TWI843112B - 基板處理方法以及基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明的課題在於提供一種使阻劑的剝離能力提升之技術。本發明的用以解決課題的手段的基板處理方法係具備：保持工序(步驟S1)，係使保持部1保持設置有阻劑的基板W；第一電漿處理工序(步驟S2)，係對被保持部1保持的基板W照射電漿；液膜形成工序(步驟S3)，係在進行第一電漿處理工序後，於被保持部1保持的基板W形成處理液的液膜；第二電漿處理工序(步驟S5)，係在進行液膜形成工序後，對被保持部1保持的基板W照射電漿；以及清洗工序(步驟S6)，係在進行第二電漿處理工序後，從被保持部1保持的基板W沖洗液膜。

Description

基板處理方法以及基板處理裝置

本發明係有關於一種基板處理方法以及基板處理裝置。

在半導體裝置的製造製程中，為了對基板的主表面選擇性地進行蝕刻、離子植入等，會有設置有作為遮罩(mask)的阻劑(resist)之情形。在進行蝕刻、離子植入後，由於阻劑變得不需要，因此進行用以剝離(去除)阻劑之處理。用以剝離設置於基板的阻劑之手法係有各種方式(例如專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2020-88208號公報。

[發明所欲解決之課題]

作為用以剝離設置於基板的阻劑之手法的一種，已知有一種手法，係於基板形成包含硫酸的處理液的液膜，並對液膜照射電漿。在此種手法中，電漿所含有的活性物種係與硫酸反應，藉此產生卡洛酸(Caro's acid)( peroxymonosulfuric acid；過氧單硫酸；H ₂SO ₅)，卡洛酸係將阻劑氧化，藉此剝離阻劑。

卡洛酸的氧化力非常的高，藉由上述手法，能實現非常高的剝離能力。然而，在阻劑的膜厚特別大之情形、離子植入量特別多之情形、含有相性差的聚合物之情形等中，亦會有阻劑充分被剝離非常耗時以及硫酸的使用量變多之問題。因此，謀求使阻劑的剝離能力進一步提升之技術。

本發明係有鑑於此種課題而研創，目的在於提供一種使阻劑的剝離能力提升之技術。 [用以解決課題的手段]

第一態樣的基板處理方法係具備：保持工序，係使保持部保持設置有阻劑的基板；第一電漿處理工序，係對被前述保持部保持的前述基板照射電漿；液膜形成工序，係在進行前述第一電漿處理工序後，於被前述保持部保持的前述基板形成處理液的液膜；第二電漿處理工序，係在進行前述液膜形成工序後，對被前述保持部保持的前述基板照射電漿；以及清洗工序，係在進行前述第二電漿處理工序後，從被前述保持部保持的前述基板沖洗液膜。

第二態樣的基板處理方法係如第一態樣所記載之基板處理方法，其中具備：膜厚測量工序，係測量在前述液膜形成工序中所形成的液膜的厚度。

第三態樣的基板處理方法係如第二態樣所記載之基板處理方法，其中依據在前述膜厚測量工序中所獲得的測量值來調整前述第二電漿處理工序的處理條件。

第四態樣的基板處理方法係如第一態樣至第三態樣中任一態樣所記載之基板處理方法，其中在前述第一電漿處理工序中供給用以促進電漿的產生之氣體。

第五態樣的基板處理方法係如第一態樣至第四態樣中任一態樣所記載之基板處理方法，其中在已停止供給用以促進電漿的產生之氣體的狀態下進行前述第二電漿處理工序。

第六態樣的基板處理方法係如第一態樣至第四態樣中任一態樣所記載之基板處理方法，其中在前述第二電漿處理工序中供給用以促進電漿的產生之氣體。

第七態樣的基板處理方法係如第一態樣至第六態樣中任一態樣所記載之基板處理方法，其中在前述第一電漿處理工序中，一邊從與被前述保持部保持的前述基板的主表面對向配置的電漿照射部對前述基板照射電漿，一邊使前述基板以預定的旋轉數繞著與前述主表面正交的旋轉軸旋轉；前述預定的旋轉數為5rpm以上至20rpm以下。

第八態樣的基板處理方法係如第一態樣至第七態樣中任一態樣所記載之基板處理方法，其中在前述第二電漿處理工序中，一邊從與被前述保持部保持的前述基板的主表面對向配置的電漿照射部對前述基板照射電漿，一邊使前述基板以30rpm以下的旋轉數繞著與前述主表面正交的旋轉軸旋轉或者不使前述基板繞著與前述主表面正交的前述旋轉軸旋轉。

第九態樣的基板處理方法係如第一態樣至第八態樣中任一態樣所記載之基板處理方法，其中在前述第一電漿處理工序中，從與被前述保持部保持的前述基板的主表面之間隔著第一分離距離對向配置的電漿照射部對前述基板照射電漿；在前述第二電漿處理工序中，從與被前述保持部保持的前述基板的前述主表面之間隔著比前述第一分離距離還小的第二分離距離對向配置的前述電漿照射部對前述基板照射電漿。

第十態樣的基板處理裝置係具備：保持部，係保持基板；電漿照射部，係對被前述保持部保持的前述基板照射電漿；處理液供給部，係對被前述保持部保持的前述基板供給處理液並於前述基板形成前述處理液的液膜；以及控制部，係使前述電漿照射部對被前述保持部保持的前述基板照射電漿；前述控制部係使電漿照射至形成有前述液膜之前的前述基板，並進一步地使電漿照射至形成有前述液膜之後的前述基板。 [發明功效]

依據第一態樣的基板處理方法，在形成有處理液的液膜之前與之後，對基板照射電漿。在對形成有處理液的液膜之前的基板照射電漿中(第一電漿處理工序)，電漿直接作用於阻劑，藉此進行阻劑所含有的聚合物的分解(低分子化)等，從而阻劑變質成容易被剝離的膜質。另一方面，在對形成有處理液的液膜之後的基板照射電漿中(第二電漿處理工序)，電漿作用於處理液，藉此能一邊提高處理液的處理能力一邊進行處理液對於阻劑的剝離。亦即，在基板處理方法中，藉由第一電漿處理工序中的電漿照射，阻劑的膜質變質成容易被剝離的狀態，並藉由已經藉由第二電漿處理工序中的電漿照射提高處理能力的處理液進行阻劑的剝離。因此，即使為阻劑較難被剝離的情形亦能毫無困難地剝離阻劑。亦即，能使阻劑的剝離能力提升。

依據第二態樣的基板處理方法，測量在液膜形成工序中所形成的液膜的厚度。在液膜形成工序中會有下述情形：即使將處理條件設定成相同，實際上所形成的液膜的厚度亦多少會在基板間存在偏差。再者，認為在對形成液膜之前的基板照射電漿從而使阻劑的膜質變質之情形中特別容易產生此種偏差。當基板間於液膜的厚度存在偏差時，會有於第二電漿處理工序中的電漿處理的進行速度產生偏差從而無法在基板間確保處理的均勻性之疑慮，然而藉由測量液膜的厚度能察覺會產生此種偏差的狀況。

依據第三態樣的基板處理方法，基於在膜厚測量工序中所獲得的測量值來調整第二電漿處理工序的處理條件。因此，即使基板間於液膜的厚度產生偏差，亦能以抵消偏差之方式來調整第二電漿處理工序的處理條件，藉此能避免在基板間產生處理的偏差。

依據第四態樣的基板處理方法，由於在第一電漿處理工序中供給用以促進電漿的產生之氣體，因此能使電漿處理有效地進行。

依據第五態樣的基板處理方法，由於第二電漿處理工序係在停止供給氣體的狀態下進行，因此形成於基板的液膜不會受到氣體流動的影響而搖動或者被推流。因此，充分地確保基板的面內的處理的均勻性。

依據第六態樣的基板處理方法，由於在第二電漿處理工序中供給用以促進電漿的產生之氣體，因此能使電漿處理有效地進行。

依據第七態樣的基板處理方法，在第一電漿處理工序中基板以5rpm以上至20rpm以下的旋轉數旋轉。即使假設電漿中的活性物種的分布不均勻，由於亦能藉由使基板旋轉從而使活性物種無遺漏地作用於基板的主表面的全部區域，因此能提高基板的面內的處理的均勻性。另一方面，雖然當基板旋轉時的旋轉數過大時會有引起氣流的混亂從而使電漿中的活性物種的分布產生不均勻(亦即基板的面內的處理的均勻性反而會降低)之疑慮，然而藉由將旋轉數設定成20rpm以下即能避免產生此種事態。

依據第八態樣的基板處理方法，由於在第二電漿處理工序中使基板以30rpm以下的旋轉數旋轉或者不使基板旋轉，因此能抑制形成於基板的液膜搖動或者偏移。因此，充分地確保基板的面內的處理的均勻性。

在第九態樣的基板處理方法中，在第一電漿處理工序與第二電漿處理工序之間構成為基板與電漿照射部之間的分離距離不同。雖然此種分離距離愈小愈能促進電漿處理，然而當此種分離距離過小時會有於基板與電漿照射部之間產生放電之疑慮。在此，當於基板形成有液膜時，與未形成有液膜的狀態相比變得難以產生放電。亦即，為了避免放電必須確保的最小的分離距離係在基板形成有液膜的狀態下比在基板未形成有液膜的狀態下還小。在此種態樣的基板處理方法中，將第二電漿處理工序中的基板與電漿照射部之間的分離距離設定成比第一電漿處理工序中的基板與電漿照射部之間的分離距離還小，藉此能夠在第一電漿處理工序以及第二電漿處理工序中分別一邊抑制產生放電一邊充分地促進電漿處理。

依據第十態樣的基板處理裝置，對形成有處理液的液膜之前的基板照射電漿，並進一步地對形成有處理液的液膜之後的基板亦照射電漿。由於藉由前者的電漿照射阻劑的膜質變質成容易被剝離的狀態，且藉由已經藉由後者的電漿照射而提高處理能力的處理液進行阻劑的剝離，因此即使為阻劑較難被剝離的情形亦能毫無困難地剝離阻劑。亦即，能使阻劑的剝離能力提升。此外，在此，由於前者與後者的電漿照射係在相同的裝置進行，因此與以第一裝置對形成有處理液的液膜之前的基板照射電漿並將該基板從第一裝置移動至第二裝置後再以該第二裝置對形成有液膜之後的基板照射電漿之構成相比，能大幅地縮短處理時間。

以下，一邊參照隨附的圖式一邊說明實施形態。此外，實施形態所記載的構成要素僅為例示，並非是用以將本發明的範圍限定於這些構成要素。為了容易理解，會有在圖式中因應需要誇張地或者簡略地圖示各個部分的尺寸或者數量之情形。

只要未特別地說明，則用以表示相對性或者絕對性的位置關係之表現(例如「朝一方向」、「沿著一方向」、「平行」、「正交」、「中心」、「同心」以及「同軸」等)係不僅嚴密地表示所指稱的位置關係，亦表示在公差或者能獲得相同程度的功能之範圍內角度或者距離已相對性地位移的狀態。只要未特別地說明，則用以表示相等的狀態之表現(例如「相同」、「相等」以及「均質」等)係不僅表示定量地且嚴密地相等的狀態，亦表示存在公差或者能獲得相同程度的功能之誤差的狀態。只要未特別地說明，則用以表示形狀之表現(例如「圓形狀」、「四角形狀」或者「圓筒形狀」等)係不僅幾何學性地且嚴密地表示所指稱的形狀，亦表示在能獲得相同程度的功效的範圍內具有例如凹凸或者倒角等的形狀。「具備」、「具有」、「具備有」、「含有」或者「包含」一個構成要素之此種表現並非是將其他的構成要素的存在排除之排他式的表現。「A、B以及C的至少任一者」之此種表現係包含「只有A」、「只有B」、「只有C」、「A至C中的任兩者」以及「A至C全部」。

[1.基板處理系統的整體構成] 參照圖1說明基板處理系統100的構成。圖1係示意性地顯示基板處理系統100的構成之俯視圖。

基板處理系統100為用以對作為處理對象的基板W進行預定的處理之處理系統，並具備介面部110、索引(indexer)部120、本體部130以及控制部140。在基板處理系統100中作為處理對象的基板W係例如為半導體基板。此外，作為處理對象的基板W的形狀係例如為圓板形狀，且基板W的尺寸(直徑)係例如為約300mm。

介面部110為用以將承載器(carrier)C連接於基板處理系統100之介面，該承載器C為用以收容複數片基板W之基板收容器；具體而言，介面部110係例如具備下述構成：載置有承載器C的複數個(在圖中的例子中為三個)裝載埠111係排成一列地排列於水平方向。承載器C係可為用以將基板W收納於密閉空間之形式(例如前開式晶圓傳送盒(FOUP；Front Opening Unified Pod)、標準機械化介面(SMIF；Standard Mechanical Inter Face)盒等)，亦可為用以將基板W暴露於外氣之形式(例如開放式匣(OC；Open Cassette)等)。

