JP7241599B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板処理装置に関する。

基板処理装置は、例えば、半導体基板またはガラス基板の製造に用いられる。基板処理装置では、処理液で基板を処理した後で、基板を乾燥させる。近年、基板構造の微細化が進められており、基板の洗浄および乾燥が問題となっている（特許文献１）。特許文献１の基板処理装置では、不活性ガスを供給することにより、処理液の乾燥を促進させている。

国際公開第２０１６／１９９７６９号公報

近年、基板の微細処理がますます重要視されている。特許文献１の基板処理装置では、基板を乾燥させる際に不活性ガスを基板に供給しているものの、基板の搬送中に基板が酸素雰囲気に暴露されることがあり、基板の酸化によって基板の特性が低下するおそれがあった。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、不活性ガスの使用量を抑制するとともにチャンバー内における基板の酸化を抑制可能な基板処理装置を提供することにある。

本発明の一局面によれば、基板処理装置は、チャンバーと、基板保持部と、ファンフィルタユニットと、遮蔽部材と、移動部と、ガス供給部とを備える。前記チャンバーは、基板を収容する。前記基板保持部は、前記基板を保持する。前記ファンフィルタユニットは、前記チャンバーの上部に設置され、前記チャンバー内に気体を供給する。前記遮蔽部材は、前記ファンフィルタユニットと前記基板との間に位置し、前記基板の上面を遮蔽する。前記移動部は、前記遮蔽部材を移動させる。前記ガス供給部は、前記遮蔽部材に設けられたノズルから不活性ガスを供給する。前記遮蔽部材が前記基板保持部から離れた退避位置に位置する場合、前記ファンフィルタユニットを含む上方領域と前記基板保持部を含む下方領域とは、前記遮蔽部材および前記チャンバーによって分離される。

ある実施形態において、前記チャンバーは、上部、側部および底部を有する筐体と、前記筐体の前記側部から突出した突出部とを含む。前記遮蔽部材が前記退避位置に位置する場合、前記遮蔽部材の少なくとも一部は前記突出部と隣接する。

ある実施形態において、前記遮蔽部材の外径は、前記突出部の内径の最小値よりも小さい。

ある実施形態において、前記遮蔽部材の外径は、前記突出部の内径の最小値よりも大きい。

ある実施形態において、前記突出部には、前記基板を搬送するための搬送路が設けられる。

ある実施形態において、前記基板処理装置は、前記搬送路にむけて不活性ガスを供給する搬送路ガス供給部をさらに備える。

ある実施形態において、前記基板処理装置は、前記基板保持部の周囲に配置されたカップをさらに備える。

ある実施形態において、前記カップは、前記搬送路を覆う。

ある実施形態において、前記退避位置において、前記ガス供給部は、前記チャンバー内に前記不活性ガスを供給する。

ある実施形態において、前記遮蔽部材は、前記基板の上面を遮蔽する遮蔽板を有する。

ある実施形態において、前記遮蔽板は、前記基板と対向する本体部と、前記本体部から鉛直下方に延びた突起部とを含む。

ある実施形態において、前記遮蔽部材は、前記基板の上面を遮蔽する遮蔽板を有し、前記遮蔽部材は、前記遮蔽板よりも鉛直上方に位置する封止板をさらに有し、前記遮蔽部材が前記退避位置に位置する場合、前記封止板は前記突起部と対向する。

ある実施形態において、前記遮蔽板は、前記基板と対向する本体部と、前記本体部から鉛直上方に延びた接続部と、前記接続部から水平方向に延伸した延伸部とを含む。

ある実施形態において、前記遮蔽部材が前記基板と対向する近接位置に位置する場合、前記ガス供給部は前記基板に前記不活性ガスを供給する。

ある実施形態において、前記遮蔽部材が前記近接位置に位置する場合、前記ファンフィルタユニットは前記チャンバー内に気体を供給する。

ある実施形態において、前記遮蔽部材が前記退避位置に位置する場合に前記ガス供給部から供給される前記不活性ガスの流量は、前記遮蔽部材が前記近接位置に位置する場合に前記ガス供給部から供給される前記不活性ガスの流量よりも大きい。

ある実施形態において、前記ガス供給部から供給される前記不活性ガスの流量は、前記ファンフィルタユニットから供給される前記気体の流量よりも小さい。

本発明によれば、不活性ガスの使用量を抑制するとともにチャンバー内における基板の酸化を抑制できる。

本実施形態の基板処理装置の模式図である。 （ａ）は、遮蔽部材が近接位置に位置する場合の基板処理装置の模式図であり、（ｂ）は、遮蔽部材が退避位置に位置する場合の基板処理装置の模式図である。 本実施形態の基板処理装置による基板処理方法を説明するためのフロー図である。 （ａ）～（ｃ）は、本実施形態の基板処理装置による基板処理方法を説明するための模式図である。 （ａ）～（ｃ）は、本実施形態の基板処理装置による基板処理方法を説明するための模式図である。 （ａ）および（ｂ）は、本実施形態の基板処理装置による基板処理方法を説明するための模式図である。 本実施形態の基板処理装置の模式図である。 本実施形態の基板処理装置の模式図である。 本実施形態の基板処理装置の模式図である。 本実施形態の基板処理装置の模式図である。 （ａ）および（ｂ）は、本実施形態の基板処理装置による基板処理方法を説明するための模式図である。 本実施形態の基板処理装置の模式図である。 本実施形態の基板処理装置の模式図である。 （ａ）および（ｂ）は、本実施形態の基板処理装置による基板処理方法を説明するための模式図である。 本実施形態の基板処理装置の模式図である。 本実施形態の基板処理装置の模式図である。

以下、図面を参照して、本発明による基板処理装置の実施形態を説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。なお、本願明細書では、発明の理解を容易にするため、互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を記載することがある。典型的には、Ｘ方向およびＹ方向は水平方向に平行であり、Ｚ方向は鉛直方向に平行である。

図１を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。

基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する。基板処理装置１００は、基板Ｗに対して、エッチング、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去および洗浄のうちの少なくとも１つを行うように基板Ｗを処理する。

基板Ｗは、薄い板状である。典型的には、基板Ｗは、薄い略円板状である。基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板および太陽電池用基板などを含む。

基板処理装置１００は、処理液で基板Ｗを処理する。ここでは、基板処理装置１００は、基板Ｗを処理液で１枚ごとに処理する。基板処理装置１００は、チャンバー１１０と、基板保持部１２０と、ファンフィルタユニット１３０と、遮蔽部材１４０と、処理液供給部１５０と、ガス供給部１６０とを備える。

チャンバー１１０は、基板Ｗを収容する。チャンバー１１０は、内部空間を有する略箱形状である。ここでは、基板処理装置１００は基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型であり、チャンバー１１０には基板Ｗが１枚ずつ収容される。基板Ｗは、チャンバー１１０内に収容され、チャンバー１１０内で処理される。チャンバー１１０には、基板保持部１２０、遮蔽部材１４０、処理液供給部１５０およびガス供給部１６０のそれぞれの少なくとも一部が収容される。また、チャンバー１１０には、ファンフィルタユニット１３０の少なくとも一部が収容されてもよい。

チャンバー１１０には、開口部１１０ａが設けられており、開口部１１０ａには開口部１１０ａを開閉するシャッター１１０ｓが設けられる。シャッター１１０ｓが開口部１１０ａを開けた状態で、基板Ｗは、チャンバー１１０の外部から内部、または、内部から外部に搬送される。チャンバー１１０の開口部１１０ａは、基板Ｗの搬送の出入口として機能する。

また、チャンバー１１０には、排気口が設けられる。ここでは、排気口は、チャンバー１１０の側部の下方に設けられる。なお、排気口は、チャンバー１１０の底部に設けられてもよい。

チャンバー１１０は、筐体１１２と、突出部１１４とを含む。筐体１１２は、内部空間を有する箱型形状である。例えば、筐体１１２の外形は、直方体形状である。筐体１１２の厚さはほぼ一定である。

筐体１１２は、上部１１２ａと、側部１１２ｂと、底部１１２ｃとを含む。上部１１２ａは、側部１１２ｂと連結しており、底部１１２ｃは、側部１１２ｂと連結している。側部１１２ｂは、基板保持部１２０の四方を囲む。上部１１２ａは、基板保持部１２０の上方に位置する。基板保持部１２０は、底部１１２ｃの上に設置されてもよい。

