TWI753353B - 基板處理方法以及基板處理裝置 - Google Patents

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TWI753353B
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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

基板處理方法係具備有下述工序：以水平狀態保持具有非晶矽層的基板，該非晶矽層係於表面形成有源自乾蝕刻的變質層(步驟S11)；對變質層照射紫外線，藉此將變質層改質並生成改質層(步驟S12)；以及對於表面具有該改質層的非晶矽層供給藥液，藉此對非晶矽層進行濕蝕刻(步驟S13)。藉此，能效率佳地進行非晶矽層的濕蝕刻。

Description

基板處理方法以及基板處理裝置
本發明係有關於一種基板處理方法以及基板處理裝置。
近年來，隨著半導體基板(以下簡稱為「基板」)的圖案(pattern)的細微化，進行多圖案化(multi-patterning)所致使的圖案形成。在多圖案化中，形成於基板上的非晶矽(amorphous silicon)等的中間圖案的上表面以及側面係被氧化矽物(SiOX )等被覆膜被覆，並藉由電漿蝕刻所致使的非等向性蝕刻(anisotropic etching)去除中間圖案上表面的被覆膜。而且，藉由乾蝕刻(dry etching)去除中間圖案，藉此已被覆中間圖案側面的被覆膜(亦即所謂的側壁(side wall))係作為比中間圖案還細微的圖案殘留。之後，將該側壁作為遮罩(mask)進行乾蝕刻，藉此形成細微的圖案。
另一方面，在日本特開2018-19089號公報(文獻1)中揭示有一種技術：對基板上的多晶矽膜(poly silicon film)供給包含有TMAH(tetramethyl ammonium hydroxide；氫氧化四甲銨)的藥液，藉此將該多晶矽膜予以濕蝕刻(wet etching)。
此外，在上面所說明的多圖案化中，會有在藉由乾蝕刻去除中間圖案時於側壁間殘留聚合物狀的殘渣並在後續的成膜工序以及蝕刻工序等中產生圖案的形成不良之虞。因此，檢討對基板上供給藥液並藉由濕蝕刻去除非晶矽的中間圖案的事宜。
然而，當欲藉由濕蝕刻去除非晶矽的中間圖案時，已知比通常的非晶矽的濕蝕刻中的蝕刻率相比此時的濕蝕刻的蝕刻率變得非常的低。
因此，本案發明人係致力地研究，結果獲得下述卓見：在屬於非晶矽的中間圖案(亦即非晶矽層)去除的前工序之電漿蝕刻時，氧或者氮等射入至從氧化矽物等的被覆膜露出的中間圖案的上表面，且因為該射入所導致的上表面的變質而產生上面所說明的蝕刻率的降低。
本發明係著眼於基板處理方法，目的在於效率佳地進行非晶矽層的濕蝕刻。
本發明較佳實施形態之一的基板處理方法係具備有：工序(a)，係以水平狀態保持具有非晶矽層的基板，前述非晶矽層係於表面形成有源自乾蝕刻的變質層；工序(b)，係對前述變質層照射紫外線，藉此將前述變質層改質並生成改質層；以及工序(c)，係對於表面具有前述改質層的前述非晶矽層供給藥液，藉此對前述非晶矽層進行濕蝕刻。藉此，能效率佳地進行非晶矽層的濕蝕刻。
較佳為，在前述乾蝕刻中，藉由使用氟碳 (fluorocarbon)系氣體以及氧氣體所生成的電漿對形成於前述非晶矽層的表面的被覆膜進行蝕刻。
較佳為，前述非晶矽層為在對前述基板進行多圖案化的中途所形成的中間圖案。在前述乾蝕刻中，對用以覆蓋前述中間圖案的上表面以及側面之前述被覆膜進行非等向性蝕刻，藉此從前述被覆膜露出前述中間圖案的前述上表面，並形成用以覆蓋前述中間圖案的前述側面之前述被覆膜的側壁。在前述濕蝕刻中去除前述中間圖案並殘留前述側壁。
較佳為，前述紫外線的波長為250nm以下。
較佳為，前述工序(b)中的前述紫外線的累計照射量為1000mJ／cm2 以上。
較佳為，前述工序(b)中的前述紫外線的照射係在低氧氛圍中進行。
較佳為，在前述工序(b)中，掃描前述基板上的前述紫外線的照射區域。對於前述非晶矽層中之前述變質層較厚的區域之前述紫外線的累計照射量係比對於前述非晶矽層中之前述變質層較薄的區域之前述紫外線的累計照射量還大。
較佳為，在前述工序(c)中，掃描前述基板上的前述藥液的噴出位置。對於前述非晶矽層中之前述改質層較厚的區域之前述藥液的噴出時間係比對於前述非晶矽層中之前述改質層較薄的區域之前述藥液的噴出時間還長。
較佳為，前述基板處理方法係於前述工序(b)與前述工序(c)之間進一步具備有下述工序：對前述非晶矽層供給其他的藥液並去除前述非晶矽層的表面自然氧化膜。
本發明亦著眼於基板處理裝置。本發明較佳實施形態之一的基板處理裝置係具備有：基板保持部，係以水平狀態保持具有非晶矽層的基板，前述非晶矽層係於表面形成有源自乾蝕刻的變質層；紫外線照射部，係對前述變質層照射紫外線，藉此將前述變質層改質並生成改質層；以及藥液供給部，係對於表面具有前述改質層的前述非晶矽層供給藥液並對前述非晶矽層進行濕蝕刻。藉此，能效率佳地進行非晶矽層的濕蝕刻。
較佳為，在前述乾蝕刻中，藉由使用氟碳系氣體以及氧氣體所生成的電漿對形成於前述非晶矽層的表面的被覆膜進行蝕刻。
較佳為，前述非晶矽層為在對前述基板進行多圖案化的中途所形成的中間圖案。在前述乾蝕刻中，對用以覆蓋前述中間圖案的上表面以及側面之前述被覆膜進行非等向性蝕刻，藉此從前述被覆膜露出前述中間圖案的前述上表面，並形成用以覆蓋前述中間圖案的前述側面之前述被覆膜的側壁。在前述濕蝕刻中去除前述中間圖案並殘留前述側壁。
較佳為，前述紫外線的波長為250nm以下。
較佳為，對於前述非晶矽層之前述紫外線的累計照射量為1000mJ／cm2 以上。
較佳為，對於前述非晶矽層之前述紫外線的照射係在低氧氛圍中進行。
