JP3474055B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

基板処理方法および基板処理装置

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JP3474055B2
JP3474055B2 JP15222796A JP15222796A JP3474055B2 JP 3474055 B2 JP3474055 B2 JP 3474055B2 JP 15222796 A JP15222796 A JP 15222796A JP 15222796 A JP15222796 A JP 15222796A JP 3474055 B2 JP3474055 B2 JP 3474055B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示器用のガラス基板などの基板に対して洗浄や乾燥
を行う基板処理方法および基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、基板製造工程上、薬液処理(薬
液による洗浄処理)、水洗処理(薬液の洗い流しなどの
洗浄処理)、乾燥処理からなる一連の工程を行う場合、
水洗処理及び乾燥処理、特に、乾燥処理において基板に
薬液のミストなどが再付着するのを防止するために、薬
液雰囲気と水洗・乾燥雰囲気とを分離する目的で、従来
一般に、薬液処理装置と水洗・乾燥処理装置とに分けて
上記一連の基板処理を行っている。
【0003】図5に示すように、従来の薬液処理装置1
00は、外周把持式のスピンチャック101や薬液の周
囲への飛散を防止するカップ102、基板Wの表面(図
の上面側)に薬液を供給するノズル103、基板Wの裏
面(図の下面側)に薬液を供給するノズル104などで
構成されている。スピンチャック101は、図示しない
モーターに連結された回転軸105の上端にベース部材
106が一体的に連結され、このベース部材106に複
数個の保持部材107が設けられて構成されている。各
保持部材107に、基板Wの外周端部の複数箇所が保持
され、回転軸105を回転させることで、基板Wは鉛直
軸周りに回転されるようになっている。そして、基板W
をスピンチャック101に保持させて回転させながら基
板Wの表面および裏面に薬液を供給して薬液処理が行わ
れる。
【0004】また、水洗・乾燥処理装置200は、ノズ
ル103、104から洗浄水(例えば、純水等)が供給
されるようになっている以外、基本的な構成は薬液処理
装置100と同じ(同一部品に同一符号を付している)
である。そして、基板Wをスピンチャック101に保持
させて回転させながら基板Wの表面および裏面に洗浄水
を供給して水洗処理を行い、その後、洗浄水の供給を停
止し、基板Wを回転させて基板Wに付着している洗浄水
を振り切り乾燥する乾燥処理を行う。
【0005】なお、薬液処理装置100と水洗・乾燥処
理装置200との間には、薬液処理装置100で薬液処
理が終了した基板Wを水洗・乾燥処理装置200に搬送
するための搬送装置300が備えられている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。
【0007】まず、薬液処理では、回転される基板Wの
端縁から振り切られる薬液がカップ102で跳ね返って
基板Wに再付着するという不都合があった。この再付着
される薬液(のミスト)は、一旦カップ102に触れた
ものでカップ102に付着しているパーティクルなどを
含んで基板Wに再付着されるので、基板Wの汚染などを
招くことになる。
【0008】また、スピンチャック101として真空吸
着式のものを用いる場合、基板Wの回転を安定的に行わ
せるために基板Wの裏面の中心部付近のある程度広い面
積を、吸着式のスピンチャックの吸着面に接触させなけ
ればならず、その部分の薬液処理が行えないし、基板W
に部材が接触すること自体基板Wの汚染につながるの
で、この種の薬液処理装置100や水洗・乾燥処理装置
200では、一般的に、図5に示すような外周把持式の
スピンチャック101が用いられている。しかしなが
ら、外周把持式のスピンチャック101の場合、回転軸
105に連結させるように保持部材107を支持するベ
ース部材106が必要である一方、ノズル104からの
薬液を基板Wの裏面に供給する必要から、従来のベース
部材106は、図6に示すように、回転軸105との連
結部分から放射状にアーム106aが延びた形状に構成
されている。
【0009】しかしながら、図6のようなスピンチャッ
ク101を用いる従来装置においては、薬液処理中、ベ
ース部材106のアーム106aの水平回転によって、
ノズル104から供給される薬液が液斬りされ、多量の
ミストが発生し、カップ102内に浮遊していた。そし
て、このような薬液のミストが基板Wに付着し、薬液処
理の不均一(例えば、フッ化水素酸を薬液とした薬液処
理はエッチング処理であり、このエッチングの進行にバ
ラツキが生じる)を招いていた。
【0010】また、水洗処理でも薬液処理と同様の不都
合が起きていた。すなわち、回転される基板Wの端縁か
ら振り切られる洗浄水がカップ102で跳ね返って基板
Wに再付着し、基板Wの汚染などを招いていた。
【0011】このように、基板Wを回転させて基板Wに
所定の処理液(薬液や洗浄水)を供給して行われる基板
処理においては、基板Wから振り切られた処理液がカッ
プ102などに跳ね返って基板Wに再付着したり、カッ
プ102内に浮遊する処理液のミストが基板Wに再付着
することにより、基板Wの汚染や処理の不均一などの不
都合が避けられなかった。
【0012】また、水洗処理でも、図6のようなスピン
チャック101を用いることから、薬液処理と同様に、
洗浄水のミストが多量に発生し、水洗・乾燥処理装置2
00のカップ102内に浮遊する。乾燥処理中、この洗
浄水のミストが基板Wに付着し、乾燥処理が不均一、不
完全になったり、基板Wにウォーターマークが形成され
るなどの不都合が起きていた。
【0013】このように、乾燥処理では、周囲の雰囲気
(周囲に浮遊するミストなど)の影響により、乾燥の仕
上がりが大きく影響を受けていた。
【0014】また、従来の構成では、薬液処理と、水洗
・乾燥処理を別々の装置100、200で行っており、
装置の設置面積が大きくならざるを得なかった。この種
の装置はランニングコストが高いクリーンルーム内に設
置されるので、クリーンルームの有効利用が図れないと
いう問題があった。さらに、薬液処理、水洗処理、乾燥
処理の一連の基板処理中に装置100、200間の基板
Wの搬送工程が付加されるので、一連の基板処理時間が
長くなっていた。また、搬送装置300は、薬液が付着
しているウエット状態の基板Wを搬送するので、防滴、
耐薬性が要求され、コストの高い搬送装置300を備え
ることから装置全体のコスト高を招いていた。さらに、
搬送装置300によりウエット状態の基板Wが各処理装
置100、200外の雰囲気で搬送されるので、基板W
の汚染やウォーターマークの発生原因の1つとなってい
た。
【0015】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、上記不都合を解消して、 乾燥処理
を好適に行える基板処理方法および基板処理装置、
処理液による基板処理を好適に行える基板処理方法およ
