JPH10106918A - 処理液吐出ノズルおよび基板処理装置 - Google Patents
処理液吐出ノズルおよび基板処理装置Info
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- JPH10106918A JPH10106918A JP25445696A JP25445696A JPH10106918A JP H10106918 A JPH10106918 A JP H10106918A JP 25445696 A JP25445696 A JP 25445696A JP 25445696 A JP25445696 A JP 25445696A JP H10106918 A JPH10106918 A JP H10106918A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大面積の基板上に処理液を均一に供給するこ
とができる処理液吐出ノズルおよびそれを備えた基板処
理装置を提供することである。 【解決手段】 現像液ノズルアームの先端に取り付けら
れた現像ノズル保持部材５の下面に基板１の半径方向に
沿って複数の現像ノズル１０を取り付ける。各現像ノズ
ル１０は、ノズル本体１１の下面の中央部に下方に向か
って漸次径大となる傘部１２を有し、傘部１２の頂部の
周囲におけるノズル本体１１に複数の吐出孔１３が形成
されている。各現像ノズル１０をそれぞれマスフローコ
ントローラ１４を介してバッファタンク１５に接続する
ことにより、各現像ノズル１０の吐出流量をそれぞれ独
立に制御可能とする。
とができる処理液吐出ノズルおよびそれを備えた基板処
理装置を提供することである。 【解決手段】 現像液ノズルアームの先端に取り付けら
れた現像ノズル保持部材５の下面に基板１の半径方向に
沿って複数の現像ノズル１０を取り付ける。各現像ノズ
ル１０は、ノズル本体１１の下面の中央部に下方に向か
って漸次径大となる傘部１２を有し、傘部１２の頂部の
周囲におけるノズル本体１１に複数の吐出孔１３が形成
されている。各現像ノズル１０をそれぞれマスフローコ
ントローラ１４を介してバッファタンク１５に接続する
ことにより、各現像ノズル１０の吐出流量をそれぞれ独
立に制御可能とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、処理液吐出ノズル
およびそれを備えた基板処理装置に関する。
およびそれを備えた基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基
板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の
基板に所定の処理を行うために基板処理装置が用いられ
ている。このような基板処理装置では、基板を水平姿勢
で回転させながらその表面に処理液吐出ノズルからフォ
トレジスト液、現像液、洗浄液等の処理液を供給するこ
とにより基板の表面処理を行う。
板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の
基板に所定の処理を行うために基板処理装置が用いられ
ている。このような基板処理装置では、基板を水平姿勢
で回転させながらその表面に処理液吐出ノズルからフォ
トレジスト液、現像液、洗浄液等の処理液を供給するこ
とにより基板の表面処理を行う。
【０００３】例えば、現像装置は、基板を水平に保持し
て鉛直軸の周りで回転させる回転保持部と、基板の表面
に現像液を供給する現像ノズルとを備える。現像ノズル
は、水平面内で回動自在に設けられた現像ノズルアーム
の先端部に取り付けられており、基板の上方位置と待機
位置との間を移動することができる。現像処理時には、
現像ノズルが基板の上方に移動し、基板上の感光性膜に
現像液を供給する。供給された現像液は、基板の回転に
よって基板の全面に塗り広げられ、感光性膜と接触す
る。表面張力により基板上に現像液を保持した状態で一
定時間基板を静止させること（液盛り）により感光性膜
の現像が行われる。
て鉛直軸の周りで回転させる回転保持部と、基板の表面
に現像液を供給する現像ノズルとを備える。現像ノズル
は、水平面内で回動自在に設けられた現像ノズルアーム
の先端部に取り付けられており、基板の上方位置と待機
位置との間を移動することができる。現像処理時には、
現像ノズルが基板の上方に移動し、基板上の感光性膜に
現像液を供給する。供給された現像液は、基板の回転に
よって基板の全面に塗り広げられ、感光性膜と接触す
る。表面張力により基板上に現像液を保持した状態で一
定時間基板を静止させること（液盛り）により感光性膜
の現像が行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、生産性の向上の
ために、基板が大径化しつつあり、広い面積に均一に現
像液を供給する必要が生じている。広い面積に現像液を
供給するためには、現像液の吐出流量を増大させる必要
がある。
ために、基板が大径化しつつあり、広い面積に均一に現
像液を供給する必要が生じている。広い面積に現像液を
供給するためには、現像液の吐出流量を増大させる必要
がある。
【０００５】しかしながら、従来の現像ノズルにおいて
現像液の吐出流量を増大させると、現像液により基板に
与えられる衝撃が大きくなり、基板表面の全域に現像液
を均等な圧力で供給することが困難となる。それによ
り、基板上に現像液を緩やかに供給するという従来の現
像ノズルの利点が相殺される。また、基板が大径化する
に伴い、基板上に形成されるパターンの線幅のばらつき
は大きくなると考えられる。
現像液の吐出流量を増大させると、現像液により基板に
与えられる衝撃が大きくなり、基板表面の全域に現像液
を均等な圧力で供給することが困難となる。それによ
り、基板上に現像液を緩やかに供給するという従来の現
像ノズルの利点が相殺される。また、基板が大径化する
