TWI668753B - 基板處理裝置 - Google Patents

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TWI668753B
TWI668753B TW106105289A TW106105289A TWI668753B TW I668753 B TWI668753 B TW I668753B TW 106105289 A TW106105289 A TW 106105289A TW 106105289 A TW106105289 A TW 106105289A TW I668753 B TWI668753 B TW I668753B
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基村雅洋
安田周一
藤田和宏
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Abstract

一種基板處理裝置，其第二杯體罩部之內周緣係與對向構件側壁部之外周面於徑向對向。藉此，可以抑制處理液朝向比杯體部更靠上側飛散。又，作為對向構件側壁部之外周面與第二杯體罩部之內周緣之間的徑向之距離的第二杯體間隙距離，係比作為對向構件側壁部之內周面與基板保持部之外周面之間的徑向之距離的保持間隙距離更大。藉此，在用第二杯體來承接從基板飛散的第二處理液時，可以防止或抑制第二處理液藉由向下之氣流朝向更下方沖走。結果，可以藉由複數個杯體來分別承接複數種類的處理液。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種處理基板的基板處理裝置。
以往，在半導體基板(以下，簡稱為「基板」)之製程中，係對基板施予各種的處理。例如，能藉由在表面上形成有阻劑(resist)之圖案(pattern)的基板上供給藥液，來對基板之表面進行蝕刻(etching)等的藥液處理。又，在藥液處理結束之後，在基板上供給洗淨液以進行洗淨處理，之後，進行基板之乾燥處理。
例如，在日本特開2015-153947號公報(專利文獻1)中，已有提出一種在氧濃度較低的氛圍中處理基板的基板處理裝置。該基板處理裝置係包含：旋轉夾盤(spin chuck)，用以保持基板並使其旋轉；阻斷構件，其配置於基板之上方；以及杯體(cup)，其包圍旋轉夾盤之旋轉基座(spin base)。阻斷構件係包含：對向面，其配置於基板之上方；以及內周面，其包圍基板。阻斷構件之內周面的下端係配置於旋轉基座之周圍。
然後，基板之上表面與阻斷構件之對向面之間的空間，係由從阻斷構件之吐出口所吐出的惰性氣體所充滿。藉此，能減低與基板之上表面及外周面相接的氛圍中之氧濃度。基板與阻斷構件之間的惰性氣體，係藉由設置於杯體底部的排氣單元透過杯體所抽吸，從遮蔽構件之內周面的下端與旋轉夾盤之外周面之間流入杯體內，且朝向杯體之外部排氣。
在專利文獻1之基板處理裝置中，杯體上端部與遮蔽構件之間的徑向之距離，係比遮蔽構件之內周面的下端與旋轉基座之外周面之間的徑向之距離更小。如此，藉由縮小杯體上端部與遮蔽構件之間的環狀之間隙，就能抑制在基板之旋轉中從基板朝向杯體飛散的處理液，從該間隙朝向杯體之上方的空間飛散。
可是，在基板處理裝置中，係在將複數種類之處理液依順序供給至基板以進行基板之處理時，有依每一種類來分別回收或廢棄處理液的情況。在此情況下，係進行如下：在基板之周圍將複數個杯體重疊配置於徑向，且將一部分的杯體沿著上下方向移動，藉此來切換用以承接從基板飛散之處理液的杯體。例如，在用徑向外側之杯體來承接處理液的情況下，徑向內側之杯體係朝向下方移動，而徑向外側之杯體則配置於基板之周圍。
假設在專利文獻1之基板處理裝置設置複數個杯體，且當欲進行上述的複數種類之處理液的區分時，就會在用徑向外側之杯體來承接處理液時，因該杯體上端部與遮蔽構件之間的間隙較小，故而會使從杯體之上方的空間通過該間隙而流入杯體內的向下之氣體的流速變大，且有從基板朝向杯體飛散的處理液，藉由該向下之氣流而朝向下方流動的可能性。結果，會有理應用徑向外側之杯體來承接的處理液，流入位在該杯體之下方的徑向內側之杯體的可能性。
本發明係一種處理基板的基板處理裝置，其目的在於一邊抑制處理液朝向比杯體部更靠上側飛散，一邊藉由複數個杯體來分別承接複數種類的處理液。
本發明之基板處理裝置，係具備：基板保持部，其為外徑比基板更大的圓板狀，且配置於前述基板之下方並將前述基板保持在水平狀態；基板旋轉機構，其以轉向上下方向的中心軸為中心使前述基板保持部旋轉；對向構件，其與前述基板之上表面對向；處理液供給部，用以對前述基板之前述上表面供給處理液；氣體供給部，用以對作為前述對向構件之下表面與前述基板之前述上表面之間的空間的處理空間供給處理氛圍用氣體；杯體部，其配置於前 述基板保持部之周圍以承接來自前述基板的前述處理液；以及氣體排出部，用以抽吸前述杯體部內的氣體並朝向前述杯體部外排出。前述處理液供給部具備：第一處理液供給部，用以對前述基板供給第一處理液；以及第二處理液供給部，用以對前述基板供給第二處理液。前述對向構件具備：對向構件頂蓋部，其與前述基板之前述上表面對向；以及對向構件側壁部，其從前述對向構件頂蓋部之外周部朝向下方擴展，內周面與前述基板保持部之外周面於徑向對向，且外周面為圓筒狀。前述杯體部具備：第一杯體，其具有圓筒狀之第一杯體側壁部、及從前述第一杯體側壁部之上端部朝向徑向內方擴展的圓環板狀之第一杯體罩部，用以承接來自前述基板的前述第一處理液；第二杯體，其具有圓筒狀之第二杯體側壁部、及圓環板狀之第二杯體罩部，且配置於前述第一杯體之徑向外側以承接來自前述基板的前述第二處理液，前述圓環板狀之第二杯體罩部係從前述第二杯體側壁部之上端部朝向徑向內方擴展且內周緣與前述對向構件側壁部之前述外周面於徑向對向；以及杯體移動機構，用以使前述第一杯體相對於前述基板保持部沿著上下方向相對移動。在前述第一杯體罩部之內周緣與前述對向構件側壁部之前述外周面於徑向對向的第一處理位置已配置有前述第一杯體的狀態下，藉由前述第一杯體來承接已供給至旋轉中的前述基板之前述上表面上的前述第一處理液。在前述第一杯體罩部之前述內周緣位於比前述對向構件側壁部之下端更下方的第二處理位置已配置有 前述第一杯體的狀態下，藉由前述第二杯體來承接已供給至旋轉中的前述基板之前述上表面上的前述第二處理液。作為前述對向構件側壁部之前述外周面與前述第二杯體罩部之前述內周緣之間的徑向之距離的第二杯體間隙距離，係比作為前述對向構件側壁部之前述內周面與前述基板保持部之前述外周面之間的徑向之距離的保持間隙距離更大。依據該基板處理裝置，可以一邊抑制處理液朝向比杯體部更靠上側飛散，一邊藉由複數個杯體來分別承接複數種類的處理液。
在本發明之一較佳的實施形態中，前述第二杯體罩部之下表面係包含；傾斜面，其隨著從前述第二杯體罩部之前述內周緣轉向徑向外方而轉向下方。
