JP2000331978A - 電子デバイスの洗浄方法及びその製造方法 - Google Patents
電子デバイスの洗浄方法及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子デバイスの構成要素に含まれるタングス
テン等の高融点金属の溶解を防止しつつ、電子デバイス
を確実に洗浄できるようにする。 【解決手段】 シリコン基板１１の上にポリシリコン膜
１３Ａ、タングステンナイトライド膜１３Ｂ、及びタン
グステン膜１３Ｃからなるポリメタルゲート電極１３を
形成した後、過酸化水素水を実質的に含まない酸性溶液
又は過酸化水素水を実質的に含まないアルカリ性溶液か
らなる洗浄液、例えば、テトラメチルアンモニウムハイ
ドロオキサイドと水との混合液、オゾンを含むオゾン含
有水、アンモニア水、又はフッ酸と水との混合液等を用
いてシリコン基板１１を洗浄する。
テン等の高融点金属の溶解を防止しつつ、電子デバイス
を確実に洗浄できるようにする。 【解決手段】 シリコン基板１１の上にポリシリコン膜
１３Ａ、タングステンナイトライド膜１３Ｂ、及びタン
グステン膜１３Ｃからなるポリメタルゲート電極１３を
形成した後、過酸化水素水を実質的に含まない酸性溶液
又は過酸化水素水を実質的に含まないアルカリ性溶液か
らなる洗浄液、例えば、テトラメチルアンモニウムハイ
ドロオキサイドと水との混合液、オゾンを含むオゾン含
有水、アンモニア水、又はフッ酸と水との混合液等を用
いてシリコン基板１１を洗浄する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、タングステン
（Ｗ）等の高融点金属を含む構成要素を有する電子デバ
イスの洗浄方法及びその製造方法に関し、特に、ＭＯＳ
トランジスタのゲート電極を低抵抗化するためのポリメ
タルゲート電極構造（Ｗ／ＷＮX ／Ｐｏｌｙ−Ｓｉ等）
又はメタルゲート電極構造（Ｗ／ＷＮX 等）を有する電
子デバイスの洗浄方法及びその製造方法に関する。
（Ｗ）等の高融点金属を含む構成要素を有する電子デバ
イスの洗浄方法及びその製造方法に関し、特に、ＭＯＳ
トランジスタのゲート電極を低抵抗化するためのポリメ
タルゲート電極構造（Ｗ／ＷＮX ／Ｐｏｌｙ−Ｓｉ等）
又はメタルゲート電極構造（Ｗ／ＷＮX 等）を有する電
子デバイスの洗浄方法及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、超ＬＳＩ素子においては、微細
化、高密度化、高速化及び低消費電力化等が進められて
いる。
化、高密度化、高速化及び低消費電力化等が進められて
いる。
【０００３】超ＬＳＩ素子を製造するプロセスにおいて
は、ＭＯＳトランジスタのゲート電極を低抵抗化するこ
とにより、超ＬＳＩ素子の一層の高速化が図られる。Ｍ
ＯＳトランジスタのゲート電極を低抵抗化するために、
従来のポリシリコンゲート電極又はシリサイドゲート電
極に代えて、シリコンを含まない金属、具体的には、高
融点金属が使用されたポリメタルゲート電極又はメタル
ゲート電極が開発されてきている。
は、ＭＯＳトランジスタのゲート電極を低抵抗化するこ
とにより、超ＬＳＩ素子の一層の高速化が図られる。Ｍ
ＯＳトランジスタのゲート電極を低抵抗化するために、
従来のポリシリコンゲート電極又はシリサイドゲート電
極に代えて、シリコンを含まない金属、具体的には、高
融点金属が使用されたポリメタルゲート電極又はメタル
ゲート電極が開発されてきている。
【０００４】ポリメタルゲート電極の構造としては、例
えば、ゲート酸化膜上にＷ／ＷＮX／Ｐｏｌｉ−Ｓｉが
堆積された構造、又はゲート酸化膜上にＷ／ＴｉＮ／Ｐ
ｏｌｉ−Ｓｉが堆積された構造等が用いられている。
えば、ゲート酸化膜上にＷ／ＷＮX／Ｐｏｌｉ−Ｓｉが
堆積された構造、又はゲート酸化膜上にＷ／ＴｉＮ／Ｐ
ｏｌｉ−Ｓｉが堆積された構造等が用いられている。
【０００５】メタルゲート電極の構造としては、例え
ば、ゲート酸化膜上にＷ／ＷＮX が堆積された構造、又
はゲート酸化膜上にＷ／ＴｉＮが堆積された構造等が用
いられている。
ば、ゲート酸化膜上にＷ／ＷＮX が堆積された構造、又
はゲート酸化膜上にＷ／ＴｉＮが堆積された構造等が用
いられている。
【０００６】すなわち、ポリメタルゲート電極又はメタ
ルゲート電極の材料となる高融点金属しては、主として
タングステンが用いられている（月刊 Semiconductor W
orld,p.76〜p.81,1998.9 ）。
ルゲート電極の材料となる高融点金属しては、主として
タングステンが用いられている（月刊 Semiconductor W
orld,p.76〜p.81,1998.9 ）。
【０００７】ところで、従来のポリシリコンゲート電極
又はシリサイドゲート電極を有する電子デバイスを洗浄
する場合、主として酸性溶液又はアルカリ性溶液と、過
酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）とが混合された洗浄液を使用し
て、パーティクル（粒径が１０μｍ程度以下の粒子）、
レジスト残さ、ポリマー又は金属等の除去が行なわれて
きている。このような電子デバイスの洗浄方法は、一般
的にＲＣＡ洗浄法として知られている。
又はシリサイドゲート電極を有する電子デバイスを洗浄
する場合、主として酸性溶液又はアルカリ性溶液と、過
酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）とが混合された洗浄液を使用し
て、パーティクル（粒径が１０μｍ程度以下の粒子）、
レジスト残さ、ポリマー又は金属等の除去が行なわれて
きている。このような電子デバイスの洗浄方法は、一般
的にＲＣＡ洗浄法として知られている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、タング
ステン等の高融点金属を含むポリメタルゲート電極又は
メタルゲート電極等を有する電子デバイスを、従来の洗
浄方法、例えばＲＣＡ洗浄法により洗浄すると、ゲート
電極を構成するタングステン等が溶解してしまうため
に、電子デバイスの信頼性が低下してしまうという問題
が生じる。
ステン等の高融点金属を含むポリメタルゲート電極又は
メタルゲート電極等を有する電子デバイスを、従来の洗
浄方法、例えばＲＣＡ洗浄法により洗浄すると、ゲート
電極を構成するタングステン等が溶解してしまうため
に、電子デバイスの信頼性が低下してしまうという問題
が生じる。
【０００９】前記に鑑み、本発明は、電子デバイスの構
成要素に含まれるタングステン等の高融点金属の溶解を
防止しつつ、電子デバイスを確実に洗浄できるようにす
ることを目的とする。
成要素に含まれるタングステン等の高融点金属の溶解を
防止しつつ、電子デバイスを確実に洗浄できるようにす
ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本件発明者は、従来の洗
浄方法を用いた場合に、電子デバイスの構成要素に含ま
れるタングステンが溶解する原因について検討した。
浄方法を用いた場合に、電子デバイスの構成要素に含ま
れるタングステンが溶解する原因について検討した。
【００１１】以下、タングステンを含むポリメタルゲー
ト電極を基板上に形成した後、該基板を、従来の洗浄方
法により洗浄する場合について、図４（ａ）〜（ｃ）を
参照しながら説明する。尚、本明細書においては、ゲー
ト電極等の構成要素が形成されている基板を電子デバイ
スと称する。
ト電極を基板上に形成した後、該基板を、従来の洗浄方
法により洗浄する場合について、図４（ａ）〜（ｃ）を
参照しながら説明する。尚、本明細書においては、ゲー
ト電極等の構成要素が形成されている基板を電子デバイ
スと称する。
【００１２】まず、図４（ａ）に示すように、シリコン
基板１の上にゲート酸化膜２を熱酸化法により形成した
後、ゲート酸化膜２の上に、ポリメタルゲート電極の材
料となるポリシリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）膜３Ａ、タン
グステンナイトライド（ＷＮ X ）膜３Ｂ、及びタングス
テン膜３Ｃを順次堆積し、その後、タングステン膜３Ｃ
上にシリコン窒化膜４を堆積する。続いて、ゲート電極
形成領域を覆うレジストパターン（図示せず）をマスク
として、シリコン窒化膜４、タングステン膜３Ｃ、タン
グステンナイトライド膜３Ｂ及びポリシリコン膜３Ａに
対して順次ドライエッチングを行なって、シリコン基板
１の上にゲート酸化膜２を介してポリシリコン膜３Ａ、
タングステンナイトライド膜３Ｂ、及びタングステン膜
３Ｃからなるポリメタルゲート電極３を形成する。その
後、レジストパターンをアッシングにより除去する。
基板１の上にゲート酸化膜２を熱酸化法により形成した
後、ゲート酸化膜２の上に、ポリメタルゲート電極の材
料となるポリシリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）膜３Ａ、タン
グステンナイトライド（ＷＮ X ）膜３Ｂ、及びタングス
テン膜３Ｃを順次堆積し、その後、タングステン膜３Ｃ
上にシリコン窒化膜４を堆積する。続いて、ゲート電極
形成領域を覆うレジストパターン（図示せず）をマスク
として、シリコン窒化膜４、タングステン膜３Ｃ、タン
グステンナイトライド膜３Ｂ及びポリシリコン膜３Ａに
対して順次ドライエッチングを行なって、シリコン基板
１の上にゲート酸化膜２を介してポリシリコン膜３Ａ、
タングステンナイトライド膜３Ｂ、及びタングステン膜
３Ｃからなるポリメタルゲート電極３を形成する。その
後、レジストパターンをアッシングにより除去する。
【００１３】次に、レジスト残さ、パーティクル又は前
記のドライエッチングにより生じたポリマー（ドライエ
ッチポリマー）等を除去するため、ＳＰＭ溶液（硫酸
（Ｈ2ＳＯ4）と過酸化水素水との混合液）からなる第１
の洗浄液と、ＡＰＭ溶液（アンモニア水（ＮＨ4 ＯＨ）
と過酸化水素水と水との混合液）からなる第２の洗浄液
とを順次用いてシリコン基板１を洗浄する。
記のドライエッチングにより生じたポリマー（ドライエ
ッチポリマー）等を除去するため、ＳＰＭ溶液（硫酸
（Ｈ2ＳＯ4）と過酸化水素水との混合液）からなる第１
の洗浄液と、ＡＰＭ溶液（アンモニア水（ＮＨ4 ＯＨ）
と過酸化水素水と水との混合液）からなる第２の洗浄液
とを順次用いてシリコン基板１を洗浄する。
【００１４】このとき、図４（ｂ）に示すように、ポリ
メタルゲート電極３を構成するタングステンナイトライ
ド膜３Ｂ及びタングステン膜３Ｃが、シリコン基板１に
平行な方向にエッチングされる。
メタルゲート電極３を構成するタングステンナイトライ
ド膜３Ｂ及びタングステン膜３Ｃが、シリコン基板１に
平行な方向にエッチングされる。
【００１５】本件発明者は、ＳＰＭ溶液及びＡＰＭ溶液
にそれぞれ含まれる過酸化水素水の濃度を高くして、シ
リコン基板１を洗浄してみた。
にそれぞれ含まれる過酸化水素水の濃度を高くして、シ
リコン基板１を洗浄してみた。
【００１６】その結果、図４（ｃ）に示すように、ポリ
メタルゲート電極３を構成するタングステンナイトライ
ド膜３Ｂ及びタングステン膜３Ｃが全て溶解して消失し
た。
メタルゲート電極３を構成するタングステンナイトライ
ド膜３Ｂ及びタングステン膜３Ｃが全て溶解して消失し
た。
【００１７】従って、電子デバイスの構成要素に含まれ
るタングステンは、従来の洗浄液に含まれる過酸化水素
水によって溶解していることが判明した。
るタングステンは、従来の洗浄液に含まれる過酸化水素
水によって溶解していることが判明した。
【００１８】また、本件発明者は、タングステンと過酸
化水素水との間の化学反応式を、 Ｗ＋２Ｈ2Ｏ2 →ＷＯ2 ＋２Ｈ2Ｏ（タングステンの酸
化） ２ＷＯ2 ＋６Ｈ2Ｏ2 →Ｈ2Ｗ2Ｏ11 ＋５Ｈ2Ｏ （タング
ステンの溶解） ３Ｈ2Ｗ2Ｏ11 ＋７Ｈ2Ｏ→ ２Ｈ2Ｗ3Ｏ16 ＋８Ｈ2Ｏ
（タングステンの溶解） と推定した。
化水素水との間の化学反応式を、 Ｗ＋２Ｈ2Ｏ2 →ＷＯ2 ＋２Ｈ2Ｏ（タングステンの酸
化） ２ＷＯ2 ＋６Ｈ2Ｏ2 →Ｈ2Ｗ2Ｏ11 ＋５Ｈ2Ｏ （タング
ステンの溶解） ３Ｈ2Ｗ2Ｏ11 ＋７Ｈ2Ｏ→ ２Ｈ2Ｗ3Ｏ16 ＋８Ｈ2Ｏ
（タングステンの溶解） と推定した。
【００１９】すなわち、タングステンを含む構成要素を