に伴い、基板上に形成されるパターンの線幅のばらつき
は大きくなると考えられる。
【０００６】一方、基板上に形成されるパターンの線幅
のばらつきを小さくするために、基板上に供給された現
像液を静止させた後、新たな現像液を供給する方式（い
わゆるダブルパドル方式）や、現像ノズルを基板の半径
方向に走査するスキャン方式が提案されている。しかし
ながら、従来の現像ノズルでは、大面積の基板上に現像
液を供給する際にこれらの方式を効果的に実現すること
が困難である。
のばらつきを小さくするために、基板上に供給された現
像液を静止させた後、新たな現像液を供給する方式（い
わゆるダブルパドル方式）や、現像ノズルを基板の半径
方向に走査するスキャン方式が提案されている。しかし
ながら、従来の現像ノズルでは、大面積の基板上に現像
液を供給する際にこれらの方式を効果的に実現すること
が困難である。
【０００７】本発明の目的は、大面積の基板上に処理液
を均一に供給することができる処理液吐出ノズルおよび
それを備えた基板処理装置を提供することである。
を均一に供給することができる処理液吐出ノズルおよび
それを備えた基板処理装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段および発明の効果】第１の
発明に係る基板処理装置は、基板上に処理液吐出ノズル
から処理液を供給する基板処理装置において、複数の処
理液吐出ノズルを保持して処理液吐出時に複数の処理液
吐出ノズルを基板の半径方向に配置するノズル保持手段
が設けられ、複数の処理液吐出ノズルの各々が、ノズル
本体の下面の中央部に下方に向かって漸次径大となる傘
部を有し、傘部の頂部の周囲におけるノズル本体の下面
に１または複数の吐出孔が形成されたものである。
発明に係る基板処理装置は、基板上に処理液吐出ノズル
から処理液を供給する基板処理装置において、複数の処
理液吐出ノズルを保持して処理液吐出時に複数の処理液
吐出ノズルを基板の半径方向に配置するノズル保持手段
が設けられ、複数の処理液吐出ノズルの各々が、ノズル
本体の下面の中央部に下方に向かって漸次径大となる傘
部を有し、傘部の頂部の周囲におけるノズル本体の下面
に１または複数の吐出孔が形成されたものである。
【０００９】第２の発明に係る基板処理装置は、第１の
発明に係る基板処理装置の構成において、複数の処理液
吐出ノズルに供給される処理液の流量をそれぞれ独立に
制御する流量制御手段がさらに設けられたものである。
発明に係る基板処理装置の構成において、複数の処理液
吐出ノズルに供給される処理液の流量をそれぞれ独立に
制御する流量制御手段がさらに設けられたものである。
【００１０】第３の発明に係る基板処理装置は、第１お
よび第２の発明に係る基板処理装置の構成において、基
板の周縁部に近い処理液吐出ノズルほど大きい径の吐出
孔を有するものである。
よび第２の発明に係る基板処理装置の構成において、基
板の周縁部に近い処理液吐出ノズルほど大きい径の吐出
孔を有するものである。
【００１１】第１〜第３の発明に係る基板処理装置にお
いては、処理液吐出時に、複数の処理液吐出ノズルが基
板の半径方向に配列される。各処理液吐出ノズルの吐出
孔から吐出される処理液は傘部の外周面に沿って広がる
ように流れ、基板上に緩やかに供給される。これによ
り、大流量の処理液を広範囲にわたって緩やかに吐出す
ることができ、大面積の基板上の表面の全域に処理液を
均一に供給することができる。
いては、処理液吐出時に、複数の処理液吐出ノズルが基
板の半径方向に配列される。各処理液吐出ノズルの吐出
孔から吐出される処理液は傘部の外周面に沿って広がる
ように流れ、基板上に緩やかに供給される。これによ
り、大流量の処理液を広範囲にわたって緩やかに吐出す
ることができ、大面積の基板上の表面の全域に処理液を
均一に供給することができる。
【００１２】また、基板の半径方向に配列された複数の
処理液吐出ノズルにより、疑似的なスキャン吐出が可能
となる。特に、第２の発明に係る基板処理装置において
は、各処理液吐出ノズルに供給される処理液の流量がそ
れぞれ独立に制御されるので、吐出量および吐出位置を
容易に変更することができる。また、基板の半径方向に
おいて処理液が均一に供給されるように半径方向で処理
液の吐出流量を変化させることも可能となる。
処理液吐出ノズルにより、疑似的なスキャン吐出が可能
となる。特に、第２の発明に係る基板処理装置において
は、各処理液吐出ノズルに供給される処理液の流量がそ
れぞれ独立に制御されるので、吐出量および吐出位置を
容易に変更することができる。また、基板の半径方向に
おいて処理液が均一に供給されるように半径方向で処理
液の吐出流量を変化させることも可能となる。
【００１３】また、第３の発明に係る基板処理装置にお
いては、基板の周縁部に近い処理液吐出ノズルほど大き
い径の吐出孔を有するので、基板の中心部に比べて基板
の周縁部に近いほど処理液の吐出流量が多くなる。これ
により、基板の半径方向で処理液を均一に供給すること
ができる。
いては、基板の周縁部に近い処理液吐出ノズルほど大き
い径の吐出孔を有するので、基板の中心部に比べて基板
の周縁部に近いほど処理液の吐出流量が多くなる。これ
により、基板の半径方向で処理液を均一に供給すること
ができる。
【００１４】第４の発明に係る基板処理装置は、基板を
処理液吐出ノズルに対して相対的に回転させながら基板
上に処理液吐出ノズルから処理液を供給する基板処理装
置において、処理液吐出ノズルが、ノズル本体の下面の
中央部に下方に向かって漸次径大となる傘部を有し、傘
部の頂部の周囲におけるノズル本体の下面に１または複
数の吐出孔が形成され、傘部の外周面上における基板の
回転方向の後方側に壁部が設けられたものである。
処理液吐出ノズルに対して相対的に回転させながら基板
上に処理液吐出ノズルから処理液を供給する基板処理装
置において、処理液吐出ノズルが、ノズル本体の下面の
