KR20120033243A - 기판처리장치 및 기판처리방법 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 140
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 54
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 317
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 138
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 121
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 44
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 30
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 claims description 3
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 claims description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 abstract description 100
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 abstract description 97
- 239000003814 drug Substances 0.000 abstract 3
- 229940079593 drug Drugs 0.000 abstract 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 103
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 22
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 8
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000004108 freeze drying Methods 0.000 description 1
- XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;sulfuric acid Chemical compound OO.OS(O)(=O)=O XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
본 발명의 기판처리장치는 기판회전유닛에 의해 회전되는 기판 표면에서의 기판 둘레단보다 내측이면서 회전중심을 포함한 영역과 간격을 두고 대향하는 대향면과, 상기 대향면에 형성되어, 상기 회전중심과 대향하는 토출구를 갖는 노즐과, 상기 처리액을 상기 토출구에 공급하기 위한 처리액공급유닛과, 상기 기판의 표면과 상기 대향면 사이에 액을 공급하기 위한 액공급유닛과, 상기 액공급유닛을 제어하여, 상기 영역과 상기 대향면 사이의 공간을 액밀상태로 함과 함께 그 후액의 공급을 정지하여, 상기 공간에 액고임을 형성하는 액공급제어유닛과, 상기 액고임의 형성 후, 상기 처리액공급유닛을 제어하여, 상기 토출구로부터 처리액을 토출시키는 처리액공급제어유닛을 포함한다.
Description
본 발명은 기판에 처리액을 사용한 처리를 실시하기 위한 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다. 처리의 대상이 되는 기판에는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼, 액정표시장치용 유리 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, FED(Field Emission Display)용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광학 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양전지용 기판 등의 기판이 포함된다.
반도체 장치나 액정표시장치의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼나 액정 표시 패널용 유리 기판 등의 기판에 대하여 처리액을 사용한 처리가 행하여진다. 기판을 1매씩 처리하는 매엽식(枚葉式)의 기판처리장치는 기판을 수평한 자세로 유지하여 회전시키는 스핀척과, 기판의 표면(처리 대상면)에 처리액을 공급하기 위한 노즐을 구비하고 있다. 기판은 그 표면을 위쪽으로 향한 상태로 스핀척에 유지된다. 그리고, 스핀척에 의해 기판이 회전되면서, 그 기판 표면의 중앙부에 노즐로부터 처리액이 공급된다. 기판의 표면에 공급된 처리액은 기판의 회전에 의한 원심력을 받아, 기판의 표면상을 중앙부로부터 주연부(周緣部)로 향하여 퍼진다(US2009/0032067al 참조).
스핀척에 의해 기판을 회전시키면서, 노즐로부터 처리액을 토출시키면, 노즐로부터의 처리액은 기판 표면의 중앙부에 공급된다. 이에 의해, 거의 원형인 처리액의 액막이 기판의 표면상에 형성된다. 이 액막은 기판의 회전에 의한 원심력을 받아 기판 표면의 주연부로 향하여 퍼진다.
그러나, 처리액의 액막은 기판의 주연부까지 거의 원형인 채로 퍼지지 않고, 기판의 표면 주연부에 도달하기 전에 방사상으로 퍼지는 경우가 있다. 처리액의 액막의 퍼짐을 도 9에 나타낸다. 기판의 표면상을 퍼지는 거의 원형의 처리액의 액막에는, 그 외연(外緣)으로부터 직경 방향으로 뻗는 복수의 처리액의 줄기(筋)(L)가 형성된다. 이는 기판 표면의 친수도(親水度)가 높은 부분을 따라 처리액의 액막의 외연이 눌러 퍼지는 것에 기인한다.
예를 들면, 대유량(大流量)(예를 들면, 2.0L/min 이상)으로 노즐로부터 처리액을 토출시키면, 기판 표면의 전체 영역을 처리액에 의해 확실하게 덮을 수 있다. 그러나, 이 경우에는, 1매의 처리에 필요로 하는 처리액량이 많아져, 그에 따라 처리비용이 높아진다.
따라서, 본 발명의 목적은 처리액 소비량의 저감을 실현할 수 있음과 함께, 기판상의 광범위하게 처리액을 널리 퍼지게 할 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 기판처리장치는 기판에 처리액에 의한 처리를 실시하는 기판처리장치로서, 기판을 수평 자세로 유지하면서 회전시키는 기판회전유닛과, 상기 기판회전유닛에 의해 회전되는 기판 표면에서의 기판 둘레단(周端)보다 내측이면서 회전중심을 포함한 영역과 간격을 두고 대향하는 대향면과, 상기 대향면에 형성되어 상기 회전중심과 대향하는 토출구를 갖는 노즐과, 상기 처리액을 상기 토출구에 공급하기 위한 처리액공급유닛과, 상기 기판의 표면과 상기 대향면 사이에 액을 공급하기 위한 액공급유닛과, 상기 액공급유닛을 제어하여, 상기 영역과 상기 대향면 사이의 공간을 액밀(液密)상태로 함과 함께 그 후액(後液)의 공급을 정지하여, 그 공간에 액고임을 형성하는 액공급제어유닛과, 상기 액고임의 형성 후, 상기 처리액공급유닛을 제어하여, 상기 토출구로부터 처리액을 토출시키는 처리액공급제어유닛을 포함한다.
이 구성에 의하면, 기판의 표면과 대향면 사이에 액이 공급된다. 또한, 기판이 회전된다. 또한, 대향면과 기판 표면에서의 대향면과 대향하는 영역 사이의 공간이 액에 의해 액밀상태로 된 후에 액의 공급이 정지된다. 이에 의해, 상기 영역과 대향면 사이의 공간에 액고임이 형성된다. 이 액고임은 기판의 표면 및 대향면에 각각 접액(接液)되어 있다. 이 액고임은 노즐에 대하여 정지 상태에 있고, 그 때문에, 회전 상태에 있는 기판에 대하여 상대적으로 회전한다. 그리고, 액고임에서의 기판과의 접촉면에는, 기판 표면과의 사이의 마찰에 의한 회전 방향의 마찰력이 작용하고 있다. 그 때문에, 액고임에서의 기판과의 접촉면의 주연(周緣) 각 부(部)에는, 그 각 부에서의, 상기 주연의 접선을 따르는 방향의 힘(이하, 「접선 방향력」이라고 함)이 기판의 회전 방향의 방향으로 작용하고 있다.
