JP2001149843A - スピン処理装置及びその方法 - Google Patents
スピン処理装置及びその方法Info
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- JP2001149843A JP2001149843A JP33470999A JP33470999A JP2001149843A JP 2001149843 A JP2001149843 A JP 2001149843A JP 33470999 A JP33470999 A JP 33470999A JP 33470999 A JP33470999 A JP 33470999A JP 2001149843 A JP2001149843 A JP 2001149843A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は基板の上面を処理液によって所望
する温度で処理できるようにしたスピン処理装置を提供
することにある。 【解決手段】 回転駆動される基板を処理液によって処
理するスピン処理装置において、カップ体１と、カップ
体内に設けられ上記基板を保持して回転駆動される回転
体５と、この回転体に保持された基板の上面に所定温度
に加熱された第１の処理液を噴射する上部ノズル体３１
と、上記基板の下面に上記第１の処理液とほぼ同じ温度
に加熱された第２の処理液を噴射する下部薬液ノズル２
５とを具備したことを特徴とする。
する温度で処理できるようにしたスピン処理装置を提供
することにある。 【解決手段】 回転駆動される基板を処理液によって処
理するスピン処理装置において、カップ体１と、カップ
体内に設けられ上記基板を保持して回転駆動される回転
体５と、この回転体に保持された基板の上面に所定温度
に加熱された第１の処理液を噴射する上部ノズル体３１
と、上記基板の下面に上記第１の処理液とほぼ同じ温度
に加熱された第２の処理液を噴射する下部薬液ノズル２
５とを具備したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は回転駆動される基
板の上面を処理液で処理するスピン処理装置及びその方
法に関する。
板の上面を処理液で処理するスピン処理装置及びその方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、半導体装置や液晶表示装置の
製造過程においては、基板としての半導体ウエハやガラ
ス基板に回路パタ−ンを形成するための成膜プロセスや
フォトプロセスがある。これらのプロセスでは、上記基
板に対して成膜処理、洗浄処理あるいはパターン形成処
理などが繰り返し行われる。
製造過程においては、基板としての半導体ウエハやガラ
ス基板に回路パタ−ンを形成するための成膜プロセスや
フォトプロセスがある。これらのプロセスでは、上記基
板に対して成膜処理、洗浄処理あるいはパターン形成処
理などが繰り返し行われる。
【０００３】上記パターン形成処理にはたとえば処理液
としてのエッチング液を用いたエッチング処理があり、
洗浄処理には純水以外の処理液を用いて行うことがあ
る。処理液によって基板を処理する場合、その処理を基
板の全面にわたって均一に、しかも能率良く行えるよう
にするため、上記基板を回転させながら処理するスピン
処理装置が用いられる。
としてのエッチング液を用いたエッチング処理があり、
洗浄処理には純水以外の処理液を用いて行うことがあ
る。処理液によって基板を処理する場合、その処理を基
板の全面にわたって均一に、しかも能率良く行えるよう
にするため、上記基板を回転させながら処理するスピン
処理装置が用いられる。
【０００４】スピン処理装置を用いて基板を処理する場
合、基板は被処理面を上にして回転駆動される回転体に
保持し、その上面には所定の薬液がノズル体によって噴
射されることになる。
合、基板は被処理面を上にして回転駆動される回転体に
保持し、その上面には所定の薬液がノズル体によって噴
射されることになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、基板の上面
を処理液によって処理する場合、その処理液が基板の下
面に回り込むことが避けられない。通常、基板の下面に
回り込んだ処理液は純水によるリンス工程で洗浄除去さ
れるのだが、その回り込み量はわずかであり、しかも基
板の回転に伴う遠心力によって基板の下面に空気流が生
じる。
を処理液によって処理する場合、その処理液が基板の下
面に回り込むことが避けられない。通常、基板の下面に
回り込んだ処理液は純水によるリンス工程で洗浄除去さ
れるのだが、その回り込み量はわずかであり、しかも基
板の回転に伴う遠心力によって基板の下面に空気流が生
じる。
【０００６】そのため、基板の下面に回り込んだ処理液
は、次のリンス工程で洗浄除去される前に乾燥し、結晶
化してしまうため、リンス工程では除去できない汚れに
なってしまうということがあった。
は、次のリンス工程で洗浄除去される前に乾燥し、結晶
