JP3137873B2 - 半導体ウェハシールエッチング装置 - Google Patents
半導体ウェハシールエッチング装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハの非処理
面をシ−ルしながらエッチングを行なう半導体ウェハシ
−ルエッチング装置に関する。
面をシ−ルしながらエッチングを行なう半導体ウェハシ
−ルエッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、高耐圧サイリスタ等のディスク
状の半導体素子では、ｐｎ接合がディスクの端面に露出
し、その形状や表面状態で接合部の安定生が左右される
ため、接合部の電界強度を緩和して端面部での耐電圧を
向上するために、端面部を適切な形状に加工する。これ
をベベリングといい、例えばギリシア文字のΣ状に加工
するΣコンタベベルなどが知られている。
状の半導体素子では、ｐｎ接合がディスクの端面に露出
し、その形状や表面状態で接合部の安定生が左右される
ため、接合部の電界強度を緩和して端面部での耐電圧を
向上するために、端面部を適切な形状に加工する。これ
をベベリングといい、例えばギリシア文字のΣ状に加工
するΣコンタベベルなどが知られている。
【０００３】従来における半導体ウェハの非処理面を保
護しながらエッチングするものとして、特開平１−１９
６８３２号公報に記載されているように、半導体ウェハ
の端面を露出させる径小な１対の吸盤で半導体ウェハを
挾んで非処理面を保護し、これを回転させながら露出端
面だけをエッチングするようにしたエッチング装置が知
られている。また特開平２−１３０９２２号公報には、
加工表面をエッチングした後の洗浄を行なうため、半導
体ウェハを搭載する第一真空チャックと、これに対向す
る第二真空チャックを設け、加工表面をエッチングした
後に同部を洗浄し、その後、第二真空チャックで半導体
ウェハの表面を吸着して吊り上げた状態で、半導体ウェ
ハの裏面と第一真空チャックの搭載面を洗浄し、その
後、半導体ウェハを第一真空チャックに搭載させて保持
した状態で、半導体ウェハの表面を洗浄するようにした
エッチング装置が記載されている。
護しながらエッチングするものとして、特開平１−１９
６８３２号公報に記載されているように、半導体ウェハ
の端面を露出させる径小な１対の吸盤で半導体ウェハを
挾んで非処理面を保護し、これを回転させながら露出端
面だけをエッチングするようにしたエッチング装置が知
られている。また特開平２−１３０９２２号公報には、
加工表面をエッチングした後の洗浄を行なうため、半導
体ウェハを搭載する第一真空チャックと、これに対向す
る第二真空チャックを設け、加工表面をエッチングした
後に同部を洗浄し、その後、第二真空チャックで半導体
ウェハの表面を吸着して吊り上げた状態で、半導体ウェ
ハの裏面と第一真空チャックの搭載面を洗浄し、その
後、半導体ウェハを第一真空チャックに搭載させて保持
した状態で、半導体ウェハの表面を洗浄するようにした
エッチング装置が記載されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
ウェハの端面部での高耐電圧性を得るためには、加工後
の加工表面をエッチングすると共に、半導体ウェハの洗
浄を行なうことが重要な工程となるが、上述した特開平
１−１９６８３２号公報に記載されたエッチング装置
は、この洗浄についての記載がない。一方、特開平２−
１３０９２２号公報に記載されたエッチング装置では洗
浄について記載しているが、エッチング部の洗浄に際し
て非処理部を保護していないため、洗浄時、半導体ウェ
ハの非処理部をエッチング液によって劣化させる危険が
ある。また第二真空チャックで半導体ウェハの表面を吸
着して吊り上げた状態で、半導体ウェハの裏面と第一真
空チャックの搭載面を洗浄しているため、その後、半導
体ウェハを第一真空チャックに搭載させて保持した状態
で、再度、半導体ウェハの表面を洗浄しなければなら
ず、洗浄に要する工程が多くなり長時間を要していた。
さらに、半導体ウェハの表面を洗浄する際、これを回転
してスピン乾燥を行なっているが、近年、高耐圧サイリ
スタなどの半導体素子は、大容量化のためにそのウェハ
径が５インチ、６インチと大きくなっており、これを搭
載した大型の第一真空チャックを高速度で回転させるに
は回転駆動機構を大型化しなければならず、現実には実
現困難となり、十分な洗浄と乾燥が行なえなくなってし
まう。
ウェハの端面部での高耐電圧性を得るためには、加工後
の加工表面をエッチングすると共に、半導体ウェハの洗
浄を行なうことが重要な工程となるが、上述した特開平
１−１９６８３２号公報に記載されたエッチング装置
は、この洗浄についての記載がない。一方、特開平２−
１３０９２２号公報に記載されたエッチング装置では洗
浄について記載しているが、エッチング部の洗浄に際し
て非処理部を保護していないため、洗浄時、半導体ウェ
