JP2000147787A - 現像方法及び現像装置 - Google Patents
現像方法及び現像装置Info
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- JP2000147787A JP2000147787A JP21985799A JP21985799A JP2000147787A JP 2000147787 A JP2000147787 A JP 2000147787A JP 21985799 A JP21985799 A JP 21985799A JP 21985799 A JP21985799 A JP 21985799A JP 2000147787 A JP2000147787 A JP 2000147787A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 現像速度を上げることや現像の均一性を高め
ることができる現像方法及び現像装置を提供すること。 【解決手段】 現像処理工程において、まず最初に現像
液吐出ノズル７１よりガラス基板Ｇに対して第１の吐出
速度で現像液を吐出した後、現像液吐出ノズル７１より
このガラス基板Ｇに対して第１の吐出速度よりも速い第
２の吐出速度で現像液を吐出しつつ、エアー噴出ノズル
７２から窒素ガスを噴出している。
ることができる現像方法及び現像装置を提供すること。 【解決手段】 現像処理工程において、まず最初に現像
液吐出ノズル７１よりガラス基板Ｇに対して第１の吐出
速度で現像液を吐出した後、現像液吐出ノズル７１より
このガラス基板Ｇに対して第１の吐出速度よりも速い第
２の吐出速度で現像液を吐出しつつ、エアー噴出ノズル
７２から窒素ガスを噴出している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば液晶ディス
プレイ（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）に使われる
ガラス基板に対して現像処理を施す現像方法及び現像装
置に関する。
プレイ（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）に使われる
ガラス基板に対して現像処理を施す現像方法及び現像装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＣＤの製造工程においては、ＬＣＤ用
のガラス基板上にＩＴＯ（Indium TinOxide）の薄膜や
電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造
に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利
用される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジス
トを基板に塗布し、これを露光し、さらに現像する。
のガラス基板上にＩＴＯ（Indium TinOxide）の薄膜や
電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造
に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利
用される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジス
トを基板に塗布し、これを露光し、さらに現像する。
【０００３】一般に、上記の現像工程は、ガラス基板上
に現像液を供給するものであるが、従来から現像速度を
上げるために、或いは現像不良をなくすために、ガラス
基板上にスプレー状に現像液を吹き付けるスプレー現像
等が採用されている。
に現像液を供給するものであるが、従来から現像速度を
上げるために、或いは現像不良をなくすために、ガラス
基板上にスプレー状に現像液を吹き付けるスプレー現像
等が採用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の現像手法は、本質的な現像メカニズムを解明
した上での技術とは言い難く、そのため必ずしも的確な
手法とはいえなかった。
うな従来の現像手法は、本質的な現像メカニズムを解明
した上での技術とは言い難く、そのため必ずしも的確な
手法とはいえなかった。
【０００５】本発明者は、かかる本質的な現像メカニズ
ムを解明し、より的確な手段を見出した。即ち、本発明
の目的は、現像速度を上げることができる新規かつ的確
な現像方法及び現像装置を提供することにある。また、
本発明の目的は、現像の均一性を高めることができる新
規かつ的確な現像方法及び現像装置を提供することにあ
る。
ムを解明し、より的確な手段を見出した。即ち、本発明
の目的は、現像速度を上げることができる新規かつ的確
な現像方法及び現像装置を提供することにある。また、
本発明の目的は、現像の均一性を高めることができる新
規かつ的確な現像方法及び現像装置を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、本発明の現像方法は、被処理体に対して第１の吐出
速度で現像液を吐出する第１の工程と、前記第１の工程
の後に、前記被処理体に対して前記第１の吐出速度より
速い第２の吐出速度で現像液を吐出する第２の工程とを
具備する。
め、本発明の現像方法は、被処理体に対して第１の吐出
速度で現像液を吐出する第１の工程と、前記第１の工程
の後に、前記被処理体に対して前記第１の吐出速度より
速い第２の吐出速度で現像液を吐出する第２の工程とを
具備する。
【０００７】本発明の現像方法は、被処理体に対して第
１の吐出角度で現像液を吐出する第１の工程と、前記第
１の工程の後に、前記被処理体に対して前記第１の吐出
角度より被処理体に対する角度が小さい第２の吐出角度
で現像液を吐出する第２の工程とを具備する。
１の吐出角度で現像液を吐出する第１の工程と、前記第
１の工程の後に、前記被処理体に対して前記第１の吐出
角度より被処理体に対する角度が小さい第２の吐出角度
で現像液を吐出する第２の工程とを具備する。
【０００８】本発明の現像方法は、被処理体に対して現
像液を吐出する第１の工程と、前記第１の工程の後に、
前記被処理体に対して気体を吹き付ける第２の工程とを
具備する。
像液を吐出する第１の工程と、前記第１の工程の後に、
前記被処理体に対して気体を吹き付ける第２の工程とを
具備する。
【０００９】本発明の現像方法は、被処理体に対して現
像液を吐出する第１の工程と、前記第１の工程の後に、
前記被処理体に対して攪拌箆で攪拌する第２の工程とを
具備する。
像液を吐出する第１の工程と、前記第１の工程の後に、
