JP2001338903A - 液処理方法及び液処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 装置の小型化が図れ、かつ、被処理基板にダ
メージを与えることなく、処理の安全性を図れるように
した液処理方法及び液処理装置を提供すること。 【解決手段】 ウエハＷに複数の処理液（ＮＨ4ＯＨ，
Ｈ2Ｏ2，純水）を混合した混合液を供給して処理するに
当たって、混合液を供給する際、ウエハＷに与えるダメ
ージの少ない処理液順、純水，Ｈ2Ｏ2，ＮＨ4ＯＨに供
給することことにより、ウエハＷにダメージを与えるこ
となく、処理の安全性を図ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、液処理方法及び
液処理装置に関するもので、更に詳細には、例えば半導
体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理基板に複数の
処理液の混合液を供給して洗浄等の処理をする液処理方
法及び液処理装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス
等の被処理基板（以下に基板という）の表面に形成され
る酸化膜を除去する場合、あるいは、基板表面に付着す
るパーティクル等のごみを除去する方法として基板を回
転可能に保持して、基板表面に、処理液例えばアンモニ
ア水（ＮＨ4ＯＨ）と過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）と純水
（Ｈ2Ｏ）との混合液、あるいは、フッ酸（ＨＦ）と純
水（Ｈ2Ｏ）との混合液等を供給して洗浄処理を行う枚
葉式の液処理方法が採用されている。

【０００３】従来の上記枚葉式の液処理方法において
は、複数の処理液を予めタンク内で混合させて所定の濃
度にして、基板表面に供給する方法が知られている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、処理液
を予めタンク内で混合させて、基板表面に供給する方法
においては、混合液を均一にするには大容量のタンクが
必要となるため、コストが嵩む上、装置が大型化すると
いう問題があった。また、各処理液をミキシングバルブ
を用いて混合して基板表面に供給する方法が考えられ、
装置の小型化が図れるが、処理液が均一に混合されない
状態で基板に供給される虞があり、例えば基板表面を過
度に浸食するなど基板にダメージを与える処理液の濃度
が高いまま基板に供給されると、基板がダメージを受
け、製品歩留まりの低下を招くという問題がある。上記
基板に与えるダメージとしては、例えばアンモニア過水
（ＮＨ4ＯＨ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ）での処理の場合、アンモ
ニアの濃度が濃い｛過水（過酸化水素水）の混合量が少
ない｝と、基板表面が粗れる現象が生じたり、また、フ
ッ酸（ＨＦ）での処理の場合、ＨＦの濃度が変わると、
エッチング量が不均一となって均一性がとれないなどの
現象がある。この問題は、特に、混合液の供給初期時に
生じ易い。

【０００５】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、装置の小型化が図れ、かつ、被処理基板にダメージ
を与えることなく、処理の安全性を図れるようにした液
処理方法及び液処理装置を提供することを目的とするも
のである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の液処理方法は、被処理基板に複数の
処理液を供給途中で混合した混合液を供給して処理を施
す液処理方法であって、 上記混合液を供給する際、上
記被処理基板に与えるダメージの少ない処理液順に供給
することを特徴とする。

【０００７】請求項２記載の液処理方法は、被処理基板
に複数の処理液を供給途中で混合した混合液を供給して
処理を施す液処理方法であって、 上記混合液を供給す
る際、上記被処理基板に与えるダメージの少ない処理液
順に供給し、 上記混合液の供給を停止する際、上記被
処理体に与えるダメージの大きな処理液順に供給を停止
することを特徴とする。

【０００８】上記請求項１又は２記載の液処理方法にお
いて、上記供給される処理液の流れの状況を検出手段に
て検出し、その検出信号に基いて以後の処理液の供給を
開始するようにしてもよい（請求項３）。また、上記供
給される処理液の流れの状況を検出手段にて検出し、混
合液を供給する際、その検出信号に基いて以後の処理液
の供給を開始し、混合液の供給を停止する際、上記検出
信号に基いて以後の処理液の供給を停止するようにして
もよい（請求項４）。

【０００９】請求項５記載の液処理方法は、請求項１な
いし４のいずれかに記載の液処理方法において、 上記
混合液を供給する際、被処理基板を保持手段にて保持し
て回転する工程を有することを特徴とする。

【００１０】請求項６記載の液処理方法は、請求項５記
載の液処理方法において、 上記混合液による処理が終
了した後、被処理基板に洗浄部材を接触又は近接させて
被処理基板を処理する工程を有することを特徴とする。

【００１１】請求項７記載の液処理方法は、請求項５記
載の液処理方法において、 上記混合液による処理が終
了した後、被処理基板に洗浄部材を接触又は近接させて
被処理基板を処理する工程と、上記被処理基板に洗浄液
を供給する工程と、上記被処理基板を混合液による処理
時より高速に回転して被処理基板表面に付着する洗浄液
を除去する工程と、を有することを特徴とする。

【００１２】請求項８記載の液処理方法は、請求項６又
は７記載の液処理方法において、上記洗浄部材を被処理
基板に接触又は近接する際に同時に、被処理基板表面に
洗浄液を供給することを特徴とする。

【００１３】請求項９記載の液処理方法は、請求項５記
載の液処理方法において、 上記混合液による処理の際
に、被処理基板の表面に洗浄部材を接触又は近接させて
被処理基板表面を処理する工程を有することを特徴とす
る。

【００１４】請求項１０記載の液処理方法は、請求項５
又は９記載の液処理方法において、上記混合液による処
理が終了した後、被処理基板に洗浄液を供給する工程
と、上記被処理基板を混合液による処理時より高速に回
転して被処理基板表面に付着する洗浄液を除去する工程
と、を有することを特徴とする。

【００１５】請求項１１記載の液処理方法は、請求項５
記載の液処理方法において、 上記混合液による処理が
終了した後、被処理基板表面に洗浄液を噴射して被処理
基板表面を処理する工程を有することを特徴とする。

【００１６】請求項１２記載の液処理装置は、被処理基
板に複数の処理液を供給途中で混合した混合液を供給し
て処理を施す液処理装置であって、 上記被処理基板に
混合液を供給する供給手段と、 上記各処理液の供給源
と上記供給手段とを接続する供給管路と、 上記供給管
路における上記各処理液供給源側にそれぞれ介設される
開閉手段とを具備し、 上記供給管路における上記供給
手段側に、上記被処理基板に与えるダメージの少ない処
理液供給源を接続してなることを特徴とする。

【００１７】請求項１３記載の液処理装置は、被処理基
板に複数の処理液を供給途中で混合した混合液を供給し
て処理を施す液処理装置であって、 上記被処理基板に
混合液を供給する供給手段と、 上記各処理液の供給源
と上記供給手段とを接続する供給管路と、 上記供給管
路における上記各処理液供給源側にそれぞれ介設される
開閉手段と、 上記処理液供給源と開閉手段との間を流
れる処理液の状況を検出する検出手段と、 上記検出手
段からの検出信号を受けて上記処理液における被処理基
板に与えるダメージの少ない処理液供給源側の上記各開
閉手段に開閉信号を送る制御手段と、を具備することを
特徴とする。