化してしまうため、リンス工程では除去できない汚れに
なってしまうということがあった。
【０００７】また、エッチング液などの処理液は、たと
えば反応速度を高めるために常温で使用せず、所定温度
に加熱して使用するということが行われている。しかし
ながら、基板の上面に所定温度に加熱された処理液を噴
射するだけでは、基板が回転していることや下面がなん
ら加熱されないことなどによって上面の熱が下面側から
放散され、上面が所望する温度に上昇しにくいというこ
とがある。そのため、上記処理液による基板上面の処理
を所望する温度で行うことが難しいということがあっ
た。
えば反応速度を高めるために常温で使用せず、所定温度
に加熱して使用するということが行われている。しかし
ながら、基板の上面に所定温度に加熱された処理液を噴
射するだけでは、基板が回転していることや下面がなん
ら加熱されないことなどによって上面の熱が下面側から
放散され、上面が所望する温度に上昇しにくいというこ
とがある。そのため、上記処理液による基板上面の処理
を所望する温度で行うことが難しいということがあっ
た。
【０００８】この発明は、基板を所定の温度で処理する
ことができ、しかも基板の裏面に処理液が乾燥付着する
のを防止できるようにしたスピン処理装置及びその方法
を提供することにある。
ことができ、しかも基板の裏面に処理液が乾燥付着する
のを防止できるようにしたスピン処理装置及びその方法
を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、回転
駆動される基板を処理液によって処理するスピン処理装
置において、カップ体と、カップ体内に設けられ上記基
板を保持して回転駆動される回転体と、この回転体に保
持された基板の上面に所定温度に加熱された第１の処理
液を噴射する第１のノズル体と、上記基板の下面に上記
第１の処理液とほぼ同じ温度に加熱された第２の処理液
を噴射する第２のノズル体とを具備したことを特徴とす
るスピン処理装置にある。
駆動される基板を処理液によって処理するスピン処理装
置において、カップ体と、カップ体内に設けられ上記基
板を保持して回転駆動される回転体と、この回転体に保
持された基板の上面に所定温度に加熱された第１の処理
液を噴射する第１のノズル体と、上記基板の下面に上記
第１の処理液とほぼ同じ温度に加熱された第２の処理液
を噴射する第２のノズル体とを具備したことを特徴とす
るスピン処理装置にある。
【００１０】請求項２の発明は、上記基板の下面には、
その下面の径方向の異なる位置に向けて上記第２の処理
液を噴射する複数の第２のノズル体が設けられているこ
とを特徴とする請求項１記載の処理装置にある。
その下面の径方向の異なる位置に向けて上記第２の処理
液を噴射する複数の第２のノズル体が設けられているこ
とを特徴とする請求項１記載の処理装置にある。
【００１１】請求項３の発明は、上記第１の処理液と第
２の処理液とは同じ種類の薬液であることを特徴とする
請求項１記載のスピン処理装置にある。
２の処理液とは同じ種類の薬液であることを特徴とする
請求項１記載のスピン処理装置にある。
【００１２】請求項４の発明は、上記第１のノズル体と
第２のノズル体とに処理液を供給する供給ラインのう
ち、少なくとも第２のノズル体に接続された供給ライン
には、この供給ラインの処理液の温度低下を防止する加
熱手段が設けられていることを特徴とする請求項１記載
のスピン処理装置にある。
第２のノズル体とに処理液を供給する供給ラインのう
ち、少なくとも第２のノズル体に接続された供給ライン
には、この供給ラインの処理液の温度低下を防止する加
熱手段が設けられていることを特徴とする請求項１記載
のスピン処理装置にある。
【００１３】請求項５の発明は、回転駆動される基板を
処理液によって処理するスピン処理方法において、上記
基板の上面を所定温度に加熱された第１の処理液で処理
するときに、上記基板の下面に上記第１の処理液とほぼ
同じ温度に加熱された第２の処理液を噴射することを特
徴とするスピン処理方法にある。
処理液によって処理するスピン処理方法において、上記
基板の上面を所定温度に加熱された第１の処理液で処理
するときに、上記基板の下面に上記第１の処理液とほぼ
同じ温度に加熱された第２の処理液を噴射することを特
徴とするスピン処理方法にある。
【００１４】請求項１と請求項５の発明によれば、基板
の下面に、上面に噴射される第１の処理液とほぼ同じ温
度に加熱された第２の処理液を噴射することで、基板は
上面側だけでなく下面側からも加熱される。そのため、
基板は上面の温度が安定するため、上面を所望する温度
で処理することができ、しかも下面に第２の処理液が噴
射されることで、十分な量の処理液が供給されるため、
下面も上面と同様、処理液が短時間で乾燥することがな
い。
の下面に、上面に噴射される第１の処理液とほぼ同じ温
度に加熱された第２の処理液を噴射することで、基板は
上面側だけでなく下面側からも加熱される。そのため、
基板は上面の温度が安定するため、上面を所望する温度
