JP5153131B2 - 半導体素子のデュアルゲート形成方法 - Google Patents
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Description
−CH2− + O3 → 3O2 + CO2 +H2O
O3 → O2 + O*
3O* + −CH2− → CO2 +H2O
Claims (31)
- 半導体基板の第1領域及び第2領域上にそれぞれp型及びn型にドーピングされた第1及び第2ポリシリコン膜を形成する段階と、
前記第1及び第2ポリシリコン膜の表面上に第1湿式洗浄、第2湿式洗浄及び乾式洗浄を順次行う段階と、を含み、
前記第1湿式洗浄は、前記第1及び第2ポリシリコン膜上に形成された自然酸化膜を除去するために行い、前記第2湿式洗浄は、前記第1湿式洗浄によって除去された自然酸化膜を再び形成するために行い、前記乾式洗浄は、前記第2湿式洗浄によって形成された自然酸化膜を除去するために行うことを特徴とする半導体素子のデュアルゲート形成方法。 - 前記乾式洗浄が行われた第1及び第2ポリシリコン膜上に金属シリサイド膜及びゲート
ハードマスク膜を順次形成する段階と、
前記ゲートハードマスク膜、金属シリサイド膜、第1及び第2ポリシリコン膜に対するパターニングを行い、前記第1領域及び第2領域にそれぞれ配置される第1及び第2ゲートスタックを形成する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のデュアルゲート形成方法。 - 前記第1及び第2ポリシリコン膜を形成する段階は、
前記半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上にポリシリコン膜を形成する段階と、
前記第1領域のポリシリコン膜を露出させる第1フォトレジスト膜パターンを形成する段階と、
前記第1フォトレジスト膜パターンによって露出されたポリシリコン膜にp型不純物イオンを注入する段階と、
前記p型不純物イオンの注入後、前記第1フォトレジスト膜パターンを除去する段階と、
前記第2領域のポリシリコン膜を露出させる第2フォトレジスト膜パターンを形成する段階と、
前記第2フォトレジスト膜パターンによって露出されたポリシリコン膜にn型不純物イオンを注入する段階と、
前記n型不純物イオンの注入後、前記第2フォトレジスト膜パターンを除去する段階と、
前記p型不純物イオン及びn型不純物イオンを活性化させるアニーリングを行う段階と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のデュアルゲート形成方法。 - 前記第1フォトレジスト膜パターン及び第2フォトレジスト膜パターンを除去する段階は、
BOEを洗浄液として用いて第1洗浄を行う段階と、
O3を含む脱イオン水を洗浄液として用いて第2洗浄を行う段階と、を含むことを特徴とする請求項3に記載の半導体素子のデュアルゲート形成方法。 - 前記BOE洗浄液は、O3を含むことを特徴とする請求項4に記載の半導体素子のデュアルゲート形成方法。
- 前記第2洗浄は、O3の濃度が1〜10%である脱イオン水を洗浄液として用いて、前記半導体基板の温度を40〜90℃に維持しながら1〜30分間行うことを特徴とする請求項4に記載の半導体素子のデュアルゲート形成方法。
- 前記第1洗浄及び第2洗浄は、枚葉式スピン型クリーナーで連続的に行うことを特徴とする請求項4に記載の半導体素子のデュアルゲート形成方法。
- 前記第1及び第2フォトレジスト膜パターンを除去する段階は、
希釈されたHFを洗浄液として用いて第1洗浄を行う段階と、
O3を含む脱イオン水を洗浄液として用いて第2洗浄を行う段階と、を含むことを特徴とする請求項3に記載の半導体素子のデュアルゲート形成方法。 - 前記希釈されたHF洗浄液は、O3を含むことを特徴とする請求項8に記載の半導体素子のデュアルゲート形成方法。
- 前記希釈されたHF洗浄液のHF濃度は、0.01〜1wt%であることを特徴とする請求項9に記載の半導体素子のデュアルゲート形成方法。
- 前記第2洗浄は、O3の濃度が1〜10%である脱イオン水を洗浄液として用いて、前記半導体基板の温度を40〜90℃に維持しながら1〜30分間行うことを特徴とする請求項8に記載の半導体素子のデュアルゲート形成方法。