中央部に下方に向かって漸次径大となる傘部を有し、傘
部の頂部の周囲におけるノズル本体の下面に１または複
数の吐出孔が形成され、傘部の外周面上における基板の
回転方向の後方側に壁部が設けられたものである。
【００１５】第４の発明に係る基板処理装置において
は、傘部の外周面上における基板の回転方向の後方側に
壁部が設けられているので、吐出孔から吐出された処理
液が壁部により基板の回転方向の後方側に流動すること
が阻止され、基板の回転方向の前方側にのみ供給され
る。この場合、基板の表面に供給された処理液の流動方
向が基板の表面の進行方向と一致するため、基板表面に
与えられる衝撃力が小さくなる。その結果、泡の発生お
よび泡の巻き込みが生じにくくなり、処理液が基板の表
面に滑らかに広がり、短時間で均質な液盛りが可能とな
る。
は、傘部の外周面上における基板の回転方向の後方側に
壁部が設けられているので、吐出孔から吐出された処理
液が壁部により基板の回転方向の後方側に流動すること
が阻止され、基板の回転方向の前方側にのみ供給され
る。この場合、基板の表面に供給された処理液の流動方
向が基板の表面の進行方向と一致するため、基板表面に
与えられる衝撃力が小さくなる。その結果、泡の発生お
よび泡の巻き込みが生じにくくなり、処理液が基板の表
面に滑らかに広がり、短時間で均質な液盛りが可能とな
る。
【００１６】第５の発明に係る基板処理装置は、基板上
に処理液吐出ノズルから処理液を供給する基板処理装置
において、処理液吐出ノズルが、ノズル本体の下面の中
央部に下方に向かって漸次径大となる傘部を有し、傘部
の頂部の周囲におけるノズル本体の下面に１または複数
の吐出孔が形成され、傘部の直径が基板の半径のほぼ５
分の１以上に形成されたものである。
に処理液吐出ノズルから処理液を供給する基板処理装置
において、処理液吐出ノズルが、ノズル本体の下面の中
央部に下方に向かって漸次径大となる傘部を有し、傘部
の頂部の周囲におけるノズル本体の下面に１または複数
の吐出孔が形成され、傘部の直径が基板の半径のほぼ５
分の１以上に形成されたものである。
【００１７】第５の発明に係る基板処理装置において
は、処理液吐出ノズルの傘部の直径が基板の半径のほぼ
５分の１以上に形成されているので、大流量の処理液を
広範囲に緩やかに供給することができる。したがって、
大面積の基板上に処理液を均一に供給することが可能と
なる。
は、処理液吐出ノズルの傘部の直径が基板の半径のほぼ
５分の１以上に形成されているので、大流量の処理液を
広範囲に緩やかに供給することができる。したがって、
大面積の基板上に処理液を均一に供給することが可能と
なる。
【００１８】第６の発明に係る基板処理装置は、基板上
に処理液吐出ノズルから処理液を供給する基板処理装置
において、処理液吐出ノズルが、ノズル本体の下面の中
央部に下方に向かって漸次径大となる傘部を有し、傘部
の中心に対して基板の周縁部側におけるノズル本体の下
面に吐出孔が形成されたものである。
に処理液吐出ノズルから処理液を供給する基板処理装置
において、処理液吐出ノズルが、ノズル本体の下面の中
央部に下方に向かって漸次径大となる傘部を有し、傘部
の中心に対して基板の周縁部側におけるノズル本体の下
面に吐出孔が形成されたものである。
【００１９】第６の発明に係る基板処理装置において
は、吐出孔が傘部の中心に対して基板の周縁部側に形成
されているので、吐出孔から吐出された処理液のうち基
板の周縁部側に供給される処理液の量が基板の中心部側
に供給される処理液の量よりも多くなる。それにより、
基板の半径方向で処理液を均一に供給することができ
る。
は、吐出孔が傘部の中心に対して基板の周縁部側に形成
されているので、吐出孔から吐出された処理液のうち基
板の周縁部側に供給される処理液の量が基板の中心部側
に供給される処理液の量よりも多くなる。それにより、
基板の半径方向で処理液を均一に供給することができ
る。
【００２０】第７の発明に係る基板処理装置は、基板上
に処理液吐出ノズルから処理液を供給する基板処理装置
において、処理液吐出ノズルが、ノズル本体の下面の中
央部に下方に向かって漸次径大となる傘部を有し、傘部
の頂部の周囲におけるノズル本体の下面に複数の吐出孔
が形成され、複数の吐出孔の径が基板の周縁部に近いほ
ど大きく設定されたものである。
に処理液吐出ノズルから処理液を供給する基板処理装置
において、処理液吐出ノズルが、ノズル本体の下面の中
央部に下方に向かって漸次径大となる傘部を有し、傘部
の頂部の周囲におけるノズル本体の下面に複数の吐出孔
が形成され、複数の吐出孔の径が基板の周縁部に近いほ
ど大きく設定されたものである。
【００２１】第７の発明に係る基板処理装置において
は、複数の吐出孔の径が基板の周縁部に近いほど大きく
設定されているので、基板の中心部に比べて基板の周縁
部に近いほど供給される処理液の量が多くなる。それに
より、基板の半径方向で処理液を均一に供給することが
できる。
は、複数の吐出孔の径が基板の周縁部に近いほど大きく
設定されているので、基板の中心部に比べて基板の周縁
部に近いほど供給される処理液の量が多くなる。それに
より、基板の半径方向で処理液を均一に供給することが
できる。
【００２２】第８の発明に係る処理液吐出ノズルは、ノ
ズル本体の下面の中央部に下方に向かって漸次径大とな
る傘部を有し、傘部の頂部の周囲におけるノズル本体の
下面に１または複数の吐出孔が形成され、傘部の外周面
上の一部に壁部が設けられたものである。
ズル本体の下面の中央部に下方に向かって漸次径大とな
る傘部を有し、傘部の頂部の周囲におけるノズル本体の
下面に１または複数の吐出孔が形成され、傘部の外周面
上の一部に壁部が設けられたものである。
【００２３】第８の発明に係る処理液吐出ノズルにおい
ては、傘部の外周面上の一部に壁部が設けられているの
で、その壁部により吐出孔から吐出される処理液が特定
の方向に流れることが阻止される。したがって、壁部が
基板の回転方向の後方側に位置するように処理液吐出ノ
