JP2023047615A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板に対するエッチングの均一性を向上させることが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理装置１００は、第１ノズル１４１と、第２ノズル２４１と、制御部１０２とを備える。第１ノズル１４１は、基板Ｗの上面にエッチング液を供給する。第２ノズル２４１は、基板Ｗの上面にリンス液を供給する。制御部１０２は、第１ノズル１４１からのエッチング液の供給、及び、第２ノズル２４１からのリンス液の供給を制御する。制御部１０２は、第１ノズル１４１から、少なくとも基板Ｗの第１領域Ｒ１にエッチング液を吐出させる。制御部１０２は、第１ノズル１４１が、第２ノズル２４１よりも基板Ｗの径方向ＲＤにおいて内側でエッチング液を吐出している際に、第１領域Ｒ１と径方向ＲＤにおいて異なる第２領域Ｒ２に向けて第２ノズル２４１からリンス液を吐出させる。【選択図】図２

Description

本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
従来、ウエハ等の基板の表面にエッチング液を供給して基板の表面を処理する基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１には、ウエハ中心部への薬液供給に先立ち、薬液供給口を外周部から中心部に短時間で移動させながら薬液供給することにより、均一なエッチングを行う枚葉式エッチング方法が記載されている。
特開平８－２７９４８５号公報
特許文献１に記載のように、枚葉式エッチング方法では、ウエハに薬液を供給する場合、回転しているウエハに対して薬液を供給する。このため、ウエハに供給された薬液は、供給された位置から径方向外側に流れる。よって、ウエハのうち、薬液が供給された位置から径方向外側の部分が、エッチングされる。
ここで、特許文献１に記載のように、ウエハの中心部に薬液を供給した場合、一般的には、ウエハの外周部に比べて中心部の方が、エッチング量は多くなる。この場合、薬液供給口の移動速度を調整することによって、ウエハに対するエッチングの均一性を向上させることが可能である。
しかしながら、例えば、基板の表面の膜の種類、及び、薬液の種類によっては、ウエハの中心部に薬液を供給した場合であっても、ウエハの中心部に比べて外周部の方が、エッチング量が多くなる場合がある。この場合、薬液供給口の移動速度を調整したとしても、ウエハに対するエッチングの均一性を向上させることは困難である。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板に対するエッチングの均一性を向上させることが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
本発明の第１の局面による基板処理装置は、基板保持部と、第１ノズルと、第２ノズルと、移動機構と、制御部とを備える。前記基板保持部は、基板を水平に保持して前記基板の中心を通り鉛直に延びる回転軸線を中心として前記基板を回転する。前記第１ノズルは、前記基板の上面にエッチング液を供給する。前記第２ノズルは、前記基板の上面にリンス液を供給する。前記移動機構は、前記第１ノズル及び前記第２ノズルを水平移動させる。前記制御部は、前記第１ノズルからの前記エッチング液の供給、前記第２ノズルからの前記リンス液の供給、及び、前記移動機構を制御する。前記制御部は、前記第１ノズルから、少なくとも前記基板の上面における第１領域に前記エッチング液を吐出させる。前記制御部は、前記第１ノズルが、前記第２ノズルよりも前記基板の径方向において内側で前記エッチング液を吐出している際に、前記第１領域と前記径方向において異なる第２領域に向けて前記第２ノズルから前記リンス液を吐出させる。
本発明の第１の局面による基板処理装置において、前記移動機構は、前記第１ノズルを前記基板保持部の上方で水平方向に移動させる第１ノズル移動機構と、前記第２ノズルを前記基板保持部の上方で水平方向に移動させる第２ノズル移動機構とを有してもよい。
本発明の第１の局面による基板処理装置において、前記制御部は、前記第１ノズルを前記径方向に移動させながら、前記第１ノズルから前記第１領域及び前記第２領域に対して前記エッチング液を吐出させてもよい。
本発明の第１の局面による基板処理装置において、前記制御部は、前記第２ノズルから前記第１領域に対して前記リンス液を吐出せず、前記第２領域に対して前記リンス液を吐出させてもよい。
本発明の第１の局面による基板処理装置において、前記基板は、前記径方向に複数の領域を有してもよい。前記複数の領域は、第１特定領域を有してもよい。前記第１特定領域は、前記第１領域に対して前記径方向の外側に隣接し、且つ、前記第２領域を構成してもよい。前記第１ノズルが前記第１特定領域よりも前記径方向の内側の領域に前記エッチング液を吐出している際に、前記第２ノズルから前記第１特定領域に前記リンス液を第１所定時間吐出してもよい。
本発明の第１の局面による基板処理装置において、前記複数の領域は、第２特定領域をさらに有してもよい。前記第２特定領域は、前記第１特定領域に対して前記径方向の外側に隣接し、且つ、前記第２領域を構成してもよい。前記第１ノズルが前記第１領域に前記エッチング液を吐出している際に、前記第２ノズルから前記第２特定領域に前記リンス液を第２所定時間吐出してもよい。
本発明の第１の局面による基板処理装置において、前記第１ノズルから吐出された前記エッチング液を吸引する吸引部をさらに備えてもよい。前記制御部は、前記第１ノズルが前記吸引部よりも前記径方向の内側で吐出している際に、前記吸引部に前記第２領域の前記エッチング液を吸引させてもよい。
本発明の第１の局面による基板処理装置において、前記制御部は、前記基板の上面に前記第１ノズルから前記エッチング液を吐出したときの各領域のエッチング速度を取得してもよい。前記制御部は、前記基板の上面の前記径方向における各領域の前記エッチング速度と、前記各領域に前記エッチング液が接触する時間との積が、略一定になるように、前記第１ノズルの移動速度、及び、前記第２ノズルによる前記リンス液の吐出時間を算出してもよい。
本発明の第１の局面による基板処理装置において、前記基板の径方向における厚みの分布を測定する測定部をさらに備えてもよい。前記制御部は、前記測定部を制御してもよい。取得された前記エッチング速度は、前記第２ノズルから前記リンス液を吐出せず、前記第１ノズルから前記基板の上面に前記エッチング液を吐出する前と後との前記基板の径方向における厚みの分布を測定することにより算出されてもよい。
本発明の第１の局面による基板処理装置は、記憶部をさらに備えてもよい。前記エッチング速度は、前記記憶部に格納されてもよい。前記エッチング速度の取得は、前記制御部が前記記憶部から前記エッチング速度を読み出すことにより行われてもよい。
本発明の第２の局面による基板処理方法は、基板をエッチング処理する基板処理方法である。前記基板処理方法は、前記基板を基板保持部によって水平に保持し、前記基板の中心を通る回転軸線を中心として回転させる工程と、第１ノズルから、前記基板の少なくとも第１領域にエッチング液を吐出する工程とを有する。前記第１ノズルから前記エッチング液を吐出する工程において、前記第１ノズルが、第２ノズルよりも前記基板の径方向において内側で前記エッチング液を吐出している際に、前記第１領域と前記径方向において異なる第２領域に向けて前記第２ノズルからリンス液を吐出する。
本発明の第２の局面による基板処理方法は、前記基板の上面に、前記第２ノズルから前記リンス液を吐出せず、前記第１ノズルから前記エッチング液を吐出したときの各領域のエッチング速度を取得する工程をさらに備えてもよい。
本発明の第２の局面による基板処理方法は、前記第１ノズルから前記基板の上面に前記エッチング液を吐出する前と後との前記基板の径方向における厚みの分布を測定する工程をさらに備えてもよい。前記取得する工程において取得されるエッチング速度は、前記測定する工程により測定された厚みの分布から算出されてもよい。
本発明の第２の局面による基板処理方法は、前記基板の上面の前記径方向における各領域の前記エッチング速度と、前記各領域に前記エッチング液が接触する時間との積が、略一定になるように、前記第１ノズルの移動速度、及び、前記第２ノズルによる前記リンス液の吐出時間を算出する工程をさらに備えてもよい。
本発明の第２の局面による基板処理方法において、前記第２領域は、前記径方向の外側に向かって、前記第１ノズルについての前記エッチング速度の変化率がゼロ以上となる領域であってもよい。
本発明の第３の局面による基板処理装置は、基板保持部と、第１ノズルと、阻害部と、制御部とを備える。前記基板保持部は、基板を保持して前記基板を回転する。前記第１ノズルは、前記基板の上面にエッチング液を供給する。前記阻害部は、前記エッチング液による前記基板に対するエッチングを阻害する。前記制御部は、前記第１ノズル、及び、前記阻害部を制御する。前記制御部は、前記第１ノズルから第１の基板に前記エッチング液を吐出させる。前記制御部は、前記第１の基板の上面の各位置におけるエッチング速度を算出する。前記制御部は、前記エッチング速度の算出結果に基づいて、前記エッチング液によるエッチングを前記阻害部によって阻害する阻害条件を算出する。前記制御部は、前記第１ノズルから、前記第１の基板と異なる第２の基板の上面に前記エッチング液を吐出している際に、前記第２の基板の上面のうち、径方向の外側に向かって前記エッチング速度の変化率がゼロ以上の位置において、前記阻害条件で前記エッチングを阻害するように前記阻害部を制御する。
