JP2002093740A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2002093740A JP2002093740A JP2000278869A JP2000278869A JP2002093740A JP 2002093740 A JP2002093740 A JP 2002093740A JP 2000278869 A JP2000278869 A JP 2000278869A JP 2000278869 A JP2000278869 A JP 2000278869A JP 2002093740 A JP2002093740 A JP 2002093740A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】微細化が進んだＳｉ基板と配線金属のコンタク
ト部に対しても、安定してＳｉノジュールを低減する高
信頼性の半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】ステップ１１でＳｉウェハへの第１層目配
線金属層との接続のためのコンタクト開口部を形成す
る。次に、ステップ１２でコンタクト開口部表面の改質
を促すＳｉウェハに対する紫外線照射工程がなされる。
これにより、コンタクト開口部のＳｉ表面に形成された
酸化膜を均一な酸化膜質にする。また、Ｓｉノジュール
生成の核となる成長源を出さないようにする。次に、ス
テップ１３でアルカリ過水洗浄工程に入る。コンタクト
開口部低部のＳｉは極僅かにエッチングされ、エッチン
グダメージによる表面ラフネスは均一に小さくされる。
コンタクト開口部底部表面には極薄い１ｎｍ程度の酸化
膜が均一に形成され易くなる。
ト部に対しても、安定してＳｉノジュールを低減する高
信頼性の半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】ステップ１１でＳｉウェハへの第１層目配
線金属層との接続のためのコンタクト開口部を形成す
る。次に、ステップ１２でコンタクト開口部表面の改質
を促すＳｉウェハに対する紫外線照射工程がなされる。
これにより、コンタクト開口部のＳｉ表面に形成された
酸化膜を均一な酸化膜質にする。また、Ｓｉノジュール
生成の核となる成長源を出さないようにする。次に、ス
テップ１３でアルカリ過水洗浄工程に入る。コンタクト
開口部低部のＳｉは極僅かにエッチングされ、エッチン
グダメージによる表面ラフネスは均一に小さくされる。
コンタクト開口部底部表面には極薄い１ｎｍ程度の酸化
膜が均一に形成され易くなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置製造に
係り、特に安価な半導体製品において基板と配線のコン
タクト部におけるノジュール被覆によるコンタクト導通
不良をなくする半導体装置の製造方法に関する。
係り、特に安価な半導体製品において基板と配線のコン
タクト部におけるノジュール被覆によるコンタクト導通
不良をなくする半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の大規模集積化、デザ
インルールの縮小化が著しい。これに伴い、半導体基板
（例えばＳｉ基板）上の素子構成に含まれる不純物拡散
層と上層の金属配線とのコンタクト部は狭まる一方であ
る。
インルールの縮小化が著しい。これに伴い、半導体基板
（例えばＳｉ基板）上の素子構成に含まれる不純物拡散
層と上層の金属配線とのコンタクト部は狭まる一方であ
る。
【０００３】例えば、ＭＯＳ型素子のソース／ドレイン
領域とＡｌ（アルミニウム）配線との接続等には良好な
オーミック接触が要求される。このような接続に関する
コンタクト構造は、コンタクト開口部の微細化、不純物
拡散層の浅層化に伴い、アロイスパイク不良やコンタク
ト導通不良の危惧にされされる。
領域とＡｌ（アルミニウム）配線との接続等には良好な
オーミック接触が要求される。このような接続に関する
コンタクト構造は、コンタクト開口部の微細化、不純物
拡散層の浅層化に伴い、アロイスパイク不良やコンタク
ト導通不良の危惧にされされる。
【０００４】前者のアロイスパイク不良は、コンタクト
開口部からＳｉがＡｌ中へ溶け出すことによるＰＮ接合
