TWI833360B

TWI833360B - 基板處理裝置及基板處理方法

Info

Publication number: TWI833360B
Application number: TW111135460A
Authority: TW
Inventors: 髙橋弘明; 奥野泰利; 大橋泰彦
Original assignee: 日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date: 2021-09-27
Filing date: 2022-09-20
Publication date: 2024-02-21
Also published as: TW202316515A; KR20240043798A; JP2023047615A; WO2023048064A1

Abstract

基板處理裝置(100)具備有第一噴嘴(141)、第二噴嘴(241)、控制部(102)。第一噴嘴(141)對基板(W)的上表面供給蝕刻液。第二噴嘴(241)對基板(W)的上表面供給沖洗液。控制部(102)對來自第一噴嘴(141)之蝕刻液的供給、及來自第二噴嘴(241)之沖洗液的供給進行控制。控制部(102)使蝕刻液從第一噴嘴(141)至少吐出至基板(W)之第一區域(R1)。控制部(102)於第一噴嘴(141)在基板(W)之徑向(RD)上較第二噴嘴(241)更靠內側吐出蝕刻液時，使沖洗液從第二噴嘴(241)朝向在徑向(RD)上與第一區域(R1)不同之第二區域(R2)吐出。

Description

基板處理裝置及基板處理方法

本發明係關於基板處理裝置及基板處理方法。

過往，已知有對晶圓等基板的表面供給蝕刻液而對基板的表面進行處理的基板處理裝置(例如，參照專利文獻1)。於專利文獻1記載有一種單片式蝕刻方法，其於朝向晶圓中心部供給藥液之前，使藥液供給口一面在短時間內從外周部移動至中心部，一面進行藥液供給，藉此而進行均勻之蝕刻。 [先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本專利特開平8-279485號公報

(發明所欲解決之問題)

如專利文獻1所記載，在單片式蝕刻方法中，於將藥液供給至晶圓時，對旋轉之晶圓供給藥液。因此，被供給至晶圓之藥液係從供給之位置流動至徑向外側。因此，晶圓中，從被供給藥液之位置至徑向外側的部分被蝕刻。

於此，如專利文獻1所記載，於對晶圓之中心部供給藥液時，一般而言，相較於晶圓之外周部，中心部的蝕刻量較多。於此情形下，藉由調整藥液供給口之移動速度，即可提升對晶圓蝕刻之均勻性。

然而，其存在有例如，因基板的表面之膜的種類、及藥液的種類不同，而即使於對晶圓之中心部供給藥液時，相較於晶圓之中心部，外周部的蝕刻量仍較多之情形。於此情形下，即使調整藥液供給口之移動速度，仍難以提升對晶圓之蝕刻均勻性。

本發明係鑑於上述課題而完成者，其目的在於提供一種可提升對基板之蝕刻均勻性的基板處理裝置及基板處理方法。 (解決問題之技術手段)

本發明之第一態樣的基板處理裝置具備有基板保持部、第一噴嘴、第二噴嘴、移動機構、控制部。上述基板保持部將基板保持為水平，且以通過上述基板之中心而鉛直地延伸的旋轉軸線為中心使上述基板旋轉。上述第一噴嘴對上述基板的上表面供給蝕刻液。上述第二噴嘴對上述基板的上表面供給沖洗液。上述移動機構使上述第一噴嘴及上述第二噴嘴水平移動。上述控制部對來自上述第一噴嘴之上述蝕刻液的供給、來自上述第二噴嘴之上述沖洗液的供給、及上述移動機構進行控制。上述控制部使上述蝕刻液從上述第一噴嘴至少吐出至上述基板的上表面的第一區域。上述控制部於當上述第一噴嘴在上述基板之徑向上較上述第二噴嘴更靠內側吐出上述蝕刻液時，使上述沖洗液從上述第二噴嘴朝向在上述徑向上與上述第一區域不同之第二區域吐出。

於本發明之第一態樣的基板處理裝置中，上述移動機構具有：第一噴嘴移動機構，其使上述第一噴嘴在上述基板保持部之上方於水平方向移動；以及第二噴嘴移動機構，其使上述第二噴嘴在上述基板保持部之上方於水平方向移動；如此亦可。

於本發明之第一態樣的基板處理裝置中，上述控制部一面使上述第一噴嘴於上述徑向移動，一面使上述蝕刻液從上述第一噴嘴對上述第一區域及上述第二區域吐出；如此亦可。

於本發明之第一態樣的基板處理裝置中，上述控制部不使上述沖洗液從上述第二噴嘴對上述第一區域吐出，而使上述沖洗液對上述第二區域吐出；如此亦可。

於本發明之第一態樣的基板處理裝置中，上述基板於上述徑向上具有複數個區域，如此亦可。上述複數個區域具有第一特定區域亦可。上述第一特定區域相對於上述第一區域，鄰接於上述徑向之外側，且構成上述第二區域，如此亦可。當上述第一噴嘴對較上述第一特定區域更靠上述徑向之內側的區域吐出上述蝕刻液時，使上述沖洗液從上述第二噴嘴對上述第一特定區域吐出第一既定時間，如此亦可。

於本發明之第一態樣的基板處理裝置中，上述複數個區域進而具有第二特定區域，如此亦可。上述第二特定區域相對於上述第一特定區域，鄰接於上述徑向之外側，且構成上述第二區域，如此亦可。當上述第一噴嘴對上述第一區域吐出上述蝕刻液時，使上述沖洗液從上述第二噴嘴對上述第二特定區域吐出第二既定時間，如此亦可。

於本發明之第一態樣的基板處理裝置中，進而具備有：抽吸部，其抽吸從上述第一噴嘴吐出之上述蝕刻液，如此亦可。上述控制部於當上述第一噴嘴在較上述抽吸部更靠上述徑向之內側進行吐出時，使上述抽吸部抽吸上述第二區域之上述蝕刻液，如此亦可。

於本發明之第一態樣的基板處理裝置中，上述控制部取得從上述第一噴嘴對上述基板的上表面吐出上述蝕刻液時各區域的蝕刻速度亦可。上述控制部以使上述基板的上表面在上述徑向上之各區域的上述蝕刻速度、與上述蝕刻液接觸於上述各區域的時間之積成為大致固定之方式，計算出上述第一噴嘴之移動速度、及上述第二噴嘴吐出上述沖洗液之吐出時間，如此亦可。

於本發明之第一態樣的基板處理裝置中，進而具備有：測定部，其測定上述基板之徑向上的厚度分布，如此亦可。上述控制部控制上述測定部亦可。其所取得之上述蝕刻速度係於不從上述第二噴嘴吐出上述沖洗液，而從上述第一噴嘴對上述基板的上表面吐出上述蝕刻液之前與之後，測定上述基板之徑向上的厚度分布，藉此所計算出，如此亦可。

本發明之第一態樣的基板處理裝置進而具備記憶部，如此亦可。上述蝕刻速度被容納於上述記憶部，如此亦可。上述蝕刻速度之取得係藉由上述控制部從上述記憶部讀取上述蝕刻速度而實施，如此亦可。

本發明之第二態樣的基板處理方法係對基板進行蝕刻處理之基板處理方法。上述基板處理方法具有如下步驟：藉由基板保持部而將上述基板保持為水平，且以通過上述基板之中心的旋轉軸線為中心而使其旋轉的步驟；以及從第一噴嘴對上述基板之至少第一區域吐出蝕刻液的步驟。於從上述第一噴嘴吐出上述蝕刻液的步驟中，當上述第一噴嘴在上述基板之徑向上較第二噴嘴更靠內側吐出上述蝕刻液時，從上述第二噴嘴朝向在上述徑向上與上述第一區域不同之第二區域吐出沖洗液。

本發明之第二態樣的基板處理方法進而具備如下步驟：取得步驟，其取得不從上述第二噴嘴對上述基板的上表面吐出上述沖洗液，而從上述第一噴嘴對上述基板的上表面吐出上述蝕刻液時各區域的蝕刻速度；如此亦可。

本發明之第二態樣的基板處理方法進而具備有如下步驟：測定步驟，其於從上述第一噴嘴對上述基板的上表面吐出上述蝕刻液之前與之後，測定上述基板之徑向上的厚度分布。其亦可為，上述取得步驟中所取得之上述蝕刻速度係藉由上述測定步驟從所測定之厚度分布所計算出；如此亦可。

本發明之第二態樣的基板處理方法進而具備如下步驟：以使上述基板的上表面在上述徑向上之各區域的上述蝕刻速度、與上述蝕刻液接觸於上述各區域的時間之積成為大致固定之方式，計算出上述第一噴嘴之移動速度、及上述第二噴嘴吐出上述沖洗液之吐出時間的步驟；如此亦可。

於本發明之第二態樣的基板處理方法中，上述第二區域係隨著朝向上述徑向之外側而有關上述第一噴嘴之上述蝕刻速度的變化率成為零以上的區域，如此亦可。

本發明之第三態樣的基板處理裝置具備有基板保持部、第一噴嘴、阻礙部、控制部。上述基板保持部保持基板且使上述基板旋轉。上述第一噴嘴對上述基板的上表面供給蝕刻液。上述阻礙部阻礙上述蝕刻液對上述基板之蝕刻。上述控制部控制上述第一噴嘴及上述阻礙部。上述控制部使上述蝕刻液從上述第一噴嘴吐出至第一基板。上述控制部計算出上述第一基板的上表面的各位置之蝕刻速度。上述控制部根據上述蝕刻速度之計算結果，而計算出藉由上述阻礙部阻礙上述蝕刻液之蝕刻的阻礙條件。上述控制部將上述阻礙部控制為，從上述第一噴嘴對與上述第一基板不同之第二基板的上表面吐出上述蝕刻液時，在上述第二基板的上表面中，隨著朝向徑向外側而上述蝕刻速度之變化率為零以上的位置，以上述阻礙條件阻礙上述蝕刻。