で処理することができ、しかも下面に第２の処理液が噴
射されることで、十分な量の処理液が供給されるため、
下面も上面と同様、処理液が短時間で乾燥することがな
い。
【００１５】請求項２の発明によれば、基板の下面には
径方向の異なる複数の位置に第２の処理液を噴射するた
め、基板の下面の全体に第２の処理液をほぼ均一に行き
渡らせることができる。
径方向の異なる複数の位置に第２の処理液を噴射するた
め、基板の下面の全体に第２の処理液をほぼ均一に行き
渡らせることができる。
【００１６】請求項３の発明によれば、基板の下面に噴
射する処理液を、上面に噴射する処理液と同じ種類の薬
液とすることで、これら薬液を回収して再使用すること
ができる。
射する処理液を、上面に噴射する処理液と同じ種類の薬
液とすることで、これら薬液を回収して再使用すること
ができる。
【００１７】請求項４の発明によれば、供給ラインの処
理液の温度低下を防止できるから、処理開始時に温度の
低い処理液が供給されることがなくなる。
理液の温度低下を防止できるから、処理開始時に温度の
低い処理液が供給されることがなくなる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施の形態を
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００１９】図１はたとえば液晶用のガラス製の基板Ｗ
を処理するスピン処理装置を示し、このスピン処理装置
はカップ体１を備えている。このカップ体１は、上面が
開放した有底状の下カップ１ａと、この下カップ１ａの
上端に着脱自在に保持された上カップ１ｂと、この上カ
ップ１ｂの内面側にねじ２によって着脱自在に取付けら
れた中カップ１ｃとからなる。
を処理するスピン処理装置を示し、このスピン処理装置
はカップ体１を備えている。このカップ体１は、上面が
開放した有底状の下カップ１ａと、この下カップ１ａの
上端に着脱自在に保持された上カップ１ｂと、この上カ
ップ１ｂの内面側にねじ２によって着脱自在に取付けら
れた中カップ１ｃとからなる。
【００２０】上記下カップ１ａの底部中心部には通孔３
が形成されている。この通孔３には中空状の回転軸４が
挿通されている。この回転軸４の上記カップ体１内に突
出した上端には回転体５が取付けられている。この回転
体５は、図２に示すように円盤状の基部６を有し、この
基部６には周方向に９０度間隔で４本のアーム７の基端
部が連結固定されている。
が形成されている。この通孔３には中空状の回転軸４が
挿通されている。この回転軸４の上記カップ体１内に突
出した上端には回転体５が取付けられている。この回転
体５は、図２に示すように円盤状の基部６を有し、この
基部６には周方向に９０度間隔で４本のアーム７の基端
部が連結固定されている。
【００２１】各アーム７の先端部はＬ字状に屈曲され、
その屈曲部分の上面には上記基板Ｗの角部を保持する保
持部８が設けられている。この保持部８は、基板Ｗの角
部の下面を支持する支持ピン９と、支持ピン９よりも背
が高く、基板Ｗの角部の側縁に係合する一対の係合ピン
１１とからなる。したがって、基板Ｗは各アーム７に形
成された保持部８によって回転体５に着脱可能に支持さ
れることになる。
その屈曲部分の上面には上記基板Ｗの角部を保持する保
持部８が設けられている。この保持部８は、基板Ｗの角
部の下面を支持する支持ピン９と、支持ピン９よりも背
が高く、基板Ｗの角部の側縁に係合する一対の係合ピン
１１とからなる。したがって、基板Ｗは各アーム７に形
成された保持部８によって回転体５に着脱可能に支持さ
れることになる。
【００２２】なお、上記基部６には、基板Ｗの中心部分
の下面を支持する４本の支持ピン１２が設けられ、これ
ら支持ピン１２によって回転体５に保持された基板Ｗが
撓むのを防止している。
の下面を支持する４本の支持ピン１２が設けられ、これ
ら支持ピン１２によって回転体５に保持された基板Ｗが
撓むのを防止している。
【００２３】上記カップ体１の下カップ１ａの底部には
複数の排出管１３が周方向に所定間隔で接続されてい
る。これら排出管１３は図示しない吸引ポンプに接続さ
れている。したがって、カップ体１の上方から下方に向
かうクリーンルーム内の清浄空気（ダウンフロー）がカ
ップ体１内を通って円滑に排出されるとともに、後述す
るように基板Ｗを処理するためにカップ体１内に噴射さ
れた処理液が排出されるようになっている。
複数の排出管１３が周方向に所定間隔で接続されてい
る。これら排出管１３は図示しない吸引ポンプに接続さ
れている。したがって、カップ体１の上方から下方に向
かうクリーンルーム内の清浄空気（ダウンフロー）がカ
ップ体１内を通って円滑に排出されるとともに、後述す
るように基板Ｗを処理するためにカップ体１内に噴射さ
れた処理液が排出されるようになっている。
【００２４】上記下カップ１ａに形成された通孔３はカ
バー部材１４によって覆われている。このカバー部材１
４はカップ体１内で噴射された気体や液体が上記通孔３
へ流入するのを阻止している。