【００１８】請求項１４記載の液処理装置は、被処理基
板に複数の処理液を供給途中で混合した混合液を供給し
て処理を施す液処理装置であって、 上記被処理基板に
混合液を供給する供給手段と、 上記各処理液の供給源
と上記供給手段とを接続する供給管路と、 上記供給管
路における上記各処理液供給源側にそれぞれ介設される
開閉手段と、 上記処理液供給源と開閉手段との間を流
れる処理液の状況を検出する検出手段と、 上記検出手
段からの検出信号を受けて上記処理液における被処理基
板に与えるダメージの少ない処理液供給源側の上記各開
閉手段に開閉信号を送り、更に、被処理基板に与えるダ
メージの大きな処理液供給源側の上記各開閉手段に開閉
信号を送る制御手段と、を具備することを特徴とする。

【００１９】上記請求項１２ないし１４のいずれかに記
載の液処理装置において、上記被処理基板を回転可能に
保持する保持手段と、上記保持手段を回転制御する回転
制御手段を更に具備する方が好ましい（請求項１５）。
この場合、上記被処理基板の表面に接触又は近接すると
共に、被処理基板に対して接離及び平行移動可能な洗浄
部材を更に具備するか（請求項１６）、あるいは、上記
被処理基板の表面に付着するごみを除去すべく被処理基
板表面に洗浄液を噴射すると共に、被処理基板に対して
平行移動可能な洗浄液噴射手段を更に具備する方が好ま
しい（請求項１７）。

【００２０】請求項１，３又は１３記載の発明によれ
ば、被処理基板に複数の処理液の混合液を供給する際、
被処理基板に与えるダメージの少ない処理液順に供給す
ることにより、混合液供給の初期時における被処理基板
のダメージを抑制することができる。したがって、製品
歩留まりの向上及び処理の安全性を図ることができる。
また、各処理液を順次供給するので、処理液を予めタン
ク内で混合させて供給する装置に比べて装置を小型にす
ることができる。

【００２１】請求項２，４又は１４記載の発明によれ
ば、被処理基板に複数の処理液の混合液を供給する際、
被処理基板に与えるダメージの少ない処理液順に供給
し、混合液の供給を停止する際、被処理基板に与えるダ
メージの大きな処理液順に供給を停止することにより、
混合液供給初期時及び混合液供給停止時の被処理基板の
ダメージを抑制することができる。したがって、更に製
品歩留まりの向上及び処理の安全性を図ることができ
る。また、各処理液を順次供給すると共に、供給を順次
停止するので、処理液を予めタンク内で混合させて供給
・停止する装置に比べて装置を小型にすることができ
る。

【００２２】請求項５又は１５記載の発明によれば、枚
葉処理される被処理基板に複数の処理液の混合液を供給
する際、被処理基板に与えるダメージの少ない処理液順
に供給することにより、混合液供給の初期時における被
処理基板のダメージを抑制することができる。したがっ
て、製品歩留まりの向上及び処理の安全性を図ることが
できる。また、各処理液を順次供給するので、処理液を
予めタンク内で混合させて供給する装置に比べて装置を
小型にすることができる。また、混合液の供給を停止す
る際、被処理基板に与えるダメージの大きな処理液順に
供給を停止することにより、混合液供給初期時及び混合
液供給停止時の被処理基板のダメージを抑制することが
できる。したがって、更に製品歩留まりの向上を図るこ
とができる。また、各処理液を順次供給すると共に、供
給を順次停止するので、処理液を予めタンク内で混合さ
せて供給・停止する装置に比べて装置を小型にすること
ができる。

【００２３】請求項６又は１６記載の発明によれば、被
処理基板に複数の処理液の混合液を供給する際、被処理
基板に与えるダメージの少ない処理液順に供給し、混合
液の供給を停止する際、被処理基板に与えるダメージの
大きな処理液順に供給を停止した後、被処理基板表面に
洗浄部材を接触又は近接させて被処理基板表面に付着す
るごみを除去することができる。

【００２４】請求項７記載の発明によれば、混合液によ
って処理された被処理基板表面に洗浄部材を接触又は近
接させて被処理基板表面に付着するごみを除去した後、
被処理基板に洗浄液を供給して被処理基板を洗浄し、更
に、被処理基板を高速回転して被処理基板表面に付着す
る洗浄液を除去することができる。したがって、混合液
による処理、洗浄処理及び乾燥処理を連続して行うこと
ができる。

【００２５】請求項８記載の発明によれば、洗浄部材を
被処理基板に接触又は近接する際に同時に、被処理基板
表面に洗浄液を供給することにより、被処理基板表面に
付着するごみを除去すると共に、被処理基板表面を洗浄
することができる。したがって、処理時間の短縮化を図
ることができると共に、スループットの向上を図ること
ができる。

【００２６】請求項９記載の発明によれば、混合液によ
る処理と同時に洗浄部材によって被処理基板表面に付着
するごみを除去することができる。したがって、処理時
間の短縮化を図ることができると共に、スループットの
向上及び製品歩留まりの向上を図ることができる。この
場合、例えばアンモニア水と過酸化水素水及び純水の混
合液を供給しながら洗浄部材を被処理基板表面に接触又
は近接させることにより、被処理基板表面へのごみの再
付着を防止することができる。また、フッ酸と純水の混
合液を供給する場合は、被処理基板表面の酸化膜を除去
することができる。

【００２７】請求項１０記載の発明によれば、混合液に
よる処理と同時に洗浄部材によって被処理基板表面に付
着するごみを除去し、洗浄液によって被処理基板を洗浄
した後、被処理基板を高速回転して被処理基板表面に付
着する洗浄液を除去することができる。したがって、混
合液による処理、洗浄部材によるごみの除去処理、洗浄
液による洗浄処理及び乾燥処理を効率よくかつ短時間に
行うことができる。

【００２８】請求項１１又は１７記載の発明によれば、
被処理基板に複数の処理液の混合液を供給する際、被処
理基板に与えるダメージの少ない処理液順に供給し、混
合液の供給を停止する際、被処理基板に与えるダメージ
の大きな処理液順に供給を停止した後、被処理基板表面
に洗浄液を噴射して被処理基板表面に付着するごみを除
去することができる。

【００２９】請求項１２記載の発明によれば、被処理基
板に複数の処理液の混合液を供給する際、被処理基板に
与えるダメージの少ない処理液順に供給することによ
り、混合液供給の初期時における被処理基板のダメージ
を抑制することができる。したがって、製品歩留まりの
向上及び処理の安全性を図ることができる。また、万
一、処理液を同時に供給しても、被処理基板に与えるダ
メージの少ない処理液の供給源が供給手段側に接続され
ているため、被処理基板に与えるダメージを抑制するこ
とができ、この面でも処理の安全性が図れる。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では半導
体ウエハの洗浄・乾燥処理装置に適用した場合について
説明する。