이 상태에서, 노즐의 토출구로부터 처리액이 토출되면, 액고임을 형성하고 있던 액은 상기 공간의 측방으로 밀려 나와, 기판의 회전에 의한 원심력을 받아 기판 표면의 주연부로 향하여 퍼져 간다. 액고임에서의 기판과의 접촉면의 주연 각 부에는, 접선 방향력이 작용하고 있으므로, 액고임을 형성하고 있던 액은 그 둘레 길이가 최단 상태로 되는 형상으로, 즉 거의 원형인 채로 주연부로 향하여 퍼진다. 그리고, 후속의 처리액의 액막은 선행의 액에 끌려가서, 기판의 표면을 거의 원형인 채로 주연부로 향하여 퍼진다. 이에 의해, 기판의 표면을 처리액의 액막으로 덮을 수 있다. 따라서, 소유량(小流量)으로 처리액을 공급하면서, 기판 상면의 광범위하게 처리액을 널리 퍼지게 할 수 있다.
또한, 「거의 원형인 채로 퍼진다」라는 것은, 원형인 채로 퍼지는 경우 이외에, 원형의 외연으로부터 직경 방향으로 뻗는 복수의 처리액의 줄기의 크기가 기판의 반경의 대략 1/5 이하인 것을 말한다.
상기 대향면이 상기 기판회전유닛에 의해 유지된 기판의 표면과 평행한 평탄면을 포함하는 것이어도 좋다.
또한, 상기 대향면은 상기 토출구로부터 이반(離反)함에 따라 상기 기판의 표면에 가까워지는 곡면을 포함하는 것이어도 좋다. 이 구성에 의하면, 상기 공간이 액밀상태인 경우에, 토출구로부터 토출되는 처리액은 곡면을 따르면서, 기판의 표면에 공급된다. 그 때문에, 토출구와 기판 표면 사이에 소용돌이가 발생하는 것을 억제 또는 방지할 수 있고, 이에 의해, 처리액중에서의 기포의 발생을 방지할 수 있다.
본 발명의 기판처리방법은 토출구가 형성된 노즐의 대향면을, 수평 자세의 기판의 표면에 간격을 두고 대향 배치하는 대향면배치공정과, 기판을 연직(鉛直)축선 둘레로 회전하는 회전공정과, 기판의 표면과 상기 대향면 사이에 액을 공급하여, 기판 표면에서의 상기 대향면과 대향하는 영역과 상기 대향면 사이의 공간을 액밀상태로 함과 함께 그 후액의 공급을 정지하여, 상기 공간에 액고임을 형성하는 액고임형성공정과, 상기 회전공정과 병행하여 실행되고, 상기 액고임형성공정 후에, 상기 토출구로부터 처리액을 토출하는 처리액토출공정을 포함한다.
본 발명의 방법에 의하면, 기판의 표면과 대향면 사이에 액이 공급된다. 또한, 기판이 회전된다. 또한, 대향면과 기판 표면에서의 대향면과 대향하는 영역 사이의 공간이 액에 의해 액밀상태로 된 후에 액의 공급이 정지된다. 이에 의해, 상기 영역과 대향면 사이의 공간에 액고임이 형성된다. 이 액고임은 기판의 표면 및 대향면에 각각 접액되어 있다. 이 액고임은 노즐에 대하여 정지 상태에 있고, 그 때문에, 회전 상태에 있는 기판에 대하여 상대적으로 회전한다. 그리고, 액고임에서의 기판과의 접촉면에는, 기판 표면과의 사이의 마찰에 의한 회전 방향의 마찰력이 작용하고 있다. 그 때문에, 액고임에서의 기판과의 접촉면의 주연 각 부에는, 접선 방향력이 기판의 회전 방향을 향하여 작용하고 있다.
이 상태에서, 노즐의 토출구로부터 처리액이 토출되면, 액고임을 형성하고 있던 액은 상기 공간의 측방으로 밀려 나와 기판의 회전에 의한 원심력을 받아 기판 표면의 주연부로 향하여 퍼져 간다. 액고임에서의 기판과의 접촉면의 주연 각 부에는, 접선 방향력이 작용하고 있으므로, 액고임을 형성하고 있던 액은 그 둘레 길이가 최단 상태로 되는 형상으로, 즉 거의 원형인 채로 주연부로 향하여 퍼진다. 그리고, 후속의 처리액의 액막은 선행의 액에 끌려가서, 기판의 표면을 거의 원형인 채로 주연부로 향하여 퍼진다. 이에 의해, 기판의 표면을 처리액의 액막으로 덮을 수 있다. 따라서, 소유량으로 처리액을 공급하면서, 기판 표면에 광범위하게 처리액을 널리 퍼지게 할 수 있다.
상기 액고임형성공정은 상기 기판의 표면과 상기 대향면 사이에 물을 공급하여, 상기 공간에 물의 액고임을 형성하는 물고임형성공정을 포함하고 있어도 좋다. 이 경우, 상기 처리액토출공정은 상기 토출구로부터 약액을 토출하는 약액토출공정을 포함하여도 좋다.
이러한 방법에 의하면, 액고임이 물을 사용하여 형성되어 있으므로, 대향면과, 기판 표면에서의 대향면과 대향하는 영역 사이의 공간에 형성되는 액고임에 의해서는 상기 영역에 처리가 실시되지 않는다. 따라서, 기판 표면에서의 처리 얼룩의 발생을 억제 또는 방지할 수 있다.
또한, 상기 방법은 상기 회전공정과 병행하여 실행되고, 상기 물고임형성공정 후 상기 약액토출공정에 앞서서, 상기 토출구로부터 물을 토출하는 물토출공정을 포함하고 있어도 좋다. 이 경우, 상기 약액토출공정에서의 약액의 토출은 상기 물토출공정에서의 물의 토출에 연속하여 실행하도록 하여도 좋다.
이러한 방법에 의하면, 대향면과, 기판 표면에서의 대향면과 대향하는 영역 사이의 공간에서의 물의 액고임의 형성 후에, 토출구로부터의 약액의 토출에 앞서서, 토출구로부터 물이 토출된다.
노즐의 토출구로부터 물이 토출되면, 액고임을 형성하고 있던 물은 상기 공간의 측방으로 밀려 나와 기판의 회전에 의한 원심력을 받아 기판 표면의 주연부로 향하여 퍼져 간다. 액고임에서의 기판의 표면과의 접촉면의 주연 각 부에는, 접선 방향력이 작용하고 있으므로, 액고임을 형성하고 있던 물은 그 둘레 길이가 최단 상태로 되는 형상으로, 즉 거의 원형인 채로 주연부로 향하여 퍼진다. 그리고, 후속의 물의 액막은 선행의 물에 끌려가서, 기판의 표면을 거의 원형인 채로 주연부로 향하여 퍼진다. 이에 의해, 물의 액막에 의해 기판의 표면이 덮여진다.