有する電子デバイスを、過酸化水素水を含む洗浄液を用
いて洗浄すると、前記の化学反応式に従ってタングステ
ンと過酸化水素水との間で化学反応が触媒的に進むた
め、電子デバイスの構成要素に含まれるタングステンが
溶解してしまうと考えられる。
有する電子デバイスを、過酸化水素水を含む洗浄液を用
いて洗浄すると、前記の化学反応式に従ってタングステ
ンと過酸化水素水との間で化学反応が触媒的に進むた
め、電子デバイスの構成要素に含まれるタングステンが
溶解してしまうと考えられる。
【００２０】本発明は、前記の知見に基づいてなされた
ものであり、具体的には、本発明に係る第１の電子デバ
イスの洗浄方法は、タングステンを含む構成要素を有す
る電子デバイスを、過酸化水素水を実質的に含まない酸
性溶液又は過酸化水素水を実質的に含まないアルカリ性
溶液からなる洗浄液を用いて洗浄する。
ものであり、具体的には、本発明に係る第１の電子デバ
イスの洗浄方法は、タングステンを含む構成要素を有す
る電子デバイスを、過酸化水素水を実質的に含まない酸
性溶液又は過酸化水素水を実質的に含まないアルカリ性
溶液からなる洗浄液を用いて洗浄する。
【００２１】第１の電子デバイスの洗浄方法によると、
過酸化水素水を実質的に含まない酸性溶液又は過酸化水
素水を実質的に含まないアルカリ性溶液からなる洗浄液
を用いて電子デバイスを洗浄するため、過酸化水素水を
含む洗浄液を用いた場合に比べてタングステンに対する
エッチングレートを大きく低減できると共に、パーティ
クル、レジスト残さ又はポリマー等を確実に除去でき
る。従って、電子デバイスの構成要素に含まれるタング
ステンの溶解を防止しつつ、電子デバイスを確実に洗浄
することができる。
過酸化水素水を実質的に含まない酸性溶液又は過酸化水
素水を実質的に含まないアルカリ性溶液からなる洗浄液
を用いて電子デバイスを洗浄するため、過酸化水素水を
含む洗浄液を用いた場合に比べてタングステンに対する
エッチングレートを大きく低減できると共に、パーティ
クル、レジスト残さ又はポリマー等を確実に除去でき
る。従って、電子デバイスの構成要素に含まれるタング
ステンの溶解を防止しつつ、電子デバイスを確実に洗浄
することができる。
【００２２】尚、本明細書において、洗浄液が過酸化水
素水を実質的に含まないとは、具体的には、洗浄液が過
酸化水素水（濃度３０重量％）を体積比で０．２％程度
以上含まないことをいう。
素水を実質的に含まないとは、具体的には、洗浄液が過
酸化水素水（濃度３０重量％）を体積比で０．２％程度
以上含まないことをいう。
【００２３】第１の電子デバイスの洗浄方法において、
洗浄液は、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドと水との混合液であることが好ましい。
洗浄液は、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドと水との混合液であることが好ましい。
【００２４】このようにすると、過酸化水素水を含む洗
浄液を用いた場合に比べてタングステンに対するエッチ
ングレートを大きく低減できると共に、パーティクル、
レジスト残さ又はポリマー等を確実に除去できる。
浄液を用いた場合に比べてタングステンに対するエッチ
ングレートを大きく低減できると共に、パーティクル、
レジスト残さ又はポリマー等を確実に除去できる。
【００２５】また、この場合、混合液におけるテトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイドの濃度を、０．０
１〜５．０重量％の範囲内に設定すると、前述の効果が
確実に得られる。
チルアンモニウムハイドロオキサイドの濃度を、０．０
１〜５．０重量％の範囲内に設定すると、前述の効果が
確実に得られる。
【００２６】第１の電子デバイスの洗浄方法において、
洗浄液はオゾンを含むオゾン含有水であることが好まし
い。
洗浄液はオゾンを含むオゾン含有水であることが好まし
い。
【００２７】このようにすると、過酸化水素水を含む洗
浄液を用いた場合に比べてタングステンに対するエッチ
ングレートを大きく低減できると共に、パーティクル、
レジスト残さ又はポリマー等を確実に除去できる。
浄液を用いた場合に比べてタングステンに対するエッチ
ングレートを大きく低減できると共に、パーティクル、
レジスト残さ又はポリマー等を確実に除去できる。
【００２８】また、この場合、オゾン含有水におけるオ
ゾンの濃度を、０．１〜１００ｐｐｍの範囲内に設定す
ると、前述の効果が確実に得られる。
ゾンの濃度を、０．１〜１００ｐｐｍの範囲内に設定す
ると、前述の効果が確実に得られる。
【００２９】第１の電子デバイスの洗浄方法において、
洗浄液はアンモニア水であることが好ましい。
洗浄液はアンモニア水であることが好ましい。
【００３０】このようにすると、過酸化水素水を含む洗
浄液を用いた場合に比べてタングステンに対するエッチ
ングレートを大きく低減できると共に、パーティクル、
レジスト残さ又はポリマー等を確実に除去できる。
浄液を用いた場合に比べてタングステンに対するエッチ
ングレートを大きく低減できると共に、パーティクル、
レジスト残さ又はポリマー等を確実に除去できる。
【００３１】また、この場合、アンモニア水におけるア
ンモニアの濃度を、０．１〜５．０重量％の範囲内に設
定すると、前述の効果が確実に得られる。
ンモニアの濃度を、０．１〜５．０重量％の範囲内に設
定すると、前述の効果が確実に得られる。
【００３２】また、この場合、アンモニア水にオゾンを
加えると、前述の効果がより確実に得られる。
加えると、前述の効果がより確実に得られる。
【００３３】第１の電子デバイスの洗浄方法において、
洗浄液はフッ酸又は硫酸と、水との混合液であることが
好ましい。
洗浄液はフッ酸又は硫酸と、水との混合液であることが
好ましい。
【００３４】このようにすると、過酸化水素水を含む洗
浄液を用いた場合に比べてタングステンに対するエッチ
ングレートを大きく低減できると共に、パーティクル、
レジスト残さ又はポリマー等を確実に除去できる。
浄液を用いた場合に比べてタングステンに対するエッチ
ングレートを大きく低減できると共に、パーティクル、
レジスト残さ又はポリマー等を確実に除去できる。
【００３５】また、この場合、混合液にオゾンを加える
と、前述の効果がより確実に得られる。
と、前述の効果がより確実に得られる。
【００３６】本発明に係る第２の電子デバイスの洗浄方
法は、タングステンを含む構成要素を有する電子デバイ
スを、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドと
水との混合液、オゾンを含むオゾン含有水、アンモニア
水、オゾンを含むアンモニア水、フッ酸と水との混合
液、オゾンを含むフッ酸と水との混合液、硫酸と水との
混合液、及びオゾンを含む硫酸と水との混合液のうちの
２つ以上の溶液を順次用いて洗浄する。
法は、タングステンを含む構成要素を有する電子デバイ
スを、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドと
水との混合液、オゾンを含むオゾン含有水、アンモニア
水、オゾンを含むアンモニア水、フッ酸と水との混合
液、オゾンを含むフッ酸と水との混合液、硫酸と水との
混合液、及びオゾンを含む硫酸と水との混合液のうちの
２つ以上の溶液を順次用いて洗浄する。
【００３７】第２の電子デバイスの洗浄方法によると、
テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドと水との
混合液、オゾン含有水、アンモニア水、オゾンを含むア
ンモニア水、フッ酸と水との混合液、オゾンを含むフッ
酸と水との混合液、硫酸と水との混合液、及びオゾンを
含む硫酸と水との混合液のうちの２つ以上の溶液を順次
用いて電子デバイスを洗浄するため、過酸化水素水を含
む洗浄液を用いた場合に比べてタングステンに対するエ
ッチングレートを大きく低減できると共に、パーティク
ル、レジスト残さ又はポリマー等を確実に除去できる。
従って、電子デバイスの構成要素に含まれるタングステ
ンの溶解を防止しつつ、電子デバイスを確実に洗浄する
ことができる。
テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドと水との
混合液、オゾン含有水、アンモニア水、オゾンを含むア
ンモニア水、フッ酸と水との混合液、オゾンを含むフッ
酸と水との混合液、硫酸と水との混合液、及びオゾンを
含む硫酸と水との混合液のうちの２つ以上の溶液を順次
用いて電子デバイスを洗浄するため、過酸化水素水を含
む洗浄液を用いた場合に比べてタングステンに対するエ
ッチングレートを大きく低減できると共に、パーティク
ル、レジスト残さ又はポリマー等を確実に除去できる。
従って、電子デバイスの構成要素に含まれるタングステ
ンの溶解を防止しつつ、電子デバイスを確実に洗浄する
ことができる。
【００３８】本発明に係る第３の電子デバイスの洗浄方
法は、タングステンを含む構成要素を有する電子デバイ
スを、フッ酸と水との混合液からなる第１の洗浄液、オ
ゾンを含むオゾン含有水からなる第２の洗浄液、及びテ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイドと水との混
合液からなる第３の洗浄液を順次用いて洗浄する。
法は、タングステンを含む構成要素を有する電子デバイ
スを、フッ酸と水との混合液からなる第１の洗浄液、オ
ゾンを含むオゾン含有水からなる第２の洗浄液、及びテ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイドと水との混
合液からなる第３の洗浄液を順次用いて洗浄する。
【００３９】第３の電子デバイスの洗浄方法によると、
フッ酸と水との混合液（以下、ＤＨＦ溶液と称する）か
らなる第１の洗浄液、オゾンを含むオゾン含有水（以
下、Ｏ 3 水と称する）からなる第２の洗浄液、及びテト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイドと水との混合
液（以下、ＴＭＡＨ溶液と称する）からなる第３の洗浄
液を順次用いて電子デバイスを洗浄するため、過酸化水
素水を含む洗浄液を用いた場合に比べてタングステンに
対するエッチングレートを大きく低減できると共に、パ
ーティクル、レジスト残さ又はポリマー等を確実に除去
できる。従って、電子デバイスの構成要素に含まれるタ
ングステンの溶解を防止しつつ、電子デバイスを確実に
洗浄することができる。
フッ酸と水との混合液（以下、ＤＨＦ溶液と称する）か
らなる第１の洗浄液、オゾンを含むオゾン含有水（以
下、Ｏ 3 水と称する）からなる第２の洗浄液、及びテト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイドと水との混合
液（以下、ＴＭＡＨ溶液と称する）からなる第３の洗浄
液を順次用いて電子デバイスを洗浄するため、過酸化水
素水を含む洗浄液を用いた場合に比べてタングステンに
対するエッチングレートを大きく低減できると共に、パ
ーティクル、レジスト残さ又はポリマー等を確実に除去
できる。従って、電子デバイスの構成要素に含まれるタ
ングステンの溶解を防止しつつ、電子デバイスを確実に
洗浄することができる。
【００４０】本発明に係る第１の電子デバイスの製造方
法は、基板上に、少なくとも高融点金属膜を含む多層膜
を形成する工程と、第１導電型トランジスタ形成領域の
ゲート電極形成領域を覆うマスクパターンを用いて多層
膜に対してドライエッチングを行なって、多層膜からな
るゲート電極を形成する工程と、第２導電型トランジス
タ形成領域を覆うレジストパターン及びゲート電極をマ
スクとして、第１導電型トランジスタ形成領域に第２導
電型不純物を注入する工程と、レジストパターンをアッ
シングにより除去した後、基板を、フッ酸と水との混合
液からなる第１の洗浄液、オゾンを含むオゾン含有水か
らなる第２の洗浄液、及びテトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイドと水との混合液からなる第３の洗浄液
を順次用いて洗浄する工程とを備えている。
法は、基板上に、少なくとも高融点金属膜を含む多層膜
を形成する工程と、第１導電型トランジスタ形成領域の
ゲート電極形成領域を覆うマスクパターンを用いて多層