於本發明之第三態樣的基板處理裝置中，上述阻礙部具有：第二噴嘴，其供給沖洗液；以及噴嘴移動機構，其可使上述第二噴嘴在上述基板保持部之上方於水平方向移動，如此亦可。由上述阻礙部所致之上述蝕刻的阻礙係藉由控制沖洗液從上述第二噴嘴朝向上述第二基板的供給、及利用上述控制部控制上述第二噴嘴相對於上述第二基板之位置所實施，如此亦可。

本發明之第四態樣的基板處理方法係基板處理裝置之基板處理方法；上述基板處理裝置具備有：基板保持部，其保持基板且使上述基板旋轉；第一噴嘴，其對上述基板的上表面供給蝕刻液；以及阻礙部，其阻礙上述蝕刻液對上述基板之蝕刻。上述基板處理方法具備有有如下步驟：從上述第一噴嘴對第一基板吐出上述蝕刻液的步驟；取得上述第一基板的上表面的各位置之蝕刻速度的步驟；根據所取得之上述蝕刻速度，而計算出阻礙上述蝕刻液之蝕刻的阻礙條件的步驟；以及從上述第一噴嘴對與上述第一基板不同之第二基板的上表面吐出上述蝕刻液而處理上述第二基板的步驟。於處理上述第二基板的步驟中，在從上述第一噴嘴對上述第二基板的上表面吐出上述蝕刻液時，於上述第二基板的上表面中，隨著朝向徑向外側而上述蝕刻速度之變化率為零以上的位置，藉由上述阻礙部而以上述阻礙條件阻礙上述蝕刻。

於本發明之第四態樣的基板處理方法中，上述阻礙部具有：第二噴嘴，其供給沖洗液，如此亦可。根據上述阻礙條件，於既定位置從上述第二噴嘴對上述第二基板的上表面供給沖洗液，藉此而實施由上述阻礙部所致之上述蝕刻的阻礙；如此亦可。

本發明之第四態樣的基板處理方法係進而具備有如下步驟：於從上述第一噴嘴對上述第一基板的上表面吐出上述蝕刻液之前與之後，測定上述第一基板之徑向上的厚度分布的步驟；如此亦可。 (對照先前技術之功效)

根據本發明，其可提供一種基板處理裝置及基板處理方法，而可提升對基板蝕刻之均勻性。

以下，參照圖式而對本發明之實施形態進行說明。然而，本發明不受限定於以下之實施形態，在不脫離其主旨之範圍內其可於各種態樣中實施。再者，針對說明重複之部分，有時適宜地省略其說明。又，於圖中，針對同一或相等部分，被附加相同的參照符號而不重複說明。

參照圖1，對本發明一實施形態的基板處理裝置100進行說明。圖1係本實施形態之基板處理裝置100的示意圖。詳細而言，圖1係基板處理裝置100的示意性俯視圖。基板處理裝置100係一片一片地處理基板W之單片式的裝置。於本實施形態中，基板W係半導體晶圓。基板W呈大致圓板狀。

如圖1所示，基板處理裝置100具備有複數個處理單元1、流體櫃100A、複數個流體箱100B、複數個裝載埠LP、分度機器人IR、中央機器人CR、控制裝置101。

各裝載埠LP收容積層之複數片基板W。分度機器人IR係在裝載埠LP與中央機器人CR之間搬送基板W。中央機器人CR係在分度機器人IR與處理單元1之間搬送基板W。各處理單元1係將處理液供給至基板W，而於基板W執行處理。流體櫃100A供收容處理液。

複數個處理單元1形成有複數個塔TW(在圖1中為四個塔TW)，該等塔TW被配置成於俯視下包圍中央機器人CR。各塔TW包含有上下積層之複數個處理單元1(在圖1中為三個處理單元1)。流體箱100B係分別對應於複數個塔TW。流體櫃100A內之處理液係經由任一流體箱100B而被供給至與流體箱100B對應之塔TW所含的全部處理單元1。

控制裝置101係控制基板處理裝置100之各部的動作。例如，控制裝置101控制裝載埠LP、分度機器人IR、及中央機器人CR。

接著參照圖2對本實施形態之處理單元1進行說明。圖2係本實施形態之處理單元1的示意圖。詳細而言，圖2係處理單元1的示意性剖視圖。

如圖2所示，處理單元1係藉由處理液而對構成基板W之對象物進行處理。以下，將由處理液進行處理之對象即對象物記載為「對象物TG」。對象物TG係例如基板本體(例如由矽構成之基板本體)、或形成在基板本體之表面的物質。形成在基板本體之表面的物質係例如與基板本體相同材料之物質(例如由矽構成之層)、或與基板本體不同材料之物質(例如氧化矽膜、氮化矽膜、或抗蝕劑)。「物質」係膜所構成亦可。

於本實施形態中，處理液包含蝕刻液，處理單元1執行蝕刻處理。對象物TG係藉由蝕刻液而被處理(被蝕刻)。蝕刻液係藥液。蝕刻液係例如氟硝酸(氫氟酸(HF)與硝酸(HNO ₃)之混合液)、氫氟酸、緩衝氫氟酸(BHF)、氟化銨、HFEG(氫氟酸與乙二醇之混合液)、或磷酸(H ₃PO ₄)。

處理單元1具備有：腔室2、旋轉卡盤3、旋轉馬達部5、第一噴嘴移動機構16、第二噴嘴移動機構26、複數個護罩10、第一噴嘴141、第二噴嘴241、測定部8、以及探針移動機構9。又，基板處理裝置100具備有：蝕刻液供給部14、以及沖洗液供給部24。蝕刻液供給部14具有第一供給配管142，沖洗液供給部24具有第二供給配管242。再者，第一噴嘴移動機構16係本發明之「移動機構」之一例。又，第二噴嘴移動機構26係本發明之「移動機構」及「噴嘴移動機構」之一例。又，第二噴嘴移動機構26及沖洗液供給部24係本發明之「阻礙部」之一例。

腔室2具有大致箱型形狀。腔室2收容有：基板W、旋轉卡盤3、旋轉馬達部5、第一噴嘴移動機構16、第二噴嘴移動機構26、複數個護罩10、第一噴嘴141、第二噴嘴241、測定部8、探針移動機構9、第一供給配管142之一部分、及第二供給配管242之一部分。

旋轉卡盤3係將基板W保持為水平。具體而言，旋轉卡盤3具有複數個卡盤構件32、旋轉基座33。複數個卡盤構件32係沿著基板W之周緣而設置在旋轉基座33。複數個卡盤構件32係以水平姿勢保持基板W。旋轉基座33呈大致圓板狀，並以水平之姿勢支撐複數個卡盤構件32。再者，旋轉卡盤3係本發明之「基板保持部」之一例。

旋轉馬達部5係以第一旋轉軸線AX1為中心而使基板W與旋轉卡盤3一體地旋轉。第一旋轉軸線AX1係於上下方向延伸。在本實施形態中，第一旋轉軸線AX1係通過基板W之中心而於大致鉛直方向延伸。詳細而言，旋轉馬達部5係以第一旋轉軸線AX1為中心而使旋轉基座33旋轉。因此，旋轉基座33係以第一旋轉軸線AX1為中心而進行旋轉。其結果，設置在旋轉基座33之複數個卡盤構件32所保持的基板W係以第一旋轉軸線AX1為中心而進行旋轉。再者，第一旋轉軸線AX1係本發明之「旋轉軸線」之一例。

具體而言，旋轉馬達部5具有馬達本體51、軸53、編碼器55。軸53係與旋轉基座33結合。馬達本體51係使軸53旋轉。其結果，使旋轉基座33旋轉。

編碼器55係對基板W之旋轉速度進行計測。編碼器55生成表示基板W之旋轉速度的信號。詳細而言，編碼器55生成表示馬達本體51之旋轉速度的旋轉速度信號。

第一噴嘴141係對基板W供給蝕刻液。詳細而言，第一噴嘴141係朝向旋轉中之基板W吐出蝕刻液。蝕刻液供給部14係對第一噴嘴141供給蝕刻液。詳細而言，第一噴嘴141係連接於第一供給配管142之一端。蝕刻液係經由第一供給配管142而被供給至第一噴嘴141。第一供給配管142係供蝕刻液流通之管狀構件。

第一噴嘴移動機構16係使第一噴嘴141移動。於本實施形態中，第一噴嘴移動機構16係使第一噴嘴141在旋轉卡盤3之上方於水平方向移動。詳細而言，第一噴嘴移動機構16係以沿著大致鉛直方向的第二旋轉軸線AX2為中心而使第一噴嘴141進行迴旋。第一噴嘴141係在停止狀態下朝向基板W吐出蝕刻液，或是，一面移動(一面進行迴旋)，一面朝向基板W吐出蝕刻液。第一噴嘴141有時被稱為掃描噴嘴。

具體而言，第一噴嘴移動機構16具有噴嘴臂161、第一旋轉軸163、第一驅動部165。噴嘴臂161係沿著大致水平方向延伸。於噴嘴臂161之前端部配置有第一噴嘴141。噴嘴臂161係與第一旋轉軸163結合。第一旋轉軸163係沿著大致鉛直方向延伸。第一驅動部165係以第二旋轉軸線AX2為中心而使第一旋轉軸163旋轉，且以第一旋轉軸163為中心而使噴嘴臂161沿著大致水平面旋轉。其結果，第一噴嘴141係沿著大致水平面移動。詳細而言，第一噴嘴141係以第二旋轉軸線AX2為中心而繞著第一旋轉軸163迴旋。第一驅動部165例如包含步進馬達。