チャンバー１１０の開口部１１０ａは、筐体１１２の側部１１２ｂに設けられる。また、チャンバー１１０の排気口は、筐体１１２の側部１１２ｂの下方または底部１１２ｃに設けられる。

突出部１１４は、筐体１１２の側部１１２ｂから内側に向けて突出する。突出部１１４は、筐体１１２に取り付けられてもよい。あるいは、筐体１１２および突出部１１４は一体に成形されてもよい。

ここでは、突出部１１４は、筐体１１２の上部１１２ａおよび側部１１２ｂのそれぞれと当接する。突出部１１４は、筐体１１２の側部１１２ｂの上方に取り付けられる。突出部１１４の上面は、筐体１１２の上部１１２ａと当接する。突出部１１４の外周面は、筐体１１２の側部１１２ｂの上部と当接する。突出部１１４の内周面は突出部１１４の開口を規定する。

突出部１１４は、円筒柱状であってもよく、筒状直方体であってもよい。また、突出部１１４の内周面によって規定される開口の形状は、円柱状であってもよく、直方体状であってもよい。

基板保持部１２０は、基板Ｗを保持する。基板保持部１２０は、基板Ｗの上面Ｗａを上方に向け、基板Ｗの裏面（下面）Ｗｂを鉛直下方に向くように基板Ｗを水平に保持する。また、基板保持部１２０は、基板Ｗを保持した状態で基板Ｗを回転させる。

例えば、基板保持部１２０は、基板Ｗの端部を挟持する挟持式であってもよい。あるいは、基板保持部１２０は、基板Ｗを裏面Ｗｂから保持する任意の機構を有してもよい。例えば、基板保持部１２０は、バキューム式であってもよい。この場合、基板保持部１２０は、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部を上面に吸着させることにより基板Ｗを水平に保持する。あるいは、基板保持部１２０は、複数のチャックピンを基板Ｗの周端面に接触させる挟持式とバキューム式とを組み合わせてもよい。

例えば、基板保持部１２０は、スピンベース１２１と、チャック部材１２２と、シャフト１２３と、電動モーター１２４とを含む。チャック部材１２２は、スピンベース１２１に設けられる。チャック部材１２２は、基板Ｗをチャックする。典型的には、スピンベース１２１には、複数のチャック部材１２２が設けられる。

シャフト１２３は、中空軸である。シャフト１２３は、回転軸ＡＸに沿って鉛直方向に延びる。シャフト１２３の上端には、スピンベース１２１が結合されている。基板Ｗの裏面は、スピンベース１２１に接触し、基板Ｗは、スピンベース１２１の上方に載置される。

スピンベース１２１は、円板状であり、基板Ｗを水平に支持する。シャフト１２３は、スピンベース１２１の中央部から下方に延びる。電動モーター１２４は、シャフト１２３に回転力を与える。電動モーター１２４は、シャフト１２３を回転方向Ｒに回転させることにより、回転軸ＡＸを中心に基板Ｗおよびスピンベース１２１を回転させる。ここでは、回転方向Ｒは、反時計回りである。

ファンフィルタユニット１３０は、チャンバー１１０の上部に配置される。チャンバー１１０の上部には開口が設けられる。典型的には、筐体１１２の上部１１２ａには開口が設けられる。ファンフィルタユニット１３０は、チャンバー１１０の開口から外部の気体を吸い込み、気体を濾過してチャンバー１１０の内部に吹き出す。例えば、ファンフィルタユニット１３０は、チャンバー１１０の開口から外部の空気を吸い込み、空気を濾過してチャンバー１１０の内部に吹き出す。ファンフィルタユニット１３０による気体の流量は、例えば、１ｍ³／ｍｉｎ以上３ｍ³／ｍｉｎ以下である。

ファンフィルタユニット１３０がチャンバー１１０内に気体を吹き出すことにより、チャンバー１１０内に浮遊物が浮遊することを抑制できる。ファンフィルタユニット１３０からチャンバー１１０に吹き出された気体は、チャンバー１１０の内部を通過して、排気口に向かって流れる。本明細書において、ファンフィルタユニット１３０をＦＦＵ１３０と記載することがある。

ＦＦＵ１３０は、ファンと、フィルタとを有する。ＦＦＵ１３０において、ファンおよびフィルタはＦＦＵ１３０の筐体内に配置される。ＦＦＵ１３０のフィルタは、ファンによって気体を吹き出す側に配置されている。フィルタは、通過する気体から浮遊物を濾過する。

ＦＦＵ１３０は、筐体１１２の上部１１２ａに設置され、ＦＦＵ１３０の吹出口は、筐体１１２の底部１１２ｃに向いている。このため、ＦＦＵ１３０から吹き出された気体は、鉛直下方に向かって流れる。したがって、チャンバー１１０には、ＦＦＵ１３０によってダウンフローが形成される。

ここでは、ＦＦＵ１３０は、突出部１１４の開口と整合するように配置されている。このため、ＦＦＵ１３０の水平方向に沿った断面の面積は、突出部１１４の開口面積とほぼ等しい。したがって、ＦＦＵ１３０から供給される気体は、突出部１１４の開口に沿って鉛直下方に進行する。

図１に示した基板処理装置１００では、ＦＦＵ１３０は、筐体１１２の内側の上部に配置されており、ファンフィルタユニット１３０は、突出部１１４の内周面に囲まれた領域に配置される。ただし、ＦＦＵ１３０は、筐体１１２の外側の上部に配置されてもよい。

遮蔽部材１４０は、基板保持部１２０の上方に位置する。遮蔽部材１４０は、基板Ｗを遮蔽可能である。ここでは、遮蔽部材１４０の少なくとも一部の水平方向に沿った外径は、突出部１１４の内周面の内径とほぼ等しい。

遮蔽部材１４０は、近接位置と退避位置との間で、基板Ｗに対して移動する。遮蔽部材１４０が近接位置に位置する場合、遮蔽部材１４０は、下降して基板Ｗの上面に所定間隔をあけて近接する。近接位置では、遮蔽部材１４０は、基板Ｗの表面を覆って、基板Ｗの上方を遮蔽する。遮蔽部材１４０が退避位置に位置する場合は、遮蔽部材１４０は近接位置よりも鉛直上方に離れた場所に位置する。遮蔽部材１４０が近接位置から退避位置に変化するとき、遮蔽部材１４０は上昇して基板Ｗから離間する。

遮蔽部材１４０は、遮蔽板１４２と、支軸１４４と、ノズル１４６とを含む。支軸１４４は、シャフト１２３の回転軸ＡＸの線上に位置する。遮蔽板１４２は、支軸１４４から水平方向に延びる。ここでは、遮蔽板１４２は、水平方向に延びた形状を有している。例えば、遮蔽板１４２は、略円板状である。

遮蔽板１４２の外径は、例えば、基板Ｗの外径と略同一である。ただし、遮蔽板１４２の外径は、基板Ｗの外径よりも若干小さくてもよいし、若干大きくてもよい。また、ここでは、遮蔽板１４２の水平方向に沿った外径は、突出部１１４の内周面の内径とほぼ等しい。ノズル１４６は、遮蔽板１４２および支軸１４４にわたって鉛直方向に延びた貫通孔の一部として設けられる。

基板保持部１２０が回転する場合、遮蔽部材１４０の遮蔽板１４２も回転してもよい。この場合、遮蔽板１４２は、スピンベース１２１と連結して、電動モーター１２４の回転に伴って回転することが好ましい。ただし、遮蔽板１４２が回転する場合でも、遮蔽部材１４０の支軸１４４は、遮蔽板１４２とは異なり回転しないことが好ましい。

基板処理装置１００は、遮蔽部材１４０を移動させる移動部１４８をさらに備える。ここでは、移動部１４８は、突出部１１４に取り付けられる。例えば、移動部１４８は、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える昇降モーターとを含む。昇降モーターは、例えば、サーボモーターである。移動部１４８は、近接位置と退避位置との間で、基板Ｗに対して遮蔽部材１４０を上昇または下降させる。

処理液供給部１５０は、処理液ノズル１５２と、供給管１５４と、バルブ１５６とを含む。処理液ノズル１５２は、基板Ｗの上面Ｗａに向いており、基板Ｗの上面Ｗａに向けて処理液を吐出する。供給管１５４は、ノズル１５２に結合される。ノズル１５２は、供給管１５４の先端に設けられる。供給管１５４には、供給源から処理液が供給される。バルブ１５６は、供給管１５４に設けられる。バルブ１５６は、供給管１５４内の流路を開閉する。本明細書において、処理液ノズル１５２を単にノズル１５２と記載することがある。