び基板処理装置、 薬液処理、水洗処理、乾燥処理の
一連の基板処理を好適に行える基板処理方法および基板
処理装置、を提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる
【0017】すなわち、請求項1に記載の方法発明は、
基板を回転させて基板に処理液を供給して、処理液によ
る基板処理を行う基板処理方法であって、基板の表面と
裏面にそれぞれ遮断部材が近接配置され、2つの遮断部
材に基板が挟まれた状態で基板を回転させて基板に処理
と不活性ガスを供給し、不活性ガス雰囲気で処理液に
よる基板処理を行うことを特徴とするものである。
【0018】請求項2に記載の方法発明は、基板を回転
させて基板に薬液を供給して薬液処理を行った後、基板
を回転させて基板に洗浄水を供給して水洗処理を行い、
さらにその後、基板を回転させて乾燥させる乾燥処理を
行う基板処理方法であって、少なくとも前記水洗処理と
前記乾燥処理を、基板の表面と裏面にそれぞれ遮断部材
が近接配置され、2つの遮断部材に基板が挟まれた状態
で行い、前記水洗処理を、基板に不活性ガスを供給して
不活性ガス雰囲気で行うことを特徴とするものである
また、請求項3に記載の方法発明は、基板を回転させて
基板に薬液を供給して薬液処理を行った後、基板を回転
させて基板に洗浄水を供給して水洗処理を行い、さらに
その後、基板を回転させて乾燥させる乾燥処理を行う基
板処理方法であって、前記薬液処理を、基板の表面と裏
面にそれぞれ遮断部材が近接配置され、2つの遮断部材
に基板が挟まれた状態で行い、前記薬液処理を、基板に
不活性ガスを供給して不活性ガス雰囲気で行うことを特
徴とするものである。
【0019】
【0020】請求項4に記載の装置発明は、基板を回転
させて基板に処理液を供給して、処理液による基板処理
を行う基板処理装置であって、基板の外周端部を複数箇
所保持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持さ
れた基板を回転させる回転手段と、前記基板保持手段に
保持された基板の表面と裏面に近接配置される2つの遮
断部材と、前記各遮断部材から、前記基板保持手段に保
持された基板の表面の中心付近と裏面の中心付近とに向
けて処理液を供給する処理液供給手段と、基板の処理液
による処理中、少なくとも基板表面に近接配置される遮
断部材と基板表面との間の空間に不活性ガスを供給する
不活性ガス供給手段と、を備えたものである。
【0021】請求項5に記載の装置発明は、基板を回転
させて基板に薬液を供給して薬液処理を行った後、基板
を回転させて基板に洗浄水を供給して水洗処理を行い、
さらにその後、基板を回転させて乾燥させる乾燥処理を
行う基板処理装置であって、基板の外周端部を複数箇所
保持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持され
た基板を回転させる回転手段と、前記基板保持手段に保
持された基板の表面と裏面に近接配置される2つの遮断
部材と、前記基板保持手段に保持された基板の表面の中
心付近と裏面の中心付近とに向けて薬液を供給する薬液
供給手段と、前記各遮断部材から、前記基板保持手段に
保持された基板の表面の中心付近と裏面の中心付近とに
向けて洗浄水を供給する洗浄水供給手段と、基板の薬液
または洗浄水による処理中、少なくとも基板表面に近接
配置される遮断部材と基板表面との間の空間に不活性ガ
スを供給する不活性ガス供給手段と、を備えたものであ
る。
【0022】請求項6に記載の装置発明は、上記請求項
5に記載の基板処理装置において、前記薬液供給手段
は、前記各遮断部材から、前記基板保持手段に保持され
た基板の表面の中心付近と裏面の中心付近とに向けて薬
液を供給するように構成し、前記薬液処理も、基板の表
面と裏面にそれぞれ遮断部材が近接配置され、2つの遮
断部材に基板が挟まれた状態で行うことを特徴とするも
のである。
【0023】請求項7に記載の装置発明は、上記請求項
5に記載の基板処理装置において、前記2つの遮断部材
のうち、一方の遮断部材を、基板保持手段に保持された
基板に対して接離自在に構成し、前記薬液処理は、一方
の遮断部材を基板の一面から離し、他方の遮断部材を基
板の他面に近接配置させて行い、前記薬液供給手段は、
薬液供給位置と退避位置とで変位自在に構成され、前記
一方の遮断部材が離された基板の一面の中心付近へ薬液
を供給する第1のノズルと、前記他方の遮断部材に設け
られ、前記他方の遮断部材が近接配置された基板の他面
の中心付近へ薬液を供給する第2のノズルとを備えたこ
とを特徴とするものである。
【0024】請求項8に記載の装置発明は、上記請求項
4ないし7のいずれかに記載の基板処理装置において、
基板処理中、前記基板に近接配置される遮断部材を回転
させる遮断部材回転手段を備えたものである。
【0025】請求項9に記載の装置発明は、上記請求項
4ないし7のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記各遮断部材に洗浄水を供給する洗浄水供給手段と、
前記各遮断部材を回転させる遮断部材回転手段と、を備
えたものである。
【0026】請求項10に記載の装置発明は、基板を回
転させて基板に処理液を供給して、処理液による基板処
理を行う基板処理装置であって、基板の外周端部を複数
箇所保持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持
された基板を回転させる回転手段と、前記基板保持手段
に保持された基板の表面に近接配置され、基板に対して
接離自在に構成される遮断部材と、前記遮断部材から、
前記基板保持手段に保持された基板の表面の中心付近に
向けて処理液を供給する処理液供給手段と、薬液供給位
置と退避位置とで変位自在に構成され、前記遮断部材が
離された基板の表面の中心付近へ薬液を供給する第1の
ノズルを有する薬液供給手段と、を備え、前記薬液処理
は、前記遮断部材を基板の表面から離して行うことを特
徴とするものである。また、請求項11に記載の装置発
明は、基板を回転させて基板に処理液を供給して、処理
液による基板処理を行う基板処理装置であって、基板の
外周端部を複数箇所保持する基板保持手段と、前記基板
保持手段に保持された基板を回転させる回転手段と、前
記基板保持手段に保持された基板の表面と裏面に近接配
置される2つの遮断部材と、前記各遮断部材から、前記
基板保持手段に保持された基板の表面の中心付近と裏面
の中心付近とに向けて処理液を供給する処理液供給手段
と、基板の表面に近接配置される遮断部材の上面側、ま
たは基板の裏面に近接配置される遮断部材の下面側に洗
浄水を供給する洗浄水供給手段と、を備えたことを特徴
とするものである。
【0027】
【作用】本発明の作用は次のとおりである
【0028】請求項1に記載の方法発明によれば、処理
液(薬液や洗浄水など)による基板処理(薬液処理や水
洗処理など)を、基板の表面と裏面にそれぞれ遮断部材
を近接配置させ、2つの遮断部材に基板を挟んだ状態で
基板を回転させて基板に処理液を供給して行う。処理液
による基板処理中の基板の端縁から振り切られた処理液
がカップなどで跳ね返っても、遮断部材で遮断されて基
板に再付着するのが防止でき、周囲に浮遊している処理
液のミストなども遮断部材で遮断されて基板に再付着す
