JP3098809B2 - ウェハ処理方法 - Google Patents
ウェハ処理方法Info
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- JP3098809B2 JP3098809B2 JP20858291A JP20858291A JP3098809B2 JP 3098809 B2 JP3098809 B2 JP 3098809B2 JP 20858291 A JP20858291 A JP 20858291A JP 20858291 A JP20858291 A JP 20858291A JP 3098809 B2 JP3098809 B2 JP 3098809B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は例えば半導体ウェハやガ
ラス基板（以下単にウェハという）等を処理チャンバー
内で処理する方法に関する。
ラス基板（以下単にウェハという）等を処理チャンバー
内で処理する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩチップを製造するには、従来から
半導体ウェハの表面にＣＶＤ等の成膜技術により金属薄
膜等を形成したり、半導体ウェハの表面にレジスト液を
塗布してマスクとなるレジスト膜を形成したり、マスク
をかけて所定形状にエッチングしたり、使用後のマスク
を除去するアッシング等の多くの工程を経ている。そし
て、これらの処理はウェハの表面に対してなされ裏面に
はなされない。また液晶等に利用されるガラス基板につ
いても同様である。
半導体ウェハの表面にＣＶＤ等の成膜技術により金属薄
膜等を形成したり、半導体ウェハの表面にレジスト液を
塗布してマスクとなるレジスト膜を形成したり、マスク
をかけて所定形状にエッチングしたり、使用後のマスク
を除去するアッシング等の多くの工程を経ている。そし
て、これらの処理はウェハの表面に対してなされ裏面に
はなされない。また液晶等に利用されるガラス基板につ
いても同様である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来に
あっては専ら半導体ウェハ等の表面に対して各種処理を
行なっているのであるが、例えばＣＶＤ処理によって表
面に薄膜を形成する場合、裏面にまでポリシリコンや窒
化膜が廻り込んで形成される。このポリシリコンや窒化
膜をそのまま残しておくと歩留まり低下につながるの
で、除去する必要があるが、効率良くしかも高精度に除
去し得る方法は未だ開発されていない。
あっては専ら半導体ウェハ等の表面に対して各種処理を
行なっているのであるが、例えばＣＶＤ処理によって表
面に薄膜を形成する場合、裏面にまでポリシリコンや窒
化膜が廻り込んで形成される。このポリシリコンや窒化
膜をそのまま残しておくと歩留まり低下につながるの
で、除去する必要があるが、効率良くしかも高精度に除
去し得る方法は未だ開発されていない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明に係るウェハ処理方法は、ウェハ収納カセットと、
ウェハを着脱自在に保持するとともに水平軸を中心とし
て１８０°反転可能なチャックを有するハンドリングユ
ニットと、上面に少なくとも３本の支持ピンが突出しま
た上昇限が前記支持ピンの上端よりも上方で下降限が前
記支持ピンの上端よりも下方となる受け渡し部材を有す
る処理テーブルとを備えた処理装置を用いたウェハの処
理方法であって、以下の〜の工程を含む構成とし
た。
発明に係るウェハ処理方法は、ウェハ収納カセットと、
ウェハを着脱自在に保持するとともに水平軸を中心とし
て１８０°反転可能なチャックを有するハンドリングユ
ニットと、上面に少なくとも３本の支持ピンが突出しま
た上昇限が前記支持ピンの上端よりも上方で下降限が前
記支持ピンの上端よりも下方となる受け渡し部材を有す
る処理テーブルとを備えた処理装置を用いたウェハの処
理方法であって、以下の〜の工程を含む構成とし
た。
【０００５】表面に被膜が形成されたウェハを当該表
面が上面となるようにウェハ収納カセットに収納する。
ウェハ収納カセットに収納されたウェハの下面となっ
ている裏面をハンドリングユニットのチャックで吸着保
持してウェハをウェハ収納カセットから取り出す。チ
ャックを水平軸を中心として１８０°反転してウェハの
裏面を上面とする。チャックを移動してウェハを処理
テーブルの受け渡し部材の上方に位置せしめ るとともに
受け渡し部材を上昇せしめて下面となっているウェハの
表面の周縁を受け取る。チャックによる吸着状態を解
除するとともに受け渡し部材を支持ピンの上端よりも下
降せしめて、支持ピンにウェハを受け渡す。上記の状
態のまま処理チャンバー内に処理テーブルを臨ませウェ
ハの裏面を処理する。
面が上面となるようにウェハ収納カセットに収納する。