ズルを配置すると、吐出孔から吐出される処理液が基板
の回転方向の前方側にのみ供給される。この場合、基板
表面に供給される処理液の流動方向が基板の表面の進行
方向と一致するので、基板表面に与えられる衝撃力が小
さくなる。その結果、泡の発生および泡の巻き込みが生
じにくく、基板表面に処理液が滑らかに広がることがで
きる。
ては、傘部の外周面上の一部に壁部が設けられているの
で、その壁部により吐出孔から吐出される処理液が特定
の方向に流れることが阻止される。したがって、壁部が
基板の回転方向の後方側に位置するように処理液吐出ノ
ズルを配置すると、吐出孔から吐出される処理液が基板
の回転方向の前方側にのみ供給される。この場合、基板
表面に供給される処理液の流動方向が基板の表面の進行
方向と一致するので、基板表面に与えられる衝撃力が小
さくなる。その結果、泡の発生および泡の巻き込みが生
じにくく、基板表面に処理液が滑らかに広がることがで
きる。
【００２４】
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施例にお
ける現像装置の概略平面図である。図１において、回転
処理部２は、基板１を水平姿勢で吸引保持して鉛直軸の
周りで回転させ、現像、リンスおよび乾燥の各処理を行
う。現像ノズルアーム３は、回転軸４を中心として水平
面内で回動自在に設けられている。この現像ノズルアー
ム３の先端部には現像ノズル支持部材５が取り付けら
れ、現像ノズル支持部材５の下面に複数の現像ノズル
（図示せず）が取り付けられている。現像ノズルアーム
３の回動により複数の現像ノズルが基板１の上方位置と
待機位置との間で移動する。待機位置には待機ポット６
が設けられている。本実施例では、現像ノズル保持部材
５がノズル保持手段となる。
ける現像装置の概略平面図である。図１において、回転
処理部２は、基板１を水平姿勢で吸引保持して鉛直軸の
周りで回転させ、現像、リンスおよび乾燥の各処理を行
う。現像ノズルアーム３は、回転軸４を中心として水平
面内で回動自在に設けられている。この現像ノズルアー
ム３の先端部には現像ノズル支持部材５が取り付けら
れ、現像ノズル支持部材５の下面に複数の現像ノズル
（図示せず）が取り付けられている。現像ノズルアーム
３の回動により複数の現像ノズルが基板１の上方位置と
待機位置との間で移動する。待機位置には待機ポット６
が設けられている。本実施例では、現像ノズル保持部材
５がノズル保持手段となる。
【００２５】回転処理部２の周囲には、リンス液供給ノ
ズル７、プリウエット液供給ノズル８および窒素ガス噴
射ノズル９が配置されている。リンス液供給ノズル７
は、現像後の基板１の表面を洗浄するためにリンス液を
基板１上に供給する。プリウエット液供給ノズル８は、
現像前の基板１上にプリウエット液（純水）を供給す
る。窒素ガス噴射ノズル９は、基板１上の塵埃等を飛散
させるために窒素ガスを基板１上に噴射する。
ズル７、プリウエット液供給ノズル８および窒素ガス噴
射ノズル９が配置されている。リンス液供給ノズル７
は、現像後の基板１の表面を洗浄するためにリンス液を
基板１上に供給する。プリウエット液供給ノズル８は、
現像前の基板１上にプリウエット液（純水）を供給す
る。窒素ガス噴射ノズル９は、基板１上の塵埃等を飛散
させるために窒素ガスを基板１上に噴射する。
【００２６】図２は図１の現像装置の現像ノズル保持部
材に取り付けられた複数の現像ノズルを示す正面図であ
る。現像ノズル支持部材５の下面には、基板１の半径方
向に沿って複数の現像ノズル１０が取り付けられてい
る。各現像ノズル１０は、ノズル本体１１および傘部１
２からなる。ノズル本体１１の中央部の下面に下方に向
かって漸次径大となる傘部１２が設けられ、傘部１２の
頂部の周囲におけるノズル本体１１内に複数の吐出孔１
３が形成されている。
材に取り付けられた複数の現像ノズルを示す正面図であ
る。現像ノズル支持部材５の下面には、基板１の半径方
向に沿って複数の現像ノズル１０が取り付けられてい
る。各現像ノズル１０は、ノズル本体１１および傘部１
２からなる。ノズル本体１１の中央部の下面に下方に向
かって漸次径大となる傘部１２が設けられ、傘部１２の
頂部の周囲におけるノズル本体１１内に複数の吐出孔１
３が形成されている。
【００２７】各現像ノズル１０は、マスフローコントロ
ーラ１４を介してバッファタンク１５に接続されてい
る。各マスフローコントローラ１４はそれぞれ独立に制
御される。本実施例では、これらのマスフローコントロ
ーラ１４が流量制御手段となる。
ーラ１４を介してバッファタンク１５に接続されてい
る。各マスフローコントローラ１４はそれぞれ独立に制
御される。本実施例では、これらのマスフローコントロ
ーラ１４が流量制御手段となる。
【００２８】各現像ノズル１０の各吐出孔１３から吐出
される現像液は傘部１２の外周面に沿って広がるように
流れ、基板１上に緩やかに供給される。供給された現像
液は基板１の回転により基板１の全面に塗り広げられ
る。
される現像液は傘部１２の外周面に沿って広がるように
流れ、基板１上に緩やかに供給される。供給された現像
液は基板１の回転により基板１の全面に塗り広げられ
る。
【００２９】基板１の半径方向に複数の現像ノズル１０
が配置されているので、基板１の中心部から周縁部にか
けて同時に現像液が供給される。それにより、広範囲に
大流量の現像液を緩やかに供給することができ、液盛り
時に未着液部やはじき部（現像液がはじかれる部分）の
発生が抑制される。したがって、大径の基板１の表面に
現像液を均一に液盛りすることができる。また、基板１
の半径方向に配列された複数の現像ノズル１０により、
疑似的なスキャン吐出が可能となる。
が配置されているので、基板１の中心部から周縁部にか
けて同時に現像液が供給される。それにより、広範囲に
大流量の現像液を緩やかに供給することができ、液盛り
時に未着液部やはじき部（現像液がはじかれる部分）の