沖洗液供給部24及第二噴嘴移動機構26阻礙蝕刻液對基板W之蝕刻。在本實施形態中，藉由利用沖洗液稀釋蝕刻液，而阻礙蝕刻。具體而言，第二噴嘴241對基板W供給沖洗液。詳細而言，第二噴嘴241朝向旋轉中之基板W吐出沖洗液。沖洗液供給部24對第二噴嘴241供給沖洗液。詳細而言，第二噴嘴241係連接於第二供給配管242之一端。沖洗液經由第二供給配管242而被供給至第二噴嘴241。第二供給配管242係供沖洗液流通之管狀構件。沖洗液例如為去離子水、碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、或稀釋濃度(例如10ppm~100ppm左右)之鹽酸水。再者，亦可使用將蝕刻液加以稀釋後之液體作為沖洗液。

第二噴嘴移動機構26係使第二噴嘴241移動。於本實施形態中，第二噴嘴移動機構26係使第二噴嘴241在旋轉卡盤3之上方於水平方向移動。詳細而言，第二噴嘴移動機構26係以沿著大致鉛直方向的第三旋轉軸線AX3為中心而使第二噴嘴241進行迴旋。第二噴嘴241係在靜止之狀態下朝向基板W吐出沖洗液。再者，第二噴嘴241一面移動(一面進行迴旋)，一面吐出沖洗液，如此亦可。

第二噴嘴移動機構26具有噴嘴臂261、第二旋轉軸263、第二驅動部265。噴嘴臂261係沿著大致水平方向延伸。於噴嘴臂261之前端部配置有第二噴嘴241。噴嘴臂261係與第二旋轉軸263結合。第二旋轉軸263係沿著大致鉛直方向延伸。第二驅動部265係以第三旋轉軸線AX3為中心而使第二旋轉軸263旋轉，且以第二旋轉軸263為中心而使噴嘴臂261沿著大致水平面旋轉。其結果，第二噴嘴241係沿著大致水平面移動。詳細而言，第二噴嘴241係以第三旋轉軸線AX3為中心而繞著第二旋轉軸263迴旋。第二驅動部265例如包含步進馬達。

各護罩10具有大致筒型之形狀。複數個護罩10承接從基板W排出之蝕刻液及沖洗液。

測定部8取得表示基板W之厚度分布的資訊。換言之，測定部8取得表示基板W之表面形狀(輪廓)的資訊。在本實施形態中，測定部8係對基板W在徑向RD上之厚度分布進行測定。

在本實施形態中，測定部8係以非接觸方式測定對象物TG之厚度，而生成表示對象物TG之厚度的厚度檢測信號。厚度檢測信號係被輸入至控制裝置101。

測定部8例如藉由分光干涉法而測定對象物TG之厚度。具體而言，測定部8包含有光學探針81、信號線83、測定器85。光學探針81具有透鏡。信號線83連接光學探針81與測定器85。信號線83例如包含有光纖。測定器85具有光源與受光元件。測定器85之光源所出射之光係經由信號線83及光學探針81而出射至對象物TG。被對象物TG反射之光係經由光學探針81及信號線83而由測定器85之受光元件所接收。測定器85對受光元件所接收之光進行解析，而算出對象物TG之厚度。測定器85生成表示所算出之對象物TG之厚度的厚度檢測信號。再者，測定部8之測定方法不限於分光干涉法，只要可測定對象物TG之厚度，則亦可使用其他測定方法。

探針移動機構9係使光學探針81於大致水平方向移動。詳細而言，探針移動機構9係以沿著大致鉛直方向之第四旋轉軸線AX4為中心而使光學探針81迴旋。光學探針81係一面移動(一面進行迴旋)，一面朝向基板W出射光。因此，厚度檢測信號係表示對象物TG之厚度分布。

具體而言，探針移動機構9具有探針臂91、第三旋轉軸93、第三驅動部95。探針臂91係沿著大致水平方向延伸。於探針臂91之前端部配置有光學探針81。探針臂91係與第三旋轉軸93結合。第三旋轉軸93係沿著大致鉛直方向延伸。第三驅動部95係以第四旋轉軸線AX4為中心而使第三旋轉軸93旋轉，且以第三旋轉軸93為中心而使探針臂91沿著大致水平面旋轉。其結果，光學探針81係沿著大致水平面移動。詳細而言，光學探針81係以第四旋轉軸線AX4為中心而繞著第三旋轉軸93迴旋。第三驅動部95例如包含步進馬達。

於本實施形態中，測定部8係用於蝕刻量之檢測。蝕刻量係表示，藉由處理單元1對基板W進行處理而將基板W加以蝕刻之量。詳細而言，測定部8係取得，表示處理前之基板W之厚度分布(基板W之表面形狀)的資訊(以下記載為處理前表面資訊)、及表示處理後之基板W之厚度分布(基板W之表面形狀)的資訊(以下記載為處理後表面資訊)。自處理前表面資訊與處理後表面資訊之差量，可計算出蝕刻量。

控制裝置101係根據來自測定部8(測定器85)所輸入之厚度檢測信號而計算出蝕刻量，藉此而取得蝕刻量。更詳細而言，控制裝置101取得蝕刻量之分布。控制裝置101係使用所取得之蝕刻量，而如後述方式計算出蝕刻條件。蝕刻條件例如包含有第一噴嘴141之移動速度、從第二噴嘴241吐出沖洗液之位置及時間。

又，自編碼器55對控制裝置101輸入旋轉速度信號。再者，處理時基板W的旋轉速度例如為固定。詳細而言，控制裝置101預先記憶有用以控制基板處理裝置100之各部的配方，配方表示馬達本體51之旋轉速度的設定值。控制裝置101係參照配方而對處理單元1所執行之處理而進行控制。

接著參照圖3，對由第一噴嘴141所進行之基板W的掃描處理進行說明。圖3係表示本實施形態之掃描處理的俯視圖。如圖3所示，第一噴嘴141係以使蝕刻液對於對象物TG表面之落液位置形成圓弧狀的軌跡TJ1之方式，在停止狀態下將蝕刻液吐出至對象物TG，或是，一面移動一面將蝕刻液吐出至對象物TG。軌跡TJ1係通過基板W之中心部CT。中心部CT係表示基板W中第一旋轉軸線AX1所通過的部分。掃描處理係於基板W之旋轉中執行。

又，第二噴嘴241係以使沖洗液對於對象物TG表面之落液位置形成圓弧狀的軌跡TJ2之方式，在停止狀態下將沖洗液吐出至對象物TG，或是，一面移動一面將沖洗液吐出至對象物TG。在本實施形態中，軌跡TJ2係通過基板W之中心部CT。再者，軌跡TJ2只要能通過基板W之中心部CT附近，則亦可不通過中心部CT。沖洗液之吐出係於基板W之旋轉中執行。

接著參照圖4，對由測定部8所進行之厚度測定處理進行說明。圖4係表示本實施形態之厚度測定處理的俯視圖。如圖4所示，測定部8之光學探針81係以使對於對象物TG之厚度的測定位置形成圓弧狀的軌跡TJ3之方式，一面移動一面測定對象物TG之厚度。軌跡TJ3係通過基板W之邊緣部EG與基板W之中心部CT。邊緣部EG係表示基板W之周緣部。厚度測定處理係於基板W之旋轉中執行。

具體而言，於俯視下，光學探針81係一面在基板W之中心部CT與邊緣部EG之間移動，一面朝向對象物TG出射光。其結果，於軌跡TJ3所包含之各測定位置，對於對象物TG之厚度進行測定。各測定位置係與基板W之各半徑位置相對應。因此，藉由厚度測定處理，而對基板W在徑向RD上之對象物TG的厚度分布進行測定。再者，對象物TG之表面形狀(輪廓)係與表示對象物TG之厚度分布的形狀一致。

其次，參照圖1，對控制裝置101進行說明。如圖1所示，控制裝置101具有控制部102、記憶部103、輸入部104、顯示部105。控制裝置101例如為電腦。控制裝置101可使用通用的電腦，亦可為將構成零件之一部分加以訂製者，或是設計成專用之電腦。

控制部102具有處理器。控制部102例如為具有CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)或MPU(Micro Processing Unit，微處理單元)的控制器。或是，控制部102亦可具有通用運算機或專用運算機。控制部102亦可進而具有NPU(Neural Network Processing Unit，神經網路處理單元)。

記憶部103記憶有資料及電腦程式。記憶部103具有主記憶裝置。主記憶裝置例如為半導體記憶體。記憶部103亦可進而具有輔助記憶裝置。輔助記憶裝置例如為半導體記憶體及/或硬碟驅動機。記憶部103亦可具有可移除式媒體。控制部102係根據記憶部103所記憶之資料及電腦程式而控制基板處理裝置100之各部的動作。進而，控制部102係根據記憶部103所記憶之資料及電腦程式而計算出蝕刻條件。再者，針對蝕刻條件之詳細的計算方法將於後述。

記憶部103記憶有配方與控制程式。配方係規定基板W之處理內容及處理程序。又，配方係表示各種設定值。控制部102係根據配方及控制程式而控制基板處理裝置100之各部的動作。

輸入部104係受理來自作業員之輸入，而將表示輸入結果之資訊輸出至控制部102。輸入部104例如包含有觸控面板及指向裝置。觸控面板例如被配置於顯示部105之顯示面。輸入部104與顯示部105例如被構成圖形化使用者介面。

顯示部105係顯示各種資訊。於本實施形態中，顯示部105例如顯示各種錯誤畫面、及各種設定畫面(輸入畫面)。顯示部105例如有液晶顯示器或有機EL(electroluminescence)顯示器。

