JP3559691B2

JP3559691B2 - 半導体装置の製造方法

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Publication number: JP3559691B2
Application number: JP23978497A
Authority: JP
Inventors: 康後藤; 得男久▲禮▼; 邦男山下; 侃高市
Original assignee: Showa Denko KK; Hitachi Ltd
Current assignee: Showa Denko KK; Hitachi Ltd
Priority date: 1997-09-04
Filing date: 1997-09-04
Publication date: 2004-09-02
Anticipated expiration: 2017-09-04
Also published as: JPH1187324A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、詳しくは、半導体装置の製造分野における堆積装置やドライエッチング装置のクリーニングおよび各種材料のエッチングに有効な半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置を製造する際に、ウェーハ上に金属や半導体またはそれらの化合物の堆積やエッチングなどの処理を行う場合、これらの処理を行うプロセス装置の処理室内壁面や排気管の内壁面の上にも、堆積物や被加工材料およびそれらの反応生成物が付着する。これらの付着物によって、成膜プロセスやエッチングプロセスの特性の経時変化および異物の発生などが起こり、装置の安定性が低下するので、定期的に除去する必要がある。
【０００３】
これらの付着物を除去する効率的な方法は、クリーニングガスを処理室に流しつつプラズマ放電することによって、付着物を化学的に除去する方法である。このクリーニングガスとしては、一般にＮＦ_３、ＣＦ_４、ＳＦ_６、Ｃ_２Ｆ_６などが用いられる。
【０００４】
また、半導体装置の製造工程において、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの絶縁膜の微細加工には、Ｃ_４Ｆ_８などのフルオロカーボンガスやＣＨＦ_３などのハイドロフルオロカーボンガスのプラズマが用いられる。例えば、これらのガスが下記のような反応をすると、Ｓｉ表面には固体のカーボンＣが残りエッチング速度が低下するが、ＳｉＯ_２とＳｉ_３Ｎ_４の表面には固体の反応生成物が残らないためこのようなエッチング速度の低下は起こらず、ＳｉＯ_２とＳｉ_３Ｎ_４を選択的にエッチングすることがが可能である。
【０００５】
【化１】
Ｓｉ＋Ｃ_ｘＦ_ｙ→ＳｉＦ_４＋Ｃ …（１）
ＳｉＯ_２＋Ｃ_ｘＦ_ｙ→ＳｉＦ_４＋ＣＯ …（２）
Ｓｉ_３Ｎ_４＋Ｃ_ｘＨ_ｙＦ_ｚ→ＳｉＦ_４＋ＨＣＮ …（３）
すなわち、堆積反応とエッチング反応の競合を制御することで材料間の選択比を高くすることができる。一般に、堆積反応を支配するのはＣＦ_ｘラジカルであり、エッチング反応を支配するのはＦラジカルである。したがって、例えばＳｉＮやＳｉＯをＳｉに対して選択的にエッチングする場合には、ＦラジカルによるＳｉエッチングを抑制するため、ＣＦ_ｘラジカルの量がＦラジカルの量に比べて多くなければならない。
【０００６】