供給管１５４は、チャンバー１１０の内部と外部とを連絡する。供給管１５４は、突出部１１４および筐体１１２の側部１１２ｂを介して外部と連絡してもよい。あるいは、供給管１５４は、筐体１１２の上部１１２ａから外部と連絡してもよい。供給管１５４の少なくとも一部は、伸縮可能である。供給管１５４は、鉛直方向に沿って伸縮可能であることが好ましい。

ガス供給部１６０は、不活性ガスをチャンバー１１０に供給する。例えば、ガス供給部１６０は、不活性ガスとして窒素ガスをチャンバー１１０に供給する。あるいは、ガス供給部１６０は、不活性ガスとして希ガスをチャンバー１１０に供給してもよい。

ガス供給部１６０がガスをチャンバー１１０に供給することにより、チャンバー１１０内の酸素濃度を低減できる。また、ガス供給部１６０が不活性ガスをチャンバー１１０に供給することにより、チャンバー１１０内に不活性ガスが多少残存したしても、チャンバー１１０内での処理に用いられる薬液が残存ガスと反応することを抑制できる。

なお、本実施形態の基板処理装置１００では、チャンバー１１０内の酸素濃度は測定しない。基板処理装置１００では、基板Ｗを処理液で処理することから、酸素濃度計が処理液で汚染されるおそれがあるためである。ただし、処理液の種類によっては、チャンバー１１０内に酸素濃度計を設置し、チャンバー１１０内の酸素濃度を測定してもよい。この場合、チャンバー１１０内の基板Ｗの周囲の酸素濃度を測定し、測定結果に基づいてプロセスを制御することが好ましい。

また、ガス供給部１６０から供給される不活性ガス内の酸素含有量は、ＦＦＵ１３０から供給される気体内の酸素含有量も小さい。例えば、ガス供給部１６０から供給される不活性ガス内の酸素含有量は１％以下であり、ＦＦＵ１３０から供給されるガス内の酸素含有量は約２０％程度である。

ガス供給部１６０は、ガスノズル１６２と、供給管１６４と、バルブ１６６とを含む。ガスノズル１６２は、基板Ｗの上面Ｗａに向いており、基板Ｗの上面Ｗａに向けて不活性ガスを吐出する。供給管１６４は、ノズル１６２に結合される。ノズル１６２は、供給管１６４の先端に設けられる。供給管１６４には、供給源から不活性ガスが供給される。典型的には、不活性ガスは、窒素ガスを含む。バルブ１６６は、供給管１６４に設けられる。バルブ１６６は、供給管１６４内の流路を開閉する。本明細書において、ガスノズル１６２を単にノズル１６２と記載することがある。

供給管１６４は、チャンバー１１０の内部と外部とを連絡する。供給管１６４は、突出部１１４および筐体１１２の側部１１２ｂを介して外部と連絡してもよい。あるいは、供給管１６４は、筐体１１２の上部１１２ａから外部と連絡してもよい。供給管１６４の少なくとも一部は、伸縮可能である。供給管１６４は、鉛直方向に沿って伸縮可能であることが好ましい。

ここでは、遮蔽部材１４０のノズル１４６として、処理液供給部１５０のノズル１５２およびガス供給部１６０のノズル１６２が設けられる。このため、遮蔽部材１４０は、ノズル１４６から処理液を吐出する。また、遮蔽部材１４０は、ノズル１６２から不活性ガスを吐出する。このため、遮蔽部材１４０は、チャンバー１１０内に処理液および／または不活性ガスを供給できる。

基板処理装置１００は、カップ１８０をさらに備える。カップ１８０は、基板Ｗから飛散した液体を回収する。カップ１８０は、基板Ｗを処理する際に、基板Ｗの側方にまで鉛直上方に上昇する。また、カップ１８０は、基板Ｗを処理した後に、基板Ｗの側方から鉛直下方に下降してもよい。

基板処理装置１００は、制御装置１０１をさらに備える。制御装置１０１は、基板処理装置１００の各種動作を制御する。

制御装置１０１は、制御部１０２と、記憶部１０４とをさらに備える。制御部１０２は、プロセッサを含む。プロセッサは、例えば、中央処理演算機（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ：ＣＰＵ）を有する。または、プロセッサは汎用演算機を有してもよい。例えば、制御部１０２は、基板保持部１２０、ＦＦＵ１３０、移動部１４８、処理液供給部１５０、ガス供給部１６０および／またはカップ１８０を制御する。一例では、制御部１０２は、電動モーター１２４、ＦＦＵ１３０のファン、移動部１４８、バルブ１５６、バルブ１６６および／またはカップ１８０を制御する。

記憶部１０４は、データおよびコンピュータプログラムを記憶する。記憶部１０４は、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリおよび／またはハードディスクドライブである。記憶部１０４はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部１０２は、記憶部１０４の記憶しているコンピュータプログラムを実行して、基板処理動作を実行する。

なお、記憶部１０４には、予め手順の定められたコンピュータプログラムが記憶されている。基板処理装置１００は、コンピュータプログラムに定められた手順に従って動作する。

なお、図１に示した基板処理装置１００では、処理液は、ノズル１５２の搭載された遮蔽部材１４０から供給されたが、本実施形態はこれに限定されない。処理液は、遮蔽部材１４０とは別に配置された処理液供給部から供給されてもよい。処理液供給部は、遮蔽部材１４０とは独立して動作する。例えば、処理液供給部は、筐体１１２の底部１１２ｃに設置されてもよい。あるいは、処理液供給部は、突出部１１４に設置されてもよい。

次に、図２を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図２（ａ）は、遮蔽部材１４０が近接位置に位置する場合の基板処理装置１００の模式図であり、図２（ｂ）は、遮蔽部材１４０が退避位置に位置する場合の基板処理装置１００の模式図である。

図２（ａ）に示すように、遮蔽部材１４０が近接位置に位置する場合、遮蔽部材１４０は、基板保持部１２０に保持された基板Ｗと近接して対向する。基板Ｗは、遮蔽部材１４０が近接位置に位置した状態で処理液Ｌによって処理される。基板Ｗを処理液Ｌで処理する場合、遮蔽部材１４０は、基板Ｗに処理液Ｌを供給する。

また、基板Ｗを処理液Ｌで処理する場合、または、基板Ｗを乾燥させる場合、遮蔽部材１４０は、基板Ｗに不活性ガスＧを供給する。このとき、遮蔽部材１４０は、下面から不活性ガスＧを供給する。

ＦＦＵ１３０は、チャンバー１１０内に気体を供給する。ＦＦＵ１３０から下方に供給された気体Ｆは、遮蔽部材１４０と衝突することで方向を変え、基板Ｗに衝突することなくチャンバー１１０の下方から排気される。なお、遮蔽部材１４０から下方に供給された不活性ガスＧは基板Ｗに向けて進行して遮蔽部材１４０と基板Ｗとの間で低酸素雰囲気を形成する。

ガス供給部１６０からのガスの流量は、ＦＦＵ１３０からの気体の流量よりも小さい。例えば、ガス供給部１６０によるガスの流量は、１００Ｌ／ｍｉｎ以上２００Ｌ／ｍｉｎ以下であり、ＦＦＵ１３０からの気体の流量は、１ｍ³／ｍｉｎ以上３ｍ³／ｍｉｎ以下である。

図２（ｂ）に示すように、遮蔽部材１４０が退避位置に位置する場合、遮蔽部材１４０は、突出部１１４に隣接する。遮蔽部材１４０の少なくとも一部は、突出部１１４と対向する。ここでは、遮蔽部材１４０は、突出部１１４の側方に隣接する。

なお、遮蔽部材１４０と突出部１１４との隙間は小さいことが好ましい。例えば、遮蔽部材１４０と突出部１１４との隙間は０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下である。あるいは、遮蔽部材１４０は突出部１１４と当接してもよい。

遮蔽部材１４０が退避位置に位置する場合、基板処理装置１００は、ＦＦＵ１３０を含む上方領域１１０Ｕと、基板保持部１２０を含む下方領域１１０Ｄとに分離される。上方領域１１０Ｕと下方領域１１０Ｄとは、遮蔽部材１４０によって分断される。上方領域１１０Ｕは、ＦＦＵ１３０と突出部１１４の内周面と遮蔽部材１４０とによって囲まれる。上方領域１１０Ｕには、ＦＦＵ１３０が位置している。