破壊の現象である。これに関しては、例えばＡｌ中にＳ
ｉを含んだＡｌ−Ｓｉ合金を配線接続し、基板側のＳｉ
溶出を抑制する防止対策がある。
開口部からＳｉがＡｌ中へ溶け出すことによるＰＮ接合
破壊の現象である。これに関しては、例えばＡｌ中にＳ
ｉを含んだＡｌ−Ｓｉ合金を配線接続し、基板側のＳｉ
溶出を抑制する防止対策がある。
【０００５】後者のコンタクト導通不良は、上記Ａｌ−
Ｓｉ合金を配線に用いたときに起こる。すなわち、プロ
セス温度からの冷却時に過飽和にＡｌ中に存在するＳｉ
が各所に析出するのである。これはＳｉノジュールと呼
ばれる。このようなＳｉノジュールが微細なコンタクト
開口部を覆った場合、コンタクト部は非オーミック接触
となる。この結果、コンタクト抵抗は非常に高くなり、
コンタクト導通不良の発生に至る。
Ｓｉ合金を配線に用いたときに起こる。すなわち、プロ
セス温度からの冷却時に過飽和にＡｌ中に存在するＳｉ
が各所に析出するのである。これはＳｉノジュールと呼
ばれる。このようなＳｉノジュールが微細なコンタクト
開口部を覆った場合、コンタクト部は非オーミック接触
となる。この結果、コンタクト抵抗は非常に高くなり、
コンタクト導通不良の発生に至る。
【０００６】このような、コンタクト不良に関する対策
としては、ＡｌとＳｉの反応を抑えるシリサイド膜
（Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ等のシリコン化合物）やＴｉＮ，Ｔｉ
Ｗ等のバリア金属膜を導入する技術が知られている。
としては、ＡｌとＳｉの反応を抑えるシリサイド膜
（Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ等のシリコン化合物）やＴｉＮ，Ｔｉ
Ｗ等のバリア金属膜を導入する技術が知られている。
【０００７】しかしながら、シリサイド膜やバリア金属
膜を用いる構造は、工程増となり、製造コストが高くな
る。従ってこのような構造の適用は避けたい製品もあ
る。このような場合、製造プロセス中におけるコンタク
ト開口部の清浄化によってＳｉノジュールを低減する方
策がとられている。
膜を用いる構造は、工程増となり、製造コストが高くな
る。従ってこのような構造の適用は避けたい製品もあ
る。このような場合、製造プロセス中におけるコンタク
ト開口部の清浄化によってＳｉノジュールを低減する方
策がとられている。
【０００８】例えば、配線形成の直前において、コンタ
クト開口部の清浄化またはコンタクト開口した際におけ
るドライエッチングダメージ除去の観点から、ＲＣＡ洗
浄を含む工程が実施される。
クト開口部の清浄化またはコンタクト開口した際におけ
るドライエッチングダメージ除去の観点から、ＲＣＡ洗
浄を含む工程が実施される。
【０００９】ＲＣＡ洗浄とは、１９７０年代初めに米Ｒ
ＣＡ社によって開発されたＬＳＩ製造工程（ウェハ工
程）における基本的な洗浄方法である。因みにＲＣＡ洗
浄は、ウェハ表面の有機物及び金属汚染を除去する硫酸
−過酸化水素水混合液（ＳＰＭ：sulfuric acid ／hydr
ogen peroxide ／water mix ）による洗浄、またはウェ
ハ表面の酸化膜中の金属汚染を除去するＤＨＦ洗浄（di
luteＨＦ、すなわちＨＦとＨ2 Ｏである希釈ＨＦによる
洗浄）、ＳＣ-1（Standard Cleaning, Solution1 ）と
呼ばれるウェハ表面のパーティクルと有機物汚染等を除
去するＡＰＭ洗浄（ammonium hydroxide／hydrogen per
oxide ／ water mix、すなわちＮＨ4 ＯＨとＨ2 Ｏ2 の
混合液による洗浄）、ＳＣ-2（Standard Cleaning, Sol
ution 2 ）と呼ばれるウェハ表面の金属汚染を除去する
ＨＰＭ洗浄（ＨＣｌとＨ2 Ｏ2 の混合液、すなわち、hy
drochloric acid／hydrogen peroxide ／water mix ）
などが含まれる。
ＣＡ社によって開発されたＬＳＩ製造工程（ウェハ工
程）における基本的な洗浄方法である。因みにＲＣＡ洗
浄は、ウェハ表面の有機物及び金属汚染を除去する硫酸
−過酸化水素水混合液（ＳＰＭ：sulfuric acid ／hydr
ogen peroxide ／water mix ）による洗浄、またはウェ