なお、特開昭５５−１３８８３４、特開昭６２−９６３３、特開昭６３−３３５８６、特開平１−２０８８３４には、ＣＦＩ系ガスを用いてＳｉをエッチングすることが記載され、特開平７−１９３０５５には、ＩＦ系ガスを用いてＳｉＯ_２をエッチングすることが記載され、さらに特開昭６１−１２３１４２には、Ｏ_２、ＣＦ系およびＣＨＩ系ガスを用いてＳｉ、Ｓｉ_３Ｎ_４をエッチングすることが記載されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記ＮＦ_３、ＣＦ_４、ＳＦ_６、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_４Ｆ_８またはＣＨＦ_３を、クリーニングやエッチングに用いると、下記のように二つの問題が生ずる。
【０００８】
（１）これらのガスは、分解に長時間を必要とし、地球の温暖化に悪い影響を与えるので好ましくない。すなわち、表１に示したように、上記ＮＦ_３などのガスは、他のガス（ＣＦ_３Ｉ、ＣＨ_２Ｆ_２）にくらべて大気中の寿命が著しく長いので、使用後に大気中に放出されても、分解が遅く大気中に長時間残る。そのため、地球温暖化係数が大きく、地球の温暖化に対する悪影響が他のガスよりはるかに大きい。なお、表１では地球温暖化係数はＧＷＰ値を示してあり、この数値は、炭酸ガスを基準として１００年換算をしたものである。
【０００９】
（２）上記ガスのうち、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_４Ｆ_８、ＣＨＦ_３を主としてシリコン酸化膜などシリコン絶縁膜のエッチングに用いた場合は、エッチングの制御が難しい。例えば、上記フルオロカーボンガスやハイドロフルオロカーボンガスを、有磁場マイクロ波プラズマやヘリコン波プラズマ・誘導結合型プラズマなど、高密度プラズマによるエッチングに用いた場合は、ＦラジカルとＣＦ_ｘラジカルの生成量の制御が難しく、エッチング速度や選択性の制御が困難である。
【００１０】
【表１】

【００１１】
すなわち、高密度プラズマにおいては、エッチングガスの解離度が高くエッチング速度も高い。その反面、フルオロカーボンガスやハイドロフルオロカーボンガス分子はバラバラに分解されて、ＦラジカルがＣＦ_ｘラジカルに比べ非常に多くなり、Ｓｉ、ＳｉＯ_２およびＳｉ_３Ｎ_３の間のエッチング選択性を高くするのが困難である。しかし、プラズマの解離を抑制してＣＦ_ｘラジカルが分解しないようにするために、プラズマ生成エネルギーを低くすると、プラズマ自体が不安定になってしまい、高速エッチングを安定して行うことは困難になる。
【００１２】
このように、上記ＮＦ_３やＳＦ_６などのガスをクリーニングやエッチングに用いた場合は地球の温暖化に対する悪影響が大きく、また、フルオロカーボンガスやハイドロフルオロカーボンガスをエッチングガスとして用いた場合は、高いエッチング異方性と高いエッチング選択比を保ったまま、高速エッチングを行うことは困難である。さらに、今後のウェーハの大口径化に対応するために不可欠な、安定なプラズマの大口径化も困難である。
【００１３】
本発明の目的は、上記従来の問題を解決し、地球の温暖化に悪影響を与える恐れがないクリーニング方法を提供することである。
【００１４】
本発明の他の目的は、高いエッチング異方性と高いエッチング選択比を保ったまま、高速エッチングを行うことができ、さらに安定な大口径プラズマを使用することができるエッチング方法を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明のプラズマ処理方法は、所望の膜を堆積する装置若しくはドライエッチング装置の内面上に形成されている付着物を、ヨウ素、フッ素および炭素を成分元素として含むガスと酸素の混合ガスを電離して生成されたプラズマによって除去することを特徴とする。
【００１６】