下方領域１１０Ｄは、遮蔽部材１４０と突出部１１４の下面と筐体１１２の側部１１２ｂおよび底部１１２ｃによって囲まれる。下方領域１１０Ｄには、基板保持部１２０およびカップ１８０が位置している。

遮蔽部材１４０は、突出部１１４に隣接しているため、上方領域１１０ＵのＦＦＵ１３０から供給される気体は、突出部１１４と遮蔽部材１４０とによって遮蔽される。このため、ＦＦＵ１３０からの気体は、上方領域１１０Ｕ内にとどまり、下方領域１１０Ｄにはほとんど達しない。一方、遮蔽部材１４０は、下面から不活性ガスＧを供給する。このため、下方領域１１０Ｄには、遮蔽部材１４０から不活性ガスＧが供給される。下方領域１１０Ｄは、チャンバー１１０のうちの上方領域１１０Ｕを除いた領域であり、下方領域１１０Ｄの容積は、チャンバー１１０の容積よりも小さいため、遮蔽部材１４０によって供給される不活性ガスの流量が比較的少量であっても、下方領域１１０Ｄの酸素濃度は効率的に低減できる。

遮蔽部材１４０が退避位置に位置する場合のガス供給部１６０（遮蔽部材１４０）からの不活性ガスの流量は、遮蔽部材１４０が近接位置に位置する場合のガス供給部１６０（遮蔽部材１４０）からの不活性ガスの流量よりも増加してもよい。例えば、遮蔽部材１４０が退避位置に位置する場合のガス供給部１６０によるガスの流量は、１００Ｌ／ｍｉｎ以上１０００Ｌ／ｍｉｎ以下である。

あるいは、遮蔽部材１４０が退避位置に位置する場合のガス供給部１６０からのガスの流量は、遮蔽部材１４０が近接位置に位置する場合のガス供給部１６０からのガスの流量と等しくてもよい。

次に、図１～図３を参照して、本実施形態の基板処理方法のフローを説明する。図３は、本実施形態の基板処理方法を説明するためのフロー図である。

ステップＳ１０２において、ＦＦＵ１３０の駆動を開始する。ＦＦＵ１３０は、１ｍ³／ｍｉｎ以上３ｍ³／ｍｉｎ以下の流量で気体をチャンバー１１０に供給する。

ステップＳ１０４において、遮蔽部材１４０は退避位置に移動する。例えば、移動部１４８は、遮蔽部材１４０を退避位置に移動させる。このとき、遮蔽部材１４０の少なくとも一部は、突出部１１４と隣接する。遮蔽部材１４０と突出部１１４との隙間は小さいことが好ましい。あるいは、遮蔽部材１４０の少なくとも一部は、突出部１１４と当接してもよい。

遮蔽部材１４０が退避位置に移動すると、基板処理装置１００は、上方領域１１０Ｕと下方領域１１０Ｄとに分離される。このとき、ＦＦＵ１３０からの気体は、遮蔽部材１４０によって遮蔽されて上方領域１１０Ｕ内にとどまり、下方領域１１０Ｄにはほとんど達しない。

ステップＳ１０６において、ガス供給部１６０は不活性ガスの供給を開始する。例えば、ガス供給部１６０は、１００Ｌ／ｍｉｎ以上１０００Ｌ／ｍｉｎ以下の流量で不活性ガスを供給する。

ガス供給部１６０が不活性ガスを供給することにより、チャンバー１１０内の酸素濃度を低減できる。ガス供給部１６０が不活性ガスを所定時間供給することにより、チャンバー１１０内の酸素濃度を５００ｐｐｍ以下にまで低減できる。例えば、ガス供給部１６０は、次のステップＳ１０８の開始までに、不活性ガスを３０秒以上５分以下の期間にわたって供給する。

ステップＳ１０８において、基板Ｗをチャンバー１１０に搬入する。基板Ｗは、ロボットによって搬入されてもよい。例えば、基板Ｗの搬入時間は０．５秒以上５秒以下である。

チャンバー１１０のシャッター１１０ｓが移動してチャンバー１１０の開口部１１０ａが露出する。基板Ｗは、チャンバー１１０の開口部１１０ａを通過してチャンバー１１０内に搬入される。搬入した基板Ｗは、基板保持部１２０に装着される。なお、このとき、チャンバー１１０には、ガス供給部１６０が不活性ガスを供給しているため、チャンバー１１０内の酸素濃度は低い。したがって、基板Ｗを搬入する際の基板Ｗの酸化を抑制できる。

ステップＳ１１０において、遮蔽部材１４０は近接位置に移動する。例えば、移動部１４８は、遮蔽部材１４０を近接位置に移動させる。遮蔽部材１４０が近接位置に移動することにより、ＦＦＵ１３０によってチャンバー１１０内に供給される気体は、遮蔽部材１４０によって遮蔽されて上方領域１１０Ｕにおいて滞留することなくチャンバー１１０の下方に流れる。また、遮蔽部材１４０が近接位置に移動することにより、基板Ｗは、基板保持部１２０と遮蔽部材１４０とによって囲まれる。遮蔽部材１４０が不活性ガスを供給することにより、基板Ｗの周囲の環境は、低酸素雰囲気となる。

ステップＳ１１２において、基板Ｗを処理する。基板Ｗを処理する際に、処理液供給部１５０は基板Ｗに処理液を供給する。また、基板Ｗを処理する際に、ガス供給部１６０は基板Ｗに不活性ガスを供給する。

このとき、遮蔽部材１４０が近接位置に位置しているため、チャンバー１１０内部には、ＦＦＵ１３０によってダウンフローが形成される。ただし、ＦＦＵ１３０から供給される気体の酸素濃度は比較的高い一方で、遮蔽部材１４０は基板Ｗに不活性ガスを供給する。このため、基板Ｗの周囲を低酸素濃度できる。したがって、基板Ｗを低酸素雰囲気下で処理できる。なお、基板Ｗを処理する際に、チャンバー１１０の開口からの排気圧を増大させてもよい。

ステップＳ１１４において、遮蔽部材１４０は退避位置に移動する。例えば、移動部１４８は、遮蔽部材１４０を退避位置に移動させる。遮蔽部材１４０が退避位置に移動することにより、ＦＦＵ１３０によってチャンバー１１０に流入する気体は、遮蔽部材１４０によって遮蔽されて突出部１１４と遮蔽部材１４０とで囲まれた上方領域１１０Ｕ内にとどまる。また、遮蔽部材１４０は下方領域１１０Ｄに不活性ガスを供給する。このため、下方領域１１０Ｄの酸素濃度を低く維持できる。

ステップＳ１１６において、基板Ｗはチャンバー１１０から外部に搬出される。基板Ｗは、ロボットによって搬出されてもよい。基板Ｗは、基板保持部１２０から脱着された後、ロボットによって支持されて、チャンバー１１０から外部に搬出される。例えば、基板Ｗの搬出時間は０．５秒以上５秒以下である。

以上のようにして、基板処理装置１００は基板処理を終了する。本実施形態の基板処理装置１００によれば、ステップＳ１１２においてＦＦＵ１３０によるダウンフローを利用しており、基板Ｗを処理する際の不活性ガスの使用量を抑制できる。また、ステップＳ１０８および／またはステップＳ１１６において基板Ｗを搬送する際にＦＦＵ１３０からの気体が基板Ｗに直接的に達することを抑制して基板Ｗに不活性ガスを供給するため、基板Ｗの酸化を抑制できる。このため、基板処理装置１００によれば、基板Ｗを処理する際の不活性ガスの使用量を抑制するとともに、基板Ｗの搬送時における基板Ｗの酸化を抑制できる。

次に、図１～図６を参照して本実施形態の基板処理方法のフローを説明する。図４～図６は、本実施形態の基板処理方法を説明するための模式図である。

図４（ａ）に示すように、ＦＦＵ１３０の駆動を開始する。ＦＦＵ１３０は、１ｍ³／ｍｉｎ以上３ｍ³／ｍｉｎ以下の流量で気体Ｆをチャンバー１１０に供給する。ＦＦＵ１３０の駆動により、チャンバー１１０内にはダウンフローが形成される。

