TWI748453B - 使用電漿及蒸氣之乾式清潔設備 - Google Patents
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- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 68
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- LXPCOISGJFXEJE-UHFFFAOYSA-N oxifentorex Chemical compound C=1C=CC=CC=1C[N+](C)([O-])C(C)CC1=CC=CC=C1 LXPCOISGJFXEJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 23
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 12
- 238000002309 gasification Methods 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 9
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 7
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 11
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 35
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 12
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010793 Steam injection (oil industry) Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
- B08B5/02—Cleaning by the force of jets, e.g. blowing-out cavities
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02046—Dry cleaning only
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
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- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
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Abstract
本發明提供一種使用電漿及蒸氣之乾式清潔設備。該設備包含：一腔室，其具有形成於其之一上表面部分中之一上供應口、形成於其之一下表面部分中之一排放口及形成於一側表面部分中之一側供應口且提供一清潔空間；一卡盤，其耦合至該腔室之該下表面部分且其上放置一單晶矽基板，該單晶矽基板上形成非晶矽、多晶矽、氧化矽或氮化矽；一射頻(RF)電極，其耦合至該腔室之該上表面部分且向其施加RF功率；一上噴淋頭，其耦合至該RF電極以與形成於該腔室之該上表面部分中之該上供應口連通且其中形成複數個上噴射孔；一下噴淋頭，其耦合至該腔室之該側表面部分，其中形成與該側供應口連通之複數個第一下噴射孔及複數個第二下噴射孔，且其電接地；一反應氣體供應單元，其經構形以透過形成於該腔室之該上表面部分中之該上供應口供應反應氣體；及一蒸氣供應單元，其經構形以透過形成於該腔室之該側表面部分中之該側供應口供應高溫蒸氣。
Description
本發明係關於一種使用電漿及蒸氣之乾式清潔設備，且更具體而言，本發明係關於一種使用電漿及蒸氣之乾式清潔設備，其中在一短時間週期內使用高溫蒸氣氣化及移除六氟矽酸銨((NH4
)2