バー部材１４によって覆われている。このカバー部材１
４はカップ体１内で噴射された気体や液体が上記通孔３
へ流入するのを阻止している。
【００２５】上記回転軸４の下端は駆動モータ１６の回
転子１６ａに連結固定されている。この回転子１６ａは
中空状をなしていて、同じく中空状の固定子１６ｂの内
部に回転自在に挿通されている。この固定子１６ｂの上
端は取付板１７に取付けられ、下端面には回転子１６ａ
を回転自在かつ上記固定子１６ｂ内部から落下しないよ
う支持する中空状のホルダ１８が設けられている。
転子１６ａに連結固定されている。この回転子１６ａは
中空状をなしていて、同じく中空状の固定子１６ｂの内
部に回転自在に挿通されている。この固定子１６ｂの上
端は取付板１７に取付けられ、下端面には回転子１６ａ
を回転自在かつ上記固定子１６ｂ内部から落下しないよ
う支持する中空状のホルダ１８が設けられている。
【００２６】上記回転軸４と回転子１６ａとの内部には
挿通管２１が挿通されている。この挿通管２１の上端は
上記回転体５の基部６に形成された通孔２２から回転体
５の上面側に突出し、その突出端にはノズルヘッド２３
が設けられている。
挿通管２１が挿通されている。この挿通管２１の上端は
上記回転体５の基部６に形成された通孔２２から回転体
５の上面側に突出し、その突出端にはノズルヘッド２３
が設けられている。
【００２７】上記ノズルヘッド２３の周辺部には、図２
に示すように一対の下部純水ノズル２４と一対の下部薬
液ノズル２５とがそれぞれ周方向に１８０度間隔で設け
られ、さらにノズルヘッド２３の中心部にはガスノズル
２６が設けられている。
に示すように一対の下部純水ノズル２４と一対の下部薬
液ノズル２５とがそれぞれ周方向に１８０度間隔で設け
られ、さらにノズルヘッド２３の中心部にはガスノズル
２６が設けられている。
【００２８】各ノズル２４，２５，２６にはそれぞれ下
部純水供給管２７ａ、下部薬液供給管２７ｂ及び下部ガ
ス供給管２７ｃの一端が接続されている。各供給管２７
ａ〜２７ｃは上記挿通管２１に挿通され、他端は上記ホ
ルダ１７を通されて外部に導出されている。
部純水供給管２７ａ、下部薬液供給管２７ｂ及び下部ガ
ス供給管２７ｃの一端が接続されている。各供給管２７
ａ〜２７ｃは上記挿通管２１に挿通され、他端は上記ホ
ルダ１７を通されて外部に導出されている。
【００２９】そして、図３に示すように上記下部純水ノ
ズル２４に接続された下部純水供給管２７ａは純水の供
給源Ａに接続され、下部薬液ノズル２５に接続された下
部薬液供給管２７ｂは薬液の供給源Ｂに接続され、ガス
ノズル２６に接続された下部ガス供給管２７ｃはたとえ
ば窒素などの気体の供給源Ｃに接続されている。
ズル２４に接続された下部純水供給管２７ａは純水の供
給源Ａに接続され、下部薬液ノズル２５に接続された下
部薬液供給管２７ｂは薬液の供給源Ｂに接続され、ガス
ノズル２６に接続された下部ガス供給管２７ｃはたとえ
ば窒素などの気体の供給源Ｃに接続されている。
【００３０】一対の下部純水ノズル２４と下部薬液ノズ
ル２５のうちの一方は、上記回転体５に保持された基板
Ｗの裏面中心部に向けて純水及び薬液を直線状に噴射す
るようになっており、他方は図２に鎖線で示すように周
辺部に向けて純水及び薬液を扇状に噴射するようになっ
ている。つまり、各一対の下部純水ノズル２４と下部薬
液ノズル２５によって純水または薬液を基板Ｗの下面の
径方向の異なる位置に噴射できるようになっている。
ル２５のうちの一方は、上記回転体５に保持された基板
Ｗの裏面中心部に向けて純水及び薬液を直線状に噴射す
るようになっており、他方は図２に鎖線で示すように周
辺部に向けて純水及び薬液を扇状に噴射するようになっ
ている。つまり、各一対の下部純水ノズル２４と下部薬
液ノズル２５によって純水または薬液を基板Ｗの下面の
径方向の異なる位置に噴射できるようになっている。
【００３１】図１に示すように、上記カップ体１の上方
には、上部ノズル体３１が先端を上記回転体５に保持さ
れる基板Ｗに向けて配置されている。この上部ノズル体
３１には上部純水供給管３２と上部薬液供給管３３とが
接続されている。
には、上部ノズル体３１が先端を上記回転体５に保持さ
れる基板Ｗに向けて配置されている。この上部ノズル体
３１には上部純水供給管３２と上部薬液供給管３３とが
接続されている。
【００３２】図３に示すように、各供給管３２，３３に
は制御弁３４，３５が設けられている。上記純水供給管
３２は上記純水の供給源Ａに接続され、上記薬液供給管
３３は上記薬液の供給源Ｂに接続されている。それによ
って、下部薬液供給管２７ｂと、上記上部薬液供給管３
３には同じ種類の薬液が供給されるようになっている。
は制御弁３４，３５が設けられている。上記純水供給管
３２は上記純水の供給源Ａに接続され、上記薬液供給管
３３は上記薬液の供給源Ｂに接続されている。それによ
って、下部薬液供給管２７ｂと、上記上部薬液供給管３
３には同じ種類の薬液が供給されるようになっている。
【００３３】薬液がたとえばエッチング液などのような
