JP3177728B2 - 処理装置及び処理方法 - Google Patents

処理装置及び処理方法

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JP3177728B2
JP3177728B2 JP21946494A JP21946494A JP3177728B2 JP 3177728 B2 JP3177728 B2 JP 3177728B2 JP 21946494 A JP21946494 A JP 21946494A JP 21946494 A JP21946494 A JP 21946494A JP 3177728 B2 JP3177728 B2 JP 3177728B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体ウエハ
あるいはLCD基板等の被処理体の表面にレジスト液等
の処理液を塗布する処理装置及び処理方法に関し、特
に、被処理体の周縁部に形成された不要な塗布膜を除去
する機能を備えた処理装置及び処理方法に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】半導体装置等の製造工程においては、半
導体ウエハ等の被処理体の表面に回転法やスプレー法等
により処理液を塗布する処理が行われる。この種の処理
の際、塗布処理直後における膜厚は均一であるが、時間
が経つに従い表面張力の影響で被処理体周縁部で処理液
が盛り上がるように厚くなり、また、処理液が被処理体
の下面周縁部にまで回り込んで不要な膜が形成される現
象が発生する。
【0003】このように被処理体の周縁部に不均一な厚
い膜が形成されていると、集積回路パターン等の現像時
に周縁部のレジスト膜が完全には除去されずに残存する
ことになり、その後の被処理体の搬送工程中にその残存
したレジストが剥がれ、パーティクル発生の原因とな
る。
【0004】このような問題が生じないようにするため
に、被処理体の表面にレジスト液等を塗布した後、被処
理体の周縁部の不要な塗布膜を除去する処理が従来より
行われている。図25は従来の塗布膜除去装置の一例で
あり、スピンチャック90上に保持される半導体ウエハ
Wの周縁部の上下に洗浄用ノズル91,92をそれぞれ
配置し、ウエハWを所定の回転数で回転させつつ、ウエ
ハWの上面周縁部と下面周縁部へ洗浄液Lをそれぞれ供
給して不要な塗布膜64aを溶解除去するようにしてい
る。
【0005】この場合、周縁部の塗布膜64aの除去に
供された洗浄液LはウエハWの回転による遠心力で排除
されるが、回転数を増大させ過ぎると遠心力で飛散した
洗浄液Lが塗布装置の内壁等に当ってウエハWの表面に
再飛来し、塗布膜64の必要な部分にピンホールや付着
物が形成されることがある。一方、回転速度が遅すぎる
と、ウエハWの内側へ洗浄液Lが流動し、除去幅が拡が
り過ぎてしまうという問題がある。また、図26に示す
ようなオリフラ部Waが形成されたウエハWの周縁部の
塗布膜64aを除去する場合には、除去幅dはオリフラ
部Waの最小径の箇所を基準に決定されるため、他の部
分で除去幅dが大きくなり過ぎるという問題もある。
【0006】そこで、これらの問題点を解決し得る装置
として、図27に示す塗布膜除去装置が提案された(特
公平3−76777号公報参照)。この装置はウエハW
の周縁部の上面および下面に対向して洗浄液の供給管9
3,94をそれぞれ設けると共に上下の供給管93,9
4の間に排出管95を設け、供給管93,94からウエ
ハWの周縁部に洗浄液Lを供給しつつ、排出管95で吸
引するようにしたものである。この装置によれば、洗浄
液Lや溶解物がすべて排出管95から強制排出されるの
で、洗浄液が再飛来することも、回転数不足によって洗
浄液LがウエハWの内側へ流動していく不都合も生じな
い。また、この装置によれば、ウエハWに対して排出管
95を移動させることにより除去幅dを自在に調節でき
るので、オリフラ部Waなどの異径部があっても除去幅
dを一定にすることができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図27
に示した従来の装置は、2つの供給管93,94を使用
してウエハWの周縁部の上下両面にそれぞれ洗浄液Lを
供給する構造のため、洗浄液供給系が複雑となり装置コ
ストが高くなる。更に、2系統の洗浄液供給系が必要と
なり、装置全体が大型になるという問題があった。ま
た、2系統の洗浄液供給系からそれぞれ洗浄液を供給す
るため洗浄液の使用量が多くなり、装置のランニングコ
ストも増大していた。また、ウエハの周縁部の上下両面
にそれぞれから洗浄液を供給し、上下の供給管の間で、
それぞれの供給管と直角に配置した排出管より洗浄液を
回収するため、ウエハの周縁の垂直面には洗浄液が作用
せず、不要な塗布膜を完全に除去することが困難であっ
た。
【0008】この発明は、上記従来技術の欠点を解消す
べく創案されたものであり、その第1の目的は、洗浄液
供給系を単純化でき、少ない洗浄液使用量で不要な塗布
膜を除去できる機能を備えた処理装置を提供することに
あり、その第2の目的は更に、円形以外の被処理体であ
ってもその周縁部の塗布膜を有効に除去できる機能を備
えた処理装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第1の処理装置は、被処理体の上面に処
理液を塗布する処理装置を前提とし、上記被処理体の下
面の周縁部へ向けて所定の角度で洗浄液を噴射する洗浄
ノズルと、上記被処理体の上面方向から所定の角度で上
記洗浄液を回収する回収手段とを具備し、上記回収手段
を、上記被処理体から離れた待機位置と被処理体の周縁
部の所定位置との間で回動可能に形成すると共に、被処
理体の周縁部に対して位置調節可能に形成し、かつ、被
処理体に対して角度調節可能に形成してなることを特徴
とするものである(請求項1)。
【0010】この発明の第2の処理装置は、被処理体の
上面に処理液を塗布する処理装置を前提とし、上記被処
理体の下面の周縁部へ向けて所定の角度で洗浄液を噴射
する洗浄ノズルと、上記被処理体の上面方向から所定の
角度で上記洗浄液を回収する回収手段と、上記被処理体
の周縁位置を検出するセンサと、上記センサからの検出
信号に基づいて上記回収手段を上記被処理体の周縁部の
所定位置に移動するコントローラとを具備することを特
徴とするものである(請求項2)
【0011】この発明の第3の処理装置は、上記第1の
処理装置と同様に、被処理体の上面に処理液を塗布する
処理装置を前提とし、上記被処理体を保持し、被処理体
を回転する回転手段と、上記被処理体の下面の周縁部へ
向けて所定の角度で洗浄液を噴射する洗浄ノズルと、上
記被処理体の上面方向から所定の角度を有し上記洗浄液
を回収すると共に、上記洗浄液によって洗浄される領域
を被処理体の上面の周縁部から所定距離以内の領域に抑
制する回収手段とを具備し、上記回収手段を、上記被処
理体から離れた待機位置と被処理体の周縁部の所定位置
との間で回動可能に形成してなることを特徴とするもの
である(請求項3)
【0012】この発明において、上記回収手段と共に上
記洗浄ノズルを、被処理体の周縁部の所定位置へ回動可
能に形成してもよい(請求項4)
【0013】また、上記洗浄ノズルの所定角度は、被処
理体の水平面に対して60°〜80°の範囲の所定角度
に設定されていることが好ましい(請求項5)。また、
上記回収手段の所定角度は、被処理体の水平面に対して
45°〜80°の範囲の所定角度に設定されていること
が好ましい(請求項6)。
