KR20080020503A - 기판처리장치 및 기판처리방법 - Google Patents

기판처리장치 및 기판처리방법 Download PDF

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다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 기판처리장치는, 기판을 지지하는 기판지지유닛과, 상기 기판지지유닛에 지지된 기판의 한쪽면에 간격을 두고 대향배치되어, 상기 한쪽면과 대향하는 면에, 처리액을 토출하는 복수의 토출구, 및, 상기 토출구로부터 토출된 처리액을 흡인하는 복수의 흡인구가 형성된 푸시 풀 플레이트와, 상기 기판지지유닛에 지지된 기판과 푸시 풀 플레이트를 상대적으로 회전시키는 상대회전유닛을 갖춘다.
기판지지유닛, 푸시 풀 플레이트

Description

기판처리장치 및 기판처리방법{SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS AND SUBSTRATE TREATMENT METHOD}
본 발명은, 기판에 대하여 처리액을 이용한 처리를 하기 위하여 적용되는 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것이다. 처리의 대상이 되는 기판에는, 예를 들면, 반도체웨이퍼, 액정표시장치용 유리기판, 플라즈마 디스플레이용 유리기판, FED(Filed Emission Display)용 유리기판, 광디스크용 기판, 자기디스크용 기판, 광자기디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹기판 등이 포함된다.
반도체장치나 액정표시장치의 제조공정에서는, 반도체웨이퍼나 액정표시 패널용 유리기판 등의 기판의 표면에 약액을 공급하여, 그 기판의 표면을 약액으로 세정하는 처리 등이 행하여진다.
예를 들면, 기판을 1장씩 처리하는 매엽(枚葉)식의 세정처리를 실시하는 장치는, 기판을 거의 수평으로 지지하면서, 그 기판을 회전시키는 스핀척과, 스핀척에 의해 회전되는 기판의 표면에 약액을 내뿜기 위한 노즐을 갖추고 있다. 처리시에는, 스핀척에 의해 기판이 회전되면서, 그 기판의 표면의 회전중심 가까이에 노즐로부터 약액이 내뿜어진다. 기판의 표면상에 공급된 약액은, 기판의 회전에 의한 원심력을 받고, 기판의 표면상을 주연(周緣)을 향하여 흐른다. 이것에 의해, 기판의 표면의 전역에 약액이 널리 퍼져, 기판의 표면에 대한 약액에 의한 세정처리가 달성된다(예를 들면, 일본특허공개 평10-172950호 공보).
그렇지만, 회전중의 기판에 대하여 노즐로부터 약액을 내뿜어지므로, 기판의 주변에 약액이 비산(飛散)하여, 그 비산한 약액이 스핀척의 주위에 배치된 부재에 부착되고, 이것이 건조하여 결정화할 우려가 있다. 이러한 약액의 결정은, 파티클이 되어, 기판오염의 원인이 된다.
본 발명의 목적은, 처리액의 기판주변으로의 비산을 억제하면서, 기판에 처리액을 이용한 처리를 양호하게 할 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판을 지지하는 기판지지유닛과, 상기 기판지지유닛에 지지된 기판의 한쪽면에 간격을 두고 대향배치되어, 상기 한쪽면과 대향하는 면에, 처리액을 토출하는 복수의 토출구, 및, 상기 토출구로부터 토출된 처리액을 흡인하는 복수의 흡인구가 형성된 푸시 풀 플레이트와, 상기 기판지지유닛에 지지된 기판과 푸시 풀 플레이트를 상대적으로 회전시키는 상대회전유닛을 갖추고 있다.
본 발명의 기판처리방법은, 기판지지유닛에 의해 기판을 지지하는 기판지지공정과, 처리액을 토출하는 복수의 토출구 및 상기 토출구로부터 토출된 처리액을 흡인하는 복수의 흡인구가 형성된 푸시 풀 플레이트를, 상기 기판지지유닛에 지지된 기판의 한쪽면에 대하여 간격을 두고 대향배치하여, 상기 토출구로부터 토출되는 처리액을 해당 기판의 한쪽면에 접액(接液)시키는 접액공정과, 상기 접액공정과 병행되어, 기판과 푸시 풀 플레이트를 상대적으로 회전시키는 상대 회전공정을 갖추고 있다.