ハ表面の酸化膜中の金属汚染を除去するＤＨＦ洗浄（di
luteＨＦ、すなわちＨＦとＨ2 Ｏである希釈ＨＦによる
洗浄）、ＳＣ-1（Standard Cleaning, Solution1 ）と
呼ばれるウェハ表面のパーティクルと有機物汚染等を除
去するＡＰＭ洗浄（ammonium hydroxide／hydrogen per
oxide ／ water mix、すなわちＮＨ4 ＯＨとＨ2 Ｏ2 の
混合液による洗浄）、ＳＣ-2（Standard Cleaning, Sol
ution 2 ）と呼ばれるウェハ表面の金属汚染を除去する
ＨＰＭ洗浄（ＨＣｌとＨ2 Ｏ2 の混合液、すなわち、hy
drochloric acid／hydrogen peroxide ／water mix ）
などが含まれる。
【００１０】上記のようなＲＣＡ洗浄のうち、従来では
ＳＣ-1（またはＳＣ-2も併用）の洗浄処理を利用して配
線形成の直前におけるコンタクト開口部の清浄化を行う
場合があった。一般にはコンタクト開口部形成後、ドラ
イ後処理を経てランプアニールによる加熱、その後、Ｒ
ＣＡ洗浄に入る。加熱処理はＲＣＡ洗浄の十分な効果を
引き出すために必要である。
ＳＣ-1（またはＳＣ-2も併用）の洗浄処理を利用して配
線形成の直前におけるコンタクト開口部の清浄化を行う
場合があった。一般にはコンタクト開口部形成後、ドラ
イ後処理を経てランプアニールによる加熱、その後、Ｒ
ＣＡ洗浄に入る。加熱処理はＲＣＡ洗浄の十分な効果を
引き出すために必要である。
【００１１】このような洗浄処理により、コンタクト開
口部底部表面には極薄い１ｎｍ程度の酸化膜が均一に形
成され易くなる。このコンタクト開口部底部の極薄い酸
化膜は、基板側のＳｉとＡｌ中に存在するＳｉとのＳｉ
−Ｓｉ結合子の遮断に寄与する。これにより、後に接続
されるアルミニウム配線（Ａｌ−Ｓｉ合金配線）の密着
性を高め、Ｓｉノジュールの発生を抑制する働きがあ
る。
口部底部表面には極薄い１ｎｍ程度の酸化膜が均一に形
成され易くなる。このコンタクト開口部底部の極薄い酸
化膜は、基板側のＳｉとＡｌ中に存在するＳｉとのＳｉ
−Ｓｉ結合子の遮断に寄与する。これにより、後に接続
されるアルミニウム配線（Ａｌ−Ｓｉ合金配線）の密着
性を高め、Ｓｉノジュールの発生を抑制する働きがあ
る。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、微細な
コンタクト部において、数十個に１〜２個の割合でＳｉ
ノジュールの抑制が不充分なものがある。これにより、
コンタクト抵抗が全体的に安定化せず問題となってい
る。
コンタクト部において、数十個に１〜２個の割合でＳｉ
ノジュールの抑制が不充分なものがある。これにより、
コンタクト抵抗が全体的に安定化せず問題となってい
る。
【００１３】本発明は、上記のような事情を考慮してな
されたもので、微細化が進んだＳｉ基板と配線金属のコ
ンタクト部に対しても、一様に安定してＳｉノジュール
を低減する高信頼性の半導体装置の製造方法を提供しよ
うとするものである。
されたもので、微細化が進んだＳｉ基板と配線金属のコ
ンタクト部に対しても、一様に安定してＳｉノジュール
を低減する高信頼性の半導体装置の製造方法を提供しよ
うとするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
の製造方法は、Ｓｉウェハ上の所定領域と配線層が接続
されるコンタクト開口部を洗浄する方法であって、前記
配線層を被覆形成する前の段階で前記コンタクト開口部
表面の改質を促す前記Ｓｉウェハに対する紫外線照射工
程と、前記紫外線照射工程後、前記コンタクト開口部表
面洗浄のため前記Ｓｉウェハに対するアルカリ過水洗浄
工程とを具備したことを特徴とする。
の製造方法は、Ｓｉウェハ上の所定領域と配線層が接続
されるコンタクト開口部を洗浄する方法であって、前記
配線層を被覆形成する前の段階で前記コンタクト開口部
表面の改質を促す前記Ｓｉウェハに対する紫外線照射工
程と、前記紫外線照射工程後、前記コンタクト開口部表
面洗浄のため前記Ｓｉウェハに対するアルカリ過水洗浄
工程とを具備したことを特徴とする。
【００１５】上記本発明に係る半装導体置の製造方法に
よれば、紫外線照射工程を経ることによって、コンタク