索引部120為配置於介面部110與本體部130之間之部分，並具備索引機器人121。

索引機器人121為搬運機器人，用以在被載置於各個裝載埠111的承載器C與主搬運機器人131(後述)之間搬運基板W，並構成為包含手部121a、臂121b以及驅動部等，手部121a係用以保持基板W，臂121b係連接於手部121a，驅動部係用以使臂121b伸縮、迴旋以及升降。索引機器人121係對被載置於各個裝載埠111的承載器C進行存取(access)，從而進行搬出動作(亦即，以手部121a取出被收容於承載器C的未處理的基板W之動作)以及搬入動作(亦即，將被手部121a保持的處理完畢的基板W搬入至承載器C之動作)。此外，索引機器人121係對索引機器人121與主搬運機器人131之間的傳遞位置T進行存取，從而在索引機器人121與主搬運機器人131之間進行基板W的傳遞。

本體部130係具備主搬運器人131以及複數個(例如十二個)處理單元132。在此，例如層疊於鉛直方向的複數個(例如三個)處理單元132係構成一個塔，該塔係以圍繞主搬運機器人131的周圍設置複數個(例如四個)。

主搬運機器人131為搬運機器人，用以在索引機器人121與各個處理單元132之間搬運基板W，並構成為包含手部131a、臂131b以及驅動部等，手部131a係用以保持基板W，臂131b係連接於手部131a，驅動部係用以使臂131b伸縮、迴旋以及升降。主搬運機器人131係對各個處理單元132進行存取，從而進行搬入動作(亦即，將被手部131a保持的處理對象的基板W搬入至處理單元132之動作)以及搬出動作(亦即，以手部131a取出被收容於處理單元132的處理完畢的基板W之動作)。此外，主搬運機器人131係對主搬運機器人131與索引機器人121之間的傳遞位置T進行存取，從而在主搬運機器人131與索引機器人121之間進行基板W的傳遞。

處理單元132為用以對基板W進行預定的處理之裝置。處理單元132的具體性的構成係容後述。

控制部140為用以控制基板處理系統100所具備的各部的動作之要素，且例如藉由具有電性電路的一般的電腦所構成。具體而言，如圖2所示，控制部140係例如夠成為包含下述構成等：CPU(Central Processor Unit；中央處理單元)141，係作為中央運算裝置，用以負責資料處理；ROM(Read Only Memory；唯讀記憶體)142，係儲存基本程式等；RAM(Random Access Memory；隨機存取記憶體)143，係在CPU141進行預定的處理(資料處理)時作為作業區域來使用；記憶裝置144，係藉由快閃記憶體、硬碟裝置等非揮發性記憶裝置所構成；以及匯流排線145，係相互地連接這些構件。於記憶裝置144儲存有程式P，程式P係用以規定控制部140所執行的處理；CPU141係執行程式P，藉此控制部140係能執行程式P所規定的處理。此外，亦可藉由專用的邏輯電路等硬體來執行控制部140所執行的處理的一部分或者全部。

控制部140亦可構成為主控制部與複數個區域控制部能夠通訊地連接，主控制部係統括地控制基板處理系統100整體的動作。在此種情形中，亦可於複數個處理單元132分別對應地設置有至少一個區域控制部，該區域控制部係基於來自主控制部的指示來控制對應的處理單元132的動作。此外，在採用此種構成之情形中，主控制部以及各個區域控制部亦可各自個別地具備CPU141、ROM142、RMA143、記憶裝置144以及匯流排線145的一部分或者全部。

[2.處理單元132] 接著，參照圖3說明處理單元132的構成。圖3係示意性地顯示處理單元132的構成之側視圖。此外，如上所述，雖然於本體部130設置有複數個處理單元132，然而這些複數個處理單元132中的至少一個處理單元132只要具有以下所說明的構成即可。亦即，亦可於複數個處理單元132中包含具有與以下所說明的構成不同的構成。

處理單元132係例如為處理裝置，用以進行剝離(去除)設置於基板W的阻劑之處理，並相當於基板處理裝置。處理單元132為所謂的葉片式的處理裝置，用以逐片地處理屬於處理對象的基板W。

處理單元132係具備保持部1、液體供給部2、膜厚測量部3、電漿產生部4、阻隔部5、氣體供給部6以及防護罩(guard)部7。此外，處理單元132係具備腔室(chamber)8，腔室8係收容保持部1、液體供給部2、膜厚測量部3、電漿產生部4、阻隔部5、氣體供給部6以及防護罩部7所具備的要素的至少一部分(例如基座部11、處理液噴嘴21、清洗液噴嘴22、膜厚感測器31、電漿反應器41、阻隔板51、氣體噴嘴61以及防護罩71等)。較佳為藉由風扇過濾器單元(FFU；fan filter unit)81等於腔室8的內部空間形成有潔淨空氣的降流(down flow)。

[保持部1] 保持部1為用以保持成為處理對象的基板W之要素，且例如具備基座部11、旋轉機構13以及複數個夾具銷(chuck pin)12。

基座部11為直徑比基板W稍微大的圓板形狀的構件，且以使厚度方向沿著鉛直方向的姿勢配置。複數個夾具銷12係設置於基座部11的上表面，且沿著基座部11的上表面的周緣隔著間隔配置。各個夾具銷12係構成為因應來自控制部140的指示在夾持位置與解除位置之間位移，該夾持位置為各個夾具銷12接觸至基板W的周緣之位置，該解除位置為各個夾具銷12從基板W的周緣離開之位置；各個夾具銷12配置於夾持位置，藉此基板W係以水平姿勢(基板W的厚度方向沿著鉛直方向的姿勢)被保持在基座部11的上方。

旋轉機構13為用以使基座部11旋轉之機構。具體而言，旋轉機構13係例如構成為包含：軸件(shaft)13a，係在上端處與基座部11的下表面連結；以及馬達13b，係連接於軸件13a的下端。在此，例如，與被保持在基座部11上的基板W的主表面正交且通過基板W的主表面的中心之軸係被界定成旋轉軸Q，軸件13a係與旋轉軸Q同軸地設置。而且，馬達13b係因應來自控制部140的指示，以控制部140所指示的旋轉數使軸件13a繞著旋轉軸Q旋轉。軸件13a係接受馬達13b的驅動而旋轉，藉此基座部11連同被保持於基座部11上的基板W係繞著旋轉軸Q旋轉。如此，包含旋轉機構13而構成的保持部1(亦即能一邊保持基板W一邊使基板W旋轉之保持部1)亦被稱為自轉夾具(spin chuck)等。此外，自轉夾具中的基座部11亦被稱為自轉基座(spin base)等。

[液體供給部2] 液體供給部2為用以對被保持部1保持的基板W供給液體之要素，且例如具備處理液噴嘴21、清洗液噴嘴22以及噴嘴移動機構23。

處理液噴嘴21為用以對被保持部1保持的基板W供給處理液之噴嘴，且例如為於一端面形成有噴出口21a之直式(straight)的噴嘴。處理液噴嘴21係經由處理液供給管211連接於處理液供給源212，處理液供給源212係儲留預定的處理液(在此為硫酸)。此外，於處理液供給管211夾設有閥213以及流量調整部214。閥213為用以切換供給通過處理液供給管211的處理液以及停止供給通過處理液供給管211的處理液之閥，且被控制部140控制。流量調整部214係藉由例如質量流量控制器(mass flow controller)所構成，並在控制部140的控制下調整於處理液供給管211流動的處理液的流量。在此種構成中，當閥213打開時，被流量調整部214調整的預定流量的處理液係從處理液供給源212通過處理液供給管211被供給至處理液噴嘴21並從噴出口21a被噴出。

在處理液噴嘴21配置於後述的噴嘴處理位置的狀態下，從噴出口21a噴出處理液，藉此處理液係被供給至被保持部1保持的基板W，從而於基板W形成有處理液的液膜(圖8)。亦即，藉由處理液噴嘴21以及連接於處理液噴嘴21的處理液供給管211等構成有處理液供給部，處理液供給部係對被保持部1保持的基板W供給處理液，從而於基板W形成處理液的液膜。

清洗液噴嘴22為用以對被保持部1保持的基板W供給清洗液之噴嘴，且例如為於一端面形成有噴出口22a之直式的噴嘴。清洗液噴嘴22係經由清洗液供給管221連接於清洗液供給源222，清洗液供給源222係儲留預定的清洗液(例如DIW(deionized water；去離子水)、H-DIW、純水、臭氧水、碳酸水、異丙醇等)。於清洗液供給管221夾設有閥223以及流量調整部224。閥223為用以切換供給通過清洗液供給管221的清洗液以及停止供給通過清洗液供給管221的清洗液之閥，且被控制部140控制。流量調整部224係藉由例如質量流量控制器所構成，並在控制部140的控制下調整於清洗液供給管221流動的清洗液的流量。在此種構成中，當閥223打開時，被流量調整部224調整的預定流量的清洗液係從清洗液供給源222通過清洗液供給管221被供給至清洗液噴嘴22並從噴出口22a被噴出。

在清洗液噴嘴22配置於後述的噴嘴處理位置的狀態下，從噴出口22a噴出清洗液，藉此清洗液係被供給至被保持部1保持的基板W(圖11)。亦即，藉由清洗液噴嘴22以及連接於清洗液噴嘴22的清洗液供給管221等構成清洗液供給部，清洗液供給部係對被保持部1保持的基板W供給清洗液。

噴嘴移動機構23為用以使處理液噴嘴21以及清洗液噴嘴22在噴嘴處理位置與噴嘴待機位置之間移動之機構。在此，所謂的「噴嘴處理位置」係指從處理液噴嘴21的噴出口21a以及清洗液噴嘴22的噴出口22a噴出的液體被供給至被保持部1保持的基板W的上側的主表面(上表面)之位置，具體而言例如為基板W的上側的主表面的上方且為在鉛直方向處與基板W的上側的主表面的中心對向之位置(圖8、圖11)。另一方面，所謂的「噴嘴待機位置」係指處理液噴嘴21以及清洗液噴嘴22不會與其他的構件(位於電漿處理位置的電漿反應器41、主搬運機器人131的手部131a等，該主搬運機器人131係相對於基座部11進行基板W的授予以及接受)干擾之位置，具體而言為例如從上方觀看比被保持部1保持的基板W的周緣還外側(徑方向的外側方向)之位置(例如圖6)。

在此，處理液噴嘴21以及清洗液噴嘴22係經由連結構件等而連結，藉此構成噴嘴單元U。而且，具體而言，噴嘴移動機構23係例如包含：臂，係在前端部處與噴嘴單元U連結且略水平地延伸；支柱，係支撐臂的基端部；以及馬達，係使支柱繞著其軸心旋轉。馬達係因應來自控制部140的指示使支柱以控制部140所指示的旋轉角度繞著其軸心旋轉。支柱的位置以及臂的長度係以下述方式制定：當支柱接受馬達的驅動而旋轉時，臂係迴旋，連結於臂的前端之噴嘴單元U係沿著圓弧狀的軌跡移動，藉此處理液噴嘴21以及清洗液噴嘴22的噴嘴處理位置與噴嘴待機位置係被配置於該圓弧狀的軌跡上。亦即，噴嘴單元U係沿著該圓弧狀的軌跡移動，藉此處理液噴嘴21以及清洗液噴嘴22係在各自的噴嘴處理位置與噴嘴待機位置之間移動。

[膜厚測量部3] 膜厚測量部3為用以測量形成於被保持部1保持的基板W的處理液的液膜的厚度(膜厚)之要素，且例如具備膜厚感測器31以及感測器移動機構32。

膜厚感測器31為用以測量膜厚之感測器(所謂的膜厚計)。具體而言，膜厚感測器31係例如為利用了光的干擾之反射分光膜厚計，且具備發光器、分光器、受光器、算出器等。在膜厚感測器31測量膜厚時，首先，發光器係將測量用的光線照射至形成有處理液的液膜的基板W的主表面。如此，被照射的光線的一部分係在液膜的液面反射，剩餘的一部分係在基板W的主表面反射。這兩個反射光彼此干擾的干擾光係射入至分光器並被分光器分光。受光器係接收被分光的光線，並針對每個波長測量光線的強度。接著，算出器係基於所獲得的計測值來算出膜厚的測量值。算出的測量值係被輸出至控制部140。