푸시 풀 플레이트에 형성된 토출구로부터 기판의 한쪽면을 향하여 처리액을 토출시키면서, 그 푸시 풀 플레이트에 형성된 흡인구로부터 흡인한다. 그러면, 푸시 풀 플레이트 위로 처리액의 액막을 형성할 수 있다. 그리고, 그 푸시 풀 플레이트를 기판의 한쪽면에 대향배치(對向配置)하여, 기판의 한쪽면에 처리액의 액막을 접액시키는 것에 의해, 기판의 한쪽면에 처리액에 의한 처리를 실시할 수 있다. 푸시 풀 플레이트의 토출구로부터 토출되는 처리액은, 토출 후 즉시 흡인구로부터 흡인되므로, 기판의 주변으로 비산하지 않는다. 그 때문에, 처리액의 기판주변으로의 비산을 억제하면서, 처리액을 이용한 기판의 처리를 양호하게 할 수 있다.
또한, 푸시 풀 플레이트와 기판이 상대적으로 회전하고 있으므로, 처리액이 기판의 한쪽면의 전역에 얼룩 없이 접액한다. 이것에 의해, 기판의 한쪽면에 대하여 처리액을 이용한 처리를 균일하게 행할 수 있다.
상기 상대회전유닛은, 상기 기판지지유닛에 지지된 기판을, 그 기판의 중심을 지나는 축선 주위로 회전시켜도 좋다.
본 발명에 있어서의 전술한, 또는 더욱이 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도면을 참조하여 다음에 말하는 실시형태의 설명에 의해 밝혀진다.
본 발명에 의하면, 처리액의 기판주변으로의 비산을 억제하면서, 기판에 처리액을 이용한 처리를 양호하게 할 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 관한 기판처리장치의 구성을 도해적으로 나타내는 단면도이다. 기판처리장치(1)는, 기판의 일례인 반도체웨이퍼(이하, 간단히「웨이퍼」라고 한다.)(W)에 있어서의 디바이스 형성영역측의 표면(상면)에 대하여 처리액에 의한 처리를 실시하기 위한 매엽(枚葉)형의 장치이다. 그리고, 이 기판처리장치(1)는, 웨이퍼(W)를 거의 수평으로 지지하여 회전하는 스핀척(10)과, 이 스핀척(10)에 지지된 웨이퍼(W)의 표면에 처리액에 의한 처리를 실시하기 위한 푸시 풀 플레이트(2)를 갖추고 있다. 또, 웨이퍼(W)의 표면에 처리를 실시하기 위한 처리액으로서, 약액 및 순수를 이용할 수 있다.
스핀척(10)은, 예를 들면, 진공흡착(眞空吸着)식의 척이다. 그리고, 이 스핀척(10)은, 거의 연직방향으로 연장되는 스핀축(軸)(11)과, 이 스핀축(11)의 상단에 설치되어, 웨이퍼(W)를 거의 수평한 자세로 그 이면(下面)을 흡착하여 지지하는 흡착베이스(12)를 갖고 있다. 스핀축(11)에는, 모터 등을 포함하는 회전구동기구(13)가 결합되어 있어서, 웨이퍼(W)를 흡착베이스(12)에 흡착지지한 상태에서, 회전구동기구(13)로부터 스핀축(11)에 구동력을 입력하는 것에 의해, 웨이퍼(W)를 거의 수평한 자세로, 웨이퍼(W)의 중심을 지나는 스핀축(11)의 중심축선 주위로 회전시킬 수 있다.
푸시 풀 플레이트(2)는, 웨이퍼(W)보다 큰 직경을 갖는 원판모양으로 형성되어 있다. 푸시 풀 플레이트(2)는, 도시되지 않은 암에 의해 지지된 지지블록(14)의 하면에 고정되어 있다. 또한, 푸시 풀 플레이트(2)는, 스핀척(10)에 지지된 웨이퍼(W)와, 소정의 간격S을 두어 대향배치할 수 있도록 되어 있다. 푸시 풀 플레이트(2)의 하면(21)에는, 복수의 토출구(22) 및 흡인구(23)가 형성되어 있다. 또한, 푸시 풀 플레이트(2)에는, 각 토출구(22)에 연통하는 대략 원주모양의 공급로(24)와, 각 흡인구(23)에 연통하는 대략 원주모양의 흡인로(25)가, 그 두께 방향(상하 방향)에 관통하여 형성되어 있다.