場合、そのエッチング液は反応を促進するために所定温
度に加熱されて供給されるようになっている。エッチン
グ液の温度はその供給源に設けられたヒータによって制
御されるようになっている。
場合、そのエッチング液は反応を促進するために所定温
度に加熱されて供給されるようになっている。エッチン
グ液の温度はその供給源に設けられたヒータによって制
御されるようになっている。
【００３４】なお、図しないが、上部ノズル体３１は基
板Ｗの径方向に沿って揺動駆動されるアームに取付け、
このアームを揺動させながら薬液や純水を噴射するよう
にしてもよい。
板Ｗの径方向に沿って揺動駆動されるアームに取付け、
このアームを揺動させながら薬液や純水を噴射するよう
にしてもよい。
【００３５】下部薬液ノズル２５に薬液を供給する下部
薬液供給管２７ｂと、上部ノズル体３１に薬液を供給す
る上部薬液供給管３３とには、エッチング液が使用され
ていないときに、これら供給管２７ｂ，３３内に残留す
るエッチング液の温度低下を防止する加熱手段が設けら
れている。
薬液供給管２７ｂと、上部ノズル体３１に薬液を供給す
る上部薬液供給管３３とには、エッチング液が使用され
ていないときに、これら供給管２７ｂ，３３内に残留す
るエッチング液の温度低下を防止する加熱手段が設けら
れている。
【００３６】加熱手段としては、図４に示すように上記
各供給管２７ｂ，３３に巻きつけられるリボン状のヒー
タ３４が用いられる。このヒータ３４は薬液の供給源に
設けられたヒータとともに制御され、薬液全体の温度を
一定に維持するようになっている。なお、ヒータ３４は
供給管２７ｂ，３３のほぼ全長にわたって設けることが
好ましい。
各供給管２７ｂ，３３に巻きつけられるリボン状のヒー
タ３４が用いられる。このヒータ３４は薬液の供給源に
設けられたヒータとともに制御され、薬液全体の温度を
一定に維持するようになっている。なお、ヒータ３４は
供給管２７ｂ，３３のほぼ全長にわたって設けることが
好ましい。
【００３７】このような構成のスピン処理装置におい
て、基板Ｗは薬液によって処理された後、純水で洗浄処
理され、ついで回転体５を高速度で回転駆動することで
乾燥処理される。
て、基板Ｗは薬液によって処理された後、純水で洗浄処
理され、ついで回転体５を高速度で回転駆動することで
乾燥処理される。
【００３８】薬液、たとえばエッチング液によって基板
Ｗの上面をエッチング処理する場合、エッチング液は基
板Ｗの上面だけでなく、下面にも供給される。つまり、
エッチング液は上部薬液供給管３３を通じて上部ノズル
体３１から基板Ｗの上面に供給されるだけでなく、一対
の下部薬液ノズル２５から基板Ｗの下面にも供給され
る。
Ｗの上面をエッチング処理する場合、エッチング液は基
板Ｗの上面だけでなく、下面にも供給される。つまり、
エッチング液は上部薬液供給管３３を通じて上部ノズル
体３１から基板Ｗの上面に供給されるだけでなく、一対
の下部薬液ノズル２５から基板Ｗの下面にも供給され
る。
【００３９】それによって、基板Ｗの下面は上面とほぼ
同じ条件でエッチング液が付着した状態となるから、下
面にエッチング液を供給しない場合のように微量のエッ
チング液が基板Ｗの下面に回り込んでエッチング処理に
続く純水によるリンス処理を行う前に乾燥結晶化して落
ちにくい汚れになるということがなくなる。
同じ条件でエッチング液が付着した状態となるから、下
面にエッチング液を供給しない場合のように微量のエッ
チング液が基板Ｗの下面に回り込んでエッチング処理に
続く純水によるリンス処理を行う前に乾燥結晶化して落
ちにくい汚れになるということがなくなる。
【００４０】しかも、基板Ｗの上面と下面とに同じ種類
のエッチング液を供給していることで、これらエッチン
グ液が混合しても、エッチング液としての品質が低下す
ることがない。そのため、排出管１３から排出されるエ
ッチング液を回収して再使用することができる。
のエッチング液を供給していることで、これらエッチン
グ液が混合しても、エッチング液としての品質が低下す
ることがない。そのため、排出管１３から排出されるエ
ッチング液を回収して再使用することができる。
【００４１】基板Ｗの上面を、たとえばエッチング処理
する場合、エッチングの反応速度を高めるためにエッチ
ング液は所定温度に加熱されて用いられる。エッチング
液によるエッチング処理が終了したならば、純水による
リンス処理及び回転体５を高速回転させての乾燥処理が
順次行われ、基板Ｗの一連の処理が終了する。その後、
未処理の基板Ｗに同様の処理が繰り返される。
する場合、エッチングの反応速度を高めるためにエッチ
ング液は所定温度に加熱されて用いられる。エッチング
液によるエッチング処理が終了したならば、純水による
リンス処理及び回転体５を高速回転させての乾燥処理が
順次行われ、基板Ｗの一連の処理が終了する。その後、
未処理の基板Ｗに同様の処理が繰り返される。
【００４２】エッチング液を下部薬液ノズル体２５に供
給する下部薬液供給管２７ｂ及び上部ノズル体３１に供
給する上部薬液供給管３３にはヒータ３４が設けられ、