膜に対してドライエッチングを行なって、多層膜からな
るゲート電極を形成する工程と、第２導電型トランジス
タ形成領域を覆うレジストパターン及びゲート電極をマ
スクとして、第１導電型トランジスタ形成領域に第２導
電型不純物を注入する工程と、レジストパターンをアッ
シングにより除去した後、基板を、フッ酸と水との混合
液からなる第１の洗浄液、オゾンを含むオゾン含有水か
らなる第２の洗浄液、及びテトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイドと水との混合液からなる第３の洗浄液
を順次用いて洗浄する工程とを備えている。
【００４１】第１の電子デバイスの製造方法によると、
ＤＨＦ溶液からなる第１の洗浄液、Ｏ3 水からなる第２
の洗浄液、及びＴＭＡＨ溶液からなる第３の洗浄液を順
次用いて、ゲート電極が形成されている基板を洗浄する
ため、過酸化水素水を含む洗浄液を用いた場合に比べて
高融点金属に対するエッチングレートを大きく低減でき
ると共に、パーティクル、レジスト残さ又はポリマー等
を確実に除去できる。従って、ゲート電極に含まれる高
融点金属の溶解を防止しつつ、基板を確実に洗浄するこ
とができるので、信頼性の高い電子デバイスを実現する
ことができる。
ＤＨＦ溶液からなる第１の洗浄液、Ｏ3 水からなる第２
の洗浄液、及びＴＭＡＨ溶液からなる第３の洗浄液を順
次用いて、ゲート電極が形成されている基板を洗浄する
ため、過酸化水素水を含む洗浄液を用いた場合に比べて
高融点金属に対するエッチングレートを大きく低減でき
ると共に、パーティクル、レジスト残さ又はポリマー等
を確実に除去できる。従って、ゲート電極に含まれる高
融点金属の溶解を防止しつつ、基板を確実に洗浄するこ
とができるので、信頼性の高い電子デバイスを実現する
ことができる。
【００４２】また、第１の電子デバイスの製造方法によ
ると、ＤＨＦ溶液（第１の洗浄液）を用いた洗浄によ
り、基板又は高融点金属膜等の上に形成された酸化膜と
共に、パーティクル、レジスト残さ又はポリマー等をリ
フトオフ等の効果によって除去した後、Ｏ3 水（第２の
洗浄液）を用いた洗浄により、しみ（ウォーターマー
ク）発生防止のための酸化膜を基板上に形成し、その
後、ＴＭＡＨ溶液（第３の洗浄液）を用いた洗浄によ
り、残存する微小パーティクルを除去することができる
ので、電子デバイスの信頼性がさらに向上する。
ると、ＤＨＦ溶液（第１の洗浄液）を用いた洗浄によ
り、基板又は高融点金属膜等の上に形成された酸化膜と
共に、パーティクル、レジスト残さ又はポリマー等をリ
フトオフ等の効果によって除去した後、Ｏ3 水（第２の
洗浄液）を用いた洗浄により、しみ（ウォーターマー
ク）発生防止のための酸化膜を基板上に形成し、その
後、ＴＭＡＨ溶液（第３の洗浄液）を用いた洗浄によ
り、残存する微小パーティクルを除去することができる
ので、電子デバイスの信頼性がさらに向上する。
【００４３】本発明に係る第２の電子デバイスの製造方
法は、基板上に、高融点金属膜を形成する工程と、ゲー
ト電極形成領域を覆うレジストパターンをマスクとして
高融点金属膜に対してドライエッチングを行なって、高
融点金属膜からなるゲート電極を形成する工程と、レジ
ストパターンをアッシングにより除去した後、基板を、
フッ酸と水との混合液からなる第１の洗浄液、オゾンを
含むオゾン含有水からなる第２の洗浄液、及びテトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイドと水との混合液か
らなる第３の洗浄液を順次用いて洗浄する工程とを備え
ている。
法は、基板上に、高融点金属膜を形成する工程と、ゲー
ト電極形成領域を覆うレジストパターンをマスクとして
高融点金属膜に対してドライエッチングを行なって、高
融点金属膜からなるゲート電極を形成する工程と、レジ
ストパターンをアッシングにより除去した後、基板を、
フッ酸と水との混合液からなる第１の洗浄液、オゾンを
含むオゾン含有水からなる第２の洗浄液、及びテトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイドと水との混合液か
らなる第３の洗浄液を順次用いて洗浄する工程とを備え
ている。
【００４４】第２の電子デバイスの製造方法によると、
ＤＨＦ溶液からなる第１の洗浄液、Ｏ3 水からなる第２
の洗浄液、及びＴＭＡＨ溶液からなる第３の洗浄液を順
次用いて、ゲート電極が形成されている基板を洗浄する
ため、過酸化水素水を含む洗浄液を用いた場合に比べて
高融点金属に対するエッチングレートを大きく低減でき
ると共に、パーティクル、レジスト残さ又はポリマー等
を確実に除去できる。従って、ゲート電極に含まれる高
融点金属の溶解を防止しつつ、基板を確実に洗浄するこ
とができるので、信頼性の高い電子デバイスを実現する
ことができる。
ＤＨＦ溶液からなる第１の洗浄液、Ｏ3 水からなる第２
の洗浄液、及びＴＭＡＨ溶液からなる第３の洗浄液を順
次用いて、ゲート電極が形成されている基板を洗浄する
ため、過酸化水素水を含む洗浄液を用いた場合に比べて
高融点金属に対するエッチングレートを大きく低減でき
ると共に、パーティクル、レジスト残さ又はポリマー等
を確実に除去できる。従って、ゲート電極に含まれる高
融点金属の溶解を防止しつつ、基板を確実に洗浄するこ
とができるので、信頼性の高い電子デバイスを実現する
ことができる。
【００４５】また、第２の電子デバイスの製造方法によ
ると、ＤＨＦ溶液（第１の洗浄液）を用いた洗浄によ
り、基板又は高融点金属膜等の上に形成された酸化膜と
共に、パーティクル、レジスト残さ又はポリマー等をリ
フトオフ等の効果によって除去した後、Ｏ3 水（第２の
洗浄液）を用いた洗浄により、しみ（ウォーターマー
ク）発生防止のための酸化膜を基板上に形成し、その
後、ＴＭＡＨ溶液（第３の洗浄液）を用いた洗浄によ
り、残存する微小パーティクルを除去することができる
ので、電子デバイスの信頼性がさらに向上する。
ると、ＤＨＦ溶液（第１の洗浄液）を用いた洗浄によ
り、基板又は高融点金属膜等の上に形成された酸化膜と
共に、パーティクル、レジスト残さ又はポリマー等をリ
フトオフ等の効果によって除去した後、Ｏ3 水（第２の
洗浄液）を用いた洗浄により、しみ（ウォーターマー
ク）発生防止のための酸化膜を基板上に形成し、その
後、ＴＭＡＨ溶液（第３の洗浄液）を用いた洗浄によ
り、残存する微小パーティクルを除去することができる
ので、電子デバイスの信頼性がさらに向上する。
【００４６】第１又は第２の電子デバイスの製造方法に
おいて、ゲート電極は、ポリメタルゲート電極構造又は
メタルゲート電極構造を有していることが好ましい。
おいて、ゲート電極は、ポリメタルゲート電極構造又は
メタルゲート電極構造を有していることが好ましい。
【００４７】このようにすると、高性能のポリメタルゲ
ート電極又はメタルゲート電極を有する電子デバイスを
実現することができる。
ート電極又はメタルゲート電極を有する電子デバイスを
実現することができる。
【００４８】本発明に係る第３の電子デバイスの製造方
法は、基板における第１導電型ＭＯＳＦＥＴ形成領域の
上及び第２導電型ＭＯＳＦＥＴ形成領域の上にそれぞれ
第１の電極構造及び第２の電極構造を形成する工程と、
第２の電極構造の上を含む第２導電型ＭＯＳＦＥＴ形成
領域を覆う第１のレジストパターン、及び第１の電極構
造をマスクとして、第１導電型ＭＯＳＦＥＴ形成領域に
第２導電型不純物を注入することによって、第１導電型
ＭＯＳＦＥＴ形成領域に第１のソース領域及び第１のド
レイン領域を形成する工程と、第１のレジストパターン
を、酸素プラズマを用いたアッシングにより除去した
後、基板を、フッ酸と水との混合液からなる第１の洗浄
液、オゾンを含むオゾン含有水からなる第２の洗浄液、
及びテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドと水
との混合液からなる第３の洗浄液を順次用いて洗浄する
工程と、第１の電極構造の上を含む第１導電型ＭＯＳＦ
ＥＴ形成領域を覆う第２のレジストパターン、及び第２
の電極構造をマスクとして、第２導電型ＭＯＳＦＥＴ形
成領域に第１導電型不純物を注入することによって、第
２導電型ＭＯＳＦＥＴ形成領域に第２のソース領域及び
第２のドレイン領域を形成する工程と、第２のレジスト
パターンを、酸素プラズマを用いたアッシングにより除
去した後、基板を、フッ酸と水との混合液からなる第１
の洗浄液、オゾンを含むオゾン含有水からなる第２の洗
浄液、及びテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドと水との混合液からなる第３の洗浄液を順次用いて洗
浄する工程とを備え、第１の電極構造及び第２の電極構
造は、ポリシリコン膜と高融点金属膜との積層構造を有
している。
法は、基板における第１導電型ＭＯＳＦＥＴ形成領域の
上及び第２導電型ＭＯＳＦＥＴ形成領域の上にそれぞれ
第１の電極構造及び第２の電極構造を形成する工程と、
第２の電極構造の上を含む第２導電型ＭＯＳＦＥＴ形成
領域を覆う第１のレジストパターン、及び第１の電極構
造をマスクとして、第１導電型ＭＯＳＦＥＴ形成領域に
第２導電型不純物を注入することによって、第１導電型
ＭＯＳＦＥＴ形成領域に第１のソース領域及び第１のド
レイン領域を形成する工程と、第１のレジストパターン
を、酸素プラズマを用いたアッシングにより除去した
後、基板を、フッ酸と水との混合液からなる第１の洗浄
液、オゾンを含むオゾン含有水からなる第２の洗浄液、
及びテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドと水
との混合液からなる第３の洗浄液を順次用いて洗浄する
工程と、第１の電極構造の上を含む第１導電型ＭＯＳＦ
ＥＴ形成領域を覆う第２のレジストパターン、及び第２
の電極構造をマスクとして、第２導電型ＭＯＳＦＥＴ形
成領域に第１導電型不純物を注入することによって、第
２導電型ＭＯＳＦＥＴ形成領域に第２のソース領域及び
第２のドレイン領域を形成する工程と、第２のレジスト
パターンを、酸素プラズマを用いたアッシングにより除
去した後、基板を、フッ酸と水との混合液からなる第１
の洗浄液、オゾンを含むオゾン含有水からなる第２の洗
浄液、及びテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドと水との混合液からなる第３の洗浄液を順次用いて洗
浄する工程とを備え、第１の電極構造及び第２の電極構
造は、ポリシリコン膜と高融点金属膜との積層構造を有
している。
【００４９】第３の電子デバイスの製造方法によると、
ＤＨＦ溶液からなる第１の洗浄液、Ｏ3 水からなる第２
の洗浄液、及びＴＭＡＨ溶液からなる第３の洗浄液を順
次用いて、電極構造が形成されている基板を洗浄するた
め、過酸化水素水を含む洗浄液を用いた場合に比べて高
融点金属に対するエッチングレートを大きく低減できる
と共に、パーティクル、レジスト残さ又はポリマー等を
確実に除去できる。従って、電極構造に含まれる高融点
金属の溶解を防止しつつ、基板を確実に洗浄することが
できるので、信頼性の高い電子デバイスを実現すること
ができる。
ＤＨＦ溶液からなる第１の洗浄液、Ｏ3 水からなる第２
の洗浄液、及びＴＭＡＨ溶液からなる第３の洗浄液を順
次用いて、電極構造が形成されている基板を洗浄するた
め、過酸化水素水を含む洗浄液を用いた場合に比べて高
融点金属に対するエッチングレートを大きく低減できる
と共に、パーティクル、レジスト残さ又はポリマー等を
確実に除去できる。従って、電極構造に含まれる高融点
金属の溶解を防止しつつ、基板を確実に洗浄することが
できるので、信頼性の高い電子デバイスを実現すること
ができる。
【００５０】また、第３の電子デバイスの製造方法によ
ると、ＤＨＦ溶液（第１の洗浄液）を用いた洗浄によ
り、基板又は高融点金属膜等の上に形成された酸化膜と
共に、パーティクル、レジスト残さ又はポリマー等をリ
フトオフ等の効果によって除去した後、Ｏ3 水（第２の
洗浄液）を用いた洗浄により、しみ（ウォーターマー
ク）発生防止のための酸化膜を基板上に形成し、その
後、ＴＭＡＨ溶液（第３の洗浄液）を用いた洗浄によ
り、残存する微小パーティクルを除去することができる
ので、電子デバイスの信頼性がさらに向上する。
