KR920010730B1 - 반도체기판 에칭장치 - Google Patents

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KR920010730B1
KR920010730B1 KR1019890016354A KR890016354A KR920010730B1 KR 920010730 B1 KR920010730 B1 KR 920010730B1 KR 1019890016354 A KR1019890016354 A KR 1019890016354A KR 890016354 A KR890016354 A KR 890016354A KR 920010730 B1 KR920010730 B1 KR 920010730B1
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미츠오 사토
기요시 요시카와
다카시 후지와라
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가부시키가이샤 도시바
아오이 죠이치
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체기판 에칭장치
제1도는 본 발명에 따른 반도체기판 에칭장치의 1실시예의 구성을 설명하기 위한 모식도로,
제1a도는 부분단면을 포함한 정면도,
제1b도는 일부가 생략된 평면도,
제2도는 제1도에 도시된 반도체기판 에칭장치의 동작을 설명하기 위한 도면,
제3도는 종래의 반도체기판 에칭처리공정을 설명하기 위한 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 반도체기판(웨이퍼) 1a : 반도체기판의 다른쪽 주표면(표면)
1b : 반도체기판의 한쪽 주표면(이면) 2 : 내에칭액
3 : 불소수지제 원판 4 : 핀셋
5 : 에칭액조 6 : 에칭액
7 : 적외선램프 11 : 제1진공척
12 : 탄성밀봉부재(0형 링) 14 : 중공부(中空部)
15,32 : 배기구멍 16,22 : 회전축
17,18 : 밸브 19 : 정수리면(頂面)
21 : 반도체기판단면 에칭기구 21 : 로울러
21a : 홈부 23 : 에칭액공급수단(노즐)
31 : 제2진공척 33 : 흡착면
41 : 반도체기판세정기구 42 : 단면세정노즐
43 : 세정노즐
[산업상의 이용분야]
본 발명은 반도체기판(웨이퍼라고도 칭한다)의 에칭처리 장치에 관한 것으로, 특히 반도체기판 단면(端面)의 에칭처리에 사용되는 반도체기판 에칭장치에 관한 것이다.
[종래의 기술 및 그 문제점]
반도체장치제조시에는 반도체기판의 단면(端面)만을 에칭처리해야할 경우가 있다. 예컨대 대형 전력용 반도체장치에서는 오리엔테이션플랫(orientation flat)을 설정하지 않은 원판상의 웨이퍼가 반도체기판으로서 사용되는데, 내압을 유지하기 위해 웨이퍼측면을 웨이퍼주표면에 대해 경사지게 한 베벨구조(bevel 構造)가 사용되는 경우가 많다. 이 웨이퍼의 경사측면에는 베벨가공시의 파쇄결함(破碎缺陷)이 존재하기 때문에 에칭으로 이 파쇄결함을 제거할 필요가 있다.
다음에는 도면을 참조해서 상기와 같은 웨이퍼의 단면만을 에칭처리하는 종래 기술에 대해 상세히 설명한다.
우선, 제3a도에 도시된 바와 같이 웨이퍼(1)의 한쪽주표면전체에 쇄모(刷毛)로 내에칭액(2)을 도포한후, 웨이퍼와 같은 직경의 불소수지제 원판(3)에 부착시킨다. 다음에는 이 원판(3)을 밑으로 해서 열판상에 올려 놓고 수분간 베이킹처리(baking 處理)를 해서 웨이퍼(1)와 원판(3)을 고착시키고, 베이킹처리후에는 상기 웨이퍼(1)의 다른쪽 주표면(패턴형성면)에 쇄모로 내에칭액(2)을 도포한 채 상기와 마찬가지로 베이킹 처리를 한다. 상기 작업에서는 웨이퍼단면에 내에칭액(耐 etching 液)이 부착되지 않도록 하는 것이 중요한 포인트이다.