【0014】また、上記洗浄ノズルからの洗浄液をその
上面と被処理体の下面との間に受け入れて被処理体周縁
へ案内する案内板を具備してもよい(請求項7)。この
場合、上記案内板の上面と被処理体の下面との距離は、
5mm以下の距離に設定されていることが好ましい(
求項8)。更には、上記案内板の上端部に、洗浄ノズル
側へ水平に延出する上端部を具備すると共に、上端部の
先端から下方に折曲される延出先端部を形成する方が好
ましい(請求項9)
【0015】また、上記洗浄液は処理液を除去するもの
であれば任意のものでよく、例えば洗浄液として処理液
中の溶剤と同じ成分、あるいはその成分を含有している
ものを使用することができる(請求項10)。
【0016】また、上記洗浄ノズルからの洗浄液の噴射
角度を調整する調整手段を具備する方が好ましい(請求
項11)。
【0017】この発明の処理方法は、被処理体を回転し
ながら上記被処理体の上面に処理液を塗布する工程と、
上記処理液の塗布工程の後、上記被処理体の周縁位置を
検出する工程と、上記検出に基づき、上記被処理体に塗
布された塗布膜を所定の幅で除去すべく洗浄液が供給さ
れる位置を決める工程と、上記洗浄液を回収する回収手
段の上記被処理体に対する角度を調整する工程と、上記
被処理体の下面の周縁部へ向けて所定の角度で洗浄液を
供給しつつ上記被処理体の上面方向から所定の角度で上
記洗浄液を回収する工程とを有することを特徴とするも
のである(請求項17)。
【0018】また、上記洗浄ノズルは、被処理体の径方
に延びるスリット状の吐出口、あるいは複数の吐出口
を有しているもののいずれであってもよい(請求項1
)。この場合、上記吐出口を、洗浄ノズルの被処理体
側面に設けられ、被処理体の径方向に複数個配置される
筒状部材にて形成してもよく(請求項14)、また、上
記吐出口を、洗浄ノズルの両側に所定の角度で凸状に形
成された被処理体側面のほぼ中央に沿って複数設けるよ
うにしてもよい(請求項15)
【0019】加えて、上記回収手段は、被処理体の径方
向と直交方向に延びるスリット状の吸引口を具備するよ
うにしてもよい(請求項16)
【0020】この発明の処理方法は、被処理体を回転し
ながら上記被処理体の上面に処理液を塗布する工程と、
上記処理液の塗布工程の後、上記被処理体の周縁位置を
検出する工程と、上記検出に基づき、上記被処理体に塗
布された塗布膜を所定の幅で除去すべく洗浄液が供給さ
れる位置を決める工程と、上記被処理体の下面の周縁部
へ向けて所定の角度で洗浄液を供給しつつ上記被処理体
の上面方向から所定の角度で上記洗浄液を回収する工程
とを有することを特徴とするものである(請求項1
)。
【0021】この発明の処理方法において、上記被処理
体の上面に処理液を塗布する工程の前に、上記処理液に
含有される溶剤と同一あるいは同成分又はそれらの混合
あるいはそれらを含有する溶剤を被処理体の上面に塗布
する方が好ましい(請求項18)。
【0022】また、上記被処理体の下面の周縁部へ向け
て所定の角度で洗浄液を供給しつつ被処理体の上面方向
から所定の角度で上記洗浄液を回収する工程中に被処理
体を回転させる工程を有し、その際の被処理体の回転速
度を、上記被処理体の上面に処理液を塗布する際の回転
速度より小さくする方が好ましい(請求項19)。この
場合、上記洗浄液を回収する工程中に上記被処理体を回
転させる工程における被処理体の回転速度は、10〜5
00rpmの範囲に設定することができる( 求項2
)。
【0023】また、上記被処理体の下面の周縁部へ向け
て所定の角度で洗浄液を供給しつつ被処理体の上面方向
から所定の角度で上記洗浄液を回収する工程の際、上記
洗浄液によって洗浄される領域を、被処理体の上面の周
縁部から5mm以内の領域に抑制する方が好ましい(
求項21)。
【0024】また、上記被処理体を回転しながら被処理
体の上面に処理液を塗布する工程の際、被処理体に処理
液を滴下するタイミングを、上記被処理体を回転させる
前、又は被処理体を所定速度に設定する前の加速期、又
は被処理体を所定速度に設定した後のいずれかとするこ
とができる(請求項22)。
【0025】また、上記被処理体を回転しながら被処理
体の上面に処理液を塗布する工程の際、上記被処理体に
処理液が滴下される位置を、被処理体の略中央位置とす
る方が好ましい(請求項23)。
【0026】また、上記被処理体の下面の周縁部へ向け
て所定の角度で洗浄液を供給しつつ被処理体の上面方向
から所定の角度で上記洗浄液を回収する工程は、上記被
処理体が四角形状の場合、その周縁部の処理は1辺毎の
処理又は2辺同時処理又は全ての辺の同時処理とする方
が好ましい(請求項24)。
【0027】また、上記被処理体を回転しながら被処理
体の上面に処理液を塗布する工程の際の被処理体の回転
速度は、被処理体が6インチウエハの場合は、3500
〜5000rpmの範囲の速度、8インチウエハの場合
は、1500〜3500rpmの範囲の速度に設定する
方が好ましい(請求項25)。
【0028】加えて、上記被処理体の下面の周縁部へ向
けて所定の角度で洗浄液を供給しつつ被処理体の上面方
向から所定の角度で上記洗浄液を回収する工程では、上
記被処理体の円周部分とその他の部分とは分けて処理す
る方が好ましい(請求項26)。
【0029】
【作用】この発明によれば、洗浄ノズルから被処理体の
下面の周縁部へ向けて噴射された洗浄液は、被処理体の
下面周縁部の塗布膜除去に供され、更にそれ自体の有す
る粘性と回収手段の作り出す気流とによって下面側から
周縁を通って上面側へ回り込み、上面周縁部の塗布膜除
去に供される。塗布膜除去に供された洗浄液とその溶解
物は回収手段に吸引されて排出されると共に回収され
る。被処理体上面の塗布膜の除去幅は、使用する洗浄液
の粘性と被処理体を回転させる場合は、その遠心力とを
考慮して洗浄液の流量乃至回収手段の吸引量を適宜調節
することにより調節される。被処理体の下面側に設けた
洗浄ノズルから洗浄液を供給して上下両面の不要な塗布
膜を除去が可能となり、被処理体の周縁の垂直面の不要
な塗布膜に対しても確実に除去できる。また、洗浄ノズ
ルに対する洗浄液供給系統を単純化できるので、装置の
コンパクト化ができ、更に洗浄液使用量の少量化も可能
になる。
【0030】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図面を用いて詳
細に説明する。この実施例はレジスト塗布現像装置に適
用したものである。
【0031】図1に示すように、このレジスト塗布現像
装置は、被処理体例えば半導体ウエハ(以下、単にウエ
ハという)Wに種々の処理を施す処理機構が複数配置さ
れた処理機構ユニット10と、処理機構ユニット10に
対してウエハWを自動的に搬入あるいは搬出する搬入・
搬出機構1とで主要部が構成されている。
【0032】搬入・搬出機構1は、処理前のウエハWを
収納する第1のウエハキャリア2と、処理後のウエハW
を収納する第2のウエハキャリア3とを載置可能に構成
し、ウエハWを吸着保持するアーム4と、このアーム4
をX,Y(水平),Z(垂直)及びθ(回転)方向に移
動させる移動機構5と、ウエハWのアライメント、例え
ばウエハWを予め定められた位置に定めると共に処理機
構ユニット10との間でウエハWの受け渡しがなされる
アライメントステージ6とを備えている。
【0033】処理機構ユニット10には、アライメント
ステージ6よりX方向に形成された搬送路11例えば直
線状の搬送路に沿って移動可能に構成された搬送機構1
2が設けられている。この搬送機構12にはY,Z及び
θ方向に移動するメインアーム13が設けられている。