ウェハ収納カセットに収納されたウェハの下面となっ
ている裏面をハンドリングユニットのチャックで吸着保
持してウェハをウェハ収納カセットから取り出す。チ
ャックを水平軸を中心として１８０°反転してウェハの
裏面を上面とする。チャックを移動してウェハを処理
テーブルの受け渡し部材の上方に位置せしめ るとともに
受け渡し部材を上昇せしめて下面となっているウェハの
表面の周縁を受け取る。チャックによる吸着状態を解
除するとともに受け渡し部材を支持ピンの上端よりも下
降せしめて、支持ピンにウェハを受け渡す。上記の状
態のまま処理チャンバー内に処理テーブルを臨ませウェ
ハの裏面を処理する。
【０００６】
【作用】アームを伸ばしてチャックをカセット内のウェ
ハ下方に臨ませ、チャックにてウェハを吸着し、アーム
を縮ませることによってカセットからウェハを引き出
し、次いでチャックを１８０°回転してウェハを反転せ
しめ、この状態で再びアームを伸ばして処理チャンバー
内にウェハを投入し、上昇位置にある受け渡し部材上に
ウェハを載せ、次いで受け渡し部材が下降することで支
持ピン上にウェハを受け渡す。
ハ下方に臨ませ、チャックにてウェハを吸着し、アーム
を縮ませることによってカセットからウェハを引き出
し、次いでチャックを１８０°回転してウェハを反転せ
しめ、この状態で再びアームを伸ばして処理チャンバー
内にウェハを投入し、上昇位置にある受け渡し部材上に
ウェハを載せ、次いで受け渡し部材が下降することで支
持ピン上にウェハを受け渡す。
【０００７】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。ここで図１は本発明に係るウェハ処理装置の
斜視図、図２は同処理装置の平面図、図３はウェハ処理
テーブルの斜視図である。
説明する。ここで図１は本発明に係るウェハ処理装置の
斜視図、図２は同処理装置の平面図、図３はウェハ処理
テーブルの斜視図である。
【０００８】ウェハ処理装置は進退動自在なアームを有
する多関節ハンドリングユニット１を挟んで一対ずつの
カセット２０，２０及びプラズマ処理装置３０，３０を
左右に配置している。多関節ハンドリングユニット１は
基台２上にモータ３を設け、このモータ３の回転で多関
節アーム４を伸縮動せしめるようにしている。即ち多関
節アーム４は内部を中空にしたアーム５，６，７から構
成され、アーム５の基端部をモータ３の回転軸８に固着
し、アーム５の先端部に回転自在に支承した軸９にアー
ム６の基端部を固着し、アーム６の先端部に回転自在に
支承した軸１０にアーム７の基端部を固着し、軸８と９
間をプーリ１１，１２及びベルト１３で連結し、軸９と
１０間をプーリ１４，１５及びベルト１６で連結してい
る。
する多関節ハンドリングユニット１を挟んで一対ずつの
カセット２０，２０及びプラズマ処理装置３０，３０を
左右に配置している。多関節ハンドリングユニット１は
基台２上にモータ３を設け、このモータ３の回転で多関
節アーム４を伸縮動せしめるようにしている。即ち多関
節アーム４は内部を中空にしたアーム５，６，７から構
成され、アーム５の基端部をモータ３の回転軸８に固着
し、アーム５の先端部に回転自在に支承した軸９にアー
ム６の基端部を固着し、アーム６の先端部に回転自在に
支承した軸１０にアーム７の基端部を固着し、軸８と９
間をプーリ１１，１２及びベルト１３で連結し、軸９と
１０間をプーリ１４，１５及びベルト１６で連結してい
る。
【０００９】このように構成することで、モータ３の駆
動力が各アーム５，６，７に伝達され、アーム５，６，
７のそれぞれが軸８，９，１０を中心として回動するこ
とで多関節アーム４全体として伸縮動を行なう。尚、プ
ーリとベルトの代りにスプロケットとチェーン或いはギ
ヤ列をアーム内に組み込んでもよい。
動力が各アーム５，６，７に伝達され、アーム５，６，
７のそれぞれが軸８，９，１０を中心として回動するこ
とで多関節アーム４全体として伸縮動を行なう。尚、プ
ーリとベルトの代りにスプロケットとチェーン或いはギ
ヤ列をアーム内に組み込んでもよい。
【００１０】また、前記アーム７の先端には真空式また
は静電式のチャック１７を取り付け、このチャック１７
をアーム７内に組み込んだロータリアクチュエータ１８
にて水平軸を中心として１８０°反転可能としている。
尚、進退動自在なアームを有するハンドリングユニット
として多関節ハンドリングユニットを挙げて説明した
が、これに限らず一端を中心として回動し、伸縮動する
アーム部材を適用してもよいことは言うまでもない。
は静電式のチャック１７を取り付け、このチャック１７
をアーム７内に組み込んだロータリアクチュエータ１８
にて水平軸を中心として１８０°反転可能としている。
尚、進退動自在なアームを有するハンドリングユニット
として多関節ハンドリングユニットを挙げて説明した
が、これに限らず一端を中心として回動し、伸縮動する
アーム部材を適用してもよいことは言うまでもない。