前記被処理体に対して攪拌箆で攪拌する第２の工程とを
具備する。
【００１０】本発明の現像方法は、被処理体に対して現
像液を吐出する第１の工程と、前記第１の工程の後に、
前記被処理体に対して第１の工程での現像液の吐出領域
より狭い範囲の領域に現像液を吐出する第２の工程とを
具備する。
像液を吐出する第１の工程と、前記第１の工程の後に、
前記被処理体に対して第１の工程での現像液の吐出領域
より狭い範囲の領域に現像液を吐出する第２の工程とを
具備する。
【００１１】本発明の現像装置は、被処理体を保持する
保持手段と、前記保持手段により保持された被処理体に
対して現像液を吐出する吐出手段と、前記吐出手段によ
り第１の吐出速度で現像液を吐出させた後、前記第１の
吐出速度より速い第２の吐出速度で現像液を吐出させる
制御手段とを具備する。
保持手段と、前記保持手段により保持された被処理体に
対して現像液を吐出する吐出手段と、前記吐出手段によ
り第１の吐出速度で現像液を吐出させた後、前記第１の
吐出速度より速い第２の吐出速度で現像液を吐出させる
制御手段とを具備する。
【００１２】本発明の現像装置は、被処理体を保持する
保持手段と、前記保持手段により保持された被処理体に
対して現像液を吐出する吐出手段と、前記吐出手段の被
処理体に対する吐出角度を可変する可変手段と、前記吐
出手段により第１の吐出角度で現像液を吐出させた後、
前記第１の吐出角度より被処理体に対する角度が小さい
第２の吐出角度で現像液を吐出させるように前記可変手
段を制御する制御手段とを具備する。
保持手段と、前記保持手段により保持された被処理体に
対して現像液を吐出する吐出手段と、前記吐出手段の被
処理体に対する吐出角度を可変する可変手段と、前記吐
出手段により第１の吐出角度で現像液を吐出させた後、
前記第１の吐出角度より被処理体に対する角度が小さい
第２の吐出角度で現像液を吐出させるように前記可変手
段を制御する制御手段とを具備する。
【００１３】本発明の現像装置は、被処理体を保持する
保持手段と、前記保持手段により保持された被処理体に
対して現像液を吐出する吐出手段と、前記被処理体に対
して気体を吹き付ける吹き付け手段と、前記吐出手段に
より現像液を吐出させた後、前記吐出手段により現像液
を吐出させつつ前記吹きつけ手段により気体を吹き付け
させる制御手段とを具備する。
保持手段と、前記保持手段により保持された被処理体に
対して現像液を吐出する吐出手段と、前記被処理体に対
して気体を吹き付ける吹き付け手段と、前記吐出手段に
より現像液を吐出させた後、前記吐出手段により現像液
を吐出させつつ前記吹きつけ手段により気体を吹き付け
させる制御手段とを具備する。
【００１４】本発明の現像装置は、被処理体を保持する
保持手段と、前記保持手段により保持された被処理体に
対して現像液を吐出する吐出手段と、前記被処理体に吐
出された現像液を攪拌する攪拌箆と、前記吐出手段によ
り現像液を吐出させた後、前記吐出手段により現像液を
吐出させつつ前記攪拌箆により現像液を攪拌させる制御
手段とを具備する。
保持手段と、前記保持手段により保持された被処理体に
対して現像液を吐出する吐出手段と、前記被処理体に吐
出された現像液を攪拌する攪拌箆と、前記吐出手段によ
り現像液を吐出させた後、前記吐出手段により現像液を
吐出させつつ前記攪拌箆により現像液を攪拌させる制御
手段とを具備する。
【００１５】即ち、図１０は現像メカニズムを説明する
ための図であって、ガラス基板Ｇ上の膜１０５表面に露
光後のポジタイプのレジスト１００が形成されている状
態を示している。レジスト１００のうち符号１０１はア
ルカリ（現像液）との反応であるアゾカップリングによ
るタフスキン層（難溶化層）１０２を有する未露光部を
示しており、符号１０３は本来溶解すべき部分である露
光部を示している。
ための図であって、ガラス基板Ｇ上の膜１０５表面に露
光後のポジタイプのレジスト１００が形成されている状
態を示している。レジスト１００のうち符号１０１はア
ルカリ（現像液）との反応であるアゾカップリングによ
るタフスキン層（難溶化層）１０２を有する未露光部を
示しており、符号１０３は本来溶解すべき部分である露
光部を示している。
【００１６】この上から現像液を供給すると、露光部１
０３が未露光部分１０１と比べて大きく（速く）現像液
と反応し、露光部１０３のみが溶解速度が速くなるので
あるが、現像液を供給した初期、即ち反応初期状態にお
いて露光部１０３の表面にもアルカリとの反応によるア
ゾカップリングで薄いタフスキン層１０４が形成され
る。そして、このような露光部１０３表面の薄いタフス
キン層１０４があるために、現像速度が遅くなったり、
未露光部内部の溶解が進んで現像の均一性に乱れを生じ
る。
０３が未露光部分１０１と比べて大きく（速く）現像液
と反応し、露光部１０３のみが溶解速度が速くなるので
あるが、現像液を供給した初期、即ち反応初期状態にお
いて露光部１０３の表面にもアルカリとの反応によるア
ゾカップリングで薄いタフスキン層１０４が形成され
る。そして、このような露光部１０３表面の薄いタフス
キン層１０４があるために、現像速度が遅くなったり、
未露光部内部の溶解が進んで現像の均一性に乱れを生じ
る。
【００１７】本発明は、かかる見識に基づくもので、あ
る程度現像を進行させた後に、積極的に上記の露光部１
０３表面の薄いタフスキン層１０４を取り除きつつ現像
を行うようにしたものである。加えて、こうしたタフス
キン層の除去ばかりでなく、溶解部で現像液が反応する
ことによる局所的な濃度の変化を無くし、均一にするも
のである。
る程度現像を進行させた後に、積極的に上記の露光部１
０３表面の薄いタフスキン層１０４を取り除きつつ現像
を行うようにしたものである。加えて、こうしたタフス
キン層の除去ばかりでなく、溶解部で現像液が反応する
ことによる局所的な濃度の変化を無くし、均一にするも
のである。
【００１８】即ち、被処理体に対して第１の吐出速度よ
り速い第２の吐出速度で現像液を吐出したり、被処理体
に対して第１の吐出角度より被処理体に対する角度が小
さい第２の吐出角度で現像液を吐出したり、被処理体に
対して現像液を吐出しつつ気体を吹き付けたり、被処理
体に対して現像液を吐出しつつ攪拌箆で攪拌したり、或
いはこれらを組み合わせることで、上記の未露光部１０
３表面の薄いタフスキン層１０４を取り除きつつ現像を
行うようにしたものである。
り速い第２の吐出速度で現像液を吐出したり、被処理体
に対して第１の吐出角度より被処理体に対する角度が小
さい第２の吐出角度で現像液を吐出したり、被処理体に
対して現像液を吐出しつつ気体を吹き付けたり、被処理
体に対して現像液を吐出しつつ攪拌箆で攪拌したり、或
いはこれらを組み合わせることで、上記の未露光部１０