ハの非処理部をエッチング液によって劣化させる危険が
ある。また第二真空チャックで半導体ウェハの表面を吸
着して吊り上げた状態で、半導体ウェハの裏面と第一真
空チャックの搭載面を洗浄しているため、その後、半導
体ウェハを第一真空チャックに搭載させて保持した状態
で、再度、半導体ウェハの表面を洗浄しなければなら
ず、洗浄に要する工程が多くなり長時間を要していた。
さらに、半導体ウェハの表面を洗浄する際、これを回転
してスピン乾燥を行なっているが、近年、高耐圧サイリ
スタなどの半導体素子は、大容量化のためにそのウェハ
径が５インチ、６インチと大きくなっており、これを搭
載した大型の第一真空チャックを高速度で回転させるに
は回転駆動機構を大型化しなければならず、現実には実
現困難となり、十分な洗浄と乾燥が行なえなくなってし
まう。
【０００５】本発明の目的は、エッチング液による劣化
を防止すると共に、半導体ウェハの洗浄を容易にした半
導体ウェハシ−ルエッチング装置を提供するにある。
を防止すると共に、半導体ウェハの洗浄を容易にした半
導体ウェハシ−ルエッチング装置を提供するにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、対向部にそれぞれ環状のシール部材を有す
る一対のホルダ間に半導体ウェハを挟持してその外周部
をエッチング処理し、その後、上記半導体ウェハを洗浄
および乾燥させる半導体ウェハシールエッチング装置に
おいて、一方の上記ホルダの内側に、この上記ホルダに
対して上下動および回転可能な径小の第二ホルダを設け
たことを特徴とする。
するために、対向部にそれぞれ環状のシール部材を有す
る一対のホルダ間に半導体ウェハを挟持してその外周部
をエッチング処理し、その後、上記半導体ウェハを洗浄
および乾燥させる半導体ウェハシールエッチング装置に
おいて、一方の上記ホルダの内側に、この上記ホルダに
対して上下動および回転可能な径小の第二ホルダを設け
たことを特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明による半導体ウェハシ−ルエッチング装
置は、上述のように環状のシール部材間に半導体ウェハ
を挟持することによって、半導体ウェハの外周部に供給
するエッチング液から半導体ウェハの中心部側を保護す
ることができると共に、一方のホルダの内側に、このホ
ルダに対して上下動および回転可能な径小の第二ホルダ
を設けたため、この径小の第二ホルダに半導体ウェハを
保持した状態にすると、環状のシール部材によって保持
していた部分が露出することになるから、同部を容易に
洗浄することができ、また径小の第二ホルダによって高
速回転が可能になり、高速スピン洗浄が可能となる。
置は、上述のように環状のシール部材間に半導体ウェハ
を挟持することによって、半導体ウェハの外周部に供給
するエッチング液から半導体ウェハの中心部側を保護す
ることができると共に、一方のホルダの内側に、このホ
ルダに対して上下動および回転可能な径小の第二ホルダ
を設けたため、この径小の第二ホルダに半導体ウェハを
保持した状態にすると、環状のシール部材によって保持
していた部分が露出することになるから、同部を容易に
洗浄することができ、また径小の第二ホルダによって高
速回転が可能になり、高速スピン洗浄が可能となる。
【０００８】
【実施例】以下本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。
る。
【０００９】図１は、本発明の一実施例による半導体ウ
ェハシ−ルエッチング装置を模式的に示す要部縦断面図
である。
ェハシ−ルエッチング装置を模式的に示す要部縦断面図
である。
【００１０】上ホルダ７は、上側回転体９の対向面側に
設けた環状の上側シ−ル部材８を有し、位置固定したシ
リンダ装置１１の可動軸２３に支持部材２２を介して取
り付けたモータ１０の回転軸に連結され、シリンダ装置
１１によって上下方向に移動可能に、またモータ１０に
よって回転可能に構成されている。この上ホルダ７に対
向して配置されて対を成す下ホルダ２は、下側回転体４
の上方部に設けた環状の下側シ−ル部材３を有し、図示
を省略した支持部材に対して可回転的に支持されてお
り、外周部に掛けたベルト６を介してモータ５によって
回転可能に成されている。上述した対を成す下ホルダ２
および上ホルダ７は、同一軸上を回転するようにそれぞ
れの中心軸が一致されている。下ホルダ２の下側シ−ル
部材３上には処理対象である半導体ウェハ１が配置され
ており、上ホルダ７の下降により下側シ−ル部材３およ
び上側シ−ル部材８間に半導体ウェハ１を挟持した状態
で、モータ５により下ホルダ２を回転させると、半導体
ウェハ１との接触部分での摩擦力により上ホルダ７は供
回りし、下ホルダ２と上ホルダ７と半導体ウェハ１を同
一方向に同一回転数で回転させることができる。このと
きモータ１０は非通電である。挟持した半導体ウェハ１
を保護するために、下側シ−ル部材３および上側シ−ル