較佳為，前述基板處理裝置係進一步具備有：照射控制部，係控制前述紫外線照射部。前述紫外線照射部係具備有：紫外線燈，係對前述基板照射前述紫外線；以及照射區域掃描機構，係掃描前述基板上的前述紫外線的照射區域。前述照射控制部係控制前述紫外線燈以及前述照射區域掃描機構的至少一者，藉此將對於前述非晶矽層中之前述變質層較厚的區域之前述紫外線的累計照射量設定成比對於前述非晶矽層中之前述變質層較薄的區域之前述紫外線的累計照射量還大。
較佳為，前述基板處理裝置係進一步具備有：供給控制部，係控制前述藥液供給部。前述藥液供給部係具備有：藥液噴出部，係對前述基板噴出前述藥液；以及噴出位置掃描機構，係掃描前述基板上的前述藥液的噴出位置。前述供給控制部係控制前述噴出位置掃描機構，藉此將對於前述非晶矽層中之前述改質層較厚的區域之前述藥液的噴出時間設定成比對於前述非晶矽層中之前述改質層較薄的區域之前述藥液的噴出時間還長。
較佳為，前述基板處理裝置係進一步具備有：其他的藥液供給部，係在對於前述非晶矽層之前述紫外線的照射與前述藥液的供給之間對前述非晶矽層供給其他的藥液並去除前述非晶矽層的表面自然氧化膜。
上面所說明的目的以及其他的目的、特徵、態樣以及優點係參照隨附的圖式並藉由以下所進行的本發明的詳細的說明而明瞭。
圖1係顯示本發明第一實施形態的基板處理裝置1的構成之側視圖。基板處理裝置1係用以逐片地處理半導體基板9(以下簡稱為「基板9」)之葉片式的裝置。基板處理裝置1係對基板9供給處理液並進行處理。在圖1中以剖面顯示基板處理裝置1的構成的一部分。
基板處理裝置1係具備有基板保持部31、基板旋轉機構33、罩(cup)部4、處理液供給部5、控制部6、紫外線照射部7以及殼體(housing)11。基板保持部31、基板旋轉機構33、罩部4以及紫外線照射部7等係收容於殼體11的內部空間。在圖1中以剖面描繪殼體11(在圖10中亦同樣)。於殼體11的頂蓋部設置有氣流形成部12，氣流形成部12係用以對殼體11的內部空間供給氣體並形成朝下方流動的氣流(亦即所謂的降流(down flow))。利用例如FFU(fan filter unit；風扇過濾器單元)作為氣流形成部12。
控制部6係配置於殼體11的外部，並控制基板保持部31、基板旋轉機構33、處理液供給部5以及紫外線照射部7等。控制部6係例如為包含有處理器、記憶體、輸入輸出部以及匯流排之一般的電腦。匯流排係訊號電路，用以連接處理器、記憶體以及輸入輸出部。記憶體係記憶程式以及各種資訊。處理器係依循記憶於記憶體的程式等，一邊利用記憶體等一邊執行各種處理(例如數值計算)。輸入輸出部係具備有：鍵盤與滑鼠，係受理來自操作者的輸入；顯示器，係顯示來自處理器的輸出等；以及發送部，係發送來自處理器的輸出等。
控制部6係具備有記憶部61、照射控制部62以及供給控制部63。記憶部61係主要藉由記憶體所實現，記憶基板9的處理處方(processing recipe)等各種資訊。照射控制部62係主要藉由處理器所實現，依循儲存於記憶部61的處理處方等控制紫外線照射部7等。供給控制部63係主要藉由處理器所實現，依循儲存於記憶部61的處理處方等控制處理液供給部5等。
基板保持部31係與水平狀態的基板9的下側的主表面(亦即下表面)對向並從下側保持基板9。基板保持部31係例如為機械夾具(mechanical chuck)，用以機械性地支撐基板9。基板保持部31係設置成可以朝向上下方向的中心軸J1作為中心旋轉。
基板保持部31係具備有保持部本體以及複數個夾具銷(chuck pin)。保持部本體為略圓板狀的構件，並與基板9的下表面對向。複數個夾具銷係在保持部本體的周緣部中隔著略等角度間隔配置於以中心軸J1作為中心的周方向(以下亦簡稱為「周方向」)。各個夾具銷係從保持部本體的上表面朝上方突出，接觸至基板9的下表面的周緣區域以及側面並支撐基板9。此外，基板保持部31亦可為真空夾具等，用以吸附並保持基板9的下表面中央部。
基板旋轉機構33係配置於基板保持部31的下方。基板旋轉機構33係以中心軸J1作為中心將基板9與基板保持部31一起旋轉。基板旋轉機構33係例如具備有電動旋轉式馬達，該電動旋轉式馬達的旋轉軸係連接於基板保持部31的保持部本體。基板旋轉機構33亦可具有中空馬達等其他的構造。
處理液供給部5係個別地對基板9供給複數種類的處理液。於該複數種類的處理液包含有例如後述的藥液以及清洗(rinse)液。處理液供給部5係具備有噴嘴51、臂511以及噴嘴旋轉機構512。噴嘴51係從基板9的上方朝基板9的上側的主表面(以下稱為「上表面91」)供給處理液。噴嘴51係例如藉由鐵氟龍(Teflon)(註冊商標)等具有高耐藥品性的樹脂所形成。
臂511為於略水平方向延伸之棒狀的構件，並支撐噴嘴51。噴嘴旋轉機構512係在以中心軸J1作為中心之徑方向(以下亦簡稱為「徑方向」)中配置於罩部4的外側。噴嘴旋轉機構512係例如具備有：電動旋轉式馬達，係具有於上下方向延伸的旋轉軸。該旋轉軸係連接於臂511的一方的端部。噴嘴旋轉機構512係以朝向上下方向的旋轉軸作為中心旋轉臂511，藉此將噴嘴51朝水平方向移動並從基板9的上方朝罩部4的徑方向外側的退避位置退避。
罩部4為以中心軸J1作為中心之環狀的構件。罩部4係在基板9以及基板保持部31的周圍中遍及全周地配置，並覆蓋基板9以及基板保持部31的側方以及下方。罩部4為液體接住容器，用以接住從旋轉中的基板9朝周圍飛散的處理液等液體。罩部4的內側面係例如藉由撥水性材料所形成。罩部4係不論基板9為旋轉或者靜止皆在周方向中靜止。於罩部4的底部設置有：排液埠(未圖示)，係將被罩部4接住的處理液等朝殼體11的外部排出。罩部4係可藉由未圖示的升降機構在處理位置與退避位置之間於上下方向移動，該處理位置為圖1所示的基板9的周圍的位置，該退避位置為比該處理位置還下側的位置。