３表面の薄いタフスキン層１０４を取り除きつつ現像を
行うようにしたものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。図１は本発明の第１の実施形態に係
る塗布・現像処理システムの斜視図である。図１に示す
ように、この塗布・現像処理システム１の前方には、ガ
ラス基板Ｇを、塗布・現像処理システム１に対して搬出
入するローダ・アンローダ部２が設けられている。この
ローダ・アンローダ部２には、ガラス基板Ｇを例えば２
５枚ずつ収納したカセットＣを所定位置に整列させて載
置させるカセット載置台３と、各カセットＣから処理す
べきガラス基板Ｇを取り出し、また塗布・現像処理シス
テム１において処理の終了したガラス基板Ｇを各カセッ
トＣへ戻すローダ・アンローダ４が設けられている。図
示のローダ・アンローダ４は、本体５の走行によってカ
セットＣの配列方向に移動し、本体５に搭載された板片
状のピンセット６によって各カセットＣからガラス基板
Ｇを取り出し、また各カセットＣへガラス基板Ｇを戻す
ようになっている。また、ピンセット６の両側には、ガ
ラス基板Ｇの四隅を保持して位置合わせを行う基板位置
合わせ部材７が設けられている。
に基づき説明する。図１は本発明の第１の実施形態に係
る塗布・現像処理システムの斜視図である。図１に示す
ように、この塗布・現像処理システム１の前方には、ガ
ラス基板Ｇを、塗布・現像処理システム１に対して搬出
入するローダ・アンローダ部２が設けられている。この
ローダ・アンローダ部２には、ガラス基板Ｇを例えば２
５枚ずつ収納したカセットＣを所定位置に整列させて載
置させるカセット載置台３と、各カセットＣから処理す
べきガラス基板Ｇを取り出し、また塗布・現像処理シス
テム１において処理の終了したガラス基板Ｇを各カセッ
トＣへ戻すローダ・アンローダ４が設けられている。図
示のローダ・アンローダ４は、本体５の走行によってカ
セットＣの配列方向に移動し、本体５に搭載された板片
状のピンセット６によって各カセットＣからガラス基板
Ｇを取り出し、また各カセットＣへガラス基板Ｇを戻す
ようになっている。また、ピンセット６の両側には、ガ
ラス基板Ｇの四隅を保持して位置合わせを行う基板位置
合わせ部材７が設けられている。
【００２０】塗布・現像処理システム１の中央部には、
長手方向に配置された廊下状の搬送路１０、１１が第１
の受け渡し部１２を介して一直線上に設けられており、
この搬送路１０、１１の両側には、ガラス基板Ｇに対す
る各処理を行うための各種処理装置が配置されている。
長手方向に配置された廊下状の搬送路１０、１１が第１
の受け渡し部１２を介して一直線上に設けられており、
この搬送路１０、１１の両側には、ガラス基板Ｇに対す
る各処理を行うための各種処理装置が配置されている。
【００２１】図示の塗布・現像処理システム１にあって
は、搬送路１０の一側方に、ガラス基板Ｇをブラシ洗浄
すると共に高圧ジェット水により洗浄を施すための洗浄
装置１６が例えば２台並設されている。また、搬送路１
０を挟んで反対側に、二基の現像装置１７が並設され、
その隣りに二基の加熱装置１８が積み重ねて設けられて
いる。
は、搬送路１０の一側方に、ガラス基板Ｇをブラシ洗浄
すると共に高圧ジェット水により洗浄を施すための洗浄
装置１６が例えば２台並設されている。また、搬送路１
０を挟んで反対側に、二基の現像装置１７が並設され、
その隣りに二基の加熱装置１８が積み重ねて設けられて
いる。
【００２２】また、搬送路１１の一側方に、ガラス基板
Ｇにレジスト液を塗布する前にガラス基板Ｇを疎水処理
するアドヒージョン装置２０が設けられ、このアドヒー
ジョン装置２０の下方には冷却用のクーリング装置２１
が配置されている。また、これらアドヒージョン装置２
０とクーリング装置２１の隣には加熱装置２２が二列に
二個ずつ積み重ねて配置されている。また、搬送路１１
を挟んで反対側に、ガラス基板Ｇの表面にレジスト液を
塗布することによってガラス基板Ｇの表面にレジスト膜
を形成するレジスト塗布装置２３が配置されている。図
示はしないが、これら塗布装置２３の側部には、第２の
受け渡し部２８を介し、ガラス基板Ｇ上に形成されたレ
ジスト膜に所定の微細パターンを露光するための露光装
置等が設けられる。第２の受け渡し部２８は、ガラス基
板Ｇを搬入および搬出するための搬出入ピンセット２９
および受け渡し台３０を備えている。
Ｇにレジスト液を塗布する前にガラス基板Ｇを疎水処理
するアドヒージョン装置２０が設けられ、このアドヒー
ジョン装置２０の下方には冷却用のクーリング装置２１
が配置されている。また、これらアドヒージョン装置２
０とクーリング装置２１の隣には加熱装置２２が二列に
二個ずつ積み重ねて配置されている。また、搬送路１１
を挟んで反対側に、ガラス基板Ｇの表面にレジスト液を
塗布することによってガラス基板Ｇの表面にレジスト膜
を形成するレジスト塗布装置２３が配置されている。図
示はしないが、これら塗布装置２３の側部には、第２の
受け渡し部２８を介し、ガラス基板Ｇ上に形成されたレ
ジスト膜に所定の微細パターンを露光するための露光装
置等が設けられる。第２の受け渡し部２８は、ガラス基
板Ｇを搬入および搬出するための搬出入ピンセット２９
および受け渡し台３０を備えている。
【００２３】以上の各処理装置１５〜１８および２０〜
２３は、何れも搬送路１０、１１の両側において、ガラ
ス基板Ｇの出入口を内側に向けて配設されている。第１
の搬送装置２５がローダ・アンローダ部２、各処理装置
１５〜１８および第１の受け渡し部１２との間でガラス
基板Ｇを搬送するために搬送路１０上を移動し、第２の
搬送装置２６が第１の受け渡し部１２、第２の受け渡し
部２８および各処理装置２０〜２３との間でガラス基板
Ｇを搬送するために搬送路１１上を移動するようになっ
ている。
２３は、何れも搬送路１０、１１の両側において、ガラ
ス基板Ｇの出入口を内側に向けて配設されている。第１
の搬送装置２５がローダ・アンローダ部２、各処理装置
１５〜１８および第１の受け渡し部１２との間でガラス
基板Ｇを搬送するために搬送路１０上を移動し、第２の
搬送装置２６が第１の受け渡し部１２、第２の受け渡し
部２８および各処理装置２０〜２３との間でガラス基板
Ｇを搬送するために搬送路１１上を移動するようになっ
ている。
【００２４】各搬送装置２５、２６は、それぞれ上下一
対のアーム２７、２７を有しており、各処理装置１５〜
１８および２０〜２３にアクセスするときは、一方のア
ーム２７で各処理装置のチャンバから処理済みのガラス
基板Ｇを搬出し、他方のアーム２７で処理前のガラス基
板Ｇをチャンバ内に搬入するように構成されている。
対のアーム２７、２７を有しており、各処理装置１５〜