【0034】搬送路11の一方の側には、ウエハWとレ
ジスト液膜との密着性を向上させるためのアドヒージョ
ン処理を行うアドヒージョン処理機構14と、ウエハW
に塗布されたレジスト液中に残存する溶剤を加熱蒸発さ
せるためのプリベーク機構15と、プリベーク機構15
によって加熱処理されたウエハWを冷却する冷却機構1
6とが配置されている。
【0035】また、搬送路11の他方の側には、ウエハ
Wの表面にレジスト等の処理液を塗布する処理液塗布機
構17(この発明の処理装置)と、露光工程時に光乱反
射を防止するために、ウエハWのレジスト上にCEL膜
などを塗布形成する表面被覆層塗布機構18とが配置さ
れている。
【0036】以上のように構成されるレジスト塗布現像
装置におけるウエハWの搬送工程を説明する。まず、搬
入・搬出機構1の移動機構5を駆動して処理前のウエハ
Wを、アーム4でウエハキャリア2から搬出し、アライ
メントステージ6上に載置する。次いで、アライメント
ステージ6上のウエハWを、搬送機構12のメインアー
ム13で保持して、予め定められた処理工程に応じて、
各処理機構14〜18の所定の処理機構へ順次搬送し処
理する。そして、各処理機構14〜18にて処理された
処理後のウエハWを、メインアーム13によってアライ
メントステージ6に搬送し、アーム4でアライメントス
テージ6の処理済みのウエハWを第2のウエハキャリア
3内の定められた位置に収納し、ウエハWの搬送工程を
終了する。
【0037】◎実施例1 次に、この発明の処理装置17の第1の実施例につい
て、図面を参照して説明する。この発明の処理装置17
は、図1、図2に示すように、ウエハWに塗布処理を施
す処理部19と、この処理部19の上方位置に移動可能
に構成されウエハWの表面に処理液としてのレジスト液
を供給する処理液供給ノズル20と、この処理液供給ノ
ズル20を処理部19のウエハWの上方位置と待機位置
との間で移動させるノズル搬送アーム21及びその移動
機構22と、処理部19の近傍に配置された塗布膜除去
機構23とで主要部が構成されている。
【0038】また、処理部19は、図3に示すように、
ウエハWを吸着保持しこれを水平回転させる回転手段と
してのスピンチャック24と、このスピンチャック24
のウエハ保持部24aを収容する処理カップ26とで構
成されている。
【0039】スピンチャック24の下端部は、スピンチ
ャック24及びウエハWを所定の回転数で高速回転させ
るためのモータ24bの回転軸24cに固定されてい
る。処理カップ26は、スピンチャック24のウエハ保
持部24aの周囲を囲うように同心状に配置された環状
の内カップ27と、これらスピンチャック24及び内カ
ップ27を収容して処理空間25を形成する外カップ2
8とからなる。この処理カップ26は、昇降機構26a
により図4に示すように下降あるいは昇降可能に構成さ
れている。
【0040】外カップ28は、上カップ31と下カップ
32とが側壁にて嵌合構造で一体に構成されている。上
カップ31は中央にウエハWよりも若干大径の開口部3
3を有し、開口部33の近傍より下カップ32との接合
部近傍にかけての側壁は、円錐状で外側に下り勾配に傾
斜させて形成されている。下カップ32の内部は環状壁
34によって内外に区画され、内側底部には排気口35
が、外側底部には排液口36がそれぞれ設けられてい
る。
【0041】排気口35にはバキューム装置35aが接
続されており、ウエハWに回転塗布処理を施す際に飛散
するレジスト液やパーティクルを、装置17内の雰囲気
と共に排気口35より排出することができるようになっ
ている。また、排液口36には排液収容タンク36aが
接続されており、この排液収容タンク36aは、外カッ
プ内面31a,32aや内カップ上面27aを伝って下
降し、下カップ32の底部に集積されるレジスト液等を
排液口36を介して収容できるようになっている。この
ように、レジスト液やレジストの気化物及びパーティク
ルは、それぞれ気体と液体に分離してバキューム装置3
5a及び排液収容タンク36aにより排出されるように
構成されている。
【0042】塗布膜洗浄機構23は、図2及び図5に示
すように、処理装置17本体内より鉛直方向上方に突出
する回転軸38の先端部に一端が固定されて水平支持さ
れたアーム39と、このアーム39の先端部にそれぞれ
設けられた洗浄ノズル41と、排出管43とで主要部が
構成されている。
【0043】アーム39は、回転軸38に水平に固定さ
れた基端部材39aと、この基端部材39aの先端部に
軸方向に摺動自在に嵌合された先端部材39bとからな
る。先端部材39bは、基端部材39aと同軸に配置さ
れた上側部材39cと、その上側部材39cの途中から
下方に延出されると共にL字形に屈曲されて先端側に延
出された下側部材39dとからなり、図4に示すように
内カップ27と外カップ28をウエハW位置より下方に
下降させた状態で回転軸38を駆動してアーム39をウ
エハW側へ回動(図2参照)させることにより、上側部
材39cの先端部がスピンチャック24上に保持された
ウエハWの上方近傍に配置されると共に、下側部材39
dの先端部がウエハWの下面と外カップ28の上面との
間に入り込むようになっている。
【0044】洗浄ノズル41は、下側部材39dの先端
部上に設けられており、ウエハWの裏面の周縁近傍下面
へ向けて所定の角度θ1で洗浄液Lを噴射できるように
構成されている。その洗浄液Lは、ウエハWの表面に塗
布されるレジスト液中に含まれる溶剤と同成分のものが
好ましい。つまり、レジスト液中の成分としては、溶剤
と、樹脂と、感光基とで形成されているので、樹脂ある
いは感光基の成分によって溶剤が常に一定の成分とは限
らない。よって、レジスト液が変わるとそれに応じて洗
浄液Lの成分も変える必要がある。
【0045】また、洗浄ノズル41の洗浄液Lの噴射角
度θ1は、使用する洗浄液の粘性乃至ウエハWに対する
濡れ性を考慮して、洗浄液LがウエハWの下面で反射し
にくい角度、好ましくはウエハWの水平面に対して60
°〜80°の範囲の所定角度に設定されている。そし
て、この洗浄ノズル41に洗浄液Lを供給するための洗
浄液供給配管45は、アーム39の内部を通って基端部
材39aの端部へ接続され、ここから更に接続配管44
を介して図6に示す洗浄液供給装置57へ接続されてい
る。洗浄液供給配管45の途中一部は可撓性を有する管
54で構成されている。
【0046】排出管43は、上側部材39cの先端部下
面より下方に突出して上下方向に回転可能に設けられた
揺動リンク46の下端部に取り付けられており、ウエハ
Wからの排液を吸引するようにその吸引口43aをウエ
ハWの周縁部の外側上方から臨ませるようにして配置さ
れている。揺動リンク46は上側部材39cの内底部に
固定されたブラケット47に中間部が軸支されて回転自
在に設けられている。上側部材39cの天井部には揺動
リンク46を回転させるためのエアシリンダ48が設け
られており、揺動リンク46の上端部はエアシリンダ4
8のシリンダロッド49の先端に固定されたブラケット
50に回転可能に接続されている。そして、エアシリン
ダ48を駆動し、シリンダロッド49を伸縮させること
によって揺動リンク46が上下に回転し、洗浄液Lの回
収手段の排出管43の角度θ2を調節できるように構成
されている。この排出管43の角度θ2は、洗浄ノズル
41の洗浄液Lの噴射角度θ1に応じて、洗浄液Lを効
果的に回収する角度、好ましくはウエハWの水平面に対
して45°〜80°の所定角度に設定されている。
【0047】排出管43は、途中一部が可撓性を有する
管51からなる排出配管52を介して基端部材39aの