感測器移動機構32為用以使膜厚感測器31在膜厚測量位置與感測器待機位置之間移動之機構。在此，所謂的「膜厚測量位置」係指膜厚感測器31測量形成於被保持部1保持的基板W的上側的主表面的液膜的厚度之位置，具體而言為基板W的上側的主表面的上方且在鉛直方向處與在基板W的上側的主表面的面內預先規定的測量對象位置對向之位置(圖9)。另一方面，所謂的「感測器待機位置」係指膜厚感測器31不會與其他的構件(位於電漿處理位置的電漿反應器41、主搬運機器人131的手部131a等，該主搬運機器人131係相對於基座部11進行基板W的授予以及接受)干擾之位置，具體而言為例如從上方觀看比被保持部1保持的基板W的周緣還外側(徑方向的外側方向)之位置(例如圖6)。

在此，用以使處理液噴嘴21以及清洗液噴嘴22移動之噴嘴移動機構23係擔任作為用以使膜厚感測器31移動之感測器移動機構32的功能。亦即，膜厚感測器31係經由連結構件等而與處理液噴嘴21以及清洗液噴嘴22連結，藉此與處理液噴嘴21以及清洗液噴嘴22一起構成噴嘴單元U，噴嘴移動機構23(亦即作為感測器移動機構32之噴嘴移動機構23)係使噴嘴單元U沿著圓弧狀的軌跡移動，藉此膜厚感測器31係在被規定在該圓弧狀的軌跡上的膜厚測量位置與感測器待機位置之間移動。

[電漿產生部4] 電漿產生部4為用以使電漿產生並將所產生的電漿照射至被保持部1保持的基板W之要素，且例如具備電漿反應器41、電源42以及電漿反應器移動機構43。電漿產生部4係能在大氣壓下使電漿產生。然而，在此所謂的「大氣壓」係例如為標準氣壓的80%以上至標準氣壓的120%以下。

電漿反應器41為用以對對象物(在此為被保持部1保持的基板W)照射電漿之照射部(電漿照射部)。具體而言，電漿反應器41係例如為扁平的平型形狀，且以使厚度方向(後述的Z方向)沿著鉛直方向的姿勢配置於被保持部1保持的基板W的上方且為在鉛直方向處與該基板W的主表面對向之位置。電漿反應器41係俯視觀看時例如為圓形狀，且作成與成為處理對象的基板W相同程度的(或者比該基板W稍大的)尺寸。

參照圖3以及圖4更具體性地說明電漿反應器41的構成。圖4係概略性地顯示電漿反應器41的構成之俯視圖。

電漿反應器41係具備一對電極部(第一電極部411以及第二電極部412)。一對第一電極部411以及第二電極部412係將藉由介電體材料(例如石英、陶瓷等)所形成的區隔板413夾在中間並設置成於厚度方向層疊。具體而言，於圓板形狀的區隔板413的厚度方向的一側設置有第一電極部411，於圓板形狀的區隔板413的厚度方向的另一側設置有第二電極部412。以下，為了方便說明，將層疊了第一電極部411、區隔板413以及第二電極部412的方向界定成「Z方向」。此外，將在與Z方向正交的面內中之用以規定後述的第一集合電極411b以及第二集合電極412b之圓弧的弦方向界定成「Y方向」，將與Z方向以及Y方向正交之方向界定成「X方向」。

第一電極部411係全體呈梳齒形狀，且具備下述構成：藉由適當的導電性材料(例如鎢)所形成的複數個線狀電極(以下稱為第一線狀電極411a)係經由藉由適當的導電性材料(例如鋁)所形成的集合電極(以下稱為第一集合電極411b)而連接。各個第一線狀電極411a為以使長邊方向沿著X方向的姿勢所配置之棒狀的電極，且複數個第一線狀電極411a係隔著一定的間隔沿著Y方向排列。另一方面，第一集合電極411b係俯視觀看時為圓弧狀的平板形狀的電極，且於第一集合電極411b的內周緣側連接有各個第一線狀電極411a的端部。

與第一電極部411同樣地，第二電極部412係全體呈梳齒形狀，且具備下述構成：藉由適當的導電性材料(例如鎢)所形成的複數個線狀電極(以下稱為第二線狀電極412a)係經由藉由適當的導電性材料(例如鋁)所形成的集合電極(以下稱為第二集合電極412b)而連接。各個第二線狀電極412a為以使長邊方向沿著X方向的姿勢所配置之棒狀的電極，且複數個第二線狀電極412a係隔著一定的間隔沿著Y方向排列。另一方面，第二集合電極412b係俯視觀看時為圓弧狀的平板形狀的電極，且於第二集合電極412b的內周緣側連接有各個第二線狀電極412a的端部。

第一電極部411以及第二電極部412係以下述位置關係配置：從Z方向觀看時第一集合電極411b以及第二集合電極412b的各個端部係對向，第一集合電極411b的膨脹方向係朝向－X方向，第二集合電極412b的膨脹方向係朝向＋X方向。在此種狀態下，從Z方向觀看於彼此相鄰的第一線狀電極411a之間配置有第二線狀電極412a。亦即，從Z方向觀看於被第一集合電極411b以及第二集合電極412b圍繞的略圓形狀的區域內沿著Y方向交互地配置有第一線狀電極411a以及第二線狀電極412a。

至少各個第一線狀電極411a以及各個第二線狀電極412a係被介電管414覆蓋。介電管414係藉由介電體材料(例如石英、陶瓷等)所形成，藉由被介電管414覆蓋，保護各個第一線狀電極411a以及各個第二線狀電極412a不受電漿影響。

電源42為用以使電漿產生之電漿用電源，並與電漿產生器41連接。具體而言，從電源42延伸的一對配線的一方係連接於第一電極部411(具體而言為第一集合電極411b)，從電源42延伸的一對配線的另一方係連接於第二電極部412(具體而言為第二集合電極412b)。

具體而言，電源42係例如藉由高頻電源所構成，並被控制部140控制。當電源42因應來自控制部140的指示對第一電極部411與第二電極部412之間施加預定的電壓(例如十數kV至數十kHz左右的高頻電壓)時，於第一線狀電極411a與第二線狀電極412a之間產生電場，藉此第一線狀電極411a以及第二線狀電極412a的周圍的氣體係電漿化(所謂的介電體障壁放電(dielectric barrier discharge))。亦即，產生(點亮)電漿。

此外，於電源42設置有反相器(inverter)電路等切換電源電路以及脈波產生器，脈波產生器係在預定的週期所產生的脈波訊號的導通(ON)期間對兩個第一電極部411與第二電極部412之間施加高頻電壓。在此種情形中，主要是在導通期間產生電漿。

電漿反應器移動機構43為用以使電漿反應器41在電漿處理位置與電漿待機位置之間移動(升降)之機構。在此，所謂的「電漿處理位置」係指電漿反應器41對被保持部1保持的基板W進行電漿處理之位置(圖7、圖10)。針對電漿處理位置係容後具體地說明。另一方面，所謂的「電漿待機位置」係指電漿反應器41不對被保持部1保持的基板W進行電漿處理之位置，且為以電漿反應器41所產生的電漿不會作用於該基板W之程度使電漿反應器41與基板W兩者的分離距離充分地變大之位置(例如圖6)。

具體而言，電漿反應器移動機構43係例如構成為包含升降板以及馬達，該升降板係在前端部處與電漿反應器41連結且略水平地延伸。於馬達與升降板之間設置有凸輪(cam)，該凸輪係將馬達的旋轉動作變換成升降板的升降動作。因此，當馬達因應來自控制部140的指示旋轉達至控制部140所指示的旋轉角度時，升降板(連同與升降板連接的電漿反應器41)係上升(或者下降)達至與該旋轉角度相應的距離。原本電漿反應器移動機構43的構成就未限定於此，而是能藉由用以實現升降移動之各種驅動機構來實現。例如，電漿反應器移動機構43亦可構成為包含滾珠螺桿機構以及用以對該滾珠螺桿機構賦予驅動力之馬達，亦可構成為包含汽缸。

[阻隔部5] 阻隔部5為用以將電漿反應器41與電漿反應器41的上方空間阻隔之要素，且例如具備阻隔板51。

阻隔板51為平板狀的構件，作成使厚度方向沿著鉛直方向之姿勢，且配置於電漿反應器41的上方且為在鉛直方向處與電漿反應器41的上表面對向之位置。阻隔板51係作為例如俯視觀看時與電漿反應器41相同的形狀(在此為圓形狀)，且作成與電漿反應器41相同程度的(或者比電漿反應器41稍大的)尺寸。

在此，阻隔板51係經由連結構件等與電漿反應器41連結。因此，當電漿反應器移動機構43使電漿反應器41升降時，阻隔板51係一邊保持與電漿反應器41之間的預定的位置關係一邊與電漿反應器41一體性地升降。

[氣體供給部6] 氣體供給部6為用以對被保持部1保持的基板W與電漿反應器41之間供給氣體之要素，且例如具備氣體噴嘴61。

氣體噴嘴61係用以對被保持部1保持的基板W與電漿反應器41之間噴出氣體之噴嘴，具體而言例如具備噴嘴本體部61a以及設置於噴嘴本體部61a的噴出口61b。噴嘴本體部61a為環狀的構件，且設置成從電漿反應器41的周緣朝下方垂下並從側方圍繞電漿反應器41。噴出口61b係於噴嘴本體部61a的內周面中之朝比電漿反應器41還下方延伸之下端側的區域的例如周方向等間隔地設置複數個。

於噴嘴本體部61a的內部設置有氣體流路，各個噴出口61b係與該氣體流路連通。此外，該氣體流路係經由氣體供給管611連接於用以儲留預定的氣體的氣體供給源612。此外，於氣體供給管611夾設有閥613以及流量調整部614。閥613為用以切換供給通過氣體供給管611的氣體以及停止供給通過氣體供給管611的氣體，並被控制部140控制。流量調整部614係藉由例如質量流量控制器所構成，且在控制部140的控制下調整於氣體供給管611流動的氣體的流量。

在此種構成中，當閥613打開時，被流量調整部614調整的預定流量的氣體係從氣體供給源612通過氣體供給管611被供給至設置於噴嘴本體部61a的內部之氣體流路並從各個噴出口61b被噴出。亦即，氣體係從比電漿反應器41的下表面還稍微下方且設置於比電漿反應器41的下表面的周緣還外側的噴出口61b朝向電漿反應器41的下表面的下方的空間被噴出。此時的氣體的噴出方向為從上方觀看為電漿反應器41的下表面的徑方向(亦即從電漿反應器41的下表面的周緣側通過中心朝向相反的周緣側之方向)，且從側方觀看與電漿反應器41的下表面平行的方向。藉此，氣體係被供給至電漿反應器41的下表面的附近且為電漿反應器41的下側的空間(電漿反應器41的下表面與被保持部1保持的基板W之間的空間)。

此外，在此，氣體噴嘴61係與電漿反應器41連結地設置。因此，當電漿反應器移動機構43使電漿反應器41升降時，氣體噴嘴61係在相對於電漿反應器41配置於預定的相對位置的狀態下與電漿反應器41一體性地升降。

[防護罩部7] 防護罩部7為用以接住從被保持部1保持的基板W飛散的處理液等之要素，且例如具備一個以上(在此為兩個)的防護罩71以及防護罩移動機構72。

防護罩71係構成為包含筒部分71a、傾斜部分71b以及延伸部分71c。筒部分71a為圓筒狀的部分，且設置成圍繞保持部1。傾斜部分71b係設置成與筒部分71a的上端緣連繫，且愈朝向鉛直上方則愈朝向內側方向傾斜。延伸部分71c為平板環狀的部分，且設置成從傾斜部分71b的上端緣在略水平面內朝向內側方向延伸。在設置有複數個防護罩71之情形中，各個防護罩71基本上亦具備同樣的構成。然而，在此種情形中，作成各個防護罩71的尺寸彼此不同，且複數個防護罩71配置成套疊狀。亦即，筒部分71a配置成同心狀，傾斜部分71b以及延伸部分71c係以上下重疊之方式配置成套疊狀。

防護罩移動機構72為用以使防護罩71在防護罩處理位置與防護罩待機位置之間移動(升降)之機構。然而，在設置有複數個防護罩71之情形中，防護罩移動機構72係使各個防護罩71個別獨立地移動。在此，所謂的「防護罩處理位置」係指防護罩71接住從被保持部1保持的基板W飛散的處理液等之位置，具體而言例如為延伸部分71c配置於比該基板W還上方之位置(例如圖8)。另一方面，所謂的「防護罩待機位置」係指防護罩71不會與其他的構件(主搬運機器人131的手部131a等，該主搬運機器人131係用以對基座部11進行基板W的授予與接受)干擾之位置，具體而言例如為延伸部分71c配置於比被保持部1保持的基板W還下方之位置(例如圖6)。

防護罩移動機構72係能藉由用以實現升降移動之各種驅動機構來實現。具體而言，例如防護罩移動機構72係可包含滾珠螺桿機構以及用以對該滾珠螺桿機構賦予驅動力之馬達等，亦可構成為包含汽缸等。如上所述，在設置有複數個防護罩71之情形中，於複數個防護罩71分別設置有各自的驅動機構，從而使各個防護罩71個別獨立地移動。

