JP2001068443A - スピン処理方法 - Google Patents
スピン処理方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は半導体ウエハの処理を効率よく行
うことができるようにしたスピン処理方法を提供するこ
とにある。 【解決手段】 半導体ウエハ２２を回転駆動される回転
体１１に保持して処理するスピン処理方法において、上
記半導体ウエハの表面と裏面とを同時に処理することを
特徴とする。
うことができるようにしたスピン処理方法を提供するこ
とにある。 【解決手段】 半導体ウエハ２２を回転駆動される回転
体１１に保持して処理するスピン処理方法において、上
記半導体ウエハの表面と裏面とを同時に処理することを
特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は基板の回路パター
ンが形成される表面と裏面とを処理するスピン処理方法
に関する。
ンが形成される表面と裏面とを処理するスピン処理方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、基板としての半導体ウエハの
エピタキシャル膜製造工程においては、半導体ウエハの
回路パターンが形成される表面にＣＶＤによって成膜す
ると、裏面にも成膜されてしまうということがあるた
め、裏面に形成されたＣＶＤによる薄膜を除去するとい
うことが行われる。
エピタキシャル膜製造工程においては、半導体ウエハの
回路パターンが形成される表面にＣＶＤによって成膜す
ると、裏面にも成膜されてしまうということがあるた
め、裏面に形成されたＣＶＤによる薄膜を除去するとい
うことが行われる。
【０００３】半導体ウエハの裏面に形成された薄膜を除
去するためには１５％以上の濃度に調合されたフッ酸
を、回転される上記半導体ウエハに向けて噴射するとい
うことが行われる。
去するためには１５％以上の濃度に調合されたフッ酸
を、回転される上記半導体ウエハに向けて噴射するとい
うことが行われる。
【０００４】その場合、半導体ウエハの表面はフッ酸処
理を行うことができない。そのため、半導体ウエハの裏
面の薄膜を除去するために、専用のフッ酸処理工程を設
けなければならないため、生産性の低下を招く一因とな
っていた。
理を行うことができない。そのため、半導体ウエハの裏
面の薄膜を除去するために、専用のフッ酸処理工程を設
けなければならないため、生産性の低下を招く一因とな
っていた。
【０００５】一方、半導体ウエハに回路パターンを形成
する場合、半導体ウエハに対してフォトリソグラフィ処
理と洗浄処理とが繰り返し行われる。洗浄処理において
は半導体ウエハの表面だけでなく、裏面も洗浄処理する
ことが要求されるようになってきた。
する場合、半導体ウエハに対してフォトリソグラフィ処
理と洗浄処理とが繰り返し行われる。洗浄処理において
は半導体ウエハの表面だけでなく、裏面も洗浄処理する
ことが要求されるようになってきた。
【０００６】洗浄処理に際しては、半導体ウエハの裏面
を純水やオゾン水などで洗浄した後、窒素などの気体を
噴射して乾燥処理するということが行われる。従来、乾
燥処理は半導体ウエハの裏面の洗浄処理が終了してから
気体を噴射することで行うようにしていた。
を純水やオゾン水などで洗浄した後、窒素などの気体を
噴射して乾燥処理するということが行われる。従来、乾
燥処理は半導体ウエハの裏面の洗浄処理が終了してから
気体を噴射することで行うようにしていた。
【０００７】しかしながら、その場合、気体の噴射を開
始すると、半導体ウエハの裏面側に配置されたノズル体
の近傍の気流や圧力が洗浄処理時に比べて急激に変化す
るため、上記ノズル体やその近傍に付着残留した処理液
が舞い上がり、乾燥途中の半導体ウエハの裏面に付着
し、汚染の原因になるということがあった。
始すると、半導体ウエハの裏面側に配置されたノズル体
の近傍の気流や圧力が洗浄処理時に比べて急激に変化す
るため、上記ノズル体やその近傍に付着残留した処理液
が舞い上がり、乾燥途中の半導体ウエハの裏面に付着
し、汚染の原因になるということがあった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来は基
板としての半導体ウエハの裏面の処理、たとえば裏面に
付着した薄膜の除去などの処理を表面の処理とは別工程
で行っていたので、その処理工程によって生産性の低下
を招くということがあった。
板としての半導体ウエハの裏面の処理、たとえば裏面に
付着した薄膜の除去などの処理を表面の処理とは別工程
で行っていたので、その処理工程によって生産性の低下