端部へ接続され、ここから更に接続配管53を介して図
6に示す吸引装置であるエジェクタ58へ接続されてい
る。また、基端部材39aの天井部には先端部材39b
を進退移動させるためのエアシリンダ55が固定されて
おり、エアシリンダ55のシリンダロッド55aの先端
が先端部材39bに固定されたブラケット56に連結さ
れている。そして、エアシリンダ55を駆動し、シリン
ダロッド55aを伸縮させることによって先端部材39
が前後に移動し、ウエハWに対する洗浄ノズル41及び
排出管43の位置を調節できるように構成されている。
【0048】また、スピンチャック24によるウエハ保
持位置の近傍には、図6に示すようにウエハWの周縁位
置を検出するセンサ59が設けられており、センサ59
の検出信号がコントローラ60に入力されるようになっ
ている。
【0049】このコントローラ60は、センサ59の検
出信号に基づき、上記シリンダ55を駆動してアーム3
9の先端部材39bを進退動させて洗浄ノズル41及び
排出管43をウエハWに対して適切に位置決めした後、
上記シリンダ55を駆動し揺動リンク46を回転させて
排出管43の角度を適切に調節すると共に、洗浄液供給
装置57による洗浄液Lの供給流量及びエジェクタ58
による排出管43の吸引力を適切に調節するように予め
プログラムされている。このプログラムは、ウエハWの
周縁部の塗布膜64の除去幅dが所定の寸法、好ましく
は5mm以下、更に好ましくは3mm以下になるよう
に、使用する洗浄液Lの粘性及びウエハWの回転数など
を考慮して作成されたものである。洗浄ノズル41へ洗
浄液を供給する配管44の途中には洗浄液Lの流量を検
出してその検出信号をコントローラ60へ送る流量セン
サ63が設けられている。また、エジェクタ58の吐出
側配管には気液分離器61が設けられており、排出管4
3から送られてくる気液混合状態の流体62を気体と液
体とに分離してそれぞれ回収できるように構成されてい
る。
【0050】上記のように構成されるこの発明の処理装
置17において、ウエハW表面に回転塗布処理を行って
いる間、塗布膜除去機構23のアーム39は、図2に実
線で示すように、ウエハWから離れた処理カップ26近
傍の所定の待機位置に待機している。
【0051】そして、ウエハWに対する塗布処理の終了
後に処理カップ26を下降させ、次いでアーム39を回
動させて図5に示すようにアーム39の先端部材39b
をウエハWの近傍に移動させる。そして、アーム39の
先端部材39bの移動後直ちに上記センサ59によって
ウエハWの周縁位置が検出されてコントローラ60の制
御によりシリンダ48及び55が駆動され、アーム39
の先端部材39bが移動すると共に揺動リンク46が回
動して、洗浄ノズル41及び排出管43が適切に位置決
めされると共に、排出管43の角度が適切に調節され
る。
【0052】その後、スピンチャック24の駆動開始と
同時にコントローラ60の制御により洗浄液供給装置5
7及びエジェクタ58が駆動され、洗浄ノズル41から
ウエハW下面の周縁近傍の所定位置へ向けて洗浄液Lの
噴射が開始されると共に排出管43による吸引が開始さ
れる。この際、洗浄液Lの噴射速度は、所定の速度に適
宜設定されている。
【0053】そして、洗浄ノズル41から噴射された洗
浄液Lは、図6に示すように噴射の勢いとウエハWの回
転による遠心力とによって周縁側へ案内されてウエハW
の下面周縁部の塗布膜除去に供され、更にそれ自体の有
する粘性と排出管43の作り出す気流とによってウエハ
Wの下面側から周縁を通って上面側へ回り込み、周縁及
び上面周縁部の所定の除去幅dの塗布膜除去に供され
る。
【0054】塗布膜除去に供された洗浄液Lとその溶解
物は排気ポンプ(図示せず)に接続された排出管43よ
り吸引され、管51,53,58を通って気液分離器6
1へ送られ、液体が排気ポンプに流入するのを防止する
ため気液分離されて回収される。
【0055】このようにウエハWの下面側に設けた洗浄
ノズル41から洗浄液Lを供給してウエハWの上下両面
の不要な塗布膜を除去できるので、洗浄液供給系統を単
純化できると共に洗浄液使用量を少量化できる。
【0056】◎実施例2 次に、塗布膜除去機構の他の実施例を図7に示す。この
実施例では、上記アーム39に、洗浄ノズル41からの
洗浄液Lをその上面とウエハWの下面との間に受け入れ
てウエハW周縁方向へ案内する案内板42を設けてい
る。この案内板42は、アーム39の下側部材39dの
上面に起立状に設けられており、その上端部42aがウ
エハWの周縁部下面の極近傍に配置され、ウエハWとの
間の距離が好ましくは、5mm以下の所定の距離となる
ように高さが設定されている。この案内板42の上端部
42aは略直角に屈曲されて洗浄ノズル41側へ水平に
延出されており、その延出先端部42bは、洗浄ノズル
41からの洗浄液LをウエハWの下面と上端部42aと
の間に受け入れ易くするために若干下方に折り曲げられ
ている。この折り曲げの角度θ3は、上記洗浄ノズル4
1の洗浄液Lの噴射角度θ1に比べ略同一角度あるいは
それ以上の角度に設定するのが好ましい。
【0057】そして、洗浄ノズル41から噴射された洗
浄液Lは、案内板42の上面とウエハWの下面との間に
受け入れられて噴射の勢いとウエハWの回転による遠心
力とによって周縁側へ案内される。
【0058】この案内板42を設けたことにより、ウエ
ハW下面からの洗浄液Lの跳ね返りが確実に防止される
と共に洗浄液Lが安定した面状の流れとなり、洗浄液L
がウエハ周縁部の塗布膜除去に有効に利用される。
【0059】なお、上記洗浄ノズル41、案内板42及
び排出管43は共通のアーム39に取り付けられている
が、処理カップ26内のスペースに余裕がありかつ本来
のレジスト塗布処理に支障をきたさない場合であれば、
例えば洗浄ノズル41と案内板42とを処理カップ26
内に常設し、塗布膜除去の際に排出管43が処理カップ
26内に移動、配置されるようにしてもよい。その場合
は処理カップ26を下降させる必要はない。
【0060】◎実施例3 次に、洗浄ノズル66の吐出口66aの他の実施例を図
8に示す。この実施例では、洗浄ノズル66の吐出口6
6aは、ウエハWの径方向に延びるスリット状に形成さ
れ、排出管67の吸込口67aの位置を調節することに
よりウエハW上面への洗浄液Lの回り込み量を調節する
ように構成している。この構成によれば、上記案内板4
2を用いなくても洗浄液LがウエハWの周縁部に安定に
供給することが可能となる。
【0061】◎実施例4 次に、洗浄ノズル66の吐出口66aの他の実施例を図
9に示す。この実施例では、洗浄ノズル66の吐出口6
6aは、洗浄ノズル66のウエハW側の面70に設けら
れた筒状部材71にて形成され、この筒状部材71はウ
エハWの径方向に複数個配置され、図8に示す排出管6
7の吸込口67aの位置を調節することによりウエハW
上面への洗浄液Lの回り込み量を調節するように構成さ
れている。
【0062】この構成によれば、上記案内板42を用い
なくても洗浄液LがウエハWの周縁部に安定に供給する
ことが可能となる。更に、それらの筒状部材71の間隔
を例えば、ウエハWの裏面内側から周縁部にかけて徐々
に間隔を狭めたり、あるいは間隔を広げるように設定す
ることにより、ウエハWの裏面に対して効果的に洗浄液
を供給することができる。また、筒状部材71は、ウエ
ハWに対して垂直に設けたり、あるいは所定の角度に設
定して設け、効果的に洗浄液をウエハWの裏面に供給し
てもよい。
【0063】◎実施例5 次に、洗浄ノズル66の吐出口66aの他の実施例を図