그 후, 물의 토출에 연속하여 약액이 토출구로부터 토출되어, 그 약액이 상기 공간에 공급된다. 그 때문에, 상기 공간이 액밀상태로 유지되면서, 상기 공간내의 물이 약액으로 치환되어 기판의 표면을 덮는 액막이 물로부터 약액으로 치환된다. 이에 의해, 원활하게, 기판 표면의 광범위하게 약액을 널리 퍼지게 할 수 있다.
또한, 상기 처리액토출공정이 상기 토출구로부터 약액을 토출하는 약액토출공정을 포함하고 있는 경우에, 상기 액고임형성공정은 상기 기판의 표면과 상기 대향면 사이에, 상기 약액토출공정에서 토출되는 약액과 같은 약액을 공급하여, 상기 공간에 그 약액의 액고임을 형성하는 약액고임형성공정을 포함하는 것이어도 좋다.
본 발명에서의 전술한, 또는 또 다른 목적, 특징 및 효과는 첨부 도면을 참조하여 이하에 기술하는 실시형태의 설명에 의해 명백해진다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 의한 기판처리장치의 구성을 도해적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1에 나타내는 노즐의 단면도이다.
도 3은 도 1에 나타내는 기판처리장치로 행하여지는 처리예 1을 나타내는 공정도이다.
도 4a－4f는 처리예 1에서의 약액 처리공정의 시작시의 모습을 나타내는 도해적인 단면도이다.
도 5는 처리예 1에서의 DIW의 액막의 퍼짐을 나타내는 도해적인 평면도이다.
도 6a－6c는 처리예 2의 약액 처리공정의 시작시의 모습을 나타내는 도해적인 단면도이다.
도 7a－7d는 처리예 3의 약액 처리공정의 시작시의 모습을 나타내는 도해적인 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시형태에 의한 기판처리장치의 노즐의 단면도이다.
도 9는 기판의 표면에 공급된 처리액의 퍼짐을 나타내는 도해적인 평면도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 노즐의 단면도이다.
도 3은 도 1에 나타내는 기판처리장치로 행하여지는 처리예 1을 나타내는 공정도이다.
도 4a－4f는 처리예 1에서의 약액 처리공정의 시작시의 모습을 나타내는 도해적인 단면도이다.
도 5는 처리예 1에서의 DIW의 액막의 퍼짐을 나타내는 도해적인 평면도이다.
도 6a－6c는 처리예 2의 약액 처리공정의 시작시의 모습을 나타내는 도해적인 단면도이다.
도 7a－7d는 처리예 3의 약액 처리공정의 시작시의 모습을 나타내는 도해적인 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시형태에 의한 기판처리장치의 노즐의 단면도이다.
도 9는 기판의 표면에 공급된 처리액의 퍼짐을 나타내는 도해적인 평면도이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 의한 기판처리장치(1)의 구성을 도해적으로 나타내는 도면이다. 이 기판처리장치(1)는 기판의 일례로서의 원형의 반도체 웨이퍼(W)(이하, 간단히 「웨이퍼(W)」라고 함)의 표면(처리 대상면)에 처리액(약액 및 린스액(본 실시형태에서는, 린스액의 일례로서 DIW(탈이온수)를 사용함))에 의한 처리를 행하기 위한 매엽식(枚葉式)의 장치이다.
기판처리장치(1)는 격벽(도시하지 않음)에 의해 구획된 처리실(10) 내에, 웨이퍼(W)를 수평 자세로 유지하여, 회전시키는 스핀척(기판회전유닛)(2)과, 스핀척(2)에 유지된 웨이퍼(W)의 상면(표면)에 처리액을 공급하기 위한 노즐(3)을 구비하고 있다.
스핀척(2)은 스핀모터(4)와, 이 스핀모터(4)의 구동축과 일체화된 스핀축(5)과, 스핀축(5)의 상단에 거의 수평으로 장착된 원판형상의 스핀 베이스(6)와, 스핀 베이스(6)의 주연부의 복수 곳에 거의 등간격으로 설치된 복수개의 협지부재(7)를 구비하고 있다. 스핀척(2)은 복수개의 협지부재(7)에 의해 웨이퍼(W)를 협지한 상태로, 스핀모터(4)의 회전 구동력에 의해 스핀 베이스(6)를 회전시킴으로써, 그 웨이퍼(W)를, 거의 수평한 자세를 유지한 상태로, 스핀 베이스(6)와 함께 회전축선(C) 둘레로 회전시킬 수 있다.
스핀척(2)으로서는, 협지식(挾持式)의 척에 한정되지 않으며, 예를 들면, 웨이퍼(W)의 이면을 진공 흡착함으로써, 웨이퍼(W)를 수평한 자세로 유지하고, 그 상태에서 연직의 회전축선 둘레로 더 회전함으로써, 그 유지한 웨이퍼(W)를 회전시킬 수 있는 진공 흡착식의 척(진공척)이 채용되어도 좋다.
노즐(3)에는, 약액공급관(8) 및 DIW공급관(9)이 접속되어 있다. 약액공급관(8)의 도중부(途中部)에는, 약액공급관(8)을 개폐하기 위한 약액밸브(11)가 개재되어 장착되어 있다. DIW공급관(9)의 도중부에는, DIW공급관(9)을 개폐하기 위한 DIW밸브(13)가 개재되어 장착되어 있다.
이에 의해, DIW밸브(13)를 닫으면서 약액밸브(11)를 엶으로써, 약액공급원으로부터의 약액을, 약액공급관(8)을 통하여 노즐(3)에 공급할 수 있어, 노즐(3)의 토출구(26)(도 2 참조)로부터 약액을 토출할 수 있다. 또한, 약액밸브(11)를 닫으면서 DIW밸브(13)를 엶으로써, DIW공급원으로부터의 DIW를, DIW공급관(9)을 통하여 노즐(3)에 공급할 수 있어, 노즐(3)의 토출구(26)로부터 DIW를 토출할 수 있다.
또한, 약액으로서는, 웨이퍼(W)의 표면에 대한 처리의 내용에 따른 것이 사용된다. 예를 들면, 웨이퍼(W)의 표면으로부터 파티클을 제거하기 위한 세정 처리를 행할 때는, SC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture：암모니아 과산화수소수) 등이 사용된다.
또한, 웨이퍼(W)의 표면으로부터 산화막 등을 에칭하기 위한 세정 처리를 행할 때는, 불화수소산이나 BHF(Bufferd HF) 등이 사용되고, 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 레지스터막을 박리하는 레지스터 박리 처리나, 레지스터 박리 후의 웨이퍼(W)의 표면에 폴리머로 되어 잔류하여 있는 레지스터 찌꺼기를 제거하기 위한 폴리머 제거 처리를 행할 때는 SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：황산 과산화수소수)나 SC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture：암모니아 과산화수소수) 등의 레지스터 박리액이나 폴리머 제거액이 사용된다. 금속 오염물을 제거하는 세정 처리에는, 불화수소산이나 SC2(hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture：염산 과산화수소수)나 SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：황산 과산화수소수) 등이 사용된다.