各供給管２７ｂ，３３に残留するエッチング液の温度が
低下するのを防止している。
給する下部薬液供給管２７ｂ及び上部ノズル体３１に供
給する上部薬液供給管３３にはヒータ３４が設けられ、
各供給管２７ｂ，３３に残留するエッチング液の温度が
低下するのを防止している。
【００４３】そのため、未処理の基板Ｗに対してエッチ
ング処理を行う場合、処理を開始すると同時に所定温度
に加熱されたエッチング液が供給されることになるか
ら、エッチング処理の能率の向上を図ることができる。
ング処理を行う場合、処理を開始すると同時に所定温度
に加熱されたエッチング液が供給されることになるか
ら、エッチング処理の能率の向上を図ることができる。
【００４４】しかも、基板Ｗには、所定温度に加熱され
たエッチング液が下面にも供給されるので、基板Ｗはエ
ッチング液によって上面と同様に下面も加熱されること
になる。その結果、基板Ｗの上面に供給されたエッチン
グ液の熱が下面側から放散されにくくなるから、基板Ｗ
の上面を所定の温度で効率よくエッチングすることが可
能となる。
たエッチング液が下面にも供給されるので、基板Ｗはエ
ッチング液によって上面と同様に下面も加熱されること
になる。その結果、基板Ｗの上面に供給されたエッチン
グ液の熱が下面側から放散されにくくなるから、基板Ｗ
の上面を所定の温度で効率よくエッチングすることが可
能となる。
【００４５】基板Ｗの下面側に設けられた各一対の下部
純水ノズル２４と下部薬液ノズル２５のうちの一方は、
基板Ｗの径方向中心部に向けて処理液を噴射し、他方は
周辺部に向けて処理液を噴射する。そのため、純水や薬
液などの処理液を基板Ｗの径方向全体、つまり下面全体
にわたってほぼ均一に分散させることができる。
純水ノズル２４と下部薬液ノズル２５のうちの一方は、
基板Ｗの径方向中心部に向けて処理液を噴射し、他方は
周辺部に向けて処理液を噴射する。そのため、純水や薬
液などの処理液を基板Ｗの径方向全体、つまり下面全体
にわたってほぼ均一に分散させることができる。
【００４６】この発明は上記一実施の形態に限定される
ものでない。たとえば、薬液としてはエッチング液に限
定されず、たとえばフッ酸などの他の薬液であってもよ
く、また供給管の処理液の温度低下を防止するために供
給管にヒータを巻き付けたが、それに代わり薬液の供給
を行わないときには薬液を供給管と供給源との間で循環
させることで、その温度低下を防止するようにしてもよ
い。
ものでない。たとえば、薬液としてはエッチング液に限
定されず、たとえばフッ酸などの他の薬液であってもよ
く、また供給管の処理液の温度低下を防止するために供
給管にヒータを巻き付けたが、それに代わり薬液の供給
を行わないときには薬液を供給管と供給源との間で循環
させることで、その温度低下を防止するようにしてもよ
い。
【００４７】さらに、供給ラインの処理液の加熱は、基
板の下面に処理液を供給するラインだけに行い、上面側
に処理液を供給するラインに対して行わなくとも、ある
程度の効果を期待することができる。
板の下面に処理液を供給するラインだけに行い、上面側
に処理液を供給するラインに対して行わなくとも、ある
程度の効果を期待することができる。
【００４８】
【発明の効果】請求項１と請求項５の発明によれば、基
板の下面に、上面に噴射される第１の処理液とほぼ同じ
温度に加熱された第２の処理液を噴射するようにした。
板の下面に、上面に噴射される第１の処理液とほぼ同じ
温度に加熱された第２の処理液を噴射するようにした。
【００４９】そのため、基板は上面側だけでなく下面側
からも加熱されるため、上面側の熱が下面側に逃げて上
面の温度が維持できなくなるということがないから、基
板の上面を所望する温度で処理することができる。
からも加熱されるため、上面側の熱が下面側に逃げて上
面の温度が維持できなくなるということがないから、基
板の上面を所望する温度で処理することができる。
【００５０】しかも、基板の下面に第２の処理液が噴射
されることで、基板の下面にはその第２の処理液が十分
に付着するから、従来のように基板の上面から下面に回
り込んだ処理液が次の純水によるリンス処理工程で下面
を洗浄するまでの短い時間の間に乾燥付着し、除去され
にくい汚れになるのを防止することができる。
されることで、基板の下面にはその第２の処理液が十分
に付着するから、従来のように基板の上面から下面に回
り込んだ処理液が次の純水によるリンス処理工程で下面
を洗浄するまでの短い時間の間に乾燥付着し、除去され
にくい汚れになるのを防止することができる。
【００５１】請求項２の発明によれば、基板の下面には
径方向の異なる複数の位置に第２の処理液を噴射するよ
うにした。
径方向の異なる複数の位置に第２の処理液を噴射するよ
うにした。
【００５２】そのため、基板の下面の全体に第２の処理
液をむらなく行き渡らせることができるから、第２の処
理液による基板の下面の処理を全面にわたって均一に行
うことができる。
液をむらなく行き渡らせることができるから、第２の処
理液による基板の下面の処理を全面にわたって均一に行