１８および２０〜２３にアクセスするときは、一方のア
ーム２７で各処理装置のチャンバから処理済みのガラス
基板Ｇを搬出し、他方のアーム２７で処理前のガラス基
板Ｇをチャンバ内に搬入するように構成されている。
【００２５】図２は上記現像装置１７の正面図、図３は
その平面図、図4はその側面図である。現像装置１７の
中心部には、駆動モータ３１によって回転可能でかつ上
下動可能に構成されたスピンチャック３２が設けられて
いる。このスピンチャック３２の上面は、真空吸着等に
よってガラス基板Ｇを水平状態に吸着保持するように構
成されている。
その平面図、図4はその側面図である。現像装置１７の
中心部には、駆動モータ３１によって回転可能でかつ上
下動可能に構成されたスピンチャック３２が設けられて
いる。このスピンチャック３２の上面は、真空吸着等に
よってガラス基板Ｇを水平状態に吸着保持するように構
成されている。
【００２６】このスピンチャック３２の下方には下容器
３３が配置されている。また、スピンチャック３２の外
周を囲うように外カップ３４が配置され、下容器３３と
外カップ３４の間には内カップ３５が配置されている。
３３が配置されている。また、スピンチャック３２の外
周を囲うように外カップ３４が配置され、下容器３３と
外カップ３４の間には内カップ３５が配置されている。
【００２７】外カップ３４と内カップ３５とは連結部材
３６により連結され、これら外カップ３４及び内カップ
３５は制御部３７の指令に基づき昇降シリンダ３８によ
り昇降されるようになっている。外カップ３４及び内カ
ップ３５の上部はそれぞれ上に行くに従って狭くなるよ
うに内側に傾斜して設けられており、外カップ３４の上
端開口部の直径は内カップ３５のそれよりも大きく、か
つ、これらの上端開口部の直径はガラス基板Ｇを水平状
態にしたままでカップ内に下降させて収容できる大きさ
に形成されている。
３６により連結され、これら外カップ３４及び内カップ
３５は制御部３７の指令に基づき昇降シリンダ３８によ
り昇降されるようになっている。外カップ３４及び内カ
ップ３５の上部はそれぞれ上に行くに従って狭くなるよ
うに内側に傾斜して設けられており、外カップ３４の上
端開口部の直径は内カップ３５のそれよりも大きく、か
つ、これらの上端開口部の直径はガラス基板Ｇを水平状
態にしたままでカップ内に下降させて収容できる大きさ
に形成されている。
【００２８】下容器３３は、中心部から外に向かって下
方向に傾斜する傾斜部３９と、その外周に配置された受
け皿部４０とを備える。受け皿部４０の底面には筒状の
起立壁４２が設けられており、起立壁４２は外カップ３
４と内カップ３５との間に介在される。また、内カップ
３５の傾斜部は起立壁４２を超えて起立壁４２の外周に
延在している。これにより、内カップ３５の傾斜部を流
れる流体は受け皿部４０の起立壁４２で仕切られた外側
室４３に流れ込むようになっている。
方向に傾斜する傾斜部３９と、その外周に配置された受
け皿部４０とを備える。受け皿部４０の底面には筒状の
起立壁４２が設けられており、起立壁４２は外カップ３
４と内カップ３５との間に介在される。また、内カップ
３５の傾斜部は起立壁４２を超えて起立壁４２の外周に
延在している。これにより、内カップ３５の傾斜部を流
れる流体は受け皿部４０の起立壁４２で仕切られた外側
室４３に流れ込むようになっている。
【００２９】下容器３３の傾斜部３９の裏面側には、カ
ップ内を排気するための排気口４４が設けられており、
排気口４４には排気ポンプ（（図示を省略））が接続さ
れている。受け皿部４０の起立壁４２で仕切られた内側
室４５の下部には排液口４６が形成されており、外側室
４３の下部にドレイン口４７が形成されている。そし
て、排液口４６に回収管４８を介して使用済み現像液を
再生処理する再生処理機構４９が接続されている。再生
処理機構４９は、気液分離する気液分離機構５０と使用
済み現像液中の不純物を除去する不純物除去機構５１と
で構成され、現像液収容タンク５２に接続されている。
ドレイン口４７は図示しない回収タンクに接続されてい
る。
ップ内を排気するための排気口４４が設けられており、
排気口４４には排気ポンプ（（図示を省略））が接続さ
れている。受け皿部４０の起立壁４２で仕切られた内側
室４５の下部には排液口４６が形成されており、外側室
４３の下部にドレイン口４７が形成されている。そし
て、排液口４６に回収管４８を介して使用済み現像液を
再生処理する再生処理機構４９が接続されている。再生
処理機構４９は、気液分離する気液分離機構５０と使用
済み現像液中の不純物を除去する不純物除去機構５１と
で構成され、現像液収容タンク５２に接続されている。
ドレイン口４７は図示しない回収タンクに接続されてい
る。
【００３０】カップの上部一側方にはガラス基板Ｇ表面
に対し現像液を吐出するための現像液吐出機構５３が配
置され、他側方にはガラス基板Ｇ表面に対して洗浄液を
噴出するための洗浄機構５４及びガラス基板Ｇ表面に対
しリンス液を供給するためのリンス液供給機構５５が配
置されている。また、カップの上部の手前及び背後には
搬送用レール５６、５７が設けられている。現像液吐出
機構５３及び洗浄機構５４にはそれぞれ搬送用モータ５
８、５９が取り付けられており、制御部３７による制御
の基で搬送モータ５８、５９の駆動により現像液吐出機
構５３及び洗浄機構５４が搬送用レール５６、５７に沿
ってカップ内上部に搬送されるようになっている。
に対し現像液を吐出するための現像液吐出機構５３が配
置され、他側方にはガラス基板Ｇ表面に対して洗浄液を
噴出するための洗浄機構５４及びガラス基板Ｇ表面に対
しリンス液を供給するためのリンス液供給機構５５が配
置されている。また、カップの上部の手前及び背後には
搬送用レール５６、５７が設けられている。現像液吐出
機構５３及び洗浄機構５４にはそれぞれ搬送用モータ５
８、５９が取り付けられており、制御部３７による制御
の基で搬送モータ５８、５９の駆動により現像液吐出機
構５３及び洗浄機構５４が搬送用レール５６、５７に沿
ってカップ内上部に搬送されるようになっている。
【００３１】現像液吐出機構５３には、制御部３７の制
御の基、ポンプ６２を介して現像液収容タンク５２より
現像液が供給される。また、洗浄機構５４には、制御部
３７の制御の基、ポンプ６４を介して洗浄液タンク６５
より洗浄液が供給される。同様に、リンス液供給機構５
５にも、制御部３７の制御の基、ポンプ６６を介してリ
ンス液タンク６７よりリンス液が供給される。
御の基、ポンプ６２を介して現像液収容タンク５２より
現像液が供給される。また、洗浄機構５４には、制御部
３７の制御の基、ポンプ６４を介して洗浄液タンク６５
より洗浄液が供給される。同様に、リンス液供給機構５