또한, 기판처리장치(1)에 대하여 실행되는 처리에 있어서, 노즐(3)로부터 토출되는 약액 및 DIW는 각각 소유량(각각, 예를 들면, 0.5L/min 정도)이다.
노즐(3)은 아암(14)의 선단부(先端部)에 장착되어 있다. 아암(14)은 스핀척(2)의 위쪽에서 수평으로 뻗어 있다. 아암(14)에는, 모터 등을 포함한 노즐이동기구(12)가 결합되어 있다. 노즐이동기구(12)에 의해, 아암(14)을 스핀척(2)의 측방으로 설정된 연직의 회동축선을 중심으로 수평면 내에서 요동시킬 수 있다. 아암(14)의 요동에 따라, 노즐(3)이 스핀척(2)의 위쪽에서 수평 이동한다. 또한, 노즐이동기구(12)에 의해, 아암(14)을 승강시킬 수 있다. 아암(14)의 승강에 따라 노즐(3)이 승강한다. 이와 같이 노즐이동기구(12)는 노즐(3)을 웨이퍼(W)에 접근/이반시키기 위한 접리(接離)구동기구를 구성하여 있다.
웨이퍼(W)에 대한 처리시에는, 아암(14)의 요동 및 승강에 의해 노즐(3)이 후술하는 근접 위치에 배치된다. 웨이퍼(W)에의 처리를 행하지 않을 때는, 노즐(3)은 웨이퍼(W)의 회전범위 외에 있는 퇴피 위치에 배치된다.
도 2는 노즐(3)의 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하여 노즐(3)의 구성에 대하여 설명한다.
노즐(3)은 원통형상의 관형상부(20)와, 관형상부(20)의 하단에 관형상부(20)와 동심(同心)으로 고정된 원판부(21)와, 관형상부(20)의 측방을 둘러싸 피복하는 커버(22)를 구비하고 있다.
관형상부(20) 및 원판부(21)는 염화비닐, PCTFE(Poly Chloro Tri Furuoro Ethylene), PVDF(PolyVinylidene DiFluoride), PTFE(polytetrafluoroethylene) 등의 수지 재료를 사용하여 형성되어 있다.
원판부(21)의 하면에는, 스핀척(2)에 유지된 웨이퍼(W)의 표면과 대향하기 위한 원형의 대향면(23)이 형성되어 있다. 대향면(23)은 수평 평탄면이며, 그 반경은 스핀척(2)에 유지되는 웨이퍼(W)의 반경(회전반경)보다 소경(小徑)(예를 들면, 웨이퍼(W)의 반경의 1/10?1/8 정도)으로 설정되어 있다. 대향면(23)에는, 친액화(親液化) 처리가 실시되어 있다.
관형상부(20) 및 원판부(21) 내에는, 연직 방향으로 뻗는 유통로(24)가 형성되어 있다. 유통로(24)는 관형상부(20)의 기단(基端)측에서 도입구(25)로서 개구됨과 함께, 대향면(23)의 중심에, 토출구(26)로서 거의 원형상으로 개구되어 있다. 도입구(25)를 통하여 유통로(24)에 도입된 약액 또는 DIW가 유통로(24)를 유통한 후, 토출구(26)로부터 토출된다.
또한, 커버(22)의 내벽과 관형상부(20)의 외벽 사이는 웨이퍼(W)의 표면에 불활성 가스의 일례로서의 질소가스(N2)를 공급하기 위한 원통형상의 질소가스 유통로(27)를 형성하고 있다. 질소가스 유통로(27)는 관형상부(20)의 외벽 하단부에 환형상(環狀)으로 개구되는 질소가스 토출구(28)를 갖고 있다. 커버(22)에는, 그 내외벽을 관통하여 형성되는 관통공(29)이 형성되어 있다. 관통공(29)이 커버(22)의 내벽에 개구되어 도입구(30)가 형성되어 있다. 도입구(30)에는, 이음매(31)를 통하여 질소가스 공급관(32)이 접속되어 있다. 질소가스 공급관(32)의 도중부에는, 질소가스 공급관(32)을 개폐하기 위한 질소가스 밸브(33)(도 1 참조)가 개재되어 장착되어 있다. 질소가스 밸브(33)가 개방되면, 질소가스 토출구(28)로부터 원판부(21)의 직경 방향 바깥쪽 횡방향으로 질소가스가 토출된다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판처리장치(1)는 마이크로 컴퓨터를 포함한 제어부(18)를 구비하고 있다. 제어부(18)는 미리 정해진 프로그램에 따라, 스핀모터(4) 및 노즐이동기구(12)를 각각 제어한다. 또한, 제어부(18)는 약액밸브(11), DIW밸브(13) 및 질소가스 밸브(33)의 개폐를 각각 제어한다.
도 3은 기판처리장치(1)로 행하여지는 처리예 1을 나타내는 공정도이다. 도 4a?도 4f는 처리예 1에서의 약액 처리공정의 시작시의 모습을 나타내는 도해적인 단면도이다. 이하, 처리예 1에 대하여, 도 1?도 4f를 참조하면서 설명한다.
처리대상의 웨이퍼(W)는 반송로봇(도시하지 않음)에 의해 처리실(10)에 반입되어(단계 S1), 그 표면을 위쪽으로 향한 상태로 스핀척(2)에 유지된다. 이 때, 웨이퍼(W) 반입의 방해가 되지 않도록, 노즐(3)은 웨이퍼(W)의 회전범위 외에 있는 퇴피 위치에 배치되어 있다.
웨이퍼(W)가 스핀척(2)에 유지된 후, 제어부(18)는 노즐이동기구(12)를 제어하여 아암(14)을 요동시킨다. 이 아암(14)의 요동에 의해, 노즐(3)이 퇴피 위치로부터 웨이퍼(W)의 회전축선(C) 상으로 이동된다. 또한, 제어부(18)는 노즐이동기 구(12)를 제어하여 노즐(3)을 근접 위치까지 하강시킨다. 도 4a에 나타내는 바와 같이, 이 근접 위치에서는, 노즐(3)의 대향면(23)이 웨이퍼(W)의 표면과, 미소 간격(S)(예를 들면, 5?10㎜ 정도)을 두고 대향하여 있다. 또한, 이 상태에서, 대향면(23)의 중심이 웨이퍼(W)의 회전축선(C) 상에 위치하여 있다.
또한, 제어부(18)는 스핀모터(4)를 제어하여, 웨이퍼(W)를 회전 시작시킨다.