るのが防止できる。また、2つの遮断部材に基板が挟ま
れた状態で基板を回転させて基板に処理液と不活性ガス
を供給することで、基板と、それに近接配置された各遮
断部材との間の狭い空間内が不活性ガス雰囲気に置換さ
れ、不活性ガス雰囲気で処理液による基板処理を行え
る。例えば、フッ化水素酸を薬液とした薬液処理を不活
性ガス雰囲気で行うと、自然酸化膜の成長が抑制でき
る。また、水洗処理、乾燥処理を不活性ガス雰囲気で行
うと、ウォーターマークの形成を好適に抑制でき、乾燥
時間を短縮できる。な お、ここでの基板処理は、処理液
による基板処理(薬液処理、水洗処理)、乾燥処理を含
むものである。また、必要に応じて、基板裏面に近接配
置される遮断部材と基板裏面との間の空間に不活性ガス
を供給してもよい。
【0029】請求項2に記載の方法発明によれば、基板
を回転させて基板に薬液を供給して薬液処理を行った
後、基板を回転させて基板に洗浄水を供給して水洗処理
を行い、さらにその後、基板を回転させて乾燥させる乾
燥処理を行う基板処理方法のうち、少なくとも水洗処理
と乾燥処理を、基板の表面と裏面にそれぞれ遮断部材が
近接配置され、2つの遮断部材に基板が挟まれた状態で
行う。
【0030】これにより、水洗処理と乾燥処理中、遮断
部材によって薬液雰囲気は遮断され、同一装置内で薬液
処理、水洗処理、乾燥処理を行うことが可能となる。な
お、薬液処理も、基板の表面と裏面にそれぞれ遮断部材
が近接配置され、2つの遮断部材に基板が挟まれた状態
で行ってもよい。なお、水洗処理では、基板に不活性ガ
スを供給することで、基板と、それに近接配置された各
遮断部材との間の狭い空間内が不活性ガス雰囲気に置換
され、水洗処理を、不活性ガス雰囲気で行える。また、
請求項3に記載の方法発明によれば、基板を回転させて
基板に薬液を供給して薬液処理を行った後、基板を回転
させて基板に洗浄水を供給して水洗処理を行い、さらに
その後、基板を回転させて乾燥させる乾燥処理を行う基
板処理方法のうち、薬液処理を、基板の表面と裏面にそ
れぞれ遮断部材が近接配置され、2つの遮断部材に基板
が挟まれた状態で行う。なお、薬液処理では、基板に不
活性ガスを供給することで、基板と、それに近接配置さ
れた各遮断部材との間の狭い空間内が不活性ガス雰囲気
に置換され、薬液処理を、不活性ガス雰囲気で行える。
【0031】
【0032】
【0033】請求項4に記載の装置発明は、上記請求項
1に記載の方法発明を好適に実施するための装置であっ
て、その作用は以下のとおりである。
【0034】すなわち、基板はその外周端部の複数箇所
が基板保持手段に保持される。そして、その基板の表面
と裏面に2つの遮断部材が近接配置された状態で、回転
手段が基板を回転し、処理液供給手段が、各遮断部材か
ら、回転されている基板の表面の中心付近と裏面の中心
付近とに向けて処理液を供給して処理液による基板処理
が行われる。不活性ガス供給手段は、基板の処理液によ
る処理中、少なくとも基板表面に近接配置される遮断部
材と基板表面との間の空間に不活性ガスを供給する。こ
れにより、少なくとも基板表面と、それに近接配置され
た遮断部材との間の狭い空間内が不活性ガス雰囲気に置
換され、不活性ガス雰囲気で基板処理が行える。
【0035】請求項5に記載の装置発明は、上記請求項
2または請求項3に記載の方法発明を好適に実施するた
めの装置であって、その作用は以下のとおりである。
【0036】すなわち、まず、基板はその外周端部の複
数箇所が基板保持手段に保持され、回転手段で回転さ
れ、薬液供給手段により、回転されている基板の表面の
中心付近と裏面の中心付近とに向けて薬液が供給されて
薬液処理が行われる。なお、この薬液処理の際、基板の
表面と裏面に2つの遮断部材を近接配置させてもよい。
【0037】次に、基板保持手段に保持された状態の薬
液処理が終了した基板の表面と裏面に2つの遮断部材を
近接配置させ、その2つの遮断部材に基板が挟まれた状
態で、回転手段が基板を回転させ、洗浄水供給手段によ
り、各遮断部材から、基板の表面の中心付近と裏面の中
心付近とに向けて洗浄水が供給されて水洗処理が行われ
る。
【0038】そして、洗浄水の供給を停止して、2つの
遮断部材に基板が挟まれた状態で、回転手段が基板を回
転させて乾燥処理が行われる。不活性ガス供給手段は、
基板の薬液または洗浄水による処理中、少なくとも基
表面に近接配置される遮断部材と基板表面との間の空間
に不活性ガスを供給する。これにより、少なくとも基板
表面と、それに近接配置される遮断部材との間の狭い空
間内が不活性ガス雰囲気に置換され、薬液による基板の
薬液処理または洗浄水による基板の水洗処理を、不活性
ガス雰囲気で行える。
【0039】請求項6に記載の装置発明は、上記請求項
5に記載の基板処理装置において、薬液処理は、基板の
表面と裏面にそれぞれ遮断部材が近接配置され、2つの
遮断部材に基板が挟まれた状態で、基板が回転され、各
遮断部材から、基板の表面の中心付近と裏面の中心付近
とに向けて薬液が供給されて行われる。
【0040】請求項7に記載の装置発明は、上記請求項
5に記載の基板処理装置において、薬液処理は、一方の
遮断部材を基板の一面から離し、他方の遮断部材を基板
の他面に近接配置させた状態で、基板を回転させ、薬液
供給位置に位置されている第1のノズルから、遮断部材
が離された基板の一面の中心付近へ向けて薬液が供給さ
れるとともに、基板に近接配置された方の遮断部材に設
けられた第2のノズルから、遮断部材が近接配置された
基板の他面の中心付近へ向けて薬液が供給されて行われ
る。
【0041】なお、薬液処理が終了すると、第1のノズ
ルが退避位置に変位し、基板から離されていた方の遮断
部材が基板に接近されて近接配置され、2つの遮断部材
に基板が挟まれた状態で以後の水洗処理、乾燥処理が行
われる。
【0042】請求項8に記載の装置発明は、上記請求項
4ないし7のいずれかに記載の基板処理装置において、
遮断部材回転手段は、基板処理中、基板に近接配置され
る遮断部材を回転させる。この基板と遮断部材との回転
により、基板と遮断部材との間の隙間からのミストなど
の流れ込みが抑制される。なお、ここでの基板処理は、
処理液による基板処理(薬液処理、水洗処理)、乾燥処
理を含むものである。
【0043】請求項9に記載の装置発明は、上記請求項
4ないし7のいずれかに記載の基板処理装置において、
基板が基板保持手段に保持されていない状態で、洗浄水
供給手段は各遮断部材に洗浄水を供給し、遮断部材回転
手段が各遮断部材を回転させることにより、各遮断部材
の洗浄が行え、さらに、各遮断部材への洗浄水の供給を
停止した後、さらに、各遮断部材を回転させることによ
り、各遮断部材の乾燥も行える。
【0044】請求項10に記載の装置発明によれば、基
板はその外周端部の複数箇所が基板保持手段に保持され
る。そして、薬液処理は、遮断部材を基板の表面から離
した状態で、薬液供給位置に位置されている第1のノズ
ルから、遮断部材が離された基板の表面の中心付近へ薬
液が供給される。一方、処理液による基板処理は、処理
液供給手段は、遮断部材から、基板保持手段に保持され
た基板の表面の中心付近に向けて処理液が供給される。
また,請求項11に記載の装置発明によれば、基板はそ
の外周端部の複数箇所が基板保持手段に保持される。そ
して、その基板の表面と裏面に2つの遮断部材が近接配