於防護罩71的下方側設置有排液部73，排液部73係將被防護罩71的內周面接住的處理液等排液。具體而言，排液部73係例如包含設置於防護罩71的下方之罩杯(cup)731以及連接於罩杯731之排液管732等，且構成為：被配置於防護罩處理位置的防護罩71的內周面接住且沿著該防護罩71的內周面流下的處理液係被罩杯731接住並從排液管732被排液。此外，雖然省略圖示，然而在設置有複數個防護罩71之情形中，於各個防護罩71的下方設置有個別的罩杯。

此外，於防護罩71的外側方向設置有排氣部74，排氣部74係將沿著防護罩71的內周面流動的氣體或者霧氣等排氣。具體而言，排氣部74係包含以從外側圍繞防護罩71之方式設置的周壁部741以及連接於周壁部741之排氣管742等，且構成為：被配置於防護罩處理位置的防護罩71的內周面接住且沿著防護罩71的內周面流下的氣體或者霧氣等係被周壁部741接住並從排氣管742被排氣。

[3.處理的流程] 接著，參照圖3、圖5以及圖6至圖11說明在處理單元132所進行的處理的流程。圖5係顯示該處理的流程之圖。圖6至圖11係分別用以說明各個處理工序之圖，且示意性地顯示該處理工序中的各部的狀態。

在以下的說明中，作為處理對象之基板W為例如於至少一方的主表面設置有作為遮罩的阻劑且進行蝕刻、離子植入後的基板W，在處理單元132中進行用以去除不要的阻劑之一連串的處理。以下所說明的一連串的處理係藉由控制部140控制處理單元132所具備的各部從而被進行。

[步驟S1：保持工序] 首先，使保持部1保持成為處理對象的基板W。亦即，當主搬運機器人131將保持著成為處理對象的基板W之手部131a插入至腔室8內並將基板W搬入至處理單元132時，保持部1係以基板W中之設置有阻劑的主表面朝向上側此種水平姿勢保持被搬入的基板W(圖6)。處理液噴嘴21、清洗液噴嘴22、膜厚感測器31、電漿反應器41以及防護罩71係以在進行保持工序的期間不會與手部131a干擾之方式配置於各自的待機位置。

[步驟S2：第一電漿處理工序] 接著，對被保持部1保持的基板W照射電漿。亦即，對形成有處理液的液膜F之前的基板W(露出阻劑的狀態的基板W)照射電漿並進行電漿處理(第一電漿處理)。參照圖7具體地說明第一電漿處理工序。

在該第一電漿處理工序中，從電源42對電漿反應器41施加預定的電壓(電漿生成用的電壓)。藉此，電漿反應器41的周圍的氣體係電漿化從而產生電漿。雖然電漿包含有各種活性物種(在電漿的周圍的氣體為空氣之情形中，例如為氧自由基、羥基自由基(hydroxyl radical)、臭氧氣體等活性物種)，然而活物性種的種類以及數量係根據存在於電漿反應器41的周圍的氣體的種類等而變化。

首先，在該第一電漿處理工序中，打開設置於氣體供給管611的閥613。如此，儲留於氣體供給源612的預定的氣體係以被流量調整部614調整過的預定的流量通過氣體供給管611被供給至氣體噴嘴61，並從各個噴出口61b噴出。亦即，氣體係從比電漿反應器41的下表面的周緣還外側沿著從上方觀看時為電漿反應器41的下表面的徑方向且從側方觀看時為與電漿反應器41的下表面平行的方向噴出。藉此，氣體係被供給至電漿反應器41的下表面附近且為電漿反應器41的下側的空間(電漿反應器41的下表面與被保持部1保持的基板W之間的空間)。

被供給至電漿反應器41的附近之預定的氣體(亦即從氣體噴嘴61噴出的預定的氣體)為用以促進電漿的產生之氣體，具體而言例如為氧系氣體或者氧系氣體與稀有氣體的混合氣體。在此，所謂的「氧系氣體」係指含有氧原子之氣體，具體而言例如為氧氣體、臭氧氣體、二氧化碳氣體、包含這些氣體中的至少兩種氣體之混合氣體等。氧系氣體係被供給至電漿反應器41的附近，藉此促進電漿的產生(尤其是生成氧自由基等此種氧系的活性物種)。此外，作為稀有氣體，能使用例如氦氣體、氬氣體、包含這些氣體中的至少兩種氣體之混合氣體等。稀有氣體係被供給至電漿反應器41的附近，藉此促進電漿的產生(所謂的輔助氣體)。

此外，被供給至電漿反應器41的附近之預定的氣體較佳為不包含氮氣體。氮係能成為具有還原作用(亦即用以使氧系的活性物種失活(deactivation)之作用)之NOx氣體的生成源，對電漿反應器41的附近供給不含有氮氣體之氣體，藉此電漿反應器41的附近的氮的濃度降低，從而抑制NOx的生成。從而，氧系的活性物種難以失活。

在此，從氣體噴嘴61噴出的氣體的流量愈大，則愈促進電漿的產生，電漿中的活性物種的量愈增加。為了使電漿中產生充分的量的活性物種，從氣體噴嘴61噴出的氣體的流量較佳為例如3L／min以上。然而，當從氣體噴嘴61噴出的氣體的流量過大時，電漿中的活性物種會被氣體推流，從而會有無法使充分的量的活性物種到達至基板W之疑慮。為了抑制此種事態的產生，從氣體噴嘴61噴出的氣體的流量較佳為例如10L／min以下。亦即，從氣體噴嘴61噴出的氣體的流量較佳為3L／min以上至10L／min以下。

此外，於電漿反應器41的周圍所產生的電漿中的活性物種會在較短的時間失活。因此，即使在接近電漿反應器41的位置處存在有充分的量的活性物種，在遠離電漿反應器41的位置處活性物種幾乎都失活。因此，為了使充分的量的活性物種作用於基板W，需要以電漿反應器41與被保持部1保持的基板W之間的分離距離變成充分的小之方式將電漿反應器41充分地接近至基板W。

因此，在該第一電漿處理工序中，電漿反應器移動機構43係使電漿反應器41從電漿待機位置移動(下降)至電漿處理位置(第一電漿處理位置)。電漿反應器41的下降係例如在開始對電漿反應器41施加電壓且開始從氣體噴嘴61噴出氣體後才開始。電漿反應器41開始下降的時間點原本就未限定於此種情形，例如亦可在開始施加電壓以及噴出氣體的至少一者之前先開始電漿反應器41的下降。

在此，「第一電漿處理位置」為電漿反應器41與被保持部1保持的基板W之間的分離距離成為第一分離距離d1之位置。如上所述，電漿反應器41與基板W之間的分離距離愈小，則作用於基板W之活性物種的量愈多。為了使充分的量的活性物種作用於基板W，第一分離距離d1較佳為例如5mm以下。另一方面，當電漿反應器41與基板W之間的分離距離過小時，會有於電漿反應器41與基板W之間產生放電的可能性。為了避免放電的產生，第一分離距離d1較佳為例如3mm以上。亦即，第一分離距離d1較佳為3mm以上至5mm以下。

在被施加有電壓的電漿反應器41配置於第一電漿處理位置的狀態下，從與基板W的主表面對向配置的電漿反應器41對被保持部1保持的基板W照射電漿，從而對該基板W進行電漿處理(第一電漿處理)。在第一電漿處理中，在電漿反應器41的周圍所產生的電漿係直接作用於設置在基板W的主表面的阻劑。具體而言，電漿中的活性物種係與阻劑反應，從而阻劑係被氧化。藉此，阻劑所含有的聚合物的分解(低分子化)等係進行，阻劑係變質成容易被剝離的膜質。當活性物種與阻劑的反應進一步進行時，除了阻劑的變質外還會進行阻劑的剝離，然而在以此種阻劑的剝離進行之前的階段結束第一電漿處理之方式設定處理條件(例如處理時間)。亦即，該第一電漿處理係被定位成是第二電漿處理的預處理，在第一電漿處理中僅限於使阻劑變質，而阻劑的剝離則主要是在後述的第二電漿處理中進行。藉此，能充分地降低基板W所受到的損傷。

此外，在該第一電漿處理工序中，在至少進行第一電漿處理的期間，旋轉機構13係使保持部1(連同被保持部1保持的基板W)以預定的旋轉數繞著與基板W的主表面正交的旋轉軸Q旋轉。假設即使產生於電漿反應器41的下方之電漿中的活性物種的分布不均勻，亦能藉由使基板W旋轉從而使活性物種無遺漏地作用於基板W的主表面的全部區域。亦即，能提高基板W的面內的處理的均勻性。為了充分地確保基板W的面內的處理的均勻性，此時的旋轉數較佳為例如5rpm以上。另一方面，當旋轉數過大時會有下述疑慮：在電漿反應器41與基板W之間引起氣流的混亂，從而使電漿中的活性物種的分布產生不均勻(亦即反而會降低基板W的面內的處理的均勻性)。為了避免此種事態的發生，此時的旋轉數較佳為例如20rpm以下。亦即，此時的旋轉數較佳為例如5rpm以上至20rpm以下。

再者，在該第一電漿處理工序中，在至少進行第一電漿處理的期間，防護罩移動機構72係將防護罩71(在此為兩個防護罩71雙方)配置於防護罩處理位置。因此，在電漿反應器41與基板W之間存在的氣體等擴散至基板W的外側方向之情形中，氣體等係被防護罩(位於內側的防護罩)71的內周面接住，沿著防護罩71的內周面流下並進一步地被周壁部741接住，且從排氣管742被排氣。

當從開始第一電漿處理後經過預定時間時，封閉設置於氣體供給管611的閥613，停止從氣體噴嘴61噴出氣體。此外，電漿反應器移動機構43係使電漿反應器41從第一電漿處理位置移動(上升)至電漿待機位置。之後，為了再次對基板W進行電漿處理(第二電漿處理)，在此持續地對電漿反應器41施加電壓。

[步驟S3：液膜形成工序] 接著，於被保持部1保持的基板W形成處理液(在此為硫酸)的液膜。參照圖8具體地說明該液膜形成工序。

首先，噴嘴移動機構23係使處理液噴嘴21從噴嘴待機位置移動至噴嘴處理位置。當處理液噴嘴21配置於噴嘴處理位置時，打開設置於處理液供給管211的閥213。如此，儲留於處理液供給源212的預定的處理液(在此為硫酸)係以被流量調整部214調整過的預定的流量通過處理液供給管211被供給至處理液噴嘴21，並從噴出口21a被噴出。亦即，朝向被保持部1保持的基板W的上側的主表面噴出處理液，從而將處理液供給至基板W。

在至少對基板W進行處理液的噴出的期間，旋轉機構13係使被保持部1(連同被保持部1保持的基板W)以預定的旋轉數旋轉。因此，著落至基板W的上側的主表面中的預定的位置(例如基板W的上側的主表面的中心)之處理液係藉由離心力迅速地朝基板W的周緣擴展，從而形成覆蓋基板W的上側的主表面的大略整體之處理液的液膜F。作為此時的旋轉數，較佳為例如20rpm至70rpm左右。

此外，在至少保持部1旋轉的期間，防護罩移動機構72係將防護罩71(在此為兩個防護罩71雙方)配置於防護罩處理位置。因此，從基板W的周緣飛散的處理液等係被防護罩(位於內側的防護罩)71的內周面接住，沿著防護罩71的內周面流下並進一步地被罩杯731接住，且從排液管732被排液。被排液的處理液等亦可被回收並再次被利用。

當開始處理液的噴出後經過預定時間時，封閉閥213從而停止從噴出口21a噴出處理液。此外，旋轉機構13係使保持部1(連同被保持部1保持的基板W)的旋轉數降低至充分地的旋轉數或者停止旋轉。形成有液膜F的基板W係在預定時間的期間中以充分低的旋轉數旋轉(或者維持停止旋轉的狀態)，藉此液膜F係穩定地保持在基板W上(所謂的覆漿(paddle)處理。)

[步驟S4：膜厚測量工序] 接著，測量在液膜形成工序中形成於基板W的主表面之處理液的液膜F的厚度(膜厚)。液膜F的厚度基本上是被液膜形成工序的處理條件(具體而言為從噴出口21a噴出的處理液的流量、噴出時間、保持部1的旋轉速度等)規定，該處理條件係因應欲形成的液膜F的厚度(目標膜厚)來規定(目標膜厚係例如為200μm以上至500μm以下)。然而會有下述情形：即使將處理條件設定成相同，實際上所形成的液膜F的厚度在基板W之間多少還是會有偏差。尤其，由於形成於基板W的主表面之阻劑的膜質會因為第一電漿處理而變質，因此認為特別容易產生液膜F的厚度的偏差。因此，在該膜厚測量工序中，測量實際形成於基板W的液膜F的厚度。參照圖9具體地說明該膜厚測量工序。