SiF6
)(其係在一乾式清潔程序期間產生之一反應物)，使得明顯縮短一處理時間，解決在移除該反應物之一程序中一反應副產物附著至一腔室之一內壁且成為一基板之一污染源的一問題，增加該腔室本身之一清潔週期，穩定地實施其中在一腔室中重複產生一反應物且使用高溫蒸氣氣化及移除該反應物之一原位程序，且提高生產率及硬體穩定性。
在乾式清潔方法中，一電漿乾式清潔方法係其中使用電漿活化一反應物使得清潔使用反應物與一基板之間的一化學或物理反應執行之一方法。
此一電漿乾式清潔方法有利於具有一高選擇性之一低溫程序。另一方面，電漿乾式清潔方法具有以下問題：因為歸因於入射於基板上之離子之轟擊而在基板之一表面上產生一損壞層，所以需要後續程序來移除損壞層。
近年來，作為解決上述問題之一替代技術，引入一乾式清潔技術，其中一介電質(諸如氧化矽或氮化矽)與氣體或一自由基反應以產生六氟矽酸銨((NH4
)2
SiF6
)固體層且接著加熱及移除六氟矽酸銨((NH4
)2
SiF6
)固體層，如其中繪示習知乾式清潔程序之圖1中所繪示。
圖2係繪示包含於圖1中所繪示之習知乾式清潔程序中之一反應物移除程序的一視圖。
另外參考圖2，繪示在產生六氟矽酸銨((NH4
)2
SiF6
)固體層(即，一反應物)之一反應操作之後執行之使反應物氣化之一退火操作。圖2中示意性繪示一現象，其中以100°C或更高之一溫度氣化六氟矽酸銨((NH4
)2
SiF6
)且一些六氟矽酸銨((NH4
)2
SiF6
)吸附於一腔室之內壁上。
六氟矽酸銨((NH4
)2
SiF6
)(其係一反應物)藉由在100°C或更高之一溫度與SiF4
、2NH3
及2HF反應來氣化，且氣化反應物之組分由一真空泵抽吸，但一些組分吸附於腔室之內壁上。
由於重複反應操作及退火操作以對應於作為清潔對象之基板之數目，所以吸附於腔室之內壁上之組分歸因於程序重複而作為反應副產物固定且污染基板。此外，組分在腔室中之一壓力改變時變成顆粒且成為污染基板之一主要因數。
同時，已知在乾式清潔期間涉及氧化物移除反應之氟原子具有一高負電性，使得相對於基板之表面之吸附力較高，且在乾式清潔中，在清潔之後殘留之氟含量大於濕式清潔。
因為殘留氟組分使基板之表面親水且使其他污染物很好地吸附於基板之表面上(其成為降低形成於基板上之一裝置之品質之一因數)，所以殘留氟組分係必需移除之元素。然而，根據習知退火方法，存在難以完全移除殘留氟組分之一問題。
此外，為在習知退火操作中氣化反應物，必然需要一特定時間週期來使其上放置基板之一卡盤之一溫度維持100°C或更高之一溫度。在反應物之氣化中，施加至基板之一溫度、腔室內部之一壓力及使反應物氣化所需之一時間係很重要的。特定言之，當基板之一溫度升高至100°C或更高之一溫度時，反應物迅速氣化，使得需要一退火時間週期來將基板之溫度升高至100°C或更高之一溫度。退火時間週期成為顯著影響清潔程序之生產率之一因數。在其中藉由加熱卡盤來間接加熱基板之習知技術中，存在歸因於退火時間週期而限制生產率之一問題。
[相關技術文件]
[專利文件]
韓國專利公開申請案第10-2009-0071368號(2009年7月1日公開，名稱：SUBSTRATE PROCESSING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND STORAGE MEDIUM)
韓國註冊專利第10-0784661號(2007年12月5日註冊，名稱：METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE)
技術問題
本發明旨在提供一種使用電漿及蒸氣之乾式清潔設備，其中在一短時間週期內使用蒸氣氣化及移除六氟矽酸銨((NH4
)2
SiF6
)(其係在一乾式清潔程序期間產生之一反應物)，使得顯著縮短一處理時間。
本發明亦旨在提供一種使用電漿及蒸氣之乾式清潔設備，其中解決在移除六氟矽酸銨((NH4
)2
SiF6
)(其係一反應物)之一程序中一反應副產物附著至一腔室之一內壁且成為一基板之一污染源的一問題。
本發明亦旨在提供一種使用電漿及蒸氣之乾式清潔設備，其中增加一腔室本身之一清潔週期(其經執行以移除附著及固定至腔室之一內壁之一反應副產物)，使得降低維護成本。
