JPH05315240A - 現像装置 - Google Patents
現像装置Info
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- JPH05315240A JPH05315240A JP14343792A JP14343792A JPH05315240A JP H05315240 A JPH05315240 A JP H05315240A JP 14343792 A JP14343792 A JP 14343792A JP 14343792 A JP14343792 A JP 14343792A JP H05315240 A JPH05315240 A JP H05315240A
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- JP
- Japan
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- semiconductor wafer
- nozzle
- support arm
- gas
- developing device
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエハを回転させることなくウエハ面
に付着したリンス液を除去することができ、もって、半
導体ウエハに対するパーティクルの付着を大幅に低減可
能とした現像装置を提供する。 【構成】 半導体ウエハの現像処理を行う現像装置にお
いて、半導体ウエハ１５の裏面外周部の所定箇所を吸着
支持する平面略円筒状の支持アーム１４と、支持アーム
１４に支持される半導体ウエハ１５の表面に対向する状
態で複数の噴出口１６ａを配置してなる第１のノズル１
６と、支持アーム１４の内側に配設され、その支持アー
ム１４に支持される半導体ウエハ１５の裏面に対向する
状態で複数の噴出口２３ａを配置してなる第２のノズル
２３とを具備し、第１のノズル１６から半導体ウエハ１
５の表面にガスを吹き付けるとともに、第２のノルズ２
３から半導体ウエハ１５の裏面にガスを吹き付けるよう
にした。
に付着したリンス液を除去することができ、もって、半
導体ウエハに対するパーティクルの付着を大幅に低減可
能とした現像装置を提供する。 【構成】 半導体ウエハの現像処理を行う現像装置にお
いて、半導体ウエハ１５の裏面外周部の所定箇所を吸着
支持する平面略円筒状の支持アーム１４と、支持アーム
１４に支持される半導体ウエハ１５の表面に対向する状
態で複数の噴出口１６ａを配置してなる第１のノズル１
６と、支持アーム１４の内側に配設され、その支持アー
ム１４に支持される半導体ウエハ１５の裏面に対向する
状態で複数の噴出口２３ａを配置してなる第２のノズル
２３とを具備し、第１のノズル１６から半導体ウエハ１
５の表面にガスを吹き付けるとともに、第２のノルズ２
３から半導体ウエハ１５の裏面にガスを吹き付けるよう
にした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトレジストが形成
された半導体ウエハを現像処理する際に用いられる現像
装置に関するものである。
された半導体ウエハを現像処理する際に用いられる現像
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の現像装置を示す側面概略図
である。図示した現像装置５０において、５１は外カッ
プ、５２は上下動可能な中カップ、５３は内カップであ
り、このうち、外カップ５１の上端部には現像液５４を
供給するためのディップノズル５５が設けられている。
また、図中５６は真空吸着式のスピンチャックであり、
このスピンチャック５６の近傍には、半導体ウエハ５７
の裏面周縁部にリンス液を供給する第１のリンスノズル
５８が配設されている。さらに、外カップ５１の上方に
は、半導体ウエハ５７の表面にリンス液を供給する第２
のリンスノズル５９が配設されている。
である。図示した現像装置５０において、５１は外カッ
プ、５２は上下動可能な中カップ、５３は内カップであ
り、このうち、外カップ５１の上端部には現像液５４を
供給するためのディップノズル５５が設けられている。
また、図中５６は真空吸着式のスピンチャックであり、
このスピンチャック５６の近傍には、半導体ウエハ５７
の裏面周縁部にリンス液を供給する第１のリンスノズル
５８が配設されている。さらに、外カップ５１の上方に
は、半導体ウエハ５７の表面にリンス液を供給する第２