首先，噴嘴移動機構23(亦即作為感測器移動機構32之噴嘴移動機構23)係使膜厚感測器31移動至膜厚測量位置。如上所述，膜厚測量位置為在鉛直方向處與在被保持部1保持的基板W的上側的主表面的面內預先被規定的測量對象位置對向之位置。當膜厚感測器31配置於膜厚測量位置時，對測量對象位置中的膜厚進行測量，並將所取得的膜厚的測量值輸出至控制部140。

此外，亦可將基板W的主表面的面內的複數個位置作為測量對象位置。亦即，亦可與複數個測量對象位置對應地設定有複數個膜厚測量位置。在此種情形中，噴嘴移動機構23係使膜厚感測器31沿著連結複數個膜厚測量位置之路徑逐漸移動，膜厚感測器31係在已配置於各個膜厚測量位置的時間點對測量對象位置的膜厚進行測量。當取得複數個測量對象位置各自的膜厚的測量值時，膜厚感測器31係例如算出該複數個測量值的平均值，並將該平均值輸出至控制部140。平均值的算出等此種運算處理亦可在控制部140側進行。

此外，在後述的第二電漿處理中，由於電漿係從處理液的液膜F的上表面側作用，因此藉由電漿作用於處理液從而所生成之處理性能高的物質(卡洛酸)有很高的概率會產生於液膜F的上表面附近。因此，液膜F的膜厚愈小，則該物質愈容易到達至基板W(更具體而言為設置於基板W之阻劑)，從而愈容易進行處理(亦即阻劑的剝離)。亦即，第二電漿處理的進行速度係形成於基板W之處理液的液膜F的膜厚愈小(亦即愈薄)則愈變大(亦即愈變快)。因此，會有下述疑慮：當以相同的處理條件對液膜F的膜厚不同的基板W進行第二電漿處理時，會在基板W之間產生處理的偏差。

因此，控制部140係基於從膜厚感測器31所取得的膜厚的測量值來調整第二電漿處理工序的處理條件，藉此在第二電漿處理中抑制在基板W之間產生處理的偏差。具體而言，控制部140係以膜厚的測量值愈小則愈減小(減慢)第二電漿處理的進行速度之方式來調整第二電漿處理工序的處理條件的至少一個處理條件。反之，控制部140係以膜厚的測量值愈大則愈增大(增快)第二電漿處理的進行速度之方式來調整第二電漿處理工序的處理條件的至少一個處理條件。

第二電漿處理的處理條件的一個處理條件係包含第二電漿處理中的電漿反應器41的位置(第二電漿處理位置)。藉由第二電漿處理位置來規定電漿反應器41與被保持部1保持的基板W之間的分離距離，該分離距離愈小則作用於處理液的液膜F之活性物種的量愈變多，從而第二電漿處理的進行速度愈變快。

因此，控制部140係例如以膜厚的測量值愈小則該分離距離愈大之方式來調整第二電漿處理位置。反之，控制部140係以膜厚的測量值愈大則該分離距離愈小之方式來調整第二電漿處理位置。具體而言，調整亦可使用任何的方式來進行。例如，在膜厚的測量值比基準值還小之情形中，只要將第二電漿處理位置修正成比規定的位置還上方即可；膜厚的測量值比基準值還大之情形中，只要將第二電漿處理位置修正成比規定的位置還下方即可。總之，較佳為膜厚的測量值相距於基準值之偏差量愈大，則愈增大相距於規定的位置之修正量。

此外，第二電漿處理的處理條件的一個處理條件為第二電漿處理中的電漿反應器41的電漿輸出值。在此，所謂的「電漿輸出值」係指用以顯示電漿的生成能力之值，例如被作為用以顯示電漿輸出值之指標來使用，電漿輸出值係例如為所生成的電漿的量(例如電子密度)或者所生成的電漿的發光強度等。電漿輸出值愈大，則所發生的電漿的量愈多，從而第二電漿處理的進行速度愈快。電漿輸出值係取決於施加至電漿反應器41之電壓的控制參數(具體而言為所施加的電壓的頻率、被使用於電壓施加的切換之脈波訊號中的導通期間的比例(導通工作比(on duty ratio))、所施加的電壓的電壓值(振幅)等)，基本上各個控制參數的值愈大則電漿輸出值愈大。

因此，控制部140係以例如膜厚的測量值愈小則電漿反應器41的電漿輸出值愈小之方式來調整各個控制參數中的至少一個值。反之，控制部140係以例如膜厚的測量值愈大則電漿反應器41的電漿輸出值愈大之方式來調整各個控制參數中的至少一個值。在此種情形中，具體性的調整亦可藉由任何的方式來進行。例如，在膜厚的測量值比基準值還小之情形中，亦可以變成比既定的值還小之方式來修正各個控制參數中的至少一個值；在膜厚的測量值比基準值還大之情形中，亦可以變成比既定的值還大之方式來修正各個控制參數中的至少一個值。在此種情形中，較佳為膜厚的測量值相距於基準值之偏差量愈大則愈增大相距於規定的值之修正幅度。

[步驟S5：第二電漿處理工序] 接著，對被保持部1保持的基板W照射電漿並進行電漿處理(第二電漿處理)。在第一電漿處理中，對形成有處理液的液膜F之前的基板W(露出阻劑之狀態的基板W)照射電漿；相對於此，在第二電漿處理中，對形成有處理液的液膜F之後的基板W(阻劑被處理液的液膜F覆蓋之狀態的基板W)照射電漿。參照圖10具體地說明該第二電漿處理工序。

如上所述，在第一電漿處理工序之後亦持續從電源42對電漿反應器41施加預定的電壓，電漿反應器41的周圍的氣體(在此為空氣)係電漿化，從而產生包含各種活性物種(例如氧自由基、羥基自由基、臭氧氣體等活性物種)的電漿。為了使電漿作用於被保持部1保持的基板W(具體而言為形成於基板W的主表面之處理液的液膜F)，電漿反應器移動機構43係使電漿反應器41從電漿待機位置移動(下降)至電漿處理位置(第二電漿處理位置)。

在此，「第二電漿處理位置」係指電漿反應器41與被保持部1保持的基板W之間的分離距離成為第二分離距離d2之位置。如上所述，電漿反應器41與基板W之間的分離距離愈小，則作用於基板W(在此為形成於基板W上之處理液的液膜F)之活性物種的量愈多。為了使充分的量的活性物種作用於液膜F，第二分離距離d2較佳為例如3.5mm以下。另一方面，當電漿反應器41與基板W之間的分離距離過小時，會有在電漿反應器41與基板W之間產生放電的可能性。為了避免放電的產生，第二分離距離d2較佳為例如2mm以上。亦即，第二分離距離d2較佳為2mm以上至3.5mm以下。

在此，於基板W形成有液膜F的狀態係比於基板W未形成有液膜F的狀態還難以產生放電。亦即，為了避免產生放電所需要確保的最小的分離距離係在於基板W形成有液膜F的狀態比於基板W未形成有液膜F的狀態還小。因此，在此將第二分離距離d2設定成比第一分離距離d1還小的值，亦即將第二電漿處理位置設定成比第一電漿處理位置還低的位置。藉此，能在第一電漿處理工序以及第二電漿處理工序各者中抑制放電的產生並充分地促進電漿處理。

總之，在基於在膜厚測量工序中所獲得的膜厚的測量值來調整第二電漿處理位置之情形中，電漿反應器41係被配置於調整後的第二電漿處理位置。此外，在基於膜厚的測量值來調整施加至電漿反應器41之電壓的控制參數之情形中，以調整後的值對電漿反應器41施加電壓。

在被施加了電壓的電漿反應器41配置於第二電漿處理位置的狀態下，從與基板W的主表面對向配置的電漿反應器41對被保持部1保持的基板W照射電漿，從而對該基板W進行電漿處理(第二電漿處理)。在第二電漿處理中，於電漿反應器41的周圍產生的電漿係作用於形成在基板W的主表面的處理液(在此為硫酸)的液膜F，藉此能提高處理液的處理性能。具體而言，電漿中的活性物種係與硫酸反應，從而能生成處理性能(在此為氧化力)高的卡洛酸(過氧單硫酸；H ₂SO ₅)。卡洛酸係作用於設置在基板W的主表面的阻劑，藉此阻劑係氧化從而被剝離(去除)。如上所述，在此，在第二電漿處理之前先進行第一電漿處理，並藉由該第一電漿處理將設置於基板W的主表面的阻劑變質成容易被剝離的膜質。因此，即使在阻劑為較難被剝離之情形中，亦能在第二電漿處理中毫無難度地剝離阻劑。

此外，在該第二電漿處理工序中，不進行從氣體噴嘴61噴出氣體。亦即，第二電漿處理係在已停止供給用以促進電漿的產生之氣體的狀態下進行。

此外，在該第二電漿處理工序中，在至少進行第二電漿處理的期間，旋轉機構13係使保持部1(連同被保持部1保持的基板W)以預定的旋轉數繞著與基板W的主表面正交的旋轉軸Q旋轉。如上所述，假設即使產生於電漿反應器41的下方之電漿中的活性物種的分布不均勻，亦能藉由使基板W旋轉從而使活性物種無遺漏地作用於形成在基板W的主表面之液膜F的全部區域。亦即，能提高基板W的面內的處理的均勻性。此外，在電漿反應器41的面內存在熱的偏移等之情形中，雖然會有因為此種影響導致基板W變形成凹狀從而導致液膜F偏移至基板W的中心附近(甚至會造成處理變得不均勻)之疑慮，然而藉由使基板W旋轉從而難以產生此種事態。另一方面，當旋轉數過大時，會有處理液從基板W的主表面溢出且因為離心力而於液膜F產生偏移之疑慮。為了避免此種事態的發生，該旋轉數較佳為例如30rpm以下，更佳為20rpm以下。

再者，在該第二電漿處理工序中，在至少進行第二電漿處理的期間，防護罩移動機構72係將防護罩71(在此為兩個防護罩71雙方)配置於防護罩處理位置。因此，在電漿反應器41與基板W之間存在有氣體、霧氣(例如接受電漿反應器41的熱能而揮發的處理液的霧氣)等擴散至基板W的外側方向之情形中，氣體、霧氣等被防護罩(位於內側的防護罩)71的內周面接住，沿著防護罩71的內周面流下並進一步地被周壁部741接住，且從排氣管742被排氣。

當從開始第二電漿處理後經過預定時間時， 停止對電漿反應器41施加電壓，電漿反應器移動機構43係使電漿反應器41從第二電漿處理位置移動(上升)至電漿待機位置。

[步驟S6：清洗工序] 接著，從被保持部1保持的基板W沖洗處理液(在此為硫酸)的液膜F等(清洗處理)。在清洗工序中，參照圖11具體地說明清洗工序。

首先，噴嘴移動機構23係使清洗液噴嘴22從噴嘴待機位置移動至噴嘴處理位置。當清洗液噴嘴22被配置於噴嘴處理位置時，打開設置於清洗液供給管221的閥223。如此，儲留於清洗液供給源222之預定的清洗液係以被流量調整部224調整過的預定的流量通過清洗液供給管221被供給至清洗液噴嘴22，並從噴出口22a被噴出。亦即，朝向被保持部1保持的基板W的上側的主表面噴出清洗液，從而對基板W供給清洗液。

在至少對基板W進行清洗液的噴出的期間，旋轉機構13係使被保持部1(連同被保持部1保持的基板W)以預定的旋轉數旋轉。因此，著落至基板W的上側的主表面中的預定的位置(例如基板W的上側的主表面的中心)之清洗液係藉由離心力迅速地朝基板W的周緣擴展，從而覆蓋基板W的上側的主表面的大略整體之處理液的液膜F係逐漸被清洗液置換。亦即，處理液的液膜F逐漸被沖洗。

當開始噴出清洗液後經過預定時間時，封閉閥223從而停止從噴出口22a噴出清洗液。另一方面，旋轉機構13係使保持部1的旋轉數上升至充分高的旋轉數。藉此，被保持部1保持的基板W係以高速旋轉，從而使基板W乾燥(所謂的旋乾(spin drying))。

在此，在至少保持部1旋轉的期間，防護罩移動機構72係將外側的防護罩71配置於防護罩處理位置，並將內側的防護罩71配置於防護罩待機位置。因此，從基板W的周緣飛散的處理液以及清洗液等係被位於外側的防護罩71的內周面接住並沿著防護罩71的內周面流下，被與該防護罩71對應地設置的罩杯(未圖示)接住並從與該罩杯連接的排液管(未圖示)排液。

