JPH0786222A - 基板洗浄装置 - Google Patents

基板洗浄装置

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JPH0786222A
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博嗣 熊澤
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重美 藤山
Futoshi Shimai
太 島井
Hirohito Sago
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    • B08B2203/02—Details of machines or methods for cleaning by the force of jets or sprays
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 基板の洗浄を短時間で効果的に行う。 【構成】 モータ２０の軸に固着したプーリ２１と中空
軸１９の上端に固着したプーリ２２との間にベルト２３
を張設して中空軸１９を回転せしめるようにし、この中
空軸１９の下端にディスクブラシ２４を取り付け、また
中空軸１９内にディスクブラシ２４内に洗浄液を供給す
るパイプ２５が臨み、このパイプ２５にはチューブ２６
から洗浄液が供給される。更に、ディスクブラシ２４か
らは側方にブラケット２７，２７が伸び、これらブラケ
ット２７，２７に超音波ノズル２８，２８を取り付け、
これら超音波ノズル２８，２８にはチューブ２９，２９
を介して洗浄液を供給するようにしている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はガラス基板等の表面に付
着している微細なゴミを洗浄する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばガラス基板の一面にＴＦＴ（薄膜
トランジスタ）を形成したカラー液晶基板を製作するに
は、半導体ウェハ上にデバイスを形成する場合と同様に
被膜の形成等多くの表面処理工程を経て製作される。
【０００３】ここで、表面処理を行う前後にガラス基板
表面にゴミが付着していると、歩留り低下の原因となる
ので、従来から表面処理を行う前後には必ず洗浄処理を
行っている。斯かる洗浄処理を行なう装置としてディス
クブラシ或いはロールブラシで表面に付着しているゴミ
を排出するものが知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したようにブラシ
によってゴミを排除する場合には、ブラシにゴミが付着
し、洗浄能力が低下しやすく、また洗浄能力自体も十分
でなく洗浄時間がかかる不利がある。しかも、表面に傷
をつける恐れがあり問題となっている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明に係る洗浄装置は、基板を回転せしめるテーブルに
対し相対的な水平位置が可変とされたディスクブラシ
と、このディスクブラシと基板表面との間に洗浄水を噴
出する超音波ノズルとを一体的に移動せしめるようにし
た。
【０００６】
【作用】ディスクブラシの回転による水流により基板表
面からゴミを離脱せしめ、超音波ノズルからの振動した
洗浄液で上記の離脱を助長する。しかも、基板表面には
損傷を与えない。
【０００７】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。ここで、図１は本発明に係る基板洗浄装置の
全体平面図、図２はディスクブラシと超音波ノズルの移
動機構の縦断面図、図３はディスクブラシと超音波ノズ
ルの拡大断面図であり、基板洗浄装置１は図１に示すよ
うに、洗浄を行うステージＳ１と濯ぎと乾燥を行うステ
ージＳ２からなり、各ステージＳ１，Ｓ２にはガラス基
板Ｗを回転せしめるテーブル２，３が配置され、ステー
ジＳ１，Ｓ２間にはガラス基板Ｗの搬送路４が設けられ
ている。
【０００８】また、洗浄を行うステージＳ１に隣接して
ディスクブラシと超音波ノズルの移動機構１０を設けて
いる。この移動機構１０は図２に示すように、洗浄装置
１の本体内にベース１１を配置し、このベース１１上に
レール１２を設け、このレール１２に支持台１３を係合
し、この支持台１３の一部に設けたナット部１４をモー
タ１５によって回転せしめられるスクリューシャフト１
６に螺合し、支持台１３を図２において左右方向に移動
可能としている。
【０００９】支持台１３の上部には中空アーム１７の基
部を取り付け、この中空アーム１７の先端には筒体１８
を垂下し、この筒体１８内に中空軸１９を回転自在に支
承している。
【００１０】また、中空アーム１７内の基部にはモータ
２０を設け、このモータ２０の軸に固着したプーリ２１
と前記中空軸１９の上端に固着したプーリ２２との間に
ベルト２３を張設し、モータ２０にて中空軸１９を回転
せしめるようにしている。
【００１１】そして、前記中空軸１９の下端にはディス
クブラシ２４が取り付けられ、また中空軸１９内にはデ
ィスクブラシ２４内に洗浄液を供給するパイプ２５が臨
み、このパイプ２５にはチューブ２６から洗浄液が供給
される。更に、ディスクブラシ２４からは側方にブラケ
ット２７，２７が伸び、これらブラケット２７，２７に
超音波ノズル２８，２８を取り付け、これら超音波ノズ
ル２８，２８にはチューブ２９，２９を介して洗浄液を
供給するようにしている。尚、それぞれの超音波ノズル
では異なる波長の超音波を印加するようにしている。
【００１２】以上において、洗浄を行うには、ステージ
Ｓ１のテーブル２上にガラス基板Ｗを載置してテーブル
２とともにガラス基板Ｗを回転せしめる。この回転速度
は回転塗布に比べて小さく、したがって吸着等によって
ガラス基板Ｗを固着する必要はない。
【００１３】そして、ガラス基板Ｗを回転させつつパイ
プ２５及び超音波ノズル２８から洗浄液を供給しつつデ
ィスクブラシ２４を回転せしめて、ガラス基板Ｗ表面に
付着しているゴミを表面から離脱せしめる。ここで、デ
ィスクブラシ２４による洗浄は、ブラシの下端部をガラ
ス基板Ｗ表面から若干浮せた状態でディスクブラシ２４
を回転させて行う。即ち、洗浄はディスクブラシ２４を
接触させて行う掻き取りではなく、ディスクブラシ２４
の回転によって洗浄液に泡立ち現象を起こさせ、これに
より基板表面を傷付けることなくゴミを離脱する。
【００１４】また、超音波ノズル２８はその軸線がディ
スクブラシ２４方向に傾いており、且つディスクブラシ
２４から伸びるブラケット２７に取り付けられているの
で、ディスクブラシ２４の回転とともに超音波ノズル２
８もその周囲を回転し、ディスクブラシ２４とガラス基