のリンスノズル５９が配設されている。
【０００３】上記従来の現像装置５０を用いて現像処理
を行う場合は、まず、スピンチャック５６の上面に半導
体ウエハ５７をセットした後、スピンチャック５６を下
降させながら、同時に中カップ５２を上昇させる。これ
により、半導体ウエハ５７は中カップ５２の上端部に載
置されるとともに、外カップ５１と中カップ５２の隙間
がカップシール６０によって塞がれる（図１の状態）。
を行う場合は、まず、スピンチャック５６の上面に半導
体ウエハ５７をセットした後、スピンチャック５６を下
降させながら、同時に中カップ５２を上昇させる。これ
により、半導体ウエハ５７は中カップ５２の上端部に載
置されるとともに、外カップ５１と中カップ５２の隙間
がカップシール６０によって塞がれる（図１の状態）。
【０００４】続いて、この状態からディップノズル５５
より現像液５４を供給して、図１に示すように半導体ウ
エハ５７を現像液５４に浸漬させる。これにより、半導
体ウエハ５７の表面に現像処理が施される。こうして現
像処理が終了したら、中カップ５２を下降させながら、
同時にスピンチャック５６を上昇させる。これにより、
半導体ウエハ５７はスピンチャック５６の上面に載置さ
れるとともに、スピンチャック５６の吸着作用によって
チャック上面に真空吸着される。
より現像液５４を供給して、図１に示すように半導体ウ
エハ５７を現像液５４に浸漬させる。これにより、半導
体ウエハ５７の表面に現像処理が施される。こうして現
像処理が終了したら、中カップ５２を下降させながら、
同時にスピンチャック５６を上昇させる。これにより、
半導体ウエハ５７はスピンチャック５６の上面に載置さ
れるとともに、スピンチャック５６の吸着作用によって
チャック上面に真空吸着される。
【０００５】次いで、スピンチャック５６は図示せぬス
ピンモータの駆動によって回転し、これに共動して半導
体ウエハ５７も回転する。この状態で、第１及び第２の
リンスノズル５８，５９からは半導体ウエハ５７に向け
てリンス液が供給される。このリンス液による半導体ウ
エハ５７の洗浄が終了したら、あとは図４に示すように
スピンチャック５６を高速回転させてウエハ表面に付着
したリンス液を遠心力で振り切り、半導体ウエハ５７を
乾燥させる。
ピンモータの駆動によって回転し、これに共動して半導
体ウエハ５７も回転する。この状態で、第１及び第２の
リンスノズル５８，５９からは半導体ウエハ５７に向け
てリンス液が供給される。このリンス液による半導体ウ
エハ５７の洗浄が終了したら、あとは図４に示すように
スピンチャック５６を高速回転させてウエハ表面に付着
したリンス液を遠心力で振り切り、半導体ウエハ５７を
乾燥させる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の現像装置５０においては、ウエハ面に付着したリンス
液を除去する際、半導体ウエハ５７を高速回転させてリ
ンス液を振り切るようにしているので、ウエハをスピン
チャック５６で確実に支持するには広い吸着面積が必要
であった。このため、現像処理後の半導体ウエハ５７の
裏面側には、多数のパーティクルの付着による吸着跡６
１（図５参照）が広範囲に渡って残ってしまい、以下の
ような問題があった。
の現像装置５０においては、ウエハ面に付着したリンス
液を除去する際、半導体ウエハ５７を高速回転させてリ
ンス液を振り切るようにしているので、ウエハをスピン
チャック５６で確実に支持するには広い吸着面積が必要
であった。このため、現像処理後の半導体ウエハ５７の
裏面側には、多数のパーティクルの付着による吸着跡６
１（図５参照）が広範囲に渡って残ってしまい、以下の
ような問題があった。
【０００７】すなわち、半導体ウエハ５７に付着したパ
ーティクルは、それ以降の処理、例えばエッチング処理
や不純物打ち込み処理にまで持ち運ばれることになるた
め、たとえ微小なパーティクルであっても、後工程で半
導体装置の回路欠陥を引き起し、最終的な製品の歩留り
を著しく低下させる虞れがあった。
ーティクルは、それ以降の処理、例えばエッチング処理
や不純物打ち込み処理にまで持ち運ばれることになるた
め、たとえ微小なパーティクルであっても、後工程で半
導体装置の回路欠陥を引き起し、最終的な製品の歩留り
を著しく低下させる虞れがあった。
【０００８】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたもので、半導体ウエハを回転させることなくウエハ