発生が抑制される。したがって、大径の基板１の表面に
現像液を均一に液盛りすることができる。また、基板１
の半径方向に配列された複数の現像ノズル１０により、
疑似的なスキャン吐出が可能となる。
【００３０】さらに、各マスフローコントローラ１４に
より各現像ノズル１０に供給される現像液の流量をそれ
ぞれ独立に制御することができるので、各現像ノズル１
０の吐出流量を任意に調整することができる。それによ
り、基板１の半径方向で現像液の供給量を変化させるこ
とができる。
より各現像ノズル１０に供給される現像液の流量をそれ
ぞれ独立に制御することができるので、各現像ノズル１
０の吐出流量を任意に調整することができる。それによ
り、基板１の半径方向で現像液の供給量を変化させるこ
とができる。
【００３１】例えば、基板１の表面の全域に均一に現像
液を供給するためには、基板１の中心部では少量の現像
液しか必要なく、基板１の周縁部では多量の現像液が必
要となる。したがって、各現像ノズル１０の吐出量を基
板１の中心部から周縁部に近づくにしたがって多くする
ことにより基板１の半径方向に現像液を均一に供給する
ことが可能となる。
液を供給するためには、基板１の中心部では少量の現像
液しか必要なく、基板１の周縁部では多量の現像液が必
要となる。したがって、各現像ノズル１０の吐出量を基
板１の中心部から周縁部に近づくにしたがって多くする
ことにより基板１の半径方向に現像液を均一に供給する
ことが可能となる。
【００３２】また、基板１上の感光性膜（フォトレジス
ト膜）の特性に合わせて吐出量および吐出位置を任意に
変更することができる。さらに、基板１上で現像液を停
止させた後、新たな現像液を供給する方式（いわゆるダ
ブルパドル方式）を用いる場合、感光性膜の特性に合わ
せて吐出量および吐出位置を変更することができる。
ト膜）の特性に合わせて吐出量および吐出位置を任意に
変更することができる。さらに、基板１上で現像液を停
止させた後、新たな現像液を供給する方式（いわゆるダ
ブルパドル方式）を用いる場合、感光性膜の特性に合わ
せて吐出量および吐出位置を変更することができる。
【００３３】これらの方法を組み合わせることにより、
基板１上の感光性膜の特性に最適な吐出方法を選択する
ことが可能となる。図３は本発明の第２の実施例におけ
る現像装置の概略平面図である。図３の現像装置が図１
の現像装置と異なるのは、複数の現像ノズル１０の代わ
りに１つの現像ノズル２０が設けられている点である。
その他の構成は、図１の現像装置の構成と同様である。
基板１上の感光性膜の特性に最適な吐出方法を選択する
ことが可能となる。図３は本発明の第２の実施例におけ
る現像装置の概略平面図である。図３の現像装置が図１
の現像装置と異なるのは、複数の現像ノズル１０の代わ
りに１つの現像ノズル２０が設けられている点である。
その他の構成は、図１の現像装置の構成と同様である。
【００３４】図４は図３の現像装置に用いられる現像ノ
ズル２０の斜視図であり、図５は図４の現像ノズル２０
の平面図である。なお、図４および図５には、現像ノズ
ル２０のノズル本体の最下部の吐出孔形成部材および傘
部のみが示される。
ズル２０の斜視図であり、図５は図４の現像ノズル２０
の平面図である。なお、図４および図５には、現像ノズ
ル２０のノズル本体の最下部の吐出孔形成部材および傘
部のみが示される。
【００３５】図４および図５に示されるように、吐出孔
形成部材２１の下面の中央部に下方に向かって漸次径大
となる傘部２２が設けられている。また、傘部２２の頂
部の周囲における吐出孔形成部材２１に複数の吐出孔２
３が形成されている。本実施例では、３個の吐出孔２３
が設けられている。さらに、傘部２２の外周面上の一部
の領域に壁部２４が設けられている。
形成部材２１の下面の中央部に下方に向かって漸次径大
となる傘部２２が設けられている。また、傘部２２の頂
部の周囲における吐出孔形成部材２１に複数の吐出孔２
３が形成されている。本実施例では、３個の吐出孔２３
が設けられている。さらに、傘部２２の外周面上の一部
の領域に壁部２４が設けられている。
【００３６】傘部２２の中心に関する壁面２４ａ，２４
ｂ間の角度Ｒは１８０°以下に設定される。また、現像
ノズル２０の傘部２２の最下部の直径は基板１の半径の
５分の１以上で基板１の半径以下に設定される。この場
合、傘部２２の外周面に沿って広がるように流れる現像
液が基板１の半径方向のほぼ全領域に供給される。
ｂ間の角度Ｒは１８０°以下に設定される。また、現像
ノズル２０の傘部２２の最下部の直径は基板１の半径の
５分の１以上で基板１の半径以下に設定される。この場
合、傘部２２の外周面に沿って広がるように流れる現像
液が基板１の半径方向のほぼ全領域に供給される。
【００３７】図６は現像ノズル２０と基板１との関係を
示す平面図である。図６において、基板１は矢印Ｘで示
される方向に回転する。現像ノズル２０の壁部２４は、
基板１の回転方向における後方側に配置される。現像ノ
ズル２０の吐出孔２３から吐出された現像液は、太線の
矢印で示すように、傘部２２の外周面に沿って広がるよ
うに流れ、基板１上に緩やかに供給される。このとき、
基板１の回転方向の後方側に壁部２４が存在するので、
現像液は壁面２４ａ，２４ｂで後方側への流動が阻止さ
れ、基板１の回転方向の前方側の領域Ａにのみ供給さ
れ、後方側の領域Ｂには供給されない。
示す平面図である。図６において、基板１は矢印Ｘで示
される方向に回転する。現像ノズル２０の壁部２４は、
基板１の回転方向における後方側に配置される。現像ノ
ズル２０の吐出孔２３から吐出された現像液は、太線の
矢印で示すように、傘部２２の外周面に沿って広がるよ
うに流れ、基板１上に緩やかに供給される。このとき、
基板１の回転方向の後方側に壁部２４が存在するので、
現像液は壁面２４ａ，２４ｂで後方側への流動が阻止さ
れ、基板１の回転方向の前方側の領域Ａにのみ供給さ
れ、後方側の領域Ｂには供給されない。