ト開口部のＳｉ表面の酸化膜を均一な酸化膜質にし、か
つ、Ｓｉノジュール生成の核となる成長源を出さないよ
うにする。これにより、その後のアルカリ過水洗浄工程
において酸化還元反応を効率よく行う。
よれば、紫外線照射工程を経ることによって、コンタク
ト開口部のＳｉ表面の酸化膜を均一な酸化膜質にし、か
つ、Ｓｉノジュール生成の核となる成長源を出さないよ
うにする。これにより、その後のアルカリ過水洗浄工程
において酸化還元反応を効率よく行う。
【００１６】また、本発明に係る半装導体置の製造方法
は、Ｓｉウェハ上の所定領域と配線層が接続されるコン
タクト開口部を洗浄する方法であって、前記配線層を被
覆形成する前の段階で前記コンタクト開口部表面の改質
を促す前記Ｓｉウェハに対するオゾン供給工程と、前記
オゾン供給工程後、前記コンタクト開口部表面洗浄のた
め前記Ｓｉウェハに対するアルカリ過水洗浄工程とを具
備したことを特徴とする。
は、Ｓｉウェハ上の所定領域と配線層が接続されるコン
タクト開口部を洗浄する方法であって、前記配線層を被
覆形成する前の段階で前記コンタクト開口部表面の改質
を促す前記Ｓｉウェハに対するオゾン供給工程と、前記
オゾン供給工程後、前記コンタクト開口部表面洗浄のた
め前記Ｓｉウェハに対するアルカリ過水洗浄工程とを具
備したことを特徴とする。
【００１７】上記本発明に係る半装導体置の製造方法に
よれば、オゾン供給工程を経ることによって、コンタク
ト開口部のＳｉ表面の酸化膜を均一な酸化膜質にし、か
つ、Ｓｉノジュール生成の核となる成長源を出さないよ
うにする。これにより、その後のアルカリ過水洗浄工程
において酸化還元反応を効率よく行う。
よれば、オゾン供給工程を経ることによって、コンタク
ト開口部のＳｉ表面の酸化膜を均一な酸化膜質にし、か
つ、Ｓｉノジュール生成の核となる成長源を出さないよ
うにする。これにより、その後のアルカリ過水洗浄工程
において酸化還元反応を効率よく行う。
【００１８】上記本発明に係る半装導体置の製造方法
は、いずれも、上記アルカリ過水洗浄工程後、少なくと
も上記コンタクト開口部に配線層となる金属をスパッタ
することにより配線層を被覆形成する工程をさらに具備
することを特徴とする。これにより、Ｓｉノジュールの
懸念が解消され低抵抗のコンタクト部が実現される。
は、いずれも、上記アルカリ過水洗浄工程後、少なくと
も上記コンタクト開口部に配線層となる金属をスパッタ
することにより配線層を被覆形成する工程をさらに具備
することを特徴とする。これにより、Ｓｉノジュールの
懸念が解消され低抵抗のコンタクト部が実現される。
【００１９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１実施形態に
係る半導体装置の製造方法のウェハに対する要部の工程
を示す流れ図である。まずステップ１１でＳｉウェハへ
のトランジスタ素子など形成、及び、第１層目配線金属
層との接続のためのコンタクト開口部を形成するリソグ
ラフィ工程を経る（レジストも除去する）。
係る半導体装置の製造方法のウェハに対する要部の工程
を示す流れ図である。まずステップ１１でＳｉウェハへ
のトランジスタ素子など形成、及び、第１層目配線金属
層との接続のためのコンタクト開口部を形成するリソグ
ラフィ工程を経る（レジストも除去する）。
【００２０】その後、ステップ１２に示すように、コン
タクト開口部表面の改質を促すＳｉウェハに対する紫外
線照射工程がなされる。このときコンタクト開口部表面
はエッチングダメージで表面ラフネスは平均的にかなり
大きく、自然酸化膜も厚い箇所、ほとんど無い薄い箇所
など大きくばらついている。紫外線照射工程を経ること
によって、コンタクト開口部のＳｉ表面に形成された酸
化膜を均一な酸化膜質にする。また、Ｓｉノジュール生
成の核となる成長源を出さないようにする。
タクト開口部表面の改質を促すＳｉウェハに対する紫外
線照射工程がなされる。このときコンタクト開口部表面
はエッチングダメージで表面ラフネスは平均的にかなり
大きく、自然酸化膜も厚い箇所、ほとんど無い薄い箇所
など大きくばらついている。紫外線照射工程を経ること
によって、コンタクト開口部のＳｉ表面に形成された酸
化膜を均一な酸化膜質にする。また、Ｓｉノジュール生
成の核となる成長源を出さないようにする。