置された状態で、回転手段が基板を回転し、処理液供給
手段が、各遮断部材から、回転されている基板の表面の
中心付近と裏面の中心付近とに向けて処理液を供給して
処理液による基板処理が行われる。洗浄水供給手段は、
基板の表面に近接配置される遮断部材の上面側、または
基板の裏面に近接配置される遮断部材の下面側に洗浄水
を供給する。
【0045】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。
【0046】図1は、本発明の一実施例に係る基板処理
装置全体の概略構成を示す縦断面図であり、図2は、遮
断部材及びスピンチャックの概略構成を示す斜視図であ
る。
【0047】この実施例装置は、スピンチャック1に基
板Wを保持して、その基板Wに薬液処理、水洗処理、乾
燥処理の一連の基板処理を同一装置内で行うように構成
している。
【0048】スピンチャック1は、図示しないモーター
が内設された回転ブロック2により回転自在に支持され
た回転軸3の上端に遮断部材を兼ねた円盤状のベース部
材4が連結され、基板Wの外周端部の少なくとも3箇所
以上を保持する、3個以上の保持部材5をベース部材4
の外周端部付近に設けて構成されている。この実施例で
は、基板Wの表面を上側にして基板Wがスピンチャック
1に保持される。そして、回転ブロック2内のモーター
を駆動することで、スピンチャック1に保持された基板
Wは、基板Wの中心周りに回転されるようになってい
る。なお、通常、スピンチャック1は、図に示す処理位
置と、カップ40の上方の基板搬入出位置との間で昇降
自在に構成され、この昇降動作は、図示しないエアシリ
ンダのロッドの伸縮によって回転ブロック2を昇降させ
ることで実現される。
【0049】保持部材5は、基板Wの外周端部を下方か
ら載置支持する支持部5aと、基板Wの外周端縁の位置
を規制する規制部5bとを備えている。そして、規制部
5bは、基板Wの外周端縁に接触して基板Wを保持する
作用状態と、基板Wの外周端縁から離れて基板Wの保持
を解除する非作用状態とを採り得るように構成されてい
る。なお、この保持部材5(規制部5b)の動作は、例
えば、特開昭63-153839 号公報に開示されているリンク
機構などで実現することができる。
【0050】ベース部材4の中央部にはノズル6が設け
られている。ノズル6は、中空の回転軸3の中心軸に沿
って内設された管7や、管8を介して三方バルブ9のコ
モンポートCPに連通接続されている。三方バルブ9の
第1の切り替えポートP1には、開閉弁10を介装した
管11を介して薬液供給部12が連通接続されている。
また、三方バルブ9の第2の切り替えポートP2には、
開閉弁13を介装した管14を介して洗浄水供給部15
が連通接続されている。開閉弁10、13の開閉、及
び、三方バルブ9の切り替えにより、ノズル6から基板
Wの裏面(図の下面側)の中心に向けて薬液と洗浄水と
が切り替え供給できるようになっている。
【0051】また、ベース部材4の中央部にはノズル6
と同軸に開口16が設けられている。この開口16は、
上記管7と同軸に回転軸3内に設けられた中空部17
や、開閉弁18を介装した管19を介して不活性ガス供
給部20に連通接続されている。開閉弁18を開にする
ことにより、遮断部材としてのベース部材4と基板Wの
裏面との間の空間に不活性ガス(例えば、窒素ガス)を
供給し、その空間を不活性ガス雰囲気にパージし得るよ
うに構成されている。
【0052】スピンチャック1の上方には遮断部材21
が設けられている。この遮断部材21は、鉛直方向に配
設された懸垂アーム22の下端部に取り付けら、懸垂
アーム22は、水平方向に配設された支持アーム23の
先端部に回動自在に支持されている。支持アーム23の
先端部にはモーター24が設けられ、モーター24を駆
動することにより、懸垂アーム22を介して遮断部材2
1が、支持アーム23に対して鉛直軸周りに回転される
ようになっている。なお、スピンチャック1の回転軸3
の回転軸芯と懸垂アーム22の回転軸芯とは一致されて
いて、遮断部材としてのベース部材4、スピンチャック
1に保持された基板W、遮断部材21は同軸周りに回転
されるようになっている。また、モーター24は、スピ
ンチャック1(に保持された基板W)と同じ方向でかつ
略同じ回転速度で遮断部材21を回転させるように構成
されている。
【0053】支持アーム23は、図示しない昇降機構
(例えば、エアシリンダのロッドの伸縮)により昇降さ
れるように構成され、これにより、遮断部材21がスピ
ンチャック1に保持された基板Wの表面に接離されるよ
うになっている。遮断部材21が、スピンチャック1に
保持された基板Wの表面に近接配置された状態で、スピ
ンチャック1に保持された基板Wは、遮断部材としての
ベース部材4と遮断部材21との間に挟まれた状態とな
り、この状態で、後述する薬液処理、水洗処理、乾燥処
理が行われる。
【0054】遮断部材21の中央部にはノズル25が設
けられている。ノズル25は、中空の懸垂アーム22の
中心軸に沿って内設された管26や、管27を介して三
方バルブ28のコモンポートCPに連通接続されてい
る。三方バルブ28の第1の切り替えポートP1には、
開閉弁29を介装した管30を介して薬液供給部31が
連通接続されている。また、三方バルブ28の第2の切
り替えポートP2には、開閉弁32を介装した管33を
介して洗浄水供給部34が連通接続されている。スピン
チャック1に保持された基板Wの表面に遮断部材21が
近接配置された状態で、開閉弁29、32の開閉、及
び、三方バルブ28の切り替えにより、ノズル25か
ら、基板Wの表面(図の上面側)の中心に向けて薬液と
洗浄水とが切り替え供給できるようになっている。
【0055】また、遮断部材21の中央部にはノズル2
5と同軸に開口35が設けられている。この開口35
は、上記管26と同軸に懸垂アーム22内に設けられた
中空部36や、開閉弁37を介装した管38を介して不
活性ガス供給部39に連通接続されている。スピンチャ
ック1に保持された基板Wの表面に遮断部材21が近接
配置された状態で、開閉弁37を開にすることにより、
遮断部材21と基板Wの表面との間の空間に不活性ガス
(例えば、窒素ガス)を供給し、その空間を不活性ガス
雰囲気にパージし得るように構成されている。
【0056】スピンチャック1の周囲には、薬液や洗浄
水の周囲への飛散を防止するカップ40が配設されてい
る。カップ40の底部には、カップ40で回収された薬
液や洗浄水を装置外で回収するとともに、カップ40内
の排気を行うための排液・排気管41が設けられてい
る。そして、カップ40や遮断部材21などは、図示し
ないチャンバ内に収納されて1台の装置(1ユニット)
として構成されている。
【0057】次に、上記第1実施例装置の動作を説明す
る。まず、薬液処理を行う。すなわち、遮断部材21を
スピンチャック1に保持された基板Wの表面に接近させ
て近接配置させ、基板Wがベース部材4と遮断部材21
とに挟まれた状態で、回転ブロック2内のモーターを駆
動してスピンチャック1とともに基板Wを回転させ、遮
断部材21、ベース部材4に設けられたノズル25、6
から基板Wの表面の中心及び裏面の中心に薬液を供給し
て薬液処理を行う。
【0058】なお、ノズル25からの薬液の供給は、三
方バルブ28のコモンポートCPと第1の切り替えポー
トP1とが連通接続されるように三方バルブ28を切り