うことができる。
【００５３】請求項３の発明によれば、基板の下面に噴
射する処理液を、上面に噴射する処理液と同じ種類の薬
液とした。
射する処理液を、上面に噴射する処理液と同じ種類の薬
液とした。
【００５４】そのため、基板の上面と下面とに噴射され
る薬液が混合しても、薬液としての性能が低下すること
がないから、その薬液を回収して再使用することができ
る。
る薬液が混合しても、薬液としての性能が低下すること
がないから、その薬液を回収して再使用することができ
る。
【００５５】請求項４の発明によれば、処理液を供給す
る供給ラインにおける処理液の温度低下を防止できるよ
うにした。
る供給ラインにおける処理液の温度低下を防止できるよ
うにした。
【００５６】そのため、処理液を常時一定の温度で供給
することができるから、処理開始時における処理むらの
発生や処理能率の低下などを招くのを防止できる。
することができるから、処理開始時における処理むらの
発生や処理能率の低下などを招くのを防止できる。
【図１】この発明の一実施の形態を示すスピン処理装置
の概略的構成を示す断面図。
の概略的構成を示す断面図。
【図２】同じく回転体の平面図。
【図３】同じく処理液の供給系統図。
【図４】同じく供給管の一部を示す拡大図。
１…カップ体 ５…回転体 ２４…下部純水ノズル（第２のノズル体） ２５…下部薬液ノズル（第２のノズル体） ３１…上部ノズル体（第１のノズル体） ３４…ヒータ（加熱手段）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ａ ５Ｆ０４５ // Ｈ０１Ｌ 21/31 21/306 Ｒ Ｆターム(参考） 3B201 AA02 AB01 AB34 AB42 BB24 BB82 BB92 BB93 CC01 CC13 CD11 4D075 AC64 AC96 DA06 DB13 DB31 DC19 DC22 EA05 EB01 4F041 AA02 AA04 AA06 AB02 BA47 CA02 CA11 CC01 4F042 AA07 EB05 EB09 EB13 EB18 EB25 EB30 5F043 AA40 BB30 EE03 EE07 EE10 EE12 EE22 EE35 GG10 5F045 BB08 BB14 DP28 EB02 EB20 HA23
Claims (5)
- 【請求項１】 回転駆動される基板を処理液によって処
理するスピン処理装置において、 カップ体と、 カップ体内に設けられ上記基板を保持して回転駆動され
る回転体と、 この回転体に保持された基板の上面に所定温度に加熱さ
れた第１の処理液を噴射する第１のノズル体と、 上記基板の下面に上記第１の処理液とほぼ同じ温度に加
熱された第２の処理液を噴射する第２のノズル体とを具
備したことを特徴とするスピン処理装置。 - 【請求項２】 上記基板の下面には、その下面の径方向
の異なる位置に向けて上記第２の処理液を噴射する複数
の第２のノズル体が設けられていることを特徴とする請
求項１記載の処理装置。 - 【請求項３】 上記第１の処理液と第２の処理液とは同
じ種類の薬液であることを特徴とする請求項１記載のス
ピン処理装置。 - 【請求項４】 上記第１のノズル体と第２のノズル体と
に処理液を供給する供給ラインのうち、少なくとも第２
のノズル体に接続された供給ラインには、この供給ライ
ンの処理液の温度低下を防止する加熱手段が設けられて
いることを特徴とする請求項１記載のスピン処理装置。 - 【請求項５】 回転駆動される基板を処理液によって処
理するスピン処理方法において、 上記基板の上面を所定温度に加熱された第１の処理液で
処理するときに、上記基板の下面に上記第１の処理液と
ほぼ同じ温度に加熱された第２の処理液を噴射すること
を特徴とするスピン処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33470999A JP2001149843A (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | スピン処理装置及びその方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33470999A JP2001149843A (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | スピン処理装置及びその方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001149843A true JP2001149843A (ja) | 2001-06-05 |
Family