在本發明之另一較佳的實施形態中，在前述對向構件頂蓋部之中央部設置有對向構件開口；來自前述處理液供給部之前述第一處理液及前述第二處理液係透過前述對向構件開口而供給至前述基板之前述上表面；作為前述對向構件側壁部之前述外周面與前述第一杯體罩部之前述內周緣之間的徑向之距離的第一杯體間隙距離係比前述保持間隙距離更大。
在本發明之另一較佳的實施形態中，前述第一杯體罩部之下表面係包含：傾斜面，其隨著從前述第一杯體罩部之前述內周緣轉向徑向外方而轉向下方。
在本發明之另一較佳的實施形態中，在前述基板保持部旋轉時，前述對向構件亦以前述中心軸為中心而旋轉。
前述對向構件，較佳係藉由前述基板保持部所保持，且藉由前述基板旋轉機構來與前述基板保持部一起旋轉。
在本發明之另一較佳的實施形態中，前述對向構件側壁部之前述下端係位於比前述基板保持部之前述外周面的上端更下方。
在本發明之另一較佳的實施形態中，前述第一處理液或前述第二處理液係以比常溫更高的處理溫度供給至前述基板之前述上表面上以進行對前述基板之洗淨處理的洗淨液；在前述洗淨處理結束之後，利用藉由前述基板旋轉機構所為的前述基板之旋轉來進行從前述基板上除去液體的乾燥處理；在前述洗淨處理與前述乾燥處理之間，藉由使比前述處理溫度更低溫的處理液供給至前述基板之前述上表面上來冷卻前述基板。
上述之目的及其他的目的、特徵、態樣及優點係參照 所附圖式並藉由以下所進行的本發明之詳細說明而獲得明白。
1‧‧‧基板處理裝置
4‧‧‧杯體部
5‧‧‧頂板
6‧‧‧對向構件移動機構
7‧‧‧氣液供給部
8‧‧‧氣液排出部
9‧‧‧基板
11‧‧‧殼體
12‧‧‧控制部
31‧‧‧基板保持部
33‧‧‧基板旋轉機構
34‧‧‧旋轉機構收容部
41‧‧‧第一杯體
42‧‧‧第二杯體
43‧‧‧杯體移動機構
44‧‧‧第一排出埠口
45‧‧‧第二排出埠口
51‧‧‧對向構件本體
52‧‧‧被保持部
53‧‧‧卡合部
54‧‧‧對向構件開口
56‧‧‧噴嘴間隙
61‧‧‧對向構件保持部
62‧‧‧對向構件升降機構
71‧‧‧處理液噴嘴
72‧‧‧處理液供給部
73‧‧‧氣體供給部
81‧‧‧第一抽吸部
82‧‧‧第二抽吸部
90‧‧‧處理空間
91‧‧‧(基板之)上表面
311‧‧‧保持基座部
312‧‧‧夾盤
313‧‧‧卡合部
314‧‧‧基座支承部
411‧‧‧第一杯體側壁部
412‧‧‧第一杯體罩部
421‧‧‧第二杯體側壁部
422‧‧‧第二杯體罩部
511‧‧‧對向構件頂蓋部
512‧‧‧對向構件側壁部
521‧‧‧對向構件筒部
522‧‧‧對向構件凸緣部
611‧‧‧保持部本體
612‧‧‧本體支承部
613‧‧‧凸緣支承部
614‧‧‧支承部連接部
616‧‧‧移動限制部
721‧‧‧藥液供給部
722‧‧‧洗淨液供給部
723‧‧‧置換液供給部
724‧‧‧溫度控制部
D0‧‧‧保持間隙距離
D1‧‧‧第一杯體間隙距離
D2‧‧‧第二杯體間隙距離
J1‧‧‧中心軸
S11至S21‧‧‧步驟
圖1係一實施形態的基板處理裝置之剖視圖。
圖2係基板處理裝置之剖視圖。
圖3係顯示氣液供給部的方塊圖。
圖4係顯示基板之處理流程的示意圖。
圖5係顯示基板之處理流程之一部分的示意圖。
圖6係基板處理裝置之一部分的放大剖視圖。
圖7係基板處理裝置之剖視圖。
圖8係基板處理裝置之一部分的放大剖視圖。
圖1係顯示本發明之一實施形態的基板處理裝置1之構成的剖視圖。基板處理裝置1係指逐片處理半導體基板9(以下，簡稱為「基板9」)的單片式之裝置。基板處理裝置1係具備基板保持部31、基板旋轉機構33、杯體部4、頂板(top plate)5、對向構件移動機構6及處理液噴嘴71。基板處理裝置1之各構成係收容於殼體(housing)11之內部。又，基板處理裝置1係更進一步具備用以控制基板旋轉機構33等之各構成的控制部12。再者，在圖2以後之圖式中，係省略控制部12之圖示。
基板保持部31係將基板9保持在水平狀態。基板保持部31係具備保持基座部311、複數個夾盤312、複數個卡合部313及基座支承部314。保持基座部311係以轉向上下方向的中心軸J1作為中心的大致圓板狀之構件。保持基座部311例如係藉由具有比較高之耐藥品性的氟樹脂所形成。基板9係從保持基座部311隔開地配置於保持基座部311之上方。換言之，基板保持部31之保持基座部311係配置於基板9之下方。基板保持部31之外徑係比基板9之外徑更大。保持基座部311係遍及於以中心軸J1為中心的圓周方向之全周，並比基板9更朝向徑向外方擴展。
基座支承部314係以中心軸J1為中心的大致圓板狀之構件。保持基座部311係配置於基座支承部314之上方，且藉由基座支承部314從下方支承。保持基座部311之外徑係比基座支承部314之外徑更大。保持基座部311係遍及於以中心軸J1為中心的圓周方向之全周，並比基座支承部314更朝向徑向外方擴展。
複數個夾盤312係以中心軸J1為中心並以大致等角度間隔沿著周方向配置於保持基座部311之上表面的外周部。在基板保持部31係藉由複數個夾盤312來支承基板9之外緣部。複數個卡合部313係以中心軸J1為中心並以大致等角度間隔沿著圓周方向配置於保持基座部311之上表面的外周部。複數個卡合部313係配置於比複數個夾盤312更 靠徑向外側。
基板旋轉機構33係收容於旋轉機構收容部34之內部。基板旋轉機構33及旋轉機構收容部34係配置於基板保持部31之下方。基板旋轉機構33係以中心軸J1為中心使基板9與基板保持部31一起旋轉。
杯體部4係指以中心軸J1為中心的環狀之構件，且配置於基板9及基板保持部31之徑向外側。杯體部4係配置及於基板9及基板保持部31之周圍的全周，用以承接從基板9朝向周圍飛散的處理液等。杯體部4係具備第一杯體41、第二杯體42、杯體移動機構43、第一排出埠口44及第二排出埠口45。第二杯體42係配置於第一杯體41之徑向外側。
第一杯體41係具有第一杯體側壁部411及第一杯體罩部412。第一杯體側壁部411係以中心軸J1為中心的大致圓筒狀。第一杯體罩部412係以中心軸J1為中心的大致圓環板狀，且從第一杯體側壁部411之上端部朝向徑向內方擴展。第二杯體42係具有第二杯體側壁部421及第二杯體罩部422。第二杯體側壁部421係以中心軸J1為中心的大致圓筒狀，且位於比第一杯體側壁部411更靠徑向外側。第二杯體罩部422係以中心軸J1為中心的大致圓環板狀，且位於比第一杯體罩部412更上方並從第二杯體側壁部 421之上端部朝向徑向內方擴展。
第一杯體罩部412之內徑及第二杯體罩部422之內徑係比基板保持部31的保持基座部311之外徑及頂板5之外徑大一些。第一杯體罩部412之下表面係包含隨著從第一杯體罩部412之內周緣轉向徑向外方而轉向下方的傾斜面。又，第二杯體罩部422之下表面亦包含隨著從第二杯體罩部422之內周緣轉向徑向外方而轉向下方的傾斜面。在圖1所示之例中，第一杯體罩部412之下表面係遍及於大致全面，並隨著從內周緣轉向徑向外方而轉向下方的傾斜面。又，第二杯體罩部422之下表面亦遍及於大致全面，隨著從內周緣轉向徑向外方而轉向下方的傾斜面。第一杯體罩部412之上表面、及第二杯體罩部422之上表面亦同樣係隨著從內周緣轉向徑向外方而轉向下方的傾斜面。