替え、閉になっている開閉弁29、32のうち、開閉弁
29を開にすることで行われる。ノズル6からの薬液の
供給も同様に、三方バルブ9のコモンポートCPと第1
の切り替えポートP1とが連通接続されるように三方バ
ルブ9を切り替え、閉になっている開閉弁10、13の
うち、開閉弁10を開にすることで行われる。
【0059】薬液処理中、基板Wの表裏面の中心に供給
される薬液は、基板Wの回転によって基板Wの表裏面に
広がり、基板Wの表裏面全面に対する薬液処理が行われ
る。そして、薬液は基板Wの端縁から振り切られ、遮断
部材としてのベース部材4と遮断部材21との間の隙間
からカップ40方向に飛散していく。この薬液がカップ
40で跳ね返ってきても、遮断部材としてのベース部材
4および遮断部材21に遮断されるので、その跳ね返っ
てきた薬液(のミスト)が基板Wに再付着するのが防止
される。また、基板Wの端縁から振り切られたり、カッ
プ40にぶつかってできた薬液のミストがカップ40内
に浮遊していても、遮断部材としてのベース部材4およ
び遮断部材21に遮断されるので、そのカップ40内に
浮遊している薬液のミストが基板Wに再付着するのも防
止される。
【0060】なお、ベース部材4と基板Wの裏面との間
隔および遮断部材21と基板Wの表面との間隔を10m
m以下に設定することで、カップ40から跳ね返ったミ
ストや、カップ40内に浮遊しているミストが、ベース
部材4と遮断部材21との間の隙間から、ベース部材4
と遮断部材21との間の基板Wを含む空間内に進入する
のも好適に抑制できたことを実験結果により確認でき
た。
【0061】また、薬液は基板Wの表裏面に近接された
遮断部材21、ベース部材4に設けられたノズル25、
6から供給されるので、従来の薬液処理装置100のよ
うに、供給される薬液が液斬りされるようなことはな
い。さらに、基板Wの表裏面とノズル25、6との距離
が短いので、供給された薬液が基板Wにぶつかって発生
するミストの量も少なくなる。従って、本実施例によれ
ば、従来装置100に比べて薬液のミストの発生量自体
を減少させることができる。
【0062】薬液処理を所定時間行うと、基板Wの回転
を継続しつつ、ノズル6、25から供給される処理液を
薬液から洗浄水に切り替え、薬液処理を終了して、水洗
処理を開始する。なお、ノズル6から供給される処理液
を薬液から洗浄水に切り替えるのは、開閉弁10を閉に
し、三方バルブ9のコモンポートCPと第2の切り替え
ポートP2とが連通接続されるように三方バルブ9を切
り替え、開閉弁13を開にすることで行われる。ノズル
25から供給される処理液を薬液から洗浄水に切り替え
るのも同様に、開閉弁29を閉にし、三方バルブ28の
コモンポートCPと第2の切り替えポートP2とが連通
接続されるように三方バルブ28を切り替え、開閉弁3
2を開にすることで行われる。
【0063】薬液処理から水洗処理に切り替えた当初
は、ベース部材4と遮断部材21との間の基板Wを含む
空間内には薬液が残留しているが、その残留薬液は、所
定時間後には洗浄水に置換される。すなわち、上記残留
薬液は、基板Wの回転とともに基板Wの表裏面に広がり
基板Wの端縁から振り切られる洗浄水とともに、ベース
部材4と遮断部材21との間の基板Wを含む空間の外に
排出されていく。以後は洗浄水による水洗処理が行われ
る。
【0064】この水洗処理も、薬液が洗浄水に代わった
に過ぎないので、上記薬液処理と同様に、カップ40で
跳ね返った洗浄水のミストやカップ40内に浮遊してい
る洗浄水のミストがベース部材4および遮断部材21に
より基板Wに再付着するのを防止でき、また、洗浄水の
ミストの発生量自体を減少させることができる。さら
に、水洗処理に先立ち行った薬液処理時に発生した薬液
のミストが、水洗処理時にもカップ40内に浮遊してい
ても、ベース部材4や遮断部材21により水洗処理時に
その薬液のミストが水洗処理中の基板Wに再付着するの
が防止できる。従って、薬液雰囲気の影響を受けずに水
洗処理を行うことができ、薬液処理と水洗処理を同じ装
置内で行うことができる。なお、カップ40内に浮遊し
ている薬液や洗浄水のミストは、常時、カップ40の上
方から取り込まれるダウンフローの気流によってカップ
40の底部方向に流下され、排液・排気管41から排出
されている。
【0065】水洗処理を所定時間行うと、基板の回転を
継続しつつ、ノズル6、25からの洗浄水の供給を停止
して、水洗処理を終了し、乾燥処理を開始する。ノズル
6、25からの洗浄水の供給停止は、開閉弁13、32
を閉にすることで行われる。
【0066】この乾燥処理により、基板Wに付着してい
る洗浄水は、基板Wの回転とともに、基板Wの端縁から
振り切られていき、基板Wが乾燥される。このとき、カ
ップ40内に薬液や洗浄水のミストが浮遊していても、
ベース部材4や遮断部材21により遮断されて、乾燥処
理中の基板Wに再付着するのが防止でき、薬液や洗浄水
のミスト(外部雰囲気)による影響を受けずに乾燥処理
を行うことができる。また、薬液雰囲気を受けずに乾燥
処理を行うことができるので、薬液処理と乾燥処理とを
同じ装置内で行うことができる。
【0067】乾燥処理を所定時間行うと、スピンチャッ
ク1の回転を停止させて乾燥処理を終了する。
【0068】上述したように、上記実施例によれば、薬
液処理、水洗処理、乾燥処理をそれぞれ精度良く行うこ
とができる。
【0069】また、上記実施例によれば、薬液処理、水
洗処理、乾燥処理の一連の基板処理を1台の装置で行う
ことができる。薬液処理、水洗処理、乾燥処理の一連の
基板処理を従来例で行うには、2台の装置100、20
0と搬送装置300が設置される面積が必要であった
が、上記実施例では、その面積の半分以下の面積で足
り、クリーンルームの有効利用を図ることができる。ま
た、高価な搬送装置300が不要になり、スピンチャッ
ク101やカップ102が1個で良くなったなど装置の
コストを大幅に低減できる。さらに、薬液処理、水洗処
理、乾燥処理の一連の基板処理の間、基板Wの搬送工程
が不要になったので、スループットも大幅に向上でき
る。また、薬液処理、水洗処理、乾燥処理の一連の基板
処理の間、ウエット状態の基板Wが装置(カップ40)
の外に出されることがないので、基板Wの汚染やウォー
ターマークの形成などを低減させることができる。
【0070】なお、薬液処理または/および水洗処理ま
たは/および乾燥処理の間、モーター24を駆動して遮
断部材21をスピンチャック1と同方向にかつ略同じ回
転速度で回転、すなわち、遮断部材21、基板W、ベー
ス部材4を同方向にかつ略同じ回転速度で回転させるよ
うにしてもよい。このように動作させれば、遮断部材2
1、基板W、ベース部材4の回転速度差が無くなり、カ
ップ40内に浮遊するミストがベース部材4と遮断部材
21との間の隙間から、ベース部材4と遮断部材21と
の間の基板Wを含む空間内に進入してくるのを好適に抑
制することができる。
【0071】また、薬液処理または/および水洗処理ま
たは/および乾燥処理の間、少なくとも開閉弁37を開
にして開口35から不活性ガスを吹き出させ、遮断部材
21と基板Wの表面との間の空間を不活性ガス雰囲気に
パージし、必要に応じて、開閉弁18を開にして開口1
6から不活性ガスを吹き出させ、ベース部材4と基板W
の裏面との間の空間も不活性ガス雰囲気にパージして各