다음에는 제3b도에 도시된 바와 같이 상기 불소수지제원판(3)이 부착된 웨이퍼(1)를 핀셋(4)으로 집어 에칭액조(5)의 에칭액(6)내에 일정시간 담그어 줌으로써 웨이퍼단면만을 에칭처리하고, 에칭처리후에는 물로 세정함으로써 상기 원판(3)이 부착된 웨이퍼(1)에서 에칭액(6)을 완전히 제거한다. 더욱이 끓는 유기용제속에 상기 웨이퍼(1)를 담그어 줌으로써 웨이퍼(1)로부터 원판(3)을 떼어냄과 더불어 내에칭액(2)을 제거하고, 제거후에는 웨이퍼를 핀셋으로 집어 유수조(流水槽)내에서 흔들어줌으로써 세정하게 되며, 세정후에는 제3c도에 도시된 바와 같이 적외선램프(7)밑에 웨이퍼(1)를 놓아 웨이퍼(1)를 건조시키게 된다.
상기 종래의 에칭처리수단에는 다음과 같은 문제점이 존재한다.
① 웨이퍼의 단면에 내에칭액이 부착되지 않도록 하기 위해 웨이퍼의 양쪽 주표면에 내에칭액을 도포하는데 주의가 필요하고, 도포시의 작업시간이 길어지게 된다.
② 웨이퍼의 단면에 내에칭액이 부착되지 않도록 하기 위해 불소수지제 원판을 부착시키는데 시간이 걸리게 된다.
③ 에칭액속에 담긴 후 고체화된 내에칭액을 제거하기 위해 끓는 유기용제에 웨이퍼를 담근 다음에 유수로 세정하고 램프로 건조시키는 등, 차후공정이 대단히 많아진다.
④ 웨이퍼에서 불소수지제 원판을 떼어낸 후 예컨대 램프로 건조시키는데 공정에 있어서, 핀셋에 웨이퍼를 끼워 장착, 제거하기 때문에 웨이퍼의 단면에 결함이 생기는(chipping)경우가 많은 바, 이 결함이 원료 대 제품비를 저하시키는 원인이 된다.
⑤ 웨이퍼의 양쪽 주표면에 도포된 내에칭액의 막두께가 고르지 못하기 때문에 제조시 원료대 제품비가 저하되게 된다.
⑥ 내에칭액을 도포하는 공정과 불소수지제 원판을 부착시키는 공정, 내에칭액 도포막 및 원판을 떼어내는 공정 그리고 램프로 건조시키는 공정 등, 작업자에 의한 작업공정이 많아지기 때문에 자동화가 지연됨과 더불어 작업시간이 길어지게 된다.
⑦ 에칭액이라던지 유기용제의 사용량이 많아지게 된다.
⑧ 유해한 약액을 사용하기 때문에 공해상 문제가 많이 발생하게 된다.
⑨ 공정이 많아 납기확보가 곤란하게 된다.
지금까지 설명한 바와 같이 종래 기술에서는 작업자에 의한 작업공정이 많고, 웨이퍼의 단면만을 고르고 일정하게 에칭할 수 없게 되며, 품질 및 원료대 제품비에 문제가 생기게 된다. 또, 에칭 및 세정, 건조 등의 제반공정에 장시간을 요하고, 에칭액 및 유기용제 등의 사용량이 많아져 인체에 대한 작업의 안전성에도 문제가 발생하게 된다.
[발명의 목적]
이에 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위해 발명된 것으로, 웨이퍼의 단면에 대한 에칭 처리를 일정하면서도 단시간내에 자동적으로 실시할 수 있고, 또 에칭처리후의 세정 및 건조공정도 연속해서 자동적으로 실시할 수 있도록 해서, 제조시 원료대 제품비가 향상되고 공정에 요하는 시간이 단축되며 약액의 사용량이 감소되고 작업의 안전성이 향상되는 반도체기판 에칭장치를 제공하고자 함에 그 목적이 있다.