當保持部1在預定時間的期間內以充分高的旋轉數旋轉後，旋轉機構13係停止旋轉保持部1。接著，處理液噴嘴21、清洗液噴嘴22、膜厚感測器31、電漿反應器41以及防護罩71係配置於各自的待機位置，主搬運機器人131係搬出被保持部1保持的基板W。

之後，另一個新的基板W係被搬入至處理單元132，對該新的基板W進行上述一連串的處理(步驟S1至步驟S6)。

[4.功效] 上述實施形態的基板處理方法係具備：保持工序(步驟S1)，係使保持部1保持設置有阻劑的基板W；第一電漿處理工序(步驟S2)，係對被保持部1保持的基板W照射電漿；液膜形成工序(步驟S3)，係在進行第一電漿處理工序後，於被保持部1保持的基板W形成處理液的液膜F；第二電漿處理工序(步驟S5)，係在進行液膜形成工序後，對被保持部1保持的基板W照射電漿；以及清洗工序(步驟S6)，係在進行第二電漿處理工序後，從被保持部1保持的基板W沖洗液膜F。

依據此種構成，在形成有處理液的液膜F之前與之後，對基板W照射電漿。在對形成有處理液的液膜F之前的基板W照射電漿中(第一電漿處理工序)，電漿直接作用於阻劑，藉此進行阻劑所含有的聚合物的分解(低分子化)等，從而阻劑變質成容易被剝離的膜質。另一方面，在對形成有處理液的液膜F之後的基板W照射電漿中(第二電漿處理工序)，電漿作用於處理液，藉此能一邊提高處理液的處理能力一邊進行處理液對於阻劑的剝離。具體而言，電漿所包含的活性物種係與硫酸反應並生成處理性能高的卡洛酸，卡洛酸係與阻劑反應，藉此進行阻劑的剝離。亦即，在此種構成中，藉由第一電漿處理工序中的電漿照射，阻劑的膜質變質成容易被剝離的狀態，並藉由已經藉由第二電漿處理工序中的電漿照射提高處理能力的處理液進行阻劑的剝離。因此，即使為阻劑較難被剝離的情形亦能毫無困難地剝離阻劑。亦即，能提升阻劑的剝離能力。

所謂阻劑較難被剝離的情形係設想例如下述情形等：阻劑的膜厚較大之情形(例如為數微米(micrometer)左右)；離子植入量較多之情形(例如摻雜量為1E16(ion／cm ²)以上)；於阻劑含有難以被剝離的聚合物(例如與所使用的處理液相性差的聚合物)之情形。在這些情形中，當欲僅以第二電漿處理剝離阻劑時，雖然會發生處理時間變長、處理液的使用量變多、由於必須將電漿輸出值設定地非常高因此電力消耗量變大等這些問題，然而在第二電漿處理之前進行第一電漿處理，藉此能避免這些問題。亦即，能實現縮短第二電漿處理所需的處理時間、減少處理液的使用量、減少電力消耗量(省電力化)等。此外，即使在阻劑特別難以被剝離且僅藉由第二電漿處理難以充分地剝離阻劑之情形中，亦會有藉由在第二電漿處理之前進行第一電漿處理從而能剝離阻劑之可能性。

此外，依據上述實施形態的基板處理方法，以在進行設置於基板W的阻劑的剝離之前的階段結束第一電漿處理之方式來設定處理條件(例如處理時間)。亦即，在此，第一電漿處理係被定位成是第二電漿處理的預處理，阻劑的剝離則主要是在第二電漿處理中進行。藉此，能充分地降低基板W所受到的損傷。

此外，上述實施形態的基板處理方法係具備：膜厚測量工序(步驟S4)，係測量在液膜形成工序中所形成的液膜F的厚度。在液膜形成工序中會有下述情形：即使將處理條件設定成相同，實際上所形成的液膜F的厚度亦多少會在基板W之間存在偏差。再者，認為在對形成液膜F之前的基板W照射電漿使阻劑的膜質變質之情形中特別容易產生此種偏差。當基板W之間於液膜F的厚度存在偏差時，會有於第二電漿處理工序中的電漿處理的進行速度產生偏差從而無法在基板W之間確保處理的均勻性之疑慮，然而藉由測量液膜F的厚度能察覺會產生此種偏差的狀況。

此外，上述實施形態的基板處理方法係依據在膜厚測量工序中所獲得的測量值來調整第二電漿處理工序的處理條件。因此，即使基板W之間於液膜F的厚度產生偏差，亦能以抵消偏差之方式來調整第二電漿處理工序的處理條件(具體而言，例如以膜厚的測量值愈小則愈減小(減慢)第二電漿處理的進行速度之方式來調整第二電漿處理的處理條件的至少一個處理條件；以膜厚的測量值愈大則愈增大(增快)第二電漿處理的進行速度之方式來調整第二電漿處理的處理條件的至少一個處理條件)，藉此能避免在基板W之間產生處理的偏差。

此外，上述實施形態的基板處理方法係在第一電漿處理工序中供給用以促進電漿的產生之氣體。依據此種構成，能使第一電漿處理有效地進行。尤其，在第一電漿處理工序中所供給的氣體的供給量被設定成3L／min以上至10L／min以下，藉此能充分地促進電漿的產生，並能抑制電漿中的活性物種被氣體流動推流從而無法到達至基板W之事態的產生。

此外，上述實施形態的基板處理方法係在已停止供給用以促進電漿的產生之氣體的狀態下進行第二電漿處理工序。依據此種構成，形成於基板W的液膜F不會受到氣體流動的影響而搖動或者被推流。因此，充分地確保基板W的面內的處理的均勻性。

此外，上述實施形態的基板處理方法係在第一電漿處理工序中，一邊從與被保持部1保持的基板W的主表面對向配置的電漿照射部(電漿反應器41)對基板W照射電漿，一邊使該基板W以預定的旋轉數繞著與主表面正交的旋轉軸Q旋轉；該預定的旋轉數為5rpm以上至20rpm以下。即使假設電漿中的活性物種的分布不均勻，由於亦能藉由使基板W旋轉從而使活性物種無遺漏地作用於基板W的主表面的全部區域，因此能提高基板W的面內的處理的均勻性。另一方面，雖然當基板W旋轉時的旋轉數過大時會有引起氣流的混亂從而使電漿中的活性物種的分布產生不均勻(亦即基板W的面內的處理的均勻性反而會降低)之疑慮，然而藉由將旋轉數設定成20rpm以下即能避免產生此種事態。

此外，上述實施形態的基板處理方法係在第二電漿處理工序中，一邊從與被保持部1保持的基板W的主表面對向配置的電漿反應器41對基板W照射電漿，一邊使該基板W以預定的旋轉數繞著與主表面正交的旋轉軸Q旋轉，該預定的旋轉數為30rpm以下。依據此種構成，即使假設電漿中的活性物種的分布不均勻，由於亦能藉由使基板W旋轉從而使活性物種無遺漏地作用於液膜F的全部區域，因此能提高基板W的面內的處理的均勻性。另一方面，雖然當基板W旋轉時的旋轉數過大時會有形成於基板W的液膜F搖動或者偏移從而導致基板W的面內的處理的均勻性降低之疑慮，然而在此種構成中能充分地避免產生此種事態。

此外，上述實施形態的基板處理方法係在第一電漿處理工序中，從與被保持部1保持的基板W的主表面之間隔著第一分離距離d1對向配置的電漿反應器41對基板W照射電漿；在第二電漿處理工序中，從與被保持部1保持的基板W的主表面之間隔著比第一分離距離d1還小的第二分離距離d2對向配置的電漿反應器41對基板W照射電漿。亦即，在第一電漿處理工序與第二電漿處理工序之間構成為基板W與電漿反應器41之間的分離距離不同。雖然此種分離距離愈小愈能促進電漿處理，然而當此種分離距離過小時會有於基板W與電漿反應器41之間產生放電之疑慮。在此，當於基板W形成有液膜F時，與未形成有液膜F的狀態相比變得難以產生放電。亦即，為了避免放電必須確保的最小的分離距離係在基板W形成有液膜F的狀態下比在基板W未形成有液膜F的狀態下還小。在此種構成中，將第二電漿處理工序中的基板W與電漿反應器41之間的第二分離距離d2設定成比第一電漿處理工序中的基板W與電漿反應器41之間的第一分離距離d1還小，藉此能夠在第一電漿處理工序以及第二電漿處理工序中分別一邊抑制產生放電一邊充分地促進電漿處理。

此外，上述實施形態的基板處理裝置(處理單元132)係具備：保持部1，係保持基板W；電漿反應器41，係對被保持部1保持的基板W照射電漿；處理液供給部，係對被保持部1保持的基板W供給處理液並於該基板W形成處理液的液膜F；以及控制部140，係使電漿反應器41對被保持部1保持的基板W照射電漿；控制部140係使電漿照射至形成有液膜F之前的基板W，並進一步地使電漿照射至形成有液膜F之後的基板W。

依據此種構成，對形成有處理液的液膜F之前的基板W照射電漿，並進一步地對形成有液膜F之後的基板W亦照射電漿。由於藉由前者的電漿照射阻劑的膜質變質成容易被剝離的狀態，且藉由已經藉由後者的電漿照射而提高處理能力的處理液進行阻劑的剝離，因此即使為阻劑較難被剝離的情形亦能毫無困難地剝離阻劑。亦即，能使阻劑的剝離能力提升。此外，在此，由於前者與後者的電漿照射係在相同的裝置進行，因此與例如以第一裝置對形成有處理液的液膜F之前的基板W照射電漿並將該基板W從第一裝置移送至第二裝置後再以該第二裝置對形成有液膜F之後的基板W照射電漿之構成相比，能大幅地縮短處理時間。

此外，上述實施形態的基板處理裝置所具備的電漿反應器41為平板狀的構件，能使電漿反應器41的主表面的全部區域全面性地產生電漿。電漿全面性地作用於被保持部1保持的基板W的主表面，藉此提升基板W的主表面內的處理的均勻性。

[5.變化例] [5-1.第一變化例] 在上述實施形態中，雖然構成為在第二電漿處理工序中不進行供給用以促進電漿的產生之氣體(亦即從氣體噴嘴61噴出預定的氣體)，然而亦可進行供給用以促進電漿的產生之氣體。亦即，在第二電漿處理工序中，亦可構成為打開設置於氣體供給管611的閥613並從氣體噴嘴61噴出預定的氣體。用以開始噴出氣體的時間點與電漿反應器41開始下降的時間點亦可為任意的前後關係。例如，亦可在電漿反應器41開始下降之前先開始從氣體噴嘴61噴出氣體。

在此種情形中，亦能使用氧系氣體或者氧系氣體與稀有氣體的混合氣體作為所供給的氣體(亦即從氣體噴嘴61噴出的氣體)。如上所述，對電漿反應器41的附近供給氧系氣體，藉此促進電漿的產生(尤其是生成氧自由基等此種氧系的活性物種)。此外，對電漿反應器41的附近供給稀有氣體，藉此促進電漿的產生。此外，較佳為所供給的氣體未包含氮氣體。

依據此種變化例，在第二電漿處理工序中供給用以促進電漿的產生之氣體，藉此能有效地進行第二電漿處理。

此外，在此，氣體噴嘴61係從比電漿反應器41的下表面的周緣還外側沿著從上方觀看為電漿反應器41的下表面的徑方向且從側方觀看與電漿反應器41的下表面平行的方向噴出氣體。亦即，氣體係被噴出至與被保持部1保持的基板W的主表面(連同形成於基板W的主表面之液膜F的上表面)平行的方向。因此，能抑制液膜F受到氣體流動而搖動或者被推流(結果，在第二電漿處理中基板W的面內的處理的均勻性係降低)等此種態樣的產生。

[5-2.第二變化例] 在於第二電漿處理中進行從氣體噴嘴61噴出氣體之情形中，所噴出的氣體的流量亦成為第二電漿處理的處理條件的一個處理條件。亦即，所噴出的氣體的流量愈大則電漿中所產生的活性物種的量愈增加，從而第二電漿處理的進行速度愈快。

因此，能使用從氣體噴嘴61噴出的氣體的流量作為第二電漿處理工序的處理條件，該第二電漿處理工序的處理條件係作為基於在膜厚測量工序(步驟S4)所取得的膜厚的測量值之調整的對象。在此種情形中，控制部140係例如以膜厚的測量值愈小則噴出的氣體的流量愈小之方式進行調整。反之，控制部140係以膜厚的測量值愈大則噴出的氣體的流量愈大之方式進行調整。具體性的調整亦可使用任何的方式來進行。例如，在膜厚的測量值比基準值還小之情形中，只要以氣體的噴出流量變得比既定值還小之方式進行修正即可；在膜厚的測量值比基準值還大之情形中，只要以氣體的噴出流量變得比既定值還大之方式進行修正即可。在此，較佳為膜厚的測量值相距於基準值之偏差量愈大則愈增大相距於規定值之修正幅度。