部材８は弾性体で形成され、また後述する理由で沸酸、
酢酸および硝酸の混酸であるエッチング液に侵されない
フッ素系のゴム等の弾性体で形成されている。
設けた環状の上側シ−ル部材８を有し、位置固定したシ
リンダ装置１１の可動軸２３に支持部材２２を介して取
り付けたモータ１０の回転軸に連結され、シリンダ装置
１１によって上下方向に移動可能に、またモータ１０に
よって回転可能に構成されている。この上ホルダ７に対
向して配置されて対を成す下ホルダ２は、下側回転体４
の上方部に設けた環状の下側シ−ル部材３を有し、図示
を省略した支持部材に対して可回転的に支持されてお
り、外周部に掛けたベルト６を介してモータ５によって
回転可能に成されている。上述した対を成す下ホルダ２
および上ホルダ７は、同一軸上を回転するようにそれぞ
れの中心軸が一致されている。下ホルダ２の下側シ−ル
部材３上には処理対象である半導体ウェハ１が配置され
ており、上ホルダ７の下降により下側シ−ル部材３およ
び上側シ−ル部材８間に半導体ウェハ１を挟持した状態
で、モータ５により下ホルダ２を回転させると、半導体
ウェハ１との接触部分での摩擦力により上ホルダ７は供
回りし、下ホルダ２と上ホルダ７と半導体ウェハ１を同
一方向に同一回転数で回転させることができる。このと
きモータ１０は非通電である。挟持した半導体ウェハ１
を保護するために、下側シ−ル部材３および上側シ−ル
部材８は弾性体で形成され、また後述する理由で沸酸、
酢酸および硝酸の混酸であるエッチング液に侵されない
フッ素系のゴム等の弾性体で形成されている。
【００１１】下ホルダ２の下側シ−ル部材３よりも内側
には、径小な第二ホルダ１２が下ホルダ２に対して可回
転的に配置され、この第二ホルダ１２は、下側回転体４
と同一軸上で下ホルダ２に対して可回転的なスピンシャ
フト２６の上部に固定されている。このスピンシャフト
２６は、ベルト１４を介してモータ１３によって高速回
転可能に支持されおり、モータ１３は位置固定したシリ
ンダ装置１７の可動軸２５に支持部材２４を介して取り
付けられている。このような径小な第二ホルダ１２によ
って軽量化され、その高速回転が可能となる。また詳細
な図示を省略しているが、シリンダ装置１７によってモ
ータ１３が上下動するとき、スピンシャフト２６も共に
上下動して下ホルダ２とは独立して第二ホルダ１２が上
下動するように構成され、また、この上下動後の各停止
位置でもモータ１３によって第二ホルダ１２を高速回転
できるように構成されている。第二ホルダ１２およびス
ピンシャフト２６の中心部には吸引孔１５が形成され、
この吸引孔１５の下端部には、第二ホルダ１２およびス
ピンシャフト２６の回転および上下動に対して接続関係
を保持する接続部２７を介して排気装置１６が接続され
て真空吸着手段が構成され、この真空吸着手段によって
第二ホルダ１２に半導体ウェハ１を保持することができ
る。
には、径小な第二ホルダ１２が下ホルダ２に対して可回
転的に配置され、この第二ホルダ１２は、下側回転体４
と同一軸上で下ホルダ２に対して可回転的なスピンシャ
フト２６の上部に固定されている。このスピンシャフト
２６は、ベルト１４を介してモータ１３によって高速回
転可能に支持されおり、モータ１３は位置固定したシリ
ンダ装置１７の可動軸２５に支持部材２４を介して取り
付けられている。このような径小な第二ホルダ１２によ
って軽量化され、その高速回転が可能となる。また詳細
な図示を省略しているが、シリンダ装置１７によってモ
ータ１３が上下動するとき、スピンシャフト２６も共に
上下動して下ホルダ２とは独立して第二ホルダ１２が上
下動するように構成され、また、この上下動後の各停止
位置でもモータ１３によって第二ホルダ１２を高速回転
できるように構成されている。第二ホルダ１２およびス
ピンシャフト２６の中心部には吸引孔１５が形成され、
この吸引孔１５の下端部には、第二ホルダ１２およびス
ピンシャフト２６の回転および上下動に対して接続関係
を保持する接続部２７を介して排気装置１６が接続され
て真空吸着手段が構成され、この真空吸着手段によって
第二ホルダ１２に半導体ウェハ１を保持することができ
る。
【００１２】下ホルダ２の下側シ−ル部材３上に搭載し
た半導体ウェハ１の近傍の外周部には、ほぼ水平に配置
したノズル１８，２８と、下向きに配置したノズル１９
と、上向きに配置したノズル２０とを配置している。こ
れらのノズル１８，１９，２０，２８は各一個ずつのも
のとして図示しているが、その本数および向きは処理液
の種類数や必要供給量により決まり、説明の都合上その
向きを代表したものを示しており、半導体ウェハ１の周
方向に適当な間隔で複数設けても良い。ノズル１８はエ
ッチング液を供給するもので、ノズル１９，２０，２８
は洗浄液として超純水を供給するものである。また下ホ
ルダ２および上ホルダ７の外周部には、下ホルダ２と上
ホルダ７間に所定の対向距離が保持されたときロータリ
ーシリンダ２２により旋回して下ホルダ２と上ホルダ７