【００３１】◎第一実施形態 図１は、この発明に係る液処理装置の第一実施形態を示
す概略構成図、図２は、上記液処理装置の要部を示す断
面図である。

【００３２】上記液処理装置は、被処理基板である半導
体ウエハＷ（以下にウエハＷという）を回転可能に保持
する保持手段であるスピンチャック１と、このスピンチ
ャック１を回転駆動する回転駆動手段であるモータ２
と、スピンチャック１及びスピンチャック１によって保
持されたウエハＷの周囲及び下部を包囲するカップ３
と、スピンチャック１によって保持されたウエハＷの表
面及び裏面に複数の処理液の混合液の供給手段である上
部ノズル４及び下部ノズル５と、上部ノズル４をウエハ
Ｗの上方で水平移動するノズル移動手段６と、上部及び
下部ノズル４，５に供給管路７を介して接続する複数の
処理液供給源１１，１２，１３と、処理液を供給するタ
イミングと処理液の供給を停止するタイミングを制御す
ると共に、モータ２及びノズル移動手段６を制御する制
御手段８とで主要部が構成されている。なお、上記スピ
ンチャック１及びカップ３はケーシング９内に配設され
ている。

【００３３】ここでいう処理液とは、例えばアンモニア
水（ＮＨ4ＯＨ）と過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）等の薬液や
純水等をいい、これら複数の処理液の混合液によってウ
エハＷの表面（具体的には表裏面）に付着するパーティ
クル、有機汚染物、金属不純物等のコンタミネーション
を除去することができる。

【００３４】上記スピンチャック１は、水平回転自在な
回転テーブル２０と、この回転テーブル２０の周縁の等
間隔の複数例えば３箇所に配設される遠心力により保持
可能な保持爪２１とを具備している。そして、回転テー
ブル２０の回転による遠心力によって保持爪２１がウエ
ハＷを保持することにより、回転テーブル２０と一体と
なってウエハＷを回転するように構成されている。

【００３５】また、回転テーブル２０の下面は、回転筒
体２２によって支持されており、この回転筒体２２の下
方には、回転筒体２２の中空部と連通する中空部を有す
る回転体２３が連結されている。この回転体２３には、
従動プーリ２４が装着されており、この従動プーリ２４
と、上記モータ２の駆動軸に装着された駆動プーリ２５
との間にタイミングベルト２６が掛け渡され、モータ２
の駆動によって駆動プーリ２５、回転体２３及び回転筒
体２２を介して回転テーブル２０が目的に応じた回転数
例えば低速、中速及び高速に回転し得るように構成され
ている。なお、回転筒体２２の下部には、この回転筒体
２２の下部及び下方の回転体２３の周囲を囲繞する円筒
状のカバー２７が取り付けられている。

【００３６】また、回転筒体２２及び回転体２３の中空
部内には中空状の支持軸２８が貫通しており、この支持
軸２８の上端に下部ノズル５が装着されている。この下
部ノズル５は、支持軸２８の上端に固着されている円柱
部材５ａと、この円柱部材５ａに被着されるフランジ部
材５ｂと、フランジ部材５ｂの上端に取り付けられる中
空円盤部材５ｃとで主要部が構成されており、中空円盤
部材５ｃの上部面に多数のノズル孔５ｄが穿設されてい
る（図３参照）。このように構成される下部ノズル５
は、静止した状態で、回転テーブル２０と一体となって
回転するウエハＷの裏面に混合液を供給するようになっ
ている。

【００３７】また、図３に示すように、回転テーブル２
０の中心部側上面には、起立円筒３０が設けられ、フラ
ンジ部材５ｂの外周下面には、起立円筒３０の外周との
間に僅かな隙間を残して起立円筒３０を被う円筒垂下片
３１が設けられており、これら起立円筒３０と円筒垂下
片３１とで形成される迂回通路３２によって処理に供さ
れた混合液が回転筒体２２の中空部内に侵入するのを阻
止し得るように構成されている。一方、カバー２７の上
端の中心部側上面には、隆起円筒部３３が設けられ、回
転テーブル２０の中心側下面には、隆起円筒部３３の外
周との間に僅かな隙間を残して隆起円筒部３３を被うフ
ランジ付き円筒部材３４がねじ３５によって固着されて
おり、これら隆起円筒部３３とフランジ付き円筒部材３
４とで構成される迂回通路３６によって処理に供された
混合液がカバー２７内に侵入するのを阻止し得るように
構成されている。なお、図３に示すように、隆起円筒部
３３の頂部に、環状溝３７が設けられると共に、回転テ
ーブル２０の中心側下面に、上記環状溝３７内に向かっ
て突入する補助円筒垂下片３４Ａが設けられている。ま
た、環状溝３７には、適宜間隔をおいて複数の気体導入
口３８が設けられており、この気体導入口３８に不活性
ガス例えば窒素（Ｎ2）ガスの供給源（図示せず）が接
続されており、このＮ2ガス供給源から気体導入口３８
内に供給されるＮ2ガスによって環状溝３７内に突入す
る補助円筒垂下片３４Ａの左右側が隔離されるようにな
っている。したがって、万一、隆起円筒部３３とフラン
ジ付き円筒部材３４とで構成される迂回通路３６を通過
する混合液があっても、回転円筒体２２側へは流れず
に、カバー２７の外側へ排出することができる。

【００３８】また、上記カップ３は、円筒状の胴部３ａ
と、この胴部３ａの上端から上方に延在する縮径部３ｂ
と、排気及び排液口３ｆを有する底部３ｃとからなり、
底部３ｃの内周縁には、カバー２７の外周面に非接触な
液受けリング３ｄが装着され、上下移動手段４０によっ
てスピンチャック１に対して上下移動可能に構成されて
いる。この場合、カップ３の胴部３ａの外周面の複数例
えば対向する２箇所にブラケット４１が延在されてお
り、これらブラケット４１にそれぞれ移動棒４２が垂下
固定され、両移動棒４２の下端に支持部材４３が連結さ
れている。また、支持部材４３が、上下移動手段である
シリンダ４０のピストンロッド４４に連結されており、
シリンダ４０の伸縮動作によって移動棒４２を介してカ
ップ３が上下移動し得るように構成されている。

【００３９】なお、移動棒４２とケーシング９の底部９
ａとの間には、外部シール機構４５が介設されている。
この外部シール機構４５は、図４に示すように、底部９
ａに設けられた貫通孔９ｂ内に嵌合固定される外部筒部
４６と、移動棒４２を遊嵌する内部筒部４７と、これら
外部筒部４６と内部筒部４７の下端部を連結する底部４
８とからなる固定二重筒体４９と、ブラケット４１の下
面から移動棒４２を包囲するように垂下されると共に、
固定二重筒体４９の外部筒部４６と内部筒部４７との間
に挿入される可動筒体５０と、固定二重筒体４９と可動
筒体５０との間に貯留されるシール媒体としての水５１
とで構成されている。このように外部シール機構４５を
構成することにより、ケーシング内の雰囲気が外部に漏
れることなく、あるいは、外部の雰囲気がケーシング９
内に侵入することなくカップ３をケーシング９の外側に
配設されたシリンダ４０によって上下移動することがで
きる。

【００４０】一方、上記処理液供給源１１，１２，１３
のうちの１つである純水供給源１１は、上記供給管路７
に第１の開閉バルブＶ1を介して上部ノズル４及び下部
ノズル５に接続されている。また、供給管路７には第２
の開閉バルブＶ2介設する第１の分岐管路１４をを介し
て過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）供給源１２が接続され、供給
管路７における第１の分岐管路１４より純水供給源１１
側には、第３の開閉バルブＶ3を介設する第２の分岐管
路１５を介してアンモニア水（ＮＨ4ＯＨ）供給源１３
が接続されている。