本発明の第３の局面による基板処理装置において、前記阻害部は、リンス液を供給する第２ノズルと、前記第２ノズルを前記基板保持部の上方で水平方向に移動可能なノズル移動機構とを有してもよい。前記阻害部による前記エッチングの阻害は、前記第２ノズルから前記第２の基板へのリンス液の供給を制御すること、及び、前記第２ノズルの前記第２の基板に対する位置を前記制御部により制御することにより行われてもよい。
本発明の第４の局面による基板処理方法は、基板を保持して前記基板を回転する基板保持部と、前記基板の上面にエッチング液を供給する第１ノズルと、前記エッチング液による前記基板に対するエッチングを阻害する阻害部とを備えた基板処理装置の基板処理方法である。前記基板処理方法は、前記第１ノズルから第１の基板に前記エッチング液を吐出する工程と、前記第１の基板の上面の各位置におけるエッチング速度を取得する工程と、取得した前記エッチング速度に基づいて、前記エッチング液によるエッチングを阻害する阻害条件を算出する工程と、前記第１ノズルから、前記第１の基板と異なる第２の基板の上面に前記エッチング液を吐出して前記第２の基板を処理する工程とを備える。前記第２の基板を処理する工程において、前記第１ノズルから前記第２の基板の上面に前記エッチング液を吐出している際に、前記第２の基板の上面のうち、径方向の外側に向かって前記エッチング速度の変化率がゼロ以上の位置において、前記阻害部によって前記阻害条件で前記エッチングを阻害する。
本発明の第４の局面による基板処理方法において、前記阻害部は、リンス液を供給する第２ノズルを有してもよい。前記阻害部による前記エッチングの阻害は、前記阻害条件に基づき、所定の位置において前記第２ノズルから前記第２の基板の上面にリンス液を供給することにより行われてもよい。
本発明の第４の局面による基板処理方法は、前記第１ノズルから前記第１の基板の上面に前記エッチング液を吐出する前と後との前記第１の基板の径方向における厚みの分布を測定する工程をさらに備えてもよい。
本発明によれば、基板に対するエッチングの均一性を向上させることが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供できる。
本発明の一実施形態の基板処理装置を示す模式的平面図である。 本発明の一実施形態の処理ユニットの模式的な断面図である。 本発明の一実施形態のスキャン処理を示す平面図である。 本発明の一実施形態の厚み測定処理を示す平面図である。 基板の上面を示す平面図である。 基板の径方向の各位置におけるエッチング速度ｆ（ｒ）の一例を示すグラフである。 本発明の一実施形態の基板処理装置において、第２ノズルからリンス液を吐出せず、第１ノズルから基板の中心部にエッチング液を所定時間吐出したときの基板の厚みの分布の一例を示すグラフである。 図７に示した状態から第１ノズルを領域Ａ６まで所定速度で移動させたときの基板の厚みの分布の一例を示すグラフである。 図７に示した状態から、第２ノズルからリンス液を所定時間吐出しながら、第１ノズルを領域Ａ７まで所定速度で移動させたときの基板の厚みの分布の一例を示すグラフである。 本発明の一実施形態の基板処理装置の第１ノズルのスキャン速度、第２ノズルの吐出位置及び吐出時間の算出方法を示すフローチャートである。 本発明の一実施形態の基板処理装置により基板の厚み分布を測定するステップを示すフローチャートである。 本発明の一実施形態の基板処理装置の第１ノズルの目標スキャン速度、及び、第２ノズルによるリンス液の吐出時間を算出するステップを示すフローチャートである。 本実施形態における基板処理方法を示すフローチャートである。 本実施形態の変形例の基板処理装置の第１ノズル、第２ノズル及び吸引部周辺の構造を示す平面図である。
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合がある。また、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。
図１を参照して、本発明の一実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。詳しくは、図１は、基板処理装置１００の模式的な平面図である。基板処理装置１００は、基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。本実施形態において、基板Ｗは半導体ウエハである。基板Ｗは略円板状である。
図１に示すように、基板処理装置１００は、複数の処理ユニット１と、流体キャビネット１００Ａと、複数の流体ボックス１００Ｂと、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、制御装置１０１とを備える。
ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと処理ユニット１との間で基板Ｗを搬送する。処理ユニット１の各々は、処理液を基板Ｗに供給して、基板Ｗに処理を実行する。流体キャビネット１００Ａは、処理液を収容する。
複数の処理ユニット１は、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置された複数のタワーＴＷ（図１では４つのタワーＴＷ）を形成している。各タワーＴＷは、上下に積層された複数の処理ユニット１（図１では３つの処理ユニット１）を含む。流体ボックス１００Ｂは、それぞれ、複数のタワーＴＷに対応している。流体キャビネット１００Ａ内の処理液は、いずれかの流体ボックス１００Ｂを介して、流体ボックス１００Ｂに対応するタワーＴＷに含まれる全ての処理ユニット１に供給される。
制御装置１０１は、基板処理装置１００の各部の動作を制御する。例えば、制御装置１０１は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲ、及びセンターロボットＣＲを制御する。
続いて図２を参照して、本実施形態の処理ユニット１を説明する。図２は、本実施形態の処理ユニット１の模式図である。詳しくは、図２は、処理ユニット１の模式的な断面図である。
図２に示すように、処理ユニット１は、基板Ｗを構成する対象物を処理液によって処理する。以下、処理液による処理の対象である対象物を「対象物ＴＧ」と記載する。対象物ＴＧは、例えば、基板本体（例えば、シリコンからなる基板本体）、又は、基板本体の表面に形成された物質である。基板本体の表面に形成された物質は、例えば、基板本体と同じ材料の物質（例えば、シリコンからなる層）、又は、基板本体と異なる材料の物質（例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、又はレジスト）である。「物質」は膜を構成していてもよい。
本実施形態において、処理液はエッチング液を含み、処理ユニット１はエッチング処理を実行する。対象物ＴＧは、エッチング液によって処理される（エッチングされる）。エッチング液は、薬液である。エッチング液は、例えば、フッ硝酸（フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ3）との混合液）、フッ酸、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）、フッ化アンモニウム、ＨＦＥＧ（フッ酸とエチレングリコールとの混合液）、又は、燐酸（Ｈ3ＰＯ4）である。
処理ユニット１は、チャンバー２と、スピンチャック３と、スピンモータ部５と、第１ノズル移動機構１６と、第２ノズル移動機構２６と、複数のガード１０と、第１ノズル１４１と、第２ノズル２４１と、測定部８と、プローブ移動機構９とを備える。また、基板処理装置１００は、エッチング液供給部１４と、リンス液供給部２４とを備える。エッチング液供給部１４は、第１供給配管１４２を有し、リンス液供給部２４は、第２供給配管２４２を有する。なお、第１ノズル移動機構１６は、本発明の「移動機構」の一例である。また、第２ノズル移動機構２６は、本発明の「移動機構」及び「ノズル移動機構」の一例である。また、第２ノズル移動機構２６及びリンス液供給部２４は、本発明の「阻害部」の一例である。
チャンバー２は略箱形状を有する。チャンバー２は、基板Ｗ、スピンチャック３、スピンモータ部５、第１ノズル移動機構１６、第２ノズル移動機構２６、複数のガード１０、第１ノズル１４１、第２ノズル２４１、測定部８、プローブ移動機構９、第１供給配管１４２の一部、及び、第２供給配管２４２の一部を収容する。
スピンチャック３は、基板Ｗを水平に保持する。具体的には、スピンチャック３は、複数のチャック部材３２と、スピンベース３３とを有する。複数のチャック部材３２は、基板Ｗの周縁に沿ってスピンベース３３に設けられる。複数のチャック部材３２は基板Ｗを水平な姿勢で保持する。スピンベース３３は、略円板状であり、水平な姿勢で複数のチャック部材３２を支持する。なお、スピンチャック３は、本発明の「基板保持部」の一例である。
スピンモータ部５は、第１回転軸線ＡＸ１を中心として基板Ｗとスピンチャック３とを一体に回転させる。第１回転軸線ＡＸ１は、上下方向に延びる。本実施形態では、第１回転軸線ＡＸ１は、基板Ｗの中心を通り略鉛直方向に延びる。詳しくは、スピンモータ部５は、第１回転軸線ＡＸ１を中心としてスピンベース３３を回転させる。従って、スピンベース３３は、第１回転軸線ＡＸ１を中心として回転する。その結果、スピンベース３３に設けられた複数のチャック部材３２に保持された基板Ｗが、第１回転軸線ＡＸ１を中心として回転する。なお、第１回転軸線ＡＸ１は、本発明の「回転軸線」の一例である。
具体的には、スピンモータ部５は、モータ本体５１と、シャフト５３と、エンコーダ５５とを有する。シャフト５３はスピンベース３３に結合される。モータ本体５１は、シャフト５３を回転させる。その結果、スピンベース３３が回転する。
エンコーダ５５は、基板Ｗの回転速度を計測する。エンコーダ５５は、基板Ｗの回転速度を示す信号を生成する。詳しくは、エンコーダ５５は、モータ本体５１の回転速度を示す回転速度信号を生成する。