すなわち、上記ＮＦ_３、ＣＦ_４、ＳＦ_６、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_４Ｆ_８またはＣＨＦ_３の代わりに、分解しやすい分子構造中にフッ素を含むガスを用いることによって、地球温暖化効果が低減されるとともに、プラズマ生成エネルギーを低くしても安定したプラズマが形成できるようになった。
【００１７】
上記分解しやすい分子構造は、炭素およびフッ素とともにヨウ素を成分元素として含有することによって得られる。ヨウ素はフッ素や水素に比べて原子半径が大きいので、フルオロカーボンガスやハイドロフルオロカーボンガス分子のフッ素をヨウ素によって置換した場合、そのガスの解離に必要なエネルギーはもとのガスよりも低くなる。一般に、成膜装置（堆積装置）やエッチング装置の処理室の内面上に、成膜材料や被エッチング材料などの反応生成物が付着すると、クリーニングのためにプラズマを放電させる際に、放電が起り難くなる。これは、処理室内面上に付着した反応生成物が、外部からの電力供給を阻害し、プラズマが放電し難くなるためである。
【００１８】
しかし、ヨウ素を成分元素として含む、例えばフルオロヨードカーボンのように、分解しやすいガスを用いると、上記成膜材料などが上記内面上に付着していても、クリーニングのためのプラズマを効率よく生成することができ、堆積装置やエッチング装置の内面のクリーニングが支障なく行われる。
【００１９】
また、表１に示したように、例えば本発明において使用されるガスの一つであるＣＦ_３Ｉは、上記ＣＦ_４など、ヨウ素を含まない他のガスより、大気中寿命がはるかに短く、地球温暖化係数ははるかに小さいので、地球温暖化に対する影響が、上記他のガスよりはるかに小さい。Ｃ_２Ｆ_５ＩやＣ_３Ｆ_７Ｉなど、本発明において用いられる他のガスも、Ｃ−Ｉ結合エネルギーはＣ−Ｆ結合エネルギーより低いので、ＣＦ_３Ｉと同等の短い寿命をもっていることは明らかである。
【００２０】
上記被除去物が、所望の膜を堆積する装置やエッチング装置の内面上に形成されている場合、上記被除去物を除去して堆積装置やエッチング装置などのクリーニングを行うには、上記ガスに酸素を加えるのが有効である。すなわち、上記ガスを用いて形成されたプラズマは、ＣＦ_ｘラジカルが含まれているので堆積性を有しており、クリーニングを行う場合は、ＣＦ_ｘラジカルによる炭素化合物の堆積を抑制する必要がある。炭素化合物の堆積抑制は、被クリーニング部の温度を高くすることによっても可能であるが、酸素ガスを加えてＣＦ_ｘラジカルと酸素ラジカルの競合反応によって堆積を抑える方が、はるかに簡便で有効である。
【００２１】
さらに、酸素ガスとの混合ガスを使用することは、例えば有機物やタングステンの除去に、特に有効である。上記ガスと上記酸素の混合比は９５：５〜５０：５０とすれば、好ましいクリーニングを行うことができる。
【００２２】
また、上記他の目的を達成するための本発明のプラズマ処理方法は、半導体基板の表面上に形成されている酸化シリコン若しくは窒化シリコンからなる被除去物を、ヨウ素、フッ素および炭素を成分元素として含むガスのプラズマを用い、上記プラズマを生成するための放電パワーは１００Ｗ以上、４００Ｗ以下、上記ガスの流量は１０ｓｃｃｍ以上、２００ｓｃｃｍ以下で除去することを特徴とする。
【００２３】