웨이퍼(W)의 회전 시작 직후에는, 제어부(18)는 약액밸브(11)를 닫은 채로 DIW밸브(13)를 열어, 노즐(3)의 토출구(26)로부터 DIW를 토출한다. 이에 의해, 도 4b에 나타내는 바와 같이, 대향면(23)과, 웨이퍼(W)의 표면에서의 대향면(23)과 대향하는 영역(이하, 「대향 영역」이라고 함)(Al) 사이의 공간(SP)에 DIW가 공급되고, 대향면(23)과 대향 영역(A1) 사이의 공간(SP)이 DIW에 의해 액밀상태로 됨과 함께, 공간(SP)으로부터 흘러넘친 DIW가 측방으로 밀려나온다. 밀려나온 DIW는 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력을 받아, 웨이퍼(W)의 표면을 주연부로 향하여 퍼진다.
대향면(23)과 대향 영역(A1) 사이의 공간(SP)이 액밀상태로 된 후(예를 들면, DIW의 토출 시작부터 05?1.0초간의 경과 후), 제어부(18)는 DIW밸브(13)를 닫아 DIW의 토출을 정지한다. 이에 의해, 공간(SP)에의 DIW의 공급이 정지되지만, 그 한편으로 웨이퍼(W)의 회전은 속행되고 있다. 이에 의해, 공간(SP) 바깥에 존재하는 DIW는 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력을 받아 웨이퍼(W)의 주연부로부터 비산되어, 공간(SP)에, 도 4c에 나타내는 바와 같이, DIW의 액고임(DL)이 형성된다.
DIW의 액고임(DL)은 웨이퍼(W)의 대향 영역(A1)의 전체 영역 및 노즐(3)의 대향면(23)의 전체 영역에 각각 접액되어 있다. 대향면(23)은 비회전 상태로 정지하여 있으므로, DIW의 액고임(DL)은 노즐(3)의 대향면(23)의 인장력을 받아 노즐(3)에 대하여 정지 상태에 있다. 그 때문에, 액고임(DL)은 웨이퍼(W)에 대하여 상대 회전한다. 따라서, DIW의 액고임(DL)의 하면에는, 웨이퍼(W)의 대향 영역(A1)과의 사이의 마찰에 의한 회전 방향의 마찰력이 작용하고, 그 때문에, DIW의 액고임(DL) 하면의 주연의 각 부에는, 접선 방향력(상기 각 부에서의, 상기 주연의 접선을 따르는 방향의 힘)이 웨이퍼(W)의 회전 방향을 향하여 작용하고 있다.
그 후, 웨이퍼(W)의 회전속도가 소정의 액 처리 속도(예를 들면, 500rpm 정도)에 도달한 후에 소정의 공급 시작 타이밍이 되면, 제어부(18)는 약액밸브(11)를 닫은 채로 DIW밸브(13)를 열어, 노즐(3)의 토출구(26)로부터 DIW를 토출한다. 이에 의해, 대향면(23)과 대향 영역(A1) 사이의 공간(SP)에 DIW가 공급된다. 그 때문에, DIW의 액고임(DL)은 공간(SP)의 측방으로 밀려나와, 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력을 받아 웨이퍼(W)의 주연부로 향하여 이동한다. 이 때의 DIW의 액막의 퍼짐을 도 5에 도시한다. DIW의 액고임(DL)의 하면 외연의 각 부에, 접선 방향력이 작용하고 있으므로, 액고임(DL)을 형성하고 있던 DIW는 그 둘레 길이가 최단 상태로 되는 형상으로, 즉 거의 원형인 채로 주연부로 향하여 퍼진다. 그리고, 후속의 DIW의 액막은 액고임(DL)을 형성하고 있던 선행의 DIW에 끌려가서, 웨이퍼(W)의 표면을 거의 원형인 채로 주연부로 향하여 퍼진다. 그 때문에, 도 4d에 나타내는 바와 같이, DIW의 액막이 웨이퍼(W) 표면의 거의 전체 영역을 덮는다.
토출구(26)로부터의 DIW의 토출 시작시부터 소정 시간(예를 들면, 2초간)이 경과하면, 제어부(18)는 DIW밸브(13)를 닫아, 토출구(26)로부터의 DIW의 토출을 정지한다. 또한, 제어부(18)는 DIW밸브(13)의 폐색과 같은 타이밍에 약액밸브(11)를 열어, 토출구(26)로부터 약액을 토출한다(S2：약액 처리). 이에 의해, DIW의 토출에 연속하여 약액이 토출구(26)로부터 토출되어, 그 약액이 대향면(23)과 웨이퍼(W) 표면의 대향 영역(A1) 사이의 공간(SP)에 공급된다. 이 때의 약액의 토출 유량은 소유량(예를 들면, 0.5L/min 정도)이다. 도 4e에 나타내는 바와 같이, 공간(SP)에 공급된 약액은 DIW로 액밀상태로 된 공간(SP) 내를, DIW를 밀어내면서 퍼진다. 그리고, 공간(SP)이 액밀상태로 유지되면서, 공간(SP) 내의 DIW가 약액으로 치환된다. 또한, 약액의 액막은 그 둘레 길이가 최단 상태로 되는 형상으로, 즉 거의 원형인 채로 주연부로 향하여 퍼져, 후속의 약액의 액막은 선행의 약액의 액막에 끌려가서, 웨이퍼(W)의 표면을 거의 원형인 채로 주연부로 향하여 웨이퍼(W)의 주연부로 향하여 퍼진다. 그리고, 도 4f에 나타내는 바와 같이, 약액의 액막이 웨이퍼(W) 표면의 거의 전체 영역을 덮는다. 즉, 웨이퍼(W)의 표면을 덮는 액막이 DIW로부터 약액으로 치환된다.
약액 처리 중, 질소가스 밸브(33)가 열려 있어, 질소가스 토출구(28)로부터 측방을 향하여 방사상으로 질소가스가 토출된다. 질소가스는 웨이퍼(W) 상의 약액의 액막의 주위에 공급되고, 이에 의해, 질소가스 분위기하에서 웨이퍼(W)에 약액 처리를 실시할 수 있다. 그러므로, 웨이퍼(W) 상의 약액의 산화를 억제 또는 방지할 수 있어, 웨이퍼(W)에 양호한 처리를 실시할 수 있다. 또한, 이러한 질소가스의 토출은 반드시 필요하지 않다.