第１ノズル１４１は、基板Ｗにエッチング液を供給する。詳しくは、第１ノズル１４１は、回転中の基板Ｗに向けてエッチング液を吐出する。エッチング液供給部１４は、第１ノズル１４１にエッチング液を供給する。詳しくは、第１ノズル１４１は、第１供給配管１４２の一端に接続している。エッチング液は、第１供給配管１４２を介して第１ノズル１４１に供給される。第１供給配管１４２は、エッチング液が流通する管状部材である。
第１ノズル移動機構１６は、第１ノズル１４１を移動させる。本実施形態において、第１ノズル移動機構１６は、第１ノズル１４１をスピンチャック３の上方で水平方向に移動させる。詳しくは、第１ノズル移動機構１６は、略鉛直方向に沿った第２回転軸線ＡＸ２を中心として第１ノズル１４１を旋回させる。第１ノズル１４１は、停止又は移動しながら（旋回しながら）、基板Ｗに向けてエッチング液を吐出する。第１ノズル１４１は、スキャンノズルと称されることがある。
具体的には、第１ノズル移動機構１６は、ノズルアーム１６１と、第１回転軸１６３と、第１駆動部１６５とを有する。ノズルアーム１６１は略水平方向に沿って延びる。ノズルアーム１６１の先端部に第１ノズル１４１が配置される。ノズルアーム１６１は第１回転軸１６３に結合される。第１回転軸１６３は、略鉛直方向に沿って延びる。第１駆動部１６５は、第２回転軸線ＡＸ２を中心として第１回転軸１６３を回転させて、第１回転軸１６３を中心にノズルアーム１６１を略水平面に沿って回転させる。その結果、第１ノズル１４１が略水平面に沿って移動する。詳しくは、第１ノズル１４１は、第２回転軸線ＡＸ２を中心として第１回転軸１６３の周りを旋回する。第１駆動部１６５は、例えば、ステッピングモータを含む。
リンス液供給部２４及び第２ノズル移動機構２６は、エッチング液による基板Ｗに対するエッチングを阻害する。本実施形態では、リンス液によりエッチング液を希釈することによって、エッチングを阻害する。具体的には、第２ノズル２４１は、基板Ｗにリンス液を供給する。詳しくは、第２ノズル２４１は、回転中の基板Ｗに向けてリンス液を吐出する。リンス液供給部２４は、第２ノズル２４１にリンス液を供給する。詳しくは、第２ノズル２４１は、第２供給配管２４２の一端に接続している。リンス液は、第２供給配管２４２を介して第２ノズル２４１に供給される。第２供給配管２４２は、リンス液が流通する管状部材である。リンス液は、例えば、脱イオン水、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、又は、希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水である。なお、リンス液として、エッチング液を希釈した液を用いてもよい。
第２ノズル移動機構２６は、第２ノズル２４１を移動させる。本実施形態において、第２ノズル移動機構２６は、第２ノズル２４１をスピンチャック３の上方で水平方向に移動させる。詳しくは、第２ノズル移動機構２６は、略鉛直方向に沿った第３回転軸線ＡＸ３を中心として第２ノズル２４１を旋回させる。第２ノズル２４１は、静止した状態で基板Ｗに向けてリンス液を吐出する。なお、第２ノズル２４１は、移動しながら（旋回しながら）リンス液を吐出してもよい。
第２ノズル移動機構２６は、ノズルアーム２６１と、第２回転軸２６３と、第２駆動部２６５とを有する。ノズルアーム２６１は略水平方向に沿って延びる。ノズルアーム２６１の先端部に第２ノズル２４１が配置される。ノズルアーム２６１は第２回転軸２６３に結合される。第２回転軸２６３は、略鉛直方向に沿って延びる。第２駆動部２６５は、第３回転軸線ＡＸ３を中心として第２回転軸２６３を回転させて、第２回転軸２６３を中心にノズルアーム２６１を略水平面に沿って回転させる。その結果、第２ノズル２４１が略水平面に沿って移動する。詳しくは、第２ノズル２４１は、第３回転軸線ＡＸ３を中心として第２回転軸２６３の周りを旋回する。第２駆動部２６５は、例えば、ステッピングモータを含む。
ガード１０の各々は、略筒形状を有する。複数のガード１０は、基板Ｗから排出されたエッチング液及びリンス液を受け止める。
測定部８は、基板Ｗの厚みの分布を示す情報を取得する。言い換えると、測定部８は、基板Ｗの表面形状（プロファイル）を示す情報を取得する。本実施形態では、測定部８は、基板Ｗの径方向ＲＤにおける厚み分布を測定する。
本実施形態では、測定部８は、対象物ＴＧの厚みを非接触方式で測定して、対象物ＴＧの厚みを示す厚み検出信号を生成する。厚み検出信号は、制御装置１０１に入力される。
測定部８は、例えば、分光干渉法によって対象物ＴＧの厚みを測定する。具体的には、測定部８は、光学プローブ８１と、信号線８３と、測定器８５とを含む。光学プローブ８１は、レンズを有する。信号線８３は、光学プローブ８１と測定器８５とを接続する。信号線８３は、例えば光ファイバーを含む。測定器８５は、光源と受光素子とを有する。測定器８５の光源が出射した光は、信号線８３及び光学プローブ８１を介して、対象物ＴＧに出射される。対象物ＴＧによって反射された光は、光学プローブ８１及び信号線８３を介して、測定器８５の受光素子で受光される。測定器８５は、受光素子が受光した光を解析して、対象物ＴＧの厚みを算出する。測定器８５は、算出した対象物ＴＧの厚みを示す厚み検出信号を生成する。なお、測定部８の測定方法は、分光干渉法に限らず、対象物ＴＧの厚みを測定できれば他の測定方法を用いてもよい。
プローブ移動機構９は、略水平方向に光学プローブ８１を移動させる。詳しくは、プローブ移動機構９は、略鉛直方向に沿った第４回転軸線ＡＸ４を中心として光学プローブ８１を旋回させる。光学プローブ８１は、移動しながら（旋回しながら）、基板Ｗに向けて光を出射する。従って、厚み検出信号は、対象物ＴＧの厚みの分布を示す。
具体的には、プローブ移動機構９は、プローブアーム９１と、第３回転軸９３と、第３駆動部９５とを有する。プローブアーム９１は略水平方向に沿って延びる。プローブアーム９１の先端部に光学プローブ８１が配置される。プローブアーム９１は第３回転軸９３に結合される。第３回転軸９３は、略鉛直方向に沿って延びる。第３駆動部９５は、第４回転軸線ＡＸ４を中心として第３回転軸９３を回転させて、第３回転軸９３を中心にプローブアーム９１を略水平面に沿って回転させる。その結果、光学プローブ８１が略水平面に沿って移動する。詳しくは、光学プローブ８１は、第４回転軸線ＡＸ４を中心として第３回転軸９３の周りを旋回する。第３駆動部９５は、例えば、ステッピングモータを含む。
本実施形態において、測定部８は、エッチング量の検出に用いられる。エッチング量は、処理ユニット１が基板Ｗを処理することによって基板Ｗがエッチングされる量を示す。詳しくは、測定部８は、処理前の基板Ｗの厚みの分布（基板Ｗの表面形状）を示す情報（以下、処理前表面情報と記載する）と、処理後の基板Ｗの厚みの分布（基板Ｗの表面形状）を示す情報（以下、処理後表面情報と記載する）とを取得する。処理前表面情報と処理後表面情報との差分から、エッチング量を算出することができる。
制御装置１０１は、測定部８（測定器８５）から入力された厚み検出信号に基づいてエッチング量を算出することにより、エッチング量を取得する。より詳しくは、制御装置１０１は、エッチング量の分布を取得する。制御装置１０１は、取得したエッチング量を用いて、後述するように、エッチング条件を算出する。エッチング条件は、例えば、第１ノズル１４１の移動速度、第２ノズル２４１からリンス液を吐出する位置及び時間を含む。
また、制御装置１０１には、エンコーダ５５から回転速度信号が入力される。なお、処理時における基板Ｗの回転速度は、例えば一定である。詳しくは、制御装置１０１は、基板処理装置１００の各部を制御するためのレシピを記憶しており、レシピは、モータ本体５１の回転速度の設定値を示す。制御装置１０１は、レシピを参照して、処理ユニット１が実行する処理を制御する。
続いて図３を参照して、第１ノズル１４１による基板Ｗのスキャン処理を説明する。図３は、本実施形態のスキャン処理を示す平面図である。図３に示すように、第１ノズル１４１は、対象物ＴＧの表面に対するエッチング液の着液位置が円弧状の軌跡ＴＪ１を形成するように停止又は移動しながら、エッチング液を対象物ＴＧに吐出する。軌跡ＴＪ１は、基板Ｗの中心部ＣＴを通る。中心部ＣＴは、基板Ｗのうち第１回転軸線ＡＸ１が通る部分を示す。スキャン処理は、基板Ｗの回転中に実行される。
また、第２ノズル２４１は、対象物ＴＧの表面に対するリンス液の着液位置が円弧状の軌跡ＴＪ２を形成するように停止又は移動しながら、リンス液を対象物ＴＧに吐出する。本実施形態では、軌跡ＴＪ２は、基板Ｗの中心部ＣＴを通る。なお、軌跡ＴＪ２は、基板Ｗの中心部ＣＴの近傍を通ることができれば、中心部ＣＴを通らなくてもよい。リンス液の吐出は、基板Ｗの回転中に実行される。
続いて図４を参照して、測定部８による厚み測定処理を説明する。図４は、本実施形態の厚み測定処理を示す平面図である。図４に示すように、測定部８の光学プローブ８１は、対象物ＴＧに対する厚みの測定位置が円弧状の軌跡ＴＪ３を形成するように移動しながら、対象物ＴＧの厚みを測定する。軌跡ＴＪ３は、基板Ｗのエッジ部ＥＧと基板Ｗの中心部ＣＴとを通る。エッジ部ＥＧは、基板Ｗの周縁部を示す。厚み測定処理は、基板Ｗの回転中に実行される。
具体的には、光学プローブ８１は、平面視において、基板Ｗの中心部ＣＴとエッジ部ＥＧとの間を移動しながら、対象物ＴＧに向けて光を出射する。この結果、軌跡ＴＪ２に含まれる各測定位置において、対象物ＴＧの厚みが測定される。各測定位置は、基板Ｗの各半径位置に対応している。従って、厚み測定処理により、基板Ｗの径方向ＲＤにおける対象物ＴＧの厚みの分布が測定される。なお、対象物ＴＧの表面形状（プロファイル）は、対象物ＴＧの厚みの分布を示す形状と一致する。