푸시 풀 플레이트(2)의 복수의 토출구(22)에는, 공급기구(3)에 의해, 약액, 순수, IPA(isopropyl alcohol) 및 질소가스를 선택적으로 공급할 수 있도록 구성되어 있다. 약액으로서, 예를 들면 불산을 이용할 수 있지만, 이것을 대신하여, SPM(황산과산화수소수）, SC1(암모니아과산화수소수） 또는 SC2(염산과산화수소수)가 이용되어도 좋다. 또한, 이들의 약액에 초음파진동이 부여되어도 좋다. 푸시 풀 플레이트(2)의 복수의 흡인구(23)에는, 흡인기구(4)에 의해, 토출구(22)로부터 토출된 약액, 순수, IPA 및 질소가스가 흡인되도록 되어 있다.
공급기구(3)는, 일단(一端)이 각 공급로(24)에 접속된 분지공급관(30)과, 분지공급관(30)의 타단(他端)이 공통으로 접속된 집합공급관(31)을 갖추고 있다. 분지공급관(30)은, 지지블록(14) 내에 배설되어 있다. 집합공급관(31)은, 지지블 록(14)의 외부로 연장되고 있다. 그 지지블록(14)의 외부에 있어서, 이 집합공급관(31)에는, 약액공급관(32), 순수공급관(33), IPA공급관(34) 및 질소가스공급관(35)이 접속되어 있다.
약액공급관(32)은, 도시되지 않은 약액탱크로부터의 약액이 공급되도록 되어 있다. 약액공급관(32)의 도중부(途中部)에는, 이 약액공급관(32)을 개폐하는 약액밸브(36)가 장착되어 있다. 순수공급관(33)은, 도시되지 않은 순수공급원으로부터의 순수가 공급되도록 되어 있다. 순수공급관(33)의 도중부에는, 이 순수공급관(33)을 개폐하는 순수밸브(37)가 장착되어 있다. IPA공급관(34)은, 도시되지 않은 IPA공급원으로부터의 IPA가 공급되도록 되어 있다. IPA공급관(34)의 도중부에는, 이 IPA공급관(34)을 개폐하는 IPA밸브(38)가 장착되어 있다. 질소가스공급관(35)은, 도시되지 않은 질소가스공급원으로부터의 질소가스가 공급되도록 되어 있다. 질소가스공급관(35)의 도중부에는, 이 질소가스공급관(35)을 개폐하는 질소가스밸브(39)가 장착되어 있다.
이것에 의해, 순수밸브(37), IPA밸브(38) 및 질소가스밸브(39)를 닫고, 약액밸브(36)를 여는 것에 따라, 도시되지 않은 약액탱크에 저류되어 있는 약액을, 약액공급관(32), 집합공급관(31), 분지공급관(30) 및 공급로(24)를 통하여, 각 토출구(22)로 공급할 수 있다. 또한, 약액밸브(36), IPA밸브(38) 및 질소가스밸브(39)를 닫고, 순수밸브(37)를 여는 것에 의해, 순수공급원으로부터의 순수를, 순수공급관(33), 집합공급관(31), 분지공급관(30) 및 공급로(24)를 통하여, 각 토출구(22)로 공급할 수 있다. 더욱이, 약액밸브(36), 순수밸브(37) 및 질소가스밸브(39)를 닫아서 IPA밸브(38)를 여는 것에 의해, IPA공급원으로부터의 IPA를, IPA공급관(34), 집합공급관(31), 분지공급관(30) 및 공급로(24)를 통하여, 각 토출구(22)로 공급할 수 있다. 더욱이 또, 약액밸브(36), 순수밸브(37) 및 IPA밸브(38)를 닫고, 질소가스밸브(39)를 여는 것에 의해, 질소가스공급원으로부터의 질소가스를, 질소가스공급관(35), 집합공급관(31), 분지공급관(30) 및 공급로(24)를 통하여, 각 토출구(22)로 공급할 수 있다.