[발명의 구성]
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체기판 에칭장치는, 반도체기판(웨이퍼라고도 한다)의 직경보다 작은 직경을 가지며 이 반도체기판의 한쪽 주표면(이하 이면이라 약칭한다)에 접해 이 반도체기판을 수평상태로 지지하는 탄성밀봉부재가 정수리면 외주(頂面外周)에 부착되고 내부의 배기통로로 되는 중공부(中空部)를 관통해서 비스듬히 바깥쪽을 향해서 정수리면으로 개구됨과 더불어 개구부가 정수리면중앙으로부터 주변테두리를 향해서 일렬로 배치되는 복수개의 배기구멍이 설치된 회전가능한 제1진공척과; 상기 반도체기판 근방에 수평상태로 설치되어 회전외측면에 상기 기판의 단면이 비접촉상태로 들어가게 해서 그 단면을 덮는 홈부를 갖춘 로울러와, 상기 기판의 단면에 접촉해서 에칭을 하는 에칭액을 상기 홈이 부착된 로울러의 홈부에 공급하는 수단을 갖춘 반도체기판단면 에칭기구(일본국 특허출원 제63-149597호 참조); 수평방향 및 상하방향으로 이동가능하게 설치되어 상기 반도체기판의 다른쪽 주표면(이하 표면이라 약칭한다)를 흡착지지해서 상기 제1진공척의 정수리면으로부터 소정간격의 상방위치로 이동할 수 있도록 된 회전 또는 비회전 제2진공척; 제1진공척에 의해 지지되는 상기 반도체기판의 단면에 대향되게 배치되어 그 반도체기판의 단면에 세정액을 내뿜는 단면세정노즐과, 제1진공척의 정수리면과 제2진공척에 의해 지지되는 상기 기판이면에 끼인 상기 소정간격영역의 측면에 대향되게 배치되어 그 소정간격영역에 세정액을 분출하는 세정노즐을 갖춘 반도체기판세정기구 및; 회전하는 제1진공척의 상기 복수개의 배기구멍에서 건조가스를 상기 반도체기판의 이면에 내뿜어 건조시키고, 또 제1진공척에 의해 지지되는 상기 반도체기판의 표면을 회전시켜 건조시키는 반도체기판건조기구를 구비한 것을 특징으로 한다.
여기서 상기 반도체기판의 단면은 기판의 양쪽 주표면의 주변테두리를 포함하는 기판측면을 말한다.
[작용]
상기한 구성에서, 반도체기판단면 에칭기구의 로울러의 홈부에는 에칭액공급수단, 예컨대 로울러근방에 설치되는 에칭액공급노즐로부터 에칭액이 공급되는 바, 에칭액은 홈부를 가득 채운 상태에서 표면장력에 의해 지지된다. 이 상태에서 로울러의 회전과 제1진공척의 회전에 의해 기판의 단면은 홈부를 가득 채운 에칭액에 접촉되어, 에칭액의 일부가 기판의 단면으로 이동함으로써, 에칭처리가 행해지게 된다. 또, 로울러와 기판의 회전에 의해 에칭액이 갱신되므로 항시 효율좋은 에칭처리가 행해지게 된다. 기판표면의 주변테두리에 부착되는 에칭액은 기판의 회전에 따른 원심력에 의해 주변테두리로부터 내부로 유입되지는 않게 되고, 기판이면에 부착되는 에칭액은 기판에 밀착된 탄성밀봉 부재에 의해 내부에는 침입하지 않게 된다. 즉, 탄성밀봉 부재를 설치하지 않고 척(chuck)의 정수리면에 직접 기판을 흡착시킨 경우의 시행결과에 의하면 진공흡인력에 의해 에칭액이 내부로 침입하는 현상을 종종 볼 수 있었지만, 탄성 밀봉부재를 부가시킴으로써 에칭영역을 기판의 단면만으로 확실히 한정시킬 수 있게 되고, 에칭처리후에는 단면세정노즐에서 내뿜는 세정액으로 기판의 단면을 세정할 수 있게 된다.