次に、図１を参照して、制御装置１０１を説明する。図１に示すように、制御装置１０１は、制御部１０２と、記憶部１０３と、入力部１０４と、表示部１０５とを有する。制御装置１０１は、例えばコンピュータである。制御装置１０１は、汎用のコンピュータを用いたものであってもよいし、構成部品の一部をカスタマイズしたもの、あるいは専用に設計されたコンピュータであってもよい。
制御部１０２は、プロセッサーを有する。制御部１０２は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、又は、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を有するコントローラである。あるいは、制御部１０２は、汎用演算機又は専用演算機を有してもよい。制御部１０２は、ＮＰＵ（Ｎｅｕｒａｌ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）をさらに有してもよい。
記憶部１０３は、データ及びコンピュータプログラムを記憶する。記憶部１０３は、主記憶装置を有する。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。記憶部１０３は、補助記憶装置をさらに有してもよい。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリ及び／又はハードディスクドライブである。記憶部１０３はリムーバブルメディアを有してもよい。制御部１０２は、記憶部１０３が記憶しているデータ及びコンピュータプログラムに基づいて、基板処理装置１００の各部の動作を制御する。さらに、制御部１０２は、記憶部１０３が記憶しているデータ及びコンピュータプログラムに基づいて、エッチング条件を算出する。なお、エッチング条件の詳細な算出方法については、後述する。
記憶部１０３は、レシピと、制御プログラムとを記憶する。レシピは、基板Ｗの処理内容及び処理手順を規定する。また、レシピは、各種の設定値を示す。制御部１０２は、レシピ及び制御プログラムに基づいて、基板処理装置１００の各部の動作を制御する。
入力部１０４は、作業者からの入力を受け付けて、入力結果を示す情報を制御部１０２に出力する。入力部１０４は、例えば、タッチパネル及びポインティングデバイスを含む。タッチパネルは、例えば、表示部１０５の表示面に配置される。入力部１０４と表示部１０５とは、例えば、グラフィカルユーザーインターフェースを構成する。
表示部１０５は各種情報を表示する。本実施形態において、表示部１０５は、例えば、各種のエラー画面、及び各種の設定画面（入力画面）を表示する。表示部１０５は、例えば、液晶ディスプレイ又は有機ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイを有する。
次に、図５を参照して、第２ノズル２４１からの吐出が無い前提で、第１ノズル１４１からエッチング液を吐出した場合における基板Ｗのエッチング量について説明する。換言すると、第２ノズル２４１によるエッチングの阻害が行われない前提における、第１ノズル１４１による基板Ｗのエッチング量について説明する。図５は、基板Ｗの上面を示す平面図である。前提として、エッチング液は回転中の基板Ｗに対して吐出される。この場合、エッチング液は着液した位置から径方向外側に向かって流れ、着液した位置から径方向外側の全域がエッチングされる。また、前提として、エッチング液の着液位置を変えたとしても、基板Ｗの各位置におけるエッチング速度は変化しないこととする。例えば、エッチング液の着液位置を、基板Ｗの中心部ＣＴにした場合も、基板Ｗの中心部ＣＴからｒ［ｍｍ］離れた位置にした場合も、基板Ｗの中心部ＣＴからｒ［ｍｍ］以上離れた各位置におけるエッチング速度は、一定であるとする。エッチング速度は、単位時間当たりのエッチング量である。なお、本願発明者の知見によれば、エッチング液の着液位置を変えたとしても、基板Ｗの各位置におけるエッチング速度はほとんど変化しない。
ここで、基板Ｗの中心部ＣＴからｒ［ｍｍ］の位置におけるエッチング量をＦ（ｒ）、エッチング速度をｆ（ｒ）、第１ノズル１４１のスキャン速度をｖ（ｒ）とする。なお、スキャン速度は、スキャン処理時における第１ノズル１４１の移動速度である。この場合、位置ｒ［ｍｍ］におけるエッチング量Ｆ（ｒ）は、エッチング速度ｆ（ｒ）と、エッチング液の接触時間の総和Ｔ［ｓｅｃ］との積である。また、エッチング液の接触時間の総和Ｔ［ｓｅｃ］は、スキャン速度ｖ（ｒ）を用いて、以下の式（１）のように表すことができる。なお、以下の式（１）～（３）は、第１ノズル１４１から吐出されるエッチング液に関する式であり、第２ノズル２４１から吐出されるリンス液の影響は考慮していない。
Figure 2023047615000002
従って、位置ｒ［ｍｍ］におけるエッチング量Ｆ（ｒ）は、以下の式（２）になる。
Figure 2023047615000003
基板Ｗの上面を均一にエッチングするためには、ｄＦ（ｒ）／ｄｒ＝０にする必要がある。つまり、以下の式（３）を満たす必要がある。
Figure 2023047615000004
ここで、上述したように、基板Ｗの中心部にエッチング液を供給した場合、一般的には、基板Ｗの外周部に比べて中心部の方が、エッチング量が多くなる。言い換えると、エッチング速度の変化率ｆ’（ｒ）は、負になる。この場合、第１ノズル１４１を基板Ｗの中心部から径方向外側に向かって移動させる際のスキャン速度ｖ（ｒ）を調整することによって、基板Ｗの上面を均一にエッチングすることが可能である。つまり、式（３）が成立するようにスキャン速度ｖ（ｒ）を設定することが可能である。
その一方、基板Ｗの中心部にエッチング液を供給した場合に、基板Ｗの外周部に比べて中心部の方が、エッチング量が少なくなる場合がある。言い換えると、エッチング速度の変化率ｆ’（ｒ）が正になる場合がある。この場合、第１ノズル１４１のスキャン速度ｖ（ｒ）を調整するだけでは、式（３）は成立しない。言い換えると、一般的には、基板Ｗの上面を均一にエッチングすることはできない。そこで、本願発明では、「エッチング液の着液した位置から径方向外側の全域がエッチングされる」という前提を覆すことによって、基板Ｗの上面を均一にエッチングすることを実現する。以下、具体的に説明する。
次に、図６～図８を参照して、エッチング速度の変化率ｆ’（ｒ）が正になる場合であっても、基板Ｗの上面を均一にエッチングする方法について具体的に説明する。図６は、基板Ｗの径方向ＲＤの各位置におけるエッチング速度ｆ（ｒ）の一例を示すグラフである。また、図６は、第２ノズル２４１からリンス液を吐出せず、第１ノズル１４１から基板Ｗの中心部に向けてエッチング液を吐出したときのエッチング速度ｆ（ｒ）の分布を示すグラフである。図７は、第２ノズル２４１からリンス液を吐出せず、第１ノズル１４１から基板Ｗの中心部にエッチング液を所定時間吐出したときの基板Ｗの厚みの分布の一例を示すグラフである。図８は、図７に示した状態から第１ノズル１４１を領域Ａ６まで所定速度で移動させたときの基板Ｗの厚みの分布の一例を示すグラフである。
図６に示すように、基板Ｗの上面は、径方向ＲＤにおいて、第１領域Ｒ１と、第１領域Ｒ１とは異なる第２領域Ｒ２とを有する。第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２は、平面視で円形状又はリング形状を有する。第１領域Ｒ１は、径方向ＲＤの外側に向かって、エッチング速度の変化率ｆ’（ｒ）が負になる領域である。第２領域Ｒ２は、径方向ＲＤの外側に向かって、エッチング速度の変化率ｆ’（ｒ）がゼロ以上になる領域である。図６では、第２領域Ｒ２は、径方向ＲＤの外側に向かって、エッチング速度の変化率ｆ’（ｒ）が正になる領域である。
制御部１０２は、第１ノズル１４１から、基板Ｗの少なくとも第１領域Ｒ１にエッチング液を吐出させる。本実施形態では、制御部１０２は、第１ノズル１４１を径方向ＲＤに移動させながら、第１ノズル１４１から第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２に対してエッチング液を吐出させる。従って、例えば、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２毎にエッチング液の吐出と不吐出とを切り替える場合に比べて、第１ノズル１４１からエッチング液を安定して吐出できる。
基板Ｗの中心部（領域Ａ１）に第１ノズル１４１からエッチング液所定時間吐出した場合、基板Ｗの厚み（表面形状）は、図７に示すようになる。そして、図７に示す状態から第１ノズル１４１を径方向ＲＤの外側に所定速度で移動させることによって、図８に示すように、第１ノズル１４１が第１領域Ｒ１１から第２領域Ｒ２に移動する時点で、第１領域Ｒ１１の厚みを均一にすることができる。しかしながら、図６を用いて説明したように、第２領域Ｒ２のエッチング速度の変化率は、正であるので、第１ノズル１４１が第１領域Ｒ１１から第２領域Ｒ２に移動する時点で第２領域Ｒ２の厚みは第１領域Ｒ１１の厚みよりも小さくなってしまう。
そこで、本実施形態では、制御部１０２は、第１ノズル１４１が第２ノズル２４１よりも径方向ＲＤの内側でエッチング液を吐出している際に、第２ノズル２４１から第２領域Ｒ２にリンス液を吐出させる。具体的には、第１ノズル１４１が図６の第１領域Ｒ１１にエッチング液を吐出している際に、第２ノズル２４１から第２領域Ｒ２にリンス液を吐出させる。これにより、第１領域Ｒ１１はエッチングされる一方、第２領域Ｒ２及び第１領域Ｒ１２は、エッチングされない、又は、エッチングが抑制される。つまり、第２領域Ｒ２及び第１領域Ｒ１２のエッチング液によるエッチングが阻害される。従って、第１ノズル１４１が第１領域Ｒ１１から第２領域Ｒ２に移動する時点で、第２領域Ｒ２及び第１領域Ｒ１２のエッチング量を、第１領域Ｒ１１のエッチング量に比べて少なく又は同じにすることができる。つまり、図８の破線で示すように、第２領域Ｒ２の厚みを第１領域Ｒ１１の厚みと同じ、又は、第１領域Ｒ１１の厚みより大きくすることができる。その結果、第１ノズル１４１が第２領域Ｒ２を移動する際の速度を調整することによって、第２領域Ｒ２のエッチング量又は厚みと、第１領域Ｒ１のエッチング量又は厚みとを同じにすることができる。つまり、基板Ｗの上面を均一にエッチングすることができる。