其次，參照圖5，在沒有來自第二噴嘴241之吐出的前提下，針對從第一噴嘴141吐出蝕刻液時基板W的蝕刻量進行說明。換言之，在不進行由第二噴嘴241所致之蝕刻阻礙之前提下，針對由第一噴嘴141所致之基板W的蝕刻量進行說明。圖5係表示基板W的上表面的俯視圖。前提為，蝕刻液係對於旋轉中之基板W吐出。於此情形下，蝕刻液係自落液之位置朝向徑向外側流動，而對從落液之位置至徑向外側的全部區域進行蝕刻。又，其前提係設為，即便蝕刻液之落液位置改變，基板W之各位置的蝕刻速度仍不產生變化。例如，無論將蝕刻液之落液位置設為基板W之中心部CT時、將其設為自基板W之中心部CT離開r[mm]之位置時，自基板W之中心部CT離開r[mm]以上之各位置之蝕刻速度均設為固定。蝕刻速度係每單位時間之蝕刻量。再者，根據本發明人之見解，即便使蝕刻液之落液位置改變，基板W之各位置的蝕刻速度仍幾乎不產生變化。

於此，將自基板W之中心部CT離開r[mm]之位置的蝕刻量設為F(r)，將蝕刻速度設為f(r)，將第一噴嘴141之掃描速度設為v(r)。再者，掃描速度係掃描處理時第一噴嘴141的移動速度。於此情形下，位置r[mm]的蝕刻量F(r)係，蝕刻速度f(r)與蝕刻液之接觸時間的總和T[sec]之積。又，蝕刻液之接觸時間的總和T[sec]可使用掃描速度v(r)而表示為以下之數式(1)。再者，以下之數式(1)~(3)係與從第一噴嘴141吐出之蝕刻液相關的數式，而不考慮從第二噴嘴241吐出之沖洗液的影響。

[數式1]

因此，位置r[mm]的蝕刻量F(r)係成為以下之數式(2)。

[數式2]

為了對基板W的上表面進行均勻之蝕刻，需要設為dF(r)/dr=0。亦即，需要滿足以下之數式(3)。

[數式3]

於此，如上所述，在對基板W之中心部供給蝕刻液時，一般而言，相較於基板W之外周部，中心部的蝕刻量較多。換言之，蝕刻速度之變化率f’(r)係成為負值。於此情形下，對使第一噴嘴141自基板W之中心部朝向徑向外側移動時之掃描速度v(r)進行調整，藉此而可對基板W的上表面進行均勻之蝕刻。亦即，可設定掃描速度v(r)，以使數式(3)成立。

另一方面，當存在有對基板W之中心部供給蝕刻液時，相較於基板W之外周部，中心部的蝕刻量有較少之情形。換言之，其存在有蝕刻速度之變化率f’(r)成為正值之情形。於此情形下，僅藉由調整第一噴嘴141之掃描速度v(r)，仍無法使數式(3)成立。換言之，一般而言，無法對基板W的上表面進行均勻之蝕刻。於此，在本發明中，藉由推翻「對從蝕刻液之落液的位置至徑向外側之全部區域進行蝕刻」此一前提，其可實現對基板W的上表面進行均勻之蝕刻。以下，具體說明之。

其次，參照圖6~圖8，針對即便蝕刻速度之變化率f’(r)成為正值時，仍可對基板W的上表面進行均勻蝕刻的方法，進行具體之說明。圖6係表示基板W在徑向RD之各位置的蝕刻速度f(r)之一例的圖式。又，圖6之圖式係表示，不從第二噴嘴241吐出沖洗液，而從第一噴嘴141朝向基板W的中心部吐出蝕刻液時蝕刻速度f(r)的分布。圖7係表示，不從第二噴嘴241吐出沖洗液，而使蝕刻液從第一噴嘴141對基板W的中心部吐出既定時間時基板W的厚度分布之一例的圖式。圖8係表示，自圖7所示之狀態，使第一噴嘴141以既定速度移動至區域A6時基板W的厚度分布之一例的圖式。

如圖6所示，於徑向RD上，基板W的上表面具有第一區域R1、與第一區域R1不同之第二區域R2。第一區域R1及第二區域R2係於俯視下具有圓形狀或環形狀。第一區域R1係隨著朝向徑向RD之外側，而蝕刻速度之變化率f’(r)成為負值的區域。第二區域R2係隨著朝向徑向RD之外側，而蝕刻速度之變化率f’(r)成為零以上的區域。在圖6中，第二區域R2係隨著朝向徑向RD之外側，而蝕刻速度之變化率f’(r)成為正值的區域。

控制部102係使蝕刻液從第一噴嘴141吐出至基板W之至少第一區域R1。在本實施形態中，控制部102係一面使第一噴嘴141於徑向RD移動，一面使蝕刻液從第一噴嘴141對第一區域R1及第二區域R2吐出。因此，相較於例如對第一區域R1及第二區域R2之各個區域切換蝕刻液之吐出與不吐出的情形，其可從第一噴嘴141穩定地吐出蝕刻液。

當使蝕刻液從第一噴嘴141對基板W之中心部(區域A1)吐出既定時間時，基板W之厚度(表面形狀)係如圖7所示。接著，藉由自圖7所示之狀態使第一噴嘴141以既定速度移動至徑向RD的外側，而如圖8所示，在第一噴嘴141從第一區域R11移動至第二區域R2之時間點，可使第一區域R11之厚度變得均勻。然而，如使用圖6所說明，第二區域R2之蝕刻速度的變化率為正值，因此，在第一噴嘴141從第一區域R11移動至第二區域R2之時間點，第二區域R2之厚度係變得較第一區域R11之厚度更小。

於此，在本實施形態中，控制部102係於第一噴嘴141在較第二噴嘴241更靠徑向RD之內側吐出蝕刻液時，使沖洗液從第二噴嘴241吐出至第二區域R2。具體而言，於第一噴嘴141對圖6之第一區域R11吐出蝕刻液時，使沖洗液從第二噴嘴241吐出至第二區域R2。藉此，第一區域R11被蝕刻，另一方面，第二區域R2及第一區域R12不被蝕刻、或蝕刻被抑制。亦即，第二區域R2及第一區域R12之由蝕刻液所致之蝕刻被阻礙。因此，在第一噴嘴141從第一區域R11移動至第二區域R2之時間點，可使第二區域R2及第一區域R12的蝕刻量成為較第一區域R11的蝕刻量為少、或與其相同。亦即，如圖8之虛線所示，可使第二區域R2之厚度成為與第一區域R11之厚度相同，或較第一區域R11之厚度為大。其結果，藉由調整第一噴嘴141於第二區域R2移動時之速度，可使第二區域R2之蝕刻量或厚度成為與第一區域R1之蝕刻量或厚度相同。亦即，可對基板W的上表面進行均勻之蝕刻。

如上述，第二區域R2係隨著朝向徑向RD之外側，而蝕刻速度之變化率f’(r)成為零以上之區域。通常，在基板W內存在有蝕刻速度之變化率f’(r)成為零以上之區域時，僅由第一噴嘴141對蝕刻液之控制則難以對基板W的上表面進行均勻之蝕刻，但藉由應用本發明，即可對基板W的上表面進行均勻之蝕刻。

又，控制部102係不使沖洗液從第二噴嘴241對第一區域R1吐出，而使沖洗液從第二噴嘴241對第二區域R2吐出。因此，其可選擇性地對第二區域R2吐出沖洗液。

再者，於對基板W的上表面進行蝕刻時，第一噴嘴141可一面自基板W之中心部朝向外周部移動一面吐出蝕刻液，亦可一面自基板W之外周部朝向中心部移動一面吐出蝕刻液，但在本實施形態中，為了容易理解，針對第一噴嘴141一面自基板W之中心部朝向外周部移動一面吐出蝕刻液之例進行說明。

其次，參照圖6~圖9，針對沖洗液之吐出，更詳細地進行說明之。圖9係表示自圖7所示之狀態，一面使沖洗液從第二噴嘴241吐出既定時間，一面使第一噴嘴141以既定速度移動至區域A7時基板W的厚度分布之一例的圖式。如圖6所示，於徑向RD上將基板W的上表面區分為複數個區域(於此為A1~A21)。換言之，基板W係於徑向上具有複數個區域A1~A21。各區域A1~A21係於俯視下具有圓形狀或環形狀。

複數個區域A1~A21具有第一特定區域Rs1。第一特定區域Rs1係相對於第一區域R1而鄰接於徑向RD之外側，且構成第二區域R2。在圖6中，第一特定區域Rs1為區域A7。

在本實施形態中，於第一噴嘴141對較第一特定區域Rs1更靠徑向RD內側之區域(於此為A1~A6)吐出蝕刻液時，使沖洗液從第二噴嘴241對第一特定區域Rs1吐出第一既定時間。因此，例如在第一噴嘴141自相對於第一特定區域Rs1而鄰接於徑向RD內側之區域(於此為A6)移動至第一特定區域Rs1的時間點，可使第一特定區域Rs1的蝕刻量成為較鄰接於第一特定區域Rs1之內側的區域(於此為A6)的蝕刻量為少、或與其相同。亦即，如圖8之虛線所示，可使第一特定區域Rs1之厚度成為與區域A1~A6之厚度相同、或以上之大小。其結果，藉由調整第一噴嘴141於第一特定區域Rs1移動時之掃描速度，可使第一特定區域Rs1的蝕刻量或厚度成為與鄰接於第一特定區域Rs1內側的區域(於此為A6)的蝕刻量或厚度相同。

又，複數個區域A1~A21進而具有第二特定區域Rs2，該第二特定區域Rs2係相對於第一特定區域Rs1而鄰接於徑向RD之外側，且構成第二區域R2。在圖6中，第二特定區域Rs2為區域A8。

又，在本實施形態中，當對較第二特定區域Rs2更靠徑向RD內側之區域(於此為A1~A7)吐出蝕刻液時，使沖洗液從第二噴嘴241對第二特定區域Rs2吐出第二既定時間。因此，例如在第一噴嘴141從第一特定區域Rs1移動至第二特定區域Rs2的時間點，可使第二特定區域Rs2的蝕刻量成為較第一特定區域Rs1的蝕刻量為少、或與其相同。亦即，如圖9之虛線所示，可使第二特定區域Rs2之厚度成為與第一特定區域Rs1之厚度相同、或以上之大小。其結果，藉由調整第一噴嘴141於第二特定區域Rs2移動時之速度，可使第二特定區域Rs2的蝕刻量或厚度成為與第一特定區域Rs1的蝕刻量或厚度相同。再者，在本實施形態中，於第一噴嘴141對第一區域R11(於此為A1~A6)吐出蝕刻液時，使沖洗液從第二噴嘴241對第二特定區域Rs2吐出第二既定時間。