５にも、制御部３７の制御の基、ポンプ６６を介してリ
ンス液タンク６７よりリンス液が供給される。
【００３２】図２及び図４に示すように、現像液吐出機
構５３では、水平方向に配置された保持棒６８に複数の
現像液吐出ノズル７１が取り付けら、これら現像液吐出
ノズル７１の走行方向に隣接するように複数のエアー噴
出ノズル７２が取り付けられている。
構５３では、水平方向に配置された保持棒６８に複数の
現像液吐出ノズル７１が取り付けら、これら現像液吐出
ノズル７１の走行方向に隣接するように複数のエアー噴
出ノズル７２が取り付けられている。
【００３３】エアー噴出ノズル７２は、スピンチャック
３２により保持されたガラス基板Ｇの表面に向けて、不
活性ガス、例えば窒素ガスを噴出する。
３２により保持されたガラス基板Ｇの表面に向けて、不
活性ガス、例えば窒素ガスを噴出する。
【００３４】次に動作について説明する。図５は現像装
置１７における処理フローを示している。現像装置１７
内に搬入され、スピンチャック３２によって保持された
ガラス基板Ｇは下降され、外カップ３４及び内カップ３
５は最も高い位置まで上昇され、現像液吐出機構５３は
ガラス基板Ｇのほぼ中央まで搬送されて静止する。そし
て、スピンチャック３２により保持されたガラス基板Ｇ
が回転され、図６（ａ）に示すように現像液吐出機構５
３の現像液吐出ノズル７１よりこのガラス基板Ｇに対し
て第１の吐出速度で現像液が吐出される（ステップ５０
１）。なお、このときエアー噴出ノズル７２からの窒素
ガスの噴出は停止されている。また、ガラス基板Ｇの外
周より飛び散る現像液は内カップ３５の内側に当り排液
口４６より回収され、再利用される。
置１７における処理フローを示している。現像装置１７
内に搬入され、スピンチャック３２によって保持された
ガラス基板Ｇは下降され、外カップ３４及び内カップ３
５は最も高い位置まで上昇され、現像液吐出機構５３は
ガラス基板Ｇのほぼ中央まで搬送されて静止する。そし
て、スピンチャック３２により保持されたガラス基板Ｇ
が回転され、図６（ａ）に示すように現像液吐出機構５
３の現像液吐出ノズル７１よりこのガラス基板Ｇに対し
て第１の吐出速度で現像液が吐出される（ステップ５０
１）。なお、このときエアー噴出ノズル７２からの窒素
ガスの噴出は停止されている。また、ガラス基板Ｇの外
周より飛び散る現像液は内カップ３５の内側に当り排液
口４６より回収され、再利用される。
【００３５】所定時間経過後、図６（ｂ）に示すよう
に、現像液吐出機構５３の現像液吐出ノズル７１よりこ
のガラス基板Ｇに対して第１の吐出速度よりも速い第２
の吐出速度で現像液が吐出され、更にエアー噴出ノズル
７２からの窒素ガスの噴出が開始される（ステップ５０
２）。
に、現像液吐出機構５３の現像液吐出ノズル７１よりこ
のガラス基板Ｇに対して第１の吐出速度よりも速い第２
の吐出速度で現像液が吐出され、更にエアー噴出ノズル
７２からの窒素ガスの噴出が開始される（ステップ５０
２）。
【００３６】次に、スピンチャック３２によって保持さ
れたガラス基板Ｇは下降され、外カップ３４及び内カッ
プ３５は最も低い位置まで下降される。そして、スピン
チャック３２により保持されたガラス基板Ｇが静止状態
とされ、洗浄機構５４がガラス基板Ｇの長手方向に走査
され、かつ、洗浄機構５４よりガラス基板Ｇに対して洗
浄液が吐出される（ステップ５０３）。なお、ガラス基
板Ｇの外周より飛び散る洗浄液は内カップ３５と外カッ
プ３４との間を通ってドレイン口４７より廃棄される。
れたガラス基板Ｇは下降され、外カップ３４及び内カッ
プ３５は最も低い位置まで下降される。そして、スピン
チャック３２により保持されたガラス基板Ｇが静止状態
とされ、洗浄機構５４がガラス基板Ｇの長手方向に走査
され、かつ、洗浄機構５４よりガラス基板Ｇに対して洗
浄液が吐出される（ステップ５０３）。なお、ガラス基
板Ｇの外周より飛び散る洗浄液は内カップ３５と外カッ
プ３４との間を通ってドレイン口４７より廃棄される。
【００３７】次に、リンス液供給機構５５がガラス基板
Ｇのほぼセンタに搬送される。そして、スピンチャック
３２により保持されたガラス基板Ｇが回転され、リンス
液供給機構５５よりガラス基板Ｇに対してリンス液が供
給される（ステップ５０４）。なお、ガラス基板Ｇの外
周より飛び散るリンス液は内カップ３５と外カップ３４
との間を通ってドレイン口４７より廃棄される。
Ｇのほぼセンタに搬送される。そして、スピンチャック
３２により保持されたガラス基板Ｇが回転され、リンス
液供給機構５５よりガラス基板Ｇに対してリンス液が供
給される（ステップ５０４）。なお、ガラス基板Ｇの外
周より飛び散るリンス液は内カップ３５と外カップ３４
との間を通ってドレイン口４７より廃棄される。
【００３８】最後に、リンス液供給機構５５がカップ外
へ搬送され、スピンチャック３２によって保持されたガ
ラス基板Ｇが高速回転されて振り切り乾燥が行われる
（ステップ５０５）。
へ搬送され、スピンチャック３２によって保持されたガ
ラス基板Ｇが高速回転されて振り切り乾燥が行われる
（ステップ５０５）。
【００３９】以上のように、この実施の形態によれば、
現像処理工程において、まず最初に現像液吐出ノズル７
１よりガラス基板Ｇに対して第１の吐出速度で現像液を
吐出した後、現像液吐出ノズル７１よりこのガラス基板
Ｇに対して第１の吐出速度よりも速い第２の吐出速度で
現像液を吐出しつつ、エアー噴出ノズル７２から窒素ガ
スを噴出しているので、図１０に示した露光部１０３表
面の薄いタフスキン層１０４を取り除きつつ現像を行う
ことができる。よって、現像速度を上げることができ、
また現像の均一性を高めることができる。
現像処理工程において、まず最初に現像液吐出ノズル７
１よりガラス基板Ｇに対して第１の吐出速度で現像液を
吐出した後、現像液吐出ノズル７１よりこのガラス基板
Ｇに対して第１の吐出速度よりも速い第２の吐出速度で
現像液を吐出しつつ、エアー噴出ノズル７２から窒素ガ
スを噴出しているので、図１０に示した露光部１０３表
面の薄いタフスキン層１０４を取り除きつつ現像を行う
ことができる。よって、現像速度を上げることができ、
また現像の均一性を高めることができる。
【００４０】なお、上述した現像処理において、ガラス
基板Ｇを回転させながら現像液を吐出していたが、ガラ
ス基板Ｇを静止状態とし、現像液吐出機構６８を、静止
したガラス基板上を走行するようにしてもい。
基板Ｇを回転させながら現像液を吐出していたが、ガラ
ス基板Ｇを静止状態とし、現像液吐出機構６８を、静止
したガラス基板上を走行するようにしてもい。
【００４１】次に、第２の実施の形態について説明す
る。図７はこの第２の実施の形態に係る説明図である。
図７に示すように、この第２の実施の形態では、現像液