【００４１】また、第１の開閉バルブＶ1と純水供給源
１１との間に、純水の流れの状況を検出する検出手段例
えば第１の圧力スイッチＰＳ1が介設されている。ま
た、第１及び第２の分岐管路１４，１５における第２、
第３の開閉バルブＶ2，Ｖ3と過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）供
給源１２又はアンモニア水（ＮＨ4ＯＨ）供給源１３と
の間には、それぞれ第２の圧力スイッチＰＳ2，第３の
圧力スイッチＰＳ3が介設されて、過酸化水素水（Ｈ2Ｏ
2）又はアンモニア水（ＮＨ4ＯＨ）の流れの状況が検出
できるようになっている。上記圧力スイッチＰＳ1，Ｐ
Ｓ2，ＰＳ3によって検出された検出信号は制御手段例え
ば中央演算処理装置８（以下にＣＰＵ８という）に伝達
され、ＣＰＵ８からの制御信号が上記第１，第２，第３
の開閉バルブＶ1，Ｖ2，Ｖ3に伝達され、処理液（純
水，Ｈ2Ｏ2，ＮＨ4ＯＨ）を供給するタイミングと処理
液（純水，Ｈ2Ｏ2，ＮＨ4ＯＨ）の供給を停止するタイ
ミングを制御し得るように構成されている。

【００４２】この場合、まず、ウエハＷに対して最もダ
メージの少ない純水が供給されると、第１の圧力スイッ
チＰＳ1が純水の流れを検出してＯＮ状態となり、その
検出信号をＣＰＵ８に伝達し、ＣＰＵ８からの制御信号
によって第２の開閉バルブＶ2が開放され、過酸化水素
水（Ｈ2Ｏ2）供給源１２からウエハＷに対して純水の次
にダメージの少ないＨ2Ｏ2が供給管路７を介してノズル
４，５に供給される。このとき、第２の圧力スイッチＰ
Ｓ2がＨ2Ｏ2の流れを検出してＯＮ状態となり、その検
出信号をＣＰＵ８に伝達し、ＣＰＵ８からの制御信号に
よって第３の開閉バルブＶ3が開放され、アンモニア水
（ＮＨ4ＯＨ）供給源１３からウエハＷに対して最もダ
メージの大きいＮＨ4ＯＨが供給管路７を介してノズル
４，５に供給される。以後、純水，Ｈ2Ｏ2，ＮＨ4ＯＨ
の混合液がノズル４，５に供給されて、ウエハＷの表裏
面に適宜処理が施される。したがって、ウエハＷに混合
液を供給する際、ウエハＷに与えるダメージの少ない処
理液順、すなわち純水，Ｈ2Ｏ2，ＮＨ4ＯＨの順に供給
するので、混合液供給初期時のウエハＷのダメージを抑
制することができ、歩留まりの向上及び処理の安全性を
図ることができる。

【００４３】また、所定時間処理を行った後、混合液の
供給を停止する場合は、上記とは逆に、まず、ＣＰＵ８
からの制御信号によって第３の開閉バルブＶ3が閉じて
ウエハＷに対して最もダメージの大きいＮＨ4ＯＨの供
給が停止される。このとき、第３の圧力スイッチＰＳ3
がＯＦＦ状態となり、その検出信号をＣＰＵ８に伝達
し、ＣＰＵ８からの制御信号によって第２の開閉バルブ
Ｖ2が閉じて、ＮＨ4ＯＨの次にウエハＷに与えるダメー
ジが大きなＨ2Ｏ2の供給が停止される。このとき、第２
の圧力スイッチＰＳ2がＯＦＦ状態となり、その検出信
号をＣＰＵ８に伝達し、ＣＰＵ８からの制御信号によっ
て第１の開閉バルブＶ1が閉じて、ウエハＷに与えるダ
メージが最も少ない純水の供給が停止される。したがっ
て、ウエハＷへの混合液の供給を停止する際、ウエハＷ
に与えるダメージの大きな処理液順、すなわちＮＨ4Ｏ
Ｈ，Ｈ2Ｏ2，純水の順に供給を停止するので、更にウエ
ハＷのダメージを抑制することができ、歩留まりの向上
及び処理の安全性を図ることができる。

【００４４】なお、ＣＰＵ８からの制御信号によって上
記モータ２の始動、停止及び回転数が制御されると共
に、上部ノズル４のノズル移動手段６が制御されるよう
になっている。

【００４５】次に、第一実施形態の液処理装置を用いた
液処理方法について、図１、図５及び図６を参照して説
明する。

【００４６】まず、シリンダ４０が収縮動作してカップ
３を下方に移動する。この状態で、図示しない搬送手段
によってウエハＷをスピンチャック１上に搬送し、ウエ
ハＷをスピンチャック１にて保持する。次に、ノズル移
動手段６の駆動により上部ノズル４をウエハＷの中心部
上方に移動した後、シリンダ４０を伸長動作してカップ
３を上方に移動する。そして、モータ２の駆動によりス
ピンチャック１及びウエハＷを低速回転例えば３００ｒ
ｐｍの回転数で回転すると、遠心力によって保持爪２１
がウエハＷを確実に保持した状態となり、スピンチャッ
ク１とウエハＷが一体となって回転する。この状態で、
まず、ウエハＷに与えるダメージの最も少ない純水がノ
ズル４，５に供給される。すると、第１の圧力スイッチ
ＰＳ1が純水の流れを検出してＯＮ状態となり、その検
出信号をＣＰＵ８に伝達し、ＣＰＵ８からの制御信号に
よって第２の開閉バルブＶ2が開放され、過酸化水素水
（Ｈ2Ｏ2）供給源１２からウエハＷに対して純水の次に
ダメージの少ないＨ2Ｏ2が供給される。このとき、第２
の圧力スイッチＰＳ2がＨ2Ｏ2の流れを検出してＯＮ状
態となり、その検出信号をＣＰＵ８に伝達し、ＣＰＵ８
からの制御信号によって第３の開閉バルブＶ3が開放さ
れ、アンモニア水（ＮＨ4ＯＨ）供給源１３からウエハ
Ｗに対して最もダメージの大きいＮＨ4ＯＨが供給され
る。

【００４７】以後、純水，Ｈ2Ｏ2，ＮＨ4ＯＨの混合液
がノズル４，５に供給されて、ウエハＷの表裏面に適宜
処理が施される。

【００４８】上記処理を所定時間行った後、混合液の供
給を停止する場合は、まず、ＣＰＵ８からの制御信号に
よって第３の開閉バルブＶ3が閉じてウエハＷに対して
最もダメージの大きいＮＨ4ＯＨの供給が停止される。
このとき、第３の圧力スイッチＰＳ3がＯＦＦ状態とな
り、その検出信号をＣＰＵ８に伝達し、ＣＰＵ８からの
制御信号によって第２の開閉バルブＶ2が閉じて、ＮＨ4
ＯＨの次にウエハＷに与えるダメージが大きなＨ2Ｏ2の
供給が停止される。このとき、第２の圧力スイッチＰＳ
2がＯＦＦ状態となり、その検出信号をＣＰＵ８に伝達
し、ＣＰＵ８からの制御信号によって第１の開閉バルブ
Ｖ1が閉じて、ウエハＷに与えるダメージが最も少ない
純水の供給が停止されて、処理が終了する。