10に示す。この実施例では、洗浄ノズル66の吐出口
66aは、洗浄ノズル66の両側に所定の角度θ4で凸
状に形成されたウエハW側の面70のほぼ中央に沿って
複数設けられている。
【0064】このように配置したことで、吐出口66a
から噴出した洗浄液LがウエハWの裏面によって跳ね返
る際、効果的に吐出口66aの両側に排出できる。これ
は特には、ウエハWの裏面によって跳ね返る洗浄液Lは
レジスト膜の成分を含有しているため、この含有物が吐
出口66aから噴出するクリーンな洗浄液Lに混入する
のを抑制するためである。この構成によれば、上記案内
板42を用いなくても洗浄液LがウエハWの周縁部に安
定に供給することが可能となる。
【0065】更に、吐出口66aの間隔を例えば、ウエ
ハWの裏面側から周縁部にかけて徐々に間隔を狭めた
り、あるいは間隔を広げるように設定したり、それぞれ
の吐出口66aの開孔径を変え、ウエハWの裏面に対し
て効果的に洗浄液Lを供給することもできる。
【0066】◎実施例6 次に、排出管67の吸込口67aの他の実施例を図11
(a)〜(c)に示す。この実施例では、吸込口67a
は、ウエハWの径方向と直交方向に延びるスリット状に
形成されている。これにより、ウエハWの上面に回り込
んでくる洗浄液Lの回収範囲を大きくし、万が一にも洗
浄液LがウエハWの周縁部等により洗浄液Lの供給位置
以外に飛散した場合パーティクルとなるので、そのパー
ティクルの発生を防止することができる。
【0067】また、図11(b)の吸込口67aは、上
述のスリット状の吸込口67aの中央部に円状の吸入部
を備えており、これにより、中央部の吸引力をスリット
領域より高め洗浄液Lの回収を中央部に集中させウエハ
Wに形成されたレジスト膜中の不要なレジスト膜の除去
領域を絞る働きを高ずることを可能にしている。更に、
図11(b)の吸込口67aのような効果を得る他の変
形例としては、図11(c)に示すように吸込口を菱形
形状としてもよい。
【0068】◎実施例7 次に、吸込口67aからの吸引効率を高める実施例を図
12に示す。この実施例では、排出管67内に設けられ
た排出路67bに、この排出路67bの排出経路の断面
積より小さい面積の凹部67cが設けられており、更
に、この凹部67cの断面積より小さい面積の吸込口6
7aが設けられている。このように、吸込口67aの開
口面積が排出路67bの排出経路の断面積より小さく構
成されているので吸引力を高めることができる。
【0069】◎実施例8 次に、図4に示す実施例1における処理カップ26の昇
降移動に係る他の実施例を図13に示す。図4では、処
理カップ26をウエハWに対して上下動させていたのに
対して、図13では、処理カップを固定して、スピンチ
ャック24に支持されたウエハWを処理カップ26内と
外との間で移動させるために、スピンチャック24を昇
降移動させる昇降移動手段80、例えばエアシリンダが
設けられ、その昇降移動手段80の駆動軸がモータ24
bに接続されている。よって、処理カップ26側を昇降
移動させる場合と比べ、装置内で移動する物の移動量を
抑えることができ、装置内での気流の乱れ等によるパー
ティクルの発生を抑えることができる。更に移動機構も
コンパクトになるので、装置の小型化及び装置のコスト
の低減化を図ることができる。
【0070】◎実施例9 次に、図14に、図5に示す実施例1の塗布膜除去機構
の他の実施例を示す。この実施例では、塗布膜除去機構
は、洗浄ノズル41と、排出管43は別々に設けられて
構成されている。排出管43は、上述の説明のようにア
ーム39側に設けられて構成されている。洗浄ノズル4
1は、処理カップ26内でかつウエハWの下方に位置す
る固定部材81側に設けられ、更に洗浄ノズル41は、
ウエハWの下面に洗浄液Lを噴射する噴射角度θ1を調
整する調整手段82と接続されている。また、アーム3
9側の排出管43は、処理カップ26内に移動するよう
構成され、処理カップ26内の所定のウエハWの洗浄位
置に位置できるよう構成されている。
【0071】このように構成することにより、ウエハW
の不要なレジスト除去処理を処理カップ26内で行うこ
とができるため、洗浄液Lが、処理カップ26の上面や
他の処理ユニット側に飛散するのを防止することができ
る。また、ウエハWにレジスト液を塗布した後、処理カ
ップ26を移動させることなくウエハWの不要なレジス
ト膜を除去する工程が行えるので、処理のスループット
を向上することができる。また、ウエハWの不要なレジ
スト膜を除去する工程をレジスト塗布工程の後すぐに行
えるので、レジスト塗布工程後のレジストの乾燥のバラ
ツキを抑えることができ、ウエハWの処理の歩留りを向
上することができる。
【0072】次に、塗布膜除去機構23で被処理体を処
理する作用を図15及び図16を参照しながら説明す
る。図15は、塗布膜除去機構23で被処理体を処理す
る作用を示す概略斜視図であり、また図16は、塗布膜
除去機構23で被処理体を処理する作用を示す概略平面
図である。
【0073】ウエハWは、スピンチャック24のウエハ
保持部24aに保持され、スピンチャック24の回転駆
動に伴って回転する。ちなみにウエハWには、フラット
なオリフラ部W0を有しており、図16(a),(b)
に示すように塗布膜除去機構23による塗布膜除去工程
が例えばオリフラ部W0の一端部Waからスタートした
場合、アーム39はウエハWに対して所定位置を維持
し、除去処理するために、ウエハWの回転に伴いX1方
向にアーム39は移動する。次にオリフラ部W0の中央
位置Wbまで除去処理が進むと、図16(c)に示すよ
うにアーム39はウエハWに対して所定位置を維持し、
除去処理するために、ウエハWの回転に伴いX1方向と
逆方向のX2方向にアーム39は移動する。次に、図1
6(d)に示すようにオリフラ部W0の終点位置Wcま
で除去処理した後、アーム39は、処理位置が再度オリ
フラ部W0の一端部Wa位置まで来るまで所定位置を維
持したままウエハWの周縁部を処理し、ウエハWの周縁
部に沿った除去処理を終了する。なお、ウエハWのオリ
フラ部W0の位置、ウエハWとアーム39との位置は、
図6にも示すようにセンサー59で位置検出しながら行
っている。
【0074】更に、ウエハWのオリフラ部W0の中央位
置Wbの位置の検出はセンサー59で位置検出するか、
オリフラ部W0の一端部Waの位置の検出をトリガーと
してスピンチャック24の回転速度を基にコントローラ
60で比較演算し、位置を割り出してもよい。また、こ
の実施例ではアーム39側を移動させて除去処理を行っ
たが、アーム39を固定しておいて、スピンチャック2
4側をアーム39に対して移動させ、除去処理を行って
もよい。
【0075】次に、塗布膜除去機構23で被処理体(ウ
エハW)を処理する他の作用を図17を参照しながら説
明する。
【0076】図17(a)に示すようにウエハWは、ス
ピンチャック24のウエハ保持部24aに保持され、ス
ピンチャック24の回転駆動に伴って回転する。そし
て、アーム39をウエハWに対して所定位置に設定した
後、除去処理を行う。この除去処理において、ウエハW
の円周部は処理されるがオリフラ部W0には、未処理部
分Weが残ることになる。次に、その未処理部分Weを
処理するために、図17(b)に示すようにオリフラ部
W0をアーム39の軸方向と直角方向に設定した後、ア
ーム39をオリフラ部W0に対して所定位置で、オリフ
ラ部W0に沿ってY1方向に移動し除去処理するか、あ
るいはアーム39を固定しウエハW側をアーム39に対
してY2方向に移動させて除去処理を終了する。
【0077】次に、上述の被処理体(ウエハW)を処理