杯體移動機構43係藉由使第一杯體41沿著上下方向移動，而將用以承接來自基板9的處理液等之液體的杯體在第一杯體41與第二杯體42之間進行切換。換言之，杯體移動機構43係藉由使第一杯體41相對於基板保持部31及第二杯體42沿著上下方向相對移動，而切換用以承接來自基板9之處理液等的杯體的杯體切換機構。在杯體部4，例如係使基板保持部31及第二杯體42固定在上下方向，而在切換用以承接處理液等的杯體時，第一杯體41係相對於第二杯體42沿著上下方向移動。
用第一杯體41所承接的處理液等之液體係透過設置於第一杯體41之底部的第一排出埠口44而朝向殼體11之外部排出。用第二杯體42所承接的處理液等之液體係透過設置於第二杯體42之底部的第二排出埠口45而朝向殼體11之外部排出。
頂板5係俯視觀察中呈大致圓形之構件。頂板5，係指與基板9之上表面91對向的對向構件，且為用以遮蔽基板9之上方的遮蔽板。頂板5之外徑係比基板9之外徑、及保持基座部311之外徑更大。頂板5係具備對向構件本體51、被保持部52及複數個卡合部53。對向構件本體51例如係藉由具有比較高之耐藥品性的氟樹脂所形成。對向構件本體51係具備對向構件頂蓋部511及對向構件側壁部512。對向構件頂蓋部511係與基板9之上表面91對向。對向構件頂蓋部511例如係以中心軸J1為中心的大致圓環板狀之構件。對向構件頂蓋部511之下表面係與基板9之上表面91對向的平面。
在圖1所示之例中，在對向構件頂蓋部511之徑向中央部(以下，亦簡稱為「中央部」)係設置有對向構件開口54。對向構件開口54例如係在俯視觀察中呈大致圓形。對向構件開口54之直徑係比基板9之直徑還充分地小。對向構件頂蓋部511係在中央部具有對向構件開口54的大致圓 環板狀。對向構件側壁部512係從對向構件頂蓋部511之外周部朝向下方擴展。對向構件側壁部512例如係以中心軸J1為中心的大致圓筒狀之構件。對向構件側壁部512之外周面係以中心軸J1為中心的大致圓筒狀之面。
複數個卡合部53係以中心軸J1為中心並以大致等角度間隔沿著圓周方向配置於對向構件頂蓋部511之下表面的外周部。複數個卡合部53係配置於對向構件側壁部512之徑向內側。
被保持部52係連接於對向構件本體51之上表面。被保持部52係具備對向構件筒部521及對向構件凸緣(flange)部522。對向構件筒部521係從對向構件本體51的對向構件開口54之周圍朝向上方突出的大致筒狀之部位。對向構件筒部521，例如係以中心軸J1為中心的大致圓筒狀。對向構件凸緣部522係從對向構件筒部521之上端部朝向徑向外方擴展成環狀。對向構件凸緣部522，例如係以中心軸J1為中心的大致圓環板狀。
對向構件移動機構6係具備對向構件保持部61及對向構件升降機構62。對向構件保持部61係保持頂板5之被保持部52。對向構件保持部61係具備保持部本體611、本體支承部612、凸緣支承部613及支承部連接部614。保持部本體611，例如係以中心軸J1為中心的大致圓板狀。保 持部本體611係覆蓋頂板5的對向構件凸緣部522之上方。本體支承部612係大致水平延伸的棒狀之機械臂(arm)。本體支承部612之一方的端部係連接於保持部本體611，另一方的端部係連接於對向構件升降機構62。
處理液噴嘴71係從保持部本體611之中央部朝向下方突出。處理液噴嘴71係以非接觸狀態插入對向構件筒部521。在以下之說明中，係將處理液噴嘴71與對向構件筒部521之間的空間稱為「噴嘴間隙56」。
凸緣支承部613例如係以中心軸J1為中心的大致圓環板狀。凸緣支承部613係位於對向構件凸緣部522之下方。凸緣支承部613之內徑係比頂板5的對向構件凸緣部522之外徑更小。凸緣支承部613之外徑係比頂板5的對向構件凸緣部522之外徑更大。支承部連接部614例如係以中心軸J1為中心的大致圓筒狀。支承部連接部614係在對向構件凸緣部522之周圍連接凸緣支承部613和保持部本體611。在對向構件保持部61中，保持部本體611係與對向構件凸緣部522之上表面對向於上下方向的保持部上部，凸緣支承部613係與對向構件凸緣部522之下表面對向於上下方向的保持部下部。
在頂板5位於圖1所示之位置的狀態下，凸緣支承部613係從下側與頂板5的對向構件凸緣部522之外周部接 觸來支承。換言之，對向構件凸緣部522係藉由對向構件移動機構6之對向構件保持部61所保持。藉此，頂板5係在基板9及基板保持部31之上方藉由對向構件保持部61所懸吊。在以下之說明中，係將圖1所示的頂板5之上下方向的位置稱為「第一位置」。頂板5係在第一位置藉由對向構件移動機構6所保持並從基板保持部31朝向上方隔開。
在凸緣支承部613係設置有用以限制頂板5之位移(亦即，頂板5之移動及旋轉)的移動限制部616。在圖1所示之例中，移動限制部616係從凸緣支承部613之上表面朝向上方突出的突起部。移動限制部616係藉由插入對向構件凸緣部522上所設置的孔部，來限制頂板5之位移。
對向構件升降機構62係使頂板5與對向構件保持部61一起沿著上下方向移動。圖2係顯示頂板5已從圖1所示之第一位置下降的狀態之剖視圖。在以下之說明中，係將圖2所示的頂板5之上下方向的位置稱為「第二位置」。亦即，對向構件升降機構62係使頂板5在第一位置與第二位置之間相對於基板保持部31沿著上下方向相對移動。第二位置，係指比第一位置更下方的位置。換言之，第二位置係頂板5在上下方向比第一位置更鄰近基板保持部31的位置。
在頂板5位於第二位置的狀態下，頂板5之複數個卡合部53係分別與基板保持部31之複數個卡合部313卡合。複數個卡合部53係藉由複數個卡合部313從下方支承。換言之，複數個卡合部313係指用以支承頂板5的對向構件支承部。例如，卡合部313係大致平行於上下方向的銷(pin)，且卡合部313之上端部係與向上形成於卡合部53之下端部的凹部嵌合。又，頂板5之對向構件凸緣部522係從對向構件保持部61之凸緣支承部613朝向上方隔開。藉此，頂板5係在第二位置藉由基板保持部31所保持並從對向構件移動機構6隔開(亦即，與對向構件移動機構6成為非接觸狀態)。
在頂板5藉由基板保持部31所保持的狀態下，頂板5的對向構件側壁部512之下端係位於比基板保持部31的保持基座部311之上表面更下方。因此，對向構件側壁部512之內周面係與基板保持部31之外周面(亦即，保持基座部311之外周面)於徑向對向。此時，在頂板5與基板保持部31之間係形成有大致密閉狀態的處理空間90。如後面所述般，在使基板9旋轉並藉由處理液進行處理時，從基板9飛散的處理液，係從對向構件側壁部512之內周面與基板保持部31之外周面的間隙朝向處理空間90之外部流出，且主要從對向構件側壁部512之下端朝向外方飛散。該飛散的處理液係藉由第一杯體41或第二杯體42所接住。在圖2所示之例中，對向構件側壁部512之下端係位於比保 持基座部311之外周面的上端更下方，且位於比保持基座部311之外周面的下端更上方。