基板処理を行ってもよい。例えば、薬液がフッ化水素酸
の場合、酸素が含まれる空気雰囲気で薬液処理を行えば
基板Wの表面に自然酸化膜が形成されるが、遮断部材2
1と基板Wの表面との間の空間を不活性ガス雰囲気にパ
ージすれば、基板Wの表面に自然酸化膜が形成されるの
を抑制できる。また、遮断部材21と基板Wの表面との
間の空間を不活性ガス雰囲気にパージして、水洗処理、
乾燥処理を行えば、基板Wの表面にウォーターマークが
形成されるのが抑制できる。自然酸化膜や、ウォーター
マークは、基板Wの表面側に成長、形成されるので、そ
のような不都合を回避するには、遮断部材21と基板W
の表面との間の空間のみを不活性ガス雰囲気にパージす
ればよい。また、不活性ガスを供給ながら不活性ガス
雰囲気で乾燥処理を行えば、乾燥時間の短縮を図ること
ができる。従って、乾燥時間の短縮を図るためには、遮
断部材21と基板Wの表面との間の空間、および、ベー
ス部材4と基板Wの裏面との間の空間に不活性ガスを供
給することで、基板Wの表面およぶ裏面の乾燥時間を短
縮することができる。
【0072】なお、遮断部材21と基板Wの表面との間
の空間、および、ベース部材4と基板Wの裏面との間の
空間は、極めて狭い空間であるので、これら空間を不活
性ガス雰囲気にパージするとともに、それを維持するの
に要する不活性ガスの供給量は少なくてよく、コスト高
を招かない。基板処理中、不活性ガスを供給しつづけれ
ば、供給された不活性ガスがベース部材4と遮断部材2
1との間の隙間から吹き出されるので、カップ40内に
浮遊するミストがその隙間から進入してきるのを抑制す
る効果もある。
【0073】また、図3に示すように、基板Wに薬液を
供給する薬液供給位置と、例えば、カップ40の外側の
退避位置との間で変位可能に構成された薬液供給用のノ
ズル50を備え、薬液処理は、遮断部材21を基板Wの
表面から離してノズル50を薬液供給位置(例えば、図
の実線で示す位置)に位置させて基板Wの表面には、こ
のノズル50から薬液を供給(基板Wの裏面にはノズル
6から薬液を供給)するように動作させてもよい。例え
ば、このノズル50として、薬液に超音波を付加して基
板Wに供給する超音波ノズルで構成すれば、基板Wの表
面に対する薬液処理を精度良く行うことができる。
【0074】図3の場合、薬液処理が終了すると、ノズ
ル50を退避位置に変位させ、遮断部材21を基板Wの
表面に近接配置させ、ベース部材4と遮断部材21との
間に基板Wが挟まれた状態で以後の水洗処理、乾燥処理
が行われるが、先にも述べたように、水洗処理、乾燥処
理においては、薬液雰囲気などの影響は、ベース部材4
と遮断部材21によって防止される。
【0075】なお、図3において、上記実施例と共通す
る部分は、図1と同一符号を付している。ただし、基板
Wの表面への薬液の供給をノズル50から行う場合に
は、遮断部材21のノズル25からは洗浄水のみが供給
できるようになっている。また、この図3の構成におい
ても、水洗処理や乾燥処理時に、上述した不活性ガス雰
囲気で行うように動作させたり、ベース部材4、基板
W、遮断部材21を同方向、かつ、略同じ回転速度で回
転させながら行うように動作させるようにしてもよい。
【0076】また、図4に示すように、垂設されたスピ
ンチャック60に基板Wを保持して薬液処理や水洗処
理、乾燥処理を行うように構成された基板処理装置にお
いても本発明を同様に適用することができる。なお、ス
ピンチャック60の保持部材61は、図4の矢印で示す
方向に揺動され、基板Wの保持とその解除を行うように
構成されている。その他、図4の構成において、上記実
施例と共通する部分については、図1と同一符号を付し
ている。この構成の装置の場合は、通常、基板Wの表面
は図の上面側になるが、基板Wの表面が図の下面側にな
る場合には、例えば、図3と同様の薬液供給用の(超音
波)ノズル50を備え、遮断部材21を下面側の基板W
の表面から離して、基板Wの表面にノズル50から薬液
を供給して薬液処理するようにしてもよい。また、この
図4の構成においても、薬液処理や水洗処理、乾燥処理
時に、上述した不活性ガス雰囲気で行うように動作させ
たり、ベース部材4、基板W、遮断部材21を同方向、
かつ、略同じ回転速度で回転させながら行うように動作
させるようにしてもよい。
【0077】上記実施例では、スピンチャック1のベー
ス部材4に遮断部材としての機能を持たせるように構成
したが、例えば、図6に示すアーム106aが放射状に
延びたスピンチャック101の下面に別部材の遮断部材
(円板など)を接触させるように回転軸105に貫通さ
せ、回転軸105に一体的に取り付けてもよい。
【0078】ところで、スピンチャック1に基板Wが保
持されていない状態で、ベース部材4と遮断部材21と
を対向配置させ、スピンチャック1(遮断部材としての
ベース部材4)と、遮断部材21とを回転させ、ノズル
6、25から互いに対向する面に向けて洗浄水を供給す
ることで、互いに対向する面(スピンチャック1に基板
Wが保持された状態で、基板Wの表裏面に近接して対向
される面)を洗浄し、スピンチャック1、遮断部材21
の回転を継続させて洗浄水の供給を停止させて乾燥させ
ることで、ベース部材4、遮断部材21の洗浄・乾燥を
行うように動作させてもよい。このようにベース部材
4、遮断部材21の洗浄・乾燥を行えば、基板Wの表裏
面に近接して対向される面が常に清浄な状態で薬液処理
や水洗処理、乾燥処理を行うことができる。
【0079】なお、図1のベース部材4の下面側や遮断
部材21の上面側に洗浄水を供給するノズルを設け、ベ
ース部材4の下面側や遮断部材21の上面側の洗浄・乾
燥も行うようにしてもよい。また、このように、遮断部
材の洗浄・乾燥を行うことは、図3ないし図5などの構
成の装置についても同様に実施してもよい。
【0080】上記実施例やその変形例などにおいては、
薬液処理、水洗処理、乾燥処理の一連の基板処理を行う
場合について説明したが、薬液処理、水洗処理、乾燥処
理のうちのいずれか一つの処理や、任意の2つの処理の
みを行う装置、例えば、薬液処理装置や水洗・乾燥処理
装置などについても、本発明を同様に適用することがで
き、それら装置で行われる単一の基板処理、または、2
種類の各基板処理を精度良く行うことができる。
【0081】
【発明の効果】
【0082】以上の説明から明らかなように、請求項1
に記載の方法発明によれば、基板の表面と裏面にそれぞ
れ遮断部材を近接配置し、2つの遮断部材に基板が挟ま
れた状態で基板を回転させて基板に処理液を供給し、処
理液による基板処理を行うようにしたので、処理液によ
る基板処理中の基板の端縁から振り切られた処理液がカ
ップなどで跳ね返っても、遮断部材で遮断されて基板に
再付着するのを防止でき、また、周囲に浮遊している処
理液のミストなども遮断部材で遮断されて基板に再付着
するのを防止でき、処理液による基板処理(薬液処理や
水洗処理など)を好適に行うことができる。また、2つ
の遮断部材に基板が挟まれた状態で基板を回転させて基
板に処理液と不活性ガスを供給することで、基板と、そ
れに近接配置された各遮断部材との間の狭い空間内が不
活性ガス雰囲気に置換され、不活性ガス雰囲気で処理液
による基板処理を行える。例えば、フッ化水素酸を薬液
とした薬液処理の際、基板表面への自然酸化膜の成長を
抑制できるし、水洗処理、乾燥処理を不活性ガス雰囲気