罩部4亦可與圖1所示的單層構造不同，而是為於徑方向層疊有複數個罩之層疊構造。在罩部4具有層疊構造之情形中，複數個罩係分別獨立且可於上下方向移動，並配合從基板9飛散的處理液的種類切換複數個罩來使用於接住處理液。
圖2係顯示基板處理裝置1的處理液供給部5之方塊圖。在圖2中亦顯示處理液供給部5以外的構成。處理液供給部5係具備有藥液供給部52以及清洗液供給部53。藥液供給部52係具備有噴嘴51、臂511(參照圖1)、噴嘴旋轉機構512(參照圖1)、藥液供給源521以及藥液配管522。噴嘴51係經由藥液配管522連接於藥液供給源521。噴嘴51為藥液噴出部，用以朝基板9的上表面91噴出從藥液供給源521送出的藥液。藥液為使用於基板9的濕蝕刻之蝕刻液。該蝕刻液係例如為氫氧化銨(ammonium hydroxide)(NH4 OH)水溶液等鹼性蝕刻液。
清洗液供給部53係具備有上面所說明的噴嘴51、臂511、噴嘴旋轉機構512、清洗液供給源531以及清洗液配管532。噴嘴51係經由清洗液配管532連接於清洗液供給源531。噴嘴51為清洗液噴出部，用以朝基板9的上表面91噴出從清洗液供給源531送出的清洗液。作為清洗液，例如利用DIW(De-ionized Water；去離子水)、碳酸水或者氫水等水性處理液。
如上面所說明般，噴嘴51、臂511以及噴嘴旋轉機構512係被藥液供給部52以及清洗液供給部53共有。於噴嘴51的下端例如個別地設置有藥液用的噴出口以及清洗液用的噴出口，不同種類的處理液係經由不同的配管以及噴出口供給至基板9的上表面91。此外，亦可分別設置有藥液噴出用的噴嘴以及清洗液噴出用的噴嘴。
紫外線照射部7係具備有紫外線燈71以及燈升降機構72。紫外線燈71為略圓板狀的燈，配置於基板9的上方。燈升降機構72係配置於罩部4的徑方向外側。燈升降機構72係例如具備有電動線性馬達或者滾珠螺桿以及電動旋轉式馬達。燈升降機構72係連接於紫外線燈71，使紫外線燈71於上下方向移動。紫外線燈係可在圖1中以實線所示的退避位置與比該退避位置還下側的照射位置(以二點鏈線所示)之間於上下方向移動。在紫外線燈71從退避位置朝照射位置移動時，噴嘴51係藉由噴嘴旋轉機構512從基板9的上方朝退避位置退避。紫外線燈71係從照射位置朝基板9的上表面91的整體照射紫外線。
作為紫外線燈71，利用準分子燈(excimer lamp)或者低壓水銀燈等。從紫外線燈71射出的紫外線的波長較佳為250nm以下，更佳為172nm以下。該紫外線的波長的下限並無特別限定，例如為120nm以上。
圖3係放大顯示基板9的上表面91附近的部位之剖視圖。在圖3所例示的基板9中，於矽基板本體93的上表面上形成有絕緣膜94，於絕緣膜94的上表面上形成有氮化鈦(TiN)膜95，於氮化鈦膜95的上表面上形成有氮化矽膜96。絕緣膜94、氮化鈦膜95以及氮化矽膜96係分別略均勻厚度地設置於圖3中的矽基板本體93的上表面整體上。
於氮化矽膜96的上表面上形成有非晶矽層97。非晶矽層97為細微圖案，且為複數個圖案要素971的集合。非晶矽層97為中間圖案，且在對於基板9的多圖案化的中途所形成。在圖3中顯示四個圖案要素971。圖3中的圖案要素971的左右方向的寬度係例如為30nm至100nm。圖案要素971的上下方向的高度係例如為20nm至100nm。在鄰接的圖案要素971之間露出氮化矽膜96的上表面。
非晶矽層97的各個圖案要素971的側面係被側壁981覆蓋。側壁981為由氧化矽物、氮化矽物或者矽氧氮化物等所形成的薄膜。圖3中的側壁981的左右方向的寬度係比圖案要素971的寬度還小，例如為10nm至20nm。側壁981的上下方向的高度係與圖案要素971的高度略相同，側壁981的上端以及下端係位於與圖案要素971的上端以及下端在上下方向略相同的位置。圖案要素971的上表面並未被藉由上面所說明的氧化矽物、氮化矽物或者矽氧氮化物等所形成的薄膜覆蓋，而是從覆蓋圖案要素971的兩個側面之兩個側壁981露出。
圖3所示的基板9係在與基板處理裝置1不同的其他的裝置中所形成。具體而言，首先，在於矽基板本體93上依序形成有絕緣膜94、氮化鈦膜95、氮化矽膜96以及非晶矽層97(亦即中間圖案)的狀態下，如圖4所示形成有用以覆蓋最上層的非晶矽層97之被覆膜98。被覆膜98係例如為氧化矽膜、氮化矽膜或者矽氧氮化膜。被覆膜98係遍及整面地被覆非晶矽層97的各個圖案要素971的上表面與側面以及從各個圖案要素971之間露出的氮化矽膜96的上表面。被覆膜98的形成係例如藉由CVD(Chemical Vapor Deposition：化學氣相沈積法)、PVD(Physical Vapor Deposition；物理氣相沈積法)或者ALD(Atomic Layer Deposition；原子層沈積法)所進行。
接著，對圖4所示的被覆膜98進行乾蝕刻。該乾蝕刻係例如為電漿所致使的電漿蝕刻，該電漿係使用氟碳系氣體(CxFy)以及氧氣體所生成。該乾蝕刻為非等向性蝕刻，實質性地僅對上下方向進行蝕刻。對被覆膜98進行該非等向性蝕刻，藉此從被覆膜98露出非晶矽層97的各個圖案要素971的上表面，且亦從被覆膜98露出鄰接的圖案要素971之間的氮化矽膜96的上表面。此外，非晶矽層97的各個圖案要素971的側面係維持在被被覆膜98覆蓋的狀態。藉此，形成圖3所示的基板9。用以覆蓋各個圖案要素971的側面之側壁981為上面所說明的被覆膜98(參照圖4)中之乾蝕刻時所殘留的部位。