又，在圖6所示之例中，較第二特定區域Rs2更靠徑向RD外側之區域(於此為A9~A21)之蝕刻速度的變化率f’(r)為負值。亦即，在第一噴嘴141從第二特定區域Rs2移動至第一區域R12之時間點，可使第一區域R12之厚度成為第二特定區域Rs2之厚度以上的大小。因此，藉由調整使第一噴嘴141於較第二特定區域Rs2更靠外側之區域(於此為A9~A21)移動時之掃描速度，可使較第二特定區域Rs2更靠外側之各區域(於此為A9~A21)的蝕刻量成為與第二特定區域Rs2的蝕刻量相同。

以上之結果，可對基板W的上表面全體進行均勻之蝕刻。換言之，可使全部區域(A1~A21)的蝕刻量成為相同。

其次，參照圖6至圖12、表1及表2，針對第一噴嘴141的掃描速度、第二噴嘴241的吐出位置及吐出時間之計算方法，具體說明。圖10係表示本實施形態之基板處理裝置100之第一噴嘴141的掃描速度、第二噴嘴241的吐出位置及吐出時間之計算方法的流程圖。圖11係表示藉由本實施形態之基板處理裝置100來測定基板W的厚度分布之步驟S1的流程圖。圖12係表示計算本實施形態之基板處理裝置100之第一噴嘴141的目標掃描速度、及第二噴嘴241吐出沖洗液之吐出時間之步驟S6的流程圖。

本實施形態之第一噴嘴141的掃描速度、第二噴嘴241的吐出位置及吐出時間之計算方法係包含步驟S1~步驟S6。又，測定基板W的厚度分布之步驟S1係包含步驟S11~步驟S13。又，計算第一噴嘴141的目標掃描速度等之步驟S6係包含步驟S61及步驟S62。步驟S1~步驟S6係由控制部102所執行。

當計算第一噴嘴141的掃描速度、第二噴嘴241的吐出位置及吐出時間時，首先，如圖10所示，在步驟S1中，於不從第二噴嘴241吐出沖洗液，而從第一噴嘴141對基板W的上表面吐出蝕刻液之前與之後，測定基板W之徑向RD上的厚度分布。具體而言，於圖11所示之步驟S11中，使用測定部8，測定基板W之徑向RD上之對象物TG的厚度分布。以下，有時將在步驟S1中使用之基板W記載為「第一基板」。

其次，於步驟S12中，當不從第二噴嘴241吐出沖洗液，而使蝕刻液從第一噴嘴141對基板W之中心部CT吐出既定時間後，停止蝕刻液之吐出。再者，蝕刻液之吐出時間未被特別限定，但使吐出時間成為較長者則可確保蝕刻量，因此可提升蝕刻速度之測定精度。在本實施形態中，使蝕刻液從第一噴嘴141吐出例如60秒。

其次，於步驟S13中，使用測定部8，測定基板W之徑向RD上之對象物TG的厚度分布。

其次，於步驟S2中，計算出基板W之徑向RD上各區域(各位置)A1~A21的蝕刻速度。具體而言，自步驟S11中之測定結果與步驟S13中之測定結果的差量，計算出基板W之徑向RD上各區域A1~A21的蝕刻速度。亦即，蝕刻速度係自步驟S1中測定之厚度分布被算出。步驟S2中計算的結果係例如可獲得以下的表1所示之結果。亦即，可計算出基板W之各位置的蝕刻速度。表1係表示步驟S2中算出之蝕刻速度的一例。再者，表1所示之結果係對應於圖6之圖式。

[表1]

區間	r [mm]	蝕刻速度 [nm/min]
A21	150.0	20.0
A20	142.5	20.5
A19	135.0	21.0
A18	127.5	21.4
A17	120.0	21.7
A16	112.5	22.0
A15	105.0	22.5
A14	97.5	23.0
A13	90.0	23.5
A12	82.5	24.0
A11	75.0	25.0
A10	67.5	25.5
A9	60.0	26.5
A8	52.5	27.0
A7	45.0	26.5
A6	37.5	26.0
A5	30.0	27.0
A4	22.5	28.0
A3	15.0	28.5
A2	7.5	29.0
A1	0.0	30.0

又，為了容易理解，在表1中例示出在從基板W之中心部CT(r=0)起每間隔7.5mm之位置進行測定，蝕刻速度係大約每隔0.5nm或1.0nm地變化，但測定部8之測定間隔亦可為非等間隔，蝕刻速度亦可成為小數點以下四位數以上的不規則數值。又，於此，各區域A1~A21中，在一個部位測定對象物TG之厚度。

其次，於步驟S3(參照圖7)中，將在步驟S2中算出之蝕刻速度儲存至記憶部103。

其次，於步驟S4中，取得基板W(第一基板)之上表面各區域(各位置)A1~A21的蝕刻速度。換言之，取得不從第二噴嘴241對基板W的上表面吐出沖洗液，而從第一噴嘴141對基板W的上表面吐出蝕刻液時各區域A1~A21的蝕刻速度。

其次，於步驟S5中，計算出各區域A1~A21的目標蝕刻液接觸時間。具體而言，對於各區域A1~A21，將目標蝕刻量除以蝕刻速度，藉此而計算出目標蝕刻液接觸時間。表2係表示，基板W之各區域A1~A21的蝕刻速度、目標蝕刻液接觸時間、目標掃描速度等。

[表2]

區間	r [mm]	蝕刻速度 [nm/sec]	蝕刻速度之變化率 [/sec]	目標蝕刻量 [nm]	目標蝕刻液接觸時間 [sec]	目標蝕刻液接觸時間之差量 [sec]	目標掃描速度 [mm/sec]
A21	150.0	0.3333	-0.0083	10	30	0.7317	10.250
A20	142.5	0.3417	-0.0083	10	29.2683	0.6969	10.763
A19	135.0	0.35	-0.0067	10	28.5714	0.5340	14.044
A18	127.5	0.3567	-0.0050	10	28.0374	0.3876	19.349
A17	120.0	0.3617	-0.0050	10	27.6498	0.3770	19.892
A16	112.5	0.3667	-0.0083	10	27.2727	0.6061	12.375
A15	105.0	0.375	-0.0083	10	26.6667	0.5797	12.937
A14	97.5	0.3833	-0.0083	10	26.0870	0.5550	13.513
A13	90.0	0.3917	-0.0083	10	25.5319	0.5319	14.100
A12	82.5	0.4	-0.0167	10	25	1.0000	7.500
A11	75.0	0.4167	-0.0083	10	24	0.4706	15.938
A10	67.5	0.425	-0.0167	10	23.5294	0.8879	8.447
A9	60.0	0.4417	-0.0083	10	22.6415	0.4193	17.887
A8	52.5	0.45	0.0083	10	22.2222	-0.4193	-17.887	→7500
A7	45.0	0.4417	0.0083	10	22.6415	-0.4354	-17.225	→7500
A6	37.5	0.4333	-0.0167	10	23.0769	0.8547	8.775
A5	30.0	0.45	-0.0167	10	22.2222	0.7937	9.450
A4	22.5	0.4667	-0.0083	10	21.4286	0.3759	19.950
A3	15.0	0.475	-0.0083	10	21.0526	0.3630	20.662
A2	7.5	0.4833	-0.0167	10	20.6897	0.6897	10.875
A1	0.0	0.5	-	10	20	-	-

在表2所示之例中，各區域A1~A21的目標蝕刻量為10nm。又，區域A1之蝕刻速度為0.5nm/sec(=30.0nm/min)，因此，區域A1之目標蝕刻液接觸時間為20sec(=10nm÷0.5nm/sec)。再者，在表2中，根據表1之蝕刻速度，表示出每1sec之蝕刻速度。同樣地，計算出區域A2~A21之目標蝕刻液接觸時間。

於步驟S6中，計算出第一噴嘴141之目標掃描速度。首先，於圖12所示之步驟S61中，計算出目標蝕刻液接觸時間之差量。目標蝕刻液接觸時間之差量係表示，某區域的目標蝕刻液接觸時間與前一個區域(鄰接於內側之區域)的目標蝕刻液接觸時間之差量。

在表2所示之例中，區域A2的目標蝕刻液接觸時間之差量為，自區域A2之目標蝕刻液接觸時間減去區域A1之目標蝕刻液接觸時間的值，即0.6897sec(=20.6897sec-20sec)。同樣地，計算出區域A3~A21之目標蝕刻液接觸時間之差量。

接著，於圖12所示之步驟S62中，計算出各區域A2~A21的目標掃描速度。各區域A2~A21中，將第一噴嘴141之移動距離除以目標蝕刻液接觸時間之差量，藉此而計算出目標掃描速度。

在表2所示之例中，第一噴嘴141自區域A1至區域A2之移動距離為7.5mm。又，區域A2之目標蝕刻液接觸時間之差量為0.6897sec。若第一噴嘴141花費0.6897sec之時間而移動7.5mm，則區域A2之蝕刻液接觸時間成為20.6897sec。因此，第一噴嘴141自區域A1(r=0.0mm)至區域A2(=7.5mm)之目標掃描速度成為10.875mm/sec(=7.5mm/0.6897sec)。同樣地，計算出區域A3~A6的目標掃描速度。