間に位置する旋回ノズル２１が設けられており、この旋
回ノズル２１は窒素ガスを噴出して下側シール部材３お
よび上側シール部材８を乾燥するものである。
た半導体ウェハ１の近傍の外周部には、ほぼ水平に配置
したノズル１８，２８と、下向きに配置したノズル１９
と、上向きに配置したノズル２０とを配置している。こ
れらのノズル１８，１９，２０，２８は各一個ずつのも
のとして図示しているが、その本数および向きは処理液
の種類数や必要供給量により決まり、説明の都合上その
向きを代表したものを示しており、半導体ウェハ１の周
方向に適当な間隔で複数設けても良い。ノズル１８はエ
ッチング液を供給するもので、ノズル１９，２０，２８
は洗浄液として超純水を供給するものである。また下ホ
ルダ２および上ホルダ７の外周部には、下ホルダ２と上
ホルダ７間に所定の対向距離が保持されたときロータリ
ーシリンダ２２により旋回して下ホルダ２と上ホルダ７
間に位置する旋回ノズル２１が設けられており、この旋
回ノズル２１は窒素ガスを噴出して下側シール部材３お
よび上側シール部材８を乾燥するものである。
【００１３】次に、上述した半導体ウェハシールエッチ
ング装置を用いて半導体ウェハ１にシールエッチングを
行なう手順について説明する。
ング装置を用いて半導体ウェハ１にシールエッチングを
行なう手順について説明する。
【００１４】まず、シリンダ装置１７により第二ホルダ
１２の最上面が下側シール部材３の最上面よりさらに高
くなる位置まで上昇させる。このとき第二ホルダ１２の
最上面と下側シール部材３の最上面との間隔は、真空ピ
ンセットやロボットフィンガなどのウェハ搬送手段が入
り得る程度とし、このウェハ搬送手段にて半導体ウェハ
１を第二ホルダ１２上に載せる。この搭載方法は、所定
の位置でフィンガを下降しても良いし、所定の位置にフ
ィンガを保持して第二ホルダ１２をさらに上昇させても
良い。このとき図１に示した旋回ノズル２１はロータリ
ーシリンダ２２により旋回して上下ホルダ２，７の対向
部から離れた位置に退避している。ウェハ搬送手段を定
常位置に復帰させた後、シリンダ装置１７により第二ホ
ルダ１２を下降し、その最上面が下側シール部材３の最
上面よりさらに下降するようにして、図１に示すように
半導体ウェハ１が下側シール部材３の上面に載るように
する。
１２の最上面が下側シール部材３の最上面よりさらに高
くなる位置まで上昇させる。このとき第二ホルダ１２の
最上面と下側シール部材３の最上面との間隔は、真空ピ
ンセットやロボットフィンガなどのウェハ搬送手段が入
り得る程度とし、このウェハ搬送手段にて半導体ウェハ
１を第二ホルダ１２上に載せる。この搭載方法は、所定
の位置でフィンガを下降しても良いし、所定の位置にフ
ィンガを保持して第二ホルダ１２をさらに上昇させても
良い。このとき図１に示した旋回ノズル２１はロータリ
ーシリンダ２２により旋回して上下ホルダ２，７の対向
部から離れた位置に退避している。ウェハ搬送手段を定
常位置に復帰させた後、シリンダ装置１７により第二ホ
ルダ１２を下降し、その最上面が下側シール部材３の最
上面よりさらに下降するようにして、図１に示すように
半導体ウェハ１が下側シール部材３の上面に載るように
する。
【００１５】その後、シリンダ装置１１により上ホルダ
７を下降して、半導体ウェハ１の上面に上側シール部材
８を所定の力で押し付け図２に示す状態にする。次い
で、下ホルダ２をモータ５により回転するが、このとき
上ホルダ７は、シリンダ装置１１により半導体ウェハ１
を介して下ホルダ２へ所定の力で押し付けられているの
で、半導体ウェハ１との接触部分での摩擦力により供回
りする。この結果、半導体ウェハ１は、下側シール部材
３および上側シール部材８により上下からシールされた
状態で水平面内で回転することになる。この回転を保持
しながら、半導体ウェハ１とほぼ同一水平面で外周部に
配置したノズル１８よりエッチング液を供給すると、半
導体ウェハ１の上面および下面が下側シール部材３およ
び上側シール部材８により保護されているため、半導体
ウェハ１の中心側にエッチング液が侵入することなく、
半導体ウェハ１の外周端面のみをエッチングすることが
できる。このエッチングを所定時間行なった後、ノズル
１８からのエッチング液の供給を停止し、今度はノズル
２０，２８より超純水を供給してエッチング液を除去す
ると共に洗浄する。
７を下降して、半導体ウェハ１の上面に上側シール部材
８を所定の力で押し付け図２に示す状態にする。次い
で、下ホルダ２をモータ５により回転するが、このとき
上ホルダ７は、シリンダ装置１１により半導体ウェハ１
を介して下ホルダ２へ所定の力で押し付けられているの
で、半導体ウェハ１との接触部分での摩擦力により供回
りする。この結果、半導体ウェハ１は、下側シール部材
３および上側シール部材８により上下からシールされた
状態で水平面内で回転することになる。この回転を保持
しながら、半導体ウェハ１とほぼ同一水平面で外周部に