すなわち、上記酸化シリコン若しくは窒化シリコンからなる被除去物が、半導体基板の表面上に形成されている場合のプラズマ処理方法はエッチング方法であるが、上記ヨウ素、フッ素および炭素を成分元素として含むガスをエッチングに用いると、下記の効果が得られる。（１）ＣＦ_ｘによる堆積性によって、被エッチング材料間の選択比が向上する。（２）放電パワーを低くするなど、プラズマを低解離にしたり、ガス流量を適宜調節することによって、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜を、シリコンに対して選択的にエッチングすることができる。（３）上記ヨウ素を成分元素として含むガスは、プラズマ密度が低くてもエッチングが可能であるため、プラズマ中のフッ素の量は少なく、高いエッチング選択性が得られる。しかも、低い電子エネルギで分解するので、放出されるフッソの量も少ない。（４）ヨウ素は質量が大きいので、重いイオンによるエッチングによってエッチングの異方性が向上する。（５）プラズマによって形成された堆積膜中にはヨウ素が含まれているので、ヨウ素を含まない堆積膜にくらべて分解しやすい。そのため、エッチングの終了後、酸素プラズマによるアッシング処理によって堆積膜を簡単に除去することができる。
【００２４】
本発明によってエッチングを行なう場合、上記プラズマを形成するための放電パワーを１００Ｗ以上、４００Ｗ以下と従来より低くしてプラズマの解離を低くするとともに、上記ガスの流量を１０ｓｃｃｍ以上、２００ｓｃｃｍ以下とすることによって、シリコンに対して酸化シリコンや窒化シリコンを選択的にエッチングすることができる。従来は、上記範囲と異なるプラズマ発生の条件やガス流量によって酸化シリコンや窒化シリコンに対してシリコンを選択的にエッチングしていたのであるが、本発明は、プラズマ発生の条件やガス流量を変えることによって、全く逆の選択エッチングを可能にしたものである。
【００２５】
エッチングを行う場合、上記ガスに炭酸ガス、ハイドロフルオロカーボンガスおよび水素ガスからなる群から選択されたガスを加えた混合ガスを用いると、高いエッチング選択性が得られ、上記ハイドロフルオロカーボンガスとしてはＣＨ_２Ｆ_２若しくはＣＨ_３Ｆを用いることができる。
【００２６】
エッチングを行う際に、被処理物である酸化シリコンや窒化シリコンの上に、所定の形状を有する有機物膜からなるマスクを形成して、露出された部分を選択的にエッチングして除去することができる。この場合、上記半導体基板がその上に置かれた電極の温度を５０℃以下、−５０℃以上に保ってエッチングを行えば、上記マスクの変質なしに高い精度のエッチングを行うことができる。
【００２７】
上記ヨウ素、フッ素および炭素を成分元素として含むガスとしては、ＣＦ_３Ｉ、Ｃ_２Ｆ_５Ｉ、Ｃ_３Ｆ_７Ｉ、Ｃ_４Ｆ_９ＩおよびＣ_２ＨＦ_４Ｉからなる群から選択されたヨウ素を含むフルオロカーボンまたはハイドロフルオロカーボンガスを使用できる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
本発明はＣＶＤ装置やスパッタリング装置など、周知の各種堆積装置および各種ドライエッチング装置の内面のクリーニングに適用できる。堆積装置としてはＣＶＤ装置など各種成膜あるいは堆積装置のクリーニングに広く適用できる。同様に、上記ドライエッチング装置としては、平行平板型やマイクロ波エッチング装置など周知の各種ドライエッチング装置のクリーニングに適用できる。
【００２９】
本発明によれば、これらの各種装置の内面上に付着された、例えば有機物質、タングステン、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコンなどは、効果的に除去されて良好なクリーングを行なうことができる。この場合、上記ガスの流量を１０ｓｃｃｍ〜２００ｓｃｃｍの範囲内にし、放電パワーを２００Ｗ〜２０００Ｗの範囲内にすれば、好ましいクリーニングを行なうことができる。酸素との混合ガスを使用することは、有機物やタングステンの除去に特に有利である。
【００３０】
