JPS6064436A - スピンドライヤ - Google Patents

スピンドライヤ

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JPS6064436A
JPS6064436A JP58173546A JP17354683A JPS6064436A JP S6064436 A JPS6064436 A JP S6064436A JP 58173546 A JP58173546 A JP 58173546A JP 17354683 A JP17354683 A JP 17354683A JP S6064436 A JPS6064436 A JP S6064436A
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JP
Japan
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stage
semiconductor wafer
cover
substrate
dried
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JP58173546A
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English (en)
Inventor
Yasunari Motoki
本木　保成
Yuji Okuma
大熊　裕二
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B5/00—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat
    • F26B5/08—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat by centrifugal treatment
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B7/00—Drying solid materials or objects by processes using a combination of processes not covered by a single one of groups F26B3/00 and F26B5/00
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１ｍｌ　発明の技術分野 本発明は被乾燥基板を回転して乾燥させるスピンドライ
ヤ（枚葉式回転乾燥機）に関する。
山）　従来技術と問題点 半導体装置を製造する際には、半導体ウェハーの処理工
程（ウェハープロセス）において薬品処理が繰り返され
、その度に純水やアルコールによる洗浄が行われる。次
いで、この洗浄後は早急に洗浄液を除去するためのスピ
ンドライヤによる液の振り飛ばしが行われる。何故なら
、これは半導体ウェハ４の表面に長い時間洗浄液が付着
していると、酸化したり又は塵埃が付着したりし易いか
らである。
第１図はこのような従来のスピンドライヤの概要断面図
を示す。１は半導体ウェハー（被乾燥基板）、２はステ
ージで、ステージ２には周縁に複数個の爪３を設けて半
導体ウェハー１が保持されており、ステージ２と共に半
導体ウェハー１を高速（３０００〜５０００ＲＰＭ）で
回転して、振り切る方法で、乾燥するものである。
しかし、従来のスピンドライヤは図示のように上方が開
放となっているため高速回転すると、周囲の空気を巻き
込んで逆に空気中の塵埃を付着しやすく、素子を設けた
半導体ウェハー表面をかえって汚ごず問題がある。
（Ｃ）　発明の目的 本発明は、このような空気の巻き込みによる汚染を解消
させる構造のスピンドライヤを提案するものである。
ｌｄ）　発明の構成 その目的は、被乾燥基板を保持して回転するステージと
、乾燥用ガス供給口を有し、且つ該被乾燥基板を覆うよ
うに該被乾燥基板と間隙をおいて配置されたカバ一部と
を具備してなるスピンドライヤによって達成される。
ｔｅｌ　発明の実施例 以下１図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第２図は本発明にかかる一実施例のスピンドライヤの概
要断面図である。半導体ウェハー（被乾燥基板）１はス
テージ１２上で数鶴の間隙を開けて、その周縁を複数個
の爪１３によって固定されている。ステージ１２は回転
しながら、その中心軸からドライガス、例えば清浄な乾
燥した窒素（Ｎ２）ガスを噴射させる。一方、カバー（
上蓋）１１には裏面に多数の細大が設けられ、半導体ウ
ェハー１に対して５〜１０龍の間隔を保って保持されて
いる。そして、カバー全面の細大から一様に上記と同じ
ドライガスを半導体ウェハーに対して噴射させる。この
カバー１１は半導体ウェハー１と同等あるいはそれ以上
の面積を有して、完全に半導体ウェハーを被覆しなけれ
ばならない。
か（すれば、汚れた空気を半導体ウェハー面に巻き込む
ことなしに、早急に半導体ウェハーを乾燥させることが
できる。尚、ステージ１２の中心軸からのガス噴射は必
ずしも必要でなく、カバー１１からのガス噴射だレノで
も十分な効果が得られる。また、半導体ウェハー１はス
テージ２上に直接載置する第１図のようにしても構わな
い。
次に、第３図（ａｌ、　（ｂｌば本発明にかかる他の実
施例のスピン）−ライヤの断面図とステージ２２のみの
平面図を示している。本例は半導体ウェハー表面の周縁
を４個の爪２３で押さえ、その裏面に３個の支点２４を
設けて、ステージ２２と半導体ウェハー１との間に間隙
を保持して固定したものである。このようにすれば、同
じく半導体ウェハー面を汚すことなく、速やかに乾燥さ
せることができる。
ところで、スピンドライヤはステージを電動モータを利
用して数１０００　ｒＲＩ’Ｍの高速で回転しているが
、本発明のようにステージからガス噴射させる方法を用
いるならば、噴射ガスを回転に利用することも可能であ
る。即ち、第４図（ａｌ、　（ｂ）はその一実施例を示
しており、第４図Ｔａ）は断面図、同図（ｂｌはステー
ジの裏から見た裏面図である。本例はステージ３２の裏
面に４枚の回転羽根３３を取りつけて、側方（矢印方向
）から強力な乾燥用ガスを吹き付け、ステージ３２を回
転させる。同時に、吹き付けた乾燥用ガスの一部を、ス
テージ３２の羽根３３の付は根部分に形成した細孔３４
から半導体ウェハー１の裏面に噴射させて、半導体ウェ
ハーの乾燥に役立てるものである。細孔３４はステージ
内を乾燥用ガスの吹付方向に斜行させて出口がステージ
表面に設けてあり、乾燥用ガスがステージ表面に一部噴
き出させる構造である。
（ｆｌ　発明の効果 以上の実施例による説明から明らかなように、本発明に
よれば半導体ウェハーに塵埃が付着することがなくなる
ため、半導体装置の高品質化に極めて有効なものである
。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のスピンドライヤの概要断面図、第２図は
本発明にかかる一実施例のスピンドライヤの概要断面図
、第３図＋ａ＋、　（ｂｌは本発明にががる他の実施例
のスピンドライヤの断面図とステージの平面図、第４図
（ａ）；　（ｂｌは本発明にかかる更に他の実施例のス
ピンドライヤの断面図とステージの裏から見た裏面図で
ある。 図中、１は半導体ウェハー、２．１２，２２゜３２はス
テ一ジ、３，１３．２３は爪、１１はカバー、２４は支
点、３３は回転羽根、３４は細孔を示している。 第１図 第　２図 第３１４ 第　３！！ｌ 第４図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 被乾燥基板を保持して回転するステージと、乾燥用ガス
    供給口を有し、且つ該被乾燥基板を覆うように該被乾燥
    基板と間隙をおいて配置されたカバ一部とを具備してな
    ることを特徴とするスピンドライヤ。
JP58173546A 1983-09-19 1983-09-19 スピンドライヤ Pending JPS6064436A (ja)

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JP58173546A JPS6064436A (ja) 1983-09-19 1983-09-19 スピンドライヤ
EP84109419A EP0137947B1 (en) 1983-09-19 1984-08-08 Spin dryer
DE8484109419T DE3478367D1 (en) 1983-09-19 1984-08-08 Spin dryer
KR1019840004805A KR850002669A (ko) 1983-09-19 1984-08-10 스핀 건조기
US06/640,643 US4637146A (en) 1983-09-19 1984-08-14 Spin dryer
KR2019900005859U KR900005651Y1 (ko) 1983-09-19 1990-05-04 스핀 건조기

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JP58173546A JPS6064436A (ja) 1983-09-19 1983-09-19 スピンドライヤ

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