在基板9中，於該乾蝕刻時對從被覆膜98露出的各個圖案要素971的上表面(亦即與非晶矽層97的矽基板本體93相反側的表面)射入有氧(O)、碳(C)以及氟(F)等，並如圖5所示般於各個圖案要素971的上表面形成有變質層972。在圖5中，於變質層972附上與圖案要素971中之變質層972以外的部位不同的平行斜線。認為在源自前工序的乾蝕刻的該變質層972中已射入至非晶矽層97的氧及碳與非晶矽層97的矽鍵結並形成「Si－O鍵結」以及「Si－C鍵結」。而且，認為這些Si－O鍵結以及Si－C鍵結為阻礙基板處理裝置1中的非晶矽層97的濕蝕刻(後述)之主要原因。此外，在變質層972中亦有可能僅形成有Si－O鍵結以及Si－C鍵結中的一種。
接著，參照圖6說明基板處理裝置1中的基板9的處理。在基板處理裝置1中，首先，具有圖3所示的非晶矽層97以及側壁981之基板9係被搬入至圖1所示的基板處理裝置1並被基板保持部31保持成水平狀態(步驟S11)。如圖5所示，於非晶矽層97的表面形成有源自乾蝕刻的變質層972。
接著，藉由照射控制部62控制紫外線照射部7，藉此將紫外線燈71配置於圖1中以二點鏈線所示的照射位置，並從紫外線燈71朝基板9的上表面91的整體射出紫外線。藉此，對非晶矽層97的變質層972照射紫外線。從紫外線燈71朝變質層972照射紫外線係進行預定時間。藉此，切斷變質層972中的Si－O鍵結以及Si－C鍵結。結果，將變質層972改質並生成改質層(步驟S12)。
在步驟S12中，如上面所說明般，較佳為照射至非晶矽層97之紫外線的波長為250nm以下。波長250nm以下的紫外線的能量為478kJ／mol以上，且比Si－O鍵結的鍵結能量的443kJ／mol以及Si－C鍵結的鍵結能量的337kJ／mol還大。因此，將波長250nm以下的紫外線照射至變質層972，藉此能適當地切斷變質層972的Si－O鍵結以及Si－O鍵結。
在步驟S12中，從紫外線燈71照射至非晶矽層97的變質層972之紫外線的累計照射量較佳為1000mJ／cm2 以上。該累計照射量的上限並未特別限定，例如為3000mJ／cm2 。累計照射量係藉由對非晶矽層97的上表面中紫外線的照射度(mW／cm2 )累計紫外線的照射時間(秒)而求出。
較佳為步驟S12中朝非晶矽層97射照紫外線係在低氧氛圍中進行。更佳為步驟S12中朝非晶矽層97射照紫外線係在氧濃度為1體積%以下的氛圍中進行。該低氧氛圍亦可藉由各種方法來實現。例如，亦可從氣流形成部12對殼體11的內部空間供給氮(N2 )氣體等惰性氣體並將殼體11的內部空間設定成惰性氣體氛圍，藉此實現上面所說明的低氧氛圍。朝殼體11供給惰性氣體亦可藉由氣流形成部12以外的氣體供給機構來進行。此外，亦可從紫外線燈71與基板9之間的空間的側方等僅對紫外線燈71與基板9之間的空間供給惰性氣體，藉此在低氧氛圍中進行上面所說明的紫外線的照射。
當結束朝非晶矽層97照射紫外線時，藉由燈升降機構72使紫外線燈71從上面所說明的照射位置朝退避位置移動。此外，藉由噴嘴旋轉機構512使噴嘴51從退避位置朝基板9的上方移動。而且，藉由基板旋轉機構33開始旋轉基板9並藉由供給控制部63控制藥液供給部52，藉此從噴嘴51對旋轉中的基板9供給藥液。具體而言，從噴嘴51朝基板9的上表面91的中央部噴出液柱狀的藥液。被供給至基板9上的藥液係藉由離心力從基板9的中央部朝徑方向外側方向擴展並賦予至基板9的上表面91的整體。
該藥液為氫氧化銨水溶液等蝕刻液，將藥液供給至於表面具有上面所說明的改質層的非晶矽層97，藉此對非晶矽層97進行濕蝕刻(步驟S13)。在基板9上選擇性地蝕刻並去除非晶矽層97的各個圖案要素971，用以覆蓋圖案要素971的側面之側壁981係不被蝕刻而殘留於氮化矽膜96上。
亦可在基板處理裝置1中對非晶矽層97進行濕蝕刻的期間，藉由供給控制部63驅動噴嘴旋轉機構512，藉此噴嘴51係在基板9的上方於略徑方向往復移動。藉此，能提升對基板9的整面賦予蝕刻液的均勻性。
圖7係顯示上面所說明的濕蝕刻中的非晶矽層97的蝕刻率之圖。該蝕刻率係將以1：15的比例混合氫氧化銨以及DIW而製作出的65℃的氫氧化銨水溶液作為蝕刻液來使用。圖中的實施例1係顯示於表面形成有上面所說明的改質層之非晶矽層97的蝕刻率。在實施例1中，上面所說明的步驟S12中之朝變質層972的紫外線的累計照射量為1000mJ／cm2 。此外，比較例1係顯示於表面形成有變質層972之非晶矽層97(亦即紫外線照射前的非晶矽層)的蝕刻率。比較例2係顯示未於表面形成有變質層972以及改質層之非晶矽層97(亦即未施予電漿蝕刻的非晶矽層)的蝕刻率。
如圖7所示，由於比較例1的蝕刻率係因為變質層972阻礙濕蝕刻，因此為比較例2的蝕刻率的3%左右般極為的低。因此，在比較例1的狀態中，實質性地不進行非晶矽層97的濕蝕刻。另一方面，由於實施例1的蝕刻率係藉由紫外線照射而將變質層972改質，因此回復至比較例2的蝕刻率的約43%。因此，能適當地對非晶矽層97進行濕蝕刻。此外，實施例1的蝕刻率為比較例1的蝕刻率的十倍以上。
在基板處理裝置1中，持續時間從噴嘴51供給藥液(亦即蝕刻液)，藉此從側壁981之間去除非晶矽層97的全部的圖案要素971並結束對於基板9的濕蝕刻。
當結束該濕蝕刻時，藉由供給控制部63控制清洗液供給部53，藉此從噴嘴51對旋轉中的基板9的上表面91供給清洗液並進行基板9的清洗處理(步驟S14)。之後，停止供給清洗液並進行基板9的乾燥處理(步驟S15)。在乾燥處理中，增大基板9的旋轉速度，殘留於基板9上的處理液係藉由離心力從基板9的邊緣朝徑方向外側方向飛散並從基板9上去除。在上面所說明的步驟S13至步驟S15中從基板9上朝徑方向外側方向飛散的藥液以及清洗液等的處理液係被罩部4接住並朝殼體11的外部排出。已結束乾燥處理的基板9係從基板處理裝置1被搬出並被搬入至用以進行後續工序之其他的裝置。在該其他的裝置中，例如使用側壁981作為遮罩進行氮化矽膜96的乾蝕刻。在基板處理裝置1中依序對複數個基板9進行上面所說明的步驟S11至步驟S15的處理。
