所述噴淋頭1101連接，用於對所述第一氣體和/或所述第二氣體進行電離，以產生第一原位等離子體。

可以理解的是，在一些其他的實施例中，所述晶圓清洗裝置，還包括：第一隔離環171；所述第一隔離環171設置於所述噴淋頭1101與所述處理腔110的頂部之間，以使所述噴淋頭1101與所述處理腔110之間絕緣。

在一些實施例中，所述第一激發電源161為射頻電源或直流電源。

具體的，所述激發電源為所述第一激發電源161時，所述晶圓清洗裝置的工作模式可以為第一原位等離子體模式，且在所述第一原位等離子體模式下由所述第一原位等離子體對所述晶圓100進行清洗。其中，所述第一激發電源161的功率既可以連續的，也可以是脈衝的，當所述第一激發電源161的功率是脈衝的，由於能量低，可以降低對於所述晶圓100上特徵、溝槽等結構的損傷，且所述第一激發電源161的功率為脈衝功率時，所述第一激發電源161的占空比可以為5%~90%；此外，所述第一激發電源161的功率是可控的，可以為10~2000W，電子的能量可以為5~15eV。優選地，所述第一激發電源161的功率為脈衝功率，以在去除所述晶圓100上所述污染物的過程中降低或消除對所述晶圓100的損傷，但本發明不以此為限。

在本實施例中，所述第一激發電源161為射頻電源時，所述射頻電源可以為射頻ICP源或射頻CCP源，頻率可以為20KHz~60MHz。由於所述射頻電源的能量大於所述直流電源的能量，使得由所述射頻電源產生的所述第一原位等離子體的密度大於由所述直流電源產生的所述第一原位等離子體的密度，可以更好地去除所述晶圓100上的所述污染物。

請參考圖2，在實施例二中，所述激發電源為第二激發電源162，且所述第二激發電源162與所述基座1102連接，用於對所述第一氣體和/或所述第二氣體進行電離，以產生第二原位等離子體。

可以理解的是，在一些其他的實施例中，所述晶圓清洗裝置，還包括：第二隔離環172；所述第二隔離環172設置於所述基座1102與所述處理腔110的底部之間，以使所述基座1102與所述處理腔110之間絕緣。

在一些實施例中，所述第二激發電源162為射頻電源。

具體的，在本實施例中，所述激發電源為所述第二激發電源162時，所述晶圓清洗裝置的工作模式可以為第二原位等離子體模式，且在所述第二原位等離子體模式下由所述第二原位等離子體對所述晶圓100進行清洗。其中，所述第二激發電源162的功率既可以連續的，也可以是脈衝的，當所述第二激發電源162的功率是脈衝的，由於能量低，可以降低對於所述晶圓100上特徵、溝槽等結構的損傷，且所述第二激發電源162的功率為脈衝功率時，所述第二激發電源162的占空比可以為5%~90%；此外，所述第二激發電源162的功率是可控的，可以為10~2000W，電子的能量可以為5~15eV。更具體的，所述第二激發電源162可以為射頻ICP源或射頻CCP源，頻率可以為20KHz~60MHz。優選地，所述第二激發電源162的功率為脈衝功率，以在去除所述晶圓100上所述污染物的過程中降低或消除對所述晶圓100的損傷，但本發明不以此為限。

請繼續參考圖2，所述晶圓清洗裝置，還包括：偏置電源180；所述偏置電源180與所述基座1102連接，用於增加離子鞘層厚度，使得所述第二原位等離子體的轟擊強度增大。

可以理解的是，在一些其他的實施例中，所述偏置電源180為直流電源。

具體的，在本實施例中，所述偏置電源180的設置使得所述晶圓清洗裝置的工作模式可以為第二原位等離子體+偏置模式，且在所述第二原位等離子體+偏置模式下同樣由所述第二原位等離子體對所述晶圓100進行清洗。其中，通過所述偏置電源180可以將所述第二原位等離子體引導至所述晶圓100表面和/或所述第二溝槽內，從而能夠更有效地去除所述晶圓100第二溝槽內的所述污染物，進而提高所述晶圓清洗裝置的清潔能力，但本發明不以此為限。

具體的，在本實施例中，所述偏置電源180的功率既可以連續的，也可以是脈衝的；且所述偏置電源180的功率為脈衝功率時，所述偏置電源180的占空比可以為5%~90%。優選地，所述偏置電源180的功率為脈衝功率，以在引導所述第二原位等離子體過程中降低或消除對所述晶圓100的損傷，但本發明不以此為限。