図４（ｂ）に示すように、遮蔽部材１４０は退避位置に移動する。このとき、遮蔽部材１４０の少なくとも一部は、突出部１１４と隣接する。遮蔽部材１４０と突出部１１４との隙間は小さいことが好ましい。あるいは、遮蔽部材１４０の少なくとも一部は、突出部１１４と当接してもよい。

遮蔽部材１４０が退避位置に移動すると、基板処理装置１００は、上方領域１１０Ｕと下方領域１１０Ｄとに分離される。このとき、ＦＦＵ１３０からの気体Ｆは、遮蔽部材１４０によって遮蔽されて上方領域１１０Ｕ内にとどまり、下方領域１１０Ｄにはほとんど達しない。

図４（ｃ）に示すように、ガス供給部１６０は不活性ガスＧの供給を開始する。ガス供給部１６０が不活性ガスＧを供給することにより、下方領域１１０Ｄの酸素濃度を低減できる。上方領域１１０Ｕの酸素濃度は約２０％であるのに対して、下方領域１１０Ｄの酸素濃度は上方領域１１０Ｕの酸素濃度よりも低くできる。ガス供給部１６０が不活性ガスＧを所定時間供給することにより、下方領域１１０Ｄ内の酸素濃度を５００ｐｐｍ以下にまで低減できる。例えば、ガス供給部１６０は不活性ガスＧを３０秒以上５分以下の期間にわたって供給する。

図５（ａ）に示すように、基板Ｗをチャンバー１１０に搬入する。基板Ｗがチャンバー１１０に搬入する前に、シャッター１１０ｓが開いて開口部１１０ａが露出する。シャッター１１０ｓが開いた後、基板Ｗは、開口部１１０ａからチャンバー１１０内に搬入される。その後、基板Ｗは、基板保持部１２０に装着される。

図５（ｂ）に示すように、遮蔽部材１４０は近接位置に移動する。このとき、遮蔽部材１４０は、基板Ｗと対向する。ＦＦＵ１３０と基板Ｗとの間に遮蔽部材１４０が位置しているため、ＦＦＵ１３０から下方に供給された気体Ｆは、遮蔽部材１４０と衝突することで方向を変え、基板Ｗに衝突することなくチャンバー１１０の下方から排気される。また、遮蔽部材１４０から下方に供給された不活性ガスＧは基板Ｗに向けて進行して遮蔽部材１４０と基板Ｗとの間で低酸素雰囲気を形成する。

また、遮蔽部材１４０を近接位置に移動させる際に、カップ１８０は基板Ｗの側方にまで上昇する。カップ１８０が基板Ｗの側方に位置するため、遮蔽部材１４０、基板Ｗおよびカップ１８０により、低酸素雰囲気が形成される。

図５（ｃ）に示すように、基板Ｗを処理する。基板Ｗを処理する際には、遮蔽部材１４０は、下面から不活性ガスＧを供給したまま、下面から処理液Ｌを供給する。このため、基板Ｗは、低酸素雰囲気下において処理液Ｌで処理される。

基板Ｗを処理する際には、カップ１８０は基板Ｗの側方のまま維持する。カップ１８０は、基板Ｗから飛散した処理液Ｌを回収する。

ＦＦＵ１３０から下方に供給された気体Ｆは、遮蔽部材１４０と衝突することで基板Ｗに達することなく進行方向を変えてチャンバー１１０の下方から排気される。このため、基板Ｗおよび基板保持部１２０から飛散した不活性ガスＧおよび処理液Ｌの雰囲気はチャンバー１１０の下方から排気される。

図６（ａ）に示すように、遮蔽部材１４０は退避位置に移動する。このとき、遮蔽部材１４０は、処理液Ｌの供給を停止する一方で、不活性ガスＧを供給し続ける。

図６（ｂ）に示すように、基板Ｗをチャンバー１１０から外部に搬出する。基板Ｗをチャンバー１１０から外部に搬出する前に、シャッター１１０ｓが移動して開口部１１０ａが開く。また、カップ１８０は、鉛直下方に移動する。シャッター１１０ｓが開いた後、基板Ｗは、チャンバー１１０の内部から開口部１１０ａを介して外部に搬出される。

以上のようにして、基板Ｗをチャンバー１１０に搬送して、チャンバー１１０内にて基板Ｗを処理した後で、基板Ｗをチャンバー１１０から搬送できる。本実施形態によれば、基板Ｗを処理する際に、ガス供給部１６０から基板Ｗに向けて酸素濃度の比較的低い不活性ガスを供給する一方で、ＦＦＵ１３０からは酸素濃度の比較的高いガスを供給する。このため、低酸素濃度雰囲気下において基板Ｗを処理する一方で、処理後の処理液Ｌおよび不活性ガスＧを速やかに排出できる。また、本実施形態によれば、基板Ｗを搬送する際に、ＦＦＵ１３０からのガスは遮蔽部材１４０において遮蔽されて上方領域１１０Ｕにとどまる一方で、ガス供給部１６０からの不活性ガスで下方領域１１０Ｄを低酸素雰囲気にできるため、低酸素雰囲気下で基板Ｗを搬送できる。

なお、図４～図６を参照して上述した説明では、ＦＦＵ１３０は、図５（ｃ）の基板Ｗを処理する場合以外でも、気体Ｆをチャンバー１１０内に供給していたが、本実施形態はこれに限定されない。ＦＦＵ１３０は、図５（ｃ）の基板Ｗを処理する場合以外では、駆動を停止してもよい。

また、図１～図６を参照して上述した説明では、基板Ｗは、チャンバー１１０の開口部１１０ａを介して筐体１１２内に搬送されたが、本実施形態はこれに限定されない。基板Ｗは、開口部１１０ａおよび突出部１１４を通過して筐体１１２内に搬送されてもよい。

次に、図７を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図７は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。なお、図７の基板処理装置１００は、突出部１１４の形状が異なるとともに突出部１１４に搬送路１１４ｒおよび搬送路ガス供給部１１４ｇが設けられる点を除いて、図１を参照して上述した基板処理装置１００と同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する記載を省略する。

基板処理装置１００において、突出部１１４は、遮蔽部材１４０の側方に位置するとともに、基板保持部１２０の側方に位置する。突出部１１４は、筐体１１２の上部１１２ａ、側部１１２ｂおよび底部１１２ｃのそれぞれと当接する。突出部１１４には、基板Ｗが通過するための搬送路１１４ｒが設けられる。搬送路１１４ｒの水平方向の長さ（Ｙ方向に沿った長さ（幅））は、基板Ｗの直径（少なくとも短径）よりも大きく、搬送路１１４ｒの鉛直方向の長さ（高さ）は、基板Ｗの厚さよりも大きい。搬送路１１４ｒは、基板保持部１２０のスピンベース１２１とほぼ同じ高さであって、水平方向に延びるように設けられる。

突出部１１４は、上部１１４ａと、下部１１４ｂとを有する。上部１１４ａは、下部１１４ｂの上方に位置する。下部１１４ｂは上部１１４ａを支持する。上部１１４ａは、下部１１４ｂに取り付けられてもよい。あるいは、上部１１４ａおよび下部１１４ｂは一体に成形されてもよい。ここでは、下部１１４ｂのうちの上部１１４ａと対向する領域の搬送方向（Ｘ方向）に沿った長さは、上部１１４ａのうちの下部１１４ｂと対向する領域の搬送方向（Ｘ方向）に沿った長さとほぼ等しい。

上部１１４ａは、筐体１１２の上部１１２ａおよび側部１１２ｂのそれぞれと当接する。上部１１４ａは、筐体１１２の側部１１２ｂの上方に取り付けられる。上部１１４ａの上面は、筐体１１２の上部１１２ａと当接する。上部１１４ａの外周面は、筐体１１２の側部１１２ｂと当接する。上部１１４ａの内周面は上部１１４ａの開口を規定する。

下部１１４ｂは、基板保持部１２０の側方を囲む。下部１１４ｂの高さは、基板保持部１２０の高さとほぼ等しい。

下部１１４ｂは、筐体１１２の側部１１２ｂおよび底部１１２ｃのそれぞれと当接する。下部１１４ｂは、筐体１１２の側部１１２ｂの下方に取り付けられる。下部１１４ｂの外周面は、筐体１１２の側部１１２ｂの下方と当接する。下部１１４ｂの下面は、筐体１１２の底部１１２ｃと当接する。下部１１４ｂの内周面は下部１１４ｂの開口を規定する。下部１１４ｂの開口の面積は上部１１４ａの開口の面積よりも大きい。