配置したノズル１８よりエッチング液を供給すると、半
導体ウェハ１の上面および下面が下側シール部材３およ
び上側シール部材８により保護されているため、半導体
ウェハ１の中心側にエッチング液が侵入することなく、
半導体ウェハ１の外周端面のみをエッチングすることが
できる。このエッチングを所定時間行なった後、ノズル
１８からのエッチング液の供給を停止し、今度はノズル
２０，２８より超純水を供給してエッチング液を除去す
ると共に洗浄する。
【００１６】次に、図３に示すように高速スピン洗浄を
行う。つまり、まずシリンダ装置１７を動作させてスピ
ンシャフト２６を介して第二ホルダ１２を上昇させ、そ
の上面を半導体ウェハ１の下面に接触させ、この状態で
排気装置１６等から成る真空吸着手段を作動させて半導
体ウェハ１を第二ホルダ１２に真空吸着する。次に、上
ホルダ７をシリンダ装置１１により上昇させるが、この
とき半導体ウェハ１は第二ホルダ１２に真空吸着されて
いるため供上がりするのを防止できる。これと共にスピ
ンシャフト２６をさらに上昇させると、半導体ウェハ１
を下ホルダ２より押し上げた図３の状態になり、下ホル
ダ２と上ホルダ７間の対向部に半導体ウェハ１を位置さ
せることができる。ここで、モータ１３を作動させてス
ピンシャフト２６および第二ホルダ１２と共に半導体ウ
ェハ１を高速回転させ、ノズル１９，２０より半導体ウ
ェハ１の上面および下面に超純水を供給し高速スピン洗
浄を行なう。
行う。つまり、まずシリンダ装置１７を動作させてスピ
ンシャフト２６を介して第二ホルダ１２を上昇させ、そ
の上面を半導体ウェハ１の下面に接触させ、この状態で
排気装置１６等から成る真空吸着手段を作動させて半導
体ウェハ１を第二ホルダ１２に真空吸着する。次に、上
ホルダ７をシリンダ装置１１により上昇させるが、この
とき半導体ウェハ１は第二ホルダ１２に真空吸着されて
いるため供上がりするのを防止できる。これと共にスピ
ンシャフト２６をさらに上昇させると、半導体ウェハ１
を下ホルダ２より押し上げた図３の状態になり、下ホル
ダ２と上ホルダ７間の対向部に半導体ウェハ１を位置さ
せることができる。ここで、モータ１３を作動させてス
ピンシャフト２６および第二ホルダ１２と共に半導体ウ
ェハ１を高速回転させ、ノズル１９，２０より半導体ウ
ェハ１の上面および下面に超純水を供給し高速スピン洗
浄を行なう。
【００１７】このように本実施例による半導体ウェハシ
ールエッチング装置では、エッチング処理後、直ちに高
速スピン洗浄が可能であり、しかも第二ホルダ１２は径
小であるため容易に高速度回転させることができ、また
第二ホルダ１２が下側シ−ル部材３よりも径小であるた
め、ノズル２０より供給した超純水をエッチング時に下
側シ−ル部材３と接触していた部分にも供給することが
でき同部を容易に洗浄することもできる。同様に、半導
体ウェハ１を下部から第二ホルダ１２で真空吸着してい
るため、ノズル１９より供給した超純水をエッチング時
に上側シ−ル部材８と接触していた部分にも供給するこ
とができ同部を容易に洗浄することもできる。このよう
にして高速清浄処理が実現できる。この洗浄後、ノズル
１９，２０からの超純水の供給を停止し、第二ホルダ１
２を介して半導体ウェハ１を引き続き高速で回転させる
ことにより高速スピン脱水乾燥を行なう。この乾燥の
際、半導体ウェハ１の外周部に別に設けたノズルによ
り、あるいは、ノズル１９，２０の流路を切り替えて窒
素ガスを供給し、半導体ウェハ１の乾燥を促進すること
もできる。このようにしてエッチングおよび洗浄が終了
した後、スピンシャフト１２を介して半導体ウェハ１を
さらに上昇させ、ロボットフィンガ等のウェハ搬送手段
によって半導体ウェハ１を搬出する。
ールエッチング装置では、エッチング処理後、直ちに高
速スピン洗浄が可能であり、しかも第二ホルダ１２は径
小であるため容易に高速度回転させることができ、また
第二ホルダ１２が下側シ−ル部材３よりも径小であるた
め、ノズル２０より供給した超純水をエッチング時に下
側シ−ル部材３と接触していた部分にも供給することが
でき同部を容易に洗浄することもできる。同様に、半導
体ウェハ１を下部から第二ホルダ１２で真空吸着してい
るため、ノズル１９より供給した超純水をエッチング時
に上側シ−ル部材８と接触していた部分にも供給するこ
とができ同部を容易に洗浄することもできる。このよう
にして高速清浄処理が実現できる。この洗浄後、ノズル
１９，２０からの超純水の供給を停止し、第二ホルダ１
２を介して半導体ウェハ１を引き続き高速で回転させる
ことにより高速スピン脱水乾燥を行なう。この乾燥の
際、半導体ウェハ１の外周部に別に設けたノズルによ
り、あるいは、ノズル１９，２０の流路を切り替えて窒
素ガスを供給し、半導体ウェハ１の乾燥を促進すること
もできる。このようにしてエッチングおよび洗浄が終了
した後、スピンシャフト１２を介して半導体ウェハ１を
さらに上昇させ、ロボットフィンガ等のウェハ搬送手段
によって半導体ウェハ１を搬出する。