그리고, 기판의 단면세정후에는 반도체기판이 제2진공척에 의해 흡착지지되고 제1진공척의 정수리면으로부터 소정간격의 상방위치로 이동하여 정지하게 되므로 반도체기판세정기구의 세정노즐로부터 분출되는 세정액에 의해 기판이면 및 제1진공척의 정수리면이 세정되게 된다. 이 세정작업중에는 제1진공척의 정수리면으로 개구된 배기구멍으로부터 배기가스가 분출되어 세정액이 배기구멍으로 유입되는 것을 방지해준다. 또 제1진공척이 회전하고 있기 때문에 회전하는 배기구멍에서 분출되는 가스의 흐름이 세정액의 흐름에 작용해서 단시간에 행할 수 있게 되고, 세정후에는 건조가스만이 공급되어 제1진공척의 정수리면과 기판이면을 건조시키게 되는 바, 건조가스가 분출되는 배기구멍이 회전하는 척정수리면의 중앙으로부터 주변테두리를 향해 일렬로 개구되어 있으므로 피처리면을 일정하게 더욱 이 단시간에 건조시킬 수 있게 된다. 한편, 이 세정 및 건조공정에 있어서, 기판을 지지하는 제2진공척이 회전하거나 또는 회전하지 않거나 상기 효과가 얻어지게 되지만, 제1진공척의 회전방향과 반대방향으로 제2진공척을 회전시키면 상기 효과가 배가되어 바람직한 실시형태로 된다.
다음에는 재차 반도체기판이 제1진공척의 탄성밀봉부재상에 밀착지지되어 세정노즐에서 내뿜는 세정액에 의해 기판표면이 세정되게 되고, 세정후에는 제1진공척을 고속으로 회전시켜서 기판표면을 건조시키게 되는데, 단시간내에 건조시키기 위해서는 최소한 2000r.p.m 이상의 고속으로 제1진공척을 회전시킬 필요가 있다.
[실시예]
이하, 예시도면을 참조해서 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
제1도는 본 발명에 따른 반도체기판 에칭장치의 실시예의 구성을 설명하기 위한 모식도로서, 제1a도는 부분단면을 포함한 정면도이고, 제1b도는 일부가 생략된 평면도이다.
회전하는 제1진공척(11)은 탄성밀봉부재(12; 본 실시에에서는 0형 링을 사용한다. 이하 0형 링이라 한다)를 구비한다. 도면중 참조부호 1은 단면(端面)을 에칭처리할 반도체기판(웨이퍼)이다. 0형 링(12)은 탄성이 큰 부재로 만들어지고, 그 직경은 기판(1)의 직경보다 작으며, 기판(1)의 한쪽 주표면(1b; 이면이라 약칭한다)에 접해 기판(1)을 수평상태로 지지하도록 되어 있는바, 이 0형 링(12)은 제1진공척(11)의 정수리면(19)의 외주에 설치된 노치부(notch 部)에 부착되게 된다.
또한, 상기 제1진공척(11)은 속이 빈 회전축(16)상에 고착되고, 그 내부에 회전축의 빈속을 관통해서 배기통로로 되는 중공부(14; 中空部)가 설치된다. 또 이 중공부(14)를 관통해서 비스듬히 바깥쪽을 향해 45°또는 60°의 각도로 정수리면(19)으로 개구되는 작은 배기구멍(15)이 복수개 설치되는 바, 배기구멍(15)의 개구부는 정수리면(19)의 중앙으로부터 주변테두리를 향해서 일렬로 배치되게 된다[제1b도 참조].