基板保持部31之外周面與對向構件側壁部512之內周面之間的徑向之距離，無論是在周方向的哪個位置都大概相同。在以下之說明中，係將基板保持部31之外周面與對向構件側壁部512之內周面之間的徑向之距離稱為「保持間隙距離D0」。保持間隙距離D0，例如係位於對向構件側壁部512之下端的基板保持部31之外周面與對向構件側壁部512之內周面之間的徑向之距離。在基板保持部31之外周面與對向構件側壁部512之內周面之間的徑向之距離在上下方向非為固定的情況下，保持間隙距離D0例如亦可為該距離之最小值。保持間隙距離D0，例如為1mm以上3mm以下。
當頂板5在位於第二位置的狀態下驅動基板旋轉機構33時，基板保持部31就會與基板9一起旋轉，且頂板5亦會與基板9及基板保持部31一起以中心軸J1為中心而旋轉。換言之，在頂板5位於第二位置的狀態下，頂板5係能夠藉由基板旋轉機構33來與基板保持部31一起以中心軸J1為中心而旋轉。
圖3係顯示基板處理裝置1中的氣體及處理液之供給及排出的氣液供給部7及氣液排出部8的方塊圖。氣液供 給部7係具備上述的處理液噴嘴71、處理液供給部72及氣體供給部73。處理液供給部72係對基板9之上表面91供給處理液。
處理液供給部72係具備藥液供給部721、洗淨液供給部722、置換液供給部723及溫度控制部724。藥液供給部721、洗淨液供給部722及置換液供給部723係分別連接於處理液噴嘴71。藥液供給部721係透過處理液噴嘴71而對基板9供給藥液(例如，聚合物除去液、或是氟酸或氫氧化四甲基銨(tetramethylammonium)水溶液等的蝕刻液)。洗淨液供給部722係透過處理液噴嘴71而對基板9供給洗淨液(例如，純水(DIW：deionized water；去離子水)或碳酸水)。溫度控制部724係設置於洗淨液供給部722與處理液噴嘴71間的流路上，用以控制供給至處理液噴嘴71的洗淨液之溫度。置換液供給部723係透過處理液噴嘴71而對基板9供給置換液(例如，異丙醇(IPA：isopropyl alcohol))。
上述之藥液、洗淨液及置換液係從設置於處理液噴嘴71之下端面的吐出口朝向基板9之上表面91的徑向中央部吐出。在處理液噴嘴71之下端面，例如，既可設置有分別對應藥液、洗淨液及置換液的三個吐出口，又可設置有依順序吐出藥液、洗淨液及置換液的一個吐出口。在以下之說明中，係將上述之藥液、洗淨液及置換液統稱為處理液，或係將藥液、洗淨液及置換液中之任一個僅稱為處理 液。
氣體供給部73係連接於處理液噴嘴71，且透過處理液噴嘴71而對作為頂板5之下表面與基板9之上表面91之間的空間的處理空間90供給氣體。具體而言，來自氣體供給部73的氣體係從設置於處理液噴嘴71之下端面的噴射口供給至處理空間90。又，亦在處理液噴嘴71之側面設置有噴射口，來自氣體供給部73的氣體亦從該噴射口透過噴嘴間隙56而供給至處理空間90。從氣體供給部73所供給的氣體，例如係氮(N2)氣等的惰性氣體。在基板處理裝置1中，基板9之處理較佳係從處理液噴嘴71對處理空間90供給惰性氣體並在處理空間90已成為惰性氣體氛圍的狀態下進行。換言之，從氣體供給部73供給至處理空間90的氣體係處理氛圍用氣體。亦可從氣體供給部73供給惰性氣體以外的各種氣體作為處理氛圍用氣體。
氣液排出部8係具備上述之第一排出埠口44及第二排出埠口45、第一抽吸部81以及第二抽吸部82。第一抽吸部81係連接於第一杯體41之底部上所配置的第一排出埠口44。第一抽吸部81係透過第一排出埠口44來抽吸第一杯體41內的氣體及處理液。藉由第一抽吸部81所抽吸的氣體及處理液係在省略圖示的氣液分離部分離。在該氣液分離部所分離出的處理液係被廢棄或回收。第二抽吸部82係透過第二排出埠口45來抽吸第二杯體42內的氣體及處 理液。藉由第二抽吸部82所抽吸的氣體及處理液係在省略圖示的氣液分離部分離。在該氣液分離部所分離出的處理液係被廢棄或回收。第一抽吸部81及第二抽吸部82係連接於杯體部4，且為抽吸杯體部4內之氣體並朝向杯體部4外排出的氣體排出部。
其次，參照圖4及圖5針對基板處理裝置1中的基板9之處理流程之一例加以說明。首先，在頂板5位於圖1所示之第一位置的狀態下，基板9被搬入殼體11內，且藉由基板保持部31所保持(步驟S11)。此時，頂板5係藉由對向構件移動機構6之對向構件保持部61所保持。
接著，藉由對向構件升降機構62使對向構件保持部61朝向下方移動。藉此，頂板5就從第一位置朝向第二位置往下方移動，如圖2所示，頂板5藉由基板保持部31所保持(步驟S12)。然後，從氣體供給部73(參照圖3)透過處理液噴嘴71對噴嘴間隙56及處理空間90開始惰性氣體(亦即，處理氛圍用氣體)之供給。
其次，藉由控制部12(參照圖1)來控制基板旋轉機構33，藉此開始基板保持部31、基板9及頂板5之旋轉(步驟S13)。來自處理液噴嘴71的惰性氣體之供給係在步驟S13以後還繼續進行。然後，藉由控制部12來控制處理液供給部72之藥液供給部721，藉此從藥液供給部721朝向處理 液噴嘴71供給藥液，且透過位於第二位置的頂板5之對向構件開口54，供給至旋轉中的基板9之上表面91的中央部(步驟S14)。
從處理液噴嘴71供給至基板9之中央部的藥液係藉由基板9之旋轉而從基板9之中央部朝向徑向外方擴展，且添加至基板9之上表面91整體。藥液係藉由離心力而從基板9之外緣朝向徑向外方飛散，且通過保持基座部311之外周面與對向構件側壁部512之內周面之間並從處理空間90排出。在基板處理裝置1中，係在基板保持部31旋轉時，頂板5亦以中心軸J1為中心而旋轉。因此，即便是在頂板5之下表面附著有藥液的情況下，該藥液仍能藉由離心力從處理空間90排出。
圖6係基板處理裝置1之一部分的放大剖視圖。在圖6所示之杯體部4中，第一杯體41及第二杯體42係配置於基板保持部31及頂板5之周圍。第一杯體41之第一杯體罩部412係透過些微的間隙而鄰近於第二杯體42的第二杯體罩部422之下表面。第一杯體罩部412之內周緣係位於比對向構件側壁部512之下端更上方。第一杯體罩部412之內周緣係與對向構件側壁部512之外周面於徑向對向。第一杯體罩部412之內周緣與對向構件側壁部512之外周面之間的徑向之距離，無論是在圓周方向的哪個位置都大概相同。
在以下之說明中，係將第一杯體罩部412之內周緣與對向構件側壁部512之外周面之間的徑向之距離稱為「第一杯體間隙距離D1」。第一杯體間隙距離D1係比上述之保持間隙距離D0更大。第一杯體間隙距離D1，例如係3mm以上6mm以下。又，在以下之說明中，係將圖2所示的第一杯體41之位置稱為「第一處理位置」。在第一杯體41位於第一處理位置的狀態下，對向構件側壁部512之外周面的下部係與第一杯體側壁部411之內周面於徑向對向。又，保持基座部311之外周面的下部亦與第一杯體側壁部411之內周面於徑向對向。