- 前記第1洗浄及び第2洗浄は、枚葉式スピン型クリーナーで連続的に行うことを特徴とする請求項8に記載の半導体素子のデュアルゲート形成方法。
- 前記第1湿式洗浄は、BOEを洗浄液として用いて10〜500秒間行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のデュアルゲート形成方法。
- 前記第1湿式洗浄は、BOE及び希釈されたHF溶液を洗浄液として用いて行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のデュアルゲート形成方法。
- 前記第2湿式洗浄は、O3を含む脱イオン水を用いて行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のデュアルゲート形成方法。
- 前記第2湿式洗浄は、O3を含む脱イオン水及びO3を含む希釈されたHF溶液を用いて行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のデュアルゲート形成方法。
- 前記第2湿式洗浄によって再び形成される自然酸化膜は、3〜50Åの厚さを有することを特徴とする請求項16に記載の半導体素子のデュアルゲート形成方法。
- 前記第1湿式洗浄及び第2湿式洗浄は、枚葉式スピン型クリーナーで連続的に行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のデュアルゲート形成方法。
- 前記乾式洗浄は、無水HFガスを用いて行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のデュアルゲート形成方法。
- 前記無水HFガスを用いた乾式洗浄は、前記半導体基板の温度を20℃以下に維持しながら行うことを特徴とする請求項19に記載の半導体素子のデュアルゲート形成方法。
- 前記第2湿式洗浄後、ドライ工程を行う段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のデュアルゲート形成方法。
- 半導体基板の第1領域及び第2領域上にp型及びn型にドーピングされた第1及び第2ポリシリコン膜をそれぞれ形成する段階と、
前記第1及び第2ポリシリコン膜の表面上に湿式洗浄、ドライ工程及び乾式洗浄を順次行う段階と、を含むことを特徴とする半導体素子のデュアルゲート形成方法。 - 前記湿式洗浄は、SPM洗浄液、BOE洗浄液及びSC−1洗浄液を順次用いて行うことを特徴とする請求項22に記載の半導体素子のデュアルゲート形成方法。
- 前記湿式洗浄は、バッチ型洗浄装置で連続的に行うことを特徴とする請求項22に記載の半導体素子のデュアルゲート形成方法。
- 前記乾式洗浄は、無水HFガスを用いて行うことを特徴とする請求項22に記載の半導体素子のデュアルゲート形成方法。
- 前記乾式洗浄は、枚葉式洗浄装置で行うことを特徴とする請求項22に記載の半導体素子のデュアルゲート形成方法。
- 半導体基板の第1領域及び第2領域上にp型及びn型にドーピングされた第1及び第2ポリシリコン膜をそれぞれ形成する段階と、
前記第1及び第2ポリシリコン膜の表面上に第1湿式洗浄、第2湿式洗浄、第3湿式洗浄及び乾式洗浄を順次行う段階と、を含み、
前記第1湿式洗浄は、前記第1及び第2ポリシリコン膜上に自然酸化膜を形成するために行い、前記第2湿式洗浄は、前記第1の湿式洗浄によって形成された自然酸化膜を除去するために行い、前記第3湿式洗浄は、前記第2湿式洗浄によって除去された自然酸化膜を再び形成するために行い、前記乾式洗浄は、前記第3湿式洗浄によって形成された自然酸化膜を除去するために行うことを特徴とする半導体素子のデュアルゲート形成方法。 - 前記第1湿式洗浄は、O3を含む脱イオン水を用いて行うことを特徴とする請求項27に記載の半導体素子のデュアルゲート形成方法。
- 前記第2湿式洗浄は、BOE洗浄液を用いて行うことを特徴とする請求項27に記載の半導体素子のデュアルゲート形成方法。
- 前記第3湿式洗浄は、O3を含む脱イオン水を用いて行うことを特徴とする請求項27に記載の半導体素子のデュアルゲート形成方法。
- 前記乾式洗浄は、HFガスを用いて行うことを特徴とする請求項27に記載の半導体素子のデュアルゲート形成方法。
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