토출구(26)로부터의 약액의 토출 시작부터 소정 시간이 경과하면, 제어부(18)는 약액밸브(11)를 닫아, 토출구(26)로부터의 약액의 토출을 정지한다. 또한, 제어부(18)는 약액밸브(11)의 폐색과 같은 타이밍에 DIW밸브(13)를 열어, 토출구(26)로부터 DIW를 토출한다(S3：린스 처리). 이에 의해, 약액에 연속하여 DIW가 토출구(26)로부터 토출되고, 그 DIW가 대향면(23)과 웨이퍼(W) 표면의 대향 영역(A1) 사이의 공간(SP)에 공급된다. 이 때의 DIW의 토출 유량은 소유량(예를 들면, 0.5L/min 정도)이다. 공간(SP)에 공급된 DIW는 약액으로 액밀상태로 된 공간(SP) 내를, 약액을 밀어내면서 퍼진다. 그리고, 공간(SP)이 액밀상태로 유지되면서, 공간(SP) 내의 약액이 DIW로 치환된다. 또한, DIW의 액막은 그 둘레 길이가 최단 상태로 되는 형상으로, 즉 거의 원형인 채로 주연부로 향하여 퍼져, 후속의 DIW의 액막은 선행의 DIW의 액막에 끌려가서, 웨이퍼(W)의 표면을 거의 원형인 채로 주연부로 향하여 웨이퍼(W)의 주연부로 향하여 퍼진다. 그리고, DIW의 액막이 웨이퍼(W) 표면의 거의 전체 영역을 덮는다. 즉, 웨이퍼(W)의 표면을 덮는 액막이 약액으로부터 DIW로 치환된다.
DIW의 토출 시작부터 소정 시간이 경과하면, 제어부(18)는 DIW밸브(13)를 닫아, 토출구(26)로부터의 DIW의 토출을 정지한다. 또한, 제어부(18)는 노즐이동기구(12)를 제어하여, 아암(14)을 상승 및 요동시켜서, 노즐(3)을 스핀척(2)의 측방의 퇴피 위치로 복귀시킨다. 또한, 제어부(18)는 스핀척(2)을 고회전 속도(예를 들면, 2500 rpm 정도)까지 가속한다. 이에 의해, DIW에 의한 린스 후의 웨이퍼(W)의 표면에 부착되어 있는 DIW를 원심력으로 털어내 건조시키는 스핀 드라이가 실시된다(S4：스핀 드라이). 스핀 드라이가 소정 시간에 걸쳐 행하여지면, 스핀척(2)의 회전이 정지된다. 그 후, 반송로봇(도시하지 않는다)에 의해 웨이퍼(W)가 반출된다(단계 S5).
이상에 의해 본 실시형태에 의하면, 약액 또는 DIW의 액막이 웨이퍼(W)의 표면을 거의 원형인 채로 주연부로 향하여 퍼진다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 표면을 약액 또는 DIW의 액막으로 덮을 수 있다. 따라서, 소유량으로 약액 또는 DIW를 공급하면서, 웨이퍼(W) 표면의 광범위하게 약액 또는 DIW를 널리 퍼지게 할 수 있다.
또한, 액고임(DL)이 DIW에 의해 형성되어 있으므로, 이 액고임(DL)에 의해서는 대향 영역(A1)에 처리가 실시되지 않는다. 따라서, 웨이퍼(W)의 표면에서의 처리 얼룩의 발생을 억제 또는 방지할 수 있다.
다음으로, 기판처리장치(1)로 행하여지는 처리예 2에 대하여 설명한다. 도 6a?도 6c는 처리예 2의 약액 처리공정의 시작시의 모습을 나타내는 도해적인 단면도이다. 이하, 처리예 2에 대하여, 도 1?도 3 및 도 6a?도 6c를 참조하면서 설명한다. 처리예 2가 처리예 1과 공통되는 부분에 대한 설명은 생략한다.
처리예 2가 처리예 1과 다른 점은, 웨이퍼(W)의 대향 영역(A1)과 노즐(3)의 대향면(23) 사이에 DIW의 액고임(DL)을 형성한 후에, DIW를 토출구(26)로부터 토출시키는 것이 아니라, 약액을 토출구(26)로부터 토출시키도록 한 점에 있다.
토출구(26)로부터 DIW가 토출되고, 대향면(23)과 대향 영역(A1) 사이의 공간(SP)이 DIW에 의해 액밀상태로 된 후, 토출구(26)로부터의 DIW의 토출이 정지됨으로써, 도 6a에 나타내는 바와 같이, DIW의 액고임(DL)이 형성된다.
그 후, 웨이퍼(W)의 회전 속도가 소정의 액 처리 속도(예를 들면, 500 rpm 정도)에 도달한 후에 소정의 공급 시작 타이밍이 되면, 제어부(18)는 DIW밸브(13)를 닫은 채로 약액밸브(11)를 열어, 노즐(3)의 토출구(26)로부터 약액을 토출한다. 그 때문에, DIW의 액고임(DL)은 공간(SP)의 측방으로 밀려나와, 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력을 받아 웨이퍼(W)의 주연부로 향하여 이동한다. DIW의 액고임(DL)의 하면 외연의 각 부에, 접선 방향력이 작용하고 있으므로, 액고임(DL)을 형성하고 있던 DIW는 그 둘레 길이가 최단 상태로 되는 형상으로, 즉 거의 원형인 채로 주연부로 향하여 퍼진다. 그리고, 후속의 약액의 액막은 액고임(DL)을 형성하고 있던 선행의 DIW에 끌려가서, 웨이퍼(W)의 표면을, 거의 원형인 채로 주연부로 향하여 퍼진다(도 6b를 참조). 그 때문에, 도 6c에 나타내는 바와 같이, 약액의 액막이 웨이퍼(W) 표면의 거의 전체 영역을 덮는다.
다음으로, 기판처리장치(1)로 행하여지는 처리예 3에 대하여 설명한다. 도 7a?도 7d는 처리예 3의 약액 처리공정의 시작시의 모습을 나타내는 도해적인 단면도이다. 이하, 처리예 3에 대하여, 도 1?도 3 및 도 7a?도 7d를 참조하면서 설명한다. 처리예 3이 처리예 1과 공통되는 부분에 대한 설명은 생략한다.
처리예 3이 처리예 1과 다른 주된 점은, DIW의 액고임(DL)을 대신하여 약액의 액고임(CL)을, 대향면(23)과 대향 영역(A1) 사이의 공간(SP)에 형성한 점에 있다.
도 7a에 나타내는 바와 같이, 노즐(3)이 근접 위치에 배치됨과 함께, 웨이퍼(W)가 회전 시작된다. 웨이퍼(W)의 회전 시작 직후에는, 도 7b에 나타내는 바와 같이, 제어부(18)는 DIW밸브(13)를 닫은 채로 약액밸브(11)를 열어, 노즐(3)의 토출구(26)로부터 약액을 토출한다. 이에 의해, 대향면(23)과 대향 영역(A1) 사이의 공간(SP)에 약액이 공급되고, 공간(SP)이 약액에 의해 액밀상태로 됨과 함께, 공간(SP)으로부터 흘러넘친 약액이 측방으로 밀려나온다. 밀려나온 약액은 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력을 받아, 웨이퍼(W)의 표면을 주연부로 향하여 퍼진다.