흡인기구(4)는, 각 흡인로(25)에 일단이 접속된 분지흡인관(40)과, 분지흡인관(40)의 타단이 공통으로 접속된 집합흡인관(41)을 갖추고 있다. 분지흡인관(40)은, 지지블록(14) 내에 배설되어 있다. 집합흡인관(41)은, 지지블록(14)의 외부로연장되고 있다. 집합흡인관(41)의 선단은, 집합흡인관(41)내를 진공흡인하기 위한 흡인장치(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 집합흡인관(41)의 도중부에는, 이 집합흡인관(41)을 개폐하는 흡인밸브(42)가 장착되어 있다.
이것에 의해, 푸시 풀 플레이트(2)의 토출구(22)로부터, 약액, 순수, IPA 또는 질소가스가 토출되어 있는 상태에서, 흡인밸브(42)를 여는 것에 따라, 토출구(22)로부터 토출되는 약액, 순수, IPA 또는 질소가스가, 푸시 풀 플레이트(2)의 흡인구(23)로부터 흡인된다.
도 2는, 푸시 풀 플레이트의 하면을 나타내는 저면도이다. 푸시 풀 플레이트(2)의 하면(21)에 있어서, 예를 들면, 흡인구(23)는, 서로 직교하는 방향으로 각각 동일한 간격을 둔 행렬모양의 배열과, 이 배열에 있어서의 행방향 및 열방향의 간격과 각각 행방향 및 열방향으로 같은 간격을 두고, 상기 배열에 대하여 행방 향 및 열방향으로 각각 반분의 간격만큼 어긋난 위치관계를 이루는 행렬 모양의 배열로 정렬하여 배치되어 있다. 그리고, 토출구(22)는, 흡인구(23)의 주위에 있어서, 예를 들면 그 흡인구(23)를 중심으로 하는 정육각형의 각 정점위치에 배치되어 있다. 이것에 의해, 도 2에 화살표에서 도시한 바와 같이, 각 토출구(22)로부터 토출되는 약액, 순수, IPA 또는 질소가스는, 6개의 토출구(22)로부터, 그 토출구(22)의 중앙에 위치하는 흡인구(23)를 향하여 집합하도록 흐른다.
도 1을 다시 참조하여, 이 기판처리장치(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리에 대하여 설명한다.
웨이퍼(W)의 처리에 즈음하여, 우선, 도시되지 않은 반송로보트에 의해, 웨이퍼(W)가 기판처리장치(1)에 반입되어, 그 웨이퍼(W)가 스핀척(10)에 지지된다. 그 후, 푸시 풀 플레이트(2)가, 웨이퍼(W)의 표면에 소정의 간격S를 두고 대향배치된다. 그리고, 스핀척(10)의 회전구동기구(13)에 의해, 웨이퍼(W)가 흡착베이스(12)마다 스핀축(11)의 중심축선(中心軸線) 주위로 회전시작된다.
약액에 의한 세정처리에 있어서는, 웨이퍼(W)가 소정의 회전속도(예를 들면, 500rpm)로 유지되면서, 푸시 풀 플레이트(2)의 토출구(22)로부터 약액이 토출되는 동시에, 그 토출되는 약액이 흡인구(23)로부터 흡인된다. 흡인구(23)의 주위에 배치된 토출구(22)로부터 토출된 약액은, 그 토출 후 즉시 흡인구(23)로부터 흡인된다. 이것에 의해, 푸시 풀 플레이트(2)의 하면(21)위로, 토출구(22)로부터 흡인구(23)를 향하여 흐르는 약액의 액막이 형성된다. 푸시 풀 플레이트(2)의 하면(21)과 웨이퍼(W)의 표면의 간격S는, 이 약액의 액막의 두께보다도 작아지도록, 예를 들면 0.05mm∼5mm로 설정되어 있다. 이 때문에, 푸시 풀 플레이트(2)에 대하여 회전되어 있는 웨이퍼(W)의 표면에 약액의 액막이 접액한다. 웨이퍼(W)의 표면에는, 푸시 풀 플레이트(2)의 하면(21)에 지지되어 있는 약액의 액막이 접액되면서, 웨이퍼(W)가 푸시 풀 플레이트(2)에 대하여 회전되는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 표면의 전역에 약액을 얼룩 없이 공급할 수 있다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 표면의 전역에 약액에 의한 세정을 할 수 있다.