【００２１】次に、ステップ１３に示すように、アルカ
リ過水洗浄工程に入る。ここでは、前記したＲＣＡ洗浄
のＳＣ-1洗浄処理を利用してコンタクト開口部の清浄化
を行う。洗浄液（すなわちＮＨ4 ＯＨとＨ2 Ｏ2 の混合
溶液）は、ＳｉウェハＷＦに形成された図示しない微細
なコンタクト開口部底部に一様に浸透する。
リ過水洗浄工程に入る。ここでは、前記したＲＣＡ洗浄
のＳＣ-1洗浄処理を利用してコンタクト開口部の清浄化
を行う。洗浄液（すなわちＮＨ4 ＯＨとＨ2 Ｏ2 の混合
溶液）は、ＳｉウェハＷＦに形成された図示しない微細
なコンタクト開口部底部に一様に浸透する。
【００２２】上記紫外線照射工程によってある程度均一
な酸化膜質となっているコンタクト開口部においては、
この洗浄液が持つ酸化還元反応を効率良く発揮させるこ
とができる。この結果、コンタクト開口部低部のＳｉは
極僅かにエッチングされ、エッチングダメージによる表
面ラフネスは均一に小さくされる。
な酸化膜質となっているコンタクト開口部においては、
この洗浄液が持つ酸化還元反応を効率良く発揮させるこ
とができる。この結果、コンタクト開口部低部のＳｉは
極僅かにエッチングされ、エッチングダメージによる表
面ラフネスは均一に小さくされる。
【００２３】これにより、Ｓｉノジュール生成のための
核を生成し難くしつつ、コンタクト開口部底部表面には
極薄い１ｎｍ程度の酸化膜が均一に形成され易くなる。
その後、ステップ１４〜１５に示すように純水リンス〜
乾燥工程を経る。
核を生成し難くしつつ、コンタクト開口部底部表面には
極薄い１ｎｍ程度の酸化膜が均一に形成され易くなる。
その後、ステップ１４〜１５に示すように純水リンス〜
乾燥工程を経る。
【００２４】コンタクト開口部底部に形成される極薄い
酸化膜（１〜１．５ｎｍ程度）は、基板側のＳｉとＡｌ
中に存在するＳｉとのＳｉ−Ｓｉ結合子の遮断に寄与す
る。これにより、後に接続されるアルミニウム配線（Ａ
ｌ−Ｓｉ合金配線）の密着性を高め、Ｓｉノジュールの
発生を抑制する。
酸化膜（１〜１．５ｎｍ程度）は、基板側のＳｉとＡｌ
中に存在するＳｉとのＳｉ−Ｓｉ結合子の遮断に寄与す
る。これにより、後に接続されるアルミニウム配線（Ａ
ｌ−Ｓｉ合金配線）の密着性を高め、Ｓｉノジュールの
発生を抑制する。
【００２５】図２は、上記第１実施形態の方法を適用し
て設けたＳｉ基板の不純物領域と第１層目配線層との微
細なコンタクト部を示す断面図である。Ｓｉ基板２１上
の不純物領域２２は、層間絶縁膜２３に形成された開口
部２４を介してアルミニウム配線（Ａｌ−Ｓｉ合金配
線）層２５と接続されている。上述のアルカリ過水洗浄
工程後、少なくとも開口部２４を含む全面に配線層とな
るアルミニウム配線（Ａｌ−Ｓｉ合金配線）金属をスパ
ッタ形成し、パターニングする。
て設けたＳｉ基板の不純物領域と第１層目配線層との微
細なコンタクト部を示す断面図である。Ｓｉ基板２１上
の不純物領域２２は、層間絶縁膜２３に形成された開口
部２４を介してアルミニウム配線（Ａｌ−Ｓｉ合金配
線）層２５と接続されている。上述のアルカリ過水洗浄
工程後、少なくとも開口部２４を含む全面に配線層とな
るアルミニウム配線（Ａｌ−Ｓｉ合金配線）金属をスパ
ッタ形成し、パターニングする。
【００２６】上記第１実施形態の方法を適用すれば、微
細なＭＯＳ型素子のソース／ドレイン領域との配線接続
等に、良好なオーミック接触が得られることが期待でき
る。つまり、微細なコンタクト部においても、紫外線照
射工程を経ることにより、その後のアルカリ過水洗浄
（ＲＣＡ洗浄）の効能が短時間に与えられるといえる。
よって、複数の微細なコンタクト部に関し一様に安定し
てＳｉノジュールが低減されやすい。
細なＭＯＳ型素子のソース／ドレイン領域との配線接続
等に、良好なオーミック接触が得られることが期待でき
る。つまり、微細なコンタクト部においても、紫外線照
射工程を経ることにより、その後のアルカリ過水洗浄
（ＲＣＡ洗浄）の効能が短時間に与えられるといえる。
よって、複数の微細なコンタクト部に関し一様に安定し
てＳｉノジュールが低減されやすい。
【００２７】また、既存の製造ラインに紫外線照射工程
を組み入れることは、シリサイド膜やバリア金属膜を用
いる場合に比べ、工程増の負担も少なく、製造コストも
安価で済む。