공간(SP)이 액밀상태로 된 후(예를 들면, 약액의 토출 시작부터 0.5?1.0초간의 경과 후), 제어부(18)는 약액밸브(11)를 닫아 약액의 토출을 정지한다. 그 때문에, 공간(SP)에의 약액의 공급이 정지된다. 한편으로, 웨이퍼(W)의 회전은 속행되고 있다. 이에 의해, 공간(SP) 바깥에 존재하는 약액은 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력을 받아 웨이퍼(W)의 주연부로부터 비산되고, 웨이퍼(W)의 대향 영역(A1)과 노즐(3)의 대향면(23) 사이에는, 도 7c에 나타내는 바와 같이, 약액의 액고임(CL)이 형성된다.
약액의 액고임(CL)은 웨이퍼(W)의 대향 영역(A1)의 전체 영역 및 노즐(3)의 대향면(23)의 전체 영역에 각각 접액되어 있다. 약액의 액고임(CL)은 노즐(3)의 대향면(23)의 인장력을 받아 노즐(3)에 대하여 정지 상태에 있고, 그 때문에, 웨이퍼(W)와 상대 회전한다. 이 약액의 액고임(CL)의 하면에는, 웨이퍼(W)의 대향 영역(A1)과의 사이의 마찰에 의한 회전 방향의 마찰력이 작용하고, 그 때문에, 약액의 액고임(CL) 하면의 주연의 각 부에는, 접선 방향력이 웨이퍼(W)의 회전 방향을 향하여 작용하고 있다.
그 후, 웨이퍼(W)의 회전 속도가 소정의 액 처리 속도(예를 들면, 500 rpm 정도)에 도달한 후에 소정의 공급 시작 타이밍이 되면, 제어부(18)는 DIW밸브(13)를 닫은 채로 약액밸브(11)를 열어, 노즐(3)의 토출구(26)로부터 약액을 토출한다. 그 때문에, 약액의 액고임(CL)은 공간(SP)의 측방으로 밀려나와, 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력을 받아 웨이퍼(W)의 주연부로 향하여 이동한다. 약액의 액고임(CL) 하면의 외연의 각 부에, 접선 방향력이 작용하고 있으므로, 액고임(CL)을 형성하고 있던 약액은 그 둘레 길이가 최단 상태로 되는 형상으로, 즉 거의 원형인 채로 주연부로 향하여 퍼진다. 그리고, 후속의 약액의 액막은 액고임(CL)을 형성하고 있던 선행의 약액에 끌려가서, 웨이퍼(W)의 표면을, 거의 원형인 채로 주연부로 향하여 퍼진다. 그 때문에, 도 7d에 나타내는 바와 같이, 약액의 액막이 웨이퍼(W) 표면의 거의 전체 영역을 덮는다.
또한, 약액의 액고임(CL)에 의한 웨이퍼(W)의 대향 영역(A1)의 과잉의 처리를 억제하기 위해, 약액의 액고임(CL)의 형성 후, 약액의 토출 시작까지의 기간은 매우 짧은 것이 바람직하다.
도 8은 본 발명의 다른 실시형태(제2 실시형태)에 의한 기판처리장치의 노즐(100)의 단면도이다.
이 제2 실시형태에 있어서, 도 2에 나타난 각 부에 대응하는 부분에는, 도 2와 동일한 참조부호를 붙여 나타내며, 설명을 생략한다.
이 도 8에 나타내는 노즐(100)이 도 2에 나타내는 노즐(3)과 다른 주된 점은, 원판부(21)의 하면에 형성된 원형의 대향면(104)의 중앙부에 볼록 만곡면(곡면)(101)이 형성되어 있는 점이다. 대향면(104)에는, 친액화 처리가 실시되어 있다.
볼록 만곡면(101)은 대향면(104)의 중심으로부터 직경 방향 바깥쪽으로 향함에 따라 아래쪽에 위치하도록 하는 형상을 이루고 있다. 또한, 유통로(24)는 대향면(104)의 중심으로, 토출구(102)로서 거의 원형형상으로 개구되어 있다. 대향면(104)의 주연부에는, 볼록 만곡면(101)에 연속하는 환형상의 수평 평탄면(103)이 형성되어 있다. 그 때문에, 노즐(100)을 전술한 근접 위치에 배치하였을 때, 볼록 만곡면(101)은 토출구(102)로부터 직경 방향 바깥쪽으로 향함에 따라, 웨이퍼(W)의 표면에 가까워지는 형상이다.
도입구(25)를 통하여 유통로(24)에 도입된 약액 또는 DIW는 유통로(24)를 유통한 후, 토출구(102)로부터 토출된다. 대향면(104)과 대향 영역(A1) 사이의 공간이 약액 또는 DIW에 의해 액밀상태인 경우에, 토출구(102)로부터 토출되는 약액 또는 DIW는 볼록 만곡면(101)을 따르면서, 웨이퍼(W)의 표면에 공급된다. 그 때문에, 대향면(104)과 대향 영역(A1) 사이의 공간이 액밀상태인 경우에, 토출구(102)와 웨이퍼(W) 표면의 회전중심 부근 사이에 소용돌이가 발생하는 것을 억제 또는 방지할 수 있고, 이에 의해, 액중에서의 기포의 발생을 방지할 수 있다.
또한, 노즐(100)은 커버(22), 이음매(31), 질소가스 공급관(32) 등의 질소가스를 토출하기 위한 구성이 구비되지 않은 점에 있어서도 노즐(3)과 다르다.
이상, 본 발명의 2개의 실시형태에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 다른 형태로도 실시할 수 있다.
예를 들면, 제1 실시형태에 관련하여 설명한 각 처리예에 있어서, 액고임(DL, CL)를 형성하기 위한 DIW 또는 약액의 토출 시작의 타이밍을, 웨이퍼(W)의 회전 시작 후가 아니라, 웨이퍼(W)의 회전 시작 전으로 하여도 좋다.
또한, 제1 실시형태의 노즐(3)로부터, 커버(22), 이음매(31), 질소가스 공급관(32) 등의 질소가스를 토출하기 위한 구성을 없애도 좋다.
또한, 전술한 각 처리예에서는, 액고임(DL)을 형성하는 물의 일례로서 DIW를 사용하는 경우를 예를 들어 설명하였지만, DIW 대신에, 탄산수, 전해이온수, 오존수, 환원수(수소수), 자기수(磁氣水) 등을 채용할 수도 있다.