약액에 의한 세정처리의 시작으로부터 미리 정한 처리시간(예를 들면, 30초간)이 경과하면, 푸시 풀 플레이트(2)의 토출구(22)로부터의 약액의 공급이 정지된다. 그리고, 그 토출구(22)로부터 순수가 토출된다. 토출구(22)로부터 토출되는 순수는, 흡인구(23)로부터 흡인된 후, 집합흡인관(41)을 지나서 도시되지 않은 폐기설비로 폐기된다. 흡인구(23)의 주위에 배치된 토출구(22)로부터 토출되는 순수는, 그 토출 후 즉시 흡인구(23)로부터 흡인된다. 이것에 의해, 푸시 풀 플레이트(2)의 하면(21)위로, 토출구(22)로부터 흡인구(23)를 향하여 흐르는 순수의 액막이 형성된다. 그리고, 이 순수의 액막이 웨이퍼(W)의 표면에 접액된다. 웨이퍼(W)의 표면에 순수의 액막이 접액되면서, 웨이퍼(W)가 푸시 풀 플레이트(2)에 대하여 회전되는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 표면전역에 부착되어 있는 약액이 순수에 의해 씻어 버려져 간다.
순수의 토출시작으로부터 미리 정한 린스시간(예를 들면, 30초간)이 경과하면, 푸시 풀 플레이트(2)의 토출구(22)로부터의 순수의 공급이 정지된다. 그리고, 그 후, 스핀척(10)의 회전구동이 정지되어, 웨이퍼(W)의 회전이 정지한다. 웨이 퍼(W)가 정지한 후, 토출구(22)로부터 IPA가 토출된다. 이때, 토출구(22)로부터 토출되는 IPA는, 흡인구(23)로부터 흡인되어서, 집합흡인관(41)을 지나서 도시되지 않은 폐기설비로 폐기된다. 흡인구(23)의 주위에 배치된 토출구(22)로부터 토출되는 IPA는, 그 토출 후 즉시 흡인구(23)로부터 흡인된다. 이에 의해, 푸시 풀 플레이트(2)의 하면(21)위로, 토출구(22)로부터 흡인구(23)를 향하여 흐르는 IPA의 액막이 형성된다. 그리고, 이 IPA의 막이 웨이퍼(W)의 표면에 접액된다. 이 IPA의 액막의 접액에 의해, 웨이퍼(W)의 표면에 부착되어 있는 순수가 IPA로 치환되어, IPA 의 휘발성에 의해 웨이퍼(W)의 표면이 건조되어 간다.
그리고, IPA의 토출시작으로부터 미리 정한 치환시간(예를 들면, 30초간)이 경과하면, 푸시 풀 플레이트(2)의 토출구(22)로부터의 IPA의 공급이 정지된다. 그리고, 그 후, 스핀척(10)의 회전구동기구(13)가 회전구동되어서, 웨이퍼(W)가 소정의 회전속도(예를 들면, 100rpm)로 회전된다. 또한, 푸시 풀 플레이트(2)의 토출구(22)로부터 질소가스가 토출된다. 토출구(22)로부터 토출되는 질소가스는, 흡인구(23)로부터 흡인되어서, 집합흡인관(41)으로부터 도시되지 않은 배기설비로 배기된다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 표면과 푸시 풀 플레이트(2)의 하면(21)의 사이에, 토출구(22)로부터 흡인구(23)를 향하여 흐르는 질소가스의 기류가 형성되어, 웨이퍼(W)의 표면에 남아 있는 미소한 IPA의 액적(液滴)이 신속하게 건조되어 간다. 또, IPA를 공급하는 과정에 있어서, 웨이퍼(W)상의 순수는 거의 제거되어 있다. 그 때문에, 웨이퍼(W)가 회전해도, 순수의 액적이 웨이퍼(W)의 주위로 비산하는 경우는 없다.