上記のように、第２領域Ｒ２は、径方向ＲＤの外側に向かって、エッチング速度の変化率ｆ’（ｒ）がゼロ以上になる領域である。通常、基板Ｗ内に、エッチング速度の変化率ｆ’（ｒ）がゼロ以上になる領域が存在する場合、第１ノズル１４１によるエッチング液の制御のみでは基板Ｗの上面を均一にエッチングすることは困難であるが、本発明を適用することによって、基板Ｗの上面を均一にエッチングすることが可能となる。
また、制御部１０２は、第２ノズル２４１から、第１領域Ｒ１に対してリンス液を吐出せずに、第２領域Ｒ２に対してリンス液を吐出させる。従って、第２領域Ｒ２に対して選択的にリンス液を吐出できる。
なお、基板Ｗの上面をエッチングする場合、第１ノズル１４１は、基板Ｗの中心部から外周部に向けて移動しながらエッチング液を吐出してもよいし、基板Ｗの外周部から中心部に向けて移動しながらエッチング液を吐出してもよいが、本実施形態では、理解を容易にするために、第１ノズル１４１が基板Ｗの中心部から外周部に向けて移動しながらエッチング液を吐出する例について説明する。
次に、図６～図９を参照して、リンス液の吐出についてさらに詳細に説明する。図９は、図７に示した状態から、第２ノズル２４１からリンス液を所定時間吐出しながら、第１ノズル１４１を領域Ａ７まで所定速度で移動させたときの基板Ｗの厚みの分布の一例を示すグラフである。図６に示すように、基板Ｗの上面を径方向ＲＤに複数の領域（ここではＡ１～Ａ２１）に区分する。言い換えると、基板Ｗは、径方向に複数の領域Ａ１～Ａ２１を有する。各領域Ａ１～Ａ２１は、平面視で円形状又はリング形状を有する。
複数の領域Ａ１～Ａ２１は、第１特定領域Ｒｓ１を有する。第１特定領域Ｒｓ１は、第１領域Ｒ１に対して径方向ＲＤの外側に隣接し、且つ、第２領域Ｒ２を構成する。図６では、第１特定領域Ｒｓ１は、領域Ａ７である。
本実施形態では、第１ノズル１４１が第１特定領域Ｒｓ１よりも径方向ＲＤの内側の領域（ここではＡ１～Ａ６）にエッチング液を吐出している際に、第２ノズル２４１から第１特定領域Ｒｓ１にリンス液を第１所定時間吐出する。従って、例えば、第１ノズル１４１が、第１特定領域Ｒｓ１に対して径方向ＲＤの内側に隣接する領域（ここではＡ６）から第１特定領域Ｒｓ１に移動する時点で、第１特定領域Ｒｓ１のエッチング量を、第１特定領域Ｒｓ１の内側に隣接する領域（ここではＡ６）のエッチング量に比べて少なく又は同じにすることができる。つまり、図８の破線で示すように、第１特定領域Ｒｓ１の厚みを領域Ａ１～Ａ６の厚みと同じ、又は、それ以上の大きさにすることができる。その結果、第１ノズル１４１が第１特定領域Ｒｓ１を移動する際のスキャン速度を調整することによって、第１特定領域Ｒｓ１のエッチング量又は厚みと、第１特定領域Ｒｓ１の内側に隣接する領域（ここではＡ６）のエッチング量又は厚みとを同じにすることができる。
また、複数の領域Ａ１～Ａ２１は、第１特定領域Ｒｓ１に対して径方向ＲＤの外側に隣接し、且つ、第２領域Ｒ２を構成する第２特定領域Ｒｓ２をさらに有する。図６では、第２特定領域Ｒｓ２は、領域Ａ８である。
また、本実施形態では、第２特定領域Ｒｓ２よりも径方向ＲＤの内側の領域（ここではＡ１～Ａ７）にエッチング液を吐出している際に、第２ノズル２４１から第２特定領域Ｒｓ２にリンス液を第２所定時間吐出する。従って、例えば、第１ノズル１４１が第１特定領域Ｒｓ１から第２特定領域Ｒｓ２に移動する時点で、第２特定領域Ｒｓ２のエッチング量を、第１特定領域Ｒｓ１のエッチング量に比べて少なく又は同じにすることができる。つまり、図９の破線で示すように、第２特定領域Ｒｓ２の厚みを第１特定領域Ｒｓ１の厚みと同じ、又は、それ以上の大きさにすることができる。その結果、第１ノズル１４１が第２特定領域Ｒｓ２を移動する際の速度を調整することによって、第２特定領域Ｒｓ２のエッチング量又は厚みと、第１特定領域Ｒｓ１のエッチング量又は厚みとを同じにすることができる。なお、本実施形態では、第１ノズル１４１が第１領域Ｒ１１（ここではＡ１～Ａ６）にエッチング液を吐出している際に、第２ノズル２４１から第２特定領域Ｒｓ２にリンス液を第２所定時間吐出する。
また、図６に示す例では、第２特定領域Ｒｓ２よりも径方向ＲＤの外側の領域（ここではＡ９～Ａ２１）のエッチング速度の変化率ｆ’（ｒ）は、負である。つまり、第１ノズル１４１が第２特定領域Ｒｓ２から第１領域Ｒ１２に移動する時点で、第１領域Ｒ１２の厚みを第２特定領域Ｒｓ２の厚み以上の大きさにすることができる。従って、第１ノズル１４１を第２特定領域Ｒｓ２よりも外側の領域（ここではＡ９～Ａ２１）を移動させる際のスキャン速度を調整することによって、第２特定領域Ｒｓ２よりも外側の各領域（ここではＡ９～Ａ２１）のエッチング量を、第２特定領域Ｒｓ２のエッチング量と同じにすることができる。
以上の結果、基板Ｗの上面全面を均一にエッチングすることができる。言い換えると、全ての領域（Ａ１～Ａ２１）のエッチング量を同じにすることができる。
次に、図６から図１２、表１及び表２を参照して、第１ノズル１４１のスキャン速度、第２ノズル２４１の吐出位置及び吐出時間の算出方法について具体的に説明する。図１０は、本実施形態の基板処理装置１００の第１ノズル１４１のスキャン速度、第２ノズル２４１の吐出位置及び吐出時間の算出方法を示すフローチャートである。図１１は、本実施形態の基板処理装置１００により基板Ｗの厚み分布を測定するステップＳ１を示すフローチャートである。図１２は、本実施形態の基板処理装置１００の第１ノズル１４１の目標スキャン速度、及び、第２ノズル２４１によるリンス液の吐出時間を算出するステップＳ６を示すフローチャートである。
本実施形態の第１ノズル１４１のスキャン速度、第２ノズル２４１の吐出位置及び吐出時間の算出方法は、ステップＳ１～ステップＳ６を含む。また、基板Ｗの厚み分布を測定するステップＳ１は、ステップＳ１１～ステップＳ１３を含む。また、第１ノズル１４１の目標スキャン速度等を算出するステップＳ６は、ステップＳ６１及びステップＳ６２を含む。ステップＳ１～ステップＳ６は、制御部１０２によって実行される。
第１ノズル１４１のスキャン速度、第２ノズル２４１の吐出位置及び吐出時間を算出する場合、まず、図１０に示すように、ステップＳ１において、第２ノズル２４１からリンス液を吐出せず、第１ノズル１４１から基板Ｗの上面にエッチング液を吐出する前と後との基板Ｗの径方向ＲＤにおける厚みの分布を測定する。具体的には、図１１に示すステップＳ１１において、測定部８を用いて、基板Ｗの径方向ＲＤにおける対象物ＴＧの厚みの分布を測定する。以下、ステップＳ１で用いる基板Ｗを「第１の基板」と記載することがある。
次に、ステップＳ１２において、第２ノズル２４１からリンス液を吐出せず、第１ノズル１４１からエッチング液を基板Ｗの中心部ＣＴに所定時間吐出した後、エッチング液の吐出を停止する。なお、エッチング液の吐出時間は特に限定されないが、吐出時間を長くした方がエッチング量を確保できるため、エッチング速度の測定精度を向上できる。本実施形態では、第１ノズル１４１からエッチング液を例えば６０秒吐出する。
次に、ステップＳ１３において、測定部８を用いて、基板Ｗの径方向ＲＤにおける対象物ＴＧの厚みの分布を測定する。
次に、ステップＳ２において、基板Ｗの径方向ＲＤにおける各領域（各位置）Ａ１～Ａ２１のエッチング速度を算出する。具体的には、ステップＳ１１での測定結果とステップＳ１３での測定結果との差分から、基板Ｗの径方向ＲＤにおける各領域Ａ１～Ａ２１のエッチング速度を算出する。つまり、エッチング速度は、ステップＳ１で測定された厚みの分布から算出される。ステップＳ２における算出の結果、例えば以下の表１に示す結果が得られる。つまり、基板Ｗの各位置におけるエッチング速度を算出できる。表１は、ステップＳ２で算出したエッチング速度の一例を示す。なお、表１に示す結果は、図６のグラフに対応している。
Figure 2023047615000005
また、表１では、理解を容易にするために、基板Ｗの中心部ＣＴ（ｒ＝０）から７．５ｍｍ間隔の位置で測定し、エッチング速度がおおよそ０．５ｎｍ又は１．０ｎｍずつ変化する例について示すが、測定部８の測定間隔は、等間隔でなくてもよいし、エッチング速度は、小数点以下が４桁以上の不規則な数値となってもよい。また、ここでは、各領域Ａ１～Ａ２１において、対象物ＴＧの厚みを１ヶ所測定する。
次に、ステップＳ３（図７参照）において、ステップＳ２で算出したエッチング速度を記憶部１０３に格納する。
次に、ステップＳ４において、基板Ｗ（第１の基板）の上面の各領域（各位置）Ａ１～Ａ２１におけるエッチング速度を取得する。言い換えると、基板Ｗの上面に、第２ノズル２４１からリンス液を吐出せず、第１ノズル１４１からエッチング液を吐出したときの各領域Ａ１～Ａ２１のエッチング速度を取得する。
次に、ステップＳ５において、各領域Ａ１～Ａ２１における目標エッチング液接触時間を算出する。具体的には、各領域Ａ１～Ａ２１について、目標エッチング量をエッチング速度で除することによって、目標エッチング液接触時間を算出する。表２は、基板Ｗの各領域Ａ１～Ａ２１における、エッチング速度、目標エッチング液接触時間、目標スキャン速度等を示す。
Figure 2023047615000006