如上面所說明般，上面所說明的基板處理方法係具備有下述工序：以水平狀態保持具有非晶矽層97的基板9，該非晶矽層97係於表面形成有源自乾蝕刻的變質層972(步驟S11)；對變質層972照射紫外線，藉此將變質層972改質並生成改質層(步驟S12)；以及對於表面具有該改質層的非晶矽層97供給藥液，藉此對非晶矽層97進行濕蝕刻(步驟S13)。
藉此，能增大因為變質層972而降低的非晶矽層97的蝕刻率。結果，能效率佳地進行非晶矽層97的濕蝕刻。
較佳為在上面所說明的乾蝕刻中，藉由使用氟碳系氣體以及氧氣體所生成的電漿進行形成於非晶矽層97的表面的被覆膜98的蝕刻。在上面所說明的基板處理方法中，由於能藉由朝非晶矽層97照射紫外線切換變質層972中的Si－O鍵結以及Si－C鍵結，因此能使因為Si－O鍵結以及Si-C鍵結而降低的非晶矽層97的蝕刻率增大。
如上面所說明般，較佳為非晶矽層97為在對基板9進行多圖案化的中途所形成的中間圖案。此外，在上面所說明的乾蝕刻中，對用以覆蓋該中間圖案的上表面以及側面之被覆膜98進行非等向性蝕刻，藉此從被覆膜98露出中間圖案的上表面，並形成用以覆蓋中間圖案的側面之被覆膜98的側壁981。而且，在上面所說明的濕蝕刻中，去除該中間圖案並殘留側壁981。在上面所說明的基板處理方法中，由於能藉由朝變質層972照射紫外線而使非晶矽層97的蝕刻率增大，因此能效率佳地對基板9進行上面所說明的多圖案化。
如上面所說明般，較佳為在步驟S12中照射至變質層972之紫外線的波長為250nm以下。由於波長250nm以下的紫外線的能量比Si－O鍵結的鍵結能量以及Si－C鍵結的鍵結能量還大，因此能適當地進行紫外線射所致使的變質層972的改質(亦即變質層972中Si－O鍵結以及Si－C鍵結的切斷)。
如上面所說明般，較佳為步驟S12中的紫外線的累計照射量為1000mJ／cm2 以上。藉此，能適當地進行紫外線照射所致使的變質層972的改質。
如上面所說明般，較佳為步驟S12中的紫外線的照射係在低氧氛圍中進行。藉此，能防止或者抑制照射至非晶矽層97之中途的紫外線被氧吸收。結果，能效率佳地進行紫外線照射所致使的變質層972的改質。
上面所說明的基板處理裝置1係具備有基板保持部31、紫外線照射部7以及藥液供給部52。基板保持部31係以水平狀態保持具有非晶矽層97的基板9，該非晶矽層97係於表面形成有源自乾蝕刻的變質層972。紫外線照射部7係對變質層972照射紫外線，藉此將變質層972改質並生成改質層。藥液供給部52係對於表面具有該改質層的非晶矽層97供給藥液，並對非晶矽層97進行濕蝕刻。藉此，與上面所說明同樣地，能使因為變質層972而降低的非晶矽層97的蝕刻率增大。結果，能效率佳地進行非晶矽層97的濕蝕刻。
在基板處理裝置1所為之基板9的處理中，如圖8所示般亦可在步驟S12中對非晶矽層97照射紫外線與在步驟S13中對非晶矽層97供給藥液(亦即蝕刻液)之間對非晶矽層97進行前處理(步驟S121)。在步驟S121中，對非晶矽層97供給與步驟S13的藥液不同的其他的藥液(例如氫氟酸(HF))，藉此去除非晶矽層97的表面(亦即變質層972的上表面)的表面自然氧化膜。
在此情形中，如圖9所示般，於基板處理裝置1的處理液供給部5設置有藥液供給部52以及清洗液供給部53，並進一步設置有用以將其他的藥液供給至基板9之其他的藥液供給部54。其他的藥液供給部54係具備有噴嘴51、臂511(參照圖1)、噴嘴旋轉機構512(參照圖1)、其他的藥液供給源541以及其他的藥液配管542。噴嘴51係經由其他的藥液配管542連接於其他的藥液供給源541。噴嘴51為其他的藥液噴出部，用以朝基板9的上表面91噴出從其他的藥液供給源541送出的上面所說明的其他的藥液(例如濃度0.3%的常溫的稀釋氫氟酸)。此外，用以噴出其他的藥液之噴嘴亦可與上面所說明的蝕刻液噴出用的噴嘴獨立地設置。
如上面所說明般，較佳為上面所說明的基板處理方法係在步驟S12與步驟S13之間進一步具備有下述工序(步驟S121)：對非晶矽層97供給其他的藥液並去除非晶矽層97的表面自然氧化膜。如此，在非晶矽層97的濕蝕刻之前去除表面自然氧化膜，藉此能防止或者抑制表面自然氧化膜所導致的蝕刻率的降低。結果，能進一步地效率佳地進行非晶矽層97的濕蝕刻。
接著，說明本發明的第二實施形態的基板處理裝置1a。圖10係顯示基板處理裝置1a的構成之側視圖。在基板處理裝置1a中，對圖3所示的基板9進行與圖1所示的基板處理裝置1略同樣的處理，並將非晶矽層97予以濕蝕刻。
基板處理裝置1a係具備有照射單元14、液體處理單元15、控制部6以及殼體11。照射單元14以及液體處理單元15係配置於一個殼體11的內部。控制部6係具有與圖1所示的控制部6同樣的構造。如上面所說明般，控制部6係具備有記憶部61、照射控制部62以及供給控制部63。
照射單元14係具備有第一基板保持部31a以及紫外線照射部7a。第一基板保持部31a係具有與圖1所示的基板保持部31略同樣的構造，並從下側保持水平狀態的基板9。此外，在圖10所示的例子中，未於照射單元14設置基板旋轉機構33，第一基板保持部31a係不旋轉。
紫外線照射部7a係具備有紫外線燈71a以及照射區域掃描機構73。紫外線燈71a係於與圖中的紙面垂直的方向略直線狀地延伸之略棒狀的燈。從紫外線燈71a射出的紫外線係照射至基板9上中與紙面垂直的方向略直線狀地延伸之帶狀或者線狀的照射區域。該照射區域為基板9的上表面91的一部分，並於與紙面垂直的方向跨越基板9的上表面91。作為紫外線燈71a，與上面所說明的紫外線燈71同樣地利用準分子燈或者低壓水銀燈等。從紫外線燈71a射出的紫外線的波長較佳為250nm以下，更佳為172nm以下。該紫外線的波長的下限並未特別限定，例如為120nm以上。