を組み入れることは、シリサイド膜やバリア金属膜を用
いる場合に比べ、工程増の負担も少なく、製造コストも
安価で済む。
【００２８】図３は、本発明の第２実施形態に係る半導
体装置の製造方法のウェハに対する要部の工程を示す流
れ図である。第１実施形態に比べて異なるのは、ステッ
プ１２の紫外線照射工程の代りにオゾン供給工程を経る
ようにした点である（ステップ３２と付す）。オゾン供
給工程によっても第１実施形態の方法と同様の効果が得
られる。
体装置の製造方法のウェハに対する要部の工程を示す流
れ図である。第１実施形態に比べて異なるのは、ステッ
プ１２の紫外線照射工程の代りにオゾン供給工程を経る
ようにした点である（ステップ３２と付す）。オゾン供
給工程によっても第１実施形態の方法と同様の効果が得
られる。
【００２９】すなわち、オゾン供給工程を経ることによ
って、コンタクト開口部のＳｉ表面に形成された酸化膜
を均一な酸化膜質にする。また、Ｓｉノジュール生成の
核となる成長源を出さないようされる。これにより、そ
の後のアルカリ過水洗浄工程において酸化還元反応を効
率よく行うことができる。
って、コンタクト開口部のＳｉ表面に形成された酸化膜
を均一な酸化膜質にする。また、Ｓｉノジュール生成の
核となる成長源を出さないようされる。これにより、そ
の後のアルカリ過水洗浄工程において酸化還元反応を効
率よく行うことができる。
【００３０】よって、上記第２実施形態の方法を適用す
ることによっても、前記図２に示すように、微細なＭＯ
Ｓ型素子のソース／ドレイン領域との配線接続等に、良
好なオーミック接触が得られることが期待できる。ま
た、既存の製造ラインにオゾン供給工程を組み入れるこ
とは、シリサイド膜やバリア金属膜を用いる場合に比
べ、工程増の負担も少なく、製造コストも安価で済む。
ることによっても、前記図２に示すように、微細なＭＯ
Ｓ型素子のソース／ドレイン領域との配線接続等に、良
好なオーミック接触が得られることが期待できる。ま
た、既存の製造ラインにオゾン供給工程を組み入れるこ
とは、シリサイド膜やバリア金属膜を用いる場合に比
べ、工程増の負担も少なく、製造コストも安価で済む。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体装置の製造方法によれば、Ｓｉウェハのコンタクト開
口部の洗浄は、微細なコンタクト部においても、紫外線
照射工程あるいはオゾン供給工程を経ることにより、そ
の後のアルカリ過水洗浄（ＲＣＡ洗浄）の効能が短時間
に与えられるといえる。この結果、微細化が進んだＳｉ
基板と配線金属のコンタクト部に対しても、一様に安定
してＳｉノジュールを低減する高信頼性の半導体装置の
製造方法を提供することができる。
体装置の製造方法によれば、Ｓｉウェハのコンタクト開
口部の洗浄は、微細なコンタクト部においても、紫外線
照射工程あるいはオゾン供給工程を経ることにより、そ
の後のアルカリ過水洗浄（ＲＣＡ洗浄）の効能が短時間
に与えられるといえる。この結果、微細化が進んだＳｉ
基板と配線金属のコンタクト部に対しても、一様に安定
してＳｉノジュールを低減する高信頼性の半導体装置の
製造方法を提供することができる。
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造
方法のウェハに対する要部の工程を示す流れ図である。
方法のウェハに対する要部の工程を示す流れ図である。
【図２】上記第１実施形態の方法を適用して設けたＳｉ
基板の不純物領域と第１層目配線層との微細なコンタク
ト部を示す断面図である。
基板の不純物領域と第１層目配線層との微細なコンタク
ト部を示す断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造
方法のウェハに対する要部の工程を示す流れ図である。
方法のウェハに対する要部の工程を示す流れ図である。
１１〜１５，３２…処理ステップ ２１…Ｓｉ基板 ２２…不純物領域 ２３層間絶縁膜 ２４…開口部 ２５…アルミニウム配線層