【００３８】それにより、基板１の表面に供給された現
像液の広がりが円滑に行われ、短時間で均質な液盛りが
実現される。この理由を図７を参照しながら説明する。
図７（ａ）は傘部２２の外周面上に壁部２４が存在しな
い場合の現像液の流れを示す図であり、図７（ｂ）は傘
部２２の外周面上に壁部２４が存在する場合の現像液の
流れを示す図である。図７において、矢印Ｘは基板１の
回転方向（進行方向）を示す。
像液の広がりが円滑に行われ、短時間で均質な液盛りが
実現される。この理由を図７を参照しながら説明する。
図７（ａ）は傘部２２の外周面上に壁部２４が存在しな
い場合の現像液の流れを示す図であり、図７（ｂ）は傘
部２２の外周面上に壁部２４が存在する場合の現像液の
流れを示す図である。図７において、矢印Ｘは基板１の
回転方向（進行方向）を示す。
【００３９】図７（ａ）に示すように、壁部２４が存在
しない場合には、吐出孔２３から吐出される現像液は、
矢印Ａで示すように基板１の進行方向の前方側に流動す
るとともに、矢印Ｂで示すように進行方向の後方側にも
流動する。現像液が矢印Ａの方向に流動する場合には、
基板１の表面で現像液の流動方向が基板１の進行方向と
一致するので、基板１の表面に与えられる衝撃力が小さ
い。これに対して、現像液が矢印Ｂの方向に流動する場
合には、基板１の表面で現像液の流動方向と基板１の進
行方向とが互い逆向きとなるので、基板１の表面に与え
られる衝撃力が大きくなる。この場合には、基板１の表
面で現像液による衝撃により泡が発生し、基板１上の現
像液に泡の巻き込みが生じる。そのため、現像液が基板
１の表面に均一に広がりにくい。
しない場合には、吐出孔２３から吐出される現像液は、
矢印Ａで示すように基板１の進行方向の前方側に流動す
るとともに、矢印Ｂで示すように進行方向の後方側にも
流動する。現像液が矢印Ａの方向に流動する場合には、
基板１の表面で現像液の流動方向が基板１の進行方向と
一致するので、基板１の表面に与えられる衝撃力が小さ
い。これに対して、現像液が矢印Ｂの方向に流動する場
合には、基板１の表面で現像液の流動方向と基板１の進
行方向とが互い逆向きとなるので、基板１の表面に与え
られる衝撃力が大きくなる。この場合には、基板１の表
面で現像液による衝撃により泡が発生し、基板１上の現
像液に泡の巻き込みが生じる。そのため、現像液が基板
１の表面に均一に広がりにくい。
【００４０】これに対して、図７（ｂ）に示すように、
基板１の進行方向の後方側に壁部２４が存在すると、吐
出孔２３から吐出される現像液は、矢印Ａで示すように
基板１の進行方向の前方側にのみ流動する。この場合、
基板１の表面で現像液の流動方向が基板１の進行方向に
一致するため、基板１の表面に与えられる衝撃力が小さ
くなる。したがって、基板１の表面で泡の発生および泡
の巻き込みが生じず、現像液が基板１の表面に滑らかに
広がることができる。その結果、基板１の表面に現像液
が均一に供給される。
基板１の進行方向の後方側に壁部２４が存在すると、吐
出孔２３から吐出される現像液は、矢印Ａで示すように
基板１の進行方向の前方側にのみ流動する。この場合、
基板１の表面で現像液の流動方向が基板１の進行方向に
一致するため、基板１の表面に与えられる衝撃力が小さ
くなる。したがって、基板１の表面で泡の発生および泡
の巻き込みが生じず、現像液が基板１の表面に滑らかに
広がることができる。その結果、基板１の表面に現像液
が均一に供給される。
【００４１】図８に示すように、複数の吐出孔２３の径
を基板１の周縁部に近くなるほど大きくしてもよい。こ
の場合、基板１の中心部から周縁部に近づくにしたがっ
て現像液の供給量が多くなり、基板１の半径方向の全領
域に均一に現像液が供給される。
を基板１の周縁部に近くなるほど大きくしてもよい。こ
の場合、基板１の中心部から周縁部に近づくにしたがっ
て現像液の供給量が多くなり、基板１の半径方向の全領
域に均一に現像液が供給される。
【００４２】また、図９に示すように、現像ノズル２０
に１つの吐出孔２３を形成してもよい。この場合、吐出
孔２３は、現像ノズル２０の中心部よりも基板１の周縁
部に近い位置に配置することが好ましい。それにより、
吐出孔２３から吐出される現像液のうち基板１の周縁部
側に流動する現像液の量が基板１の中心部側に流動する
現像液の量よりも多くなる。その結果、基板１の中心部
から周縁部に近づくほど現像液の供給量が多くなり、基
板１の半径方向の全領域に均一に現像液が供給される。
に１つの吐出孔２３を形成してもよい。この場合、吐出
孔２３は、現像ノズル２０の中心部よりも基板１の周縁
部に近い位置に配置することが好ましい。それにより、
吐出孔２３から吐出される現像液のうち基板１の周縁部
側に流動する現像液の量が基板１の中心部側に流動する
現像液の量よりも多くなる。その結果、基板１の中心部
から周縁部に近づくほど現像液の供給量が多くなり、基
板１の半径方向の全領域に均一に現像液が供給される。
【００４３】現像ノズル２０の傘部２２の直径が基板１
の半径に対して比較的小さい場合には、図１０に示すよ
うに、複数の現像ノズル２０を基板１の半径方向に配置
する。この場合、図２に示したように、各現像ノズル２
０に供給する現像液をマスフローコントローラ１４によ
りそれぞれ独立に制御してもよい。
の半径に対して比較的小さい場合には、図１０に示すよ
うに、複数の現像ノズル２０を基板１の半径方向に配置
する。この場合、図２に示したように、各現像ノズル２
０に供給する現像液をマスフローコントローラ１４によ
りそれぞれ独立に制御してもよい。
【００４４】図１０の例では、各現像ノズル２０に１つ
の吐出孔２３が形成されている。複数の現像ノズル２０
の吐出孔２３の径を基板１の中心部から周縁部に近づく
ほど大きく設定してもよい。この場合、基板１の中心部
から周縁部に近づくにしたがって現像液の供給量が多く
なり、基板１の半径方向の全領域に均一に現像液が供給
される。