於此，在區域A7及區域A8中，蝕刻速度之變化率為正值。亦即，在區域A7及區域A8中，分別相較於鄰接於內側之區域A6及區域A7，其蝕刻速度較大。因此，例如在第一噴嘴141到達區域A7之前，區域A7之蝕刻量係較目標蝕刻量更大。同樣地，在第一噴嘴141到達區域A8之前，區域A8之蝕刻量係較目標蝕刻量更大。為了抑制蝕刻液對區域A7及區域A8之吐出量，在本實施形態中，將區域A7及區域A8的目標掃描速度，例如設定為設定範圍的上限值。

具體而言，在表2所示之例中，由於以與區域A1~A6之掃描速度相同的計算式計算出區域A7及區域A8的目標掃描速度，因此區域A7及區域A8的目標掃描速度皆成為負值。在本實施形態中，如上述般，將區域A7及區域A8的目標掃描速度，設定為設定範圍之上限值(例如7500mm/sec)。再者，於將目標掃描速度設為7500mm/sec時，為了移動7.5mm而所需要之時間為0.001sec，因此，於第一噴嘴141通過區域A7時，區域A7僅被蝕刻0.0004nm(≒0.4417nm/sec×0.001sec)。同樣地，於第一噴嘴141通過區域A8時，區域A8僅被蝕刻0.0004nm。然而，在本實施形態中，為了容易理解，將第一噴嘴141以7500mm/sec之掃描速度通過區域A7及區域A8時，區域A7及區域A8被蝕刻之量當作零而進行說明。

又，在此，為了使區域A7及區域A8之蝕刻量成為目標蝕刻量，需要將區域A7及區域A8接觸於蝕刻液之時間設為目標蝕刻液接觸時間。於此情形下，需要將區域A7接觸於蝕刻液之時間被設為較區域A6接觸於蝕刻液之時間更短、或與其相同。同樣地，需要將區域A8接觸於蝕刻液之時間設為較區域A7接觸於蝕刻液之時間更短、或與其相同。因此，在本實施形態中，如上述，於第一噴嘴141對區域A1~A6吐出蝕刻液時，以使沖洗液從第二噴嘴241對區域A7吐出第一既定時間之方式，計算出第二噴嘴241之吐出位置及吐出時間。又，於第一噴嘴141對區域A1~A7(在本實施形態中為區域A1~A6)吐出蝕刻液時，以使沖洗液從第二噴嘴241對區域A8吐出第二既定時間之方式，計算出第二噴嘴241之吐出位置及吐出時間。再者，藉由從第二噴嘴241吐出沖洗液，而阻礙由蝕刻液所致之蝕刻，因此，計算出第二噴嘴241之吐出位置及吐出時間係可稱為計算出阻礙由蝕刻液所致之蝕刻的阻礙條件。

在表2所示之例中，需要使區域A7接觸於蝕刻液之時間成為較區域A6接觸於蝕刻液之時間更短少0.4354sec(=23.0769sec-22.6415sec)。同樣地，需要使區域A8接觸於蝕刻液之時間成為較區域A7接觸於蝕刻液之時間更短少0.4193sec(=22.6415sec-22.2222sec)。因此，計算出第二噴嘴241之吐出位置及吐出時間(阻礙條件)為，於第一噴嘴141對區域A1~A6吐出蝕刻液時，從第二噴嘴241對區域A7吐出沖洗液0.4354sec(第一既定時間)。又，計算出第二噴嘴241之吐出位置及吐出時間(阻礙條件)為，於第一噴嘴141對區域A1~A7(在本實施形態中為區域A1~A6)吐出蝕刻液時，從第二噴嘴241對區域A8吐出沖洗液0.4193sec(第二既定時間)。藉此，可使區域A1~A8之蝕刻量均勻。

再者，為考慮第一噴嘴141通過區域A7之時間(0.0001sec)而設定第一既定時間，如此亦可。亦即，將第一既定時間設為，目標蝕刻液接觸時間的差量(於此為0.4354sec)與0.0001sec(通過區域A7的時間)之和，如此亦可。於此情形下，可使區域A1~A7之蝕刻量更均勻。同樣地，為考慮第一噴嘴141通過區域A8之時間(0.0001sec)而設定第二既定時間，如此亦可。亦即，將第二既定時間設為，目標蝕刻液接觸時間的差量(於此為0.4193sec)與0.0001sec(通過區域A8的時間)之和，如此亦可。於此情形下，可使區域A1~A8之蝕刻量更均勻。

在區域A9~A21中，與區域A2~A6相同地，蝕刻速度之變化率為負值。因此，對於區域A9~A21的目標掃描速度，係與區域A2~A6相同地進行計算。藉此，可使基板W的上表面全體的蝕刻量均勻。

再者，在本實施形態中已例示於步驟S62中計算出第二噴嘴241之吐出位置及吐出時間，但本發明不受限於此。例如，於步驟S6之後設置步驟S7，而於步驟S7中計算出第二噴嘴241之吐出位置及吐出時間，如此亦可。

接著，參照圖1、圖2及圖13，對基板處理裝置100所執行之基板處理方法進行說明。圖13係表示本實施形態之基板處理方法的流程圖。詳細而言，圖13係表示，於對處理對象之基板W進行蝕刻時，控制部102所執行之處理。本實施形態之基板處理方法係包含步驟S1~步驟S6、步驟S101、及步驟S102之各處理。亦即，本實施形態之基板處理方法係包含第一噴嘴141之掃描速度、第二噴嘴241之吐出位置及吐出時間的計算流程。

圖13所示之處理係從作業員操作輸入部104開始。當由作業員輸入開始指示時，則控制部102執行上述之步驟S1~步驟S6。藉此，取得基板W之各位置的蝕刻速度，並且計算出第一噴嘴141之掃描速度、第二噴嘴241之吐出位置及吐出時間。再者，在步驟S1中，藉由對第一基板吐出蝕刻液，而測定厚度分布。

其次，於步驟S101中，控制部102使旋轉卡盤3水平地保持處理對象之基板W，並且，使基板W旋轉。再者，在步驟S101及S102中，使用與第一基板不同之第二基板。以下，有時將在步驟S101及S102中使用之基板W記載為「第二基板」。

其次，於步驟S102中，以在步驟S1~步驟S6中計算出之蝕刻條件對基板W(第二基板)實施蝕刻處理。

具體而言，在本實施形態中，控制部102係使蝕刻液從第一噴嘴141對基板W之中心部CT吐出既定時間(例如20sec)。接著，控制部102係使第一噴嘴141自基板W之中心部CT(區域A1)朝向外周部以目標掃描速度移動。

此時，在本實施形態中，於第一噴嘴141對區域A1~A6吐出蝕刻液時，使沖洗液從第二噴嘴241對區域A7吐出第一既定時間。又，於第一噴嘴141對區域A1~A7(在本實施形態中為區域A1~A6)吐出蝕刻液時，使沖洗液從第二噴嘴241對區域A8吐出第二既定時間。再者，於第一噴嘴141對區域A9~A21吐出蝕刻液時，不從第二噴嘴241吐出沖洗液。

接著，控制部102停止蝕刻液之吐出，並停止基板W之旋轉。

以上，已參照圖1~圖13而對本發明一實施形態進行說明。在本實施形態中，如上述，控制部102係於第一噴嘴141在較第二噴嘴241更靠徑向RD內側吐出蝕刻液時，使沖洗液從第二噴嘴241吐出至第二區域R2。具體而言，於第一噴嘴141對圖6之第一區域R11吐出蝕刻液時，使沖洗液從第二噴嘴241吐出至第二區域R2。藉此，第一區域R11被蝕刻，另一方面，第二區域R2及第一區域R12未被蝕刻、或蝕刻被抑制。亦即，第二區域R2及第一區域R12中由蝕刻液所致之蝕刻被阻礙。因此，在第一噴嘴141從第一區域R11移動至第二區域R2之時間點，可使第二區域R2之蝕刻量較第一區域R11之蝕刻量為少、或與其相同。其結果，藉由調整第一噴嘴141於第二區域R2移動時之速度，可使第二區域R2之蝕刻量與第一區域R11之蝕刻量成為相同。亦即，可對基板W的上表面進行均勻之蝕刻。

又，當以另一觀點表示本實施形態時，在本實施形態中，則如上述，控制部102根據蝕刻速度之計算結果而計算出，藉由阻礙部(沖洗液供給部24及第二噴嘴移動機構26)阻礙蝕刻液之蝕刻的阻礙條件(第二噴嘴241之吐出位置及吐出時間)。又，控制部102係從第一噴嘴141對基板W(第二基板)之上表面吐出蝕刻液而對基板W進行處理，並且控制阻礙部，使其於基板W的上表面中隨著朝向徑向RD外側而蝕刻速度之變化率為零以上的位置，以上述阻礙條件阻礙蝕刻。因此，其可對第二區域R2中由蝕刻液所致之蝕刻加以阻礙。因此，在第一噴嘴141從第一區域R11移動至第二區域R2之時間點，可將第二區域R2之蝕刻量設為較第一區域R11之蝕刻量為少、或與其相同。其結果，藉由調整第一噴嘴141於第二區域R2移動時之速度，可將第二區域R2之蝕刻量與第一區域R11之蝕刻量設為相同。亦即，其可對基板W的上表面進行均勻之蝕刻。

又，在本實施形態中，如上述，控制部102係以使基板W的上表面在徑向RD上各區域A1~A21的蝕刻速度、與蝕刻液接觸於各區域A1~A21的時間之積成為大致固定之方式，計算出第一噴嘴141之掃描速度、及第二噴嘴241吐出沖洗液之吐出時間。因此，其可容易地使各區域A1~A21之蝕刻量均勻。

其次，參照圖14，針對本實施形態之變形例的基板處理裝置100之構造進行說明。圖14係表示本實施形態之變形例的基板處理裝置100之第一噴嘴141、第二噴嘴241、及抽吸部341周邊之構造的俯視圖。在圖14所示之變形例中，與圖1~圖13所示之實施形態不同地，針對基板處理裝置100進而具備有抽吸部341之例，進行說明。