を招くということがあった。
【０００９】また、基板の裏面を洗浄してから乾燥処理
する場合、洗浄後に乾燥用の気体を噴射すると、残留す
る洗浄液が気体によって舞い上がるため、その洗浄液が
基板の裏面に付着して汚染の原因になるということがあ
った。
する場合、洗浄後に乾燥用の気体を噴射すると、残留す
る洗浄液が気体によって舞い上がるため、その洗浄液が
基板の裏面に付着して汚染の原因になるということがあ
った。
【００１０】この発明は、基板の表面と裏面とを同時に
処理するようにすることで、生産性の向上を図るように
したスピン処理方法を提供することにある。
処理するようにすることで、生産性の向上を図るように
したスピン処理方法を提供することにある。
【００１１】この発明は、基板の裏面を洗浄してから乾
燥処理する場合、洗浄処理時から乾燥処理用の気体を噴
射しておくことで、乾燥処理時に洗浄液が舞い上がらな
いようにしたスピン処理方法を提供することにある。
燥処理する場合、洗浄処理時から乾燥処理用の気体を噴
射しておくことで、乾燥処理時に洗浄液が舞い上がらな
いようにしたスピン処理方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
を回転駆動される回転体に保持して処理するスピン処理
方法において、上記基板の表面と裏面とを同時に処理す
ることを特徴とするスピン処理方法にある。
を回転駆動される回転体に保持して処理するスピン処理
方法において、上記基板の表面と裏面とを同時に処理す
ることを特徴とするスピン処理方法にある。
【００１３】請求項２の発明は、上記基板の表面と裏面
とに異なる種類の処理液を噴射することを特徴とする請
求項１記載のスピン処理方法にある。
とに異なる種類の処理液を噴射することを特徴とする請
求項１記載のスピン処理方法にある。
【００１４】請求項３の発明は、上記基板の表面には純
水またはオゾン水を噴射し、裏面にはフッ酸を噴射する
ことを特徴とする請求項１記載のスピン処理方法にあ
る。
水またはオゾン水を噴射し、裏面にはフッ酸を噴射する
ことを特徴とする請求項１記載のスピン処理方法にあ
る。
【００１５】請求項４の発明は、基板を回転駆動される
回転体に保持し、その裏面を洗浄及び乾燥処理するスピ
ン処理方法において、上記基板の裏面に洗浄液とともに
気体を噴射し、洗浄液の噴射を終了した後、上記気体の
噴射を所定時間継続することを特徴とする請求項１記載
のスピン処理方法にある。
回転体に保持し、その裏面を洗浄及び乾燥処理するスピ
ン処理方法において、上記基板の裏面に洗浄液とともに
気体を噴射し、洗浄液の噴射を終了した後、上記気体の
噴射を所定時間継続することを特徴とする請求項１記載
のスピン処理方法にある。
【００１６】請求項５の発明は、上記基板の裏面には、
上記気体を上記基板の径方向中心部分と径方向中心部分
から外れた位置とに噴射することを特徴とする請求項４
記載のスピン処理方法にある。
上記気体を上記基板の径方向中心部分と径方向中心部分
から外れた位置とに噴射することを特徴とする請求項４
記載のスピン処理方法にある。
【００１７】請求項１の発明によれば、基板の表面と裏
面とを同時に処理することで、処理能率の向上を図るこ
とができる。
面とを同時に処理することで、処理能率の向上を図るこ
とができる。
【００１８】請求項２と請求項３の発明によれば、基板
の表面と裏面とに異なる種類の処理液によって異なる処
理を行うことができる。
の表面と裏面とに異なる種類の処理液によって異なる処
理を行うことができる。
【００１９】請求項４の発明によれば、基板の裏面を洗
浄してから乾燥処理する場合、洗浄処理時から乾燥処理
用の気体を噴射しておくことで、乾燥処理時に余計な洗
浄液が基板に付着するのを防止することができる。
浄してから乾燥処理する場合、洗浄処理時から乾燥処理
用の気体を噴射しておくことで、乾燥処理時に余計な洗
浄液が基板に付着するのを防止することができる。
【００２０】請求項５の発明によれば、基板の裏面の径
方向中心部分と、周辺部分とに気体を噴射するようにし
たことで、基板の裏面全体にわたって気体を確実に作用
させることができる。
方向中心部分と、周辺部分とに気体を噴射するようにし
たことで、基板の裏面全体にわたって気体を確実に作用
させることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施の形態を
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００２２】図１はスピン処理装置を示し、このスピン
処理装置はカップ体１を備えている。このカップ体１は