本發明亦旨在提供一種使用電漿及蒸氣之乾式清潔設備，其中穩定地實施一原位程序(其中在一腔室中重複產生六氟矽酸銨((NH4
)2
SiF6
)且使用高溫蒸氣氣化及移除六氟矽酸銨((NH4
)2
SiF6
))，且提高生產率及硬體穩定性。問題 之 解決方案
根據本發明之一態樣，提供一種使用電漿及蒸氣之乾式清潔設備。該設備包含：一腔室，其具有形成於其之一上表面部分中之一上供應口、形成於其之一下表面部分中之一排放口及形成於位於該上表面部分與該下表面部分之間的一側表面部分中之一側供應口且提供一清潔空間；一卡盤，其耦合至該腔室之該下表面部分且在其上放置一單晶矽基板，該單晶矽基板上形成非晶矽、多晶矽、氧化矽或氮化矽；一射頻(RF)電極，其耦合至該腔室之該上表面部分且向其施加RF功率；一上噴淋頭，其耦合至該RF電極以與形成於該腔室之該上表面部分中之該上供應口連通且其中形成複數個上噴射孔；一下噴淋頭，其耦合至該腔室之該側表面部分，其中形成與該側供應口連通之複數個第一下噴射孔及複數個第二下噴射孔，且其電接地；一反應氣體供應單元，其經構形以透過形成於該腔室之該上表面部分中之該上供應口供應反應氣體；及一蒸氣供應單元，其經構形以透過形成於該腔室之該側表面部分中之該側供應口供應高溫蒸氣。
透過形成於該腔室之該上表面部分中之該上供應口供應之該反應氣體可在位於該RF電極與該下噴淋頭之間的一電漿產生區域中由該RF功率電漿處理且接著透過該下噴淋頭之該等第一下噴射孔供應至該矽基板上，使得該氧化矽或該氮化矽變成含有六氟矽酸銨((NH4
)2
SiF6
)之一反應物，且透過形成於該腔室之該側表面部分中之該側供應口供應之該高溫蒸氣可透過該下噴淋頭之該等第二下噴射孔噴射至該反應物上，使得該反應物氣化，且該氣化反應物可與該高溫蒸氣一起透過形成於該腔室之該下表面部分中之該排放口排放。
該高溫蒸氣之一溫度可在100°C至400°C之一範圍內。
該高溫蒸氣可包含去離子水及異丙醇(IPA)之至少一者。
該高溫蒸氣可進一步包含氮氣或一惰性氣體。
該反應氣體可包含至少HF及NH3
或包含NF3
及NH3
。
該卡盤之一加熱溫度可在80°C至200°C之一範圍內。
該腔室之一內壁之一加熱溫度可在80°C至150°C之一範圍內。
該設備可進一步包含：一第一閥，其設置於位於該反應氣體供應單元與該上供應口之間的一管道中；一第二閥，其設置於位於該蒸氣供應單元與該側供應口之間的一管道中；一第三閥，其設置於位於該第二閥與該蒸氣供應單元之間的一管道中；及一第四閥，其設置於位於該排放口與一排放泵之間的一管道中。
該設備可進一步包含一第五閥，其設置於位於位在該第二閥與該第三閥之間的一管道之一分支點與該排放泵之間的一管道中。
在其中打開該第一閥之一狀態中，該反應氣體可透過該上供應口供應至該腔室中，使得可產生一反應物。藉由在其中關閉該第一閥且打開該第二閥之一狀態中打開該第三閥，該高溫蒸氣可透過該側供應口供應至該腔室中，使得可氣化該反應物。藉由在其中關閉該第一閥、該第二閥及該第三閥之一狀態中打開該第四閥，存在於該腔室內部之該氣化反應物及該高溫蒸氣可由該排放泵透過該排放口強制排放。
在其中打開該第一閥之一狀態中，該反應氣體可透過該上供應口供應至該腔室中，使得可產生一反應物。藉由在其中關閉該第一閥且打開該第二閥之一狀態中打開該第三閥，該高溫蒸氣可透過該側供應口供應至該腔室中，使得可氣化該反應物。藉由在其中關閉該第一閥、該第二閥及該第三閥之一狀態中打開該第四閥，存在於該腔室內部之該氣化反應物及該高溫蒸氣可由該排放泵透過該排放口強制排放。藉由在其中關閉該第一閥、該第二閥、該第三閥及該第四閥之一狀態中打開該第五閥，殘留於該管道中之該蒸氣之組分可由該排放泵強制排放。有利發明效應
根據本發明，可提供一種使用電漿及蒸氣之乾式清潔設備，其中在一短時間週期內使用蒸氣氣化及移除六氟矽酸銨((NH4
)2
SiF6
)(其係在一乾式清潔程序期間產生之一反應物)，使得顯著縮短一處理時間。
此外，可提供一種使用電漿及蒸氣之乾式清潔設備，其中解決在移除六氟矽酸銨((NH4
)2
SiF6