面に付着したリンス液を除去することができ、もって、
半導体ウエハに対するパーティクルの付着を大幅に低減
可能とした現像装置を提供することを目的とする。
れたもので、半導体ウエハを回転させることなくウエハ
面に付着したリンス液を除去することができ、もって、
半導体ウエハに対するパーティクルの付着を大幅に低減
可能とした現像装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたもので、フォトレジストが塗布さ
れた半導体ウエハに現像液を供給して現像処理を行う現
像装置において、半導体ウエハの裏面外周部の所定箇所
を吸着支持する平面略円筒状の支持アームと、この支持
アームに支持される半導体ウエハの表面に対向する状態
で複数の噴出口を配置してなる第１のノズルと、上記支
持アームの内側に配設され、その支持アームに支持され
る半導体ウエハの裏面に対向する状態で複数の噴出口を
配置してなる第２のノズルとを具備し、上記第１のノズ
ルから半導体ウエハの表面にガスを吹き付けるととも
に、上記第２のノルズから半導体ウエハの裏面にガスを
吹き付けるようにしたものである。
成するためになされたもので、フォトレジストが塗布さ
れた半導体ウエハに現像液を供給して現像処理を行う現
像装置において、半導体ウエハの裏面外周部の所定箇所
を吸着支持する平面略円筒状の支持アームと、この支持
アームに支持される半導体ウエハの表面に対向する状態
で複数の噴出口を配置してなる第１のノズルと、上記支
持アームの内側に配設され、その支持アームに支持され
る半導体ウエハの裏面に対向する状態で複数の噴出口を
配置してなる第２のノズルとを具備し、上記第１のノズ
ルから半導体ウエハの表面にガスを吹き付けるととも
に、上記第２のノルズから半導体ウエハの裏面にガスを
吹き付けるようにしたものである。
【００１０】
【作用】本発明の現像装置においては、支持アームに支
持された半導体ウエハの表裏面に第１のノズルと第２の
ノズルとからガスを吹き付けることにより、半導体ウエ
ハを回転させることなくウエハ面に付着したリンス液を
除去できるため、半導体ウエハの吸着面積を従来よりも
小さくすることが可能となる。
持された半導体ウエハの表裏面に第１のノズルと第２の
ノズルとからガスを吹き付けることにより、半導体ウエ
ハを回転させることなくウエハ面に付着したリンス液を
除去できるため、半導体ウエハの吸着面積を従来よりも
小さくすることが可能となる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明に係わる現像装置の実施例につ
いて図面を基に説明する。図１は、本発明の実施例を示
す側面概略図である。図示した現像装置１０において、
１１は外カップ、１２は中カップ、１３はディップノズ
ルであり、これらの構成については従来例と同様であ
る。また、図中１４は半導体ウエハ１５を支持するため
の支持アームであり、これは平面略円筒状をなしてい
る。そしてこの支持アーム１４は、その上端部が半導体
ウエハ１５の裏面外周部の所定箇所に当接して、半導体
ウエハ１５を吸着支持するようになっている。すなわ
ち、支持アーム１４の内部にはその上端部に連通する図
示せぬ排気口が形成されており、さらにこの排気口は図
示せぬ真空装置に接続されている。よって、支持アーム
１４の上端部に載置された半導体ウエハ１５は、上記真
空装置の駆動により上記排気口からエアーを吸引するこ
とにより支持アーム１４の上端部に吸着支持される。な
お、半導体ウエハ１５に対する支持アーム１４の支持方
式は、ウエハ裏面を円周状に支持してもよいし、又は３
点式に支持してもよく、本発明は特にこれに限定される
ものではない。
いて図面を基に説明する。図１は、本発明の実施例を示
す側面概略図である。図示した現像装置１０において、
１１は外カップ、１２は中カップ、１３はディップノズ
ルであり、これらの構成については従来例と同様であ
る。また、図中１４は半導体ウエハ１５を支持するため
の支持アームであり、これは平面略円筒状をなしてい
る。そしてこの支持アーム１４は、その上端部が半導体
ウエハ１５の裏面外周部の所定箇所に当接して、半導体
ウエハ１５を吸着支持するようになっている。すなわ
ち、支持アーム１４の内部にはその上端部に連通する図
示せぬ排気口が形成されており、さらにこの排気口は図
示せぬ真空装置に接続されている。よって、支持アーム
１４の上端部に載置された半導体ウエハ１５は、上記真