ると、ＤＨＦ溶液（第１の洗浄液）を用いた洗浄によ
り、基板又は高融点金属膜等の上に形成された酸化膜と
共に、パーティクル、レジスト残さ又はポリマー等をリ
フトオフ等の効果によって除去した後、Ｏ3 水（第２の
洗浄液）を用いた洗浄により、しみ（ウォーターマー
ク）発生防止のための酸化膜を基板上に形成し、その
後、ＴＭＡＨ溶液（第３の洗浄液）を用いた洗浄によ
り、残存する微小パーティクルを除去することができる
ので、電子デバイスの信頼性がさらに向上する。
【００５１】本発明に係る第４の電子デバイスの製造方
法は、基板における第１導電型ＭＯＳＦＥＴ形成領域の
上及び第２導電型ＭＯＳＦＥＴ形成領域の上にそれぞれ
第１の電極構造及び第２の電極構造を形成する工程と、
第２の電極構造の上を含む第２導電型ＭＯＳＦＥＴ形成
領域を覆う第１のレジストパターン、及び第１の電極構
造をマスクとして、第１導電型ＭＯＳＦＥＴ形成領域に
第２導電型不純物を注入することによって、第１導電型
ＭＯＳＦＥＴ形成領域に第１のソース領域及び第１のド
レイン領域を形成する工程と、第１のレジストパターン
を、酸素プラズマを用いたアッシングにより除去した
後、基板を、フッ酸と水との混合液からなる第１の洗浄
液、オゾンを含むオゾン含有水からなる第２の洗浄液、
及びテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドと水
との混合液からなる第３の洗浄液を順次用いて洗浄する
工程と、第１の電極構造の上を含む第１導電型ＭＯＳＦ
ＥＴ形成領域を覆う第２のレジストパターン、及び第２
の電極構造をマスクとして、第２導電型ＭＯＳＦＥＴ形
成領域に第１導電型不純物を注入することによって、第
２導電型ＭＯＳＦＥＴ形成領域に第２のソース領域及び
第２のドレイン領域を形成する工程と、第２のレジスト
パターンを、酸素プラズマを用いたアッシングにより除
去した後、基板を、フッ酸と水との混合液からなる第１
の洗浄液、オゾンを含むオゾン含有水からなる第２の洗
浄液、及びテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドと水との混合液からなる第３の洗浄液を順次用いて洗
浄する工程とを備え、第１の電極構造及び第２の電極構
造は金属を含む。
法は、基板における第１導電型ＭＯＳＦＥＴ形成領域の
上及び第２導電型ＭＯＳＦＥＴ形成領域の上にそれぞれ
第１の電極構造及び第２の電極構造を形成する工程と、
第２の電極構造の上を含む第２導電型ＭＯＳＦＥＴ形成
領域を覆う第１のレジストパターン、及び第１の電極構
造をマスクとして、第１導電型ＭＯＳＦＥＴ形成領域に
第２導電型不純物を注入することによって、第１導電型
ＭＯＳＦＥＴ形成領域に第１のソース領域及び第１のド
レイン領域を形成する工程と、第１のレジストパターン
を、酸素プラズマを用いたアッシングにより除去した
後、基板を、フッ酸と水との混合液からなる第１の洗浄
液、オゾンを含むオゾン含有水からなる第２の洗浄液、
及びテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドと水
との混合液からなる第３の洗浄液を順次用いて洗浄する
工程と、第１の電極構造の上を含む第１導電型ＭＯＳＦ
ＥＴ形成領域を覆う第２のレジストパターン、及び第２
の電極構造をマスクとして、第２導電型ＭＯＳＦＥＴ形
成領域に第１導電型不純物を注入することによって、第
２導電型ＭＯＳＦＥＴ形成領域に第２のソース領域及び
第２のドレイン領域を形成する工程と、第２のレジスト
パターンを、酸素プラズマを用いたアッシングにより除
去した後、基板を、フッ酸と水との混合液からなる第１
の洗浄液、オゾンを含むオゾン含有水からなる第２の洗
浄液、及びテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドと水との混合液からなる第３の洗浄液を順次用いて洗
浄する工程とを備え、第１の電極構造及び第２の電極構
造は金属を含む。
【００５２】第４の電子デバイスの製造方法によると、
ＤＨＦ溶液からなる第１の洗浄液、Ｏ3 水からなる第２
の洗浄液、及びＴＭＡＨ溶液からなる第３の洗浄液を順
次用いて、電極構造が形成されている基板を洗浄するた
め、過酸化水素水を含む洗浄液を用いた場合に比べて金
属に対するエッチングレートを大きく低減できると共
に、パーティクル、レジスト残さ又はポリマー等を確実
に除去できる。従って、電極構造に含まれる金属の溶解
を防止しつつ、基板を確実に洗浄することができるの
で、信頼性の高い電子デバイスを実現することができ
る。
ＤＨＦ溶液からなる第１の洗浄液、Ｏ3 水からなる第２
の洗浄液、及びＴＭＡＨ溶液からなる第３の洗浄液を順
次用いて、電極構造が形成されている基板を洗浄するた
め、過酸化水素水を含む洗浄液を用いた場合に比べて金
属に対するエッチングレートを大きく低減できると共
に、パーティクル、レジスト残さ又はポリマー等を確実
に除去できる。従って、電極構造に含まれる金属の溶解
を防止しつつ、基板を確実に洗浄することができるの
で、信頼性の高い電子デバイスを実現することができ
る。
【００５３】また、第４の電子デバイスの製造方法によ
ると、ＤＨＦ溶液（第１の洗浄液）を用いた洗浄によ
り、基板又は金属膜等の上に形成された酸化膜と共に、
パーティクル、レジスト残さ又はポリマー等をリフトオ
フ等の効果によって除去した後、Ｏ3 水（第２の洗浄
液）を用いた洗浄により、しみ（ウォーターマーク）発
生防止のための酸化膜を基板上に形成し、その後、ＴＭ
ＡＨ溶液（第３の洗浄液）を用いた洗浄により、残存す
る微小パーティクルを除去することができるので、電子
デバイスの信頼性がさらに向上する。
ると、ＤＨＦ溶液（第１の洗浄液）を用いた洗浄によ
り、基板又は金属膜等の上に形成された酸化膜と共に、
パーティクル、レジスト残さ又はポリマー等をリフトオ
フ等の効果によって除去した後、Ｏ3 水（第２の洗浄
液）を用いた洗浄により、しみ（ウォーターマーク）発
生防止のための酸化膜を基板上に形成し、その後、ＴＭ
ＡＨ溶液（第３の洗浄液）を用いた洗浄により、残存す
る微小パーティクルを除去することができるので、電子
デバイスの信頼性がさらに向上する。
【００５４】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、本発明
の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法及びそ
の製造方法について説明する。
の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法及びそ
の製造方法について説明する。
【００５５】第１の実施形態の特徴は、タングステン等
の高融点金属を含む構成要素が形成されている基板、つ
まり電子デバイスを、過酸化水素水を実質的に含まない
酸性溶液又は過酸化水素水を実質的に含まないアルカリ
性溶液からなる洗浄液を用いて洗浄することである。
の高融点金属を含む構成要素が形成されている基板、つ
まり電子デバイスを、過酸化水素水を実質的に含まない
酸性溶液又は過酸化水素水を実質的に含まないアルカリ
性溶液からなる洗浄液を用いて洗浄することである。
【００５６】第１の実施形態において洗浄液として使用
した溶液は、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イド（（ＣＨ3）4ＮＯＨ）と水との混合液（以下、ＴＭ
ＡＨ溶液と称する）、オゾンを含むオゾン含有水（以
下、Ｏ3 水と称する）、アンモニア水（以下、ＮＨ4 Ｏ
Ｈ水と称する）及びフッ酸と水との混合液（以下、ＤＨ
Ｆ溶液（フッ酸溶液を水で希釈したもの）と称する）で
ある。
した溶液は、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イド（（ＣＨ3）4ＮＯＨ）と水との混合液（以下、ＴＭ
ＡＨ溶液と称する）、オゾンを含むオゾン含有水（以
下、Ｏ3 水と称する）、アンモニア水（以下、ＮＨ4 Ｏ
Ｈ水と称する）及びフッ酸と水との混合液（以下、ＤＨ
Ｆ溶液（フッ酸溶液を水で希釈したもの）と称する）で
ある。
【００５７】表１は、ＴＭＡＨ溶液からなる洗浄液を用
いた第１の実施形態の第１の洗浄方法、Ｏ3 水からなる
洗浄液を用いた第１の実施形態の第２の洗浄方法、ＮＨ
4 ＯＨ水からなる洗浄液を用いた第１の実施形態の第３
の洗浄方法、ＤＨＦ溶液からなる洗浄液を用いた第１の
実施形態の第４の洗浄方法、ＤＨＦ溶液からなる第１の
洗浄液とＯ3 水からなる第２の洗浄液とを順次用いた第
１の実施形態の第５の洗浄方法、ＤＨＦ溶液からなる第
１の洗浄液とＯ3 水からなる第２の洗浄液とＴＭＡＨ溶
液からなる第３の洗浄液とを順次用いた第１の実施形態
の第６の洗浄方法、ＳＰＭ溶液からなる第１の洗浄液と
ＡＰＭ溶液からなる第２の洗浄液とを順次用いた比較例
の第７の洗浄方法をそれぞれ示している。
いた第１の実施形態の第１の洗浄方法、Ｏ3 水からなる
洗浄液を用いた第１の実施形態の第２の洗浄方法、ＮＨ
4 ＯＨ水からなる洗浄液を用いた第１の実施形態の第３
の洗浄方法、ＤＨＦ溶液からなる洗浄液を用いた第１の
実施形態の第４の洗浄方法、ＤＨＦ溶液からなる第１の
洗浄液とＯ3 水からなる第２の洗浄液とを順次用いた第
１の実施形態の第５の洗浄方法、ＤＨＦ溶液からなる第
１の洗浄液とＯ3 水からなる第２の洗浄液とＴＭＡＨ溶
液からなる第３の洗浄液とを順次用いた第１の実施形態
の第６の洗浄方法、ＳＰＭ溶液からなる第１の洗浄液と
ＡＰＭ溶液からなる第２の洗浄液とを順次用いた比較例
の第７の洗浄方法をそれぞれ示している。
【００５８】
【表１】
【００５９】第１の実施形態の第１の洗浄方法において
は、例えば、基板に対して７秒間純水リンスを行なった
後、表１に示すように、テトラメチルアンモニウムハイ
ドロオキサイドの濃度が２．０重量％のＴＭＡＨ溶液に
基板を室温下において１分間浸漬し、その後、基板に対
して洗浄乾燥を行なう。尚、ＴＭＡＨ溶液におけるテト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの濃度は、
２．０重量％に限られず、０．０１〜５．０重量％の範
囲内であることが好ましい。
は、例えば、基板に対して７秒間純水リンスを行なった
後、表１に示すように、テトラメチルアンモニウムハイ
ドロオキサイドの濃度が２．０重量％のＴＭＡＨ溶液に
基板を室温下において１分間浸漬し、その後、基板に対
して洗浄乾燥を行なう。尚、ＴＭＡＨ溶液におけるテト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの濃度は、
２．０重量％に限られず、０．０１〜５．０重量％の範
囲内であることが好ましい。
【００６０】第１の実施形態の第２の洗浄方法において
は、表１に示すように、例えば、オゾンの濃度が５．０
ｐｐｍのＯ3 水に基板を室温下において３分間浸漬した
後、基板に対して洗浄乾燥を行なう。尚、Ｏ3 水におけ
るオゾンの濃度は、５．０ｐｐｍに限られず、０．１〜
１００ｐｐｍの範囲内であることが好ましい。
は、表１に示すように、例えば、オゾンの濃度が５．０
ｐｐｍのＯ3 水に基板を室温下において３分間浸漬した
後、基板に対して洗浄乾燥を行なう。尚、Ｏ3 水におけ
るオゾンの濃度は、５．０ｐｐｍに限られず、０．１〜
１００ｐｐｍの範囲内であることが好ましい。
【００６１】第１の実施形態の第３の洗浄方法において
は、表１に示すように、例えば、アンモニアの濃度が
４．８３重量％のＮＨ4 ＯＨ水に基板を室温下において
２分間浸漬した後、基板に対して５分間純水リンスを行
ない、その後、基板に対して洗浄乾燥を行なう。尚、Ｎ
Ｈ4 ＯＨ水におけるアンモニアの濃度は、４．８３重量
％に限られず、０．１〜５．０重量％の範囲内であるこ
とが好ましい。
は、表１に示すように、例えば、アンモニアの濃度が
４．８３重量％のＮＨ4 ＯＨ水に基板を室温下において
２分間浸漬した後、基板に対して５分間純水リンスを行
ない、その後、基板に対して洗浄乾燥を行なう。尚、Ｎ
Ｈ4 ＯＨ水におけるアンモニアの濃度は、４．８３重量
％に限られず、０．１〜５．０重量％の範囲内であるこ
とが好ましい。
【００６２】第１の実施形態の第４の洗浄方法において
は、表１に示すように、例えば、フッ酸の濃度が０．０
００８重量％のＤＨＦ溶液に基板を室温下において２分