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K029 AA06 AA24 AA29 BA23 BC03 BD02 CA05 FA04 4M104 AA01 BB02 BB03 CC01 DD06 DD22 DD23 DD28 DD37 GG09 GG10 GG14 HH06 HH15 5F033 HH09 JJ01 JJ09 KK01 PP15 QQ09 QQ37 QQ53 QQ92 RR04 SS25 XX03 XX07 XX13 XX34 5F043 AA31 BB22 BB27 DD02 DD15 FF06 GG03 5F058 BA06 BC02 BF62 BF78 BH11 BJ05
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｓｉウェハ上の所定領域と配線層が接続
されるコンタクト開口部を洗浄する方法であって、 前記配線層を被覆形成する前の段階で前記コンタクト開
口部表面の改質を促す前記Ｓｉウェハに対する紫外線照
射工程と、 前記紫外線照射工程後、前記コンタクト開口部表面洗浄
のため前記Ｓｉウェハに対するアルカリ過水洗浄工程
と、を具備したことを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項２】 Ｓｉウェハ上の所定領域と配線層が接続
されるコンタクト開口部を洗浄する方法であって、 前記配線層を被覆形成する前の段階で前記コンタクト開
口部表面の改質を促す前記Ｓｉウェハに対するオゾン供
給工程と、 前記オゾン供給工程後、前記コンタクト開口部表面洗浄
のため前記Ｓｉウェハに対するアルカリ過水洗浄工程
と、を具備したことを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項３】 前記アルカリ過水洗浄工程後、少なくと
も前記コンタクト開口部に前記配線層となる金属をスパ
ッタすることにより前記配線層を被覆形成する工程をさ
らに具備することを特徴とした請求項１または２記載の
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000278869A JP2002093740A (ja) | 2000-09-13 | 2000-09-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000278869A JP2002093740A (ja) | 2000-09-13 | 2000-09-13 | 半導体装置の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002093740A true JP2002093740A (ja) | 2002-03-29 |
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ID=18763966
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000278869A Withdrawn JP2002093740A (ja) | 2000-09-13 | 2000-09-13 | 半導体装置の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002093740A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020188958A1 (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
-
2000
- 2000-09-13 JP JP2000278869A patent/JP2002093740A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020188958A1 (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2020155603A (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| US11881403B2 (en) | 2019-03-20 | 2024-01-23 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
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