【００１１】また、カセット２０は昇降動する支柱２１
上に取り付けられ、側壁内面に複数段の横溝を形成し、
この横溝に半導体ウェハＷの側端を係止することで、上
下方向に離間して多数枚のウェハＷを保持するようにし
ている。
上に取り付けられ、側壁内面に複数段の横溝を形成し、
この横溝に半導体ウェハＷの側端を係止することで、上
下方向に離間して多数枚のウェハＷを保持するようにし
ている。
【００１２】一方、プラズマ処理装置３０は基台３１に
開口３２を形成し、この開口３２上に石英チャンバー３
３を設置し、このチャンバー３３の周面に電極３４，３
５を設け、一方の電極３４に高周波電源３６を接続し、
他方の電極３５をアースしている。
開口３２を形成し、この開口３２上に石英チャンバー３
３を設置し、このチャンバー３３の周面に電極３４，３
５を設け、一方の電極３４に高周波電源３６を接続し、
他方の電極３５をアースしている。
【００１３】更に基台３１の開口３２の下方にはウェハ
処理テーブル４０を配置している。このウェハ処理テー
ブル４０は全体が昇降動可能とされ、最も上昇した位置
において本体４１のフランジ部４２が前記開口３２を閉
塞する。
処理テーブル４０を配置している。このウェハ処理テー
ブル４０は全体が昇降動可能とされ、最も上昇した位置
において本体４１のフランジ部４２が前記開口３２を閉
塞する。
【００１４】前記処理テーブル本体４１の上面には４本
の支持ピン４３…がウェハＷの周縁に一致するように植
設され、この支持ピン４３の上端にはウェハＷの周縁が
係合する位置決め段部４３ａを形成している。尚、支持
ピン４３の本数は３本或いは５本以上でもよい。またピ
ン４３…は針状として接触面積を小としたものであって
もよい。
の支持ピン４３…がウェハＷの周縁に一致するように植
設され、この支持ピン４３の上端にはウェハＷの周縁が
係合する位置決め段部４３ａを形成している。尚、支持
ピン４３の本数は３本或いは５本以上でもよい。またピ
ン４３…は針状として接触面積を小としたものであって
もよい。
【００１５】また処理テーブル本体４１上には受け渡し
部材４４を設けている。この受け渡し部材４４は本体４
１上端に嵌合するキャップ状（環状でもまた断環状であ
ってもよい）をなし、上面にはウェハＷの周縁が嵌り込
む環状の位置決め段部４５を形成し、この位置決め段部
４５の内側はウェハＷを載置した際にウェハＷの表面と
の接触を避けるための凹部４６とし、また位置決め段部
４５には前記支持ピン４３が貫通する穴４７を４ヵ所穿
設している。
部材４４を設けている。この受け渡し部材４４は本体４
１上端に嵌合するキャップ状（環状でもまた断環状であ
ってもよい）をなし、上面にはウェハＷの周縁が嵌り込
む環状の位置決め段部４５を形成し、この位置決め段部
４５の内側はウェハＷを載置した際にウェハＷの表面と
の接触を避けるための凹部４６とし、また位置決め段部
４５には前記支持ピン４３が貫通する穴４７を４ヵ所穿
設している。
【００１６】更に処理テーブル本体４１の中央には上下
方向の貫通穴４８を形成し、この貫通穴４８内に受け渡
し部材４４を固着した軸４９を挿通し、軸４９を図示し
ないアクチュエータにて上下動せしめることで受け渡し
部材４４を昇降動させるようにしている。ここで、受け
渡し部材４４の上昇限は支持ピン４３の上端よりも上方
で下降限は前記支持ピン４３の上端よりも下方となるよ
うに設定している。尚、処理テーブル本体４１内には本
体上面を６０℃程度に保つための熱媒体の通路５０を設
けている。
方向の貫通穴４８を形成し、この貫通穴４８内に受け渡
し部材４４を固着した軸４９を挿通し、軸４９を図示し
ないアクチュエータにて上下動せしめることで受け渡し
部材４４を昇降動させるようにしている。ここで、受け
渡し部材４４の上昇限は支持ピン４３の上端よりも上方
で下降限は前記支持ピン４３の上端よりも下方となるよ
うに設定している。尚、処理テーブル本体４１内には本
体上面を６０℃程度に保つための熱媒体の通路５０を設
けている。
【００１７】以上の如き構成のウェハ処理テーブル及び
処理装置により半導体ウェハＷの裏面をプラズマ処理
（エッチング）する場合を図４乃至図１０に基づいて説
明する。
処理装置により半導体ウェハＷの裏面をプラズマ処理
（エッチング）する場合を図４乃至図１０に基づいて説
明する。
【００１８】先ず図４に示すように、モータ３の駆動で
多関節アーム４を伸ばしてチャック１７をカセット２０
内の最上段のウェハＷ下方に臨ませる。次いで図５に示
すようにチャック１７にてウェハＷを吸着し、カセット
２０からウェハＷを引き出し、この後チャック１７を１
８０°水平軸を中心として回転せしめウェハＷを反転し
て表裏を逆にする。
多関節アーム４を伸ばしてチャック１７をカセット２０
内の最上段のウェハＷ下方に臨ませる。次いで図５に示
すようにチャック１７にてウェハＷを吸着し、カセット