【００１８】その後、次の半導体ウェハ１を上述の場合
と同様に搬入するが、その搬入に先立って、下側および
上側シ−ル部材３，８を洗浄して次の半導体ウェハ１を
汚染しないようにする。
と同様に搬入するが、その搬入に先立って、下側および
上側シ−ル部材３，８を洗浄して次の半導体ウェハ１を
汚染しないようにする。
【００１９】これは、まず図４に示すように上ホルダ７
を下ホルダ２と接触しない所定の位置までシリンダ装置
１１によって下降させ、また第二ホルダ１２をシリンダ
装置１７によって図示のように下ホルダ２と上ホルダ７
間の所定の位置まで上昇させる。その後、下ホルダ２は
モ−タ５により、また上ホルダ７はモ−タ１０により、
さらに第二ホルダ１２はモ−タ１３によりそれぞれ回転
させながら、ノズル１８，２０などにより超純水を供給
して洗浄を行なう。このとき下側シ−ル部材３、上側シ
−ル部材８および第二ホルダ１２はそれぞれ回転しなが
ら超純水の供給を受けるため、それらの表面を良好に洗
浄することができる。これらの洗浄後の乾燥は、ノズル
１８，２０などからの超純水の供給を停止し、下ホルダ
２、上ホルダ７および第二ホルダ１２を引き続き回転さ
せて脱水を行なうが、第二ホルダ１２は高速スピン脱水
とする。また下側シ−ル部材３および上側シ−ル部材８
は適当なノズル、例えば、図１に示した旋回ノズル２１
をロ−タリ−シリンダ２２によって旋回して、その先端
の上下に形成した吹き出し口を同図に示すように下側シ
−ル部材３と上側シ−ル部材８に対向させ、この旋回ノ
ズル２１からの窒素ガスの吹き付けを併用しながら乾燥
させるが、これは、本実施例において対象となる半導体
ウェハ１は６インチと大きく、これに対応する径を有し
て半導体ウェハ１を挟持する上下ホルダ２，７を十分脱
水可能な速度で回転させることが機構上非常に困難なた
め有効な乾燥となる。
を下ホルダ２と接触しない所定の位置までシリンダ装置
１１によって下降させ、また第二ホルダ１２をシリンダ
装置１７によって図示のように下ホルダ２と上ホルダ７
間の所定の位置まで上昇させる。その後、下ホルダ２は
モ−タ５により、また上ホルダ７はモ−タ１０により、
さらに第二ホルダ１２はモ−タ１３によりそれぞれ回転
させながら、ノズル１８，２０などにより超純水を供給
して洗浄を行なう。このとき下側シ−ル部材３、上側シ
−ル部材８および第二ホルダ１２はそれぞれ回転しなが
ら超純水の供給を受けるため、それらの表面を良好に洗
浄することができる。これらの洗浄後の乾燥は、ノズル
１８，２０などからの超純水の供給を停止し、下ホルダ
２、上ホルダ７および第二ホルダ１２を引き続き回転さ
せて脱水を行なうが、第二ホルダ１２は高速スピン脱水
とする。また下側シ−ル部材３および上側シ−ル部材８
は適当なノズル、例えば、図１に示した旋回ノズル２１
をロ−タリ−シリンダ２２によって旋回して、その先端
の上下に形成した吹き出し口を同図に示すように下側シ
−ル部材３と上側シ−ル部材８に対向させ、この旋回ノ
ズル２１からの窒素ガスの吹き付けを併用しながら乾燥
させるが、これは、本実施例において対象となる半導体
ウェハ１は６インチと大きく、これに対応する径を有し
て半導体ウェハ１を挟持する上下ホルダ２，７を十分脱
水可能な速度で回転させることが機構上非常に困難なた
め有効な乾燥となる。
【００２０】尚、上述の下側シ−ル部材３および上側シ
−ル部材８の洗浄液および乾燥ガスを供給するノズル
は、専用ノズルとして設けても良く、また流路を切り替
えて兼用ノズルとしても良い。また下ホルダ２，上ホル
ダ７および第二ホルダ１２は、それらの回転手段および
上下動させる駆動手段は、図示の構成に限らず採用する
ことができる。
−ル部材８の洗浄液および乾燥ガスを供給するノズル
は、専用ノズルとして設けても良く、また流路を切り替
えて兼用ノズルとしても良い。また下ホルダ２，上ホル
ダ７および第二ホルダ１２は、それらの回転手段および
上下動させる駆動手段は、図示の構成に限らず採用する
ことができる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体ウェ
ハシールエッチング装置によれば、対向側にそれぞれシ
−ル部材を有するホルダの一方の内側に径小の第二ホル
ダを設け、この第二ホルダは半導体ウェハを保持して上
下動および高速回転可能に構成したため、シ−ル部材間
に挟持した半導体ウェハの外周部以外の部分をエッチン
グ液による劣化から保護することができると共に、第二
ホルダによって保持した状態で半導体ウェハの広範囲な
部分の洗浄を容易に行なうことができる。
ハシールエッチング装置によれば、対向側にそれぞれシ
−ル部材を有するホルダの一方の内側に径小の第二ホル
ダを設け、この第二ホルダは半導体ウェハを保持して上
下動および高速回転可能に構成したため、シ−ル部材間
に挟持した半導体ウェハの外周部以外の部分をエッチン
グ液による劣化から保護することができると共に、第二
ホルダによって保持した状態で半導体ウェハの広範囲な