表２に示す例では、各領域Ａ１～Ａ２１における目標エッチング量は、１０ｎｍである。また、領域Ａ１のエッチング速度は、０．５ｎｍ／ｓｅｃ（＝３０．０ｎｍ／ｍｉｎ）であるから、領域Ａ１の目標エッチング液接触時間は、２０ｓｅｃ（＝１０ｎｍ÷０．５ｎｍ／ｓｅｃ）である。なお、表２では、表１のエッチング速度に基づいて、１ｓｅｃ当たりのエッチング速度を示している。同様にして、領域Ａ２～Ａ２１の目標エッチング液接触時間を算出する。
ステップＳ６において、第１ノズル１４１の目標スキャン速度を算出する。まず、図１２に示すステップＳ６１において、目標エッチング液接触時間の差分を算出する。目標エッチング液接触時間の差分とは、ある領域における目標エッチング液接触時間と、１つ前の領域（内側に隣接する領域）における目標エッチング液接触時間との差分を示す。
表２に示す例では、領域Ａ２における目標エッチング液接触時間の差分は、領域Ａ２の目標エッチング液接触時間から、領域Ａ１の目標エッチング液接触時間を減じた値であり、０．６８９７ｓｅｃ（＝２０．６８９７ｓｅｃ－２０ｓｅｃ）である。同様にして、領域Ａ３～Ａ２１の目標エッチング液接触時間の差分を算出する。
そして、図１２に示すステップＳ６２において、各領域Ａ２～Ａ２１における目標スキャン速度を算出する。各領域Ａ２～Ａ２１において、第１ノズル１４１の移動距離を目標エッチング液接触時間の差分で除することによって、目標スキャン速度を算出する。
表２に示す例では、領域Ａ１から領域Ａ２までの第１ノズル１４１の移動距離は、７．５ｍｍである。また、領域Ａ２の目標エッチング液接触時間の差分は、０．６８９７ｓｅｃである。第１ノズル１４１は、７．５ｍｍを０．６８９７ｓｅｃの時間をかけて移動すれば、領域Ａ２のエッチング液接触時間が２０．６８９７ｓｅｃになる。従って、領域Ａ１（ｒ＝０．０ｍｍ）から領域Ａ２（＝７．５ｍｍ）までの第１ノズル１４１の目標スキャン速度は、１０．８７５ｍｍ／ｓｅｃ（＝７．５ｍｍ／０．６８９７ｓｅｃ）となる。同様にして、領域Ａ３～Ａ６における目標スキャン速度を算出する。
ここで、領域Ａ７及び領域Ａ８では、エッチング速度の変化率が正である。つまり、領域Ａ７及び領域Ａ８では、それぞれ内側に隣接する領域Ａ６及び領域Ａ７に比べて、エッチング速度が大きい。このため、例えば、第１ノズル１４１が領域Ａ７に到達する前に、領域Ａ７のエッチング量は、目標エッチング量よりも大きくなってしまう。同様に、第１ノズル１４１が領域Ａ８に到達する前に、領域Ａ８のエッチング量は、目標エッチング量よりも大きくなってしまう。領域Ａ７及び領域Ａ８へのエッチング液の吐出量を抑えるため、本実施形態では、領域Ａ７及び領域Ａ８における目標スキャン速度を、例えば設定範囲の上限値に設定する。
具体的には、表２に示す例では、領域Ａ７及び領域Ａ８の目標スキャン速度を、領域Ａ１～Ａ６のスキャン速度と同じ算出式で算出しているため、領域Ａ７及び領域Ａ８の目標スキャン速度は、共に負の値となっている。本実施形態では、上述したように、領域Ａ７及び領域Ａ８の目標スキャン速度を設定範囲の上限値（例えば７５００ｍｍ／ｓｅｃ）に設定する。なお、目標スキャン速度を７５００ｍｍ／ｓｅｃにした場合、７．５ｍｍを移動するために要する時間は０．００１ｓｅｃであるため、第１ノズル１４１が領域Ａ７を通過する際に、領域Ａ７は０．０００４ｎｍ（≒０．４４１７ｎｍ／ｓｅｃ×０．００１ｓｅｃ）だけエッチングされる。同様に、第１ノズル１４１が領域Ａ８を通過する際に、領域Ａ８は０．０００４ｎｍだけエッチングされる。ただし、本実施形態では、理解を容易にするために、第１ノズル１４１が７５００ｍｍ／ｓｅｃのスキャン速度で領域Ａ７及び領域Ａ８を通過する際に領域Ａ７及び領域Ａ８がエッチングされる量をゼロとして説明することがある。
またここで、領域Ａ７及び領域Ａ８のエッチング量を目標エッチング量にするためには、領域Ａ７及び領域Ａ８がエッチング液に接触する時間を目標エッチング液接触時間にする必要がある。この場合、領域Ａ７がエッチング液に接触する時間を、領域Ａ６がエッチング液に接触する時間よりも短く又は同じにする必要がある。同様に、領域Ａ８がエッチング液に接触する時間を、領域Ａ７がエッチング液に接触する時間よりも短く又は同じにする必要がある。従って、本実施形態では、上述したように、第１ノズル１４１が領域Ａ１～Ａ６にエッチング液を吐出している際に、第２ノズル２４１から領域Ａ７にリンス液を第１所定時間吐出するように、第２ノズル２４１の吐出位置及び吐出時間を算出する。また、第１ノズル１４１が領域Ａ１～Ａ７（本実施形態では、領域Ａ１～Ａ６）にエッチング液を吐出している際に、第２ノズル２４１から領域Ａ８にリンス液を第２所定時間吐出するように、第２ノズル２４１の吐出位置及び吐出時間を算出する。なお、第２ノズル２４１からリンス液を吐出することによって、エッチング液によるエッチングが阻害されるため、第２ノズル２４１の吐出位置及び吐出時間を算出することは、エッチング液によるエッチングを阻害する阻害条件を算出することと言える。
表２に示す例では、領域Ａ７がエッチング液に接触する時間を、領域Ａ６がエッチング液に接触する時間よりも０．４３５４ｓｅｃ（＝２３．０７６９ｓｅｃ－２２．６４１５ｓｅｃ）短くする必要がある。同様に、領域Ａ８がエッチング液に接触する時間を、領域Ａ７がエッチング液に接触する時間よりも０．４１９３（＝２２．６４１５－２２．２２２２）短くする必要がある。従って、第１ノズル１４１が領域Ａ１～Ａ６にエッチング液を吐出している際に、第２ノズル２４１から領域Ａ７にリンス液を０．４３５４ｓｅｃ（第１所定時間）吐出するように、第２ノズル２４１の吐出位置及び吐出時間（阻害条件）を算出する。また、第１ノズル１４１が領域Ａ１～Ａ７（本実施形態では、領域Ａ１～Ａ６）にエッチング液を吐出している際に、第２ノズル２４１から領域Ａ８にリンス液を０．４１９３ｓｅｃ（第２所定時間）吐出するように、第２ノズル２４１の吐出位置及び吐出時間（阻害条件）を算出する。これにより、領域Ａ１～Ａ８のエッチング量を均一にできる。
なお、第１ノズル１４１が領域Ａ７を通過する時間（０．０００１ｓｅｃ）を考慮して、第１所定時間を設定してもよい。つまり、第１所定時間を、目標エッチング液接触時間の差分（ここでは０．４３５４ｓｅｃ）と、０．０００１ｓｅｃ（領域Ａ７を通過する時間）との和にしてもよい。この場合、領域Ａ１～Ａ７のエッチング量をより均一にできる。同様に、第１ノズル１４１が領域Ａ８を通過する時間（０．０００１ｓｅｃ）を考慮して、第２所定時間を設定してもよい。つまり、第２所定時間を、目標エッチング液接触時間の差分（ここでは０．４１９３ｓｅｃ）と、０．０００１ｓｅｃ（領域Ａ８を通過する時間）との和にしてもよい。この場合、領域Ａ１～Ａ８のエッチング量をより均一にできる。
領域Ａ９～Ａ２１では、領域Ａ２～Ａ６と同様、エッチング速度の変化率が負である。従って、領域Ａ９～Ａ２１における目標スキャン速度については、領域Ａ２～Ａ６と同様にして算出する。これにより、基板Ｗの上面全面のエッチング量を均一にできる。
なお、本実施形態では、ステップＳ６２において、第２ノズル２４１の吐出位置及び吐出時間を算出する例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、ステップＳ６の後に、ステップＳ７を設け、ステップＳ７において第２ノズル２４１の吐出位置及び吐出時間を算出してもよい。
続いて図１、図２及び図１３を参照して、基板処理装置１００が実行する基板処理方法を説明する。図１３は、本実施形態における基板処理方法を示すフローチャートである。詳しくは、図１３は、処理対象の基板Ｗをエッチングする際に制御部１０２が実行する処理を示す。本実施形態の基板処理方法は、ステップＳ１～ステップＳ６、ステップＳ１０１、及び、ステップＳ１０２の各処理を含む。つまり、本実施形態の基板処理方法は、第１ノズル１４１のスキャン速度、第２ノズル２４１の吐出位置及び吐出時間の算出フローを含んでいる。
図１３に示す処理は、作業者が入力部１０４を操作することにより開始する。作業者によって開始指示が入力されると、制御部１０２は、上述したステップＳ１～ステップＳ６を実行する。これにより、基板Ｗの各位置におけるエッチング速度が取得されるとともに、第１ノズル１４１のスキャン速度、第２ノズル２４１の吐出位置及び吐出時間が算出される。なお、ステップＳ１では、第１の基板にエッチング液が吐出されることによって、厚み分布が測定される。
次に、ステップＳ１０１において、制御部１０２は、処理対象の基板Ｗをスピンチャック３に水平に保持させるとともに、基板Ｗを回転させる。なお、ステップＳ１０１及びＳ１０２では、第１の基板と異なる第２の基板が用いられる。以下、ステップＳ１０１及びＳ１０２で用いる基板Ｗを「第２の基板」と記載することがある。
次に、ステップＳ１０２において、ステップＳ１～ステップＳ６で算出したエッチング条件で基板Ｗ（第２の基板）にエッチング処理を施す。
具体的には、本実施形態では、制御部１０２は、第１ノズル１４１から基板Ｗの中心部ＣＴに所定時間（例えば２０ｓｅｃ）エッチング液を吐出する。そして、制御部１０２は、第１ノズル１４１を基板Ｗの中心部ＣＴ（領域Ａ１）から外周部に向かって、目標スキャン速度で移動させる。
このとき、本実施形態では、第１ノズル１４１が領域Ａ１～Ａ６にエッチング液を吐出している際に、第２ノズル２４１から領域Ａ７にリンス液を第１所定時間吐出する。また、第１ノズル１４１が領域Ａ１～Ａ７（本実施形態では、領域Ａ１～Ａ６）にエッチング液を吐出している際に、第２ノズル２４１から領域Ａ８にリンス液を第２所定時間吐出する。なお、第１ノズル１４１が領域Ａ９～Ａ２１にエッチング液を吐出している際には、第２ノズル２４１からリンス液を吐出しない。
そして、制御部１０２は、エッチング液の吐出を停止し、基板Ｗの回転を停止する。