で行うと、基板表面へのウォーターマークの形成を好適
に抑制することができ、乾燥時間を短縮できる。
【0083】請求項2に記載の方法発明によれば、基板
を回転させて基板に薬液を供給して薬液処理を行った
後、基板を回転させて基板に洗浄水を供給して水洗処理
を行い、さらにその後、基板を回転させて乾燥させる乾
燥処理を行う基板処理方法のうち、少なくとも水洗処理
と乾燥処理を、基板の表面と裏面にそれぞれ遮断部材が
近接配置され、2つの遮断部材に基板が挟まれた状態で
行うようにしたので、水洗処理と乾燥処理中、遮断部材
によって薬液雰囲気は遮断され、薬液処理、水洗処理、
乾燥処理の一連の基板処理を同一装置内で行うことがで
きるようになった なお、水洗処理では、基板に不活性
ガスを供給することで、基板と、それに近接配置された
各遮断部材との間の狭い空間内が不活性ガス雰囲気に置
換され、水洗処理を、不活性ガス雰囲気で行え、基板表
面へのウォーターマークの形成を好適に抑制することが
でき、乾燥時間を短縮できる。また、請求項3に記載の
方法発明によれば、基板を回転させて基板に薬液を供給
して薬液処理を行った後、基板を回転させて基板に洗浄
水を供給して水洗処理を行い、さらにその後、基板を回
転させて乾燥させる乾燥処理を行う基板処理方法のう
ち、薬液処理を、基板の表面と裏面にそれぞれ遮断部材
が近接配置され、2つの遮断部材に基板が挟まれた状態
で行うようにしたので、薬液処理、遮断部材によって薬
液雰囲気は遮断され、薬液処理、水洗処理、乾燥処理の
一連の基板処理を同一装置内で行うことができるように
なった。なお、薬液処理では、基板に不活性ガスを供給
することで、基板と、それに近接配置された各遮断部材
との間の狭い空間内が不活性ガス雰囲気に置換され、薬
液処理を、不活性ガス雰囲気で行え、例えば、フッ化水
素酸を薬液とした薬液処理の際、基板表面への自然酸化
膜の成長を抑制できる。
【0084】
【0085】請求項4に記載の装置発明によれば、上記
請求項1に記載の方法発明を好適に実施し得る基板処理
装置を実現できる。また、処理液は、基板に近接配置さ
れた遮断部材から行うように構成したので、従来装置の
ように、処理液の液斬りなどがなく、処理液のミストの
発生を大幅に減少させることができ、処理液のミストに
よる基板への悪影響を軽減させることができる。また、
基板処理中、少なくとも基板表面に近接配置される遮断
部材と基板表面との間の空間に不活性ガスを供給する不
活性ガス供給手段を備えたので、不活性ガス雰囲気で基
板処理が行える。
【0086】請求項5に記載の装置発明によれば、上記
請求項2または請求項3に記載の方法発明を好適に実施
し得る基板処理装置を実現できる。また、洗浄水は、基
板に近接配置された遮断部材から行うように構成したの
で、従来装置のように、洗浄水の液斬りなどがなく、洗
浄水のミストの発生を大幅に減少させることができ、後
続の乾燥処理時の洗浄水のミストによる基板への悪影響
を軽減させることができる。また、基板の薬液または洗
浄水による処理中、少なくとも基板表面に近接配置され
る遮断部材と基板表面との間の空間に不活性ガスを供給
する不活性ガス供給手段を備えたので、不活性ガス雰囲
気で基板の薬液または洗浄水による処理が行える。
【0087】請求項6に記載の装置発明によれば、薬液
処理も、基板の表面と裏面にそれぞれ遮断部材を近接配
置し、2つの遮断部材に基板が挟まれた状態で行うよう
にしたので、薬液処理時においても、カップなどからの
跳ね返りミストや周囲のミストの悪影響を防止できる。
また、薬液は、基板に近接配置された遮断部材から行う
ように構成したので、従来装置のように、薬液の液斬り
などがなく、薬液のミストの発生を大幅に減少させるこ
とができ、薬液のミストによる基板への悪影響を軽減さ
せることができる。
【0088】請求項7に記載の装置発明によれば、薬液
処理は、一方の遮断部材を基板の一面から離し、他方の
遮断部材を基板の他面に近接配置させて行い、遮断部材
が離された基板の一面の中心付近への薬液の供給は、薬
液供給位置と退避位置とで変位自在に構成された第1の
ノズルから行い、遮断部材が近接配置された基板の他面
の中心付近への薬液供給は、遮断部材に設けられた第2
のノズルから行うように構成したので、第1のノズルと
して、薬液処理を高精度に行えるノズル(例えば、超音
波ノズルなど)を用いることができ、薬液処理を高精度
に行うことができる。また、第1、第2のノズルのいず
れのノズルからの基板への薬液の供給においても、従来
装置のような液斬りなどを無くすことができ、薬液のミ
ストの発生を大幅に減少させることができ、薬液のミス
トによる基板への悪影響を軽減させることができる。
【0089】請求項8に記載の装置発明によれば、基板
処理中、基板に近接配置される遮断部材を回転させる遮
断部材回転手段を備えたので、基板処理中の基板と遮断
部材との回転により、基板と遮断部材との間の隙間から
のミストなどの流れ込みを好適に抑制でき、基板処理中
の基板への周囲の雰囲気の悪影響を一層好適に防止する
ことができる。
【0090】請求項9に記載の装置発明によれば、各遮
断部材に洗浄水を供給する洗浄水供給手段と、各遮断部
材を回転させる遮断部材回転手段とを備えたので、各遮
断部材の洗浄、乾燥をも行え、常に清潔な遮断部材を用
いて基板処理を行うことができる。
【0091】請求項10に記載の装置発明によれば、基
板はその外周端部の複数箇所が基板保持手段に保持され
る。そして、薬液処理は、遮断部材を基板の表面から離
した状態で、薬液供給位置に位置されている第1のノズ
ルから、遮断部材が離された基板の表面の中心付近へ薬
液が供給される。一方、処理液による基板処理は、処理
液供給手段は、遮断部材から、基板保持手段に保持され
た基板の表面の中心付近に向けて処理液が供給される。
また,請求項11に記載の装置発明によれば、基板はそ
の外周端部の複数箇所が基板保持手段に保持される。そ
して、その基板の表面と裏面に2つの遮断部材が近接配
置された状態で、回転手段が基板を回転し、処理液供給
手段が、各遮断部材から、回転されている基板の表面の
中心付近と裏面の中心付近とに向けて処理液を供給して
処理液による基板処理が行われる。洗浄水供給手段は、
基板の表面に近接配置される遮断部材の上面側、または
基板の裏面に近接配置される遮断部材の下面側に洗浄水
を供給する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る基板処理装置全体の概
略構成を示す縦断面図である。
【図2】遮断部材及びスピンチャックの概略構成を示す
斜視図である。
【図3】実施例装置の変形例の概略構成を示す要部の縦
断面図である。
【図4】実施例装置の別の変形例の概略構成を示す要部
の縦断面図である。
【図5】従来装置の概略構成を示す縦断面図である。
【図6】従来装置のスピンチャックの概略構成を示す斜
視図である。
【符号の説明】
1、60:スピンチャック 2:回転ブロック 3:回転軸 4:ベース部材 5、61:保持部材 6、25:薬液/洗浄液供給用のノズル 16、35:不活性ガス供給用の開口 21:遮断部材 24:遮断部材回転駆動用のモーター 40:カップ 50:薬液供給用の(超音波)ノズル W:基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 足立 秀喜 京都府京都市伏見区羽束師古川町322 大日本スクリーン製造株式会社 洛西事 業所内 (56)参考文献 特開 平8−78368(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を回転させて基板に処理液を供給し