上部１１４ａの開口は段差を有しており、上部１１４ａの開口径は２段階に変化する。上部１１４ａの上方の開口径は、上部１１４ａの下方の開口径よりも小さい。ここでは、上部１１４ａの上方の開口径は、遮蔽部材１４０の遮蔽板１４２の外径とほぼ等しい。

また、突出部１１４の上部１１４ａのうちの開口部１１０ａおよびシャッター１１０ｓに対応する領域に搬送路１１４ｒとして貫通孔が設けられる。搬送路１１４ｒは、基板Ｗを搬送する経路として機能する。

基板処理装置１００は、搬送路ガス供給部１１４ｇをさらに備える。搬送路ガス供給部１１４ｇは、突出部１１４の搬送路１１４ｒに配置されている。搬送路ガス供給部１１４ｇは、搬送路１１４ｒに向けて不活性ガスを供給する。搬送路ガス供給部１１４ｇは、基板Ｗが搬送路１１４ｒを搬送する前または搬送中に不活性ガスを搬送路１１４ｒに供給する。例えば、搬送路ガス供給部１１４ｇは、基板Ｗが搬送路１１４ｒの搬送を開始する１分前から不活性ガスの供給を開始し、基板Ｗが搬送路１１４ｒおよび開口部１１０ａを通過して搬送された後に不活性ガスの供給を終了する。

なお、図７に示した基板処理装置１００では、搬送路ガス供給部１１４ｇは、突出部１１４の上部１１４ａに設けられたが、本実施形態はこれに限定されない。搬送路ガス供給部１１４ｇは、突出部１１４の下部１１４ｂに設けられてもよい。

また、図７に示した基板処理装置１００では、搬送路１１４ｒは、突出部１１４の上部１１４ａに設けられたが、本実施形態はこれに限定されない搬送路１１４ｒは、突出部１１４の下部１１４ｂに設けられてもよい。

また、図７に示した基板処理装置１００では、下部１１４ｂのうちの上部１１４ａと対向する領域の搬送方向（Ｘ方向）に沿った長さは、上部１１４ａのうちの下部１１４ｂと対向する領域の搬送方向（Ｘ方向）に沿った長さとほぼ等しかったが、本実施形態はこれに限定されない。下部１１４ｂのうちの上部１１４ａと対向する領域の搬送方向（Ｘ方向）に沿った長さは、上部１１４ａのうちの下部１１４ｂと対向する領域の搬送方向（Ｘ方向）に沿った長さよりも小さくてもよい。

図７に示した基板処理装置１００では、搬送路１１４ｒの断面は、基板Ｗを搬送可能な幅および高さを有するとともに、搬送路１１４ｒのシャッター１１０ｓ側の断面は、搬送路１１４ｒの基板保持部１２０側の断面とほぼ同じであったが、本実施形態はこれに限定されない。搬送路１１４ｒの基板保持部１２０側の断面積は搬送路１１４ｒのシャッター１１０ｓ側の断面積よりも小さくてもよい。

なお、突出部１１４に、基板Ｗを搬送するための搬送路１１４ｒを設ける場合、基板Ｗを処理する際に、カップ１８０は、搬送路１１４ｒを覆うことが好ましい。

次に、図８を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図８は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。なお、図８の基板処理装置１００は、カップ１８０が搬送路１１４ｒを覆う点を除いて、図７を参照して上述した基板処理装置１００と同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する記載を省略する。

図８に示すように、カップ１８０は、搬送路１１４ｒを覆う位置にまで上昇する。例えば、基板Ｗを処理する際に、カップ１８０が搬送路１１４ｒを覆う。これにより、基板Ｗを処理する際の処理液Ｌまたは処理液Ｌの雰囲気が搬送路１１４ｒに付着することを抑制できる。また、カップ１８０が搬送路１１４ｒを覆うことにより、ＦＦＵ１３０からの気体が搬送路１１４ｒにとどまり、浮遊物が搬送路１１４ｒ内で滞留することを抑制できる。

なお、図１～図８を参照して上述した説明では、遮蔽板１４２は、水平方向に延びた形状を有していたが、本実施形態はこれに限定されない。遮蔽板１４２は、水平方向に延びるとともに鉛直方向に延びてもよい。

次に、図９を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図９は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。なお、図９の基板処理装置１００は、遮蔽板１４２が水平方向に延びるとともに鉛直方向に延びる点を除いて、図１の基板処理装置１００と同様の構成を有している。このため、冗長を避けるために重複する記載を省略する。

図９に示すように、遮蔽板１４２が水平方向に延びるとともに鉛直方向に延びる。ここでは、遮蔽板１４２の一部が、鉛直下方に延びる。

遮蔽板１４２は、本体部１４２ａと、突起部１４２ｂとを有する。本体部１４２ａは、例えば、略円板状である。本体部１４２ａの直径は、例えば、基板Ｗの直径と略同一である。ただし、本体部１４２ａの直径は、基板Ｗの直径よりも若干小さくてもよいし、若干大きくてもよい。本体部１４２ａは、下面が略水平になるように配置されている。

突起部１４２ｂは、本体部１４２ａの水平方向外側端部において、鉛直下方を向くように本体部１４２ａに設けられる。突起部１４２ｂは、円環形状である。突起部１４２ｂの内径は、基板Ｗの外径とほぼ等しいか、基板Ｗの外径よりも若干大きい。このため、遮蔽部材１４０が近接位置に位置する場合に、本体部１４２ａは、基板Ｗと対向する一方で、突起部１４２ｂは基板Ｗの周囲を覆う。

本実施形態の基板処理装置１００では、遮蔽部材１４０が近接位置に位置する場合に遮蔽部材１４０から不活性ガスを供給しても、突起部１４２ｂにより、不活性ガスが離散しにくい。このため、遮蔽部材１４０から供給される不活性ガスの流量が比較的少なくても、低酸素雰囲気下において基板Ｗを効率的に処理できる。

なお、図１～図９を参照して上述した基板処理装置１００では、遮蔽部材１４０が退避位置に位置するときに、遮蔽部材１４０は突出部１１４の側方に隣接したが、本実施形態はこれに限定されない。遮蔽部材１４０が退避位置に位置するときに、遮蔽部材１４０の少なくとも一部が突出部１１４の下方に隣接してもよい。あるいは、遮蔽部材１４０が退避位置に位置するときに、遮蔽部材１４０の少なくとも一部が突出部１１４の下面と対向してもよい。

次に、図１０を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。なお、図１０の基板処理装置１００は、遮蔽部材１４０が封止板１４９をさらに含む点を除いて、図１を参照して上述した基板処理装置１００と同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する記載を省略する。

図１０に示すように、基板処理装置１００において、遮蔽部材１４０は、遮蔽板１４２、支軸１４４およびノズル１４６に加えて、封止板１４９をさらに含む。遮蔽部材１４０は、遮蔽板１４２から不活性ガスを供給する。

封止板１４９は、支軸１４４に取り付けられる。封止板１４９は、支軸１４４から水平方向に延びる。封止板１４９は、遮蔽板１４２よりも鉛直方向上部において、支軸１４４に取り付けられている。

封止板１４９は、円環形状である。封止板１４９の径方向の外径は、遮蔽板１４２の径方向の外径よりも大きい。また、ここでは、封止板１４９の水平方向に沿った外径は、突出部１１４の内周面の内径よりも大きい。

なお、基板保持部１２０が回転する場合、遮蔽部材１４０の遮蔽板１４２も回転してもよい。この場合、遮蔽板１４２は、スピンベース１２１と連結して、電動モーター１２４の回転に伴って回転することが好ましい。ただし、遮蔽板１４２が回転する場合でも、遮蔽部材１４０の支軸１４４および封止板１４９は、遮蔽板１４２とは異なり回転しないことが好ましい。

なお、遮蔽部材１４０は、遮蔽板１４２から不活性ガスを供給したが、本実施形態はこれに限定されない。遮蔽部材１４０は、遮蔽板１４２だけでなく、封止板１４９から不活性ガスを供給してもよい。また、封止板１４９から不活性ガスを供給する場合、封止板１４９のうちの遮蔽板１４２とは重ならない領域から鉛直下方に不活性ガスを供給することが好ましい。あるいは、封止板１４９から不活性ガスを供給する場合、封止板１４９の側部から水平方向に不活性ガスを供給してもよい。