또한, 전술한 각 실시형태에서는, 웨이퍼(W)의 상면에 대하여 노즐(3, 100)의 대향면(23, 104)이 미소 간격을 두고 대향 배치되는 구성을 채택하였지만, 웨이퍼(W)의 하면에 대하여 노즐의 대향면이 미소 간격을 두고 대향 배치되는 구성이나, 웨이퍼(W)의 상하 양쪽의 면에 대하여, 노즐의 대향면이 미소 간격을 두고 대향 배치되는 구성을 채용할 수도 있다.
또한, 도 1에 일점쇄선으로 나타내는 바와 같이, 노즐(3)과는 다른 DIW노즐(110)을 설치하여 이 DIW노즐(110)에 의해 웨이퍼(W) 표면의 회전중심에 린스 처리용의 DIW를 공급하도록 하여도 좋다.
또한, 린스액으로서 DIW를 사용하는 경우를 예를 들어 설명하였지만, DIW에 한정되지 않으며, 탄산수, 전해이온수, 오존수, 환원수(수소수), 자기수 등을 린스액으로서 채용할 수도 있다.
또한, 본 발명의 효과는 기판(웨이퍼(W))의 표면이 소수성을 나타내는 경우에 특히 현저하게 발휘된다. 예를 들면, 산화막(실리콘 산화막)을 제거하는 처리나 레지스터를 제거하는 처리를 실시한 후의 기판의 표면은 소수성을 나타낸다.
본 발명의 실시형태에 대하여 상세하게 설명하였지만, 이들은 본 발명의 기술적 내용을 명확히 하기 위하여 사용된 구체적인 예에 불과하고, 본 발명은 이러한 구체적인 예에 한정하여 해석되어야 하는 것은 아니며, 본 발명의 범위는 첨부한 청구범위에 의해서만 한정된다.
본 출원은 2010년 9월 29일에 일본 특허청에 제출된 특허출원 2010－219048호에 대응하며, 이 출원의 전체 개시(開示)는 여기에 인용에 의해 편입되는 것으로 한다.
Claims (7)
- 기판에 처리액에 의한 처리를 실시하는 기판처리장치로서,
기판을 수평 자세로 유지하면서 회전시키는 기판회전유닛과,
상기 기판회전유닛에 의해 회전되는 기판 표면에서의 기판 둘레단보다 내측이면서 회전중심을 포함한 영역과 간격을 두고 대향하는 대향면과, 상기 대향면에 형성되어 상기 회전중심과 대향하는 토출구를 갖는 노즐과,
상기 처리액을 상기 토출구에 공급하기 위한 처리액공급유닛과,
상기 기판의 표면과 상기 대향면 사이에 액을 공급하기 위한 액공급유닛과,
상기 액공급유닛을 제어하여, 상기 영역과 상기 대향면 사이의 공간을 액밀(液密)상태로 함과 함께 그 후액(後液)의 공급을 정지하여, 상기 공간에 액고임을 형성하는 액공급제어유닛과,
상기 액고임의 형성 후, 상기 처리액공급유닛을 제어하여, 상기 토출구로부터 처리액을 토출시키는 처리액공급제어유닛을 포함하는 기판처리장치. - 제1항에 있어서,
상기 대향면이 상기 기판회전유닛에 의해 유지된 기판의 표면과 평행한 평탄면을 포함하는 기판처리장치. - 제1항에 있어서,
상기 대향면은 상기 토출구로부터 이반(離反)함에 따라 상기 기판의 표면에 가까워지는 곡면을 포함하는 기판처리장치. - 토출구가 형성된 노즐의 대향면을, 수평 자세의 기판의 표면에 간격을 두고 대향 배치하는 대향면배치공정과,
기판을 연직축선 둘레로 회전하는 회전공정과,
기판의 표면과 상기 대향면 사이에 액을 공급하여, 기판 표면에서의 상기 대향면과 대향하는 영역과 상기 대향면 사이의 공간을 액밀상태로 함과 함께 그 후액의 공급을 정지하여, 상기 공간에 액고임을 형성하는 액고임형성공정과,
상기 회전공정과 병행하여 실행되고, 상기 액고임형성공정 후에, 상기 토출구로부터 처리액을 토출하는 처리액토출공정을 포함하는 기판처리방법. - 제4항에 있어서,
상기 액고임형성공정은 상기 기판의 표면과 상기 대향면 사이에 물을 공급하여, 상기 공간에 물의 액고임을 형성하는 물고임형성공정을 포함하고,
상기 처리액토출공정은 상기 토출구로부터 약액을 토출하는 약액토출공정을 포함하는 기판처리방법. - 제5항에 있어서,
상기 회전공정과 병행하여 실행되고, 상기 물고임형성공정 후 상기 약액토출공정에 앞서서, 상기 토출구로부터 물을 토출하는 물토출공정을 포함하고,
상기 약액토출공정에서의 약액의 토출은 상기 물토출공정에서의 물의 토출에 연속하여 실행되는 기판처리방법. - 제4항에 있어서,
상기 처리액토출공정은 상기 토출구로부터 약액을 토출하는 약액토출공정을 포함하고,
상기 액고임형성공정은 상기 기판의 표면과 상기 대향면 사이에, 상기 약액토출공정에 대하여 토출되는 약액과 같은 약액을 공급하여, 상기 공간에 그 약액의 액고임을 형성하는 약액고임형성공정을 포함하는 기판처리방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2010-219048 | 2010-09-29 | ||
| JP2010219048A JP5698487B2 (ja) | 2010-09-29 | 2010-09-29 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120033243A true KR20120033243A (ko) | 2012-04-06 |
| KR101280768B1 KR101280768B1 (ko) | 2013-07-05 |
Family
ID=45869375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110092852A KR101280768B1 (ko) | 2010-09-29 | 2011-09-15 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9620393B2 (ko) |
| JP (1) | JP5698487B2 (ko) |
| KR (1) | KR101280768B1 (ko) |
| TW (1) | TWI448334B (ko) |
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| JP5994749B2 (ja) | 2013-08-05 | 2016-09-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
| JP6221954B2 (ja) | 2013-08-05 | 2017-11-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
| JP6390732B2 (ja) * | 2013-08-05 | 2018-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置 |
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- 2010-09-29 JP JP2010219048A patent/JP5698487B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-09-15 KR KR1020110092852A patent/KR101280768B1/ko active IP Right Grant
- 2011-09-20 US US13/237,408 patent/US9620393B2/en active Active
- 2011-09-22 TW TW100134081A patent/TWI448334B/zh not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI448334B (zh) | 2014-08-11 |
| KR101280768B1 (ko) | 2013-07-05 |
| TW201219120A (en) | 2012-05-16 |
| JP5698487B2 (ja) | 2015-04-08 |
| JP2012074589A (ja) | 2012-04-12 |
| US20120073609A1 (en) | 2012-03-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160527 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180530 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190530 Year of fee payment: 7 |