吐出ノズル７１を回動可能として点が第１の実施の形態
と異なる。また、ここでは、現像処理において、ガラス
基板Ｇを静止状態とし、現像液吐出機構６８を、静止し
たガラス基板上を走行するようにしている。
る。図７はこの第２の実施の形態に係る説明図である。
図７に示すように、この第２の実施の形態では、現像液
吐出ノズル７１を回動可能として点が第１の実施の形態
と異なる。また、ここでは、現像処理において、ガラス
基板Ｇを静止状態とし、現像液吐出機構６８を、静止し
たガラス基板上を走行するようにしている。
【００４２】そして、現像処理工程において、図７
（ａ）に示すように、まず現像液吐出ノズル７１をこれ
から吐出される現像液とガラス基板Ｇとがなす角度がほ
ぼ９０°となる状態にし、この現像液吐出ノズル７１よ
りこのガラス基板Ｇに対して現像液を吐出する。
（ａ）に示すように、まず現像液吐出ノズル７１をこれ
から吐出される現像液とガラス基板Ｇとがなす角度がほ
ぼ９０°となる状態にし、この現像液吐出ノズル７１よ
りこのガラス基板Ｇに対して現像液を吐出する。
【００４３】次に、図７（ｂ）に示すように、現像液吐
出ノズル７１から吐出される現像液とガラス基板Ｇ（ガ
ラス基板Ｇの進行方向）とがなす角度が例えば４５°と
なるように現像液吐出ノズル７１を回動し、現像液吐出
ノズル７１よりこのガラス基板Ｇに対して現像液を吐出
する。
出ノズル７１から吐出される現像液とガラス基板Ｇ（ガ
ラス基板Ｇの進行方向）とがなす角度が例えば４５°と
なるように現像液吐出ノズル７１を回動し、現像液吐出
ノズル７１よりこのガラス基板Ｇに対して現像液を吐出
する。
【００４４】以上のように、この実施の形態によれば、
現像処理工程において、まず最初に現像液吐出ノズル７
１よりガラス基板Ｇに対して第１の角度で現像液を吐出
した後、現像液吐出ノズル７１よりこのガラス基板Ｇに
対して第１の角度よりも小さい第２の角度で現像液を吐
出しているので、図１０に示した露光部１０３表面の薄
いタフスキン層１０４を取り除きつつ現像を行うことが
できる。よって、現像速度を上げることができ、また現
像の均一性を高めることができる。
現像処理工程において、まず最初に現像液吐出ノズル７
１よりガラス基板Ｇに対して第１の角度で現像液を吐出
した後、現像液吐出ノズル７１よりこのガラス基板Ｇに
対して第１の角度よりも小さい第２の角度で現像液を吐
出しているので、図１０に示した露光部１０３表面の薄
いタフスキン層１０４を取り除きつつ現像を行うことが
できる。よって、現像速度を上げることができ、また現
像の均一性を高めることができる。
【００４５】次に、第３の実施の形態について説明す
る。図８はこの第３の実施の形態に係る説明図である。
図８に示すように、この第３の実施の形態では、現像液
吐出ノズル７１に隣接してガラス基板Ｇ上の現像液を攪
拌するための攪拌箆７３を昇降可能に取り付けている。
攪拌箆７３が下降したとには、その先端がガラス基板Ｇ
自体には接触しないがその上の現像液には接触するよう
になっている。
る。図８はこの第３の実施の形態に係る説明図である。
図８に示すように、この第３の実施の形態では、現像液
吐出ノズル７１に隣接してガラス基板Ｇ上の現像液を攪
拌するための攪拌箆７３を昇降可能に取り付けている。
攪拌箆７３が下降したとには、その先端がガラス基板Ｇ
自体には接触しないがその上の現像液には接触するよう
になっている。
【００４６】そして、現像処理工程において、図８
（ａ）に示すように、まず攪拌箆７３を上昇した状態に
し、この現像液吐出ノズル７１よりこのガラス基板Ｇに
対して現像液を吐出する。
（ａ）に示すように、まず攪拌箆７３を上昇した状態に
し、この現像液吐出ノズル７１よりこのガラス基板Ｇに
対して現像液を吐出する。
【００４７】次に、図８（ｂ）に示すように、攪拌箆７
３を下降してガラス基板Ｇ上の現像液には接触するよう
にし、現像液吐出ノズル７１よりこのガラス基板Ｇに対
して現像液を吐出する。
３を下降してガラス基板Ｇ上の現像液には接触するよう
にし、現像液吐出ノズル７１よりこのガラス基板Ｇに対
して現像液を吐出する。
【００４８】以上のように、この実施の形態によれば、
現像処理工程において、まず最初に現像液吐出ノズル７
１よりガラス基板Ｇに対して現像液を吐出した後、現像
液吐出ノズル７１よりこのガラス基板Ｇに対して現像液
を吐出しつつ攪拌箆７３によりこの現像液を攪拌するよ
うにしているので、図１０に示した露光部１０３表面の
薄いタフスキン層１０４を取り除きつつ現像を行うこと
ができる。よって、現像速度を上げることができ、また
現像の均一性を高めることができる。
現像処理工程において、まず最初に現像液吐出ノズル７
１よりガラス基板Ｇに対して現像液を吐出した後、現像
液吐出ノズル７１よりこのガラス基板Ｇに対して現像液
を吐出しつつ攪拌箆７３によりこの現像液を攪拌するよ
うにしているので、図１０に示した露光部１０３表面の
薄いタフスキン層１０４を取り除きつつ現像を行うこと
ができる。よって、現像速度を上げることができ、また
現像の均一性を高めることができる。
【００４９】なお、本発明は上述した実施の形態には限
定されない。例えば、基板としてはＬＣＤ用のガラス基
板Ｇばかりでなく、半導体ウェハ等の基板についても本
発明を当然適用できる。また、現像液吐出ノズルについ
ては、図９に示すようにＥ２タイプ（スリット状に吐出
孔も持つ。）のノズル９１を用いても当然かまわない。
定されない。例えば、基板としてはＬＣＤ用のガラス基
板Ｇばかりでなく、半導体ウェハ等の基板についても本
発明を当然適用できる。また、現像液吐出ノズルについ
ては、図９に示すようにＥ２タイプ（スリット状に吐出
孔も持つ。）のノズル９１を用いても当然かまわない。
【００５０】次に、第４の実施の形態について説明す
る。図１１はこの第４の実施の形態に係る説明図であ
る。図１１に示すように、この第４の実施の形態では、
液吐出機構５３により現像液吐出ノズル７１からガラス
基板Ｇ上に現像液を供給する手順を示す。この手順とし
ては、まず第１の工程として、図１１の（ａ）に示す位
置から液吐出機構５３が矢印Ｘ方向に移動し、図１１の
（ｂ）に示す位置に液吐出機構５３が移動する。この
際、液吐出機構５３の全ての現像液吐出ノズル７１から
は、現像液が吐出し、第１の現像液供給領域、例えば全
面に亘って現像液が供給される。
る。図１１はこの第４の実施の形態に係る説明図であ
る。図１１に示すように、この第４の実施の形態では、
液吐出機構５３により現像液吐出ノズル７１からガラス
基板Ｇ上に現像液を供給する手順を示す。この手順とし
ては、まず第１の工程として、図１１の（ａ）に示す位
置から液吐出機構５３が矢印Ｘ方向に移動し、図１１の