【００４９】上記のようにしてウエハＷの液処理が完了
した後、モータ２の駆動が停止され、ウエハＷの回転が
停止される。次に、シリンダ４０が収縮動作してカップ
３を下方に移動する。すると、図示しない搬送手段がス
ピンチャック１上に移動してきて、保持爪２１による保
持が解除された状態のスピンチャック１上のウエハＷを
受け取り、液処理装置からウエハＷを搬出する。

【００５０】上記説明では、ウエハＷに純水，Ｈ2Ｏ2，
ＮＨ4ＯＨの混合液を供給して処理を施す場合のみにつ
いて説明したが、上記処理と共に、洗浄処理と乾燥処理
を行うようにする方が好ましい。すなわち、図７に示す
ように、上記混合液の供給を停止する際、ＮＨ4ＯＨ，
Ｈ2Ｏ2の順に供給を停止した後、純水のみを供給してウ
エハＷの表裏面を洗浄し、その後、純水の供給を停止し
た後、スピンチャック１及びウエハＷを高速回転例えば
１２００ｒｐｍの回転数で回転して、ウエハＷの表裏面
に付着する純水を飛散（除去）させてウエハＷの乾燥処
理を行うようにする方が好ましい。

【００５１】◎第二実施形態 図８は、この発明に係る液処理装置の第二実施形態を示
す概略構成図、図９は、上記液処理装置の要部平面図、
図１０は、上記液処理装置におけるウエハの保持状態を
示す要部側面図、図１１は、ウエハの保持解除状態を示
す要部側面図である。なお、第二実施形態における処理
液の供給系は、上記第一実施形態と同じであるので、同
一部分には同一符号を付して説明は省略する。

【００５２】第二実施形態は、この発明に係る液処理装
置をスクラバに適用した場合である。この場合、スクラ
バ６０は、ウエハＷを回転可能に保持する保持手段であ
るスピンチャック１Ａと、このスピンチャック１Ａを回
転駆動する回転駆動手段であるモータ２Ａと、スピンチ
ャック１Ａ及びスピンチャック１Ａによって保持された
ウエハＷの周囲及び下部を包囲するカップ３Ａと、スピ
ンチャック１Ａによって保持されたウエハＷの上面（裏
面）に複数の処理液の混合液の供給手段を兼用する洗浄
液噴射手段であるメガソニックノズル７０と、メガソニ
ックノズル７０をウエハＷの上方で平行（水平）移動す
るノズル移動手段６Ａと、ウエハＷの上面（裏面）に接
触してウエハＷ表面に付着するごみを除去する洗浄部材
である洗浄ブラシ８０と、洗浄ブラシ８０をウエハＷに
対して接離及び平行（水平）移動するブラシ移動手段９
０と、メガソニックノズル７０に供給管路７を介して接
続する複数の処理液供給源１１，１２，１３と、処理液
を供給するタイミングと処理液の供給を停止するタイミ
ングを制御すると共に、モータ２Ａ及びメガソニックノ
ズル７０の移動手段６Ａを制御する制御手段８Ａとで主
要部が構成されている。なお、上記スピンチャック１Ａ
及びカップ３Ａはケーシング９Ａ内に配設されている。

【００５３】上記スピンチャック１Ａは、水平回転自在
な回転テーブル２０と、この回転テーブル２０の周縁の
等間隔の複数例えば３箇所に配設されるメカニカルチャ
ックからなる保持機構２００とを具備している。

【００５４】また、回転テーブル２０の下面は、上端に
フランジ部１０１を有する回転軸１００に取り付けられ
ており、回転軸１００に連結されるモータ２Ａによって
所定の回転数に制御されるようになっている。

【００５５】上記保持機構２００は、フランジ部１０１
から半径方向に等間隔に延在される複数個例えば３個の
アーム１０２に枢軸１０７をもって垂直方向に起倒可能
に枢着される略Ｌ字状のリンク部材１０３と、このリン
ク部材１０３の上側の先端部に突設される保持爪２１Ａ
と、リンク部材１０３を常時起立方向（図１０における
時計方向）に回転すべく付勢するばね部材１０４と、回
転軸１００の外周に取り付けられる円弧状の支持部材１
０５と、この支持部材１０５の上面の３箇所に取り付け
られて上下方向に伸縮動作するエアーシリンダ１０６と
で主に構成されている。

【００５６】上記のように構成される保持機構２００に
おいて、ウエハＷを保持する場合は、図１０に示すよう
に、エアーシリンダ１０６が収縮動作すると、ばね部材
１０４の付勢力により、リンク部材１０３が図１０に矢
印で示すように時計方向に回転され、リンク部材１０３
の先端側の保持爪２１ＡがウエハＷの周縁を上側から押
圧して保持することができる。また、ウエハＷの保持を
解除する場合は、図１１に示すように、エアーシリンダ
１０６が伸長動作すると、リンク部材１０３がばね部材
１０４の弾性力に抗して反時計方向に回転され、リンク
部材１０３の上側先端の保持爪２１ＡがウエハＷの周縁
から離間され、ウエハＷの保持が解除される。

【００５７】上記洗浄ブラシ８０は、水平方向に回転可
能に形成されると共に、ブラシ移動手段９０によってス
ピンチャック１Ａ上のウエハＷに対して接離（上下）移
動及び平行（水平）移動可能に形成されている。

【００５８】また、メガソニックノズル７０は、ノズル
移動手段６ＡによってウエハＷの半径方向に平行（水
平）移動可能に形成されている。

【００５９】上記ブラシ移動手段９０とノズル移動手段
６Ａは、ＣＰＵ８によって移動のタイミングが制御され
るようになっている。

【００６０】なお、上記カップ３Ａは、上記第一実施形
態と同様に図示しない上下移動手段例えばシリンダによ
って上下移動し得るように構成されている。また、ケー
シング９の側壁には、ウエハＷの搬送手段の出入口１０
が設けられている。

【００６１】第二実施形態において、その他の部分は、
上記第一実施形態と同じであるので、同一部分には同一
符号を付して説明は省略する。

【００６２】次に、第二実施形態のスクラバ６０の液処
理方法について、図１２，図１３を参照して説明する。

【００６３】図１２に示す液処理方法は、上記第一実施
形態と同様な手順で、混合液供給工程→処理工程→混合
液供給停止工程を行った後、洗浄ブラシ８０を用いてウ
エハＷの表面に付着するごみを除去すると共に、ウエハ
Ｗを洗浄し、その後、乾燥する液処理方法である。

【００６４】上記スクラバ６０を用いて液処理を行う場
合には、まず、カップ３Ａを下方に移動した状態で、ウ
エハＷが搬送手段によってケーシング９の出入口１０か
ら装置内に搬入され、ウエハＷの周縁がスピンチャック
１Ａの保持爪２１Ａにより保持されるようにスピンチャ
ック１ＡにウエハＷを受け渡し、保持機構２００の保持
爪２１ＡにてウエハＷを保持した後、カップ３Ａが上方
へ移動する。この状態で、上記第一実施形態と同様の手
順で、混合液供給工程→処理工程→混合液供給停止工程
を行う。