空装置の駆動により上記排気口からエアーを吸引するこ
とにより支持アーム１４の上端部に吸着支持される。な
お、半導体ウエハ１５に対する支持アーム１４の支持方
式は、ウエハ裏面を円周状に支持してもよいし、又は３
点式に支持してもよく、本発明は特にこれに限定される
ものではない。
【００１２】一方、外カップ１１の上方には第１のノズ
ル１６が配設されている。この第１のノズル１６には、
複数の噴出口１６ａと、これらの噴出口１６ａに連通し
てノズル内部に形成された分配路１６ｂと、この分配路
１６ｂを後述するメイン配管（１８）に接続するための
接続部１６ｃとが設けられている。そして、上記各噴出
口１６ａは、支持アーム１４に支持される半導体ウエハ
１５の表面に対向する状態で配置されている。
ル１６が配設されている。この第１のノズル１６には、
複数の噴出口１６ａと、これらの噴出口１６ａに連通し
てノズル内部に形成された分配路１６ｂと、この分配路
１６ｂを後述するメイン配管（１８）に接続するための
接続部１６ｃとが設けられている。そして、上記各噴出
口１６ａは、支持アーム１４に支持される半導体ウエハ
１５の表面に対向する状態で配置されている。
【００１３】さらに、第１のノズル１６の接続部１６ｃ
にはスピンモータ１７が接続されており、このスピンモ
ータ１７の駆動により第１のノズル１６がＡ矢視方向に
回転可能となっている。また、スピンモータ１７の内部
には配管路１７ａが形成されており、この配管路１７ａ
の一方に上記第１のノズル１６の分配路１６ｂが接続さ
れ、同他方にメイン配管１８の一端が接続されている。
にはスピンモータ１７が接続されており、このスピンモ
ータ１７の駆動により第１のノズル１６がＡ矢視方向に
回転可能となっている。また、スピンモータ１７の内部
には配管路１７ａが形成されており、この配管路１７ａ
の一方に上記第１のノズル１６の分配路１６ｂが接続さ
れ、同他方にメイン配管１８の一端が接続されている。
【００１４】加えて、メイン配管１８の他端には切替バ
ルブ１９、２０を介してガス供給管２１とリンス液供給
管２２とが連結されている。一方のガス供給管２１は図
示せぬガス供給源へと接続されており、他方のリンス液
供給管２２は図示せぬリンス液供給源へと接続されてい
る。そして、上記各供給源から供給されるガス及びリン
ス液は、切替バルブ１９、２０の開閉操作によってメイ
ン配管１８に送り出されるようになっている。
ルブ１９、２０を介してガス供給管２１とリンス液供給
管２２とが連結されている。一方のガス供給管２１は図
示せぬガス供給源へと接続されており、他方のリンス液
供給管２２は図示せぬリンス液供給源へと接続されてい
る。そして、上記各供給源から供給されるガス及びリン
ス液は、切替バルブ１９、２０の開閉操作によってメイ
ン配管１８に送り出されるようになっている。
【００１５】また、本実施例の現像装置１０において
は、支持アーム１４の内側に第２のノルズ２３が配設さ
れている。この第２のノルズ２３には、複数の噴出口２
３ａと、これらの噴出口２３ａに連通してノズル内部に
形成された分配路２３ｂと、この分配路２３ｂを後述す
るメイン配管（２５）に接続するための接続部２３ｃと
が設けられている。そして、上記各噴出口２３ａは、支
持アーム１４に支持される半導体ウエハ１５の裏面に対
向する状態で配置されている。
は、支持アーム１４の内側に第２のノルズ２３が配設さ
れている。この第２のノルズ２３には、複数の噴出口２
３ａと、これらの噴出口２３ａに連通してノズル内部に
形成された分配路２３ｂと、この分配路２３ｂを後述す
るメイン配管（２５）に接続するための接続部２３ｃと
が設けられている。そして、上記各噴出口２３ａは、支
持アーム１４に支持される半導体ウエハ１５の裏面に対
向する状態で配置されている。
【００１６】さらに、第２のノルズ２３の接続部２３ｃ
にはスピンモータ２４が接続されており、このスピンモ
ータ２４の駆動により第２のノルズ２３がＢ矢視方向に
回転可能となっている。また、スピンモータ２４の内部
には配管路２４ａが形成されており、この配管路２４ａ
の一方に上記第２のノルズ２３の分配路２３ｂが接続さ
れ、同他方にメイン配管２５の一端が接続されている。
にはスピンモータ２４が接続されており、このスピンモ
ータ２４の駆動により第２のノルズ２３がＢ矢視方向に
回転可能となっている。また、スピンモータ２４の内部
には配管路２４ａが形成されており、この配管路２４ａ
の一方に上記第２のノルズ２３の分配路２３ｂが接続さ
れ、同他方にメイン配管２５の一端が接続されている。