另一方面，本實施例還提供一種如上述的晶圓清洗裝置的使用方法，包括：步驟S1、基於當前制程判斷處理腔110內晶圓100上污染物的位置，所述位置可以是晶圓100的表面，第一溝槽內部和/或第二溝槽內部；步驟S2、選擇打開第一氣體源120或同時打開第一氣體源120和第二氣體源130；步驟S3、根據所述晶圓100上污染物的位置選擇遠程等離子體源140或激發電源至少一個的打開或關閉。

具體的，在本實施例中，執行所述步驟S2之前還包括將所述晶圓100放入所述處理腔110的所述基座1102上，但本發明不以此為限。

可以理解的是，在一些其他的實施例中，所述污染物位於所述晶圓100表面和/或第一溝槽內，選擇所述遠程等離子體源140和所述激發電源皆關閉，以使所述第一氣體或所述第一氣體和所述第二氣體形成的第一混合物對所述晶圓100進行清洗，且此時所述晶圓清洗裝置的工作模式為所述化學反應模式；或者，選擇所述遠程等離子體源140打開且所述激發電源關閉，以使自由基或所述自由基和所述第二氣體形成的第二混合物對所述晶圓100進行清洗，且此時所述晶圓清洗裝置的工作模式為所述遠程等離子體模式。

在一些實施例中，所述污染物位於所述晶圓100的第二溝槽內，選擇所述遠程等離子體源140關閉且第一激發電源161打開，以使第一原位等離子體對所述晶圓進行清洗，且此時所述晶圓清洗裝置的工作模式為所述第一原位等離子體模式。

在一些其他的實施例中，所述污染物位於所述晶圓100的第二溝槽內，選擇所述遠程等離子體源140關閉且第二激發電源162打開，以使第二原位等離子體對所述晶圓100進行清洗，且此時所述晶圓清洗裝置的工作模式為所述第二原位等離子體模式。

在一些實施例中，選擇偏置電源180打開，以將所述第二原位等離子體引導至所述晶圓100表面和/或所述第二溝槽內，且此時所述晶圓清洗裝置的工作模式為所述第二原位等離子體+偏置模式。

在一些實施例中，所述第一溝槽的深寬比小於10:1；所述第二溝槽的深寬比大於或等於10:1。

綜上所述，本實施例提供的一種晶圓清洗裝置及使用方法，晶圓清洗裝置集成了遠程等離子體源和激發電源，其中激發電源與處理腔連接，第一氣體源可以向遠程等離子體源或處理腔供應第一氣體，從而能夠通過選擇遠程等離子體源和激發電源的打開或關閉去除晶圓上對應的污染物，進而滿足晶圓的不同清洗需求。本實施例中，遠程等離子體源可以對第一氣體進行放電處理並得到自由基，以去除位於晶圓表面和/或第一溝槽內的污染物；激發電源可以對處理腔內的氣體進行電離並產生原位等離子體，以去除位於晶圓的第二溝槽內的污染物。此外本實施例中，第二氣體源可以向處理腔供應第二氣體，且第二氣體可以與第一氣體形成第一混合物或第二氣體與自由基形成第二混合物，第一混合物和第二混合物則能夠去除位於晶圓表面和/或第一溝槽內的污染物。

儘管本發明的內容已經通過上述優選實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的描述不應被認為是對本發明的限制。在本案所屬技術領域中具有通常知識者閱讀了上述內容後，對於本發明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發明的保護範圍應由所附的申請專利範圍來限定。

100:晶圓 110:處理腔 1101:噴淋頭 1102:基座 120:第一氣體源 130:第二氣體源 140:遠程等離子體源 150:輸氣管 161:第一激發電源 162:第二激發電源 171:第一隔離環 172:第二隔離環 180:偏置電源

圖1是本發明實施例一提供的一種晶圓清洗裝置中激發電源與噴淋頭連接時的結構示意圖；圖2是本發明實施例二提供的一種晶圓清洗裝置中激發電源和偏置電源與基座連接時的結構示意圖。