在步驟S14中，係在第一杯體41已配置於第一處理位置的狀態下，使供給至旋轉中的基板9之上表面91上的藥液，如上述般地從處理空間90排出，且藉由杯體部4之第一杯體41所承接。藉由第一杯體41所承接的藥液係透過已設置於第一杯體41之底部的第一排出埠口44而朝向殼體11之外部排出。在基板處理裝置1中，係藉由藥液對基板9添加預定時間，來結束藉由藥液所為的基板9之處理(亦即，藥液處理)。再者，藥液之供給(步驟S14)，亦可比基板9之旋轉開始(步驟S13)更早進行。在此情況下，對靜止狀態的基板9之上表面91整體覆漿(paddle)(覆液)藥液，且進行藉由藥液所為的覆漿處理(paddling)。
當基板9之藥液處理結束時，就停止來自處理液噴嘴71的藥液之供給。接著，藉由控制部12來控制洗淨液供給部722(參照圖3)，藉此從洗淨供給部722朝向處理液噴嘴71供給洗淨液，且透過位於第二位置的頂板5之對向構件開口54，來供給至旋轉中的基板9之上表面91的中央部(步驟S15)。
從處理液噴嘴71供給至基板9之中央部的洗淨液係藉由基板9之旋轉，從基板9之中央部朝向徑向外方擴展，且添加至基板9之上表面91整體。殘留於基板9之上表面91上的藥液係藉由洗淨液來沖洗，且從基板9上除去。洗淨液及沖走的藥液係藉由離心力從基板9之外緣朝向徑向外方飛散，且通過保持基座部311之外周面與對向構件側壁部512之內周面之間並從處理空間90排出。又，在洗淨液等已附著於頂板5之下表面的情況下，該洗淨液等亦會藉由離心力從處理空間90排出。
在步驟S15中，係在第一杯體41配置於第一處理位置的狀態下，使供給至旋轉中的基板9之上表面91上的洗淨液，如上述般地從處理空間90排出，且藉由杯體部4之第一杯體41所承接。藉由第一杯體41所承接的洗淨液係透過已設置於第一杯體41之底部的第一排出埠口44而朝向殼體11之外部排出。在基板處理裝置1中，係藉由洗淨液對基板9添加預定時間，來結束藉由洗淨液所為的基板9 之處理(亦即，洗淨處理)。
圖5係顯示步驟S15中的洗淨處理之詳細流程的示意圖。如圖5所示，當在基板處理裝置1中結束步驟S14之藥液處理時，就使已調節至預定之前處理溫度的洗淨液從處理液噴嘴71供給至基板9上(步驟S151)。供給至基板9的洗淨液之溫度係藉由上述之溫度控制部724所控制。前處理溫度，例如係常溫(亦即，大致等於室溫的溫度)。
當前處理溫度之洗淨液被供給預定時間時，從處理液噴嘴71所供給的洗淨液之溫度，就會藉由溫度控制部724變更成預定之處理溫度。處理溫度係比前處理溫度更高的溫度，且為比常溫更高的溫度。在基板處理裝置1中，係藉由處理溫度(例如，約攝氏80度)之洗淨液在基板9之上表面91上供給預定時間，來進行對基板9的洗淨處理(步驟S152)。基板9之上表面91的溫度，係藉由與處理溫度之洗淨液的接觸而上升至比常溫更高的溫度。
當藉由處理溫度之洗淨液所為的基板9之洗淨處理結束時，從處理液噴嘴71所供給的洗淨液之溫度，就會藉由溫度控制部724變更成預定之後處理溫度。後處理溫度，係比處理溫度更低溫。後處理溫度例如係常溫。後處理溫度既可與前處理溫度相同，又可為不同。然後，使後處理溫度之洗淨液在基板9之上表面91上供給預定時間，藉此 來冷卻基板9(步驟S153)。藉由進行步驟S151至S153，來結束藉由前處理溫度、處理溫度及後處理溫度之洗淨液所為的基板9之洗淨處理。
當藉由洗淨液所為的基板9之處理結束時，就停止來自處理液噴嘴71的洗淨液之供給。此時，在基板9之上表面91上係存在有洗淨液較薄的液膜。然後，藉由杯體移動機構43使第一杯體41朝向下方移動，且如圖7所示，位於比圖2所示之第一處理位置更下方的第二處理位置。在第一杯體41位於第二處理位置的狀態下，第一杯體罩部412之內周緣係位於比對向構件側壁部512之下端更下方。藉此，第二杯體42會與基板保持部31及頂板5於徑向對向，而用以承接來自基板9之處理液的杯體則從第一杯體41切換至第二杯體42(步驟S16)。
圖8係基板處理裝置1之一部分的放大剖視圖。在圖8所示之杯體部4中，第二杯體42係配置於基板保持部31及頂板5之周圍。第二杯體罩部422之內周緣係位於比對向構件側壁部512之下端更上方。第二杯體罩部422之內周緣係與對向構件側壁部512之外周面於徑向對向。第二杯體罩部422之內周緣與對向構件側壁部512之外周面之間的徑向之距離，無論是在圓周方向的哪個位置都大概相同。
在以下之說明中，係將第二杯體罩部422之內周緣與對向構件側壁部512之外周面之間的徑向之距離稱為「第二杯體間隙距離D2」。第二杯體間隙距離D2係比上述之保持間隙距離D0更大。第二杯體間隙距離D2，例如係3mm以上6mm以下。第二杯體間隙距離D2既可與第一杯體間隙距離D1(參照圖6)相同，又可為不同。對向構件側壁部512之外周面的下部係與第二杯體側壁部421之內周面對向於徑向。又，保持基座部311之外周面的下部亦與第二杯體側壁部421之內周面於徑向對向。
如上述般，當第一杯體41朝向第二處理位置移動時，就藉由控制部12來控制置換液供給部723(參照圖3)，藉此使置換液從置換液供給部723朝向處理液噴嘴71供給，且透過位於第二位置的頂板5之對向構件開口54，來供給至旋轉中的基板9之上表面91的中央部(步驟S17)。
從處理液噴嘴71供給至基板9之中央部的置換液係藉由基板9之旋轉，從基板9之中央部朝向徑向外方擴展，且添加至基板9之上表面91之整體。殘留於基板9之上表面91上的洗淨液係藉由置換液而朝向徑向外方推出並從基板9上除去。藉此，基板9的洗淨液能置換成置換液。在使用IPA作為置換液的情況下，係在步驟S17中進行IPA置換處理。置換液係藉由離心力從基板9之外緣朝向徑向外方飛散，且通過保持基座部311之外周面與對向構件側 壁部512之內周面之間並從處理空間90排出。又，在置換液等已附著於頂板5之下表面的情況下，該置換液等亦藉由離心力從處理空間90排出。
在步驟S17中，係在第一杯體41配置於圖7所示之第二處理位置的狀態下，使供給至旋轉中的基板9之上表面91上的置換液，如上述般地從處理空間90排出，且藉由杯體部4之第二杯體42所承接。藉由第二杯體42所承接的置換液係透過已設置於第二杯體42之底部的第二排出埠口45而朝向殼體11之外部排出。在基板處理裝置1中，係藉由置換液對基板9添加預定時間，來結束藉由置換液所為的基板9之處理(亦即，置換處理)。