질소가스의 토출시작으로부터 미리 정한 건조시간(예를 들면, 30초간)이 경과하면, 푸시 풀 플레이트(2)의 토출구(22)로부터의 질소가스의 공급이 정지된다. 또한, 스핀척(10)의 회전구동기구(13)의 회전구동이 정지되어서, 웨이퍼(W)의 회전이 정지한다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)에 대한 일련의 처리가 종료한다. 그리고, 처리를 마친 웨이퍼(W)가 도시되지 않은 반송로보트에 의해 반출되어 간다.
이상과 같이, 이 실시형태에 의하면, 푸시 풀 플레이트(2)에 형성된 토출구(22)로부터 웨이퍼(W)의 표면을 향하여 처리액을 토출시키면서, 그 푸시 풀 플레이트(2)에 형성된 흡인구(23)로부터 흡인하는 것에 의해, 푸시 풀 플레이트(2)의 하면(21) 상에 처리액의 액막을 형성할 수 있다. 그리고, 그 푸시 풀 플레이트(2)를 웨이퍼(W)의 표면에 대향배치하고, 웨이퍼(W)의 표면에 처리액의 액막을 접액시키는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 표면에 처리액을 이용한 처리를 실시할 수 있다. 푸시 풀 플레이트(2)의 토출구(22)로부터 토출되는 처리액은, 토출 후 즉시 흡인구(23)로부터 흡인되므로, 웨이퍼(W)가 회전되어 있어도, 웨이퍼(W)의 주변으로 비산하지 않는다. 그 때문에, 처리액의 웨이퍼(W)의 주변으로의 비산을 억제하면서, 웨이퍼(W)의 표면에 처리액에 의한 처리를 실시할 수 있다.
또한, 웨이퍼(W)가 푸시 풀 플레이트(2)에 대하여 회전하고 있으므로, 처리액이 웨이퍼(W)의 표면의 전역에 얼룩 없이 접액한다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 처리액을 이용한 처리를 균일하게 행할 수 있다.
이상으로, 이 발명의 실시형태에 대하여 설명했지만, 이 발명은, 다른 실시형태로 실시할 수도 있다. 예를 들면, 푸시 풀 플레이트(2)의 토출구(22)와 흡인 구(23)의 배치패턴을 서로 반대로 하여 흡인구(23)를, 토출구(22)의 주위에 복수 개 (예를 들면 6개)배치하는 구성으로 하여도 좋다. 이 경우, 각 토출구(22)로부터 토출되는 처리액이, 그 주위에 위치하는 흡인구(23)로 분산되어서 흐르게 된다.
또한, 전기의 실시형태에서는, 스핀척(10)으로서 진공흡착식의 척을 이용했지만, 스핀척(10)은, 이러한 진공흡착식의 척에 한정되지 않는다. 예를 들면, 웨이퍼(W)의 주단면(周端面)을 협지(挾持)부재를 이용하여 협지하는 것에 의해, 웨이퍼(W)를 거의 수평한 자세로 유지할 수 있는 메커닉스식의 척이 채용되어 있어도 좋다. 또한, 웨이퍼(W)의 주단면을 복수 개의 회전롤러를 이용하여 협지하는 것에 의해, 웨이퍼(W)를 거의 수평한 자세로 유지할 수 있는 롤러식의 척이 채용되어 있어도 좋다.
또한, 이것을 대신하여, 전술의 푸시 풀 플레이트(2)와 같은 구성의 플레이트를 이용하여, 웨이퍼(W)를 이면측에서 흡착지지시킬 수도 있다. 토출구로부터 웨이퍼(W)의 이면을 향하여 질소가스 등의 기체를 토출시키면서 그 흡인구로부터 흡인하는 것에 의해, 플레이트 위로 기체의 흐름이 생기고, 이것에 의해, 웨이퍼(W)가 흡착지지된다. 이 경우, 웨이퍼(W) 쪽으로의 이동을 규제하기 위하여, 플레이트의 주변에 가이드를 설치할 필요가 있다.