)(其係一反應物)之一程序中一反應副產物附著至一腔室之一內壁且成為一基板之一污染源的一問題。
此外，可提供一種使用電漿及蒸氣之乾式清潔設備，其中增加一腔室本身之一清潔週期(其經執行以移除經附著及固定至該腔室之一內壁之一反應副產物)，使得降低維護成本。
此外，可提供一種使用電漿及蒸氣之乾式清潔設備，其中穩定地實施一原位程序(其中在一腔室中重複產生六氟矽酸銨((NH4
)2
SiF6
)且使用高溫蒸氣氣化及移除六氟矽酸銨((NH4
)2
SiF6
))，且提高生產率及硬體穩定性。
本說明書中所揭示之本發明之實施例之特定結構及功能描述僅用於描述本發明之實施例，且本發明之實施例可以各種形式體現且不應被解釋為限於本說明書中所描述之實施例。
儘管本發明之實施例可以各種方式修改且採取各種替代形式，但其特定實施例展示於附圖中且詳細描述於本說明書中。不意欲使本發明受限於所揭示之特定形式。相反地，本發明將涵蓋落入隨附發明申請專利範圍之精神及範疇內之所有修改、等效物及替代物。
應瞭解，儘管本文中可使用術語「第一」、「第二」及其類似者來描述各種元件，但元件不受術語限制。術語僅用於使元件彼此區分。例如，在不背離本發明之範疇之情況下，一第一元件可稱為一第二元件，且類似地，一第二元件可稱為一第一元件。
應瞭解，當一元件指稱「連接」或「耦合」至另一元件時，元件可直接連接或耦合至另一元件或可存在介入元件。相比而言，當一元件指稱「直接連接」或「直接耦合」至另一元件時，不存在介入元件。應以一相同方式解譯用於描述元件之間的關係之其他用語(即，「在...之間」對「直接在...之間」、「相鄰」對「直接相鄰」及其類似者)。
本文中所使用之術語僅用於描述特定實施例且不意欲限制本發明。如本文中所使用，單數形式「一」及「該」意欲亦包含複數形式，除非內文另有明確指示。應進一步瞭解，本文中所使用之術語「包括」及/或「包含」特指存在所述特徵、整數、步驟、操作、元件、部件或其等組合，但不排除存在或添加一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、部件或其等組合。
除非另有界定，否則本文中所使用之包含科技術語之所有術語具有相同於本發明所屬領域之一般技術者通常所理解之含義的含義。應進一步瞭解，諸如常用詞典中所界定之術語之術語應被解譯為具有與其在相關技術之背景中之含義一致之一含義且不應以一理想化或過於正式之意義解譯，除非本文中明確如此界定。
在下文中，將參考附圖詳細描述本發明之例示性實施例。
圖3係繪示根據本發明之一實施例之使用電漿及蒸氣之一乾式清潔設備的一視圖，且圖4係繪示根據本發明之實施例之使用電漿及蒸氣之乾式清潔設備之閥之操作時序的一視圖。
參考圖3及圖4，根據本發明之實施例之使用電漿及蒸氣之乾式清潔設備包含一腔室10、一卡盤20、一射頻(RF)電源30、一RF電極40、一上噴淋頭50、一下噴淋頭60、一反應氣體供應單元70、一蒸氣供應單元80、一第一閥100、一第二閥200、一第三閥300、一第四閥400及一第五閥500。
腔室10係具有形成於其之一上表面部分中之一上供應口11、形成於下表面部分中之一排放口12及形成於位於上表面部分與下表面部分之間的一側表面部分中之一側供應口13且提供一清潔空間之一組件。
卡盤20係耦合至腔室10之下表面部分且其上放置一單晶矽基板W (其上形成非晶矽、多晶矽、氧化矽或氮化矽)之一組件。
RF電源30係將用於產生電漿之電力供應至RF電極40之一組件，如下文將描述。
RF電極40係耦合至腔室10之上表面部分且向其施加RF功率之一組件。
上噴淋頭50耦合至RF電極40以與形成於腔室10之上表面部分中之上供應口11連通，且複數個第一上噴射孔51形成於上噴淋頭50中以向下面向放置基板W之位置。
下噴淋頭60耦合至位於腔室10之上表面部分與下表面部分之間的側表面部分，且複數個第一下噴射孔61形成於下噴淋頭60中以向下面向放置基板W之位置。此外，與腔室10之側供應口13連通之複數個第二下噴射孔62形成於下噴淋頭60中。此外，下噴淋頭60及RF電源30共同電接地。
反應氣體供應單元70係透過形成於腔室10之上表面部分中之上供應口11將反應氣體供應至腔室10中之一組件。