次に、図１１を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１１（ａ）は、遮蔽部材１４０が近接位置に位置する場合の基板処理装置１００の模式図であり、図１１（ｂ）は、遮蔽部材１４０が退避位置に位置する場合の基板処理装置１００の模式図である。

図１１（ａ）に示すように、遮蔽部材１４０が近接位置に位置する場合、遮蔽部材１４０は、基板保持部１２０に保持された基板Ｗと対向する。基板Ｗを処理液Ｌで処理する場合、遮蔽部材１４０は、基板Ｗに処理液Ｌを供給する。また、基板Ｗを処理液Ｌで処理する場合、または、基板Ｗを乾燥させる場合、遮蔽部材１４０は、基板Ｗに不活性ガスＧを供給する。

図１１（ｂ）に示すように、遮蔽部材１４０が退避位置に位置する場合、封止板１４９は、突出部１１４に隣接する。封止板１４９の上面は、突出部１１４の下面と対向する。封止板１４９の上面と突出部１１４の下面との間の隙間は小さいことが好ましい。あるいは、封止板１４９の上面は、突出部１１４の下面と当接してもよい。これにより、ＦＦＵ１３０からの気体が下方領域１１０Ｄに流入することを抑制できる。

なお、図１０および図１１に示した基板処理装置１００では、基板Ｗは、チャンバー１１０の開口部１１０ａを介して筐体１１２内に搬送されるが、本実施形態はこれに限定されない。基板Ｗは、開口部１１０ａおよび突出部１１４内を通過して筐体１１２内に搬送されてもよい。

次に、図１２を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。なお、図１２の基板処理装置１００は、突出部１１４の形状が異なるとともに突出部１１４が上部１１４ａ、下部１１４ｂおよび搬送路１１４ｒを含む点を除いて、図１０および図１１を参照して上述した基板処理装置１００と同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する記載を省略する。

図１２に示すように、突出部１１４は、上部１１４ａ、下部１１４ｂおよび搬送路１１４ｒを含む。上部１１４ａは、下部１１４ｂの上方に位置する。下部１１４ｂは上部１１４ａを支持する。上部１１４ａは、下部１１４ｂに取り付けられてもよい。あるいは、上部１１４ａおよび下部１１４ｂは一体に成形されてもよい。

上部１１４ａは、筐体１１２の上部１１２ａおよび側部１１２ｂのそれぞれと当接する。上部１１４ａは、筐体１１２の側部１１２ｂの上方に取り付けられる。

下部１１４ｂは、基板保持部１２０の側方を囲む。下部１１４ｂの高さは、基板保持部１２０の高さとほぼ等しい。下部１１４ｂは、筐体１１２の側部１１２ｂおよび底部１１２ｃのそれぞれと当接する。下部１１４ｂは、筐体１１２の側部１１２ｂの下方に取り付けられる。

搬送路１１４ｒは、突出部１１４の上部１１４ａのうちの開口部１１０ａおよびシャッター１１０ｓに対応する領域に貫通孔として設けられる。搬送路１１４ｒは、基板Ｗを搬送する経路として機能する。

図１２に示すように、基板Ｗを処理する際に、遮蔽部材１４０は近接位置に位置する。また、基板Ｗを処理する際に、カップ１８０が搬送路１１４ｒを覆う。これにより、基板Ｗを処理する際の処理液または処理液の雰囲気が搬送路１１４ｒに付着することを抑制できる。また、カップ１８０が搬送路１１４ｒを覆うことにより、ＦＦＵ１３０からの気体Ｆが搬送路１１４ｒにとどまり、浮遊物が搬送路１１４ｒ内で滞留することを抑制できる。

また、遮蔽部材１４０は近接位置に位置する場合、上昇したカップ１８０の鉛直上方の端部１８０ｓが遮蔽部材１４０の封止板１４９と対向することが好ましい。例えば、端部１８０ｓと封止板１４９との隙間は、０．５ｍｍ以上３０ｍｍ以下である。この場合、基板Ｗは、基板保持部１２０と遮蔽部材１４０とカップ１８０とによって囲まれるため、遮蔽部材１４０が不活性ガスを供給することにより、基板Ｗの周囲に低酸素雰囲気を効率的に形成できる。

なお、図１～図１２に示した基板処理装置１００では、遮蔽部材１４０の遮蔽板１４２は、水平方向に延びるか、水平方向および鉛直下方に延びていたが、本実施形態はこれに限定されない。遮蔽板１４２は、水平方向に延びるとともに鉛直上方に延びてもよい。

次に、図１３を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。なお、図１３の基板処理装置１００は、遮蔽板１４２は、水平方向に延びるとともに鉛直上方に延びる点を除いて、図１を参照して上述した基板処理装置１００と同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する記載を省略する。

図１３に示すように、遮蔽部材１４０は、遮蔽板１４２と、支軸１４４と、ノズル１４６とを含む。遮蔽板１４２は、水平方向に延びるとともに鉛直上方に延びる。

遮蔽板１４２は、本体部１４２ｓと、接続部１４２ｔと、延伸部１４２ｕとを含む。遮蔽部材１４０は、本体部１４２ｓから不活性ガスを供給する。本体部１４２ｓと延伸部１４２ｕとは、接続部１４２ｔを介して接続されている。

本体部１４２ｓは、支軸１４４と連結する。本体部１４２ｓは、支軸１４４から水平方向に延びる。本体部１４２ｓは、支軸１４４から円周方向にわたって径方向に広がるように延びる。

接続部１４２ｔは、本体部１４２ｓの水平方向外側端部に配置される。接続部１４２ｔは、鉛直方向に沿って延びる。接続部１４２ｔは、本体部１４２ｓと接続されており、本体部１４２ｓから鉛直上方に延びる。

延伸部１４２ｕは、円環状の薄板である。延伸部１４２ｕは、接続部１４２ｔと接続されている。延伸部１４２ｕは、接続部１４２ｔの鉛直方向端部に配置される。延伸部１４２ｕは、水平方向に沿って延びる。このため、延伸部１４２ｕの水平方向端部は、本体部１４２ｓの水平方向端部よりも支軸１４４に対して水平方向外側に位置する。また、延伸部１４２ｕの外径は、突出部１１４の内周面の内径よりも大きい。

なお、図１３に示した基板処理装置１００では、遮蔽部材１４０は、本体部１４２ｓから不活性ガスを供給したが、本実施形態はこれに限定されない。遮蔽部材１４０は、本体部１４２ｓだけでなく、接続部１４２ｔおよび／または延伸部１４２ｕから不活性ガスを供給してもよい。例えば、接続部１４２ｔから不活性ガスを供給する場合、不活性ガスは、水平方向外側に向かって吐出されてもよい。また、延伸部１４２ｕから不活性ガスを供給する場合、不活性ガスは、鉛直下方に吐出されてもよい。

次に、図１４を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１４（ａ）は、遮蔽部材１４０が近接位置に位置する場合の基板処理装置１００の模式図であり、図１４（ｂ）は、遮蔽部材１４０が退避位置に位置する場合の基板処理装置１００の模式図である。

図１４（ａ）に示すように、遮蔽部材１４０が近接位置に位置する場合、遮蔽部材１４０は、基板保持部１２０に保持された基板Ｗと対向する。基板Ｗを処理液Ｌで処理する場合、遮蔽部材１４０は、基板Ｗに処理液Ｌを供給する。また、基板Ｗを処理液Ｌで処理する場合、または、基板Ｗを乾燥させる場合、遮蔽部材１４０は、基板Ｗに不活性ガスＧを供給する。

図１４（ｂ）に示すように、遮蔽部材１４０が退避位置に位置する場合、遮蔽部材１４０の遮蔽板１４２は、突出部１１４に隣接する。詳細には、遮蔽板１４２の延伸部１４２ｕは、突出部１１４に隣接する。延伸部１４２ｕの上面は、突出部１１４の下面と対向する。延伸部１４２ｕの上面と突出部１１４の下面との間の隙間は小さいことが好ましい。あるいは、延伸部１４２ｕの上面と突出部１１４の下面と当接してもよい。これにより、ＦＦＵ１３０からの気体が下方領域１１０Ｄに流入することを抑制できる。