    て、処理液による基板処理を行う基板処理方法であっ
    て、 基板の表面と裏面にそれぞれ遮断部材が近接配置され、
    2つの遮断部材に基板が挟まれた状態で基板を回転させ
    て基板に処理液と不活性ガスを供給し、不活性ガス雰囲
    気で処理液による基板処理を行うことを特徴とする基板
    処理方法。
  2. 【請求項2】 基板を回転させて基板に薬液を供給して
    薬液処理を行った後、基板を回転させて基板に洗浄水を
    供給して水洗処理を行い、さらにその後、基板を回転さ
    せて乾燥させる乾燥処理を行う基板処理方法であって、 少なくとも前記水洗処理と前記乾燥処理を、基板の表面
    と裏面にそれぞれ遮断部材が近接配置され、2つの遮断
    部材に基板が挟まれた状態で行い、 前記水洗処理を、基板に不活性ガスを供給して不活性ガ
    ス雰囲気で行うことを特徴とする基板処理方法。
  3. 【請求項3】 基板を回転させて基板に薬液を供給して
    薬液処理を行った後、基板を回転させて基板に洗浄水を
    供給して水洗処理を行い、さらにその後、基板を回転さ
    せて乾燥させる乾燥処理を行う基板処理方法であって、 前記薬液処理を、基板の表面と裏面にそれぞれ遮断部材
    が近接配置され、2つの遮断部材に基板が挟まれた状態
    で行い、 前記薬液処理を、基板に不活性ガスを供給して不活性ガ
    ス雰囲気で行うことを特徴とする基板処理方法。
  4. 【請求項4】 基板を回転させて基板に処理液を供給し
    て、処理液による基板処理を行う基板処理装置であっ
    て、 基板の外周端部を複数箇所保持する基板保持手段と、 前記基板保持手段に保持された基板を回転させる回転手
    段と、 前記基板保持手段に保持された基板の表面と裏面に近接
    配置される2つの遮断部材と、 前記各遮断部材から、前記基板保持手段に保持された基
    板の表面の中心付近と裏面の中心付近とに向けて処理液
    を供給する処理液供給手段と、 基板の処理液による処理中、少なくとも基板表面に近接
    配置される遮断部材と基板表面との間の空間に不活性ガ
    スを供給する不活性ガス供給手段と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。
  5. 【請求項5】 基板を回転させて基板に薬液を供給して
    薬液処理を行った後、基板を回転させて基板に洗浄水を
    供給して水洗処理を行い、さらにその後、基板を回転さ
    せて乾燥させる乾燥処理を行う基板処理装置であって、 基板の外周端部を複数箇所保持する基板保持手段と、 前記基板保持手段に保持された基板を回転させる回転手
    段と、 前記基板保持手段に保持された基板の表面と裏面に近接
    配置される2つの遮断部材と、 前記基板保持手段に保持された基板の表面の中心付近と
    裏面の中心付近とに向けて薬液を供給する薬液供給手段
    と、 前記各遮断部材から、前記基板保持手段に保持された基
    板の表面の中心付近と裏面の中心付近とに向けて洗浄水
    を供給する洗浄水供給手段と、 基板の薬液または洗浄水による処理中、少なくとも基板
    表面に近接配置される遮断部材と基板表面との間の空間
    に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。
  6. 【請求項6】 請求項5に記載の基板処理装置におい
    て、 前記薬液供給手段は、前記各遮断部材から、前記基板保
    持手段に保持された基板の表面の中心付近と裏面の中心
    付近とに向けて薬液を供給するように構成し、 前記薬液処理も、基板の表面と裏面にそれぞれ遮断部材
    が近接配置され、2つの遮断部材に基板が挟まれた状態
    で行うことを特徴とする基板処理装置。
  7. 【請求項7】 請求項5に記載の基板処理装置におい
    て、 前記2つの遮断部材のうち、一方の遮断部材を、基板保
    持手段に保持された基板に対して接離自在に構成し、 前記薬液処理は、一方の遮断部材を基板の一面から離
    し、他方の遮断部材を基板の他面に近接配置させて行
    い、 前記薬液供給手段は、薬液供給位置と退避位置とで変位
    自在に構成され、前記一方の遮断部材が離された基板の
    一面の中心付近へ薬液を供給する第1のノズルと、前記
    他方の遮断部材に設けられ、前記他方の遮断部材が近接
    配置された基板の他面の中心付近へ薬液を供給する第2
    のノズルとを備えたことを特徴とする基板処理装置。
  8. 【請求項8】 請求項4ないし7のいずれかに記載の基
    板処理装置において、 基板処理中、前記基板に近接配置される遮断部材を回転
    させる遮断部材回転手段を備えたことを特徴とする基板
    処理装置。
  9. 【請求項9】 請求項4ないし7のいずれかに記載の基
    板処理装置において、 前記各遮断部材に洗浄水を供給する洗浄水供給手段と、 前記各遮断部材を回転させる遮断部材回転手段と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。
  10. 【請求項10】 基板を回転させて基板に処理液を供給
    して、処理液による基板処理を行う基板処理装置であっ
    て、 基板の外周端部を複数箇所保持する基板保持手段と、 前記基板保持手段に保持された基板を回転させる回転手
    段と、 前記基板保持手段に保持された基板の表面に近接配置さ
    れ、基板に対して接離自在に構成される遮断部材と、 前記遮断部材から、前記基板保持手段に保持された基板
    の表面の中心付近に向けて処理液を供給する処理液供給
    手段と、 薬液供給位置と退避位置とで変位自在に構成され、前記
    遮断部材が離された基板の表面の中心付近へ薬液を供給
    する第1のノズルを有する薬液供給手段と、 を備え、 前記薬液処理は、前記遮断部材を基板の表面から離して
    行うことを特徴とする基板処理装置。 【請求項11】 基板を回転させて基板に処理液を供給
    して、処理液による基板処理を行う基板処理装置であっ
    て、 基板の外周端部を複数箇所保持する基板保持手段と、 前記基板保持手段に保持された基板を回転させる回転手
    段と、 前記基板保持手段に保持された基板の表面と裏面に近接
    配置される2つの遮断部材と、 前記各遮断部材から、前記基板保持手段に保持された基
    板の表面の中心付近と裏面の中心付近とに向けて処理液
    を供給する処理液供給手段と、 基板の表面に近接配置される遮断部材の上面側、または
    基板の裏面に近接配置される遮断部材の下面側に洗浄水
    を供給する洗浄水供給手段と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。
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