（ｂ）に示す位置に液吐出機構５３が移動する。この
際、液吐出機構５３の全ての現像液吐出ノズル７１から
は、現像液が吐出し、第１の現像液供給領域、例えば全
面に亘って現像液が供給される。
【００５１】この後、第２の工程として、図１１の
（ｃ）に示す位置から液吐出機構５３が矢印Ｘ方向に移
動し、図１１の（ｄ）に示す位置に液吐出機構５３が移
動する。この際、液吐出機構５３の現像液吐出ノズル７
１の内の一部、例えば稼動する現像液吐出ノズル７１群
としての稼動現像液吐出ノズル領域１９９から、現像液
が吐出し、非稼動現像液吐出ノズル領域１９８からは、
現像液を吐出しない。このような選択される現像液吐出
ノズル領域と液吐出のタイミングとにより、前述の第１
の現像液供給領域よりも狭い領域、例えばガラス基板Ｇ
の中央部にのみ現像液を供給する。
（ｃ）に示す位置から液吐出機構５３が矢印Ｘ方向に移
動し、図１１の（ｄ）に示す位置に液吐出機構５３が移
動する。この際、液吐出機構５３の現像液吐出ノズル７
１の内の一部、例えば稼動する現像液吐出ノズル７１群
としての稼動現像液吐出ノズル領域１９９から、現像液
が吐出し、非稼動現像液吐出ノズル領域１９８からは、
現像液を吐出しない。このような選択される現像液吐出
ノズル領域と液吐出のタイミングとにより、前述の第１
の現像液供給領域よりも狭い領域、例えばガラス基板Ｇ
の中央部にのみ現像液を供給する。
【００５２】このように、部分的な複数回、例えば２度
塗りを行うと、部分的に２度塗りを行った現像液は表面
張力等によりガラス基板Ｇの周縁部方向Ａに攪拌して行
くことになる。したがって、図１０に示した露光部１０
３表面の薄いタフスキン層１０４を取り除きつつ現像を
行うことができる。よって、現像速度を上げることがで
き、また現像の均一性を高めることができる。
塗りを行うと、部分的に２度塗りを行った現像液は表面
張力等によりガラス基板Ｇの周縁部方向Ａに攪拌して行
くことになる。したがって、図１０に示した露光部１０
３表面の薄いタフスキン層１０４を取り除きつつ現像を
行うことができる。よって、現像速度を上げることがで
き、また現像の均一性を高めることができる。
【００５３】また、攪拌をより促進する手段の一つとし
て、図１２に示すように、スピンチャック３２に圧電素
子２０２を内蔵させ、この圧電素子２０２にはその電力
を供給する電力機構としての直流電源２０３が接続され
ている。この電力機構２０３を制御する例として、図１
３に示すように、電力をONにするタイミングとしては、
前述の第１の工程の開始から第２の工程が終了し、その
後現像のプロセスが終了するまでの所定のタイミングで
ONするものである。
て、図１２に示すように、スピンチャック３２に圧電素
子２０２を内蔵させ、この圧電素子２０２にはその電力
を供給する電力機構としての直流電源２０３が接続され
ている。この電力機構２０３を制御する例として、図１
３に示すように、電力をONにするタイミングとしては、
前述の第１の工程の開始から第２の工程が終了し、その
後現像のプロセスが終了するまでの所定のタイミングで
ONするものである。
【００５４】この動作のタイミングとしては、第１の工
程の後及び／または第２の工程の後に、おこなっても良
いし、第1の工程の途中及び／または第2の工程中の所定
時間に、また第１の工程の前及び／または第２の工程の
前にもおこなっても良く、被処理体の処理プロセスの条
件によって対応する事が可能であり、攪拌をより促進す
ることができる。
程の後及び／または第２の工程の後に、おこなっても良
いし、第1の工程の途中及び／または第2の工程中の所定
時間に、また第１の工程の前及び／または第２の工程の
前にもおこなっても良く、被処理体の処理プロセスの条
件によって対応する事が可能であり、攪拌をより促進す
ることができる。
【００５５】次に、攪拌の他の実施の形態について説明
をおこなう。この攪拌は、図１４に示すように、スピン
チャック３２の内部に、第１の電極２０６を絶縁状態で
内蔵し、ガラス基板Ｇの上方位置には第２の電極２０７
が配置されており、これらの電極には電力を供給する電
力機構としての交流電源２０８が接続されている。この
交流電源２０８の稼動のタイミングは前述と同様ガラス
基板Ｇの処理プロセスに応じて設定されるものである。
このような電界による攪拌でも同様の効果を生じること
ができる。また、電界に限らず、磁界による攪拌でも良
いことは言うまでもない。
をおこなう。この攪拌は、図１４に示すように、スピン
チャック３２の内部に、第１の電極２０６を絶縁状態で
内蔵し、ガラス基板Ｇの上方位置には第２の電極２０７
が配置されており、これらの電極には電力を供給する電
力機構としての交流電源２０８が接続されている。この
交流電源２０８の稼動のタイミングは前述と同様ガラス
基板Ｇの処理プロセスに応じて設定されるものである。
このような電界による攪拌でも同様の効果を生じること
ができる。また、電界に限らず、磁界による攪拌でも良
いことは言うまでもない。
【００５６】さらに、攪拌の他の実施の形態について説
明をおこなう。この攪拌は、図１５に示すように、第２
の工程の後、スピンチャック３２を矢印の角方向θに移
動させるものである。この移動は、反復の移動でも良
く、一方向のみの移動でもよい。このような攪拌でも同
様の効果を生じることができる。また、各方向に移動し
たが、線運動としての矢印の方向Ｙに移動させる攪拌で
も良いことは言うまでもない。
明をおこなう。この攪拌は、図１５に示すように、第２
の工程の後、スピンチャック３２を矢印の角方向θに移
動させるものである。この移動は、反復の移動でも良
く、一方向のみの移動でもよい。このような攪拌でも同
様の効果を生じることができる。また、各方向に移動し
たが、線運動としての矢印の方向Ｙに移動させる攪拌で
も良いことは言うまでもない。
【００５７】さらに、攪拌の他の実施の形態について説
明をおこなう。この攪拌は、図１６に示すように、第２
の工程の後、ガラス基板Ｇの下方位置から基板に対して
近接する、振動子、例えば超音波振動子を備えた振動板
２１０をガラス基板Ｇの一部の領域、例えば周縁部に作
用させるものである。これにより、例えば第２の工程で
のガラス基板Ｇの中央部から周縁部に拡散する現像液の
攪拌を促進したり、現像が進行しにくい部分を補うのに
より効果的である。したがって、ガラス基板Ｇの全面に
亘ってより均一な処理を行うことが可能となる。
明をおこなう。この攪拌は、図１６に示すように、第２
の工程の後、ガラス基板Ｇの下方位置から基板に対して
近接する、振動子、例えば超音波振動子を備えた振動板
２１０をガラス基板Ｇの一部の領域、例えば周縁部に作
用させるものである。これにより、例えば第２の工程で
のガラス基板Ｇの中央部から周縁部に拡散する現像液の