蒸氣供應單元80係透過形成於腔室10之側表面部分中之側供應口13將高溫蒸氣供應至腔室10中之一組件。
第一閥100設置於位於反應氣體供應單元70與上供應口11之間的一管道中。
第二閥200設置於位於蒸氣供應單元80與側供應口13之間的一管道中。
第三閥300設置於位於第二閥200與蒸氣供應單元80之間的一管道中。
第四閥400設置於位於排放口12與一排放泵600之間的一管道中。
第五閥500設置於位於位在第二閥200與第三閥300之間的一管道之一分支點與排放泵600之間的一管道中。
根據如上文所描述般組態之本發明之實施例之使用電漿及蒸氣之乾式清潔設備，1)在反應物產生操作中，透過形成於腔室10之上表面部分中之上供應口11供應之反應氣體在位於RF電極40與下噴淋頭60之間的一電漿產生區域中由RF電源30電漿處理且供應至單晶矽基板W，使得已形成於單晶矽基板W上之非晶矽、多晶矽、氧化矽或氮化矽變成含有六氟矽酸銨((NH4
)2
SiF6
)之一反應物，及2)在反應物移除操作中，透過形成於腔室10之側表面部分中之側供應口13供應之高溫蒸氣透過下噴淋頭60之第二下噴射孔62噴射至反應物上，使得反應物氣化，且氣化反應物與高溫蒸氣一起透過形成於腔室10之下表面部分中之排放口12排放。
以下將更具體及例示性描述反應物產生操作及反應物移除操作。
在反應物產生操作(其係第一操作)中，將含有NF3
及NH3
之反應氣體電離成一電漿狀態。已知在所產生之離子中，HF2 -
離子具有一非常高電離常數，使得HF2 -
離子具有極佳反應性且在氧化物移除反應中發揮最大作用。
HF2 -
離子與NH4
F及HF產生有關，且離子之一類型及含量取決於NF3
及NH3
之一混合比、一壓力、功率及其類似者而變動。
氧化物與HF2 -
離子之一化學反應式係SiO2
+HF2 -
+H+
→SiF6 2-
+2H2
O、SiF6 2-
+NH4 +
→(NH4
)2
SiF6
。
在反應物產生操作中產生之六氟矽酸銨((NH4
)2
SiF6
)在與SiO2
之一1:1反應中產生且以其自身容積3倍之一容積以一固相存在於基板W之表面上，且在反應物移除操作(其係第二操作)中，六氟矽酸銨((NH4
)2
SiF6
)由高溫蒸氣氣化及移除。
在移除反應物時，習知技術存在要花大量時間來將基板之一溫度升高至一特定溫度之一問題。例如，在反應物產生操作中，在其中其上放置基板之卡盤之溫度係30°C之情況中，當執行退火操作時，30°C之基板溫度僅在至少1分鐘之後升高至100°C或更高，使得移除反應物。因此，存在一晶圓之一溫度之升高時間增加使得程序處理時間增加且產量減少之一問題。
然而，與習知技術不同，在本發明之實施例中，藉由供應高溫蒸氣來移除反應物，因此，基板W上之反應物藉由與蒸氣反應來即時氣化。反應時間係在幾秒內，且反應物即時排放至腔室之外部。
例如，由蒸氣供應單元80供應之高溫蒸氣之溫度較佳在100°C至400°C之一範圍內。當如上文所描述般設定高溫蒸氣之溫度時，可防止在使用蒸氣移除反應物之程序中液化蒸氣，且可提高反應物之移除率，同時可防止由過高溫度引起之形成於基板W上之元件之特性劣化。
例如，由蒸氣供應單元80供應之高溫蒸氣可包含去離子水及異丙醇(IPA)之至少一者且可進一步包含氮氣或一惰性氣體。
作為一具體實例，高溫蒸氣可包含1)僅氣化去離子水、2)氣化去離子水及氮氣或一惰性氣體之一混合物、3)僅氣化IPA、4)氣化IPA及氮氣或惰性氣體之一混合物、5)氣化去離子水及IPA之一混合物或6)經添加至氣化去離子水及IPA之一混合物之氮氣或惰性氣體。
例如，由反應氣體供應單元70供應之反應氣體可包含至少HF及NH3
或可包含NF3
及NH3
。
例如，卡盤20之加熱溫度可經設定於80°C至200°C之一範圍內。當卡盤20之加熱溫度經設定於上述範圍內時，可防止在使用蒸氣移除反應物之程序中液化蒸氣且可提高反應物之移除率。
例如，腔室10之內壁之加熱溫度可經設定於80°C至150°C之一範圍內。當腔室10之內壁之加熱溫度經設定於上述範圍內時，可減少氣化反應副產物附著至腔室10之內壁上。