100:晶圓

110:處理腔

1101:噴淋頭

1102:基座

120:第一氣體源

130:第二氣體源

140:遠程等離子體源

150:輸氣管

161:第一激發電源

171:第一隔離環

Claims

一種晶圓清洗裝置，其中，包括：一處理腔（110）、位於該處理腔（110）外的一第一氣體源（120）、一第二氣體源（130）、一輸氣管（150）、一遠程等離子體源（140）和一激發電源；該處理腔（110）包括一噴淋頭（1101）和一基座（1102），該噴淋頭（1101）設置於該處理腔（110）內部上方；該基座（1102）設置於該處理腔（110）內部下方，與該噴淋頭（1101）相對設置；該激發電源與該噴淋頭（1101）或與該基座（1102）連接；該第一氣體源（120）通過該遠程等離子體源（140）、該輸氣管（150）與該處理腔（110）內的該噴淋頭（1101）連接；該第一氣體源（120）用於向該遠程等離子體源（140）或該處理腔（110）供應一第一氣體；該第二氣體源（130）直接通過該輸氣管（150）與該處理腔（110）內的該噴淋頭（1101）連接；該第二氣體源（130）用於向該處理腔（110）供應一第二氣體。
如請求項1所述的晶圓清洗裝置，其中，該遠程等離子體源（140）對該第一氣體進行放電處理，以產生一自由基。
如請求項2所述的晶圓清洗裝置，其中，該第二氣體與該第一氣體形成一第一混合物或該第二氣體與該遠程等離子體源（140）產生的該自由基形成一第二混合物；該輸氣管（150）通過該噴淋頭（1101）向該基座（1102）上的晶圓（100）傳送該第一氣體、該自由基、該第一混合物和該第二混合物中的任意一種。
如請求項3所述的晶圓清洗裝置，其中，該第一氣體為含F氣體和惰性載氣的混合氣體或含H氣體和惰性載氣的混合氣體；該第二氣體為含H氣體和惰性載氣的混合氣體。
如請求項1所述的晶圓清洗裝置，其中，該激發電源為一第一激發電源（161），且該第一激發電源（161）與該噴淋頭（1101）連接，用於對該第一氣體和/或該第二氣體進行電離，以產生一第一原位等離子體。
如請求項5所述的晶圓清洗裝置，其中，還包括：一第一隔離環（171）；該第一隔離環（171）設置於該噴淋頭（1101）與該處理腔（110）的頂部之間，以使該噴淋頭（1101）與該處理腔（110）之間絕緣。
如請求項5所述的晶圓清洗裝置，其中，該第一激發電源（161）為射頻電源或直流電源。
如請求項7所述的晶圓清洗裝置，其中，該第一激發電源（161）的功率是連續的或脈衝的。
如請求項1所述的晶圓清洗裝置，其中，該激發電源為一第二激發電源（162），且該第二激發電源（162）與該基座（1102）連接，用於對該第一氣體和/或該第二氣體進行電離，以產生一第二原位等離子體。
如請求項9所述的晶圓清洗裝置，其中，還包括：一第二隔離環（172）；該第二隔離環（172）設置於該基座（1102）與該處理腔（110）的底部之間，以使該基座（1102）與該處理腔（110）之間絕緣。
如請求項9所述的晶圓清洗裝置，其中，該第二激發電源（162）為射頻電源。
如請求項9所述的晶圓清洗裝置，其中，還包括：一偏置電源（180）；該偏置電源（180）與該基座（1102）連接，用於將該第二原位等離子體引導至該晶圓（100）上。
如請求項12所述的晶圓清洗裝置，其中，該偏置電源（180）為直流電源。
一種如請求項1至13中任意一項所述的晶圓清洗裝置的使用方法，其中，包括：判斷一處理腔內一晶圓上之一污染物的位置；選擇打開一第一氣體源或同時打開該第一氣體源和一第二氣體源；根據該晶圓上之該污染物的位置選擇一遠程等離子體源或一激發電源至少一個的打開或關閉。
如請求項14所述的晶圓清洗裝置的使用方法，其中，該污染物位於該晶圓之一表面和/或一第一溝槽內，選擇該遠程等離子體源和該激發電源皆關閉，以使該第一氣體或該第一氣體和該第二氣體形成的一第一混合物對該晶圓進行清洗；或者，選擇該遠程等離子體源打開且該激發電源關閉，以使一自由基或該自由基和該第二氣體形成的一第二混合物對該晶圓進行清洗。
如請求項15所述的晶圓清洗裝置的使用方法，其中，該污染物位於該晶圓的一第二溝槽內，選擇該遠程等離子體源關閉且一第一激發電源打開，以使一第一原位等離子體對該晶圓進行清洗。
如請求項15所述的晶圓清洗裝置的使用方法，其中，該污染物位於該晶圓的一第二溝槽內，選擇該遠程等離子體源關閉且一第二激發電源打開，以使一第二原位等離子體對該晶圓進行清洗。
如請求項17所述的晶圓清洗裝置的使用方法，其中，選擇一偏置電源打開，以將該第二原位等離子體引導至該晶圓之該表面和/或該第二溝槽內。
如請求項16或17所述的晶圓清洗裝置的使用方法，其中，該第一溝槽的深寬比小於10:1；該第二溝槽的深寬比大於或等於10:1。