の吐出孔２３が形成されている。複数の現像ノズル２０
の吐出孔２３の径を基板１の中心部から周縁部に近づく
ほど大きく設定してもよい。この場合、基板１の中心部
から周縁部に近づくにしたがって現像液の供給量が多く
なり、基板１の半径方向の全領域に均一に現像液が供給
される。
【００４５】なお、上記実施例では、本発明を現像ノズ
ルおよび現像装置に適用した場合を説明したが、本発明
は、それに限らず、他の処理液を基板上に供給する処理
液吐出ノズルおよびそれを備えた基板処理装置にも適用
することができる。
ルおよび現像装置に適用した場合を説明したが、本発明
は、それに限らず、他の処理液を基板上に供給する処理
液吐出ノズルおよびそれを備えた基板処理装置にも適用
することができる。
【図１】本発明の第１の実施例における現像装置の概略
平面図である。
平面図である。
【図２】図１の現像装置の現像ノズル保持部材に取り付
けられた複数の現像ノズルの正面図である。
けられた複数の現像ノズルの正面図である。
【図３】本発明の第２の実施例における現像装置の概略
平面図である。
平面図である。
【図４】図３の現像装置に用いられる現像ノズルの斜視
図である。
図である。
【図５】図４の現像ノズルの平面図である。
【図６】図３の現像装置における現像ノズルと基板との
関係を示す平面図である。
関係を示す平面図である。
【図７】傘部に壁部が存在しない場合および壁部が存在
する場合の現像液の流れを示す図である。
する場合の現像液の流れを示す図である。
【図８】現像ノズルの他の例を示す平面図である。
【図９】現像ノズルのさらに他の例を示す平面図であ
る。
る。
【図１０】現像ノズルの他の配置例を示す平面図であ
る。
る。
１ 基板 ２ 回転処理部 ３ 現像ノズルアーム ５ 現像ノズル保持部材 １０，２０ 現像ノズル １１ ノズル本体 １２，２２ 傘部 １３，２３ 吐出孔 １４ マスフローコントローラ ２４ 壁部 ２４ａ，２４ｂ 壁面
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に処理液吐出ノズルから処理液を
供給する基板処理装置において、複数の処理液吐出ノズ
ルを保持して処理液吐出時に前記複数の処理液吐出ノズ
ルを前記基板の半径方向に配置するノズル保持手段が設
けられ、前記複数の処理液吐出ノズルの各々は、ノズル
本体の下面の中央部に下方に向かって漸次径大となる傘
部を有し、前記傘部の頂部の周囲における前記ノズル本
体の下面に１または複数の吐出孔が形成されたことを特
徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】 前記複数の処理液吐出ノズルに供給され
る処理液の流量をそれぞれ独立に制御する流量制御手段
がさらに設けられたことを特徴とする請求項１の基板処
理装置。 - 【請求項３】 前記基板の周縁部に近い処理液吐出ノズ
ルほど大きい径の吐出孔を有することを特徴とする請求
項１または２記載の基板処理装置。 - 【請求項４】 基板を処理液吐出ノズルに対して相対的
に回転させながら前記基板上に前記処理液吐出ノズルか
ら処理液を供給する基板処理装置において、前記処理液
吐出ノズルは、ノズル本体の下面の中央部に下方に向か
って漸次径大となる傘部を有し、前記傘部の頂部の周囲
における前記ノズル本体の下面に１または複数の吐出孔
が形成され、前記傘部の外周面上における前記基板の回
転方向の後方側に壁部が設けられたことを特徴とする基
板処理装置。 - 【請求項５】 基板上に処理液吐出ノズルから処理液を
供給する基板処理装置において、前記処理液吐出ノズル
は、ノズル本体の下面の中央部に下方に向かって漸次径
大となる傘部を有し、前記傘部の頂部の周囲における前
記ノズル本体の下面に１または複数の吐出孔が形成さ
れ、前記傘部の直径が前記基板の半径のほぼ５分の１以
上に形成されたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項６】 前記基板上に処理液吐出ノズルから処理
液を供給する基板処理装置において、前記処理液吐出ノ
ズルは、ノズル本体の下面の中央部に下方に向かって漸
次径大となる傘部を有し、前記傘部の中心に対して前記
基板の周縁部側における前記ノズル本体の下面に吐出孔
が形成されたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項７】 基板上に処理液吐出ノズルから処理液を
供給する基板処理装置において、前記処理液吐出ノズル
は、ノズル本体の下面の中央部に下方に向かって漸次径
大となる傘部を有し、前記傘部の頂部の周囲における前
記ノズル本体の下面に複数の吐出孔が形成され、前記複
数の吐出孔の径が前記基板の周縁部に近いほど大きく設
定されたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項８】 ノズル本体の下面の中央部に下方に向か
って漸次径大となる傘部を有し、かつ前記傘部の頂部の
周囲における前記ノズル本体の下面に１または複数の吐
出孔が形成され、前記傘部の外周面上の一部に壁部が設