【００６５】上記液処理が終了した後、洗浄ブラシ８０
がウエハＷの中心部上方に移動し、下降してウエハＷの
表面に接触又は近接する。そして、ウエハＷを回転する
と共に、洗浄ブラシ８０を水平方向に回転させながら回
転するウエハＷの半径方向に移動させて、ウエハＷの表
面に付着するごみを除去する。この洗浄ブラシ８０によ
る処理中には純水は供給されている。洗浄ブラシ８０に
よってウエハＷに付着するごみを除去した後、洗浄ブラ
シ８０をウエハＷから後退させる一方、メガソニックノ
ズル７０をウエハＷの中心側上方に移動し、メガソニッ
クノズル７０を回転するウエハＷの半径方向に移動させ
ながら第１の開閉バルブＶ1のみを開放してメガソニッ
クノズル７０から純水を噴射してウエハＷの洗浄を行っ
た後、純水の供給を停止する（洗浄工程）。その後、上
記第一実施形態と同様に、スピンチャック１Ａ及びウエ
ハＷを高速回転して、ウエハＷの表面に付着する純水を
飛散（除去）する（乾燥工程）。

【００６６】上記説明では、洗浄ブラシ８０によってウ
エハＷの表面のごみを除去した後に、メガソニックノズ
ル７０から純水を噴射してウエハＷを洗浄する場合につ
いて説明したが、逆の処理手順としてもよい。すなわ
ち、メガソニックノズル７０から純水を噴射してウエハ
Ｗを洗浄した後、ウエハ表面に洗浄ブラシ８０を接触又
は近接すると共に、純水を供給してブラシ洗浄してもよ
い。あるいは、図１２に想像線で示すように、洗浄ブラ
シ８０によるブラシ洗浄と共に、メガソニックノズル７
０から純水を噴射してブラシ洗浄と純水による洗浄とを
同時に行い、その後、純水のみの供給によってウエハＷ
を洗浄するようにしてもよい。

【００６７】また、図１３に示す液処理方法は、混合液
供給後の処理工程の際に、ブラシ洗浄を同時に行うよう
にした場合である。すなわち、上記第一実施形態と同様
に、ウエハＷに与えるダメージの少ない処理液順、すな
わち純水，Ｈ2Ｏ2，ＮＨ4ＯＨの順に供給した後、洗浄
ブラシ８０をウエハＷの表面に接触又は近接し、ウエハ
Ｗを回転すると共に、洗浄ブラシ８０を水平方向に回転
させながら回転するウエハＷの半径方向に移動させると
共に、第１〜第３の開閉バルブＶ1〜Ｖ3を開放してメガ
ソニックノズル７０から混合液を供給して、ブラシ洗浄
（第１洗浄）と同時に液処理を行うようにした場合であ
る。このようにして、処理工程（第１洗浄工程）を行っ
た後、上述と同様に、ウエハＷに与えるダメージの大き
い処理液順、すなわちＮＨ4ＯＨ，Ｈ2Ｏ2の順に供給を
停止する（混合液停止工程）。その後、第１の開閉バル
ブＶ1のみ開放し純水の供給を続行して、ウエハＷの洗
浄を行った後、純水の供給を停止する（第２洗浄工
程）。第２洗浄工程が終了した後、ウエハＷを高速回転
してウエハＷに付着する純水を遠心力によって飛散させ
てウエハＷを乾燥する（乾燥工程）。

【００６８】◎第三実施形態 図１４は、この発明に係る液処理装置の第三実施形態を
示す概略構成図、図１５は、第三実施形態における液処
理装置を用いた液処理方法の工程を示すフロー図（説明
図）である。

【００６９】第三実施形態は、この発明に係る液処理装
置をスクラバに適用した別の形態の場合である。この場
合、スクラバ６０Ａは、上記第二実施形態のスクラバ６
０とほぼ同様に構成されており、第二実施形態の洗浄ブ
ラシ８０と、ブラシ移動手段９０を除いた構造となって
いる。すなわち、スクラバ６０Ａは、ウエハＷを回転可
能に保持する保持手段であるスピンチャック１Ａと、こ
のスピンチャック１Ａを回転駆動する回転駆動手段であ
るモータ２Ａと、スピンチャック１Ａ及びスピンチャッ
ク１Ａによって保持されたウエハＷの周囲及び下部を包
囲するカップ３Ａと、スピンチャック１Ａによって保持
されたウエハＷの上面に複数の処理液の混合液の供給手
段を兼用する洗浄液噴射手段であるメガソニックノズル
７０と、メガソニックノズル７０をウエハＷの上方で水
平移動するノズル移動手段６Ａと、メガソニックノズル
４，５に供給管路７を介して接続する複数の処理液供給
源１１，１２，１３と、処理液を供給するタイミングと
処理液の供給を停止するタイミングを制御すると共に、
モータ２Ａ及びメガソニックノズル７０の移動手段６Ａ
を制御する制御手段であるＣＰＵ８とで主要部が構成さ
れている。なお、第三実施形態において、その他の部分
は、上記第一実施形態及び第二実施形態と同じであるの
で、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。

【００７０】次に、第三実施形態のスクラバ６０Ａを用
いた液処理方法の工程について、図１５を参照して説明
する。

【００７１】図１５に示す液処理方法は、上記第一実施
形態及び第二実施形態（図１２に示す液処理方法）と同
様に、混合液供給工程→処理工程→混合液供給停止工程
を行った後、メガソニックノズル７０をウエハＷの中心
側上方に移動し、メガソニックノズル７０を回転するウ
エハＷの半径方向に移動させながら第１の開閉バルブＶ
1のみを開放してメガソニックノズル７０から純水を噴
射してウエハＷの表面に付着するごみを除去した後、純
水の供給を停止する（洗浄工程）。その後、上記第一、
第二実施形態と同様に、スピンチャック１Ａ及びウエハ
Ｗを高速回転して、ウエハＷの表面に付着する純水を飛
散（除去）する（乾燥工程）。

【００７２】◎その他の実施形態 （１）上記実施形態では、混合液が、純水，Ｈ2Ｏ2，Ｎ
Ｈ4ＯＨの３種類の混合液である場合について説明した
が、混合液は、純水を含む複数の処理液の混合であれ
ば、２種類であってもよく、例えば、フッ酸（ＨＦ）と
純水（Ｈ2Ｏ）との混合液により液処理方法にも適用で
きるものである。

【００７３】（２）上記実施形態では、処理液の流れの
状況を検出する手段が圧力スイッチＰＳ1，ＰＳ2，ＰＳ
3である場合について説明したが、圧力スイッチに代え
てセンサ付きのフローメータを用いることも可能であ
る。

【００７４】（３）上記第二実施形態及び第三実施形態
においてはメガソニックノズル７０を用いた場合につい
て説明したが、メガソニックノズルに代えてジェットノ
ズルを用いてもよい。