如圖14所示，變形例之基板處理裝置100進而具備有抽吸部341。抽吸部341係對從第一噴嘴141吐出之蝕刻液進行抽吸。具體而言，基板處理裝置100具備有抽吸部341、抽吸配管342、及抽吸機構(未圖示)。抽吸部341係抽吸噴嘴。抽吸部341係對被吐出至基板W上之蝕刻液進行抽吸。抽吸部341係連接於抽吸配管342之一端。被抽吸部341抽吸之蝕刻液係經由抽吸配管342而被排出至腔室2之外部。又，抽吸機構(未圖示)係使抽吸配管342之內部成為負壓。

又，基板處理裝置100進而具備有抽吸移動機構(未圖示)。抽吸移動機構(未圖示)係例如被構成為與第一噴嘴移動機構16或第二噴嘴移動機構26相同，而以未圖示之旋轉軸為中心使抽吸部341沿著大致水平面旋轉。

抽吸部341、抽吸機構及抽吸移動機構阻礙蝕刻液對基板W之蝕刻。再者，抽吸部341、抽吸機構及抽吸移動機構係本發明之「阻礙部」之一例。

控制部102控制抽吸機構及抽吸移動機構。在本變形例中，控制部102係於第一噴嘴141在較抽吸部341更靠徑向RD內側進行吐出時，使抽吸部341抽吸第二區域R2之蝕刻液。具體而言，於第一噴嘴141對圖6之第一區域R11吐出蝕刻液時，使抽吸部341抽吸蝕刻液。藉此，第一區域R11被蝕刻，另一方面，第二區域R2及第一區域R12被蝕刻之情形受到抑制。亦即，阻礙第二區域R2及第一區域R12中由蝕刻液所致之蝕刻。

又，控制部102計算出由抽吸部341所致之阻礙條件，而以所計算出之阻礙條件控制阻礙部。由抽吸部341所致之阻礙條件係與第二噴嘴241所致之阻礙條件相同。具體而言，在第二噴嘴241對區域A7吐出沖洗液之時間點，且使抽吸部341抽吸區域A7之蝕刻液相同時間。又，在第二噴嘴241對區域A8吐出沖洗液之時間點，且使抽吸部341抽吸區域A8之蝕刻液續相同時間。

在本變形例中，抽吸部341係於基板W之旋轉方向(在圖14中為逆時針方向)上，配置在第一噴嘴141之下游側且第二噴嘴241之上游側。因此，於藉由抽吸部341而使第二區域R2之蝕刻液減少之後，藉由第二噴嘴241而稀釋第二區域R2之蝕刻液，因此其可有效地阻礙由蝕刻液所致之蝕刻。

以上，已針對本發明之實施形態，一面參照圖式一面進行說明。然而，本發明不受限於上述實施形態，在不脫離其主旨之範圍內，可於各種態樣中實施。又，上述實施形態所揭示之複數個構成要素可適宜地被改變。例如，可將某實施形態所示之全部構成要素中之某構成要素追加至另一實施形態之構成要素，或是，亦可將某實施形態所示之全部構成要素中之幾個構成要素自實施形態中刪除。

為了容易理解本發明，附圖係以各個構成要素為主體而示意性地表示，惟附圖之各構成要素的厚度、長度、個數、間隔等因圖式製作之情況而有時與實際上不同。又，上述實施形態所示之各構成要素的構成僅為一例，而非特別地加以限定者，當然其可在實質上不脫離本發明效果之範圍內進行各種變更。

例如，於參照圖1~圖13已說明之實施形態中，基板W係半導體晶圓，但基板W並不受限於半導體晶圓。例如，基板W可為液晶顯示裝置用基板、電場發射顯示器(Field Emission Display：FED)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、或太陽電池用基板。

又，在上述實施形態中，如圖13所示已例示出於進行步驟S1~S6之後，對基板W進行蝕刻處理(步驟S101、S102)，但本發明不受限於此。例如，其亦可為，使用者等以手動進行步驟S1~S6中之計算，而輸入蝕刻條件。又，其亦可為，進行步驟S1~S6之基板處理裝置100與進行步驟S101及S102之基板處理裝置100不同。亦即，其亦可為，使用由其他基板處理裝置100所計算出之蝕刻條件而進行蝕刻處理。

又，在上述實施形態中，已例示出一面使第一噴嘴141自基板W之中心部朝向外周部移動，一面吐出蝕刻液，但本發明不受限於此。例如，其亦可為，一面使第一噴嘴141自基板W之外周部朝向中心部移動，一面吐出蝕刻液。

又，在上述實施形態中，已例示出使第一噴嘴141與第二噴嘴241彼此獨立地移動，但本發明不受限於此。其亦可為，使第一噴嘴141與第二噴嘴241一體地移動。

又，在上述實施形態中，已例示出藉由第一噴嘴141而對基板W的上表面全體進行掃描，但本發明不受限於此。其亦可為，藉由第一噴嘴141而例如對基板W的上表面中除了中心部以外之部分進行掃描。

又，在上述實施形態中，已例示出於計算目標掃描速度、第二噴嘴241之吐出位置及吐出時間時，使用蝕刻速度之變化率、及目標蝕刻液接觸時間等，但本發明不受限於此。其亦可為，於計算目標掃描速度、第二噴嘴241之吐出位置及吐出時間時，不使用蝕刻速度之變化率、及目標蝕刻液接觸時間等。

又，在上述實施形態中，已例示出例如於第一噴嘴141通過區域A7及區域A8時，使掃描速度變高，但本發明不受限於此。其亦可為，於第一噴嘴141通過區域A7及區域A8時，不使掃描速度變高。於此情形下，其亦可為，例如使來自第一噴嘴141之蝕刻液的吐出停止。又，其亦可為，例如使從第二噴嘴241吐出沖洗液的時間較上述實施形態更多出第一噴嘴141通過區域A7及區域A8所需要之時間。

又，在圖14所示之變形例中，已例示出設置第二噴嘴241與抽吸部341，但亦可為，第二噴嘴241及抽吸部341之中，僅設置抽吸部341。

又，在上述實施形態中，已說明作為阻礙蝕刻液對基板W之蝕刻的方法，對沖洗液進行吐出或對蝕刻液進行抽吸之例，但本發明不受限於此。例如，其亦可為，藉由使基板W之溫度局部地降低，而阻礙由蝕刻液所致之蝕刻。

又，在上述實施形態中已說明，此實施形態之一例為基板處理裝置具備有控制部、記憶部、輸入部及顯示部，但本發明可依照發明之主旨而適宜地改變構成要素。例如，其亦可為如下實施形態，即，在將記憶部、輸入部及顯示部中任一者或全部與控制部分開或遠離地存置的狀態下，而成為電信號或資訊可連通或可通信之狀態。 (產業上之可利用性)

本發明係可利用於處理基板之領域。

1:處理單元 2:腔室 3:旋轉卡盤(基板保持部) 5:旋轉馬達部 8:測定部 9:探針移動機構 10:護罩 14:蝕刻液供給部 16:第一噴嘴移動機構(移動機構) 24:沖洗液供給部(阻礙部) 26:第二噴嘴移動機構(移動機構、噴嘴移動機構、阻礙部) 32:卡盤構件 33:旋轉基座 51:馬達本體 53:軸 55:編碼器 81:光學探針 83:信號線 85:測定器 91:探針臂 93:第三旋轉軸 95:第三驅動部 100:基板處理裝置 100A:流體櫃 100B:流體箱 101:控制裝置 102:控制部 103:記憶部 104:輸入部 105:顯示部 141:第一噴嘴 142:第一供給配管 161:噴嘴臂 163:第一旋轉軸 165:第一驅動部 241:第二噴嘴 242:第二供給配管 261:噴嘴臂 263:第二旋轉軸 265:第二驅動部 341:抽吸部(阻礙部) 342:抽吸配管 A1~A21:區域 AX1:第一旋轉軸線(旋轉軸線) AX2:第二旋轉軸線 AX3:第三旋轉軸線 AX4:第四旋轉軸線 CR:中央機器人 CT:中心部 EG:邊緣部 IR:分度機器人 LP:裝載埠 R1:第一區域 R11:第一區域 R12:第一區域 R2:第二區域 RD:徑向 Rs1:第一特定區域 Rs2:第二特定區域 TG:對象物 TJ1:軌跡 TJ2:軌跡 TJ3:軌跡 TW:塔 W:基板

圖1係表示本發明一實施形態之基板處理裝置的示意性俯視圖。圖2係本發明一實施形態之處理單元的示意性剖視圖。圖3係表示本發明一實施形態之掃描處理的俯視圖。圖4係表示本發明一實施形態之厚度測定處理的俯視圖。圖5係表示基板的上表面的俯視圖。圖6係表示基板之徑向上的各位置之蝕刻速度f(r)之一例的圖式。圖7係表示，於本發明一實施形態之基板處理裝置中，不從第二噴嘴吐出沖洗液，而使蝕刻液從第一噴嘴對基板的中心部吐出既定時間時基板的厚度分布之一例的圖式。圖8係表示，自圖7所示之狀態，使第一噴嘴以既定速度移動至區域A6時基板的厚度分布之一例的圖式。圖9係表示，自圖7所示之狀態，一面使沖洗液從第二噴嘴吐出既定時間，一面使第一噴嘴以既定速度移動至區域A7時基板的厚度分布之一例的圖式。圖10係表示本發明一實施形態之基板處理裝置之第一噴嘴的掃描速度、第二噴嘴的吐出位置及吐出時間之計算方法的流程圖。圖11係表示藉由本發明一實施形態之基板處理裝置來測定基板的厚度分布之步驟的流程圖。圖12係表示計算本發明一實施形態之基板處理裝置之第一噴嘴的目標掃描速度、及第二噴嘴吐出沖洗液之吐出時間之步驟的流程圖。圖13係表示本實施形態中之基板處理方法的流程圖。圖14係表示本實施形態之變形例之基板處理裝置之第一噴嘴、第二噴嘴及抽吸部周邊的構造的俯視圖。