照射區域掃描機構73係將紫外線燈71a於基板9的上方中的圖中的左右方向移動，藉此於圖中的左右方向掃描基板9上的照射區域。照射區域掃描機構73係例如具備有電動線性馬達或者滾珠螺桿以及電動旋轉式馬達。在基板處理裝置1a中，控制部6的照射控制部62係控制照射區域掃描機構73，藉此控制紫外線燈71a的移動速度並控制基板9上的紫外線的照射區域的掃描速度。此外，在紫外線燈71a的移動中，紫外線燈71a的輸出係維持成略固定。
液體處理單元15係除了下述兩點以外具有與圖1所示的基板處理裝置1略同樣的構造：省略紫外線照射部7；以及具備有第二基板保持部31b，該第二基板保持部31b係具有與基板保持部31同樣的構造。在以下的說明中，對液體處理單元15中之與基板處理裝置1的各個構成對應的構成附上相同元件符號。在基板處理裝置1a中，藉由第一基板保持部31a以及第二基板保持部31b構成用以以水平狀態保持基板9之基板保持部31。
在液體處理單元15中，在從噴嘴51對基板9的上表面91噴出藥液(亦即蝕刻液)時，藉由噴嘴旋轉機構512使噴嘴51在基板9的上方於略徑方向往復移動。藉此，掃描基板9的上表面91上的藥液的噴出位置。換言之，噴嘴旋轉機構512為噴出位置掃描機構，係掃描基板9的上表面91上的藥液的噴出位置。在基板處理裝置1a中，控制部6的供給控制部63係控制噴嘴旋轉機構512，藉此控制噴嘴51的移動速度並控制基板9上的藥液的噴出位置的掃描速度。
基板處理裝置1a中的基板9的處理的流程係與圖6所示的步驟S11至步驟S15略同樣。在基板處理裝置1a中的基板9的處理中，首先，圖3所示之具有非晶矽層97以及側壁981之基板9係被搬入至基板處理裝置1a並被照射單元14的第一基板保持部31a保持成水平狀態(步驟S11)。如上面所說明般，於非晶矽層97的表面形成有源自乾蝕刻的變質層972(參照圖5)。
接著，藉由照射控制部62控制照射單元14的紫外線照射部7a，藉此進行朝非晶矽層97的變質層972照射紫外線。具體而言，從紫外線燈71a射出紫外線並照射至基板9的上表面91上之略直線狀地延伸的照射區域。而且，藉由照射區域掃描機構73使紫外線燈71a在基板9的上方從圖中的左側朝右側掃描，藉此對基板9的上表面91的整體進行紫外線的照射。藉此，切斷變質層972中的Si－O鍵結以及Si－C鍵結，將變質層972改質並生成上面所說明的改質層(步驟S12)。
如上面所說明般，較佳為，在步驟S12中照射至非晶矽層97之紫外線的波長為250nm以下。藉此，能適當地進行紫外線照射所致使的變質層972的改質(亦即變質層972中的Si－O鍵結以及Si－C鍵結的切斷)。與上面所說明同樣地，較佳為在步驟S12中從紫外線燈71a照射至非晶矽層97的變質層972之紫外線的累計照射量為1000mJ／cm2 以上。藉此，能適當地進行紫外線照射所致使的變質層972的改質。
較佳為步驟S12中朝非晶矽層97照射紫外線係在低氧氛圍中進行。藉此，與上面所說明同樣地能防止或者抑制照射至非晶矽層97之中途的紫外線被氧吸收。結果，能效率佳地進行紫外線照射所致使的變質層972的改質。此外，在步驟S12中亦可使紫外線燈71a在基板9的上方於左右方向往復移動，藉此對基板9進行複數次的紫外線的掃描。
當結束步驟S12時，藉由機器手(robot hand)等搬運機構(未圖示)將基板9從照射單元14朝液體處理單元15搬運，並被液體處理單元15的第二基板保持部31b保持成水平狀態。接著，藉由基板旋轉機構33開始旋轉基板9，並藉由供給控制部63控制藥液供給部52(參照圖2)，藉此從噴嘴51對旋轉中的基板9供給藥液(亦即蝕刻液)。如上面所說明般，噴嘴51係藉由噴嘴旋轉機構512在基板9的上方於略徑方向往復移動，並掃描基板9的上表面91上的藥液的噴出位置。而且，對表面具有上面所說明的改質層的非晶矽層97供給藥液，藉此對非晶矽層97進行濕蝕刻(步驟S13)。
當結束該濕蝕刻時，從噴嘴51對旋轉中的基板9的上表面91供給清洗液並進行基板9的清洗處理(步驟S14)。之後，停止供給清洗液並進行基板9的乾燥處理(步驟S15)。在基板處理裝置1a中，依序對複數個基板9進行上面所說明的步驟S11至步驟S15的處理。此外，在基板處理裝置1a中亦可於步驟S12與步驟S13之間進行上面所說明的步驟S121(參照圖8)。
與圖1所示的基板處理裝置1同樣地，在基板處理裝置1a中能使因為變質層972而降低的非晶矽層97的蝕刻率增大。具體而言，切斷變質層972中的Si－O鍵結以及Si－C鍵結，藉此能使非晶矽層97的蝕刻率增大。藉此，能效率佳地進行非晶矽層97的濕蝕刻。結果，能效率佳地對基板9進行上面所說明的多圖案化。
如上面所說明般，在基板處理裝置1a中，在步驟S12中掃描基板9上的紫外線的照射區域。此時，較佳為藉由照射控制部62控制照射區域掃描機構73，藉此將對於非晶矽層97中之變質層972較厚的區域之紫外線的照射區域的掃描速度設定成比對於非晶矽層97中之變質層972較薄的區域之紫外線的照射區域的掃描速度還大。藉此，對於非晶矽層97中之變質層972較厚的區域之紫外線的累計照射量係變成比對於非晶矽層97中之變質層972較薄的區域之紫外線的累計照射量還大。結果，能提升非晶矽層97的整體中的變質層972的改質的均勻性。此外，該改質的均勻性提升係能藉由非晶矽層97的整體中的蝕刻率的均勻性提升而確認。
亦可在基板處理裝置1a中，藉由照射控制部62控制紫外線燈71a的輸出，並將對於變質層972較厚的區域之紫外線的照射度設定成比對於變質層972較薄的區域之紫外線的照射度還大。在此情形中，能將紫外線的照射區域的掃描速度維持成固定，並將對於非晶矽層97中之變質層972較厚的區域之紫外線的累計照射量設定成比對於非晶矽層97中之變質層972較薄的區域之紫外線的累計照射量還大。結果，與上面所說明同樣地，能提升非晶矽層97的整體中的變質層972的改質的均勻性。