【００７５】（４）上記実施形態では、この発明に係る
液処理方法及び液処理装置を半導体ウエハの液処理シス
テムに適用した場合について説明したが、半導体ウエハ
以外のＬＣＤ用ガラス基板等にも適用できることは勿論
である。

【００７６】

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、上記のように構成されているので、以下のような効
果が得られる。

【００７７】１）請求項１，３又は１３記載の発明によ
れば、被処理基板に複数の処理液の混合液を供給する
際、被処理基板に与えるダメージの少ない処理液順に供
給することにより、混合液供給の初期時における被処理
基板のダメージを抑制することができる。したがって、
製品歩留まりの向上及び処理の安全性を図ることができ
る。また、各処理液を順次供給するので、処理液を予め
タンク内で混合させて供給する装置に比べて装置を小型
にすることができる。

【００７８】２）請求項２，４又は１４記載の発明によ
れば、被処理基板に複数の処理液の混合液を供給する
際、被処理基板に与えるダメージの少ない処理液順に供
給し、混合液の供給を停止する際、被処理基板に与える
ダメージの大きな処理液順に供給を停止することによ
り、混合液供給初期時及び混合液供給停止時の被処理基
板のダメージを抑制することができる。したがって、上
記１）に加えて更に製品歩留まりの向上及び処理の安全
性を図ることができる。また、各処理液を順次供給する
と共に、供給を順次停止するので、処理液を予めタンク
内で混合させて供給・停止する装置に比べて装置を小型
にすることができる。

【００７９】３）請求項５又は１５記載の発明によれ
ば、枚葉処理される被処理基板に複数の処理液の混合液
を供給する際、被処理基板に与えるダメージの少ない処
理液順に供給することにより、混合液供給の初期時にお
ける被処理基板のダメージを抑制することができると共
に、製品歩留まりの向上及び処理の安全性を図ることが
できる。また、各処理液を順次供給するので、処理液を
予めタンク内で混合させて供給する装置に比べて装置を
小型にすることができる。また、混合液の供給を停止す
る際、被処理基板に与えるダメージの大きな処理液順に
供給を停止することにより、混合液供給初期時及び混合
液供給停止時の被処理基板のダメージを抑制することが
できる。したがって、更に製品歩留まりの向上を図るこ
とができる。また、各処理液を順次供給すると共に、供
給を順次停止するので、処理液を予めタンク内で混合さ
せて供給・停止する装置に比べて装置を小型にすること
ができる。

【００８０】４）請求項６又は１６記載の発明によれ
ば、被処理基板に複数の処理液の混合液を供給する際、
被処理基板に与えるダメージの少ない処理液順に供給
し、混合液の供給を停止する際、被処理基板に与えるダ
メージの大きな処理液順に供給を停止した後、被処理基
板表面に洗浄部材を接触又は近接させて被処理基板表面
に付着するごみを除去することができる。したがって、
上記３）に加えて更に製品歩留まりの向上を図ることが
できる。

【００８１】５）請求項７記載の発明によれば、混合液
によって処理された被処理基板表面に洗浄部材を接触又
は近接させて被処理基板表面に付着するごみを除去した
後、被処理基板に洗浄液を供給して被処理基板を洗浄
し、更に、被処理基板を高速回転して被処理基板表面に
付着する洗浄液を除去することができる。したがって、
上記３）に加えて混合液による処理、洗浄処理及び乾燥
処理を連続して行うことができる。

【００８２】請求項８記載の発明によれば、洗浄部材を
被処理基板に接触又は近接する際に同時に、被処理基板
表面に洗浄液を供給することにより、被処理基板表面に
付着するごみを除去すると共に、被処理基板表面を洗浄
することができる。したがって、上記４），５）に加え
て処理時間の短縮化を図ることができると共に、スルー
プットの向上を図ることができる。

【００８３】６）請求項９記載の発明によれば、混合液
による処理と同時に洗浄部材によって被処理基板表面に
付着するごみを除去することができる。したがって、上
記３）に加えて処理時間の短縮化を図ることができると
共に、スループットの向上及び製品歩留まりの向上を図
ることができる。この場合、例えばアンモニア水と過酸
化水素水及び純水の混合液を供給しながら洗浄部材を被
処理基板表面に接触又は近接させることにより、被処理
基板表面へのごみの再付着を防止することができる。ま
た、フッ酸と純水の混合液を供給する場合は、被処理基
板表面の酸化膜を除去することができる。

【００８４】７）請求項１０記載の発明によれば、混合
液による処理と同時に洗浄部材によって被処理基板表面
に付着するごみを除去し、洗浄液によって被処理基板を
洗浄した後、被処理基板を高速回転して被処理基板表面
に付着する洗浄液を除去することができる。したがっ
て、上記３），６）に加えて混合液による処理、洗浄部
材によるごみの除去処理、洗浄液による洗浄処理及び乾
燥処理を効率よくかつ短時間に行うことができる。

【００８５】８）請求項１１又は１７記載の発明によれ
ば、被処理基板に複数の処理液の混合液を供給する際、
被処理基板に与えるダメージの少ない処理液順に供給
し、混合液の供給を停止する際、被処理基板に与えるダ
メージの大きな処理液順に供給を停止した後、被処理基
板表面に洗浄液を噴射して被処理基板表面に付着するご
みを除去することができる。したがって、上記３）に加
えて更に製品歩留まりの向上を図ることができる。

【００８６】９）請求項１２記載の発明によれば、被処
理基板に複数の処理液の混合液を供給する際、被処理基
板に与えるダメージの少ない処理液順に供給することに
より、混合液供給の初期時における被処理基板のダメー
ジを抑制することができる。したがって、製品歩留まり
の向上及び処理の安全性を図ることができる。また、万
一、処理液を同時に供給しても、被処理基板に与えるダ
メージの少ない処理液の供給源が供給手段側に接続され
ているため、被処理基板に与えるダメージを抑制するこ
とができ、この面でも処理の安全性が図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る液処理装置の第一実施形態を示
す概略構成図である。

【図２】上記液処理装置の要部を示す断面図である。

【図３】上記液処理装置における回転テーブルのシール
構造を示す断面図である。

【図４】上記液処理装置におけるカップの上下移動部の
シール構造を示す断面図である。

【図５】上記液処理装置を用いた液処理方法の工程を示
す説明図である。

【図６】上記液処理方法の手順を示すフローチャートで
ある。

【図７】上記この発明に係る液処理方法の別の工程を示
す説明図である。

【図８】この発明に係る液処理装置の第二実施形態を示
す概略構成図である。

【図９】上記液処理装置の要部を示す平面図である。

【図１０】上記液処理装置における被処理基板の保持状
態を示す要部側面図である。

【図１１】上記液処理装置における被処理基板の保持解
除状態を示す要部側面図である。

【図１２】第二実施形態の液処理装置を用いた液処理方
法の工程を示す説明図である。

【図１３】第二実施形態の液処理装置を用いた液処理方
法の別の工程を示す説明図である。

【図１４】この発明に係る液処理装置の第三実施形態を
示す概略構成図である。

【図１５】第三実施形態の液処理装置を用いた液処理方
法の工程を示す説明図である。

【符号の説明】

Ｗ 半導体ウエハ（被処理基板） Ｖ1 第１の開閉バルブ（開閉手段） Ｖ2 第２の開閉バルブ（開閉手段） Ｖ3 第３の開閉バルブ（開閉手段） ＰＳ1 第１の圧力スイッチ（検出手段） ＰＳ2 第２の圧力スイッチ（検出手段） ＰＳ3 第３の圧力スイッチ（検出手段） １，１Ａ スピンチャック（保持手段） ２，２Ａ モータ ４ 上部ノズル（供給手段） ５ 下部ノズル（供給手段） ６，６Ａ ノズル移動手段 ７ 供給管路 ８ ＣＰＵ（制御手段） １１ 純水供給源（処理液供給源） １２ 過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）供給源（処理液供給源） １３ アンモニア水（ＮＨ4ＯＨ）供給源（処理液供給
源） １４ 第１の分岐管路 １５ 第２の分岐管路 ７０ メガソニックノズル（供給手段・洗浄液噴射手
段） ８０ 洗浄ブラシ（洗浄部材） ９０ ブラシ移動手段