ID=18280349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33470999A Pending JP2001149843A (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | スピン処理装置及びその方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001149843A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003007664A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-01-10 | Ses Co Ltd | 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置 |
| JP2007103956A (ja) * | 2006-11-06 | 2007-04-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| JP2010192875A (ja) * | 2009-01-22 | 2010-09-02 | Tokyo Electron Ltd | 薬液処理装置および薬液処理方法 |
| US7862680B2 (en) | 2001-08-02 | 2011-01-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
| JP2012033961A (ja) * | 2007-09-19 | 2012-02-16 | Semes Co Ltd | 基板加工装置 |
| KR20140113450A (ko) * | 2013-03-15 | 2014-09-24 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP2014179490A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US20180261471A1 (en) * | 2013-02-14 | 2018-09-13 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
-
1999
- 1999-11-25 JP JP33470999A patent/JP2001149843A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003007664A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-01-10 | Ses Co Ltd | 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置 |
| US7862680B2 (en) | 2001-08-02 | 2011-01-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
| JP2007103956A (ja) * | 2006-11-06 | 2007-04-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| JP2012033961A (ja) * | 2007-09-19 | 2012-02-16 | Semes Co Ltd | 基板加工装置 |
| JP2010192875A (ja) * | 2009-01-22 | 2010-09-02 | Tokyo Electron Ltd | 薬液処理装置および薬液処理方法 |
| US8398817B2 (en) | 2009-01-22 | 2013-03-19 | Tokyo Electron Limited | Chemical-liquid processing apparatus and chemical-liquid processing method |
| KR101371118B1 (ko) * | 2009-01-22 | 2014-03-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 약액 처리 장치 및 약액 처리 방법 |
| US20180261471A1 (en) * | 2013-02-14 | 2018-09-13 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| KR20140113450A (ko) * | 2013-03-15 | 2014-09-24 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP2014179490A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| KR102120498B1 (ko) * | 2013-03-15 | 2020-06-08 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
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