以上、図１～図１３を参照して本発明の一実施形態を説明した。本実施形態では、上記のように、制御部１０２は、第１ノズル１４１が第２ノズル２４１よりも径方向ＲＤの内側でエッチング液を吐出している際に、第２ノズル２４１から第２領域Ｒ２にリンス液を吐出させる。具体的には、第１ノズル１４１が図６の第１領域Ｒ１１にエッチング液を吐出している際に、第２ノズル２４１から第２領域Ｒ２にリンス液を吐出させる。これにより、第１領域Ｒ１１はエッチングされる一方、第２領域Ｒ２及び第１領域Ｒ１２は、エッチングされない、又は、エッチングが抑制される。つまり、第２領域Ｒ２及び第１領域Ｒ１２のエッチング液によるエッチングが阻害される。従って、第１ノズル１４１が第１領域Ｒ１１から第２領域Ｒ２に移動する時点で、第２領域Ｒ２のエッチング量を、第１領域Ｒ１１のエッチング量に比べて少なく又は同じにすることができる。その結果、第１ノズル１４１が第２領域Ｒ２を移動する際の速度を調整することによって、第２領域Ｒ２のエッチング量と第１領域Ｒ１１のエッチング量とを同じにすることができる。つまり、基板Ｗの上面を均一にエッチングすることができる。
また、本実施形態を別の観点で示すと、本実施形態では、上記のように、制御部１０２は、エッチング速度の算出結果に基づいて、エッチング液によるエッチングを阻害部（リンス液供給部２４及び第２ノズル移動機構２６）によって阻害する阻害条件（第２ノズル２４１の吐出位置及び吐出時間）を算出する。また、制御部１０２は、第１ノズル１４１から基板Ｗ（第２の基板）の上面にエッチング液を吐出して基板Ｗを処理しながら、基板Ｗの上面のうち、径方向ＲＤの外側に向かってエッチング速度の変化率がゼロ以上の位置において、上記阻害条件でエッチングを阻害するように阻害部を制御する。従って、第２領域Ｒ２のエッチング液によるエッチングを阻害できる。よって、第１ノズル１４１が第１領域Ｒ１１から第２領域Ｒ２に移動する時点で、第２領域Ｒ２のエッチング量を、第１領域Ｒ１１のエッチング量に比べて少なく又は同じにすることができる。その結果、第１ノズル１４１が第２領域Ｒ２を移動する際の速度を調整することによって、第２領域Ｒ２のエッチング量と第１領域Ｒ１１のエッチング量とを同じにすることができる。つまり、基板Ｗの上面を均一にエッチングすることができる。
また、本実施形態では、上記のように、制御部１０２は、基板Ｗの上面の径方向ＲＤにおける各領域Ａ１～Ａ２１のエッチング速度と、各領域Ａ１～Ａ２１にエッチング液が接触する時間との積が、略一定になるように、第１ノズル１４１のスキャン速度、及び、第２ノズル２４１によるリンス液の吐出時間を算出する。従って、各領域Ａ１～Ａ２１のエッチング量を容易に均一にできる。
次に、図１４を参照して、本実施形態の変形例による基板処理装置１００の構造について説明する。図１４は、本実施形態の変形例の基板処理装置１００の第１ノズル１４１、第２ノズル２４１、及び、吸引部３４１周辺の構造を示す平面図である。図１４に示す変形例では、図１～図１３に示した実施形態と異なり、基板処理装置１００が吸引部３４１をさらに備える例について説明する。
図１４に示すように、変形例に基板処理装置１００は、吸引部３４１をさらに備える。吸引部３４１は、第１ノズル１４１から吐出されたエッチング液を吸引する。具体的には、基板処理装置１００は、吸引部３４１と、吸引配管３４２と、吸引機構（図示せず）とを備える。吸引部３４１は、吸引ノズルである。吸引部３４１は、基板Ｗ上に吐出されたエッチング液を吸引する。吸引部３４１は、吸引配管３４２の一端に接続している。吸引部３４１によって吸引されたエッチング液は、吸引配管３４２を介してチャンバー２の外部に排出される。また、吸引機構（図示せず）は、吸引配管３４２の内部を負圧にする。
また、基板処理装置１００は、吸引移動機構（図示せず）をさらに備える。吸引移動機構（図示せず）は、例えば、第１ノズル移動機構１６又は第２ノズル移動機構２６と同様に構成されており、図示しない回転軸を中心に吸引部３４１を略水平面に沿って回転させる。
吸引部３４１、吸引機構及び吸引移動機構は、エッチング液による基板Ｗに対するエッチングを阻害する。なお、吸引部３４１、吸引機構及び吸引移動機構は、本発明の「阻害部」の一例である。
制御部１０２は、吸引機構及び吸引移動機構を制御する。本変形例では、制御部１０２は、第１ノズル１４１が吸引部３４１よりも径方向ＲＤの内側で吐出している際に、吸引部３４１に第２領域Ｒ２のエッチング液を吸引させる。具体的には、第１ノズル１４１が図６の第１領域Ｒ１１にエッチング液を吐出している際に、吸引部３４１にエッチング液を吸引させる。これにより、第１領域Ｒ１１はエッチングされる一方、第２領域Ｒ２及び第１領域Ｒ１２がエッチングされることが抑制される。つまり、第２領域Ｒ２及び第１領域Ｒ１２のエッチング液によるエッチングが阻害される。
また、制御部１０２は、吸引部３４１による阻害条件を算出し、算出した阻害条件で阻害部を制御する。吸引部３４１による阻害条件は、第２ノズル２４１による阻害条件と同様である。具体的には、第２ノズル２４１が領域Ａ７にリンス液を吐出するタイミングで、且つ同じ時間だけ、吸引部３４１が領域Ａ７のエッチング液を吸引する。また、第２ノズル２４１が領域Ａ８にリンス液を吐出するタイミングで、且つ同じ時間だけ、吸引部３４１が領域Ａ８のエッチング液を吸引する。
本変形例では、吸引部３４１は、基板Ｗの回転方向（図１４では反時計回り方向）において、第１ノズル１４１の下流側で、かつ、第２ノズル２４１の上流側に配置される。従って、吸引部３４１によって第２領域Ｒ２のエッチング液を減少させた後に、第２ノズル２４１によって第２領域Ｒ２のエッチング液を希釈するので、エッチング液によるエッチングを効果的に阻害できる。
以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明した。但し、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。
図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
例えば、図１～図１３を参照して説明した実施形態では、基板Ｗは半導体ウエハであったが、基板Ｗは、半導体ウエハに限定されない。例えば、基板Ｗは、液晶表示装置用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、又は、太陽電池用基板であり得る。
また、上記の実施形態では、図１３に示したように、ステップＳ１～Ｓ６を行った後に、基板Ｗに対してエッチング処理（ステップＳ１０１、Ｓ１０２）を行う例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、ステップＳ１～Ｓ６における算出を使用者等が手動で行って、エッチング条件を入力してもよい。また、ステップＳ１～Ｓ６を行う基板処理装置１００と、ステップＳ１０１及びＳ１０２を行う基板処理装置１００とが異なっていてもよい。つまり、別の基板処理装置１００で算出したエッチング条件を用いてエッチング処理を行ってもよい。
また、上記の実施形態では、第１ノズル１４１を基板Ｗの中心部から外周部に向かって移動させながらエッチング液を吐出させる例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、第１ノズル１４１を基板Ｗの外周部から中心部に向かって移動させながらエッチング液を吐出させてもよい。
また、上記の実施形態では、第１ノズル１４１と第２ノズル２４１とを互いに独立して移動させる例について示したが、本発明はこれに限らない。第１ノズル１４１と第２ノズル２４１とを一体で移動させてもよい。
また、上記の実施形態では、第１ノズル１４１によって基板Ｗの上面全面をスキャンする例について示したが、本発明はこれに限らない。第１ノズル１４１によって、例えば、基板Ｗの上面のうち、中心部を除く部分をスキャンしてもよい。
また、上記の実施形態では、目標スキャン速度、第２ノズル２４１の吐出位置及び吐出時間を算出する際に、エッチング速度の変化率、及び、目標エッチング液接触時間等を用いる例について示したが、本発明はこれに限らない。目標スキャン速度、第２ノズル２４１の吐出位置及び吐出時間を算出する際に、エッチング速度の変化率、及び、目標エッチング液接触時間等を用いなくてもよい。
また、上記の実施形態では、例えば、第１ノズル１４１が領域Ａ７及び領域Ａ８を通過する際に、スキャン速度を高くする例について示したが、本発明はこれに限らない。第１ノズル１４１が領域Ａ７及び領域Ａ８を通過する際に、スキャン速度を高くしなくてもよい。この場合、例えば、第１ノズル１４１からのエッチング液の吐出を停止させてもよい。また、例えば、第１ノズル１４１が領域Ａ７及び領域Ａ８を通過するのに要する時間だけ、第２ノズル２４１からリンス液を吐出する時間を上記実施形態よりも長くしてもよい。
また、図１４に示した変形例では、第２ノズル２４１と吸引部３４１とを設ける例について示したが、第２ノズル２４１及び吸引部３４１のうち吸引部３４１のみを設けてもよい。
また、上記の実施形態では、エッチング液による基板Ｗに対するエッチングを阻害する方法として、リンス液を吐出したり、エッチング液を吸引したりする例について説明したが、本発明はこれに限らない。例えば、基板Ｗの温度を部分的に低下させることによってエッチング液によるエッチングを阻害してもよい。
また、上記の実施形態では、基板処理装置が制御部、記憶部、入力部及び表示部を備える実施形態を例として説明したが、本発明は発明の本旨に沿って構成要素を適宜改変可能である。例えば、記憶部、入力部及び表示部のうちのいずれか又はその全てが制御部とは別体又は遠隔地に存した状態で電気的に信号又は情報を連通又は通信可能な状態である実施形態でもよい。
本発明は、基板を処理する分野に有用である。
３ ：スピンチャック（基板保持部）
１６ ：第１ノズル移動機構（移動機構）
２４ ：リンス液供給部（阻害部）