當允許氣化反應副產物附著至腔室10之內壁上時且當重複執行相同程序操作時，附著至腔室10之內壁上之反應副產物逐漸變成厚顆粒且成為將來污染基板W之表面之一因數。
然而，根據本發明之實施例，腔室10之內壁之加熱溫度經設定於80°C至150°C之一範圍內，使得氣化反應副產物附著至腔室10之內壁上減少，同時反應物由高溫蒸氣噴射方法氣化且接著即時排放至外部，且因此可防止反應副產物固定至腔室10之內壁且接著在將來變成基板W之一污染源之一問題。
在下文中，將另外參考圖4來例示性描述使用電漿及蒸氣之乾式清潔設備之一具體操作。
另外參考圖4，首先，在其中打開第一閥100之一狀態中，執行其中透過形成於腔室之上表面部分中之上供應口11將反應氣體供應至腔室10中使得產生一反應物之一程序。
接著，藉由在其中關閉第一閥100且打開第二閥200之一狀態中打開第三閥300，執行其中透過形成於腔室10之側表面部分中之側供應口13將高溫蒸氣供應至腔室10中使得反應物氣化之一程序。
藉由在其中關閉第一閥100、第二閥200及第三閥300之一狀態中打開第四閥400，執行其中由排放泵600透過排放口12將存在於腔室10內部之氣化反應物及高溫蒸氣強制排放至外部之一程序。
如上文所描述，與習知技術不同，當使用高溫蒸氣移除反應物時，基板W上之反應物與蒸氣反應且即時氣化。氣化反應時間係在幾秒內，且氣化反應物及蒸氣在凝固於腔室10內之前由排放泵600透過排放口12強制排放至外部。
接著，藉由在其中關閉第一閥100、第二閥200、第三閥300及第四閥400之一狀態中打開第五閥500，執行其中由排放泵600將殘留於管道中之蒸氣之組分強制排放至外部之一程序。透過上述程序，可防止殘留於管道內部之蒸氣之組分凝固且腐蝕管道之一問題。
如上文所詳細描述，根據本發明，可提供一種使用電漿及蒸氣之乾式清潔設備，其中在一短時間週期內使用蒸氣氣化及移除六氟矽酸銨((NH4
)2
SiF6
)(其係在一乾式清潔程序期間產生之一反應物)，使得顯著縮短一處理時間。
此外，可提供一種使用電漿及蒸氣之乾式清潔設備，其中解決在移除六氟矽酸銨((NH4
)2
SiF6
)(其係一反應物)之一程序中一反應副產物附著至一腔室之一內壁且成為一基板之一污染源的一問題。
此外，可提供一種使用電漿及蒸氣之乾式清潔設備，其中增加一腔室本身之一清潔週期(其經執行以移除附著及固定至該腔室之一內壁之一反應副產物)，使得降低維護成本。
此外，可提供一種使用電漿及蒸氣之乾式清潔設備，其中穩定地實施一原位程序(其中在一腔室中重複產生六氟矽酸銨((NH4
)2
SiF6
)且使用高溫蒸氣氣化及移除六氟矽酸銨((NH4
)2
SiF6
))，且提高生產率及硬體穩定性。
10:腔室
11:上供應口
12:排放口
13:側供應口
20:卡盤
30:RF電源
40:RF電極
50:上噴淋頭
51:第一上噴射孔
60:下噴淋頭
61:第一下噴射孔
62:第二下噴射孔
70:反應氣體供應單元
80:蒸氣供應單元
100:第一閥
200:第二閥
300:第三閥
400:第四閥
500:第五閥
600:排放泵
W:矽基板
圖1係繪示一習知乾式清潔程序的一視圖。
圖2係繪示包含於習知乾式清潔程序中之一反應物移除程序的一視圖。
圖3係繪示根據本發明之一實施例之使用電漿及蒸氣之一乾式清潔設備的一視圖。
圖4係繪示根據本發明之一實施例之使用電漿及蒸氣之一乾式清潔設備之閥之操作時序的一視圖。
10:腔室
11:上供應口
12:排放口
13:側供應口
20:卡盤
30:射頻(RF)電源
40:RF電極
50:上噴淋頭
51:第一上噴射孔
60:下噴淋頭
61:第一下噴射孔
62:第二下噴射孔
70:反應氣體供應單元
80:蒸氣供應單元
100:第一閥
200:第二閥
300:第三閥
400:第四閥
500:第五閥
600:排放泵
W:矽基板
Claims (9)