間浸漬した後、基板に対して５分間純水リンスを行な
い、その後、基板に対して洗浄乾燥を行なう。尚、ＤＨ
Ｆ溶液に代えて、硫酸と水との混合液等を用いてもよ
い。
は、表１に示すように、例えば、フッ酸の濃度が０．０
００８重量％のＤＨＦ溶液に基板を室温下において２分
間浸漬した後、基板に対して５分間純水リンスを行な
い、その後、基板に対して洗浄乾燥を行なう。尚、ＤＨ
Ｆ溶液に代えて、硫酸と水との混合液等を用いてもよ
い。
【００６３】第１の実施形態の第５の洗浄方法において
は、表１に示すように、例えば、フッ酸の濃度が０．０
００８重量％のＤＨＦ溶液に基板を室温下において２分
間浸漬した後、オゾンの濃度が５．０ｐｐｍのＯ3 水に
基板を室温下において３分間浸漬し、その後、基板に対
して洗浄乾燥を行なう。
は、表１に示すように、例えば、フッ酸の濃度が０．０
００８重量％のＤＨＦ溶液に基板を室温下において２分
間浸漬した後、オゾンの濃度が５．０ｐｐｍのＯ3 水に
基板を室温下において３分間浸漬し、その後、基板に対
して洗浄乾燥を行なう。
【００６４】第１の実施形態の第６の洗浄方法において
は、表１に示すように、表１に示すように、例えば、フ
ッ酸の濃度が０．０００８重量％のＤＨＦ溶液に基板を
室温下において２分間浸漬した後、オゾンの濃度が５．
０ｐｐｍのＯ3 水に基板を室温下において３分間浸漬
し、その後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イドの濃度が２．０重量％のＴＭＡＨ溶液に基板を室温
下において１分間浸漬した後、基板に対して洗浄乾燥を
行なう。
は、表１に示すように、表１に示すように、例えば、フ
ッ酸の濃度が０．０００８重量％のＤＨＦ溶液に基板を
室温下において２分間浸漬した後、オゾンの濃度が５．
０ｐｐｍのＯ3 水に基板を室温下において３分間浸漬
し、その後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イドの濃度が２．０重量％のＴＭＡＨ溶液に基板を室温
下において１分間浸漬した後、基板に対して洗浄乾燥を
行なう。
【００６５】比較例の第７の洗浄方法においては、ま
ず、表１に示すように、硫酸（濃度９８重量％）と過酸
化水素水（濃度３０重量％）とが体積比１：４で混合さ
れたＳＰＭ溶液に基板を８０℃の温度下において１０分
間浸漬した後、基板に対して５分間純水リンスを行な
う。次に、アンモニア水（濃度２９重量％）と過酸化水
素水（濃度３０重量％）と水とが体積比１：１：５で混
合されたＡＰＭ溶液に基板を７０℃の温度下において５
分間浸漬し後、基板に対して５分間純水リンスを行な
い、その後、基板に対して洗浄乾燥を行なう。
ず、表１に示すように、硫酸（濃度９８重量％）と過酸
化水素水（濃度３０重量％）とが体積比１：４で混合さ
れたＳＰＭ溶液に基板を８０℃の温度下において１０分
間浸漬した後、基板に対して５分間純水リンスを行な
う。次に、アンモニア水（濃度２９重量％）と過酸化水
素水（濃度３０重量％）と水とが体積比１：１：５で混
合されたＡＰＭ溶液に基板を７０℃の温度下において５
分間浸漬し後、基板に対して５分間純水リンスを行な
い、その後、基板に対して洗浄乾燥を行なう。
【００６６】表２は、膜厚１０ｎｍのシリコン酸化膜を
介して膜厚１０ｎｍのタングステン膜が堆積されている
シリコン基板を、表１に示す各洗浄方法（第１の実施形
態の第６の洗浄方法を除く）により洗浄した場合の、タ
ングステンに対するエッチングレートを示している。
尚、タングステンに対するエッチングレートは、洗浄前
後のタングステンのシート抵抗の変化から求めている。
介して膜厚１０ｎｍのタングステン膜が堆積されている
シリコン基板を、表１に示す各洗浄方法（第１の実施形
態の第６の洗浄方法を除く）により洗浄した場合の、タ
ングステンに対するエッチングレートを示している。
尚、タングステンに対するエッチングレートは、洗浄前
後のタングステンのシート抵抗の変化から求めている。
【００６７】
【表２】
【００６８】表２に示すように、比較例の第７の洗浄方
法を用いた場合のタングステンに対するエッチングレー
トが６．６７ｎｍ／ｍｉｎ以上と大きい一方、第１の実
施形態の第１〜第５の洗浄方法を用いた場合のタングス
テンに対するエッチングレートは、それぞれ０．１７ｎ
ｍ／ｍｉｎ、０．０３ｎｍ／ｍｉｎ、０．０９ｎｍ／ｍ
ｉｎ及び０．１３ｎｍ／ｍｉｎ及び０．０４ｎｍ／ｍｉ
ｎと非常に小さい。
法を用いた場合のタングステンに対するエッチングレー
トが６．６７ｎｍ／ｍｉｎ以上と大きい一方、第１の実
施形態の第１〜第５の洗浄方法を用いた場合のタングス
テンに対するエッチングレートは、それぞれ０．１７ｎ
ｍ／ｍｉｎ、０．０３ｎｍ／ｍｉｎ、０．０９ｎｍ／ｍ
ｉｎ及び０．１３ｎｍ／ｍｉｎ及び０．０４ｎｍ／ｍｉ
ｎと非常に小さい。
【００６９】表３は、表１に示す第１〜第４の洗浄方法
により、ベアシリコン（ｂａｒｅｓｉｌｉｃｏｎ）状態
のシリコン基板を洗浄した場合の、シリコン基板のラフ
ネス（基板表面の微少な凹凸）を示している。表３にお
いて、メーカー出荷時点つまり洗浄前におけるシリコン
基板のラフネスも比較のために示している。また、表３
に示すように、第４の洗浄方法における洗浄液の濃度を
表１に示す値よりも高く設定していると共に、第２〜第
４の洗浄方法における洗浄液への投入時間を表１に示す
値よりも長く設定している。尚、シリコン基板をベアシ
リコン状態にするため、第１〜第４の洗浄方法を用いる
前に、シリコン基板上の自然酸化膜をＤＨＦ溶液により
除去してシリコン表面を露出させている。また、シリコ
ン基板のラフネスは、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）により
測定され、且つＲｍｓ（ｒｏｏｔ ｍｅａｎ ｓｑｕａ
ｒｅ）により評価されている。
により、ベアシリコン（ｂａｒｅｓｉｌｉｃｏｎ）状態
のシリコン基板を洗浄した場合の、シリコン基板のラフ
ネス（基板表面の微少な凹凸）を示している。表３にお
いて、メーカー出荷時点つまり洗浄前におけるシリコン
基板のラフネスも比較のために示している。また、表３
に示すように、第４の洗浄方法における洗浄液の濃度を
表１に示す値よりも高く設定していると共に、第２〜第
４の洗浄方法における洗浄液への投入時間を表１に示す
値よりも長く設定している。尚、シリコン基板をベアシ
リコン状態にするため、第１〜第４の洗浄方法を用いる
前に、シリコン基板上の自然酸化膜をＤＨＦ溶液により
除去してシリコン表面を露出させている。また、シリコ
ン基板のラフネスは、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）により
測定され、且つＲｍｓ（ｒｏｏｔ ｍｅａｎ ｓｑｕａ
ｒｅ）により評価されている。
【００７０】
【表３】
【００７１】表３に示すように、第１の実施形態の第２
又は第４の洗浄方法を用いた場合、洗浄前に比べてシリ
コン基板のラフネスがほとんど増大しない一方、第１の
実施形態の第１又は第３の洗浄方法を用いた場合、洗浄
前に比べてシリコン基板のラフネスが若干増大する。但
し、第１の実施形態の第１又は第３の洗浄方法について
は、それぞれの洗浄液の濃度を表１に示す値よりも低く
することにより、シリコン基板のラフネスの増大を抑制
することができる。
又は第４の洗浄方法を用いた場合、洗浄前に比べてシリ
コン基板のラフネスがほとんど増大しない一方、第１の
実施形態の第１又は第３の洗浄方法を用いた場合、洗浄
前に比べてシリコン基板のラフネスが若干増大する。但
し、第１の実施形態の第１又は第３の洗浄方法について
は、それぞれの洗浄液の濃度を表１に示す値よりも低く
することにより、シリコン基板のラフネスの増大を抑制
することができる。
【００７２】表４は、膜厚１０ｎｍのシリコン酸化膜が
熱酸化法により形成されたシリコン基板に対して、シリ
コン酸化膜上に形成されたレジストパターンをマスクと
して、ＢＦ2+イオンを注入エネルギー２０ＫｅＶ且つ注
入ドーズ量５×１０15ｃｍ-2でイオン注入した後、アッ
シングによりレジストパターンを除去し、その後、表１
に示す各洗浄方法によりシリコン基板を洗浄した場合
の、パーティクル及びレジスト残さ等の除去結果を示し
ている。尚、パーティクル及びレジスト残さ等の除去結
果については、ＫＬＡ欠陥検査装置により測定された洗
浄前後の表示欠陥数を用いて示している。すなわち、洗
浄前の表示欠陥数に比べて洗浄後の表示欠陥数が小さい
ほど、パーティクル及びレジスト残さ等の除去結果が良
好であることを意味する。
熱酸化法により形成されたシリコン基板に対して、シリ
コン酸化膜上に形成されたレジストパターンをマスクと
して、ＢＦ2+イオンを注入エネルギー２０ＫｅＶ且つ注
入ドーズ量５×１０15ｃｍ-2でイオン注入した後、アッ
シングによりレジストパターンを除去し、その後、表１
に示す各洗浄方法によりシリコン基板を洗浄した場合
の、パーティクル及びレジスト残さ等の除去結果を示し
ている。尚、パーティクル及びレジスト残さ等の除去結
果については、ＫＬＡ欠陥検査装置により測定された洗
浄前後の表示欠陥数を用いて示している。すなわち、洗
浄前の表示欠陥数に比べて洗浄後の表示欠陥数が小さい
ほど、パーティクル及びレジスト残さ等の除去結果が良
好であることを意味する。
【００７３】
【表４】
【００７４】表４に示すように、第１の実施形態の第１
〜第６の洗浄方法を用いた場合のパーティクル及びレジ
スト残さ等の除去結果はいずれも非常に良好である。
〜第６の洗浄方法を用いた場合のパーティクル及びレジ
スト残さ等の除去結果はいずれも非常に良好である。
【００７５】以下、タングステンを含むポリメタルゲー
ト電極を基板上に形成した後、該基板を、表１に示す各
洗浄方法により洗浄する場合について、図１（ａ）〜
（ｄ）を参照しながら説明する。
ト電極を基板上に形成した後、該基板を、表１に示す各
洗浄方法により洗浄する場合について、図１（ａ）〜
（ｄ）を参照しながら説明する。
【００７６】まず、図１（ａ）に示すように、シリコン
基板１１の上にゲート酸化膜１２を熱酸化法により形成
した後、ゲート酸化膜１２の上に、ポリメタルゲート電
極の材料となるポリシリコン膜１３Ａ、タングステンナ
イトライド膜１３Ｂ、及びタングステン膜１３Ｃを順次
堆積し、その後、タングステン膜１３Ｃの上にシリコン
窒化膜１４を堆積する。続いて、シリコン窒化膜１４上
に、ゲート電極形成領域を覆うレジストパターン１５を
形成する。
基板１１の上にゲート酸化膜１２を熱酸化法により形成
した後、ゲート酸化膜１２の上に、ポリメタルゲート電
極の材料となるポリシリコン膜１３Ａ、タングステンナ
イトライド膜１３Ｂ、及びタングステン膜１３Ｃを順次
堆積し、その後、タングステン膜１３Ｃの上にシリコン
窒化膜１４を堆積する。続いて、シリコン窒化膜１４上
に、ゲート電極形成領域を覆うレジストパターン１５を
形成する。
【００７７】次に、図１（ｂ）に示すように、レジスト
パターン１５をマスクとして、シリコン窒化膜１４、タ
ングステン膜１３Ｃ、タングステンナイトライド膜１３
Ｂ、及びポリシリコン膜１３Ａに対して順次ドライエッ
チングを行なって、シリコン基板１１の上にゲート酸化
膜１２を介してポリシリコン膜１３Ａ、タングステンナ
イトライド膜１３Ｂ、及びタングステン膜１３Ｃからな
るポリメタルゲート電極１３を形成する。
パターン１５をマスクとして、シリコン窒化膜１４、タ
ングステン膜１３Ｃ、タングステンナイトライド膜１３
Ｂ、及びポリシリコン膜１３Ａに対して順次ドライエッ
チングを行なって、シリコン基板１１の上にゲート酸化
膜１２を介してポリシリコン膜１３Ａ、タングステンナ
イトライド膜１３Ｂ、及びタングステン膜１３Ｃからな
るポリメタルゲート電極１３を形成する。
【００７８】次に、図１（ｃ）に示すように、レジスト
パターン１５をアッシングにより除去する。
パターン１５をアッシングにより除去する。
【００７９】次に、レジスト残さ、パーティクル及びポ
リマー（ドライエッチポリマー）等を除去するため、表
１に示す第１の実施形態の第１の洗浄方法によりシリコ
ン基板１１を洗浄する。
リマー（ドライエッチポリマー）等を除去するため、表
１に示す第１の実施形態の第１の洗浄方法によりシリコ
ン基板１１を洗浄する。
【００８０】その後、表１に示す第１の実施形態の第２