【００１７】加えて、メイン配管２５の他端には切替バ
ルブ２６、２７を介してガス供給管２８とリンス液供給
管２９とが連結されている。一方のガス供給管２８は図
示せぬガス供給源へと接続されており、他方のリンス液
供給管２９は図示せぬリンス液供給源へと接続されてい
る。そして、上記各供給源から供給されるガス及びリン
ス液は、切替バルブ２６、２７の開閉操作によってメイ
ン配管２５に送り出されるようになっている。
ルブ２６、２７を介してガス供給管２８とリンス液供給
管２９とが連結されている。一方のガス供給管２８は図
示せぬガス供給源へと接続されており、他方のリンス液
供給管２９は図示せぬリンス液供給源へと接続されてい
る。そして、上記各供給源から供給されるガス及びリン
ス液は、切替バルブ２６、２７の開閉操作によってメイ
ン配管２５に送り出されるようになっている。
【００１８】続いて、本実施例の現像装置１０の動作に
ついて図２を用いて説明する。まず、表面にフォトレジ
ストが塗布された半導体ウエハ１５は、その表面側を上
向きにした状態で支持アーム１４の上端部にセットさ
れ、その後、従来例と同様にして半導体ウエハ１５の表
面に現像処理が施される。
ついて図２を用いて説明する。まず、表面にフォトレジ
ストが塗布された半導体ウエハ１５は、その表面側を上
向きにした状態で支持アーム１４の上端部にセットさ
れ、その後、従来例と同様にして半導体ウエハ１５の表
面に現像処理が施される。
【００１９】次いで、現像処理を終えた半導体ウエハ１
５は支持アーム１４の上端部に吸着支持され、この状態
でウエハの洗浄が行われる。すなわち、現像処理が終了
すると、まず第１のノズル１６が所定量だけ下降して半
導体ウエハ１５に接近するとともに、スピンモータ１
７、２４が駆動して第１及び第２のノルズ１６、２３が
所定方向に回転し、さらに、リンス液供給管２２、２９
側の切替バルブ２０、２７が開けられてメイン配管１
８、２５にリンス液が送り出される。こうして送り出さ
れたリンス液は、スピンモータ１７、２４を通して第１
のノズル１６と第２のノルズ２３とに供給され、さらに
ノズル内部に形成された分配路１６ｂ、２３ｂを通して
各噴出口１６ａ、２３ａから半導体ウエハ１５の表裏面
に供給される。
５は支持アーム１４の上端部に吸着支持され、この状態
でウエハの洗浄が行われる。すなわち、現像処理が終了
すると、まず第１のノズル１６が所定量だけ下降して半
導体ウエハ１５に接近するとともに、スピンモータ１
７、２４が駆動して第１及び第２のノルズ１６、２３が
所定方向に回転し、さらに、リンス液供給管２２、２９
側の切替バルブ２０、２７が開けられてメイン配管１
８、２５にリンス液が送り出される。こうして送り出さ
れたリンス液は、スピンモータ１７、２４を通して第１
のノズル１６と第２のノルズ２３とに供給され、さらに
ノズル内部に形成された分配路１６ｂ、２３ｂを通して
各噴出口１６ａ、２３ａから半導体ウエハ１５の表裏面
に供給される。
【００２０】続いて、半導体ウエハ１５がリンス液によ
って十分に洗浄されると、リンス液供給管２２、２９側
の切替バルブ２０、２７が閉ざされて、メイン配管１
８、２５へのリンス液の供給が遮断される。そして今度
は、ガス供給管２１、２８側の切替バルブ１９、２６が
開けられて、メイン配管１８、２５にガス（例えば乾燥
空気、窒素ガスなど）が送り出される。こうして送り出
されたガスは、上述のリンス液と同様の経路を辿って、
図中二点鎖線で示す如く第１のノズル１６の噴出口１６
ａと第２のノルズ２３の噴出口２３ａとから、半導体ウ
エハ１５の表面と裏面とに吹き付けられる。これによ
り、ウエハ面に付着したリンス液は、各ノズル１６、２
３から噴き出されたガスによって乾燥除去される。
って十分に洗浄されると、リンス液供給管２２、２９側
の切替バルブ２０、２７が閉ざされて、メイン配管１
８、２５へのリンス液の供給が遮断される。そして今度
は、ガス供給管２１、２８側の切替バルブ１９、２６が
開けられて、メイン配管１８、２５にガス（例えば乾燥
空気、窒素ガスなど）が送り出される。こうして送り出
されたガスは、上述のリンス液と同様の経路を辿って、
図中二点鎖線で示す如く第１のノズル１６の噴出口１６
ａと第２のノルズ２３の噴出口２３ａとから、半導体ウ
エハ１５の表面と裏面とに吹き付けられる。これによ
り、ウエハ面に付着したリンス液は、各ノズル１６、２
３から噴き出されたガスによって乾燥除去される。
【００２１】ここで、上記ウエハの乾燥処理において