- 一種使用電漿及蒸氣之乾式清潔設備，該設備包括：一腔室，其具有形成於其之一上表面部分中之一上供應口、形成於其之一下表面部分中之一排放口及形成於位於該上表面部分與該下表面部分之間的一側表面部分中之一側供應口且提供一清潔空間；一卡盤，其耦合至該腔室之該下表面部分且其上放置一單晶矽基板，該單晶矽基板上形成非晶矽、多晶矽、氧化矽或氮化矽；一射頻(RF)電極，其耦合至該腔室之該上表面部分且向其施加RF功率；一上噴淋頭，其耦合至該RF電極以與形成於該腔室之該上表面部分中之該上供應口連通且其中形成複數個上噴射孔；一下噴淋頭，其耦合至該腔室之該側表面部分，其中形成與該側供應口連通之複數個第一下噴射孔及複數個第二下噴射孔，且其電接地；一反應氣體供應單元，其經構形以透過形成於該腔室之該上表面部分中之該上供應口供應反應氣體；一蒸氣供應單元，其經構形以透過形成於該腔室之該側表面部分中之該側供應口供應高溫蒸氣，一第一閥，其設置於位於該反應氣體供應單元與該上供應口之間的一管道中；一第二閥，其設置於位於該蒸氣供應單元與該側供應口之間的一管道中；一第三閥，其設置於位於該第二閥與該蒸氣供應單元之間的一管道 中；一第四閥，其設置於位於該排放口與一排放泵之間的一管道中，及一第五閥，其設置於位於位在該第二閥與該第三閥之間的一管道之一分支點與該排放泵之間的一管道中，其中：透過形成於該腔室之該上表面部分中之該上供應口供應之該反應氣體在位於該RF電極與該下噴淋頭之間的一電漿產生區域中由該RF功率電漿處理且接著透過該下噴淋頭之該等第一下噴射孔供應至該矽基板上，使得該氧化矽或該氮化矽變成含有六氟矽酸銨((NH4)2SiF6)之一反應物；且透過形成於該腔室之該側表面部分中之該側供應口供應之該高溫蒸氣透過該下噴淋頭之該等第二下噴射孔噴射至該反應物上，使得該反應物氣化，且該氣化反應物與該高溫蒸氣一起透過形成於該腔室之該下表面部分中之該排放口排放。
- 如請求項1之設備，其中該高溫蒸氣之一溫度係在100℃至400℃之一範圍內。
- 如請求項1之設備，其中該高溫蒸氣包含去離子水及異丙醇(IPA)之至少一者。
- 如請求項3之設備，其中該高溫蒸氣進一步包含氮氣或一惰性氣體。
- 如請求項1之設備，其中該反應氣體包含至少HF及NH3或包含NF3及 NH3。
- 如請求項1之設備，其中該卡盤之一加熱溫度係在80℃至200℃之一範圍內。
- 如請求項1之設備，其中該腔室之一內壁之一加熱溫度係在80℃至150℃之一範圍內。
- 如請求項1之設備，其中：在其中打開該第一閥之一狀態中，該反應氣體透過該上供應口供應至該腔室中，使得產生一反應物；藉由在其中關閉該第一閥且打開該第二閥之一狀態中打開該第三閥，該高溫蒸氣透過該側供應口供應至該腔室中，使得該反應物氣化；且藉由在其中關閉該第一閥、該第二閥及該第三閥之一狀態中打開該第四閥，存在於該腔室內部之該氣化反應物及該高溫蒸氣由該排放泵透過該排放口強制排放。
- 如請求項1之設備，其中：在其中打開該第一閥之一狀態中，該反應氣體透過該上供應口供應至該腔室中，使得產生一反應物；藉由在其中關閉該第一閥且打開該第二閥之一狀態中打開該第三閥，該高溫蒸氣透過該側供應口供應至該腔室中，使得該反應物氣化；藉由在其中關閉該第一閥、該第二閥及該第三閥之一狀態中打開該 第四閥，存在於該腔室內部之該氣化反應物及該高溫蒸氣由該排放泵透過該排放口強制排放；且藉由在其中關閉該第一閥、該第二閥、該第三閥及該第四閥之一狀態中打開該第五閥，殘留於該管道中之該蒸氣之組分由該排放泵強制排放。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190057817A KR102179717B1 (ko) | 2019-05-17 | 2019-05-17 | 플라즈마와 증기를 이용한 건식 세정 장치 |
| KR10-2019-0057817 | 2019-05-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202109705A TW202109705A (zh) | 2021-03-01 |
| TWI748453B true TWI748453B (zh) | 2021-12-01 |
Family