〜第６の洗浄方法及び比較例の第７の洗浄方法のそれぞ
れについても、同様の工程を繰り返し行なう。
〜第６の洗浄方法及び比較例の第７の洗浄方法のそれぞ
れについても、同様の工程を繰り返し行なう。
【００８１】その結果、第１の実施形態の第１〜第６の
洗浄方法を用いた場合、図１（ｄ）に示すように、ポリ
メタルゲート電極１３を構成するタングステンナイトラ
イド膜１３Ｂ及びタングステン膜１３Ｃはほとんど溶解
しなかった。
洗浄方法を用いた場合、図１（ｄ）に示すように、ポリ
メタルゲート電極１３を構成するタングステンナイトラ
イド膜１３Ｂ及びタングステン膜１３Ｃはほとんど溶解
しなかった。
【００８２】それに対して、比較例の第７の洗浄方法を
用いた場合、図示は省略しているが、ポリメタルゲート
電極１３を構成するタングステンナイトライド膜１３Ｂ
及びタングステン膜１３Ｃが溶解してしまった。
用いた場合、図示は省略しているが、ポリメタルゲート
電極１３を構成するタングステンナイトライド膜１３Ｂ
及びタングステン膜１３Ｃが溶解してしまった。
【００８３】表５は、表１に示す各洗浄方法を用いた場
合の、前記のドライエッチング（図１（ｂ）参照）によ
り生じたパーティクル及びドライエッチポリマー等の除
去結果を示している。尚、パーティクル及びドライエッ
チポリマー等の除去結果については、ＫＬＡ欠陥検査装
置により測定された洗浄前後の表示欠陥数を用いて示し
ている。すなわち、洗浄前の表示欠陥数に比べて洗浄後
の表示欠陥数が小さいほど、パーティクル及びドライエ
ッチポリマー等の除去結果が良好であることを意味す
る。
合の、前記のドライエッチング（図１（ｂ）参照）によ
り生じたパーティクル及びドライエッチポリマー等の除
去結果を示している。尚、パーティクル及びドライエッ
チポリマー等の除去結果については、ＫＬＡ欠陥検査装
置により測定された洗浄前後の表示欠陥数を用いて示し
ている。すなわち、洗浄前の表示欠陥数に比べて洗浄後
の表示欠陥数が小さいほど、パーティクル及びドライエ
ッチポリマー等の除去結果が良好であることを意味す
る。
【００８４】
【表５】
【００８５】表５に示すように、比較例の第７の洗浄方
法を用いた場合のパーティクル及びドライエッチポリマ
ー等の除去結果が、タングステンナイトライド膜又はタ
ングステン膜の溶解に起因して非常に悪い一方、第１の
実施形態の第１〜第６の洗浄方法を用いた場合のパーテ
ィクル及びレジスト残さ等の除去結果はいずれも非常に
良好である。
法を用いた場合のパーティクル及びドライエッチポリマ
ー等の除去結果が、タングステンナイトライド膜又はタ
ングステン膜の溶解に起因して非常に悪い一方、第１の
実施形態の第１〜第６の洗浄方法を用いた場合のパーテ
ィクル及びレジスト残さ等の除去結果はいずれも非常に
良好である。
【００８６】ところで、第１の実施形態の第４の洗浄方
法（ＤＨＦ溶液による洗浄）を用いた場合、洗浄乾燥後
に基板に残留又は付着した水滴によりしみ（ウォーター
マーク）が発生する傾向があるが、第１の実施形態の第
４の洗浄方法においてＩＰＡ（イソプロピルアルコー
ル）蒸気乾燥を使用することにより、しみ発生を抑制す
ることができる。
法（ＤＨＦ溶液による洗浄）を用いた場合、洗浄乾燥後
に基板に残留又は付着した水滴によりしみ（ウォーター
マーク）が発生する傾向があるが、第１の実施形態の第
４の洗浄方法においてＩＰＡ（イソプロピルアルコー
ル）蒸気乾燥を使用することにより、しみ発生を抑制す
ることができる。
【００８７】表６は、表１に示す第１の実施形態の第１
〜第４の洗浄方法の総合的な洗浄能力、及び比較例の第
７の洗浄方法の総合的な洗浄能力を示している。尚、総
合的な洗浄能力の評価については、個別の評価項目、具
体的には、タングステンの溶解防止、ラフネスの発生防
止、レジスト残さの除去力（パーティクルの除去力を含
む）、ポリマー（ドライエッチポリマー）の除去力（パ
ーティクルの除去力を含む）、並びにしみ発生防止のそ
れぞれについての評価結果に基づき行なった。また、各
評価結果については、３段階（○：非常に良好、△：良
好、×：悪い）で表している。
〜第４の洗浄方法の総合的な洗浄能力、及び比較例の第
７の洗浄方法の総合的な洗浄能力を示している。尚、総
合的な洗浄能力の評価については、個別の評価項目、具
体的には、タングステンの溶解防止、ラフネスの発生防
止、レジスト残さの除去力（パーティクルの除去力を含
む）、ポリマー（ドライエッチポリマー）の除去力（パ
ーティクルの除去力を含む）、並びにしみ発生防止のそ
れぞれについての評価結果に基づき行なった。また、各
評価結果については、３段階（○：非常に良好、△：良
好、×：悪い）で表している。
【００８８】
【表６】
【００８９】表６に示すように、第１の実施形態の第１
〜第４の洗浄方法の総合的な洗浄能力はいずれも非常に
良好である。
〜第４の洗浄方法の総合的な洗浄能力はいずれも非常に
良好である。
【００９０】以上に説明したように、第１の実施形態に
よると、過酸化水素水を実質的に含まない酸性溶液又は
過酸化水素水を実質的に含まないアルカリ溶液からなる
洗浄液、例えば、ＴＭＡＨ溶液、Ｏ3 水、ＮＨ4 ＯＨ水
又はＤＨＦ溶液等を用いて電子デバイスを洗浄するた
め、過酸化水素水を含む洗浄液を用いた場合に比べてタ
ングステンに対するエッチングレートを大きく低減でき
ると共に、パーティクル、レジスト残さ又はポリマー等
を確実に除去できる。従って、電子デバイスの構成要素
に含まれるタングステンの溶解を防止しつつ、電子デバ
イスを確実に洗浄することができるので、信頼性の高い
電子デバイスを実現することができる。
よると、過酸化水素水を実質的に含まない酸性溶液又は
過酸化水素水を実質的に含まないアルカリ溶液からなる
洗浄液、例えば、ＴＭＡＨ溶液、Ｏ3 水、ＮＨ4 ＯＨ水
又はＤＨＦ溶液等を用いて電子デバイスを洗浄するた
め、過酸化水素水を含む洗浄液を用いた場合に比べてタ
ングステンに対するエッチングレートを大きく低減でき
ると共に、パーティクル、レジスト残さ又はポリマー等
を確実に除去できる。従って、電子デバイスの構成要素
に含まれるタングステンの溶解を防止しつつ、電子デバ
イスを確実に洗浄することができるので、信頼性の高い
電子デバイスを実現することができる。
【００９１】尚、第１の実施形態において、電子デバイ
スの基板としてはシリコン基板を用いたが、これに代え
て、絶縁性基板等を用いてもよい。
スの基板としてはシリコン基板を用いたが、これに代え
て、絶縁性基板等を用いてもよい。
【００９２】また、第１の実施形態において、電子デバ
イスの構成要素としては、ポリシリコン膜とタングステ
ン膜との多層膜からなるポリメタルゲート電極を用いた
が、これに限られず、タングステン膜からなるメタルゲ
ート電極等を用いてもよい。
イスの構成要素としては、ポリシリコン膜とタングステ
ン膜との多層膜からなるポリメタルゲート電極を用いた
が、これに限られず、タングステン膜からなるメタルゲ
ート電極等を用いてもよい。
【００９３】また、第１の実施形態において、電子デバ
イスの構成要素に含まれる高融点金属としてはタングス
テン（Ｗ）を用いたが、これに限られず、Ｍｏ若しくは
Ｔａ等の高融点金属を用いてもよいし、Ｗ、Ｍｏ若しく
はＴａ等のシリサイド膜であるＷＳｉX 、ＭｏＳｉX 若
しくはＴａＳｉX 等を用いてもよいし、又は、Ｗ、Ｍｏ
若しくはＴａ等の窒化物であるＷＮX 、ＭｏＮ若しくは
ＴａＮ等を用いてもよい。
イスの構成要素に含まれる高融点金属としてはタングス
テン（Ｗ）を用いたが、これに限られず、Ｍｏ若しくは
Ｔａ等の高融点金属を用いてもよいし、Ｗ、Ｍｏ若しく
はＴａ等のシリサイド膜であるＷＳｉX 、ＭｏＳｉX 若
しくはＴａＳｉX 等を用いてもよいし、又は、Ｗ、Ｍｏ
若しくはＴａ等の窒化物であるＷＮX 、ＭｏＮ若しくは
ＴａＮ等を用いてもよい。
【００９４】また、第１の実施形態において、ＮＨ4 Ｏ
Ｈ水、ＤＨＦ溶液、又は硫酸と水との混合液からなる洗
浄液はオゾンを含むことが好ましい。このようにする
と、過酸化水素水を含む洗浄液を用いた場合に比べてタ
ングステンに対するエッチングレートを確実に大きく低
減できると共に、パーティクル、レジスト残さ又はポリ
マー等をより確実に除去できる。
Ｈ水、ＤＨＦ溶液、又は硫酸と水との混合液からなる洗
浄液はオゾンを含むことが好ましい。このようにする
と、過酸化水素水を含む洗浄液を用いた場合に比べてタ
ングステンに対するエッチングレートを確実に大きく低
減できると共に、パーティクル、レジスト残さ又はポリ
マー等をより確実に除去できる。
【００９５】また、第１の実施形態において、タングス
テン等の高融点金属を含む構成要素を有する電子デバイ
スを、ＴＭＡＨ溶液、Ｏ3 水、ＮＨ4 ＯＨ水、オゾンを
含むＮＨ4 ＯＨ水、ＤＨＦ溶液、オゾンを含むＤＨＦ溶
液、硫酸と水との混合液、及びオゾンを含む硫酸と水と
の混合液のうちの２つ以上の溶液を順次用いて洗浄して
もよい。特に、表１に示す第１の実施形態の第６の洗浄
方法を用いて、言い換えると、ＤＨＦ溶液からなる第１
の洗浄液、Ｏ3 水からなる第２の洗浄液、及びＴＭＡＨ
溶液からなる第３の洗浄液を順次用いて、ポリメタルゲ
ート電極又はメタルゲート電極が形成されている基板を
洗浄すると、次のような効果が得られる。すなわち、基
板、又はゲート電極を構成する高融点金属膜等の上に形
成された酸化膜と共に、パーティクル、レジスト残さ又
はポリマー等がＤＨＦ溶液によりリフトオフ等の効果に
よって除去された後、しみ発生防止のための酸化膜が基
板上にＯ3 水により形成され、その後、残存する微小パ
ーティクルがＴＭＡＨ溶液により除去されるので、電子
デバイスの信頼性がさらに向上する。
テン等の高融点金属を含む構成要素を有する電子デバイ
スを、ＴＭＡＨ溶液、Ｏ3 水、ＮＨ4 ＯＨ水、オゾンを
含むＮＨ4 ＯＨ水、ＤＨＦ溶液、オゾンを含むＤＨＦ溶
液、硫酸と水との混合液、及びオゾンを含む硫酸と水と
の混合液のうちの２つ以上の溶液を順次用いて洗浄して
もよい。特に、表１に示す第１の実施形態の第６の洗浄
方法を用いて、言い換えると、ＤＨＦ溶液からなる第１
の洗浄液、Ｏ3 水からなる第２の洗浄液、及びＴＭＡＨ
溶液からなる第３の洗浄液を順次用いて、ポリメタルゲ
ート電極又はメタルゲート電極が形成されている基板を
洗浄すると、次のような効果が得られる。すなわち、基
板、又はゲート電極を構成する高融点金属膜等の上に形
成された酸化膜と共に、パーティクル、レジスト残さ又
はポリマー等がＤＨＦ溶液によりリフトオフ等の効果に
よって除去された後、しみ発生防止のための酸化膜が基
板上にＯ3 水により形成され、その後、残存する微小パ
ーティクルがＴＭＡＨ溶液により除去されるので、電子
デバイスの信頼性がさらに向上する。
【００９６】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法及びその製造方
法について、図２（ａ）〜（ｃ）及び図３（ａ）〜
（ｃ）を参照しながら説明する。
実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法及びその製造方
法について、図２（ａ）〜（ｃ）及び図３（ａ）〜
（ｃ）を参照しながら説明する。
【００９７】第２の実施形態の特徴は、第１の実施形態
の第６の洗浄方法（以下、３ステップ洗浄と称する）
を、相補型半導体装置（ＣＭＯＳ）の製造プロセスに適
用していることである。
の第６の洗浄方法（以下、３ステップ洗浄と称する）
を、相補型半導体装置（ＣＭＯＳ）の製造プロセスに適
用していることである。
【００９８】まず、図２（ａ）に示すように、シリコン
基板２１にＳＴＩからなる素子分離２２を形成して、ｎ
型ＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｒｎｍｏｓとｐ型ＭＯＳＦＥＴ
形成領域Ｒｐｍｏｓとを規定する。次に、シリコン基板
２１の上にシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２３、
ポリシリコン膜２４、バリアメタル膜２５、例えばタン
グステン膜等の高融点金属膜２６、及びシリコン窒化膜
２７を順次堆積する。次に、ゲート電極形成領域を覆う
レジストパターン（図示省略）を用いてシリコン窒化膜
２７に対してエッチングを行なった後、該レジストパタ
ーンをアッシングにより除去し、その後、パターン化さ