板Ｗ表面との間に洗浄水を供給し、ディスクブラシ２４
に付着しているゴミ等を洗い落とす。そして、ガラス基
板Ｗの全面を洗浄するには図１に示すようにアーム１７
を水平面内で揺動せしめることで行う。
【００１５】尚、実施例としては基板としてガラス基板
を示したが、半導体ウェハ等の基板でもよい。また、超
音波ノズルは１つでもよい。
【００１６】
【発明の効果】以上に説明したように本発明に係る被膜
処理前後の基板表面の洗浄装置は、ディスクブラシと超
音波ノズルとを基板表面に対し一体的に水平動可能と
し、超音波ノズルからディスクブラシと基板表面との間
に洗浄水を供給しつつ洗浄を行うようにしたので、ディ
スクブラシに付着したゴミ等を効果的に取り除くことが
できるとともに洗浄効果自体も促進され、洗浄に要する
時間を大巾に短縮することができる。
【００１７】特に、それぞれ異なる超音波を印加する超
音波ノズルをディスクブラシを中心として対向する位置
に配置することで、超音波による洗浄効果を更に向上す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板洗浄装置の全体平面図
【図２】ディスクブラシと超音波ノズルの移動機構の縦
断面図
【図３】ディスクブラシと超音波ノズルの拡大断面図
【符号の説明】
１…基板洗浄装置、２…テーブル、１０…移動機構、１
７…アーム、２４…ディスクブラシ、２８…超音波ノズ
ル、Ｓ１…洗浄ステージ、Ｓ２…濯ぎステージ、Ｗ…基
板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐合 宏仁 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板表面に存在するゴミを排除する洗浄
    装置において、この洗浄装置は基板を回転せしめるテー
    ブルと、このテーブルに対し相対的な水平位置が可変と
    されたディスクブラシと、このディスクブラシと一体的
    に移動するとともにディスクブラシと基板表面との間に
    洗浄水を噴出する超音波ノズルとを備えていることを特
    徴とする基板洗浄装置。
  2. 【請求項２】 前記超音波ノズルはディスクブラシを中
    心として対向する位置に一対以上設けられ、それぞれの
    ノズルで印加される超音波の波長が異なることを特徴と
    する請求項１に記載の基板洗浄装置。
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Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10308370A (ja) * 1997-05-08 1998-11-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置
WO2000059006A1 (en) * 1999-03-30 2000-10-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor wafer cleaning apparatus and method
KR20010054422A (ko) * 1999-12-06 2001-07-02 김광교 크리닝 장치
US6345630B2 (en) 1998-11-11 2002-02-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning the edge of a thin disc
KR100333059B1 (ko) * 1998-11-14 2002-10-25 삼성전자 주식회사 웨이퍼세정방법및이를수행하기위한세정장치
KR100405449B1 (ko) * 2000-10-30 2003-11-15 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼용 세정장치
WO2003088324A3 (en) * 2002-04-11 2004-03-18 Applied Materials Inc Method and apparatus for wafer cleaning
KR20040029578A (ko) * 2002-10-01 2004-04-08 주식회사 실트론 초음파 세정기를 이용한 웨이퍼 세정 장치
US6810548B2 (en) 2000-03-08 2004-11-02 Sharp Kabushiki Kaisha Cleaning apparatus
US6904637B2 (en) 2001-10-03 2005-06-14 Applied Materials, Inc. Scrubber with sonic nozzle
US8372210B2 (en) 2003-10-27 2013-02-12 Applied Materials, Inc. Post CMP scrubbing of substrates
JP2013526054A (ja) * 2010-04-30 2013-06-20 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 流体ジェットを伴うディスクブラシ洗浄装置モジュール
JP2013206983A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
CN103386406A (zh) * 2013-08-08 2013-11-13 常州市科沛达超声工程设备有限公司 晶圆片生产工序间的双面刷洗设备
CN106040627A (zh) * 2015-04-17 2016-10-26 光全球半导体有限公司 晶片清洁方法和用于该方法中的晶片清洁装置
WO2017162442A1 (en) * 2016-03-21 2017-09-28 Suss Microtec Photomask Equipment Gmbh & Co. Kg A method and an apparatus for cleaning substrates
JP2017195335A (ja) * 2016-04-22 2017-10-26 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置
CN107470194A (zh) * 2017-09-18 2017-12-15 李刚 一种心内科用呼吸罩清洗装置
CN108780746A (zh) * 2016-03-08 2018-11-09 株式会社荏原制作所 基板清洗装置、基板清洗方法、基板处理装置以及基板干燥装置
CN109712927A (zh) * 2018-12-28 2019-05-03 天津洙诺科技有限公司 一种半导体晶片清洗机