[5-3.第三變化例] 在於第二電漿處理工序中進行從氣體噴嘴61噴出氣體之情形中，亦可因應電漿反應器41的高度(亦即被保持部1保持的基板W與電漿反應器41之間的分離距離)來切換從氣體噴嘴61噴出的氣體的流量。參照圖12說明此種情形的處理的流程。圖12係用以說明因應電漿反應器41的高度來切換氣體的噴出流量的態樣之圖。

例如，如圖12的上段所示，在電漿反應器41從電漿待機位置(虛線所示的位置)下降至預定的中途位置(例如分離距離d20為10mm以上之預定的位置)的期間，流量調整部614係將從氣體噴嘴61噴出的氣體的流量設定成第一流量，並以第一流量從氣體噴嘴61噴出氣體。在到達至中途位置後，電漿反應器41係在中途位置停止預定時間，在停止的期間亦可持續地以第一流量噴出氣體。

之後，如圖12的下段所示，電漿反應器41係從中途位置(虛線所示的位置)下降至第二電漿處理位置。在開始下降的時間點(或者在開始下降之前、或者在下降的中途、或者在結束下降的時間點)，流量調整部614係將從氣體噴嘴61噴出的氣體的流量從第一流量切換成比第一流量還小的第二流量。在進行此種切換之後，從氣體噴嘴61以比第一流量還小的第二流量噴出氣體。以第二流量噴出的氣體係例如持續至第二電漿處理結束為止。

在電漿反應器41位於較高的位置之狀態下(亦即在基板W與電漿反應器41之間的分離距離較大的狀態下)，形成於基板W的液膜F難以受到氣體流動的影響。此外，由於對基板W與電漿反應器41之間供給氣體時的壓力損失較小，因此氣體容易流入。因此，在此種狀態下，從氣體噴嘴61以較大的流量供給氣體，藉此能抑制液膜F受到氣體流動而搖動或者被推流等此種事態的產生，並能迅速地置換基板W與電漿反應器41之間的氛圍。

另一方面，在電漿反應器41位於較低的位置之狀態下(亦即在基板W與電漿反應器41之間的分離距離較小的狀態下)，形成於基板W的液膜F容易受到氣體流動的影響而搖動或者被推流。此外，在此種狀態下，因為所供給的氣體，亦容易在電漿反應器41與基板W之間產生氣流的混亂。因此，在此種狀態下，從氣體噴嘴61以較小的流量供給氣體，藉此能充分地抑制液膜F受到氣體流動而搖動或者被推流等此種事態的產生。此外，亦能抑制產生氣流的混亂(甚至是於活性物種的分布產生不均勻)。

此外，因應電漿反應器41的高度來切換從氣體噴嘴61噴出的氣體的流量之態樣並未限定於以上所例示的態樣。例如，亦可構成為：在電漿反應器41到達至預定的中途位置的時間點開始以第一流量噴出氣體，將電漿反應器41配置於中途位置且以第一流量噴出氣體之狀態維持預定時間後，電漿反應器41再次開始下降，與此同時流量調整部614係將氣體的噴出流量從第一流量切換成比第一流量還小的第二流量。此外，亦可構成為：預先以預定的流量噴出氣體直至電漿反應器41到達至預定的中途位置為止，並在電漿反應器41到達至中途位置的時間點將氣體的流量切換成零(亦即亦可停止噴出氣體)。

此外，本變化例亦可應用於在第一電漿處理工序中從氣體噴嘴61噴出預定的氣體之情形。亦即，亦可構成為：在第一電漿處理工序中從氣體噴嘴61噴出氣體時，因應電漿反應器41的高度來切換噴出的氣體的流量。

[5-4.關於處理的流程的其他變化例] 在處理單元132所進行的處理的流程以及處理的內容等並未限定於上述實施形態所例示的說明。

例如，在上述實施形態中，雖然在進行第二電漿處理的期間旋轉保持部1(連同被保持部1保持的基板W)，然而亦可構成為在進行第二電漿處理的期間不旋轉保持部1(連同被保持部1保持的基板W)。亦即，亦可構成為在進行第二電漿處理的期間旋轉機構13不使保持部1旋轉而是使保持部1停止。依據此種構成，能抑制形成於基板W的液膜F搖動或者偏移。因此，能充分地確保基板W的面內的處理的均勻性。

此外，在上述實施形態中，雖然在進行第一電漿處理的期間旋轉保持部1(連同被保持部1保持的基板W)，然而亦可構成為在進行第一電漿處理的期間不旋轉保持部1(連同被保持部1保持的基板W)。亦即，亦可構成為在進行第一電漿處理的期間旋轉機構13係不使保持部1旋轉而是使保持部1停止。由於原本在第一電漿處理中電漿係直接作用於設置於基板W的阻劑，因此在基板W不旋轉之情形中，電漿中的活性物種的分布的不均勻會作為基板W的面內的處理的不均勻性而直接地呈現。因此，在活性物種的分布未充分地均勻之情形中，較佳為一邊使基板W旋轉一邊進行第一電漿處理。

此外，在上述實施形態中，雖然在結束第一電漿處理後仍然持續對電漿反應器41施加電壓，然而亦可構成為在適當的時間點切換電壓的控制參數(具體而言為所施加的電壓的電壓值、所施加的電壓的頻率、被使用於電壓施加的控制之脈波訊號中的導通期間的比例(導通工作比)等)。例如，亦可構成為在結束第一電漿處理工序後直至開始第二電漿處理工序為止的期間，將至少一個參數的值切換成相對較小的值。此外，不一定需要持續施加電壓，例如亦可構成為：在結束第一電漿處理工序的階段停止施加電壓，在開始第二電漿處理工序時再次開始施加電壓。

此外，在第一電漿處理工序以及第二電漿處理工序各者中，對電漿反應器41施加電壓的時間點亦可為電漿反應器41下降前、下降中途、下降後的任一者。然而，從開始對電漿反應器41施加電壓後直至電漿穩定為止需要某程度的時間，在電漿反應器41到達至電漿處理位置之前(亦即下降前或者下降中途)預先開始施加電壓，藉此能使充分穩定的電漿作用於基板W(或者設置於基板W的主表面的處理液的液膜F)。亦即，能避免因為不穩定的電漿(例如未充分地均勻化的電漿)作用從而導致對基板W的處理變得不均勻等此種事態。

此外，在第一電漿處理工序中開始從氣體噴嘴61噴出氣體的時間點亦可為電漿反應器41下降前、下降中途、下降後的任一者。此外，開始從氣體噴嘴61噴出氣體的時間點亦可為開始對電漿反應器41施加電壓之前、與開始對電漿反應器41施加電壓之同時、開始對電壓反應器41施加電壓之後的任一者。在於第二電漿處理工序中從氣體噴嘴61噴出氣體之情形亦同樣。

此外，在上述實施形態中，雖然在第一電漿處理工序中被供給至電漿反應器41的附近的預定的氣體係例如為氧系氣體或者氧系氣體與稀有氣體的混合氣體，然而被供給的氣體的種類並未限定於此。例如，亦可僅供給稀有氣體。此外，在第一電漿處理工序中亦可不進行氣體的供給。

同樣地，在於第二電漿處理工序中對電漿反應器41的附近供給預定的氣體之情形中，該預定的氣體亦未限定於氧系氣體或者氧系氣體與稀有氣體的混合氣體。例如，亦可僅供給稀有氣體。此外，在第二電漿處理工序中所供給的氣體係可為與第一電漿處理工序中所供給的氣體相同種類或者不同種類。

此外，在上述實施形態中，雖然因應膜厚的測量值來調整第二電漿處理的處理條件，然而具體性的調整亦可藉由任何的方式來進行。例如，亦可構成為：將記錄有膜厚的測量值與調整值之間的對應關係之資料(例如以查找表(lookup table)方式、函數方式等此種適當的方式所記錄的資料)預先儲存於記憶裝置144，控制部140係參照該資料，從而從膜厚的測量值特定調整值。

此外，在上述實施形態中，雖然基於在膜厚測量工序中所獲得的測量值來調整第二電漿處理工序的處理條件，然而亦可不進行此種調整。例如，亦可取代此種調整(或者在此種調整之前)，判定所獲得的測量值是否在預定的容許範圍內，在測量值不是在預定的容許範圍內之情形中，進行用以對操作人員(operator)報知此種要旨之處理(例如警報的鳴叫、警示燈的點亮等)。此外，膜厚測量工序並不是必須的，亦可不進行膜厚測量工序。

此外，在上述實施形態中，設想即使將液膜形成工序的處理條件設定成相同亦會產生液膜F的厚度的偏差，測量液膜F的厚度並基於所獲得的測量值來調整第二電漿處理工序的處理條件。然而，即使在為了因應目標膜厚的變更等而變更液膜形成工序的處理條件之情形中，測量液膜F的厚度是有效的，且基於所獲得的測量值來調整第二電漿處理工序的處理條件亦是有效的。

此外，在上述實施形態中，雖然電漿產生部4係在大氣壓下使電漿產生，然而亦可在低壓狀態下使電漿產生。亦即，亦可設置用以將腔室8的內部空間減壓之泵，在已藉由該泵將腔室8的內部空間減壓至預定的壓力的狀態下對電漿產生器41施加電壓，從而產生電漿。

此外，在上述實施形態中，雖然在處理單元132中進行用以去除形成於基板W的阻劑之處理，然而在處理單元132所進行的處理並未限定於此。例無，亦可在處理單元132中進行用以去除存在於基板W上的有機物(例如有機物的微粒、有機物的層、有機物的膜)等之處理。

此外，在上述實施形態中，雖然使用硫酸作為處理液，然而處理液並未限定於此。例如亦可使用包含硫酸、硫酸鹽、過氧硫酸(peroxosulfuric acid)以及過氧硫酸鹽中的至少一者之藥液作為處理液。此外，亦可使用包含過氧化氫之藥液作為處理液，例如亦可使用硫酸與過氧化氫水的混合物作為處理液。再者，以電漿處理的目的而言，亦可根據去除對象物的種類等使用SC1(Standard clean-1；第一標準清洗液，亦即氨水與過氧化氫水的混和液(ammonia-hydrogen peroxide))、SC2(Standard clean-2；第二標準清洗液，亦即鹽酸與過氧化氫水的混合液(hydrochloric acid-hydrogen peroxide mixture))等藥液(所謂的洗淨用藥液)作為處理液，亦可使用氫氟酸、鹽酸、磷酸等的藥液(所謂的蝕刻用藥液)作為處理液。

此外，在上述實施形態中，雖然從第一電漿處理工序至清洗工序為止之一連串的處理(步驟S2至步驟S6)係對一片基板W進行一次，然而亦可對一片基板W複數次地反復地進行該一連串的處理。例如，如圖13所示，亦可在結束清洗工序(步驟S6)後，判斷已進行從第一電漿處理工序至清洗工序為止之一連串的處理(步驟S2至步驟S6)的次數(執行次數)是否已經到達預定的反復次數(步驟S7)，在執行次數未到達反復次數之情形中(執行次數小於反復次數)，再次反復從第一電漿處理工序至清洗工序為止之一連串的處理(反復工序)。在此種情形中，反復次數係只要因應阻劑的種類、膜厚、離子植入量等適當地規定即可。

[5-5.關於處理單元132的構成的變化例] 處理單元132的構成並未限定於上述實施形態中所例示的說明。

例如，在上述實施形態中，雖然分別各自設置用以噴出處理液之處理液噴嘴21以及用以噴出清洗液之清洗液噴嘴22，然而亦可構成為從一個噴嘴擇一地噴出處理液或者清洗液。在此種情形中，只要將處理液供給管211以及清洗液供給管221連接於該一個噴嘴即可。

此外，在上述實施形態中，雖然噴嘴移動機構23係使處理液噴嘴21與清洗液噴嘴22一體性地移動，然而亦可於處理液噴嘴21與清洗液噴嘴22個別地設置噴嘴移動機構，並使各個處理液噴嘴21與清洗液噴嘴22個別獨立地移動。不用說，在此種情形中不需要將兩個處理液噴嘴21與清洗液噴嘴22連結地設置。此外，亦可將兩個處理液噴嘴21與清洗液噴嘴22中的至少一方固定地設置。亦即，亦可針對至少一方的噴嘴省略噴嘴移動機構。

此外，在上述實施形態中，雖然構成為使處理液噴嘴21、清洗液噴嘴22以及膜厚感測器31一體性地移動(亦即用以使處理液噴嘴21與清洗液噴嘴22移動之噴嘴移動機構23係擔任作為用以使膜厚感測器31移動之感測器移動機構32的功能)，然而亦可個別獨立地設置噴嘴移動機構23以及感測器移動機構32，從而使處理液噴嘴21、清洗液噴嘴22以及膜厚感測器31個別獨立地移動。不用說，在此種情形中不需要將膜厚感測器31與處理液噴嘴21以及清洗液噴嘴22連結地設置。