する一連の作用の流れを図18を参照しながら説明す
る。
【0078】始めにA工程に示すようにウエハWをスピ
ンチャック24のウエハ保持部24aに載置する。次
に、B工程に示すようにスピンチャック24を回転駆動
し、ウエハWを回転させる。このときウエハWの回転速
度は、6インチウエハの場合、3500〜5000rp
mの範囲の所定速度、8インチウエハの場合、1500
〜3500rpmの範囲の所定速度に設定する。次に、
C工程に示すようにウエハW上の中心位置からレジスト
液を滴下する。そうするとレジスト液は、ウエハWの回
転に伴ってウエハW全面に広がり、この後、ウエハWの
周縁部のレジスト液を振り切って、ウエハW上に均一に
レジスト膜を形成する。
【0079】また、このレジスト膜の形成においては、
レジスト液滴下の前工程として溶剤、好ましくは塗布す
るレジスト液に含有される溶剤と同一あるいは同成分又
はそれらの混合あるいはそれらを含有する溶剤をウエハ
Wの表面に塗布しておくと、塗布するレジスト液の量を
省力化することができる点で好ましい。
【0080】次に、D工程に示すようにウエハWの回転
速度を上述の速度より減速させ、所定の速度に設定す
る。この所定の速度は、ウエハWの周縁部を除去する速
度であり、好ましい速度は、10〜500rpmの範囲
の所定速度である。この際、所定速度に減速させなが
ら、スピンチャック24をウエハWの塗布膜除去位置ま
で上昇すると、処理のスループットを向上することがで
きる。次に、E工程に示すようにウエハW周縁部のレジ
ストの除去処理を行い一連の処理を終了する。また、C
工程のレジスト液の滴下をB工程のウエハWを回転させ
る前に行ってもよく、更に、C工程のレジスト液の滴下
は、B工程のウエハWを所定速度に設定する前の加速期
において行ってもよい。
【0081】◎実施例10 次に、塗布膜除去機構23で他の被処理体例えばLCD
基板Gを処理する作用を図19及び図20を参照して説
明する。
【0082】図19において、スピンチャック24には
角状基板としてのLCD基板G(以下に基板という)が
保持されている。このような角状基板Gを処理する場合
の処理工程について図20を参照して説明すると、最初
にG工程において、まず、基板Gの1つの端面をアーム
39の移動方向Y3と平行に位置決めする。この際、基
板Gの端面の総数に係るカウンターフラッグ“n”を初
期設定しておく。次に、H工程に示すようにアーム39
をY2方向に移動させ設定された端面の周縁部のレジス
ト膜を除去処理する。この後、I工程に示すように、ス
ピンチャック24を回転し、次に処理する端面、つまり
基板Gを90°回転させる。この後、基板Gの端面の総
数値から“1”を引いた値とカウンターフラッグ“n”
の値が同一であるかを比較する。同一であれば除去処理
を終了させる。異なっていた場合は、K工程に示すよう
にカウンターフラッグ“n”に“1”を加算し、H工程
に進み順次、基板Gの各辺の塗布膜除去を行うものであ
る。また、図21に示すようにJ工程の後、I工程を実
施させれば全ての辺を処理した後で無駄な回転を防止で
きるので、処理のスループットを向上することができ
る。
【0083】この実施例において、スピンチャック24
の回転角度を適宜制御すれば、LCD基板Gのような平
行4辺形のものに限らず、更に複雑な形状の被処理体に
対しても塗布膜除去処理を行うことができる。また、処
理カップ26は、LCD基板Gのよう角状基板を回転さ
せる場合に特に、その角状基板の回転速度かつ回転方向
と同一あるいはそれに準ずる回転速度かつ回転方向に設
定し、回転させるのが好ましい。これは、角状基板を回
転させると、その基板の角張った部分にて気流の乱れを
生じさせるため処理カップ26内に気流の乱れが生じレ
ジスト液が均一に基板G上に形成されないという問題を
解消するためである。勿論ウエハWのような円状の基板
においても処理カップ26を回転させるのは好ましい。
【0084】◎実施例11 次に、LCD基板Gを処理する他の実施例を図22及び
図23を参照して説明する。図22において、スピンチ
ャック24には角状基板としてのLCD基板Gが保持さ
れている。そして、その基板Gの対向する2辺側に、そ
れぞれ塗布膜除去機構のアーム39が配置されるよう構
成されている。
【0085】この実施例の処理工程を、図23を参照し
て説明する。まず、図23に示すL工程では、基板G対
して所定位置に2つの塗布膜除去機構のアーム39を位
置決めする。次に、M工程でそれらのアーム39をそれ
ぞれ同一方向あるいは相対方向に移動させ基板Gの不要
なレジスト膜を除去する。この後、N工程に示すように
スピンチャック24を回転し、次に処理する端面、つま
り基板Gを90°回転させる。この後、M工程と同じ処
理を施し、除去処理を終了させる。このように、2つの
塗布膜除去機構によって処理を行うので、処理のスルー
プットを向上することができる。
【0086】◎実施例12 次に、LCD基板Gを処理する他の実施例を図24を参
照して説明する。この実施例では、スピンチャック24
には角状基板としてのLCD基板Gが保持されている。
そして、その基板Gの全ての辺に対応して、それぞれ塗
布膜除去機構のアーム39が配置されるよう構成されて
いる。
【0087】この実施例の処理工程の場合としては、隣
合うアーム39の干渉を防止するため、それらのアーム
39をそれぞれ同一方向に移動させ基板Gの不要なレジ
スト膜を除去処理するのが好ましい。このように、角状
基板の全ての辺に対応して設けられた塗布膜除去機構に
よって処理を行うので処理のスループットを向上するこ
とができる。
【0088】なお、以上の実施例ではレジスト処理装置
に適用した場合について説明したが、これ以外にも、例
えばエッチング液塗布処理や磁性液塗布処理を行う装置
にも適用することも可能である。
【0089】また、この発明は上記実施例及び変形例に
よって限定されることはなく、この発明の要旨を逸脱す
ることなく、様々に変形して実施できることは当然のこ
とである。
【0090】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば以下のような優れた効果が発揮できる。
【0091】1)被処理体の下面の周縁部へ向けて所定
の角度で洗浄液を噴射する洗浄ノズルと、被処理体の上
面方向から所定の角度で洗浄液を回収する回収手段とを
設けることにより、洗浄ノズルで上下両面の不要な塗布
膜を効果的に除去できるので、洗浄液供給系統を単純化
並びに洗浄液使用量を少量化が実現できる。
【0092】2)洗浄ノズルと回収手段とを被処理体の
周縁部に沿って同時に移動させることにより、円形以外
の被処理体であってもその周縁部の塗布膜を有効に除去
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の処理装置をレジスト液塗布現像装置
に適用した一実施例を示す概略平面図である。
【図2】この発明の処理装置の処理液塗布機構を示す概
略平面図である。
【図3】この発明の処理装置の処理液塗布機構を示す概
略断面図である。
【図4】この発明の処理装置の処理液塗布機構の動作を
示す概略断面図である。
【図5】この発明の処理装置の塗布膜除去機構を示す断
面図である。
【図6】図5の要部と洗浄液供給系及び排出系を示す構
成図である。
【図7】この発明の処理装置の塗布膜除去機構の他の実
施例を示す断面図である。
【図8】この発明の処理装置の塗布膜除去機構の洗浄ノ
ズルの他の実施例を示す概略断面図である。
【図9】塗布膜除去機構の洗浄ノズルの更に他の実施例
を示す概略斜視図である。