더욱 또한, 전술의 실시형태에서는, 정지상태의 푸시 풀 플레이트(2)에 대하여 웨이퍼(W)를 회전시키는 구성을 채용했지만, 반대로, 웨이퍼(W)를 정지상태로 하여 이 웨이퍼(W)에 대하여 푸시 풀 플레이트(2)를 회전시키는 구성을 채용해도 좋다.
또한, 전술의 실시형태에서는, 스핀척(10)에 의해, 웨이퍼(W)가 그 표면을 윗쪽을 향한 수평한 자세로 지지되어, 이 웨이퍼(W)의 표면에 대하여, 푸시 풀 플레이트(2)에 지지되는 액막이 윗쪽으로부터 접액되는 구성을 취하였지만, 이 구성을 상하가 반전된 구성을 채용해도 좋다. 즉, 스핀척(10)이 흡착베이스(12)를 아래쪽을 향하여 배치되는 동시에, 푸시 풀 플레이트(2)가 토출구(22) 및 흡인구(23)의 형성된 면을 흡착베이스(12)에 아래쪽으로부터 대향시켜서 배치되어, 스핀척(10)에 의해, 웨이퍼(W)가 그 표면을 아래쪽을 향한 수평한 자세로 지지되고, 이 웨이퍼(W)의 표면에 대하여, 푸시 풀 플레이트(2)에 지지되는 액막이 아래쪽으로부터 접액되는 구성이 채용되어도 좋다.
더욱이, 웨이퍼(W)와 푸시 풀 플레이트(2)의 회전은, 전술의 실시형태와 같이 웨이퍼(W) 또는 푸시 풀 플레이트(2)를 그 중심을 지나는 축선 주위로 회전시키는 구성에 한정되지 않는다. 예를 들면, 웨이퍼(W) 또는 푸쉬 풀 플레이트(2)를, 그 중심으로부터 어긋난 축선 주위로 회전시키는(公轉) 구성이여도 좋다. 이 경우, 웨이퍼(W)의 중심부분을 포함하여, 얼룩 없이 처리액에 의한 처리를 실시할 수 있다.
본 발명의 실시형태에 대하여 상세하게 설명해 왔지만, 이들은 본 발명의 기술적 내용을 밝히기 위하여 이용된 구체예에 지나치지 않고, 본 발명은 이들의 구체예에 한정하여 해석되어서는 안되고, 본 발명의 정신 및 범위는 첨부의 청구의 범위에 의해서만 한정된다.
이 출원은, 2006년 8월 31일에 일본국특허청에 제출된 특허출원 2006-235016 호에 대응하고 있으며, 이 출원의 전(全) 개시는 여기에 인용하는 것에 의해 조합되는 것으로 한다.
도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 관계하는 기판처리장치의 구성을 도해적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는, 푸시 풀 플레이트의 하면을 나타내는 저면도(底面圖)이다.

Claims (3)

  1. 기판을 지지하는 기판지지유닛과,
    상기 기판지지유닛에 지지된 기판의 한쪽면에 간격을 두고 대향배치되어, 상기 한쪽면과 대향하는 면에, 처리액을 토출하는 복수의 토출구, 및, 상기 토출구로부터 토출된 처리액을 흡인하는 복수의 흡인구가 형성된 푸시 풀 플레이트와,
    상기 기판지지유닛에 지지된 기판과 푸시 풀 플레이트를 상대적으로 회전시키는 상대회전유닛을 포함하는 기판처리장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 상대회전유닛은,
    상기 기판지지유닛에 지지된 기판을, 그 기판의 중심을 지나는 축선 주위로 회전시키는 기판처리장치.
  3. 기판지지유닛에 의해 기판을 지지하는 기판지지공정과,
    처리액을 토출하는 복수의 토출구 및 상기 토출구로부터 토출된 처리액을 흡인하는 복수의 흡인구가 형성된 푸시 풀 플레이트를, 상기 기판지지유닛에 지지된 기판의 한쪽면에 대하여 간격을 두고 대향배치하고, 상기 토출구로부터 토출되는 처리액을 해당 기판의 한쪽면에 접액시키는 접액공정과,
    상기 접액공정과 병행하여, 기판과 푸시 풀 플레이트를 상대적으로 회전시키 는 상대회전공정,
    을 포함하는 기판처리방법.
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