フロントページの続き Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB08 AB33 AB44 AB48 BA02 BA15 BA34 BB05 BB25 BB44 BB55 BB93 BB94 CB12 CB25 CC13 5F046 MA01 MA10

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理基板に複数の処理液を供給途中で
   混合した混合液を供給して処理を施す液処理方法であっ
   て、 上記混合液を供給する際、上記被処理基板に与えるダメ
   ージの少ない処理液順に供給することを特徴とする液処
   理方法。
2. 【請求項２】 被処理基板に複数の処理液を供給途中で
   混合した混合液を供給して処理を施す液処理方法であっ
   て、 上記混合液を供給する際、上記被処理基板に与えるダメ
   ージの少ない処理液順に供給し、 上記混合液の供給を停止する際、上記被処理体に与える
   ダメージの大きな処理液順に供給を停止することを特徴
   とする液処理方法。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の液処理方法におい
   て、 上記供給される処理液の流れの状況を検出手段にて検出
   し、その検出信号に基いて以後の処理液の供給を開始す
   ることを特徴とする液処理方法。
4. 【請求項４】 請求項２記載の液処理方法において、 上記供給される処理液の流れの状況を検出手段にて検出
   し、混合液を供給する際、その検出信号に基いて以後の
   処理液の供給を開始し、 上記混合液の供給を停止する際、上記検出信号に基いて
   以後の処理液の供給を停止することを特徴とする液処理
   方法。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載の液
   処理方法において、 上記混合液を供給する際、被処理基板を保持手段にて保
   持して回転する工程を有することを特徴とする液処理方
   法。
6. 【請求項６】 請求項５記載の液処理方法において、 上記混合液による処理が終了した後、被処理基板に洗浄
   部材を接触又は近接させて被処理基板を処理する工程を
   有することを特徴とする液処理方法。
7. 【請求項７】 請求項５記載の液処理方法において、 上記混合液による処理が終了した後、被処理基板に洗浄
   部材を接触又は近接させて被処理基板を処理する工程
   と、上記被処理基板に洗浄液を供給する工程と、上記被
   処理基板を混合液による処理時より高速に回転して被処
   理基板表面に付着する洗浄液を除去する工程と、を有す
   ることを特徴とする液処理方法。
8. 【請求項８】 請求項６又は７記載の液処理方法におい
   て、 上記洗浄部材を被処理基板に接触又は近接する際に同時
   に、被処理基板表面に洗浄液を供給することを特徴とす
   る液処理方法。
9. 【請求項９】 請求項５記載の液処理方法において、 上記混合液による処理の際に、被処理基板の表面に洗浄
   部材を接触又は近接させて被処理基板表面を処理する工
   程を有することを特徴とする液処理方法。
10. 【請求項１０】 請求項５又は９記載の液処理方法にお
    いて、 上記混合液による処理が終了した後、被処理基板に洗浄
    液を供給する工程と、上記被処理基板を混合液による処
    理時より高速に回転して被処理基板表面に付着する洗浄
    液を除去する工程と、を有することを特徴とする液処理
    方法。
11. 【請求項１１】 請求項５記載の液処理方法において、 上記混合液による処理が終了した後、被処理基板表面に
    洗浄液を噴射して被処理基板表面を処理する工程を有す
    ることを特徴とする液処理方法。
12. 【請求項１２】 被処理基板に複数の処理液を供給途中
    で混合した混合液を供給して処理を施す液処理装置であ
    って、 上記被処理基板に混合液を供給する供給手段と、 上記各処理液の供給源と上記供給手段とを接続する供給
    管路と、 上記供給管路における上記各処理液供給源側にそれぞれ
    介設される開閉手段とを具備し、 上記供給管路における上記供給手段側に、上記被処理基
    板に与えるダメージの少ない処理液供給源を接続してな
    ることを特徴とする液処理装置。
13. 【請求項１３】 被処理基板に複数の処理液を供給途中
    で混合した混合液を供給して処理を施す液処理装置であ
    って、 上記被処理基板に混合液を供給する供給手段と、 上記各処理液の供給源と上記供給手段とを接続する供給
    管路と、 上記供給管路における上記各処理液供給源側にそれぞれ
    介設される開閉手段と、 上記処理液供給源と開閉手段との間を流れる処理液の状
    況を検出する検出手段と、 上記検出手段からの検出信号を受けて上記処理液におけ
    る被処理基板に与えるダメージの少ない処理液供給源側
    の上記各開閉手段に開閉信号を送る制御手段と、を具備
    することを特徴とする液処理装置。
14. 【請求項１４】 被処理基板に複数の処理液を供給途中
    で混合した混合液を供給して処理を施す液処理装置であ
    って、 上記被処理基板に混合液を供給する供給手段と、 上記各処理液の供給源と上記供給手段とを接続する供給
    管路と、 上記供給管路における上記各処理液供給源側にそれぞれ
    介設される開閉手段と、 上記処理液供給源と開閉手段との間を流れる処理液の状
    況を検出する検出手段と、 上記検出手段からの検出信号を受けて上記処理液におけ
    る被処理基板に与えるダメージの少ない処理液供給源側
    の上記各開閉手段に開閉信号を送り、更に、被処理基板
    に与えるダメージの大きな処理液供給源側の上記各開閉
    手段に開閉信号を送る制御手段と、を具備することを特
    徴とする液処理装置。
15. 【請求項１５】 請求項１２ないし１４のいずれかに記
    載の液処理装置において、 上記被処理基板を回転可能に保持する保持手段と、上記
    保持手段を回転制御する回転制御手段を更に具備するこ
    とを特徴とする液処理装置。
16. 【請求項１６】 請求項１５記載の液処理装置におい
    て、 上記被処理基板の表面に接触又は近接すると共に、被処
    理基板に対して接離及び平行移動可能な洗浄部材を更に
    具備することを特徴とする液処理装置。
17. 【請求項１７】 請求項１５記載の液処理装置におい
    て、 上記被処理基板の表面に付着するごみを除去すべく被処
    理基板表面に洗浄液を噴射すると共に、被処理基板に対
    して平行移動可能な洗浄液噴射手段を更に具備すること
    を特徴とする液処理装置。