なお、図１４に示した基板処理装置１００では、基板Ｗは、チャンバー１１０の開口部１１０ａを介して筐体１１２内に搬送されるが、本実施形態はこれに限定されない。基板Ｗは、開口部１１０ａを通過して突出部１１４内を通過して筐体１１２内に搬送されてもよい。

次に、図１５を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。なお、図１５の基板処理装置１００は、突出部１１４の形状が異なるとともに突出部１１４が上部１１４ａ、下部１１４ｂおよび搬送路１１４ｒを含む点を除いて、図１０および図１１を参照して上述した基板処理装置１００と同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する記載を省略する。

図１５に示すように、突出部１１４は、上部１１４ａ、下部１１４ｂおよび搬送路１１４ｒを含む。上部１１４ａは、下部１１４ｂの上方に位置する。下部１１４ｂは上部１１４ａを支持する。上部１１４ａは、下部１１４ｂに取り付けられてもよい。あるいは、上部１１４ａおよび下部１１４ｂは一体に成形されてもよい。

上部１１４ａは、筐体１１２の上部１１２ａおよび側部１１２ｂのそれぞれと当接する。上部１１４ａは、筐体１１２の側部１１２ｂの上方に取り付けられる。

下部１１４ｂは、基板保持部１２０の側方を囲む。下部１１４ｂの高さは、基板保持部１２０の高さとほぼ等しい。下部１１４ｂは、筐体１１２の側部１１２ｂおよび底部１１２ｃのそれぞれと当接する。下部１１４ｂは、筐体１１２の側部１１２ｂの下方に取り付けられる。

搬送路１１４ｒは、突出部１１４の上部１１４ａのうちの開口部１１０ａおよびシャッター１１０ｓに対応する領域に貫通孔として設けられる。搬送路１１４ｒは、基板Ｗを搬送する経路として機能する。

図１５に示すように、基板Ｗを処理する際に、遮蔽部材１４０は近接位置に位置する。また、基板Ｗを処理する際に、カップ１８０が搬送路１１４ｒを覆う。これにより、基板Ｗを処理する際の処理液Ｌまたは処理液Ｌの雰囲気が搬送路１１４ｒに付着することを抑制できる。また、カップ１８０が搬送路１１４ｒを覆うことにより、ＦＦＵ１３０からの気体Ｆが搬送路１１４ｒにとどまり、浮遊物が搬送路１１４ｒ内で滞留することを抑制できる。

また、遮蔽部材１４０は近接位置に位置する場合、上昇したカップ１８０の鉛直上方の端部１８０ｓが遮蔽部材１４０の延伸部１４２ｕと対向することが好ましい。例えば、端部１８０ｓと延伸部１４２ｕとの隙間は、０．５ｍｍ以上３０ｍｍ以下である。この場合、基板Ｗは、基板保持部１２０と遮蔽部材１４０とカップ１８０とによって囲まれるため、遮蔽部材１４０が不活性ガスを供給することにより、基板Ｗの周囲に低酸素雰囲気を効率的に形成できる。

次に、図１６を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。本実施形態の基板処理装置１００は複数のチャンバー１１０を備える点で、上述した基板処理装置１００とは異なる。ただし、冗長な説明を避ける目的で重複する記載を省略する。

図１６は、基板処理装置１００の模式的な平面図である。図１６に示すように、基板処理装置１００は、成分液キャビネット１００Ａと、複数の流体ボックス１００Ｂと、複数のチャンバー１１０と、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、制御装置１０１とを備える。制御装置１０１は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲを制御する。制御装置１０１は、制御部１０２および記憶部１０４を含む。

ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲとチャンバー１１０との間で基板Ｗを搬送する。チャンバー１１０の各々は、基板Ｗに処理液を吐出して、基板Ｗを処理する。処理液は、薬液、リンス液および／または有機溶剤を含む。流体ボックス１００Ｂの各々は流体機器を収容する。成分液キャビネット１００Ａは、処理液を収容する。

具体的には、複数のチャンバー１１０は、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置された複数のタワーＴＷ（図１６では４つのタワーＴＷ）を形成している。各タワーＴＷは、上下に積層された複数のチャンバー１１０（図１６では３つのチャンバー１１０）を含む。複数の流体ボックス１００Ｂは、それぞれ、複数のタワーＴＷに対応している。成分液キャビネット１００Ａ内の処理液は、いずれかの流体ボックス１００Ｂを介して、流体ボックス１００Ｂに対応するタワーＴＷに含まれる全てのチャンバー１１０に供給される。

以上、図面を参照して本発明の実施形態を説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明の形成が可能である。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質、形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

本発明は、基板処理装置に好適に用いられる。

１００ 基板処理装置
１１０ チャンバー
１２０ 基板保持部
１３０ ファンフィルタユニット
１４０ 遮蔽部材
１５０ 処理液供給部
１６０ ガス供給部
Ｗ 基板

Claims (17)

1. 基板を収容するチャンバーと、
   前記基板を保持する基板保持部と、
   前記チャンバーの上部に設置され、前記チャンバー内に気体を供給するファンフィルタユニットと、
   前記ファンフィルタユニットと前記基板との間に位置し、前記基板の上面を遮蔽する遮蔽部材と、
   前記遮蔽部材を移動させる移動部と、
   前記遮蔽部材に設けられたノズルから不活性ガスを供給するガス供給部と
   を備え、
   前記遮蔽部材が前記基板保持部から離れた退避位置に位置する場合、前記ファンフィルタユニットを含む上方領域と前記基板保持部を含む下方領域とは、前記遮蔽部材および前記チャンバーによって分離される、基板処理装置。
2. 前記チャンバーは、
   上部、側部および底部を有する筐体と、
   前記筐体の前記側部から突出した突出部と
   を含み、
   前記遮蔽部材が前記退避位置に位置する場合、前記遮蔽部材の少なくとも一部は前記突出部と隣接する、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記遮蔽部材の外径は、前記突出部の内径の最小値よりも小さい、請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記遮蔽部材の外径は、前記突出部の内径の最小値よりも大きい、請求項２に記載の基板処理装置。
5. 前記突出部には、前記基板を搬送するための搬送路が設けられる、請求項２から４のいずれかに記載の基板処理装置。
6. 前記搬送路にむけて不活性ガスを供給する搬送路ガス供給部をさらに備える、請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記基板保持部の周囲に配置されたカップをさらに備える、請求項５または６に記載の基板処理装置。
8. 前記カップは、前記搬送路を覆う、請求項７に記載の基板処理装置。
9. 前記退避位置において、前記ガス供給部は、前記チャンバー内に前記不活性ガスを供給する、請求項１から８のいずれかに記載の基板処理装置。
10. 前記遮蔽部材は、前記基板の上面を遮蔽する遮蔽板を有する、請求項１から９のいずれかに記載の基板処理装置。
11. 前記遮蔽板は、
    前記基板と対向する本体部と、
    前記本体部から鉛直下方に延びた突起部と
    を含む、請求項１０に記載の基板処理装置。
12. 前記遮蔽部材は、前記基板の上面を遮蔽する遮蔽板を有し、
    前記遮蔽部材は、前記遮蔽板よりも鉛直上方に位置する封止板をさらに有し、
    前記遮蔽部材が前記退避位置に位置する場合、前記封止板は前記突出部と対向する、請求項２に記載の基板処理装置。
13. 前記遮蔽板は、
    前記基板と対向する本体部と、
    前記本体部から鉛直上方に延びた接続部と、
    前記接続部から水平方向に延伸した延伸部と
    を含む、請求項１０に記載の基板処理装置。
14. 前記遮蔽部材が前記基板と対向する近接位置に位置する場合、前記ガス供給部は前記基板に前記不活性ガスを供給する、請求項１から１３のいずれかに記載の基板処理装置。
15. 前記遮蔽部材が前記近接位置に位置する場合、前記ファンフィルタユニットは前記チャンバー内に気体を供給する、請求項１４に記載の基板処理装置。
16. 前記遮蔽部材が前記退避位置に位置する場合に前記ガス供給部から供給される前記不活性ガスの流量は、前記遮蔽部材が前記近接位置に位置する場合に前記ガス供給部から供給される前記不活性ガスの流量よりも大きい、請求項１４または１５に記載の基板処理装置。
17. 前記ガス供給部から供給される前記不活性ガスの流量は、前記ファンフィルタユニットから供給される前記気体の流量よりも小さい、請求項１から１６のいずれかに記載の基板処理装置。

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