２０からウェハＷを引き出し、この後チャック１７を１
８０°水平軸を中心として回転せしめウェハＷを反転し
て表裏を逆にする。
【００１９】そして、図６及び拡大図である図７に示す
ように上記の状態のまま多関節アーム４を伸ばして処理
チャンバー３３下方の処理テーブル４０上方にウェハＷ
を臨ませ、次いで受け渡し部材４４を図８に示すように
上昇させ、ウェハＷ下面を受け、チャック１７による吸
着を解除しウェハＷを受け渡し部材４４に載置する。こ
のときウェハＷは受け渡し部材４４の段部４５にその周
縁が嵌り込んで位置決めされる。
ように上記の状態のまま多関節アーム４を伸ばして処理
チャンバー３３下方の処理テーブル４０上方にウェハＷ
を臨ませ、次いで受け渡し部材４４を図８に示すように
上昇させ、ウェハＷ下面を受け、チャック１７による吸
着を解除しウェハＷを受け渡し部材４４に載置する。こ
のときウェハＷは受け渡し部材４４の段部４５にその周
縁が嵌り込んで位置決めされる。
【００２０】この後、受け渡し部材４４を下降せしめ、
受け渡し部材４４上に載置したウェハＷを図９に示すよ
うに支持ピン４３上に受け渡す。このときウェハＷはピ
ン４３上端の段部４３ａにその周縁が係合して位置決め
される。このようにしてウェハＷをピン４３上に載置し
たならば、多関節アーム４を後退させ、次いで図１０に
示すように処理テーブル４０を上昇させて基台３１の開
口３２を閉塞し、チャンバー３３内を密閉する。そし
て、この状態でチャンバー３３内を減圧するとともにチ
ャンバー３３内に処理ガスを導入し、電極３４に高周波
を印加してダウンストリーム方式のプラズマエッチング
をウェハＷの裏面（チャンバー内では上面）に施す。
受け渡し部材４４上に載置したウェハＷを図９に示すよ
うに支持ピン４３上に受け渡す。このときウェハＷはピ
ン４３上端の段部４３ａにその周縁が係合して位置決め
される。このようにしてウェハＷをピン４３上に載置し
たならば、多関節アーム４を後退させ、次いで図１０に
示すように処理テーブル４０を上昇させて基台３１の開
口３２を閉塞し、チャンバー３３内を密閉する。そし
て、この状態でチャンバー３３内を減圧するとともにチ
ャンバー３３内に処理ガスを導入し、電極３４に高周波
を印加してダウンストリーム方式のプラズマエッチング
をウェハＷの裏面（チャンバー内では上面）に施す。
【００２１】このようにして、処理が終了したならば前
記と逆の工程を経て、カセット２０内に処理済のウェハ
Ｗが表面を上面にして収納される。
記と逆の工程を経て、カセット２０内に処理済のウェハ
Ｗが表面を上面にして収納される。
【００２２】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
一連の動きの中でウェハＷを反転して、その裏面にエッ
チング等の処理を施すことができる。また処理中は既に
処理が施されているウェハの表面つまりチャンバー内で
下面となっている面とテーブルとが接触することがない
ので、処理済のウェハ表面が汚染するおそれがない。
一連の動きの中でウェハＷを反転して、その裏面にエッ
チング等の処理を施すことができる。また処理中は既に
処理が施されているウェハの表面つまりチャンバー内で
下面となっている面とテーブルとが接触することがない
ので、処理済のウェハ表面が汚染するおそれがない。
【図１】本発明に係るウェハ処理装置の斜視図
【図２】同処理装置の平面図
【図３】処理テーブルの斜視図
【図４】同処理装置の処理手順を説明する図
【図５】同処理装置の処理手順を説明する図
【図６】同処理装置の処理手順を説明する図
【図７】同処理装置の処理手順を説明する拡大図
【図８】同処理装置の処理手順を説明する拡大図
【図９】同処理装置の処理手順を説明する拡大図
【図１０】同処理装置の処理手順を説明する図
１…ハンドリングユニット、４…多関節アーム、５，
６，７…アーム、１７…チャック、２０…カセット、３
０…プラズマ処理装置、４０…処理テーブル、４３…支
持ピン、４４…受け渡し部材、Ｗ…半導体ウェハ。
６，７…アーム、１７…チャック、２０…カセット、３
０…プラズマ処理装置、４０…処理テーブル、４３…支
持ピン、４４…受け渡し部材、Ｗ…半導体ウェハ。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−131535（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−101247（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−4233（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−95244（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/68 B65G 49/07
Claims (1)