當藉由置換液所為的基板9之處理結束時，就停止來自處理液噴嘴71的置換液之供給。然後，藉由氣體供給部73(參照圖3)從處理液噴嘴71之側面朝向噴嘴間隙56噴射的惰性氣體之流量會增大。又，從處理液噴嘴71之下端面朝向處理空間90噴射的惰性氣體之流量亦會增大。更且，藉由控制部12(參照圖1)來控制基板旋轉機構33，藉此能使基板保持部31、基板9及頂板5之旋轉速度增大。藉此，殘留於基板9之上表面91上的置換液會朝向徑向外方移動並從基板9之外緣朝向徑向外方飛散，且通過保持基座部311與對向構件側壁部512之間並從處理空間90排出。從處理空間90所排出的置換液等，係藉由杯體部4之第二杯 體42所承接。藉由基板9之旋轉僅繼續預定之時間，來進行從基板9之上表面91上除去置換液的乾燥處理(步驟S18)。
當基板9之乾燥處理結束時，就停止藉由基板旋轉機構33所為的基板保持部31、基板9及頂板5之旋轉(步驟S19)。又，停止從氣體供給部73朝向噴嘴間隙56及處理空間90的惰性氣體之供給。其次，藉由對向構件升降機構62使對向構件保持部61朝向上方移動，藉此使頂板5從第二位置朝向圖1所示之第一位置往上方移動(步驟S20)。頂板5係從基板保持部31朝向上方隔開並藉由對向構件保持部61所保持。之後，基板9從殼體11搬出(步驟S21)。在基板處理裝置1中，係對複數個基板9依順序進行上述之步驟S11至S21，且依順序處理複數個基板9。
如以上所說明般，基板處理裝置1係具備基板保持部31、基板旋轉機構33、杯體部4、頂板5、處理液供給部72、氣體供給部73及氣體排出部(亦即，第一抽吸部81及第二抽吸部82)。基板保持部31係外徑比基板9更大的圓板狀。基板保持部31係配置於基板9之下方並將基板9保持在水平狀態。基板旋轉機構33係以轉向上下方向的中心軸J1為中心使基板保持部31旋轉。頂板5係與基板9之上表面91對向的對向構件。處理液供給部72係對基板9之上表面91供給處理液。氣體供給部73係對作為頂板5 之下表面與基板9之上表面91之間的空間的處理空間90供給處理氛圍用氣體。杯體部4係配置於基板保持部31之周圍以承接來自基板9的處理液。氣體排出部係抽吸杯體部4內之氣體並朝向杯體部4外排出。
底板5係具備對向構件頂蓋部511及對向構件側壁部512。對向構件頂蓋部511係與基板9之上表面91對向。對向構件側壁部512係從對向構件頂蓋部511之外周部朝向下方擴展。對向構件側壁部512之外周面為圓筒狀。對向構件側壁部512之內周面係與基板保持部31之外周面於徑向對向。
杯體部4係具備第一杯體41、第二杯體42及杯體移動機構43。第一杯體41係具備圓筒狀之第一杯體側壁部411及圓環板狀之第一杯體罩部412。第一杯體罩部412係從第一杯體側壁部411之上端部朝向徑向內方擴展。第二杯體42係配置於第一杯體41之徑向外側。第二杯體42係具備圓筒狀之第二杯體側壁部421及圓環板狀之第二杯體罩部422。第二杯體罩部422係從第二杯體側壁部421之上端部朝向徑向內方擴展。杯體移動機構43係使第一杯體41相對於基板保持部31沿著上下方向相對移動。
在第一杯體41已配置於第一處理位置的狀態下，第一杯體罩部412之內周緣係與對向構件側壁部512之外周於 徑向面對向。在第一杯體41已配置於第二處理位置的狀態下，第一杯體罩部412之內周緣係位於比對向構件側壁部512之下端更下方。
在此，當將上述之藥液及洗淨液稱為「第一處理液」，將置換液稱為「第二處理液」時，藥液供給部721及洗淨液供給部722係指對基板9供給第一處理液的第一處理液供給部。又，置換液供給部723係指對基板9供給第二處理液的第二處理液供給部。在基板處理裝置1中，係在第一杯體41已配置於上述之第一處理位置的狀態下，使來自基板9的第一處理液(亦即，供給至旋轉中的基板9之上表面91上的第一處理液)藉由第一杯體41所承接。在第一杯體41已配置於上述之第二處理位置的狀態下，使來自基板9的第二處理液(亦即，供給至旋轉中的基板9之上表面91上的第二處理液)藉由第二杯體42所承接。
在基板處理裝置1中，第二杯體罩部422之內周緣係與對向構件側壁部512之外周面於徑向對向。藉此，可以抑制藉由第一杯體41所承接的第一處理液、以及藉由第二杯體42所承接的第二處理液，從比第二杯體罩部422之內周緣更靠徑向內側朝向比第二杯體罩部422更靠上側飛散(亦即，第一處理液及第二處理液朝向比杯體部4更靠上側飛散)。
在基板處理裝置1中，係在殼體11內之比杯體部4更靠上側的空間形成有從殼體11之上部轉向下方的氣流(所謂的下向流(downflow))。該氣流係從頂板5的對向構件側壁部512與第二杯體42的第二杯體罩部422之內周緣之間朝向杯體部4內流入，且藉由氣體排出部從杯體部4之底部抽吸並朝向杯體部4外排出。在此，假設當對向構件側壁部512之外周面與第二杯體罩部422之內周緣的間隙過度窄時，從該間隙朝向杯體部4內流入的氣流之流速就有過度變大的可能性。在此狀態下，當欲用第二杯體42來承接從基板9飛散的第二處理液時，就恐有第二處理液藉由該氣流朝向下方沖走，且流入位於第二杯體42之下方之第二處理位置的第一杯體41內之虞。
相對於此，在圖8所示的基板處理裝置1中，作為對向構件側壁部512之外周面與第二杯體罩部422之內周緣之間的徑向之距離的第二杯體間隙距離D2，係比作為對向構件側壁部512之內周面與基板保持部31之外周面之間的徑向之距離的保持間隙距離D0更大。如此，藉由防止對向構件側壁部512之外周面與第二杯體罩部422之內周緣的間隙過度變窄，就可以防止從該間隙朝向杯體部4內流入的氣流之流速過度變大。結果，在用第二杯體42承接從基板9飛散的第二處理液時(亦即，從基板9飛散的第二處理液朝向第二杯體42移動時)，可以防止或抑制第二處理液藉由該氣流朝向下方沖走，且防止或抑制第二處理液流 入位於第二處理位置的第一杯體41內。換言之，在基板處理裝置1中，係可以藉由第一杯體41及第二杯體42來分別承接第一處理液及第二處理液。更換言之，在基板處理裝置1中，係可以藉由複數個杯體來分別承接複數種類的處理液。
又，在基板處理裝置1中，第二杯體罩部422之下表面係包含隨著從第二杯體罩部422之內周緣轉向徑向外方而轉向下方的傾斜面。藉此，能抑制從基板9飛散並撞擊於第二杯體42之內面的第二處理液朝向上方飛散，且在第二杯體42內朝向下方導引。結果，可以更進一步抑制藉由第二杯體42所承接的第二處理液朝向比杯體部4更靠上側飛散。
如上述般，在基板處理裝置1中，係在對向構件頂蓋部511之中央部設置有對向構件開口54，且使來自處理液供給部72的第一處理液(亦即，藥液及洗淨液)和第二處理液(亦即，置換液)，透過對向構件開口54而供給至基板9之上表面91。在此，假設當對向構件側壁部512之外周面與第一杯體罩部412之內周緣的間隙過度窄時，就有在使第一杯體41從第一處理位置朝向第二處理位置下降時，在對向構件側壁部512之外周面附近發生比較大之壓力降低的可能性。然後，因處理空間90之壓力亦會藉由該壓力降低而降低，故而有處理空間90之外部的氛圍，例如透過噴 嘴間隙56及對向構件開口54而流入處理空間90，且處理空間90之氛圍從所期望之狀態開始變化的可能性。