如上面所說明般，在基板處理裝置1a中，在步驟S13中掃描基板9上的藥液的噴出位置。此時，較佳為藉由供給控制部63控制噴嘴旋轉機構512(亦即噴出位置掃描機構)，藉此將對於非晶矽層97中之變質層972較厚的區域之藥液的噴出位置的掃描速度設定成比對於非晶矽層97中之變質層972較薄的區域之藥液的噴出位置的掃描速度還小。藉此，對於非晶矽層97中之變質層972較厚的區域之藥液的噴出時間變成比非晶矽層97中之變質層972較薄的區域之藥液的噴出時間還長。結果，能提升非晶矽層97的整體中的濕蝕刻的均勻性(例如濕蝕刻的進行速度的均勻性)。
在上面所說明的基板處理方法以及基板處理裝置1、1a中可進行各種變更。
例如，步驟S12中朝非晶矽層97照射紫外線並不一定需要在低氧氛圍中進行，亦可在例如大氣氛圍中進行。
在步驟S12中，亦可配合變質層972的種類以及／或者厚度等適當地變更對於非晶矽層97之紫外線的累計照射量。例如，對於非晶矽層97之紫外線的累計照射量亦可為未滿1000mJ／cm2 。
在步驟S12中，亦可配合變質層972的種類以及／或者厚度等適當地變更照射至非晶矽層97之紫外線的波長。例如，照射至非晶矽層97之紫外線的波長亦可比250nm還長。
基板處理裝置1、1a中所處理的基板9的非晶矽層97並不一定須為在對基板9進行多圖案化的中途所形成的中間圖案，亦可為已施予了多圖案化以外的處理的非晶矽層。
在基板處理裝置1、1a中所改質的變質層972並未限定於使用氟碳系氣體以及氧氣體所生成的電漿所為之電漿蝕刻時所形成的變質層972，亦可為藉由其他的處理將非晶矽層97的表面進行變質的變質層972。
在基板處理裝置1中，對於非晶矽層97之紫外線的照射亦可藉由圖10所示的紫外線照射部7a來進行。此外，在基板處理裝置1a中，對於非晶矽層97之紫外線的照射亦可藉由圖1所示的紫外線照射部7來進行。此外，在基板處理裝置1a中，照射單元14與液體處理單元15亦可收容於不同的殼體。
上面所說明的基板處理裝置1係除了利用於半導體基板的處理以外，亦可利用於液晶顯示裝置或者有機EL(Electro Luminescence；電致發光)顯示裝置等平面顯示裝置(Flat Panel Display)所使用的玻璃基板的處理或者利用於其他的顯示裝置所使用的玻璃基板的處理。此外，上面所說明的基板處理裝置1亦可利用於光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板以及太陽電池用基板等的處理。
上面所說明的實施形態以及各個變化例中的構成只要不相互矛盾則亦可適當地組合。
雖然已詳細地描述並說明本發明，但上述說明僅為例示性而非是限定性。因此，只要未逸離本發明的範圍則可有各種變化以及態樣。
1,1a:基板處理裝置 4:罩部 5:處理液供給部 6:控制部 7,7a:紫外線照射部 9:基板(半導體基板) 11:殼體 12:氣流形成部 14:照射單元 15:液體處理單元 31:基板保持部 31a:第一基板保持部 31b:第二基板保持部 33:基板旋轉機構 51:噴嘴 52:藥液供給部 53:清洗液供給部 54:其他的藥液供給部 61:記憶部 62:照射控制部 63:供給控制部 71,71a:紫外線燈 72:燈升降機構 73:照射區域掃描機構 91:上表面 93:矽基板本體 94:絕緣膜 95:氮化鈦膜 96:氮化矽膜 97:非晶矽層 98:被覆膜 511:臂 512:噴嘴旋轉機構 521:藥液供給源 522:藥液配管 531:清洗液供給源 532:清洗液配管 541:其他的藥液供給源 542:其他的藥液配管 971:圖案要素 972:變質層 981:側壁 J1:中心軸
[圖1]係第一實施形態的基板處理裝置的側視圖。 [圖2]係顯示處理液供給部之方塊圖。 [圖3]係顯示基板的上表面附近的部位之剖視圖。 [圖4]係顯示基板的上表面附近的部位之剖視圖。 [圖5]係顯示基板的上表面附近的部位之剖視圖。 [圖6]係顯示基板的處理的流程的一例之圖。 [圖7]係顯示非晶矽層的蝕刻率之圖。 [圖8]係顯示基板的處理的流程的一部分之圖。 [圖9]係顯示處理液供給部之方塊圖。 [圖10]係第二實施形態的基板處理裝置的側視圖。

Claims (20)

  1. 一種基板處理方法，係具備有：工序(a)，係以水平狀態保持具有非晶矽層的基板，前述非晶矽層係於表面形成有源自乾蝕刻的變質層；工序(b)，係對前述變質層照射紫外線，藉此將前述變質層改質並生成改質層；以及工序(c)，係對於表面具有前述改質層的前述非晶矽層供給藥液，藉此對前述非晶矽層進行濕蝕刻；前述非晶矽層為在對前述基板進行多圖案化的中途所形成的中間圖案；在前述乾蝕刻中，對用以覆蓋前述中間圖案的上表面以及側面之被覆膜進行非等向性蝕刻，藉此從前述被覆膜露出前述中間圖案的前述上表面，並形成用以覆蓋前述中間圖案的前述側面之前述被覆膜的側壁；在前述濕蝕刻中去除前述中間圖案並殘留前述側壁。
  2. 如請求項1所記載之基板處理方法，其中在前述乾蝕刻中，藉由使用氟碳系氣體以及氧氣體所生成的電漿對形成於前述非晶矽層的表面的前述被覆膜進行蝕刻。
  3. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中前述紫外線的波長為250nm以下。
  4. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中前述工序(b)中的前述紫外線的累計照射量為1000mJ/cm2以上。
  5. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中前述工序(b)中的前述紫外線的照射係在低氧氛圍中進行。