此外，在上述實施形態中，雖然保持部1係藉由夾具銷12把持基板W的周緣從而以水平姿勢保持基板W，然而用以保持基板W之方式並未限定於此，亦可為任何方式。例如，保持部1亦可藉由設置於基座部11的上表面的吸引機構吸附基板W的背面從而以水平姿勢保持基板W。

此外，在上述實施形態中，雖然氣體噴嘴61係構成為於從側方圍繞電漿反應器41此種環狀的噴嘴本體部61a設置有複數個噴出口61b，然而氣體噴嘴61的構成並未限定於此。例如，氣體噴嘴亦可構成為具備一個噴出口之緊湊型噴嘴(compact nozzle)從電漿反應器41的周緣的外側方向側朝下方下垂之形狀。此外，亦可於電漿反應器41的周緣中的複數個部位設置有此種緊湊型噴嘴。

此外，在上述實施形態中，雖然氣體噴嘴61係設置於電漿反應器41，然而氣體噴嘴61不一定需要設置於電漿反應器41。例如，氣體噴嘴亦可設置於阻隔板51。此外，例如，氣體噴嘴亦可與電漿反應器41以及阻隔板51雙方獨立地設置。在後者之情形中，為了將氣體噴嘴相對於電漿反應器41配置於預定的相對位置，較佳為設置用以使氣體噴嘴升降之機構(氣體噴嘴移動機構)。

此外，用以使電漿反應器41移動之電漿反應器移動機構43並不是必須的，電漿反應器41亦可固定地設置。在此種情形中，例如只要以下述方式構成即可：設置用以使基座部11升降之機構，該機構係使基座部11升降，藉此變更被保持於基座部11上的基板W與電漿反應器41之間的分離距離。

此外，用以使防護罩71移動之防護罩移動機構72並不是必須的，防護罩71亦可固定地設置。在此種情形中，例如只要以下述方式構成即可：設置用以使基座部11升降之機構，該機構係使基座部11升降，藉此變更被保持於基座部11上的基板W與防護罩71之間的位置關係。

[5-6.關於基板處理系統100的構成的變化例] 基板處理系統100的構成並未限定於上述實施形態中所例示的說明。

例如，設置於基板處理系統100的處理單元132的數量亦可不是十二個。此外，例如設置於基板處理系統100的裝載埠111的數量亦可不是三個。

此外，程式P亦可記憶於記錄媒體，亦可使用該記錄媒體將程式P裝載(install)至控制部140。

此外，在基板處理系統100中作為處理對象之基板W不一定要為半導體基板。例如，作為處理對象之基板Ｗ亦可為光罩(photomask)用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、電漿顯示用玻璃基板、FED(Field Emission Display；場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板以及光磁碟用基板等。此外，作為處理對象之基板W的形狀以及尺寸亦未限定於上面所例示的說明。例如，作為處理對象之基板W的形狀亦可為矩形板形狀。

如上所述，雖然已詳細地說明基板處理方法以及基板處理裝置，然而上述說明在全部的態樣中僅為例示，基板處理方法以及基板處理裝置並未限定於這些態樣。能夠解釋成在未逸離本發明的範圍內能設想未例示的無數個變化例。在上述各個實施形態以及各個變化例中所說明的各個構成只要未相互矛盾即能適當地組合或者省略。

1:保持部 2:液體供給部 3:膜厚測量部 4:電漿產生部 5:阻隔部 6:氣體供給部 7:防護罩部 8:腔室 11:基座部 12:夾具銷 13:旋轉機構 13a:軸件 13b:馬達 21:處理液噴嘴 21a,22a,61b:噴出口 22:清洗液噴嘴 23:噴嘴移動機構 31:膜厚感測器 32:感測器移動機構 41:電漿反應器 42:電源 43:電漿反應器移動機構 51:阻隔板 61:氣體噴嘴 61a:噴嘴本體部 71:防護罩 71a:筒部分 71b:傾斜部分 71c:延伸部分 72:防護罩移動機構 73:排液部 74:排氣部 81:風扇過濾器單元 100:基板處理系統 110:介面部 111:裝載埠 120:索引部 121:索引機器人 121a,131a:手部 121b,131b:臂 130:本體部 131:主搬運機器人 132:處理單元(基板處理裝置) 140:控制部 141:CPU 142:ROM 143:RAM 144:記憶裝置 145:匯流排線 211:處理液供給管 212:處理液供給源 213,223,613:閥 214,224,614:流量調整部 221:清洗液供給管 222:清洗液供給源 411:第一電極部 411a:第一線狀電極 411b:第一集合電極 412:第二電極部 412a:第二線狀電極 412b:第二集合電極 413:區隔板 414:介電管 611:氣體供給管 612:氣體供給源 731:罩杯 732:排液管 741:周壁部 742:排氣管 C:承載器 d1:第一分離距離 d2:第二分離距離 d20:分離距離 F:液膜 P:程式 Q:旋轉軸 S1至S7:步驟 T:傳遞位置 U:噴嘴單元 W:基板

[圖1]係示意性地顯示基板處理系統的構成之俯視圖。 [圖2]係顯示控制部的構成之方塊圖。 [圖3]係示意性地顯示處理單元的構成之側視圖。 [圖4]係概略性地顯示電漿反應器(plasma reactor)的構成之俯視圖。 [圖5]係顯示在處理單元中所執行的處理的流程之圖。 [圖6]係用以說明保持工序之圖。 [圖7]係用以說明第一電漿處理工序之圖。 [圖8]係用以說明液膜形成工序之圖。 [圖9]係用以說明膜厚測量工序之圖。 [圖10]係用以說明第二電漿處理工序之圖。 [圖11]係用以說明清洗工序之圖。 [圖12]係用以說明因應電漿反應器的高度來切換氣體的噴出流量的態樣之圖。 [圖13]係顯示進行反復工序之情形的處理的流程之圖。

1:保持部

2:液體供給部

3:膜厚測量部

4:電漿產生部

5:阻隔部

6:氣體供給部

7:防護罩部

8:腔室

11:基座部

12:夾具銷

13:旋轉機構

13a:軸件

13b:馬達

21:處理液噴嘴

21a,22a,61b:噴出口

22:清洗液噴嘴

23:噴嘴移動機構

31:膜厚感測器

32:感測器移動機構

41:電漿反應器

42:電源

43:電漿反應器移動機構

51:阻隔板

61:氣體噴嘴

61a:噴嘴本體部

71:防護罩

71a:筒部分

71b:傾斜部分

71c:延伸部分

72:防護罩移動機構

73:排液部

74:排氣部

81:風扇過濾器單元

132:處理單元(基板處理裝置)

211:處理液供給管

212:處理液供給源

213,223,613:閥

214,224,614:流量調整部

221:清洗液供給管

222:清洗液供給源

611:氣體供給管

612:氣體供給源

731:罩杯

732:排液管

741:周壁部

742:排氣管

Q:旋轉軸

U:噴嘴單元

W:基板

Claims (12)

1. 一種基板處理方法，係具備：保持工序，係使保持部保持設置有阻劑的基板；第一電漿處理工序，係對被前述保持部保持的前述基板照射電漿；液膜形成工序，係在進行前述第一電漿處理工序後，於被前述保持部保持的前述基板形成用以剝離前述阻劑之處理液的液膜；第二電漿處理工序，係在進行前述液膜形成工序後，對被前述保持部保持的前述基板照射電漿；以及清洗工序，係在進行前述第二電漿處理工序後，從被前述保持部保持的前述基板沖洗液膜。
2. 一種基板處理方法，係具備：保持工序，係使保持部保持設置有阻劑的基板；第一電漿處理工序，係對被前述保持部保持的前述基板照射電漿；液膜形成工序，係在進行前述第一電漿處理工序後，於被前述保持部保持的前述基板形成包含硫酸、硫酸鹽、過氧硫酸以及過氧硫酸鹽中的至少一者之處理液的液膜；第二電漿處理工序，係在進行前述液膜形成工序後，對被前述保持部保持的前述基板照射電漿；以及清洗工序，係在進行前述第二電漿處理工序後，從被前述保持部保持的前述基板沖洗液膜。
3. 一種基板處理方法，係具備：保持工序，係使保持部保持設置有阻劑的基板； 第一電漿處理工序，係對被前述保持部保持的前述基板照射電漿；液膜形成工序，係在進行前述第一電漿處理工序後，於被前述保持部保持的前述基板形成處理液的液膜；膜厚測量工序，係測量在前述液膜形成工序中所形成的液膜的厚度；第二電漿處理工序，係在進行前述液膜形成工序後，對被前述保持部保持的前述基板照射電漿；以及清洗工序，係在進行前述第二電漿處理工序後，從被前述保持部保持的前述基板沖洗液膜；依據在前述膜厚測量工序中所獲得的測量值來調整前述第二電漿處理工序的處理條件。
4. 一種基板處理方法，係具備：保持工序，係使保持部保持設置有阻劑的基板；第一電漿處理工序，係對被前述保持部保持的前述基板照射電漿；液膜形成工序，係在進行前述第一電漿處理工序後，於被前述保持部保持的前述基板形成處理液的液膜；第二電漿處理工序，係在進行前述液膜形成工序後，對被前述保持部保持的前述基板照射電漿；以及清洗工序，係在進行前述第二電漿處理工序後，從被前述保持部保持的前述基板沖洗液膜；在已停止供給用以促進電漿的產生之氣體的狀態下進行前述第二電漿處理工序。
5. 一種基板處理方法，係具備： 保持工序，係使保持部保持設置有阻劑的基板；第一電漿處理工序，係對被前述保持部保持的前述基板照射電漿；液膜形成工序，係在進行前述第一電漿處理工序後，於被前述保持部保持的前述基板形成處理液的液膜；第二電漿處理工序，係在進行前述液膜形成工序後，對被前述保持部保持的前述基板照射電漿；以及清洗工序，係在進行前述第二電漿處理工序後，從被前述保持部保持的前述基板沖洗液膜；在前述第一電漿處理工序中，從與被前述保持部保持的前述基板的主表面之間隔著第一分離距離對向配置的電漿照射部對前述基板照射電漿；在前述第二電漿處理工序中，從與被前述保持部保持的前述基板的前述主表面之間隔著比前述第一分離距離還小的第二分離距離對向配置的前述電漿照射部對前述基板照射電漿。
6. 如請求項1至5中任一項所記載之基板處理方法，其中在前述第一電漿處理工序中，對露出前述阻劑的前述基板照射電漿；在前述第二電漿處理工序中，對前述阻劑被前述處理液的液膜覆蓋之前述基板照射電漿。
7. 如請求項1至5中任一項所記載之基板處理方法，其中在前述第一電漿處理工序中供給用以促進電漿的產生之氣體。
8. 如請求項1至3、5中任一項所記載之基板處理方法，其中在前述第二電漿處理工序中供給用以促進電漿的產生之氣體。
9. 如請求項1至5中任一項所記載之基板處理方法，其中在前述第 一電漿處理工序中，一邊從與被前述保持部保持的前述基板的主表面對向配置的電漿照射部對前述基板照射電漿，一邊使前述基板以預定的旋轉數繞著與前述主表面正交的旋轉軸旋轉；前述預定的旋轉數為5rpm以上至20rpm以下。
10. 如請求項1至5中任一項所記載之基板處理方法，其中在前述第二電漿處理工序中，一邊從與被前述保持部保持的前述基板的主表面對向配置的電漿照射部對前述基板照射電漿，一邊使前述基板以30rpm以下的旋轉數繞著與前述主表面正交的旋轉軸旋轉或者不使前述基板繞著與前述主表面正交的旋轉軸旋轉。
11. 一種基板處理裝置，係具備：保持部，係保持設置有阻劑的基板；電漿照射部，係對被前述保持部保持的前述基板照射電漿；處理液供給部，係對被前述保持部保持的前述基板供給用以剝離前述阻劑之處理液並於前述基板形成前述處理液的液膜；以及控制部，係使前述電漿照射部對被前述保持部保持的前述基板照射電漿；前述控制部係使電漿照射至形成有前述液膜之前的前述基板，並進一步地使電漿照射至形成有前述液膜之後的前述基板。
12. 一種基板處理裝置，係具備：保持部，係保持基板；電漿照射部，係對被前述保持部保持的前述基板照射電漿；處理液供給部，係對被前述保持部保持的前述基板供給包含硫酸、硫酸鹽、過氧硫酸以及過氧硫酸鹽中的至少一者之處理液並於前述基板形成前述處 理液的液膜；以及控制部，係使前述電漿照射部對被前述保持部保持的前述基板照射電漿；前述控制部係使電漿照射至形成有前述液膜之前的前述基板，並進一步地使電漿照射至形成有前述液膜之後的前述基板。