【図10】塗布膜除去機構の洗浄ノズルの更に他の実施
例を示す概略斜視図である。
【図11】塗布膜除去機構の排出管の吸引口の他の実施
例を示す概略平面図である。
【図12】塗布膜除去機構の排出管の吸引口の更に他の
実施例を示す概略断面図である。
【図13】この発明の処理装置における処理カップの昇
降移動に係る他の実施例を示す概略断面図である。
【図14】塗布膜除去機構の他の実施例を示す概略断面
図である。
【図15】塗布膜除去機構で被処理体を処理する作用を
示す概略斜視図である。
【図16】塗布膜除去機構で被処理体を処理する作用を
示す概略平面図である。
【図17】塗布膜除去機構で被処理体を処理する作用の
他の実施例を示す概略平面図である。
【図18】被処理体を処理する作用の工程を示すフロー
チャートである。
【図19】塗布膜除去機構で他の被処理体を処理する作
用を示す概略斜視図である。
【図20】図19の塗布膜除去機構で被処理体を処理す
る作用の工程を示すフローチャートである。
【図21】図19の塗布膜除去機構で被処理体を処理す
る他の作用の工程を示すフローチャートである。
【図22】図19の被処理体を処理する他の実施例を示
す概略平面図である。
【図23】図22の塗布膜除去機構で被処理体を処理す
る作用の工程を示すフローチャートである。
【図24】図22の被処理体を処理する他の実施例を示
す概略平面図である。
【図25】従来の塗布膜除去装置を示す概略断面図であ
る。
【図26】図25の塗布膜除去装置で周縁部の塗布膜が
除去された半導体ウエハを示す平面図である。
【図27】従来の他の塗布膜除去装置を示す概略断面図
である。
【符号の説明】
23 塗布膜除去機構 24 スピンチャック(回転手段) 39 アーム 41 洗浄ノズル 42 案内板 43a 吸引口 43 排出管 46 揺動リンク 48 エアシリンダ 61 気液分離器 64 塗布膜 66 洗浄ノズル 66a 吐出口(長孔) 68 移動機構 82 調整手段 G LCD基板(被処理体) W 半導体ウエハ(被処理体) d 除去幅
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−224931(JP,A) 特開 平5−175117(JP,A) 特開 平4−53121(JP,A) 特開 平4−65115(JP,A) 特開 昭64−61917(JP,A) 特開 昭61−160933(JP,A) 実開 平1−92130(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027

Claims (26)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被処理体の上面に処理液を塗布する処理
    装置において、 上記被処理体の下面の周縁部へ向けて所定の角度で洗浄
    液を噴射する洗浄ノズルと、 上記被処理体の上面方向から所定の角度で上記洗浄液を
    回収する回収手段とを具備し、 上記回収手段を、上記被処理体から離れた待機位置と被
    処理体の周縁部の所定位置との間で回動可能に形成する
    と共に、被処理体の周縁部に対して位置調節可能に形成
    し、かつ、被処理体に対して角度調節可能に形成してな
    ることを特徴とする処理装置。
  2. 【請求項2】 被処理体の上面に処理液を塗布する処理
    装置において、 上記被処理体の下面の周縁部へ向けて所定の角度で洗浄
    液を噴射する洗浄ノズルと、 上記被処理体の上面方向から所定の角度で上記洗浄液を
    回収する回収手段と、 上記被処理体の周縁位置を検出するセンサと、 上記センサからの検出信号に基づいて上記回収手段を上
    記被処理体の周縁部の所定位置に移動するコントローラ
    とを具備することを特徴とする処理装置。
  3. 【請求項3】 被処理体の上面に処理液を塗布する処理
    装置において、 上記被処理体を保持し、被処理体を回転する回転手段
    と、 上記被処理体の下面の周縁部へ向けて所定の角度で洗浄
    液を噴射する洗浄ノズルと、 上記被処理体の上面方向から所定の角度を有し上記洗浄
    液を回収すると共に、上記洗浄液によって洗浄される領
    域を被処理体の上面の周縁部から所定距離以内の領域に
    抑制する回収手段とを具備し、 上記回収手段を、上記被処理体から離れた待機位置と被
    処理体の周縁部の所定位置との間で回動可能に形成して
    なることを特徴とする処理装置。
  4. 【請求項4】 請求項1ないし3のいずれかに記載の処
    理装置において、 上記回収手段と共に上記洗浄ノズルを、被処理体の周縁
    部の所定位置へ回動可能に形成してなることを特徴とす
    る処理装置。
  5. 【請求項5】 請求項1ないし4のいずれかに記載の処
    理装置において、 上記洗浄ノズルの所定角度は、被処理体の水平面に対し
    て60°〜80°の範囲の所定角度に設定されているこ
    とを特徴とする処理装置。
  6. 【請求項6】 請求項1ないし4のいずれかに記載の処
    理装置において、 上記回収手段の所定角度は、被処理体の水平面に対して
    45°〜80°の範囲の所定角度に設定されていること
    を特徴とする処理装置。
  7. 【請求項7】 請求項1ないし4のいずれかに記載の処
    理装置において、 上記洗浄ノズルからの洗浄液をその上面と被処理体の下
    面との間に受け入れて被処理体周縁へ案内する案内板を
    具備することを特徴とする処理装置。
  8. 【請求項8】 請求項7記載の処理装置において、 上記案内板の上面と被処理体の下面との距離は、5mm
    以下の距離に設定されていることを特徴とする処理装
    置。
  9. 【請求項9】 請求項7又は8記載の処理装置におい
    て、 上記案内板は、洗浄ノズル側へ水平に延出する上端部を
    具備すると共に、上端部の先端から下方に折曲される延
    出先端部を具備することを特徴とする処理装置。
  10. 【請求項10】 請求項1ないし4のいずれかに記載の
    処理装置において、 上記洗浄液は、処理液中の溶剤と同じ成分、あるいはそ
    の成分を含有していることを特徴とする処理装置。
  11. 【請求項11】 請求項1ないし4のいずれかに記載の
    処理装置において、 上記洗浄ノズルからの洗浄液の噴射角度を調整する調整
    手段を具備することを特徴とする処理装置。
  12. 【請求項12】 請求項1ないし4のいずれかに記載の
    処理装置において、 上記回収手段は、気体と液体をそれぞれ分離して回収す
    る気液分離装置を具備することを特徴とする処理装置。
  13. 【請求項13】 請求項1ないし4のいずれかに記載の
    処理装置において、 上記洗浄ノズルは、被処理体の径方向に延びるスリット
    状の吐出口、あるいは複数の吐出口を有していることを
    特徴とする処理装置。
  14. 【請求項14】 請求項13記載の処理装置において、 上記吐出口を、洗浄ノズルの被処理体側面に設けられ、
    被処理体の径方向に複数個配置される筒状部材にて形成
    してなることを特徴とする処理装置。
  15. 【請求項15】 請求項13記載の処理装置において、 上記吐出口を、洗浄ノズルの両側に所定の角度で凸状に
    形成された被処理体側面のほぼ中央に沿って複数設ける
    ことを特徴とする処理装置。
  16. 【請求項16】 請求項1ないし4のいずれかに記載の