また、本発明によってエッチングを行うと、半導体基板上の酸化シリコンや窒化シリコンを、シリコンなどに対して良好な選択性でエッチングすることができ、この場合も、エッチング装置としては、下記各実施例で用いたマイクロ波エッチング装置のみではなく、平行平板型のエッチング装置、ヘリコン波プラズマエッチング装置あるいは誘導結合型プラズマエッチング装置など、周知の他のエッチング装置を用いても同様の効果が得られる。
【００３１】
また、上記ガスは一種類のみを単独で使用してもよいが、２種類以上のガスを用いてもよい。さらに、例えばＨＩとＣ_２Ｆ_６のように、２種類以上のガスを混合して、Ｃ、ＦおよびＩを存在させるようにしてもよい。
【００３２】
シリコン酸化膜をエッチングするには、フルオロヨードカーボンガスにハイドロフルオロカーボンガス、炭酸ガス、水素あるいは希ガスを混ぜることによってエッチング速度や選択比を制御することができる。Ｃ_２ＨＦ_４Ｉは成分元素として水素を含んでいるため、このガスを用いるとシリコンに対するシリコン酸化膜のエッチング選択比を高くすることができる。ただし、このガスは常温・大気圧では液体であるため、配管を減圧するか、配管温度をＣ_２ＨＦ_４Ｉの気化温度より高く保持するなどの工夫が必要となる。Ｃ_３Ｆ_７ＩとＣ_４Ｆ_９Ｉも常温・大気圧で液体であるため、使用時にはＣ_２ＨＦ_４Ｉと同様の対策をする必要がある。
【００３３】
【実施例】
〈実施例１〉
まず、本発明をシリコン酸化膜のエッチングに適用した実施例について説明する。図２（ａ）に示したように、シリコン基板２０１の主表面上に、周知の熱酸化法を用いてシリコン酸化膜２０２を成長させた。
【００３４】
次に、図２（ｂ）に示したように、レジスト膜２０３を形成した後、ＫｒＦエキシマレーザ露光装置を用いた露光およびそれに続く周知の現像処理によって、孔パターン２０４を有するマスクを形成した。
【００３５】
次に、図１に示したマイクロ波プラズマエッチング装置を用い、上記シリコン酸化膜２０２の露出された部分を除去して、図２（ｃ）に示したように、孔パターン２０５を形成した。エッチングガスとしてはＣ_２Ｆ_５Ｉを用いた。主なエッチング条件は下記の通りである。
【００３６】
ガス…Ｃ_２Ｆ_５Ｉ
ガス流量…２５ｓｃｃｍ
ガス圧力…３ｍＴｏｒｒ
マイクロ波出力…４００Ｗ
高周波電力…３００Ｗ
電極温度…０℃
その結果、シリコン酸化膜のエッチングレートは約８００ｎｍ／分、シリコン酸化膜とシリコンとの選択比は約２０倍であり、いずれも十分満足できる値が得られた。また、エッチングによって形成された孔パターン２０５の断面形状は、図２（ｃ）に示したように、側面がほぼ垂直であり、極めて良好であった。
【００３７】
エッチングのマスクとして用いたレジスト膜２０３は、酸素プラズマによる灰化処理によって、図２（ｄ）に示したように容易に除去できた。
【００３８】
なお、図１は上記マイクロ波プラズマエッチング装置のエッチング室周辺のみを示す。エッチング処理すべきシリコンウェーハ１１０は、エッチングチャンバ１０４内に搬送された後、静電吸着方式の電極１０６のヘッド部に固定される。エッチングガス導入部１０５からのガス導入と排気口１０９からの流出量を調整して、チャンバ１０４内の圧力を調整した後、マグネトロン１０１から放出されたマイクロ波は導波管１０２を通して伝搬し、チャンバ周辺のコイル１０３による磁場との相互作用によってプラズマが発生する。シリコンウェーハ１１０に入射するイオンのエネルギーは、電極にブロッキングコンデンサ１０８を通して接続された高周波電源１０７の出力によって制御した。
【００３９】
〈実施例２〉