相對於此，在圖6所示之基板處理裝置1中，對向構件側壁部512之外周面與第一杯體罩部412之內周緣之間的徑向之距離的第一杯體間隙距離D1，係比上述之保持間隙距離D0更大。如此，藉由防止對向構件側壁部512之外周面與第一杯體罩部412之內周緣的間隙過度變窄，就可以防止或抑制藉由第一杯體41之上下方向之移動所致的對向構件側壁部512之外周面附近的壓力降低、以及處理空間90之壓力降低。結果，可以防止或抑制外部之氛圍流入處理空間90，且防止或抑制處理空間90之氛圍的不意圖之變化。又，與第二杯體42同樣，可以一邊防止或抑制第一處理液朝向比第一杯體41更靠上側飛散，一邊防止從對向構件側壁部512之外周面與第一杯體罩部412之內周緣的間隙朝向第一杯體41內流入的氣流之流速過度變大。
更且，在基板處理裝置1中，第一杯體罩部412之下表面係包含隨著從第一杯體罩部412之內周緣轉向徑向外方而轉向下方的傾斜面。藉此，能抑制從基板9飛散並撞擊於第一杯體41之內面的第一處理液朝向上方飛散，且在第一杯體41內朝向下方導引。結果，可以更進一步抑制藉由第一杯體41所承接的第一處理液朝向比第一杯體41更 靠上側飛散。
如上述般，在基板處理裝置1中，係在基板保持部31旋轉時，頂板5亦以中心軸J1為中心而旋轉。藉此，可以將已附著於頂板5之下表面的處理液，藉由離心力朝向徑向外方移動並從該下表面除去。換言之，可以防止朝向頂板5的處理液之附著。又，可以使供給至處理空間90的處理氛圍用氣體，藉由頂板5及基板9之旋轉而朝向徑向外方迅速地擴散。結果，可以將處理氛圍用氣體效率佳地擴散至處理空間90整體，且減低處理氛圍用氣體之使用量。
更且，頂板5係藉由基板保持部31所保持，且藉由基板旋轉機構33來與基板保持部31一起旋轉。藉此，因沒有必要與基板旋轉機構33另外設置用以使頂板5旋轉的機構，故而可以簡化裝置構造。
在上述之例中，洗淨液係指藉由第一杯體41所承接的第一處理液。在進行對基板9之洗淨處理時，該洗淨液係以比常溫更高的處理溫度供給至基板9之上表面91上。藉此，可以效率佳地進行基板9之洗淨處理，且可以縮短基板9之洗淨處理所需的時間。
又，在基板處理裝置1中，係在該洗淨處理結束之後，進行利用藉由基板旋轉機構33所為的基板9之旋轉從基板 9上除去液體的乾燥處理，且在洗淨處理與乾燥處理之間，使比上述之處理溫度更低溫的處理液供給至基板9之上表面91上，藉此來冷卻基板9。如此，使利用藉由比常溫更高之處理溫度的處理液所為的洗淨處理而升溫後的基板9，且比乾燥處理更早冷卻，藉此可以防止或抑制有可能殘留於處理空間90之些微的離子性物質，在乾燥處理時對基板9上之元件(device)等帶來不良影響。再者，在步驟S153中供給至基板9的處理液，既可為與在處理溫度下之洗淨處理(步驟S152)中所利用的洗淨液相同的處理液，又可為不同的處理液。
更且，在基板處理裝置1中，係比藉由比常溫更高之處理溫度的洗淨液所為的洗淨處理(步驟S152)更早，使比該處理溫度更低溫的處理液供給至基板9上(步驟S151)。藉此，不用將殘留於基板9上的藥液升溫就可以從基板9上沖走(亦即，除去)。結果，可以抑制殘留於基板9上的藥液之反應性增大，且防止或抑制在從基板9上沖走藥液時，發生藥液之不意圖的反應等。再者，在步驟S151中供給至基板9的處理液，既可為與在處理溫度下之洗淨處理(步驟S152)中所利用的洗淨液相同的處理液，又可為不同的處理液。
在上述之基板處理裝置1中，係能夠進行各種的變更。
在基板處理裝置1中，係在進行基板9之藥液處理、洗淨處理及乾燥處理時，頂板5並不一定有必要保持於基板保持部31。例如，頂板5，亦可從基板保持部31隔開而配置於基板9之上方，且藉由與基板旋轉機構33獨立所設置的其他旋轉機構所旋轉。又，在進行基板9之藥液處理、洗淨處理及乾燥處理時，頂板5亦可不一定要一起旋轉。
在基板處理裝置1中，亦可不一定在基板9之洗淨處理(步驟S15)中，進行供給至基板9的處理液之溫度變更。例如，洗淨液亦可在對基板9之供給開始至供給停止為止都為大致相同的溫度。在此情況下，供給至基板9的洗淨液之溫度，既可比常溫更高，又可為常溫以下。
在上述之例中，雖然藥液及洗淨液為藉由第一杯體41所承接的第一處理液，置換液為藉由第二杯體42所承接的第二處理液，但是第一處理液及第二處理液亦可進行各種變更。又，第一處理液對基板9之供給，亦可比第二處理液對基板9之供給更晚進行。
例如，在基板處理裝置1中供給至基板9的處理液亦可為藥液及洗淨液亦可在第一杯體41位於第一處理位置之狀態下進行基板9之藥液處理之後，將第一杯體41朝向第二處理位置移動以進行洗淨處理。在此情況下，藥液係 藉由第一杯體41所承接的第一處理液，洗淨液係藉由第二杯體42所承接的第二處理液。或亦可在第一杯體41位於第二處理位置之狀態下進行基板9之藥液處理之後，將第一杯體41朝向第一處理位置移動以進行洗淨處理。在此情況下，藥液係藉由第二杯體42所承接的第二處理液，洗淨液係藉由第一杯體41所承接的第一處理液。無論是哪一種情況都與上述同樣，第二杯體罩部422之內周緣與對向構件側壁部512之外周面於徑向對向，且第二杯體間隙距離D2比保持間隙距離D0更大，藉此可以抑制第一處理液及第二處理液朝向比杯體部4更靠上側飛散，並且可以藉由複數個杯體來分別承接複數種類的處理液。
杯體部4係除了第一杯體41及第二杯體42以外，亦可具備與第一杯體41及第二杯體42排列於徑向的其他杯體。換言之，杯體部4亦可具備三個以上的杯體。在此情況下，承接上述之第一處理液的第一杯體41，係指該三個以上之杯體中之位於徑向之最外側的杯體以外的一個杯體，承接第二處理液的第二杯體42，係指該三個以上之杯體中之位於比第一杯體更靠徑向外側的一個杯體。
作為第一杯體罩部412之內周緣與對向構件側壁部512之外周面之間的徑向之距離的第一杯體間隙距離D1，並不一定有必要比保持間隙距離D0更大，亦可為保持間隙距離D0以下。
杯體部4的第一杯體罩部412之下表面，並不一定有必要包含上述之傾斜面，例如亦可為遍及於大致全面地大致垂直於上下方向的平面。第二杯體罩部422之下表面亦為同樣，並不一定有必要包含上述之傾斜面，例如亦可為遍及於大致全面地大致垂直於上下方向的平面。
在基板處理裝置1中，係在頂板5藉由基板保持部31所保持，且在頂板5與基板保持部31之間形成有處理空間90的狀態下，使頂板5的對向構件側壁部512之下端，位於比基板保持部31的保持基座部311之上表面更下方(亦即，比保持基座部311之外周面的上端更下方)。因此，藉由使第一杯體罩部412及第二杯體罩部422之內周緣位於比頂板5的對向構件側壁部512之下端更上方，就可以承接從對向構件側壁部512之下端飛散的處理液。因此，可以在使第一杯體罩部412及第二杯體罩部422位於比基板9更低之位置的狀態下，承接從對向構件側壁部512之下端飛散的處理液。結果，不用使第二杯體42相對於基板保持部31移動，就可以容易在將基板9予以搬出及搬入的機構與基板保持部31之間進行基板9之轉移。
再者，在基板處理裝置1中，亦可設置有使第二杯體42相對於基板保持部31沿著上下方向相對移動的第二杯體移動機構。在此情況下，亦可在進行基板9之交付時， 亦即在進行朝向基板保持部31的基板9之搬入及搬出時，使第一杯體41及第二杯體42移動至比圖1及圖6所示之位置更下方。藉此，可以更容易進行基板9之交付。結果，可以改善基板處理裝置1之運用上的自由度。
上述實施形態及各變化例中的構成，只要彼此不矛盾亦可適當組合。
雖然已詳細描寫並說明發明，但是已述的說明係例示而非限定。因此，可謂只要不脫離本發明之範圍，仍能夠實施多數的變化或態樣。

Claims (17)

  1. 一種基板處理裝置，係用以處理基板，且具備：基板保持部，其為外徑比基板更大的圓板狀，且配置於前述基板之下方並將前述基板保持在水平狀態；基板旋轉機構，其以轉向上下方向的中心軸為中心使前述基板保持部旋轉；對向構件，其與前述基板之上表面對向；處理液供給部，用以對前述基板之前述上表面供給處理液；氣體供給部，用以對作為前述對向構件之下表面與前述基板之前述上表面之間的空間的處理空間供給處理氛圍用氣體；杯體部，其配置於前述基板保持部之周圍以承接來自前述基板的前述處理液；以及氣體排出部，用以抽吸前述杯體部內的氣體並朝向前述杯體部外排出；前述處理液供給部具備：第一處理液供給部，用以對前述基板供給第一處理液；以及第二處理液供給部，用以對前述基板供給第二處理液；前述對向構件具備：對向構件頂蓋部，其與前述基板之前述上表面對向；以及對向構件側壁部，其從前述對向構件頂蓋部之外周部朝向下方擴展，內周面與前述基板保持部之外周面於徑向對向，且外周面為圓筒狀；前述杯體部具備：第一杯體，其具有圓筒狀之第一杯體側壁部、及從前述第一杯體側壁部之上端部朝向徑向內方擴展的圓環板狀之第一杯體罩部，用以承接來自前述基板的前述第一處理液；第二杯體，其具有圓筒狀之第二杯體側壁部、及圓環板狀之第二杯體罩部，且配置於前述第一杯體之徑向外側以承接來自前述基板的前述第二處理液，前述圓環板狀之第二杯體罩部係從前述第二杯體側壁部之上端部朝向徑向內方擴展且內周緣與前述對向構件側壁部之前述外周面於徑向對向；以及杯體移動機構，用以使前述第一杯體相對於前述基板保持部沿著上下方向相對移動；在前述第一杯體罩部之內周緣與前述對向構件側壁部之前述外周面於徑向對向的第一處理位置已配置有前述第一杯體的狀態下，藉由前述第一杯體來承接已供給至旋轉中的前述基板之前述上表面上的前述第一處理液；在前述第一杯體罩部之前述內周緣位於比前述對向構件側壁部之下端更下方的第二處理位置已配置有前述第一杯體的狀態下，藉由前述第二杯體來承接已供給至旋轉中的前述基板之前述上表面上的前述第二處理液；作為前述對向構件側壁部之前述外周面與前述第二杯體罩部之前述內周緣之間的徑向之距離的第二杯體間隙距離係比作為前述對向構件側壁部之前述內周面與前述基板保持部之前述外周面之間的徑向之距離的保持間隙距離更大。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述第二杯體罩部之下表面係包含：傾斜面，其隨著從前述第二杯體罩部之前述內周緣轉向徑向外方而轉向下方。
  3. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中在前述對向構件頂蓋部之中央部設置有對向構件開口；來自前述處理液供給部之前述第一處理液及前述第二處理液係透過前述對向構件開口而供給至前述基板之前述上表面；作為前述對向構件側壁部之前述外周面與前述第一杯體罩部之前述內周緣之間的徑向之距離的第一杯體間隙距離係比前述保持間隙距離更大。
  4. 如請求項3所記載之基板處理裝置，其中前述第一杯體罩部之下表面係包含：傾斜面，其隨著從前述第一杯體罩部之前述內周緣轉向徑向外方而轉向下方。
  5. 如請求項4所記載之基板處理裝置，其中在前述基板保持部旋轉時，前述對向構件亦以前述中心軸為中心而旋轉。
  6. 如請求項5所記載之基板處理裝置，其中前述對向構件係藉由前述基板保持部所保持，且藉由前述基板旋轉機構來與前述基板保持部一起旋轉。
  7. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中在前述對向構件頂蓋部之中央部設置有對向構件開口；來自前述處理液供給部之前述第一處理液及前述第二處理液係透過前述對向構件開口而供給至前述基板之前述上表面；作為前述對向構件側壁部之前述外周面與前述第一杯體罩部之前述內周緣之間的徑向之距離的第一杯體間隙距離係比前述保持間隙距離更大。
  8. 如請求項7所記載之基板處理裝置，其中前述第一杯體罩部之下表面係包含：傾斜面，其隨著從前述第一杯體罩部之前述內周緣轉向徑向外方而轉向下方。
  9. 如請求項8所記載之基板處理裝置，其中在前述基板保持部旋轉時，前述對向構件亦以前述中心軸為中心而旋轉。
  10. 如請求項9所記載之基板處理裝置，其中前述對向構件係藉由前述基板保持部所保持，且藉由前述基板旋轉機構來與前述基板保持部一起旋轉。
  11. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述第一杯體罩部之下表面係包含：傾斜面，其隨著從前述第一杯體罩部之前述內周緣轉向徑向外方而轉向下方。
  12. 如請求項11所記載之基板處理裝置，其中在前述基板保持部旋轉時，前述對向構件亦以前述中心軸為中心而旋轉。
  13. 如請求項12所記載之基板處理裝置，其中前述對向構件係藉由前述基板保持部所保持，且藉由前述基板旋轉機構來與前述基板保持部一起旋轉。
  14. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中在前述基板保持部旋轉時，前述對向構件亦以前述中心軸為中心而旋轉。
  15. 如請求項14所記載之基板處理裝置，其中前述對向構件係藉由前述基板保持部所保持，且藉由前述基板旋轉機構來與前述基板保持部一起旋轉。
  16. 如請求項1至15中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述對向構件側壁部之前述下端係位於比前述基板保持部之前述外周面的上端更下方。
  17. 如請求項1至15中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述第一處理液或前述第二處理液係以比常溫更高的處理溫度供給至前述基板之前述上表面上以進行對前述基板之洗淨處理的洗淨液；在前述洗淨處理結束之後，利用藉由前述基板旋轉機構所為的前述基板之旋轉來進行從前述基板上除去液體的乾燥處理；在前述洗淨處理與前述乾燥處理之間，藉由使比前述處理溫度更低溫的處理液供給至前述基板之前述上表面上來冷卻前述基板。
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