본 실시예에서 상기 배기구멍(15)의 개구부는 정수리면(19)의 중심으로부터 반경을 따라 직선모양으로 배열되니만, 그 배열형태는 이에 한정되지 않고, 예컨대 만곡되게 하거나 반경방향에서 벗어나게 해도 좋으며, 또 이와 같은 배열을 복수조 설치하더라도 지장은 없다. 한편, 회전축(16)은 도시되지 않은 회전구동장치에 연결되는 바, 회전축(6)의 회전수는 가변적이지만, 2000r.p.m이상의 고속회전이 가능한 회전구동장치를 사용하는 것이 바람직하다. 또 회전축(16)의 일단은 밸브(17)를 매개로 진공파이프라인에, 또 밸브(18)를 매개로 N2가스파이프라인에 각각 병렬로 접속된다.
그리고, 반도체기판단면 에칭기구(21)는 회전축(22)에 고착되는 로울러(21)와 에칭액공급수단(23; 에칭액공급노즐)을 구비하고 있는 바, 로울러(21)는 기판(1) 근방에 수평상태로 설치된다. 또 로울러(21)의 외측면에는 기판(1)의 단면이 비접촉상태로 들어가는 홈부(21a), 즉 홈이 진 부분에 의해 기판의 단면이 덮여지는 형상의 홈부(21a)가 형성된다. 또한 에칭액공급수단(23)은 로울러(21)근방에 설치된 노즐로서, 회전하는 로울러(21)의 홈부(21a)에 에칭액을 공급한다. 한편, 에칭액공급수단은 상기 실시예에 한정되지 않고, 예컨대 회전축(22) 및 로울러(21)를 거쳐 홈부(21a)로 개구되는 에칭액공급로를 내부에 설치하는 등 기타의 수단을 이용해도 좋다. 한편, 회전축(22)은 도시되지 않은 회전구동장치에 연결되어 소망하는 회전수로 로울러(21)를 회전시키게 된다.
제2진공척(31)은 기판(1)을 끼고 제1진공척(11)과 대향하는 상방위치에 설치되는 바, 수평방향 및 상하방향으로 이동가능한 도시되지 않은 구동장치에 연결된다. 또 이 구동장치는 소망에 따라 회전기구를 구비해서 후술할 기판(1)의 세정 및 건조공정시 제2진공척(31)을 회전시키게 된다. 또한 제2진공척(31)의 내부에는 도시되지않은 진공파이프라인에 연결되어 흡착면(33)으로 개구되는 배기구멍(32)이 설치되는데, 소망에 따라서는 흡착면(33)의 외부에 탄성밀봉부재를 부착시킬 수도 있다. 그리고 제2진공척(31)은 기판(1)의 다른쪽 주표면(1a; 표면이라 약칭한다)을 흡착 지지한 다음 제1진공척(11)의 정수리면(19)으로부터 소정간격의 상방위치로 기판(1)을 이동시켜 정지시킬 수 있도록 되어 있다.
또한, 반도체기판세정기구(41)는 단면세정노즐(42)과 세정노즐(43)을 구비하고 있는 바, 단면세정노즐(42)은 제1진공척(11)에 의해 지지된 기판(1)의 측면에 대향하는 위치에 설치되어 측면을 포함하는 단면에 세정액을 내뿜는다. 또 세정노즐(43)은 제1진공척(11)의 정수리면(19)과 제2진공척(31)에 의해 흡착지지된 기판(1)의 이면간(1b)의 상기 소정 간격영역의 측면에 대향하는 위치에 설치되어 이 영역에 세정액을 분출시킨다.
반도체기판건조기구는 상술한 제1진공척(11)의 중공부(14)를 관통하는 배기구멍(15) 및 밸브(18)를 매개로 연결되는 N2가스파이프라인과 회전축(16)에 결합되는 도시되지 않은 고속회전이 가능한 회전구동장치를 구비한다.
다음에는 제2도를 참조해서 상기 반도체기판 에칭장치의 동작에 대해 설명한다.