れたシリコン窒化膜２７（ハードマスク）を用いて、高
融点金属膜２６、バリアメタル膜２５、ポリシリコン膜
２４及びゲート絶縁膜２３に対してエッチングを行な
う。これにより、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｒｎｍｏｓ
の上及びｐ型ＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｒｐｍｏｓの上にそ
れぞれポリシリコン膜２４、バリアメタル膜２５及び高
融点金属膜２６からなる第１のゲート電極２８及び第２
のゲート電極２９が形成される。
基板２１にＳＴＩからなる素子分離２２を形成して、ｎ
型ＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｒｎｍｏｓとｐ型ＭＯＳＦＥＴ
形成領域Ｒｐｍｏｓとを規定する。次に、シリコン基板
２１の上にシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２３、
ポリシリコン膜２４、バリアメタル膜２５、例えばタン
グステン膜等の高融点金属膜２６、及びシリコン窒化膜
２７を順次堆積する。次に、ゲート電極形成領域を覆う
レジストパターン（図示省略）を用いてシリコン窒化膜
２７に対してエッチングを行なった後、該レジストパタ
ーンをアッシングにより除去し、その後、パターン化さ
れたシリコン窒化膜２７（ハードマスク）を用いて、高
融点金属膜２６、バリアメタル膜２５、ポリシリコン膜
２４及びゲート絶縁膜２３に対してエッチングを行な
う。これにより、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｒｎｍｏｓ
の上及びｐ型ＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｒｐｍｏｓの上にそ
れぞれポリシリコン膜２４、バリアメタル膜２５及び高
融点金属膜２６からなる第１のゲート電極２８及び第２
のゲート電極２９が形成される。
【００９９】次に、図２（ｂ）に示すように、第２のゲ
ート電極２９の上を含むｐ型ＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｒｐ
ｍｏｓを覆う第１のレジストパターン３０を形成した
後、第１のレジストパターン３０及び第１のゲート電極
２８をマスクとしてシリコン基板２１に対してｎ型の不
純物、例えばヒ素を注入する。これにより、ｎ型ＭＯＳ
ＦＥＴ形成領域Ｒｎｍｏｓに第１のソース領域３１及び
第１のドレイン領域３２が形成される。
ート電極２９の上を含むｐ型ＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｒｐ
ｍｏｓを覆う第１のレジストパターン３０を形成した
後、第１のレジストパターン３０及び第１のゲート電極
２８をマスクとしてシリコン基板２１に対してｎ型の不
純物、例えばヒ素を注入する。これにより、ｎ型ＭＯＳ
ＦＥＴ形成領域Ｒｎｍｏｓに第１のソース領域３１及び
第１のドレイン領域３２が形成される。
【０１００】次に、図２（ｃ）に示すように、第１のレ
ジストパターン３０を、酸素プラズマを用いたアッシン
グにより除去する。このとき、シリコン基板２１の表
面、又は第２のゲート電極２９を構成するポリシリコン
膜２４及び高融点金属膜２６等の表面に薄い酸化膜３３
が形成されると共に、素子分離２２の上又は第２のゲー
ト電極２９の側面にパーティクル３４が残存する。前述
のヒ素の注入時に素子分離２２上における第１のレジス
トパターン３０の端部は特にダメージを受けているた
め、素子分離２２上にはパーティクル３４が特に多く残
存する。
ジストパターン３０を、酸素プラズマを用いたアッシン
グにより除去する。このとき、シリコン基板２１の表
面、又は第２のゲート電極２９を構成するポリシリコン
膜２４及び高融点金属膜２６等の表面に薄い酸化膜３３
が形成されると共に、素子分離２２の上又は第２のゲー
ト電極２９の側面にパーティクル３４が残存する。前述
のヒ素の注入時に素子分離２２上における第１のレジス
トパターン３０の端部は特にダメージを受けているた
め、素子分離２２上にはパーティクル３４が特に多く残
存する。
【０１０１】そこで、第２の実施形態においては、第１
のレジストパターン３０をアッシングにより除去した
後、図３（ａ）に示すように、本発明の３ステップ洗浄
を用いて、具体的には、ＤＨＦ溶液からなる第１の洗浄
液、Ｏ3 水からなる第２の洗浄液、及びＴＭＡＨ溶液か
らなる第３の洗浄液を順次用いて、酸化膜３３を除去す
ることにより、酸化膜３３と共にパーティクル３４を除
去する。これにより、シリコン基板２１の表面を清浄化
することができる。
のレジストパターン３０をアッシングにより除去した
後、図３（ａ）に示すように、本発明の３ステップ洗浄
を用いて、具体的には、ＤＨＦ溶液からなる第１の洗浄
液、Ｏ3 水からなる第２の洗浄液、及びＴＭＡＨ溶液か
らなる第３の洗浄液を順次用いて、酸化膜３３を除去す
ることにより、酸化膜３３と共にパーティクル３４を除
去する。これにより、シリコン基板２１の表面を清浄化
することができる。
【０１０２】次に、図３（ｂ）に示すように、第１のゲ
ート電極２８の上を含むｎ型ＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｒｎ
ｍｏｓを覆う第２のレジストパターン３５を形成した
後、第２のレジストパターン３５及び第２のゲート電極
２９をマスクとしてシリコン基板２１に対してｐ型の不
純物、例えばボロンを注入する。これにより、ｐ型ＭＯ
ＳＦＥＴ形成領域Ｒｐｍｏｓに第２のソース領域３６及
び第２のドレイン領域３７が形成される。
ート電極２８の上を含むｎ型ＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｒｎ
ｍｏｓを覆う第２のレジストパターン３５を形成した
後、第２のレジストパターン３５及び第２のゲート電極
２９をマスクとしてシリコン基板２１に対してｐ型の不
純物、例えばボロンを注入する。これにより、ｐ型ＭＯ
ＳＦＥＴ形成領域Ｒｐｍｏｓに第２のソース領域３６及
び第２のドレイン領域３７が形成される。
【０１０３】次に、図３（ｃ）に示すように、第２のレ
ジストパターン３５を、酸素プラズマを用いたアッシン
グにより除去した後、前述のように本発明の３ステップ
洗浄を用いてシリコン基板２１の表面を清浄化する。
ジストパターン３５を、酸素プラズマを用いたアッシン
グにより除去した後、前述のように本発明の３ステップ
洗浄を用いてシリコン基板２１の表面を清浄化する。
【０１０４】以上に説明した工程により、ｎ型ＭＯＳＦ
ＥＴ及びｐ型ＭＯＳＦＥＴからなるＣＭＯＳが完成す
る。
ＥＴ及びｐ型ＭＯＳＦＥＴからなるＣＭＯＳが完成す
る。
【０１０５】第２の実施形態によると、ＤＨＦ溶液から
なる第１の洗浄液、Ｏ3 水からなる第２の洗浄液、及び
ＴＭＡＨ溶液からなる第３の洗浄液を順次用いて、ゲー
ト電極が形成されている基板を洗浄するため、過酸化水
素水を含む洗浄液を用いた場合に比べて高融点金属に対
するエッチングレートを大きく低減できると共に、パー
ティクル、レジスト残さ又はポリマー等を確実に除去で
きる。従って、ゲート電極に含まれる高融点金属の溶解
を防止しつつ、基板を確実に洗浄することができるの
で、信頼性の高い電子デバイスを実現することができ
る。
なる第１の洗浄液、Ｏ3 水からなる第２の洗浄液、及び
ＴＭＡＨ溶液からなる第３の洗浄液を順次用いて、ゲー
ト電極が形成されている基板を洗浄するため、過酸化水
素水を含む洗浄液を用いた場合に比べて高融点金属に対
するエッチングレートを大きく低減できると共に、パー
ティクル、レジスト残さ又はポリマー等を確実に除去で
きる。従って、ゲート電極に含まれる高融点金属の溶解
を防止しつつ、基板を確実に洗浄することができるの
で、信頼性の高い電子デバイスを実現することができ
る。
【０１０６】また、第２の実施形態によると、ＤＨＦ溶
液（第１の洗浄液）を用いた洗浄により、基板又は高融
点金属膜等の上に形成された酸化膜と共に、パーティク
ル、レジスト残さ又はポリマー等をリフトオフ等の効果
によって除去した後、Ｏ3 水（第２の洗浄液）を用いた
洗浄により、しみ（ウォーターマーク）発生防止のため
の酸化膜を基板上に形成し、その後、ＴＭＡＨ溶液（第
３の洗浄液）を用いた洗浄により、残存する微小パーテ
ィクルを除去することができるので、電子デバイスの信
頼性がさらに向上する。
液（第１の洗浄液）を用いた洗浄により、基板又は高融
点金属膜等の上に形成された酸化膜と共に、パーティク
ル、レジスト残さ又はポリマー等をリフトオフ等の効果
によって除去した後、Ｏ3 水（第２の洗浄液）を用いた
洗浄により、しみ（ウォーターマーク）発生防止のため
の酸化膜を基板上に形成し、その後、ＴＭＡＨ溶液（第
３の洗浄液）を用いた洗浄により、残存する微小パーテ
ィクルを除去することができるので、電子デバイスの信
頼性がさらに向上する。
【０１０７】尚、第２の実施形態において、電子デバイ
スの基板としてはシリコン基板を用いたが、これに代え
て、絶縁性基板等を用いてもよい。
スの基板としてはシリコン基板を用いたが、これに代え
て、絶縁性基板等を用いてもよい。
【０１０８】また、第２の実施形態において、電子デバ
イスの構成要素としては、ポリシリコン膜とタングステ
ン膜との多層膜からなるポリメタルゲート電極を用いた
が、これに限られず、タングステン膜からなるメタルゲ
ート電極等を用いてもよい。
イスの構成要素としては、ポリシリコン膜とタングステ
ン膜との多層膜からなるポリメタルゲート電極を用いた
が、これに限られず、タングステン膜からなるメタルゲ
ート電極等を用いてもよい。
【０１０９】また、第２の実施形態において、電子デバ
イスの構成要素に含まれる高融点金属としてはタングス
テン（Ｗ）を用いたが、これに限られず、Ｍｏ若しくは
Ｔａ等の高融点金属を用いてもよいし、Ｗ、Ｍｏ若しく
はＴａ等のシリサイド膜であるＷＳｉX 、ＭｏＳｉX 若
しくはＴａＳｉX 等を用いてもよいし、又は、Ｗ、Ｍｏ
若しくはＴａ等の窒化物であるＷＮX 、ＭｏＮ若しくは
ＴａＮ等を用いてもよい。
イスの構成要素に含まれる高融点金属としてはタングス
テン（Ｗ）を用いたが、これに限られず、Ｍｏ若しくは
Ｔａ等の高融点金属を用いてもよいし、Ｗ、Ｍｏ若しく
はＴａ等のシリサイド膜であるＷＳｉX 、ＭｏＳｉX 若
しくはＴａＳｉX 等を用いてもよいし、又は、Ｗ、Ｍｏ
若しくはＴａ等の窒化物であるＷＮX 、ＭｏＮ若しくは
ＴａＮ等を用いてもよい。
【０１１０】
【発明の効果】本発明によると、過酸化水素水を含む洗
浄液を用いた場合に比べてタングステン等の高融点金属
に対するエッチングレートを大きく低減できると共に、
パーティクル、レジスト残さ又はポリマー等を確実に除
去できる。このため、電子デバイスの構成要素に含まれ
る高融点金属の溶解を防止しつつ、電子デバイスを確実
に洗浄することができるので、信頼性の高い電子デバイ
スを実現することができる。
浄液を用いた場合に比べてタングステン等の高融点金属
に対するエッチングレートを大きく低減できると共に、
パーティクル、レジスト残さ又はポリマー等を確実に除
去できる。このため、電子デバイスの構成要素に含まれ
る高融点金属の溶解を防止しつつ、電子デバイスを確実
に洗浄することができるので、信頼性の高い電子デバイ
スを実現することができる。
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施形態に
係る電子デバイスの製造方法の各工程を示す断面図であ
る。
係る電子デバイスの製造方法の各工程を示す断面図であ
る。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施形態に
係る電子デバイスの製造方法の各工程を示す断面図であ
る。
係る電子デバイスの製造方法の各工程を示す断面図であ
る。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施形態に
係る電子デバイスの製造方法の各工程を示す断面図であ
る。
係る電子デバイスの製造方法の各工程を示す断面図であ
る。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、従来の電子デバイスの製造