部分の洗浄を容易に行なうことができる。
【図１】本発明の一実施例による半導体ウェハシールエ
ッチング装置を模式的に示す縦断面図である。
ッチング装置を模式的に示す縦断面図である。
【図２】図１に示した半導体ウェハシールエッチング装
置によるエッチング状態を示す縦断面図である。
置によるエッチング状態を示す縦断面図である。
【図３】図１に示した半導体ウェハシールエッチング装
置による高速スピン洗浄状態を示す縦断面図である。
置による高速スピン洗浄状態を示す縦断面図である。
【図４】図１に示した半導体ウェハシールエッチング装
置の各部の洗浄状態を示す縦断面図である。
置の各部の洗浄状態を示す縦断面図である。
１ 半導体ウェハ ２ 下ホルダ ３ 下側シ−ル部材 ５，１０，１３ モータ ７ 上ホルダ ８ 上側シ−ル部材 １１，１７ シリンダ装置 １２ 第二ホルダ １６ 排気装置 １８，１９，２０，２８ ノズル ２１ 旋回ノズル ２６ スピンシャフト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 狩野 清隆 茨城県日立市会瀬町二丁目９番１号 日 立設備エンジニアリング株式会社内 (56)参考文献 特開 平７−122529（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−130922（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−196832（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−287624（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304,21/306
Claims (6)
- 【請求項１】 対向部にそれぞれ環状のシール部材を有
する一対のホルダ間に半導体ウェハを挟持してその外周
部をエッチング処理し、その後、上記半導体ウェハを洗
浄および乾燥させる半導体ウェハシールエッチング装置
において、一方の上記ホルダの内側に、このホルダに対
して上下動および回転可能な径小の第二ホルダを設けた
ことを特徴とする半導体ウェハシールエッチング装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のものにおいて、上記両シ
ール部材を洗浄液の吹き付けにより洗浄するノズルを設
けたことを特徴とする半導体ウェハシールエッチング装
置。 - 【請求項３】 請求項１記載のものにおいて、上記両ホ
ルダは、少なくともいずれか一方を上下動可能であると
共に、それぞれ回転手段によって回転可能に構成し、上
記ホルダの上記両シール部材をそれぞれ洗浄液の吹き付
けにより洗浄するノズルを設けたことを特徴とする半導
体ウェハシールエッチング装置。 - 【請求項４】 請求項３記載のものにおいて、上記両シ
ール部材間の対向部に移動可能であると共に上記両シー
ル部材側にそれぞれ乾燥ガス吹き付け口を有する旋回ノ
ズルを設けたことを特徴とする半導体ウェハシールエッ
チング装置。 - 【請求項５】 請求項１記載のものにおいて、上記両ホ
ルダは、少なくともいずれか一方を上下動可能に構成
し、上記第二ホルダに上記半導体ウェハを保持する真空
吸着手段と、開離した上記両ホルダ間に上記第二ホルダ
に保持した上記半導体ウェハが位置した状態で、上記半
導体ウェハの上記両シール部材に対応する位置をそれぞ
れ洗浄する洗浄液を供給するノズルを設けたことを特徴
とする半導体ウェハシールエッチング装置。 - 【請求項６】 請求項１記載のものにおいて、上記両ホ
ルダは、少なくともいずれか一方を上下動可能に構成
し、上記第二ホルダに上記半導体ウェハを保持する真空
吸着手段と、開離した上記両ホルダ間に上記第二ホルダ
に保持した上記半導体ウェハが位置すると共に上記半導
体ウェハを回転させた状態で、上記半導体ウェハの上記
両シール部材に対応する位置をそれぞれ洗浄する洗浄液
を供給するノズルを設けたことを特徴とする半導体ウェ
ハシールエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16085595A JP3137873B2 (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | 半導体ウェハシールエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16085595A JP3137873B2 (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | 半導体ウェハシールエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0917768A JPH0917768A (ja) | 1997-01-17 |