ID=73458131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW109116153A TWI748453B (zh) | 2019-05-17 | 2020-05-15 | 使用電漿及蒸氣之乾式清潔設備 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102179717B1 (zh) |
| CN (1) | CN113811400B (zh) |
| TW (1) | TWI748453B (zh) |
| WO (1) | WO2020235822A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20230151810A (ko) * | 2022-04-26 | 2023-11-02 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
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| KR20080019141A (ko) * | 2006-08-25 | 2008-03-03 | 삼성전자주식회사 | 화학기상증착설비 |
| KR100784661B1 (ko) | 2006-12-26 | 2007-12-12 | 피에스케이 주식회사 | 반도체 소자의 제조방법 |
| JP5016351B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2012-09-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び基板洗浄装置 |
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| KR101314162B1 (ko) * | 2012-02-16 | 2013-10-04 | 주식회사 다원시스 | 복합 세정장치 및 방법 |
| US9299557B2 (en) * | 2014-03-19 | 2016-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma pre-clean module and process |
| US10358715B2 (en) * | 2016-06-03 | 2019-07-23 | Applied Materials, Inc. | Integrated cluster tool for selective area deposition |
| KR101981738B1 (ko) * | 2017-09-19 | 2019-05-27 | 무진전자 주식회사 | 기판 처리 방법 및 장치 |
-
2019
- 2019-05-17 KR KR1020190057817A patent/KR102179717B1/ko active IP Right Grant
-
2020
- 2020-04-24 WO PCT/KR2020/005422 patent/WO2020235822A1/ko active Application Filing
- 2020-04-24 CN CN202080034382.3A patent/CN113811400B/zh active Active
- 2020-05-15 TW TW109116153A patent/TWI748453B/zh active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113811400A (zh) | 2021-12-17 |
| CN113811400B (zh) | 2023-07-25 |
| TW202109705A (zh) | 2021-03-01 |
| WO2020235822A1 (ko) | 2020-11-26 |
| KR102179717B1 (ko) | 2020-11-17 |
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