제2a도에 도시된 바와 같이, 먼저 제1진공척(11)상에 반도체기판(1)을 올려 놓고 밸브(17)를 열어 척내부를 배기시켜 진공으로 기판(1)을 지지한다. 다음에는 도시되지 않은 각 회전구동장치를 동작시켜 제1진공척(11) 및 로울러(21)를 제1b도에 도시된 바와 같이 회전방향이 서로 반대로 되도록 회전시킨다. 이때 에칭액공급노즐(23)로 공급되는 에칭액은 로울러(21)의 홈부(21a)에 표면장력에 의해 지지되고, 홈부(21a)가 기판(1)의 단면을 덮도록 배치되어 있으므로 로울러(21)의 회전과 기판(1)의 회전에 의해 단면이 에칭액과 접촉하여 에칭액이 단면으로 이동됨으로써 단면만 에칭처리되게 된다.
이어서 제2b도에 도시된 바와 같이, 에칭처리후 단면세정노즐(42)로부터 회전하는 기판(1)의 단면에 세정액(예컨대 순수한 물)이 분출되어 기판(1)의 단면을 세정하기 때문에 에칭액이 제거되게 된다.
다음에는 제2c도에 도시된 바와 같이, 단면세정후에 제1진공척(11)의 상방으로 이동된 제2진공척(31)이 하강해서 진공흡착에 의해 기판(1)을 제1진공척(11)으로부터 받아들여 지지함과 더불어 밸브(17)를 닫고, 지지후에는 기판(1)의 이면(1b)과 제1진공척(11)의 정수리면(19)사이가 소정의 간격이 될때까지 상승해서 정지하게 된다. 다음에는 도시되지 않은 회전구동장치에 의해 제1진공척(11) 및 제2진공척(31)을 서로 역방향으로 회전시키고, 또 N2가스용 밸브(18)를 열어 N2가스를 배기구멍(15)을 통해 밖으로 분출시킴과 더불어 세정노즐(43)로부터 세정액을 상기 소정간격영역에 분출시킨다. 이로써 제1진공척(11)의 정수리면(19)과, 이 제1진공척(11)이 정수리면(19)과 반대로 회전하는 기판(1)의 이면(1b)은 분출되는 N2가스와 내뿜어지는 세정액에 의해 단시간에 세정되는 바, 이때 세정액이 배기구멍(15)에 유입되지 않는 것은 물론이다. 세정후에는 N2가스만 수초간 공급함으로써 건조시키게 된다.
건조후에는 밸브(18)를 닫아 N2가스의 공급을 중단하고 제2진공척(31)을 하강시키며 제2d도에 도시된 바와 같이 기판(1)을 제1진공척(11)의 0형 링(12)상으로 이동시킨 상태에서 밸브(17)를 열어 기판(1)을 진공흡착시키게 되고, 흡착후에는 세정노즐(43)로부터 세정액을 회전하는 기판(1)에 내뿜어 기판(1)의 표면(1a)을 세정하게 되며, 세정후에는 제1진공척(11)을 3000r.p.m으로 고속회전시켜 기판(1)의 표면(1a)을 건조시키게 된다.
상기 실시예의 반도체기판 에칭장치를 사용한 결과 다음과 같은 효과를 얻을 수 있었다.
① 홈이 형성된 로울러의 홈부로부터의 기판의 단면에 에칭액을 공급하되 원심력 및 탄성밀봉부재(0형 링)를 이용하여 기판의 표·이면으로 에칭액이 침입하는 것을 방지하고 있기 때문에, 에칭되는 영역이 기판의 단면으로 한정되어 원료대 제품비가 향상되게 된다.
② 기판의 단면에만 에칭액이 공급되기 때문에 약액의 사용량이 약 20분의 1이하로 절약되게 된다.
③ 에칭액은 항시 새로운 것이 기판의 단면에 공급되기 때문에 단면이 일정하게 에칭되게 된다.
④ 에칭후 기판의 단면에 직접 세정액이 분출되기 때문에 단시간에 세정할 수 있고 소량의 세정액으로 세정이 완료되게 된다.