は、第１のノズル１６と第２のノルズ２３とがスピンモ
ータ１７、２４の駆動によって回転しながら半導体ウエ
ハ１５の表面と裏面とにガスを吹き付けるようになって
いる。しかし、各ノズル１６、２３の噴出口１６ａ、２
３ａが、乾燥すべき半導体ウエハ１５の表裏面に対して
密に設けられている場合は、ノズルを回転させなくても
ウエハ面のリンス液を乾燥除去することができるので、
そのような場合はスピンモータ１７、２４を設ける必要
はない。
は、第１のノズル１６と第２のノルズ２３とがスピンモ
ータ１７、２４の駆動によって回転しながら半導体ウエ
ハ１５の表面と裏面とにガスを吹き付けるようになって
いる。しかし、各ノズル１６、２３の噴出口１６ａ、２
３ａが、乾燥すべき半導体ウエハ１５の表裏面に対して
密に設けられている場合は、ノズルを回転させなくても
ウエハ面のリンス液を乾燥除去することができるので、
そのような場合はスピンモータ１７、２４を設ける必要
はない。
【００２２】上記説明したように本実施例の現像装置１
０においては、第１のノズル１６と第２のノルズ２３と
から半導体ウエハ１５の表面と裏面とにガスを吹き付け
ることにより、半導体ウエハ１５を回転させることなく
ウエハ面に付着したリンス液を除去することができる。
０においては、第１のノズル１６と第２のノルズ２３と
から半導体ウエハ１５の表面と裏面とにガスを吹き付け
ることにより、半導体ウエハ１５を回転させることなく
ウエハ面に付着したリンス液を除去することができる。
【００２３】また、本実施例の現像装置１０では、半導
体ウエハ１５の表面側に配設された第１のノズル１６
と、同裏面側に配設された第２のノルズ２３とから、そ
れぞれウエハ乾燥用のガスとウエハ洗浄用のリンス液と
を噴出させるようにしたので、洗浄用のノズルと乾燥用
のノズルとを別々に設けた場合よりも装置構成が簡単で
しかも安く製作することができる。
体ウエハ１５の表面側に配設された第１のノズル１６
と、同裏面側に配設された第２のノルズ２３とから、そ
れぞれウエハ乾燥用のガスとウエハ洗浄用のリンス液と
を噴出させるようにしたので、洗浄用のノズルと乾燥用
のノズルとを別々に設けた場合よりも装置構成が簡単で
しかも安く製作することができる。
【００２４】なお、本実施例では、ディップ式の現像装
置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限らず、バ
ドル式の現像装置や、ディップ式とバドル式の複合型現
像装置などにも広く採用することができる。
置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限らず、バ
ドル式の現像装置や、ディップ式とバドル式の複合型現
像装置などにも広く採用することができる。
【００２５】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
半導体ウエハを回転させることなくウエハ面に付着した
リンス液を除去することができるため、スピンチャック
による従来の乾燥方式に比べると、半導体ウエハの吸着
面積を格段に小さくすることができる。これにより、半
導体ウエハへのパーティクルの付着が大幅に低減される
とともに、半導体装置における回路欠陥の発生要因が削
減され、最終的な製品の歩留り向上が期待できる。
半導体ウエハを回転させることなくウエハ面に付着した
リンス液を除去することができるため、スピンチャック
による従来の乾燥方式に比べると、半導体ウエハの吸着
面積を格段に小さくすることができる。これにより、半
導体ウエハへのパーティクルの付着が大幅に低減される
とともに、半導体装置における回路欠陥の発生要因が削
減され、最終的な製品の歩留り向上が期待できる。
【図１】本発明の実施例を示す側面概略図である。
【図２】実施例における動作説明図である。
【図３】従来例を示す側面概略図である。
【図４】従来例における動作説明図である。
【図５】パーティクルの付着マップである。
１０ 現像装置 １４ 支持アーム １５ 半導体ウエハ １６ 第１のノズル １８、２５ メイン配管 １９、２０、２６、２７ 切替バルブ ２１、２８ ガス供給管 ２２、２９ リンス液供給管 ２３ 第２のノルズ
Claims (3)
- 【請求項１】 フォトレジストが塗布された半導体ウエ
ハに現像液を供給して現像処理を行う現像装置におい
て、 前記半導体ウエハの裏面外周部の所定箇所を吸着支持す
る平面略円筒状の支持アームと、 前記支持アームに支持される半導体ウエハの表面に対向