方法の各工程を示す断面図である。
方法の各工程を示す断面図である。
１１ シリコン基板 １２ ゲート酸化膜 １３ ポリメタルゲート電極 １３Ａ ポリシリコン膜 １３Ｂ タングステンナイトライド膜 １３Ｃ タングステン膜 １４ シリコン窒化膜 １５ レジストパターン ２１ シリコン基板 ２２ 素子分離 ２３ ゲート絶縁膜 ２４ ポリシリコン膜 ２５ バリアメタル膜 ２６ 高融点金属膜 ２７ シリコン窒化膜 ２８ 第１のゲート電極 ２９ 第２のゲート電極 ３０ 第１のレジストパターン ３１ 第１のソース領域 ３２ 第１のドレイン領域 ３３ 酸化膜 ３４ パーティクル ３５ 第２のレジストパターン ３６ 第２のソース領域 ３７ 第２のドレイン領域 Ｒｎｍｏｓ ｎ型ＭＯＳＦＥＴ形成領域 Ｒｐｍｏｓ ｐ型ＭＯＳＦＥＴ形成領域
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年５月３０日（２０００．５．３
０）
０）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正内容】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/43 Ｈ０１Ｌ 29/78 ３０１Ｆ 29/78 ３０１Ｇ
Claims (17)
- 【請求項１】 タングステンを含む構成要素を有する電
子デバイスを、過酸化水素水を実質的に含まない酸性溶
液又は過酸化水素水を実質的に含まないアルカリ性溶液
からなる洗浄液を用いて洗浄することを特徴とする電子
デバイスの洗浄方法。 - 【請求項２】 前記洗浄液は、テトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキサイドと水との混合液であることを特徴
とする請求項１に記載の電子デバイスの洗浄方法。 - 【請求項３】 前記混合液におけるテトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイドの濃度は、０．０１〜５．０
重量％の範囲内であることを特徴とする請求項２に記載
の電子デバイスの洗浄方法。 - 【請求項４】 前記洗浄液はオゾンを含むオゾン含有水
であることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス
の洗浄方法。 - 【請求項５】 前記オゾン含有水におけるオゾンの濃度
は、０．１〜１００ｐｐｍの範囲内であることを特徴と
する請求項４に記載の電子デバイスの洗浄方法。 - 【請求項６】 前記洗浄液はアンモニア水であることを
特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの洗浄方法。 - 【請求項７】 前記アンモニア水におけるアンモニアの
濃度は、０．１〜５．０重量％の範囲内であることを特
徴とする請求項６に記載の電子デバイスの洗浄方法。 - 【請求項８】 前記アンモニア水はオゾンを含むことを
特徴とする請求項６に記載の電子デバイスの洗浄方法。 - 【請求項９】 前記洗浄液は、フッ酸又は硫酸と、水と
の混合液であることを特徴とする請求項１に記載の電子
デバイスの洗浄方法。 - 【請求項１０】 前記混合液はオゾンを含むことを特徴
とする請求項９に記載の電子デバイスの洗浄方法。 - 【請求項１１】 タングステンを含む構成要素を有する
電子デバイスを、テトラメチルアンモニウムハイドロオ
キサイドと水との混合液、オゾンを含むオゾン含有水、
アンモニア水、オゾンを含むアンモニア水、フッ酸と水
との混合液、オゾンを含むフッ酸と水との混合液、硫酸
と水との混合液、及びオゾンを含む硫酸と水との混合液
のうちの２つ以上の溶液を順次用いて洗浄することを特
徴とする電子デバイスの洗浄方法。 - 【請求項１２】 タングステンを含む構成要素を有する
電子デバイスを、フッ酸と水との混合液からなる第１の
洗浄液、オゾンを含むオゾン含有水からなる第２の洗浄
液、及びテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
と水との混合液からなる第３の洗浄液を順次用いて洗浄
することを特徴とする電子デバイスの洗浄方法。 - 【請求項１３】 基板上に、少なくとも高融点金属膜を
含む多層膜を形成する工程と、 第１導電型トランジスタ形成領域のゲート電極形成領域
を覆うマスクパターンを用いて前記多層膜に対してドラ
イエッチングを行なって、前記多層膜からなるゲート電
極を形成する工程と、 第２導電型トランジスタ形成領域を覆うレジストパター
ン及び前記ゲート電極をマスクとして、前記第１導電型
トランジスタ形成領域に第２導電型不純物を注入する工
程と、 前記レジストパターンをアッシングにより除去した後、
前記基板を、フッ酸と水との混合液からなる第１の洗浄
液、オゾンを含むオゾン含有水からなる第２の洗浄液、
及びテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドと水
との混合液からなる第３の洗浄液を順次用いて洗浄する
工程とを備えていることを特徴とする電子デバイスの製
造方法。 - 【請求項１４】 基板上に、高融点金属膜を形成する工
程と、 ゲート電極形成領域を覆うレジストパターンをマスクと
して前記高融点金属膜に対してドライエッチングを行な
って、前記高融点金属膜からなるゲート電極を形成する
工程と、 前記レジストパターンをアッシングにより除去した後、
前記基板を、フッ酸と水との混合液からなる第１の洗浄
液、オゾンを含むオゾン含有水からなる第２の洗浄液、
及びテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドと水
との混合液からなる第３の洗浄液を順次用いて洗浄する
工程とを備えていることを特徴とする電子デバイスの製
造方法。 - 【請求項１５】 前記ゲート電極は、ポリメタルゲート
電極構造又はメタルゲート電極構造を有していることを
特徴とする請求項１３又は請求項１４に記載の電子デバ
イスの製造方法。 - 【請求項１６】 基板における第１導電型ＭＯＳＦＥＴ
形成領域の上及び第２導電型ＭＯＳＦＥＴ形成領域の上
にそれぞれ第１の電極構造及び第２の電極構造を形成す
る工程と、 前記第２の電極構造の上を含む前記第２導電型ＭＯＳＦ
ＥＴ形成領域を覆う第１のレジストパターン、及び前記
第１の電極構造をマスクとして、前記第１導電型ＭＯＳ
ＦＥＴ形成領域に第２導電型不純物を注入することによ
って、前記第１導電型ＭＯＳＦＥＴ形成領域に第１のソ
ース領域及び第１のドレイン領域を形成する工程と、 前記第１のレジストパターンを、酸素プラズマを用いた
アッシングにより除去した後、前記基板を、フッ酸と水
との混合液からなる第１の洗浄液、オゾンを含むオゾン
含有水からなる第２の洗浄液、及びテトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイドと水との混合液からなる第３
の洗浄液を順次用いて洗浄する工程と、 前記第１の電極構造の上を含む前記第１導電型ＭＯＳＦ
ＥＴ形成領域を覆う第２のレジストパターン、及び前記
第２の電極構造をマスクとして、前記第２導電型ＭＯＳ
ＦＥＴ形成領域に第１導電型不純物を注入することによ
って、前記第２導電型ＭＯＳＦＥＴ形成領域に第２のソ
ース領域及び第２のドレイン領域を形成する工程と、 前記第２のレジストパターンを、酸素プラズマを用いた
アッシングにより除去した後、前記基板を、フッ酸と水
との混合液からなる第１の洗浄液、オゾンを含むオゾン
含有水からなる第２の洗浄液、及びテトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイドと水との混合液からなる第３
の洗浄液を順次用いて洗浄する工程とを備え、 前記第１の電極構造及び第２の電極構造は、ポリシリコ
ン膜と高融点金属膜との積層構造を有していることを特
徴とする電子デバイスの製造方法。 - 【請求項１７】 基板における第１導電型ＭＯＳＦＥＴ
形成領域の上及び第２導電型ＭＯＳＦＥＴ形成領域の上
にそれぞれ第１の電極構造及び第２の電極構造を形成す
る工程と、 前記第２の電極構造の上を含む前記第２導電型ＭＯＳＦ
ＥＴ形成領域を覆う第１のレジストパターン、及び前記
第１の電極構造をマスクとして、前記第１導電型ＭＯＳ
ＦＥＴ形成領域に第２導電型不純物を注入することによ
って、前記第１導電型ＭＯＳＦＥＴ形成領域に第１のソ
ース領域及び第１のドレイン領域を形成する工程と、 前記第１のレジストパターンを、酸素プラズマを用いた
アッシングにより除去した後、前記基板を、フッ酸と水
との混合液からなる第１の洗浄液、オゾンを含むオゾン
含有水からなる第２の洗浄液、及びテトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイドと水との混合液からなる第３
の洗浄液を順次用いて洗浄する工程と、 前記第１の電極構造の上を含む前記第１導電型ＭＯＳＦ
ＥＴ形成領域を覆う第２のレジストパターン、及び前記
第２の電極構造をマスクとして、前記第２導電型ＭＯＳ
ＦＥＴ形成領域に第１導電型不純物を注入することによ
って、前記第２導電型ＭＯＳＦＥＴ形成領域に第２のソ
ース領域及び第２のドレイン領域を形成する工程と、 前記第２のレジストパターンを、酸素プラズマを用いた
アッシングにより除去した後、前記基板を、フッ酸と水
との混合液からなる第１の洗浄液、オゾンを含むオゾン
含有水からなる第２の洗浄液、及びテトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイドと水との混合液からなる第３
の洗浄液を順次用いて洗浄する工程とを備え、 前記第１の電極構造及び第２の電極構造は金属を含むこ
とを特徴とする電子デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000068282A JP3415549B2 (ja) | 1999-03-15 | 2000-03-13 | 電子デバイスの洗浄方法及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-67976 | 1999-03-15 | ||
| JP6797699 | 1999-03-15 | ||
| JP2000068282A JP3415549B2 (ja) | 1999-03-15 | 2000-03-13 | 電子デバイスの洗浄方法及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000331978A true JP2000331978A (ja) | 2000-11-30 |
| JP3415549B2 JP3415549B2 (ja) | 2003-06-09 |
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ID=26409212
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000068282A Expired - Fee Related JP3415549B2 (ja) | 1999-03-15 | 2000-03-13 | 電子デバイスの洗浄方法及びその製造方法 |
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|---|---|
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-
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- 2000-03-13 JP JP2000068282A patent/JP3415549B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US11901174B2 (en) | 2013-09-25 | 2024-02-13 | Organo Corporation | Substrate treatment method and substrate treatment equipment |
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