    処理装置において、 上記回収手段は、被処理体の径方向と直交方向に延びる
    スリット状の吸引口を具備することを特徴とする処理装
    置。
  17. 【請求項17】 被処理体を回転しながら上記被処理体
    の上面に処理液を塗布する工程と、 上記処理液の塗布工程の後、上記被処理体の周縁位置を
    検出する工程と、 上記検出に基づき、上記被処理体に塗布された塗布膜を
    所定の幅で除去すべく洗浄液が供給される位置を決める
    工程と、上記洗浄液を回収する回収手段の上記被処理体に対する
    角度を調整する工程と、 上記被処理体の下面の周縁部へ向けて所定の角度で洗浄
    液を供給しつつ上記被処理体の上面方向から所定の角度
    で上記洗浄液を回収する工程とを有することを特徴とす
    る処理方法。
  18. 【請求項18】 請求項17記載の処理方法において、 上記被処理体の上面に処理液を塗布する工程の前に、上
    記処理液に含有される溶剤と同一あるいは同成分又はそ
    れらの混合あるいはそれらを含有する溶剤を被処理体の
    上面に塗布することを特徴とする処理方法。
  19. 【請求項19】 請求項17記載の処理方法において、 上記被処理体の下面の周縁部へ向けて所定の角度で洗浄
    液を供給しつつ被処理体の上面方向から所定の角度で上
    記洗浄液を回収する工程中に被処理体を回転させる工程
    を有し、その際の被処理体の回転速度は、上記被処理体
    の上面に処理液を塗布する際の回転速度より小さいこと
    を特徴とする処理方法。
  20. 【請求項20】 請求項19記載の処理方法において、 上記洗浄液を回収する工程中に上記被処理体を回転させ
    る工程における被処理体の回転速度は、10〜500r
    pmの範囲であることを特徴とする処理方法。
  21. 【請求項21】 請求項17記載の処理方法において、 上記被処理体の下面の周縁部へ向けて所定の角度で洗浄
    液を供給しつつ被処理体の上面方向から所定の角度で上
    記洗浄液を回収する工程の際、上記洗浄液によって洗浄
    される領域は、被処理体の上面の周縁部から5mm以内
    の領域に抑制されることを特徴とする処理方法。
  22. 【請求項22】 請求項17記載の処理方法において、 上記被処理体を回転しながら被処理体の上面に処理液を
    塗布する工程の際、被処理体に処理液を滴下するタイミ
    ングは、上記被処理体を回転させる前、又は被処理体を
    所定速度に設定する前の加速期、又は被処理体を所定速
    度に設定した後のいずれかであることを特徴とする処理
    方法。
  23. 【請求項23】 請求項17記載の処理方法において、 上記被処理体を回転しながら被処理体の上面に処理液を
    塗布する工程の際、上記被処理体に処理液が滴下される
    位置は、被処理体の略中央位置であることを特徴とする
    処理方法。
  24. 【請求項24】 請求項17記載の処理方法において、 上記被処理体の下面の周縁部へ向けて所定の角度で洗浄
    液を供給しつつ被処理体の上面方向から所定の角度で上
    記洗浄液を回収する工程は、上記被処理体が四角形状の
    場合、その周縁部の処理は1辺毎の処理又は2辺同時処
    理又は全ての辺の同時処理であることを特徴とする処理
    方法。
  25. 【請求項25】 請求項17記載の処理方法において、 上記被処理体を回転しながら被処理体の上面に処理液を
    塗布する工程の際の被処理体の回転速度は、被処理体が
    6インチウエハの場合は、3500〜5000rpmの
    範囲の速度、8インチウエハの場合は、1500〜35
    00rpmの範囲の速度に設定されることを特徴とする
    処理方法。
  26. 【請求項26】 請求項17記載の処理方法において、 上記被処理体の下面の周縁部へ向けて所定の角度で洗浄
    液を供給しつつ被処理体の上面方向から所定の角度で上
    記洗浄液を回収する工程では、上記被処理体の円周部分
    とその他の部分とは分けて処理されることを特徴とする
    処理方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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SG103277A1 (en) 1996-09-24 2004-04-29 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for cleaning treatment
KR100508575B1 (ko) * 1996-09-24 2005-10-21 동경 엘렉트론 주식회사 세정처리방법및장치와기판처리용장치
TW434718B (en) * 1998-11-02 2001-05-16 Tokyo Electron Ltd Film removing apparatus
JP3616725B2 (ja) * 1998-12-07 2005-02-02 信越半導体株式会社 基板の処理方法及び処理装置
ATE211855T1 (de) * 1999-04-28 2002-01-15 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung und verfahren zur flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen gegenständen
JP3673704B2 (ja) * 1999-07-28 2005-07-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びその方法
KR100452919B1 (ko) * 2002-05-20 2004-10-14 한국디엔에스 주식회사 반도체 제조에 사용되는 노즐장치
JP2007019354A (ja) * 2005-07-11 2007-01-25 Risotetsuku Japan Kk 基板のエッジリンス方法
TWI569349B (zh) 2013-09-27 2017-02-01 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP6275984B2 (ja) * 2013-09-27 2018-02-07 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6344277B2 (ja) * 2015-03-19 2018-06-20 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP6486770B2 (ja) * 2015-05-20 2019-03-20 株式会社ディスコ 切削装置
JP6632417B2 (ja) * 2016-02-16 2020-01-22 株式会社東京精密 ウエハ研磨装置
JP6680040B2 (ja) * 2016-03-30 2020-04-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、液処理方法、及び記憶媒体
JP2023047615A (ja) * 2021-09-27 2023-04-06 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法

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