  6. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中在前述工序(b)中，掃描前述基板上的前述紫外線的照射區域；對於前述非晶矽層中之前述變質層較厚的區域之前述紫外線的累計照射量係比對於前述非晶矽層中之前述變質層較薄的區域之前述紫外線的累計照射量還大。
  7. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中在前述工序(c)中，掃描前述基板上的前述藥液的噴出位置；對於前述非晶矽層中之前述改質層較厚的區域之前述藥液的噴出時間係比對於前述非晶矽層中之前述改質層較薄的區域之前述藥液的噴出時間還長。
  8. 如請求項1或2中任一項所記載之基板處理方法，其中於前述工序(b)與前述工序(c)之間進一步具備有下述工序：對前述非晶矽層供給其他的藥液並去除前述非晶矽層的表面自然氧化膜。
  9. 一種基板處理方法，係具備有：工序(a)，係以水平狀態保持具有非晶矽層的基板，前述非晶矽層係於表面形成有源自乾蝕刻的變質層；工序(b)，係對前述變質層照射紫外線，藉此將前述變質層改質並生成改質層；以及工序(c)，係對於表面具有前述改質層的前述非晶矽層供給藥液，藉此對前述非晶矽層進行濕蝕刻；前述工序(b)中的前述紫外線的照射係在低氧氛圍中進行。
  10. 如請求項9所記載之基板處理方法，其中在前述工序(b)中，掃描前述基板上的前述紫外線的照射區域； 對於前述非晶矽層中之前述變質層較厚的區域之前述紫外線的累計照射量係比對於前述非晶矽層中之前述變質層較薄的區域之前述紫外線的累計照射量還大。
  11. 如請求項9或10所記載之基板處理方法，其中在前述工序(c)中，掃描前述基板上的前述藥液的噴出位置；對於前述非晶矽層中之前述改質層較厚的區域之前述藥液的噴出時間係比對於前述非晶矽層中之前述改質層較薄的區域之前述藥液的噴出時間還長。
  12. 如請求項9或10中任一項所記載之基板處理方法，其中於前述工序(b)與前述工序(c)之間進一步具備有下述工序：對前述非晶矽層供給其他的藥液並去除前述非晶矽層的表面自然氧化膜。
  13. 一種基板處理裝置，係具備有：基板保持部，係以水平狀態保持具有非晶矽層的基板，前述非晶矽層係於表面形成有源自乾蝕刻的變質層；紫外線照射部，係對前述變質層照射紫外線，藉此將前述變質層改質並生成改質層；以及藥液供給部，係對於表面具有前述改質層的前述非晶矽層供給藥液並對前述非晶矽層進行濕蝕刻；前述非晶矽層為在對前述基板進行多圖案化的中途所形成的中間圖案；在前述乾蝕刻中，對用以覆蓋前述中間圖案的上表面以及側面之被覆膜進行非等向性蝕刻，藉此從前述被覆膜露出前述中間圖案的前述上表面，並形成用以覆蓋前述中間圖案的前述側面之前述被覆膜的側壁；在前述濕蝕刻中去除前述中間圖案並殘留前述側壁。
  14. 如請求項13所記載之基板處理裝置，其中在前述乾蝕刻中，藉由使用氟碳系氣體以及氧氣體所生成的電漿對形成於前述非晶矽層的表面的前述被覆膜進行蝕刻。
  15. 如請求項13所記載之基板處理裝置，其中對於前述非晶矽層之前述紫外線的照射係在低氧氛圍中進行。
  16. 如請求項13至15中任一項所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：其他的藥液供給部，係在對於前述非晶矽層之前述紫外線的照射與前述藥液的供給之間對前述非晶矽層供給其他的藥液並去除前述非晶矽層的表面自然氧化膜。
  17. 一種基板處理裝置，係具備有：基板保持部，係以水平狀態保持具有非晶矽層的基板，前述非晶矽層係於表面形成有源自乾蝕刻的變質層；紫外線照射部，係對前述變質層照射紫外線，藉此將前述變質層改質並生成改質層；以及藥液供給部，係對於表面具有前述改質層的前述非晶矽層供給藥液並對前述非晶矽層進行濕蝕刻；前述基板處理裝置係進一步具備有：照射控制部，係控制前述紫外線照射部；前述紫外線照射部係具備有：紫外線燈，係對前述基板照射前述紫外線；以及照射區域掃描機構，係掃描前述基板上的前述紫外線的照射區域； 前述照射控制部係控制前述紫外線燈以及前述照射區域掃描機構的至少一者，藉此將對於前述非晶矽層中之前述變質層較厚的區域之前述紫外線的累計照射量設定成比對於前述非晶矽層中之前述變質層較薄的區域之前述紫外線的累計照射量還大。
  18. 如請求項17所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：其他的藥液供給部，係在對於前述非晶矽層之前述紫外線的照射與前述藥液的供給之間對前述非晶矽層供給其他的藥液並去除前述非晶矽層的表面自然氧化膜。
  19. 一種基板處理裝置，係具備有：基板保持部，係以水平狀態保持具有非晶矽層的基板，前述非晶矽層係於表面形成有源自乾蝕刻的變質層；紫外線照射部，係對前述變質層照射紫外線，藉此將前述變質層改質並生成改質層；以及藥液供給部，係對於表面具有前述改質層的前述非晶矽層供給藥液並對前述非晶矽層進行濕蝕刻；前述基板處理裝置係進一步具備有：供給控制部，係控制前述藥液供給部；前述藥液供給部係具備有：藥液噴出部，係對前述基板噴出前述藥液；以及噴出位置掃描機構，係掃描前述基板上的前述藥液的噴出位置；前述供給控制部係控制前述噴出位置掃描機構，藉此將對於前述非晶矽層中之前述改質層較厚的區域之前述藥液的噴出時間設定成比對於前述非晶矽層中之前述改質層較薄的區域之前述藥液的噴出時間還長。
  20. 如請求項19所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：其他的藥液供給部，係在對於前述非晶矽層之前述紫外線的照射與前述藥液的供給之間對前述非晶矽層供給其他的藥液並去除前述非晶矽層的表面自然氧化膜。
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