２６ ：第２ノズル移動機構（移動機構、ノズル移動機構、阻害部）
１００ ：基板処理装置
１０２ ：制御部
１４１ ：第１ノズル
２４１ ：第２ノズル
３４１ ：吸引部（阻害部）
Ａ１～Ａ２１ ：領域
ＡＸ１ ：第１回転軸線（回転軸線）
Ｒ２ ：第１領域
Ｒ１ ：第２領域
Ｒ１１ ：第１領域
Ｒ１２ ：第１領域
ＲＤ ：径方向
Ｒｓ１ ：第１特定領域
Ｒｓ２ ：第２特定領域
Ｗ ：基板

Claims (20)

  1. 基板を水平に保持して前記基板の中心を通り鉛直に延びる回転軸線を中心として前記基板を回転する基板保持部と、
    前記基板の上面にエッチング液を供給する第１ノズルと、
    前記基板の上面にリンス液を供給する第２ノズルと、
    前記第１ノズル及び前記第２ノズルを水平移動させる移動機構と、
    前記第１ノズルからの前記エッチング液の供給、前記第２ノズルからの前記リンス液の供給、及び、前記移動機構を制御する制御部と
    を備え、
    前記制御部は、
    前記第１ノズルから、少なくとも前記基板の上面における第１領域に前記エッチング液を吐出させ、
    前記第１ノズルが、前記第２ノズルよりも前記基板の径方向において内側で前記エッチング液を吐出している際に、前記第１領域と前記径方向において異なる第２領域に向けて前記第２ノズルから前記リンス液を吐出させる、基板処理装置。
  2. 前記移動機構は、前記第１ノズルを前記基板保持部の上方で水平方向に移動させる第１ノズル移動機構と、前記第２ノズルを前記基板保持部の上方で水平方向に移動させる第２ノズル移動機構とを有する、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記制御部は、前記第１ノズルを前記径方向に移動させながら、前記第１ノズルから前記第１領域及び前記第２領域に対して前記エッチング液を吐出させる、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記制御部は、前記第２ノズルから前記第１領域に対して前記リンス液を吐出せず、前記第２領域に対して前記リンス液を吐出させる、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  5. 前記基板は、前記径方向に複数の領域を有し、
    前記複数の領域は、前記第１領域に対して前記径方向の外側に隣接し、且つ、前記第２領域を構成する第１特定領域を有し、
    前記第１ノズルが前記第１特定領域よりも前記径方向の内側の領域に前記エッチング液を吐出している際に、前記第２ノズルから前記第１特定領域に前記リンス液を第１所定時間吐出する、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  6. 前記複数の領域は、前記第１特定領域に対して前記径方向の外側に隣接し、且つ、前記第２領域を構成する第２特定領域をさらに有し、
    前記第１ノズルが前記第１領域に前記エッチング液を吐出している際に、前記第２ノズルから前記第２特定領域に前記リンス液を第２所定時間吐出する、請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記第１ノズルから吐出された前記エッチング液を吸引する吸引部をさらに備え、
    前記制御部は、前記第１ノズルが前記吸引部よりも前記径方向の内側で吐出している際に、前記吸引部に前記第２領域の前記エッチング液を吸引させる、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  8. 前記制御部は、
    前記基板の上面に前記第１ノズルから前記エッチング液を吐出したときの各領域のエッチング速度を取得し、
    前記基板の上面の前記径方向における各領域の前記エッチング速度と、前記各領域に前記エッチング液が接触する時間との積が、略一定になるように、前記第１ノズルの移動速度、及び、前記第２ノズルによる前記リンス液の吐出時間を算出する、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  9. 前記基板の径方向における厚みの分布を測定する測定部をさらに備え、
    前記制御部は、前記測定部を制御し、
    取得された前記エッチング速度は、前記第２ノズルから前記リンス液を吐出せず、前記第１ノズルから前記基板の上面に前記エッチング液を吐出する前と後との前記基板の径方向における厚みの分布を測定することにより算出される、請求項８に記載の基板処理装置。
  10. 記憶部をさらに備え、
    前記エッチング速度は、前記記憶部に格納されており、
    前記エッチング速度の取得は、前記制御部が前記記憶部から前記エッチング速度を読み出すことにより行われる、請求項８又は請求項９に記載の基板処理装置。
  11. 基板をエッチング処理する基板処理方法であって、
    前記基板処理方法は、
    前記基板を基板保持部によって水平に保持し、前記基板の中心を通る回転軸線を中心として回転させる工程と、
    第１ノズルから、前記基板の少なくとも第１領域にエッチング液を吐出する工程と
    を有し、
    前記第１ノズルから前記エッチング液を吐出する工程において、前記第１ノズルが、第２ノズルよりも前記基板の径方向において内側で前記エッチング液を吐出している際に、前記第１領域と前記径方向において異なる第２領域に向けて前記第２ノズルからリンス液を吐出する、基板処理方法。
  12. 前記基板の上面に、前記第２ノズルから前記リンス液を吐出せず、前記第１ノズルから前記エッチング液を吐出したときの各領域のエッチング速度を取得する工程をさらに備える、請求項１１に記載の基板処理方法。
  13. 前記第１ノズルから前記基板の上面に前記エッチング液を吐出する前と後との前記基板の径方向における厚みの分布を測定する工程をさらに備え、
    前記取得する工程において取得されるエッチング速度は、前記測定する工程により測定された厚みの分布から算出される、請求項１２に記載の基板処理方法。
  14. 前記基板の上面の前記径方向における各領域の前記エッチング速度と、前記各領域に前記エッチング液が接触する時間との積が、略一定になるように、前記第１ノズルの移動速度、及び、前記第２ノズルによる前記リンス液の吐出時間を算出する工程をさらに備える、請求項１２又は請求項１３に記載の基板処理方法。
  15. 前記第２領域は、前記径方向の外側に向かって、前記第１ノズルについての前記エッチング速度の変化率がゼロ以上となる領域である、請求項１２から請求項１４のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  16. 基板を保持して前記基板を回転する基板保持部と、
    前記基板の上面にエッチング液を供給する第１ノズルと、
    前記エッチング液による前記基板に対するエッチングを阻害する阻害部と、
    前記第１ノズル、及び、前記阻害部を制御する制御部と
    を備え、
    前記制御部は、
    前記第１ノズルから第１の基板に前記エッチング液を吐出させ、
    前記第１の基板の上面の各位置におけるエッチング速度を算出し、
    前記エッチング速度の算出結果に基づいて、前記エッチング液によるエッチングを前記阻害部によって阻害する阻害条件を算出し、
    前記第１ノズルから、前記第１の基板と異なる第２の基板の上面に前記エッチング液を吐出している際に、前記第２の基板の上面のうち、径方向の外側に向かって前記エッチング速度の変化率がゼロ以上の位置において、前記阻害条件で前記エッチングを阻害するように前記阻害部を制御する、基板処理装置。
  17. 前記阻害部は、リンス液を供給する第２ノズルと、前記第２ノズルを前記基板保持部の上方で水平方向に移動可能なノズル移動機構とを有し、
    前記阻害部による前記エッチングの阻害は、前記第２ノズルから前記第２の基板へのリンス液の供給を制御すること、及び、前記第２ノズルの前記第２の基板に対する位置を前記制御部により制御することにより行われる、請求項１６に記載の基板処理装置。
  18. 基板を保持して前記基板を回転する基板保持部と、前記基板の上面にエッチング液を供給する第１ノズルと、前記エッチング液による前記基板に対するエッチングを阻害する阻害部とを備えた基板処理装置の基板処理方法であって、
    前記第１ノズルから第１の基板に前記エッチング液を吐出する工程と、
    前記第１の基板の上面の各位置におけるエッチング速度を取得する工程と、
    取得した前記エッチング速度に基づいて、前記エッチング液によるエッチングを阻害する阻害条件を算出する工程と、
    前記第１ノズルから、前記第１の基板と異なる第２の基板の上面に前記エッチング液を吐出して前記第２の基板を処理する工程と
    を備え、
    前記第２の基板を処理する工程において、前記第１ノズルから前記第２の基板の上面に前記エッチング液を吐出している際に、前記第２の基板の上面のうち、径方向の外側に向かって前記エッチング速度の変化率がゼロ以上の位置において、前記阻害部によって前記阻害条件で前記エッチングを阻害する、基板処理方法。
  19. 前記阻害部は、リンス液を供給する第２ノズルを有し、
    前記阻害部による前記エッチングの阻害は、前記阻害条件に基づき、所定の位置において前記第２ノズルから前記第２の基板の上面にリンス液を供給することにより行われる、請求項１８に記載の基板処理方法。
  20. 前記第１ノズルから前記第１の基板の上面に前記エッチング液を吐出する前と後との前記第１の基板の径方向における厚みの分布を測定する工程をさらに備える、請求項１８又は請求項１９に記載の基板処理方法。
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