- 【請求項１】 ウェハ収納カセットと、ウェハを着脱自
在に保持するとともに水平軸を中心として１８０°反転
可能なチャックを有するハンドリングユニットと、上面
に少なくとも３本の支持ピンが突出しまた上昇限が前記
支持ピンの上端よりも上方で下降限が前記支持ピンの上
端よりも下方となる受け渡し部材を有する処理テーブル
とを備えた処理装置を用いたウェハの処理方法であっ
て、以下の〜の工程を含むことを特徴とするウェハ
の処理方法。表面に被膜が形成されたウェハを当該表
面が上面となるようにウェハ収納カセットに収納する。
ウェハ収納カセットに収納されたウェハの下面となっ
ている裏面をハンドリングユニットのチャックで吸着保
持してウェハをウェハ収納カセットから取り出す。チ
ャックを水平軸を中心として１８０°反転してウェハの
裏面を上面とする。チャックを移動してウェハを処理
テーブルの受け渡し部材の上方に位置せしめるとともに
受け渡し部材を上昇せしめて下面となっているウェハの
表面の周縁を受け取る。チャックによる吸着状態を解
除するとともに受け渡し部材を支持ピンの上端よりも下
降せしめて、支持ピンにウェハを受け渡す。上記の状
態のまま処理チャンバー内に処理テーブルを臨ませウェ
ハの裏面を処理する。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20858291A JP3098809B2 (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | ウェハ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20858291A JP3098809B2 (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | ウェハ処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536811A JPH0536811A (ja) | 1993-02-12 |
| JP3098809B2 true JP3098809B2 (ja) | 2000-10-16 |
Family
ID=16558574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20858291A Expired - Fee Related JP3098809B2 (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | ウェハ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3098809B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5789890A (en) * | 1996-03-22 | 1998-08-04 | Genmark Automation | Robot having multiple degrees of freedom |
| JP4607301B2 (ja) * | 1999-09-06 | 2011-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体処理用の搬送装置及び半導体処理システム |
| JP4605332B2 (ja) * | 2001-03-07 | 2011-01-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 基板重ね合わせ装置 |
| JP3999712B2 (ja) | 2003-07-14 | 2007-10-31 | 川崎重工業株式会社 | 多関節ロボット |
| JP5518291B2 (ja) * | 2004-10-12 | 2014-06-11 | エヴァーリス・インターナショナル・ベスローテン・フェンノートシャップ | 放出制御植物成長養分成形生成物及びその製造方法 |
| JP4896899B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2012-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置およびパーティクル付着防止方法 |
| JP6784269B2 (ja) | 2018-03-01 | 2020-11-11 | 株式会社村田製作所 | 表面実装インダクタ |
-
1991
- 1991-07-25 JP JP20858291A patent/JP3098809B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0536811A (ja) | 1993-02-12 |
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