する状態で複数の噴出口を配置してなる第１のノズル
と、 前記支持アームの内側に配設され、前記支持アームに支
持される半導体ウエハの裏面に対向する状態で複数の噴
出口を配置してなる第２のノズルとを具備し、 前記第１のノズルから前記半導体ウエハの表面にガスを
吹き付けるとともに、前記第２のノルズから前記半導体
ウエハの裏面にガスを吹き付けるようにしたことを特徴
とする現像装置。 - 【請求項２】 前記第１のノズルと前記第２のノルズと
をそれぞれ回転可能としたことを特徴とする請求項１記
載の現像装置。 - 【請求項３】 前記第１のノズルと前記第２のノルズと
に接続された各メイン配管に、それぞれ切替バルブを介
してガス供給管とリンス液供給管とを連結させたことを
特徴とする請求項１記載の現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14343792A JPH05315240A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | 現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14343792A JPH05315240A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | 現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315240A true JPH05315240A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=15338688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14343792A Pending JPH05315240A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | 現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315240A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003103030A1 (fr) * | 2002-06-04 | 2003-12-11 | Tokyo Electron Limited | Dispositif et procede de traitement de substrat, et injecteur y relatif |
| WO2003105201A1 (ja) * | 2002-06-07 | 2003-12-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び現像装置 |
| JP2011071438A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
1992
- 1992-05-08 JP JP14343792A patent/JPH05315240A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003103030A1 (fr) * | 2002-06-04 | 2003-12-11 | Tokyo Electron Limited | Dispositif et procede de traitement de substrat, et injecteur y relatif |
| WO2003105201A1 (ja) * | 2002-06-07 | 2003-12-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び現像装置 |
| US7387455B2 (en) | 2002-06-07 | 2008-06-17 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing device, substrate processing method, and developing device |
| JP2011071438A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
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