上記実施例１において、高周波電力のみを２００Ｗに低下させ、他は同じ条件でエッチングを行った。その結果、エッチレートは約６００ｎｍ／分とやや低下したが、シリコン酸化膜とシリコンとの選択比は約３０倍に向上した。また、得られた孔パターンの断面形状は、図３（ａ）に示したように、孔パターンの底部に向かうに従って直径が小さくなる順テーパ形状であった。また、孔パターンの側面上には側壁堆積膜２０６が堆積されていたが、この堆積膜２０６は、それに続いて行われる酸素プラズマによるレジスト２０３の灰化処理によって、図３（ｂ）に示したように容易にに除去された。
【００４０】
〈実施例３〉
本実施例は、エッチングガスとしてＣＦ_３Ｉを用いた例である。ただし、ＣＦ_３Ｉ単独ではシリコン酸化膜とシリコンの間のエッチング選択比が不十分なので、添加ガスとしてＣＨ_２Ｆ_２を混合した。主なエッチング条件は下記の通りである。
【００４１】
ガス…ＣＦ_３Ｉ／ＣＨ_２Ｆ_２
ガス流量…２０／５ｓｃｃｍ
ガス圧力…３ｍＴｏｒｒ
マイクロ波出力…２００Ｗ
高周波電力…２００Ｗ
電極温度…０℃
その結果、シリコン酸化膜のエッチングレートは約８００ｎｍ／分、シリコン酸化膜とシリコンとの選択比は約２０倍であった。この場合、ＣＨ_２Ｆ_２ガスの混合比を高くすれば、シリコン酸化膜とシリコンとの選択比をさらに高くできることが確認された。このことは、エッチングガスとしてＣ_２Ｆ_５Ｉやその他のフルオロヨードカーボンガスを用いた場合でも同じであり、ＣＨ_２Ｆ_２、ＣＯあるいはＨ_２ガスをエッチングガスに添加し、これらの添加ガスの混合比を高くすることによって、シリコン酸化膜とシリコンとの選択比を高くすることができる。
【００４２】
ただし、添加ガスの混合比が過度に高くなると、シリコン上やレジスト膜上に堆積された堆積膜の除去が困難になり、場合によっては孔パターンの表面に強固で除去が困難な堆積膜が形成されてしまうので、孔パターンの孔径が小さい場合は、シリコン酸化膜のエッチングが停止してしまう現象が生じる。目安としては上記添加ガスの混合比は５０％以下にすればがよい。
【００４３】
〈実施例４〉
本実施例は、フルオロヨードカーボンガスに希ガスを混合してエッチングガスとして用いた例である。例えば、Ｃ_２ＨＦ_４Ｉのようにガス分子中に水素を構成元素として含む場合、高い選択比が得やすいので、本実施例は、希ガスを添加して、さらにエッチングレートを高くした。エッチング条件は下記の通りである。
【００４４】
エッチングス…Ａｒ／Ｃ_２ＨＦ_４Ｉ
ガス流量…１００／２５ｓｃｃｍ
ガス圧力…１０ｍＴｏｒｒ
マイクロ波出力…２００Ｗ
高周波電力…２００Ｗ
電極温度…０℃
この条件でエッチングを行ったところ、シリコン酸化膜のエッチングレートは約１０００ｎｍ／分であり、シリコン酸化膜とシリコンとの選択比は約３０倍であった。
【００４５】
なお、本実施例はシリコン酸化膜をエッチした例であるが、このシリコン酸化膜は、熱酸化膜のみではなく、プラズマや熱を利用したＣＶＤによって形成された酸化膜、ＳＯＧのような塗布ガラス膜、さらにはこれらの積層膜のエッチングに対しても有効であることはいうまでもない。
【００４６】
〈実施例５〉
本実施例は、ＣＦ_３ＩガスにＯ_２ガスを添加した混合ガスによって生成されたプラズマを用いて、処理室および処理室周辺部分におけるＷのクリーニング効果を測定した例である。
【００４７】
表面上にＷが堆積されたシリコンウェーハを、図１に示したエッチング装置内に導入し、下記放電条件で放電を行ってＷの除去速度を測定した。
ＣＦ_３Ｉ流量…６ｍｌ／ｍｉｎ
Ｏ２流量…４ｍｌ／ｍｉｎ
圧力…３０ｍＴｏｒｒ
マイクロ波出力…２００Ｗ
ただし、ウェーハ支持電極には高周波電力は印加しないで、ウェーハの状態が処理室内壁の状態と等価的になるようにして、ウエーハ上におけるＷ膜の膜厚の減少から、処理室および処理室周辺部分におけるＷのクリーニングの特性を求めた。また、ウェーハの温度は４０℃とした。
【００４８】