| JP3137873B2 true JP3137873B2 (ja) | 2001-02-26 |
Family
ID=15723852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16085595A Expired - Fee Related JP3137873B2 (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | 半導体ウェハシールエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3137873B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8756351B2 (en) | 2008-10-10 | 2014-06-17 | International Business Machines Corporation | Tape drive, tape drive recording system, and method for selecting improved tape speed in response to intermittent read requests |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6516815B1 (en) * | 1999-07-09 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Edge bead removal/spin rinse dry (EBR/SRD) module |
| DE10030431A1 (de) * | 2000-06-21 | 2002-01-10 | Karl Suess Kg Praez Sgeraete F | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen und/oder Bonden von Substraten |
| US6770565B2 (en) | 2002-01-08 | 2004-08-03 | Applied Materials Inc. | System for planarizing metal conductive layers |
| US7352438B2 (en) * | 2006-02-14 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20100117279A1 (en) * | 2006-11-27 | 2010-05-13 | Camtek Ltd. | Supporting system and a method for supporting an object |
| JP4926933B2 (ja) * | 2007-12-14 | 2012-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
| JP5291039B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2013-09-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板保持回転装置および基板処理装置 |
| JP5516447B2 (ja) * | 2011-02-08 | 2014-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
| JP7171371B2 (ja) * | 2018-11-01 | 2022-11-15 | 東邦化成株式会社 | エッチング装置 |
| JP7203593B2 (ja) * | 2018-12-25 | 2023-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
1995
- 1995-06-27 JP JP16085595A patent/JP3137873B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8756351B2 (en) | 2008-10-10 | 2014-06-17 | International Business Machines Corporation | Tape drive, tape drive recording system, and method for selecting improved tape speed in response to intermittent read requests |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0917768A (ja) | 1997-01-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |