JP6118595B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理装置であって、前記基板回転機構、前記処理液供給ノズルからの前記処理液の供給、前記少なくとも1つの加熱液供給ノズルからの前記加熱液の供給、および、前記少なくとも1つの加熱ガス供給ノズルからの前記加熱ガスの供給を制御する制御部をさらに備え、前記制御部による制御により、前記基板を回転しつつ前記基板の前記上面に前記処理液を供給するとともに前記基板の前記下面に前記加熱液を供給し、前記処理液および前記加熱液の供給を停止した後、前記基板を回転しつつ前記基板の前記下面に向けて前記加熱ガスを噴出して前記基板を乾燥する。
請求項3に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理装置であって、前記基板回転機構、前記処理液供給ノズルからの前記処理液の供給、前記少なくとも1つの加熱液供給ノズルからの前記加熱液の供給、および、前記少なくとも1つの加熱ガス供給ノズルからの前記加熱ガスの供給を制御する制御部をさらに備え、前記制御部による制御により、前記基板を回転しつつ前記基板の前記上面に前記処理液を供給し、前記処理液の供給と並行して、前記基板の前記下面に前記加熱液を供給するとともに前記基板の下方の空間へと前記加熱ガスを供給する。
請求項4に記載の発明は、基板を処理する基板処理装置であって、水平状態の基板の外縁部を支持する基板支持部と、前記基板支持部を前記基板と共に上下方向を向く中心軸を中心として回転する基板回転機構と、前記基板の上面に前記基板よりも高温の処理液を供給する処理液供給ノズルと、前記中心軸と前記基板の外周縁との間において前記基板の下面に前記基板よりも高温の加熱液を供給する少なくとも1つの加熱液供給ノズルと、前記中心軸と前記基板の前記外周縁との間において前記基板の前記下面に向けて前記基板よりも高温の加熱ガスを噴出する少なくとも1つの加熱ガス供給ノズルと、前記基板回転機構、前記処理液供給ノズルからの前記処理液の供給、前記少なくとも1つの加熱液供給ノズルからの前記加熱液の供給、および、前記少なくとも1つの加熱ガス供給ノズルからの前記加熱ガスの供給を制御する制御部とを備え、前記制御部による制御により、前記基板を回転しつつ前記基板の前記上面に前記処理液を供給し、前記処理液の供給と並行して、前記基板の前記下面に前記加熱液を供給するとともに前記基板の下方の空間へと前記加熱ガスを供給する。
請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の基板処理装置であって、前記基板支持部が、前記中心軸を中心とする環状であり、前記基板処理装置が、前記基板支持部の径方向内側にて前記基板の前記下面に対向する対向面を有する下面対向部をさらに備え、前記対向面が前記中心軸から離れるに従って前記基板から離れる傾斜面である。
9 基板
10 制御部
12 チャンバ
15 基板回転機構
91 (基板の)上面
92 (基板の)下面
100 拡大密閉空間
121 チャンバ本体
122 チャンバ蓋部
141 基板支持部
161 カップ部
163 カップ対向部
180a 加熱ガス供給ノズル
180b 加熱液供給ノズル
181 上部ノズル
188 液体加熱部
211 下面対向部
211a 対向面
J1 中心軸
S11〜S16,S121 ステップ
Claims (14)
- 基板を処理する基板処理装置であって、
上下方向を向く中心軸を中心とする環状であり、水平状態の基板の外縁部を支持する基板支持部と、
前記基板支持部を前記基板と共に前記中心軸を中心として回転する基板回転機構と、
前記基板の上面に前記基板よりも高温の処理液を供給する処理液供給ノズルと、
前記中心軸と前記基板の外周縁との間において前記基板の下面に前記基板よりも高温の加熱液を供給する少なくとも1つの加熱液供給ノズルと、
前記中心軸と前記基板の前記外周縁との間において前記基板の前記下面に向けて前記基板よりも高温の加熱ガスを噴出する少なくとも1つの加熱ガス供給ノズルと、
前記基板の下方にて静止し、前記基板支持部の径方向内側にて前記基板の前記下面に対向する対向面を有する下面対向部と、
前記下面対向部の外縁部から下方かつ径方向外方に広がる下部環状空間と、
を備え、
前記対向面が前記中心軸から離れるに従って前記基板から離れる傾斜面であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記基板回転機構、前記処理液供給ノズルからの前記処理液の供給、前記少なくとも1つの加熱液供給ノズルからの前記加熱液の供給、および、前記少なくとも1つの加熱ガス供給ノズルからの前記加熱ガスの供給を制御する制御部をさらに備え、
前記制御部による制御により、前記基板を回転しつつ前記基板の前記上面に前記処理液を供給するとともに前記基板の前記下面に前記加熱液を供給し、前記処理液および前記加熱液の供給を停止した後、前記基板を回転しつつ前記基板の前記下面に向けて前記加熱ガスを噴出して前記基板を乾燥することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記基板回転機構、前記処理液供給ノズルからの前記処理液の供給、前記少なくとも1つの加熱液供給ノズルからの前記加熱液の供給、および、前記少なくとも1つの加熱ガス供給ノズルからの前記加熱ガスの供給を制御する制御部をさらに備え、
前記制御部による制御により、前記基板を回転しつつ前記基板の前記上面に前記処理液を供給し、前記処理液の供給と並行して、前記基板の前記下面に前記加熱液を供給するとともに前記基板の下方の空間へと前記加熱ガスを供給することを特徴とする基板処理装置。 - 基板を処理する基板処理装置であって、
水平状態の基板の外縁部を支持する基板支持部と、
前記基板支持部を前記基板と共に上下方向を向く中心軸を中心として回転する基板回転機構と、
前記基板の上面に前記基板よりも高温の処理液を供給する処理液供給ノズルと、
前記中心軸と前記基板の外周縁との間において前記基板の下面に前記基板よりも高温の加熱液を供給する少なくとも1つの加熱液供給ノズルと、
前記中心軸と前記基板の前記外周縁との間において前記基板の前記下面に向けて前記基板よりも高温の加熱ガスを噴出する少なくとも1つの加熱ガス供給ノズルと、
前記基板回転機構、前記処理液供給ノズルからの前記処理液の供給、前記少なくとも1つの加熱液供給ノズルからの前記加熱液の供給、および、前記少なくとも1つの加熱ガス供給ノズルからの前記加熱ガスの供給を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部による制御により、前記基板を回転しつつ前記基板の前記上面に前記処理液を供給し、前記処理液の供給と並行して、前記基板の前記下面に前記加熱液を供給するとともに前記基板の下方の空間へと前記加熱ガスを供給することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4に記載の基板処理装置であって、
前記基板支持部が、前記中心軸を中心とする環状であり、
前記基板処理装置が、前記基板支持部の径方向内側にて前記基板の前記下面に対向する対向面を有する下面対向部をさらに備え、
前記対向面が前記中心軸から離れるに従って前記基板から離れる傾斜面であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし5のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記少なくとも1つの加熱液供給ノズルが、複数の加熱液供給ノズルであり、
前記複数の加熱液供給ノズルのうち2以上の加熱液供給ノズルが、前記中心軸を中心とする同一円周上に位置することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記少なくとも1つの加熱液供給ノズルが、複数の加熱液供給ノズルであり、
前記複数の加熱液供給ノズルのうち一の加熱液供給ノズルと前記中心軸との間の径方向の距離が、他の一の加熱液供給ノズルと前記中心軸との間の径方向の距離と異なることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし7のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記少なくとも1つの加熱ガス供給ノズルが、複数の加熱ガス供給ノズルであり、
前記複数の加熱ガス供給ノズルのうち2以上の加熱ガス供給ノズルが、前記中心軸を中心とする同一円周上に位置することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし8のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記少なくとも1つの加熱ガス供給ノズルが、複数の加熱ガス供給ノズルであり、
前記複数の加熱ガス供給ノズルのうち一の加熱ガス供給ノズルと前記中心軸との間の径方向の距離が、他の一の加熱ガス供給ノズルと前記中心軸との間の径方向の距離と異なることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし9のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記処理液と前記加熱液とが同じ液体であり、
前記基板処理装置が、前記処理液供給ノズルおよび前記少なくとも1つの加熱液供給ノズルに供給される前記液体を加熱する液体加熱部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし10のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記少なくとも1つの加熱ガス供給ノズルが前記中心軸に対して傾斜することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし11のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記処理液供給ノズルが、前記基板の前記上面の中央部に対向して固定されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし12のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記処理液による前記基板に対する処理が行われる、密閉された内部空間を形成する密閉空間形成部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 基板を処理する基板処理方法であって、
a)上下方向を向く中心軸を中心として水平状態の基板を回転しつつ前記基板の上面に前記基板よりも高温の処理液を供給する工程と、
b)前記a)工程と並行して、少なくとも1つの加熱液供給ノズルから、前記中心軸と前記基板の外周縁との間において前記基板の下面に前記基板よりも高温の加熱液を供給する工程と、
c)前記b)工程と並行して、少なくとも1つの加熱ガス供給ノズルから、前記基板の下方の空間へと前記基板よりも高温の加熱ガスを供給する工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。
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