その結果、ウェーハ表面におけるＷの除去速度は８０ｎｍ／ｍｉｎであった。堆積装置のクリーニングにおいては、ウェーハサセプタの温度は数１００℃以上にするのが一般的であるから、サセプタのクリーニング速度はさらに高くなることは明らかである。
【００４９】
このことから、Ｗ堆積装置においても、ウェーハサセプタや処理室の内壁上に堆積したＷを十分に除去できることが確認された。また、多結晶シリコン、アモルファスシリコンおよびシリコン酸化膜の除去速度は、通常タングステンの除去速度と同等かそれ以上であることが知られているので、これらの膜を堆積する装置の処理室のクリーニングにも、本発明が有効であることはいうまでもない。
【００５０】
【発明の効果】
上記説明から明らかなように、フルオロヨードカーボンガスを含むガスにより生成したプラズマを、堆積装置やエッチング装置のクリーニングに用いることにより、地球温暖化への影響が低く、堆積物の除去も良好なクリーニングを容易に行うことができる。エッチングプロセスに適用した場合おいては、酸化シリコンや窒化シリコンをシリコンに対して選択的にエッチングすることができるとともに、５ｍＴｏｒｒ以下の圧力でも安定した低解離のプラズマを生成することができるので、シリコン酸化膜に０．１μｍから０．２μｍの直径の孔パターンを容易に形成することができる。また、フルオロヨードカーボンガスは解離しやすいため、大口径プラズマを安定して生成することができ、１２インチウェーハを均一にエッチングすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に用いたエッチング装置の処理室の断面図。
【図２】本発明の実施例を示す断面図。
【図３】本発明の実施例を示す断面図。
【符号の説明】
１０１…マイクロ波発生用マグネトロン、１０２…導波管、１０３…コイル、１０４…チャンバ、１０５…ガス導入部、１０６…静電チャック、１０７…高周波電源、１０８…ブロッキングコンデンサ、１０９…排気口、１１０…ウェーハ、２０１…シリコン基板、２０２…シリコン酸化膜、２０３…レジスト、２０４…レジストの孔パターン、２０５…シリコン酸化膜の孔パターン、２０６…側壁堆積膜。

Claims

半導体基板の表面上に形成されている酸化シリコン若しくは窒化シリコンからなる被除去物を、Ｃ₂Ｆ₅Ｉ、Ｃ₃Ｆ₇Ｉ、Ｃ₄Ｆ₉ＩおよびＣ₂ＨＦ₄Ｉからなる群から選択されるガスのプラズマを用い、上記プラズマを生成するための放電パワーは１００Ｗ以上、４００Ｗ以下、上記ガスの流量は１０ｓｃｃｍ以上、２００ｓｃｃｍ以下で除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
半導体基板の表面上に形成されている酸化シリコン若しくは窒化シリコンからなる被除去物を、ＣＦ₃Ｉ、Ｃ₂Ｆ₅Ｉ、Ｃ₃Ｆ₇Ｉ、Ｃ₄Ｆ₉ＩおよびＣ₂ＨＦ₄Ｉからなる群から選択されるガスに炭酸ガス、ハイドロフルオロカーボンガスおよび水素ガスからなる群から選択されるガスを加えた混合ガスのプラズマを用い、上記プラズマを生成するための放電パワーは１００Ｗ以上、４００Ｗ以下、上記ガスの流量は１０ｓｃｃｍ以上、２００ｓｃｃｍ以下で除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
上記ハイドロフルオロカーボンガスはＣＨ₂Ｆ₂若しくはＣＨ₃Ｆであることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
上記半導体基板の上には所定の形状を有する有機物膜からなるマスクが形成され、上記半導体基板が置かれた電極の温度は５０℃以下−５０℃以上に保たれることを特徴とする請求項１から３のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法。