⑤ 기판이면과 제1진공척 정수리면의 세정은 회전하는 정수리면에 일렬로 배치된 배기구멍으로부터 밖을 향해 내뿜어지는 N2가스의 흐름과 분출되는 세정액에 의해 이루어지므로, 일정하게 단시간에 세정될 수 있고, 또 그 건조도 N2가스의 흐름에 의해 단시간에 이루어지게 된다.
⑥ 에칭 →세정 →건조를 자동적으로 동일위치에서 행했으므로 종래 기술에서 볼 수 있었던 기판취급시 생기는 기판의 결함(chipping)이 없어지게 된다.
⑦ 종래 기술의 인체에 유해한 유기용제를 사용할 필요가 없기 때문에 작업의 안전성이 향상됨과 더불어 공해상의 문제도 없어지게 된다.
⑧ 내에칭액도포 및 그 제거작업이 필요치 않기 때문에 공정이 단축됨과 더불어 약액이 필요치 않게되어 대폭적으로 에칭비용이 줄어들게 된다.
[발명의 효과]
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체기판 에칭장치에 의하면, 종래 기술의 제반문제점이 해결되고, 기판의 단면에만 한정해서 일정하게 단시간내에 자동적으로 에칭처리할 수 있게 된다. 또, 에칭처리후의 세정 및 건조공정도 연속으로 자동적으로 실시할 수 있게 되어 종래 기술에 비해 원료대 제품비가 향상되고 공정에 요하는 시간이 단축되며 약액사용량이 감소되고 작업의 안전성이 향상되게 된다.

Claims (1)

  1. 반도체기판(1)의 직경보다 작은 직경을 가지며 이 반도체기판(1)의 한쪽 주표면에 접해 그 반도체기판(1)을 수평 상태로 지지하는 탄성밀봉부재(12)가 정수리면(19)의 외주에 부착되고 내부의 배기통로로 되는 중공부(14; 中空部)와 통하면서 비스듬히 바깥쪽을 향해서 상기 정수리면(19)의 외주에 뚫려짐과 더불어 그 개구부가 상기 정수리면(19)의 중앙으로부터 바깥둘레를 향해 일렬로 배치된 복수개의 배기구멍(15)이 설치된 회전가능한 제1진공척(11)과; 상기 반도체기판(1) 근방에 수평상태로 설치되어 회전외측면에 상기 기판(1)의 단면이 비접촉상태로 들어가는 홈부(21a)를 갖춘 로울러(21)와, 상기 기판(1)의 단면에 접촉해서 에칭을 하는 에칭액을 상기 로울러(21)의 홈부(21a)에 공급하는 에칭액공급수단(23)을 갖춘 반도체기판단면 에칭기구(21); 수평방향 및 상하방향으로 이동가능하고 상기 반도체기판(1)의 다른쪽 주표면(1b)을 흡착지지시켜 상기 제1진공척(11)의 정수리면(19)으로부터 소정간격의 상방위치로 이동할 수 있도록된 회전 또는 비회전 제2진공척(31); 상기 제1진공척(11)에 의해 지지되는 상기 반도체기판(1)의 측면에 대향되게 배치되어 그 반도체기판(1)의 단면에 세정액을 내뿜는 단면 세정노즐(42)과, 상기 제1진공척(11)의 정수리면(19)과 제2진공척(31)에 의해 지지되는 상기 반도체기판(1)의 한쪽 주표면(1b)에 끼인 상기 소정간격영역의 측면에 대향되게 배치되어 그 소정간격영역에 세정액을 분출하는 세정노즐(43)을 갖춘 반도체기판 세정기구(41) 및; 회전하는 제1진공척(11)의 상기 복수개의 배기구멍(15)에서 건조가스를 상기 반도체기판(1)의 한쪽 주표면(1b)에 내뿜어 건조시키고, 또 제1진공척(11)에 의해 지지되는 상기 반도체기판(1)의 다른쪽 주표면(1a)을 회전시켜 건조시키는 반도체기판건조기구(18)를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체기판 에칭장치.
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