1:處理單元

2:腔室

3:旋轉卡盤(基板保持部)

5:旋轉馬達部

8:測定部

9:探針移動機構

10:護罩

14:蝕刻液供給部

16:第一噴嘴移動機構(移動機構)

24:沖洗液供給部(阻礙部)

26:第二噴嘴移動機構(移動機構、噴嘴移動機構、阻礙部)

32:卡盤構件

33:旋轉基座

51:馬達本體

53:軸

55:編碼器

81:光學探針

83:信號線

85:測定器

91:探針臂

93:第三旋轉軸

95:第三驅動部

100:基板處理裝置

101:控制裝置

102:控制部

103:記憶部

104:輸入部

105:顯示部

141:第一噴嘴

142:第一供給配管

161:噴嘴臂

163:第一旋轉軸

165:第一驅動部

241:第二噴嘴

242:第二供給配管

261:噴嘴臂

263:第二旋轉軸

265:第二驅動部

AX1:第一旋轉軸線(旋轉軸線)

AX2:第二旋轉軸線

AX3:第三旋轉軸線

AX4:第四旋轉軸線

RD:徑向

TG:對象物

W:基板

Claims

一種基板處理裝置，其具備有：基板保持部，其將基板保持為水平，且以通過上述基板之中心而鉛直地延伸的旋轉軸線為中心使上述基板旋轉；第一噴嘴，其對上述基板的上表面供給蝕刻液；第二噴嘴，其對上述基板的上表面供給沖洗液；移動機構，其使上述第一噴嘴及上述第二噴嘴水平移動；以及控制部，其對來自上述第一噴嘴之上述蝕刻液的供給、來自上述第二噴嘴之上述沖洗液的供給、及上述移動機構進行控制；上述控制部取得從上述第一噴嘴對上述基板的上表面吐出上述蝕刻液時之各區域的蝕刻速度，上述控制部根據上述基板的上表面在徑向上之各區域的上述蝕刻速度，計算出上述第一噴嘴之移動速度，上述控制部使上述蝕刻液從上述第一噴嘴至少吐出至上述基板的上表面的第一區域，上述控制部於當上述第一噴嘴在上述基板之上述徑向上較上述第二噴嘴更靠內側吐出上述蝕刻液時，使上述沖洗液從上述第二噴嘴朝向在上述徑向上與上述第一區域不同之第二區域吐出。
如請求項1之基板處理裝置，其中，上述移動機構具有：第一噴嘴移動機構，其使上述第一噴嘴在上述基板保持部之上方於水平方向移動；以及第二噴嘴移動機構，其使上述第二噴嘴在上述基板保持部之上方於水平方向移動。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述控制部一面使上述第一噴嘴於上述徑向移動，一面使上述蝕刻液從上述第一噴嘴對上述第一區域及上述第二區域吐出。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述控制部不使上述沖洗液從上述第二噴嘴對上述第一區域吐出，而使上述沖洗液對上述第二區域吐出。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述基板於上述徑向上具有複數個區域，上述複數個區域具有第一特定區域，上述第一特定區域相對於上述第一區域，鄰接於上述徑向之外側，且構成上述第二區域，當上述第一噴嘴對較上述第一特定區域更靠上述徑向之內側的區域吐出上述蝕刻液時，使上述沖洗液從上述第二噴嘴對上述第一特定區域吐出第一既定時間。
如請求項5之基板處理裝置，其中，上述複數個區域進而具有第二特定區域，上述第二特定區域相對於上述第一特定區域，鄰接於上述徑向之外側，且構成上述第二區域，當上述第一噴嘴對上述第一區域吐出上述蝕刻液時，使上述沖洗液從上述第二噴嘴對上述第二特定區域吐出第二既定時間。
如請求項1或2之基板處理裝置，其進而具備有：抽吸部，其抽吸從上述第一噴嘴吐出之上述蝕刻液；上述控制部於當上述第一噴嘴在較上述抽吸部更靠上述徑向之內側進行吐出時，使上述抽吸部抽吸上述第二區域之上述蝕刻液。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述控制部以使上述基板的上表面在上述徑向上之各區域的上述蝕刻速度、與上述蝕刻液接觸於上述各區域的時間之積成為大致固定之方式，計算出上述第一噴嘴之移動速度、及上述第二噴嘴吐出上述沖洗液之吐出時間。
如請求項8之基板處理裝置，其進而具備有：測定部，其測定上述基板之徑向上的厚度分布；上述控制部控制上述測定部，所取得之上述蝕刻速度係於不從上述第二噴嘴吐出上述沖洗液，而從上述第一噴嘴對上述基板的上表面吐出上述蝕刻液之前與之後，測定上述基板之徑向上的厚度分布，藉此所計算出。
如請求項8之基板處理裝置，其中，進而具備有記憶部，上述蝕刻速度被容納於上述記憶部，上述蝕刻速度之取得係藉由上述控制部從上述記憶部讀取上述蝕刻速度而實施。
一種基板處理方法，其係對基板進行蝕刻處理者；上述基板處理方法具有如下步驟：藉由基板保持部而將上述基板保持為水平，且以通過上述基板之中心的旋轉軸線為中心而使其旋轉的步驟；以及從第一噴嘴對上述基板之至少第一區域吐出蝕刻液的步驟；於從上述第一噴嘴吐出上述蝕刻液的步驟中，當上述第一噴嘴在上述基板之徑向上較第二噴嘴更靠內側吐出上述蝕刻液時，從上述第二噴嘴朝向在上述徑向上與上述第一區域不同之第二區域吐出沖洗液，上述基板處理方法進而具備有如下步驟：取得步驟，其取得不從上述第二噴嘴對上述基板的上表面吐出上述沖洗液，而從上述第一噴嘴對上述基板的上表面吐出上述蝕刻液時之各區域的蝕刻速度；及根據上述基板的上表面在上述徑向上之各區域的上述蝕刻速度，計算出上述第一噴嘴之移動速度的步驟。
如請求項11之基板處理方法，其進而具備有如下步驟：測定步驟，其於從上述第一噴嘴對上述基板的上表面吐出上述蝕刻液之前與之後，測定上述基板之徑向上的厚度分布；上述取得步驟中所取得之上述蝕刻速度係藉由上述測定步驟而從所測定之厚度分布所計算出。
如請求項11或12之基板處理方法，其中，於計算出上述第一噴嘴之移動速度的步驟中，以使上述基板的上表面在上述徑向上之各區域的上述蝕刻速度、與上述蝕刻液接觸於上述各區域的時間之積成為大致固定之方式，計算出上述第一噴嘴之移動速度、及上述第二噴嘴吐出上述沖洗液之吐出時間。
如請求項11或12之基板處理方法，其中，上述第二區域係隨著朝向上述徑向之外側而有關上述第一噴嘴之上述蝕刻速度的變化率成為零以上的區域。
一種基板處理裝置，其具備有：基板保持部，其保持基板且使上述基板旋轉；第一噴嘴，其對上述基板的上表面供給蝕刻液；阻礙部，其阻礙上述蝕刻液對上述基板之蝕刻；以及控制部，其控制上述第一噴嘴及上述阻礙部；上述控制部進行如下控制：使上述蝕刻液從上述第一噴嘴吐出至第一基板；計算出上述第一基板的上表面的各位置之蝕刻速度；根據上述蝕刻速度之計算結果，計算出藉由上述阻礙部阻礙上述蝕刻液之蝕刻的阻礙條件；將上述阻礙部控制為，從上述第一噴嘴對與上述第一基板不同之第二基板的上表面吐出上述蝕刻液時，在上述第二基板的上表面中，隨著朝向徑向外側而上述蝕刻速度之變化率為零以上的位置，以上述阻礙條件阻礙上述蝕刻。
如請求項15之基板處理裝置，其中，上述阻礙部具有：第二噴嘴，其供給沖洗液；以及噴嘴移動機構，其可使上述第二噴嘴在上述基板保持部之上方於水平方向移動；由上述阻礙部所致之上述蝕刻的阻礙，係藉由控制沖洗液從上述第二噴嘴朝向上述第二基板的供給、及利用上述控制部控制上述第二噴嘴相對於上述第二基板之位置所實施。
一種基板處理方法，其係基板處理裝置之基板處理方法；上述基板處理裝置具備有：基板保持部，其保持基板且使上述基板旋轉；第一噴嘴，其對上述基板的上表面供給蝕刻液；以及阻礙部，其阻礙上述蝕刻液對上述基板之蝕刻；上述基板處理方法具備有如下步驟：從上述第一噴嘴對第一基板吐出上述蝕刻液的步驟；取得上述第一基板的上表面的各位置之蝕刻速度的步驟；根據所取得之上述蝕刻速度，而計算出阻礙上述蝕刻液之蝕刻的阻礙條件的步驟；以及從上述第一噴嘴對與上述第一基板不同之第二基板的上表面吐出上述蝕刻液而處理上述第二基板的步驟；於處理上述第二基板的步驟中，在從上述第一噴嘴對上述第二基板的上表面吐出上述蝕刻液時，於上述第二基板的上表面中，隨著朝向徑向外側而上述蝕刻速度之變化率為零以上的位置，藉由上述阻礙部而以上述阻礙條件阻礙上述蝕刻。
如請求項17之基板處理方法，其中，上述阻礙部具有：第二噴嘴，其供給沖洗液；根據上述阻礙條件，於既定位置從上述第二噴嘴對上述第二基板的上表面供給沖洗液，藉此而實施由上述阻礙部所致之上述蝕刻的阻礙。
如請求項17或18之基板處理方法，其進而具備有如下步驟：於從上述第一噴嘴對上述第一基板的上表面吐出上述蝕刻液之前與之後，測定上述第一基板之徑向上的厚度分布的步驟。