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6743723B2 (en) 1995-09-14 2004-06-01 Canon Kabushiki Kaisha Method for fabricating semiconductor device
TW364165B (en) * 1996-11-29 1999-07-11 Canon Kk Method for fabricating semiconductor device

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10308370A (ja) * 1997-05-08 1998-11-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置
US6345630B2 (en) 1998-11-11 2002-02-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning the edge of a thin disc
KR100333059B1 (ko) * 1998-11-14 2002-10-25 삼성전자 주식회사 웨이퍼세정방법및이를수행하기위한세정장치
WO2000059006A1 (en) * 1999-03-30 2000-10-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor wafer cleaning apparatus and method
KR20010054422A (ko) * 1999-12-06 2001-07-02 김광교 크리닝 장치
US6810548B2 (en) 2000-03-08 2004-11-02 Sharp Kabushiki Kaisha Cleaning apparatus
KR100405449B1 (ko) * 2000-10-30 2003-11-15 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼용 세정장치
US7063749B2 (en) 2001-10-03 2006-06-20 Applied Materials Scrubber with sonic nozzle
US6904637B2 (en) 2001-10-03 2005-06-14 Applied Materials, Inc. Scrubber with sonic nozzle
WO2003088324A3 (en) * 2002-04-11 2004-03-18 Applied Materials Inc Method and apparatus for wafer cleaning
KR20040029578A (ko) * 2002-10-01 2004-04-08 주식회사 실트론 초음파 세정기를 이용한 웨이퍼 세정 장치
US8372210B2 (en) 2003-10-27 2013-02-12 Applied Materials, Inc. Post CMP scrubbing of substrates
JP2013526054A (ja) * 2010-04-30 2013-06-20 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 流体ジェットを伴うディスクブラシ洗浄装置モジュール
JP2013206983A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
CN103386406A (zh) * 2013-08-08 2013-11-13 常州市科沛达超声工程设备有限公司 晶圆片生产工序间的双面刷洗设备
CN106040627A (zh) * 2015-04-17 2016-10-26 光全球半导体有限公司 晶片清洁方法和用于该方法中的晶片清洁装置
CN108780746A (zh) * 2016-03-08 2018-11-09 株式会社荏原制作所 基板清洗装置、基板清洗方法、基板处理装置以及基板干燥装置
US11676827B2 (en) 2016-03-08 2023-06-13 Ebara Corporation Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, substrate processing apparatus, and substrate drying apparatus
CN108780746B (zh) * 2016-03-08 2024-03-22 株式会社荏原制作所 基板清洗装置、基板清洗方法、基板处理装置以及基板干燥装置
WO2017162442A1 (en) * 2016-03-21 2017-09-28 Suss Microtec Photomask Equipment Gmbh & Co. Kg A method and an apparatus for cleaning substrates
JP2017195335A (ja) * 2016-04-22 2017-10-26 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置
CN107470194A (zh) * 2017-09-18 2017-12-15 李刚 一种心内科用呼吸罩清洗装置
CN109712927A (zh) * 2018-12-28 2019-05-03 天津洙诺科技有限公司 一种半导体晶片清洗机

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JP3155652B2 (ja) 2001-04-16
KR100299333B1 (ko) 2001-12-01
KR950009958A (ko) 1995-04-26

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