けられたことを特徴とする処理液吐出ノズル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25445696A JPH10106918A (ja) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | 処理液吐出ノズルおよび基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25445696A JPH10106918A (ja) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | 処理液吐出ノズルおよび基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10106918A true JPH10106918A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17265279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25445696A Pending JPH10106918A (ja) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | 処理液吐出ノズルおよび基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10106918A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000133587A (ja) * | 1998-08-19 | 2000-05-12 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置 |
| JP2000306881A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-11-02 | Applied Materials Inc | 基板洗浄乾燥装置 |
| KR100854313B1 (ko) | 2007-02-20 | 2008-08-26 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| JP2009033052A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
| JP2009033054A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
| KR100902375B1 (ko) | 2007-11-08 | 2009-06-11 | 주식회사 나래나노텍 | 노즐 구조, 이를 구비한 노즐 디스펜서, 및 그 제조방법 |
| JP2010056315A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Sokudo Co Ltd | 基板処理ユニット、基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2010056318A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Sokudo Co Ltd | 基板処理ユニットおよび基板処理装置 |
| US7980255B2 (en) | 2001-11-02 | 2011-07-19 | Applied Materials, Inc. | Single wafer dryer and drying methods |
| JP2012070003A (ja) * | 2011-12-21 | 2012-04-05 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
| JP2012070002A (ja) * | 2011-12-21 | 2012-04-05 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
| JP2013030613A (ja) * | 2011-07-28 | 2013-02-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| CN103977932A (zh) * | 2014-05-16 | 2014-08-13 | 清华大学深圳研究生院 | 集成结构预润湿涂胶喷嘴 |
| JP2020115553A (ja) * | 2020-03-23 | 2020-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、液処理方法、及び記憶媒体 |
-
1996
- 1996-09-26 JP JP25445696A patent/JPH10106918A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2009033052A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
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| KR100902375B1 (ko) | 2007-11-08 | 2009-06-11 | 주식회사 나래나노텍 | 노즐 구조, 이를 구비한 노즐 디스펜서, 및 그 제조방법 |
| JP2010056315A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Sokudo Co Ltd | 基板処理ユニット、基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2010056318A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Sokudo Co Ltd | 基板処理ユニットおよび基板処理装置 |
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| CN103977932A (zh) * | 2014-05-16 | 2014-08-13 | 清华大学深圳研究生院 | 集成结构预润湿涂胶喷嘴 |
| JP2020115553A (ja) * | 2020-03-23 | 2020-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、液処理方法、及び記憶媒体 |
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