攪拌を促進したり、現像が進行しにくい部分を補うのに
より効果的である。したがって、ガラス基板Ｇの全面に
亘ってより均一な処理を行うことが可能となる。
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の主たる発
明によれば、ある程度現像を進行させた後に、第１の吐
出速度より速い第２の吐出速度で現像液を吐出したり、
被処理体に対して第１の吐出角度より被処理体に対する
角度が小さい第２の吐出角度で現像液を吐出したり、被
処理体に対して現像液を吐出しつつ気体を吹き付けた
り、被処理体に対して現像液を吐出しつつ攪拌箆で攪拌
したり、或いはこれらを組み合わせることで、積極的に
露光部表面の薄いタフスキン層を取り除きつつ現像を行
うようにしたので、現像速度を上げることができ、また
現像の均一性を高めることができる。
明によれば、ある程度現像を進行させた後に、第１の吐
出速度より速い第２の吐出速度で現像液を吐出したり、
被処理体に対して第１の吐出角度より被処理体に対する
角度が小さい第２の吐出角度で現像液を吐出したり、被
処理体に対して現像液を吐出しつつ気体を吹き付けた
り、被処理体に対して現像液を吐出しつつ攪拌箆で攪拌
したり、或いはこれらを組み合わせることで、積極的に
露光部表面の薄いタフスキン層を取り除きつつ現像を行
うようにしたので、現像速度を上げることができ、また
現像の均一性を高めることができる。
【図１】 本発明の第１の実施形態に係る塗布・現像処
理システムの斜視図である。
理システムの斜視図である。
【図２】 図１に示した現像装置の正面図である。
【図３】 図１に示した現像装置の平面図である。
【図４】 図１に示した現像装置の側面図である。
【図５】 第１の実施形態に係る処理フローである。
【図６】 第１の実施形態に係る動作説明図である。
【図７】 第２の実施形態に係る動作説明図である。
【図８】 第３の実施形態に係る動作説明図である。
【図９】 本発明の変形例に係る斜視図である。
【図１０】 本発明の原理を説明するための図である。
【図１１】 第４の実施形態に係る動作説明図である。
【図１２】 攪拌の他の実施形態に係る説明図である。
【図１３】 図１２の攪拌に係る動作説明図である。
【図１４】 攪拌の他の実施形態に係る説明図である。
【図１５】 攪拌の他の実施形態に係る説明図である。
【図１６】 攪拌の他の実施形態に係る説明図である。
１７ 現像装置 ７１ 現像液吐出ノズル ７２ エアー噴出ノズル ７３ 攪拌箆 Ｇ ガラス基板Ｇ
Claims (15)
- 【請求項１】 被処理体に対して第１の吐出速度で現像
液を吐出する第１の工程と、 前記第１の工程の後に、前記被処理体に対して前記第１
の吐出速度より速い第２の吐出速度で現像液を吐出する
第２の工程とを具備することを特徴とする現像方法。 - 【請求項２】 被処理体に対して第１の吐出角度で現像
液を吐出する第１の工程と、 前記第１の工程の後に、前記被処理体に対して前記第１
の吐出角度より被処理体に対する角度が小さい第２の吐
出角度で現像液を吐出する第２の工程とを具備すること
を特徴とする現像方法。 - 【請求項３】 被処理体に対して現像液を吐出する第１
の工程と、 前記第１の工程の後に、前記被処理体に対して気体を吹
き付ける第２の工程とを具備することを特徴とする現像
方法。 - 【請求項４】 被処理体に対して現像液を吐出する第１
の工程と、 前記第１の工程の後に、前記被処理体に対して攪拌箆で
攪拌する第２の工程とを具備することを特徴とする現像
方法。 - 【請求項５】 被処理体を保持する保持手段と、 前記保持手段により保持された被処理体に対して現像液
を吐出する吐出手段と、 前記吐出手段により第１の吐出速度で現像液を吐出させ
た後、前記第１の吐出速度より速い第２の吐出速度で現
像液を吐出させる制御手段とを具備することを特徴とす
る現像装置。 - 【請求項６】 被処理体を保持する保持手段と、 前記保持手段により保持された被処理体に対して現像液
を吐出する吐出手段と、 前記吐出手段の被処理体に対する吐出角度を可変する可
変手段と、 前記吐出手段により第１の吐出角度で現像液を吐出させ
た後、前記第１の吐出角度より被処理体に対する角度が
小さい第２の吐出角度で現像液を吐出させるように前記
可変手段を制御する制御手段とを具備することを特徴と
する現像装置。 - 【請求項７】 被処理体を保持する保持手段と、 前記保持手段により保持された被処理体に対して現像液
を吐出する吐出手段と、 前記被処理体に対して気体を吹き付ける吹き付け手段
と、 前記吐出手段により現像液を吐出させた後、前記吐出手
段により現像液を吐出させつつ前記吹きつけ手段により
気体を吹き付けさせる制御手段とを具備することを特徴
とする現像装置。 - 【請求項８】 被処理体を保持する保持手段と、 前記保持手段により保持された被処理体に対して現像液
を吐出する吐出手段と、 前記被処理体に吐出された現像液を攪拌する攪拌箆と、 前記吐出手段により現像液を吐出させた後、前記吐出手
段により現像液を吐出させつつ前記攪拌箆により現像液
を攪拌させる制御手段とを具備することを特徴とする現
像装置。 - 【請求項９】 被処理体に対して現像液を吐出する第１
の工程と、 前記第１の工程の後に、前記被処理体に対して第１の工
程での現像液の吐出領域より狭い範囲の領域に現像液を
吐出する第２の工程とを具備することを特徴とする現像
方法。 - 【請求項10】 前記第１の工程の後及び／または第２の
工程の後に、前記被処理体上の現像液に対して振動を与
えることを特徴とする請求項9に記載の現像方法。 - 【請求項11】 前記第２の工程の後に前記被処理体上の
現像液を攪拌することを特徴とする請求項9または10に
記載の現像方法。 - 【請求項12】 前記第1の工程の途中及び／または第2の
工程中の所定時間に前記被処理体上の現像液に対して振
動を与えることを特徴とする請求項9，10または11に記
載の現像方法。 - 【請求項13】 前記第１の工程の前及び／または第２の
工程の前に、前記被処理体上の現像液に対して振動を与
えることを特徴とする請求項9，10，11または12に記載
の現像方法。 - 【請求項14】 前記狭い範囲の領域は、前記被処理体の
中央部であることを特徴とする請求項9，10，11，12ま
たは13に記載の現像方法。 - 【請求項15】 前記第１の工程での現像液吐出の範囲は
被処理体の全面にわたって実施され、第２の工程での現
像液吐出の範囲は被処理体の中央部のみに実施されるこ
とを特徴とする請求項9，10，11，12または13に記載の
現像方法。
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