下カップ１ａと、上カップ１ｂとからなり、上カップ１
ｂは上記下カップ１ａに対して上下方向にスライド自在
となっている。上カップ１ｂの周壁は径方向内方に向か
って傾斜している。
処理装置はカップ体１を備えている。このカップ体１は
下カップ１ａと、上カップ１ｂとからなり、上カップ１
ｂは上記下カップ１ａに対して上下方向にスライド自在
となっている。上カップ１ｂの周壁は径方向内方に向か
って傾斜している。
【００２３】上記下カップ１ａの底部には、周辺部に複
数の排出管２の一端が接続され、中心部には周辺部がフ
ランジ３によって囲まれた挿通孔４が形成されている。
この挿通孔４には支持軸５が挿通されている。支持軸５
の上部は上記カップ体１の内部に突出し、下端部はカッ
プ体１の下方に配置されたベ−ス板６に固定されてい
る。
数の排出管２の一端が接続され、中心部には周辺部がフ
ランジ３によって囲まれた挿通孔４が形成されている。
この挿通孔４には支持軸５が挿通されている。支持軸５
の上部は上記カップ体１の内部に突出し、下端部はカッ
プ体１の下方に配置されたベ−ス板６に固定されてい
る。
【００２４】上記支持軸５には回転体１１が回転自在に
支持されている。この回転体１１は中心部に通孔１２ａ
が穿設された回転盤１２を有する。この回転盤１２の下
面の中心部分には上記通孔１２ａと対応して筒状の駆動
軸１３が垂設されている。この駆動軸１３は上記支持軸
５に外嵌され、上部と下部とがそれぞれ軸受１４によっ
て回転自在に支持されている。
支持されている。この回転体１１は中心部に通孔１２ａ
が穿設された回転盤１２を有する。この回転盤１２の下
面の中心部分には上記通孔１２ａと対応して筒状の駆動
軸１３が垂設されている。この駆動軸１３は上記支持軸
５に外嵌され、上部と下部とがそれぞれ軸受１４によっ
て回転自在に支持されている。
【００２５】上記駆動軸１３の下端部には従動プ−リ１
５が設けられ、上記ベ−ス板６にはモ−タ１６が設けら
れている。このモ−タ１６の回転軸１６ａには駆動プ−
リ１７が嵌着されている。この駆動プ−リ１７と上記従
動プ−リ１５とにはベルト１８が張設されている。した
がって、上記モ−タ１６が作動すれば、上記駆動軸１
３、つまり回転体１１が回転駆動されるようになってい
る。
５が設けられ、上記ベ−ス板６にはモ−タ１６が設けら
れている。このモ−タ１６の回転軸１６ａには駆動プ−
リ１７が嵌着されている。この駆動プ−リ１７と上記従
動プ−リ１５とにはベルト１８が張設されている。した
がって、上記モ−タ１６が作動すれば、上記駆動軸１
３、つまり回転体１１が回転駆動されるようになってい
る。
【００２６】上記回転体１１の回転盤１２の上面には周
方向に９０度間隔で４本のチャック軸１９が立設されて
いる。各チャック軸１９の上端には支持ピン１９ａと、
この支持ピン１９ａの径方向外側に支持ピン１９ａより
も背の高い係合ピン１９ｂとが設けられている。
方向に９０度間隔で４本のチャック軸１９が立設されて
いる。各チャック軸１９の上端には支持ピン１９ａと、
この支持ピン１９ａの径方向外側に支持ピン１９ａより
も背の高い係合ピン１９ｂとが設けられている。
【００２７】上記４本のチャック軸１９には、基板とし
ての半導体ウエハ２２が周辺部の下面を上記支持ピン１
９ａに支持させ、周辺部を上記係合ピン１９ｂに係合さ
せて保持される。それによって、半導体ウエハ２２は上
記回転体１１と一体的に回転するようになっている。
ての半導体ウエハ２２が周辺部の下面を上記支持ピン１
９ａに支持させ、周辺部を上記係合ピン１９ｂに係合さ
せて保持される。それによって、半導体ウエハ２２は上
記回転体１１と一体的に回転するようになっている。
【００２８】上記回転体１１に保持される半導体ウエハ
２２の上方には上部ノズル体２５が図示せぬ駆動機構に
よって上記半導体ウエハ２２の径方向に沿って駆動可能
に配設されている。この上部ノズル体２５には第１の処
理液Ｌ１が供給されるようになっている。それによっ
て、第１の処理液Ｌ１は上記半導体ウエハ２２の上面に
噴射されることになる。
２２の上方には上部ノズル体２５が図示せぬ駆動機構に
よって上記半導体ウエハ２２の径方向に沿って駆動可能
に配設されている。この上部ノズル体２５には第１の処
理液Ｌ１が供給されるようになっている。それによっ
て、第１の処理液Ｌ１は上記半導体ウエハ２２の上面に
噴射されることになる。
【００２９】上記支持軸５の上端には支持軸５よりも大
径で、円錐形状をなした下部ノズル体を形成する頭部５
ａが設けられている。この支持軸５には上端が上記頭部
５ａに開口した洗浄液供給路３１と、ガス供給路３２と
が軸方向に沿って穿設され、上記頭部５ａに開口してい
る。
径で、円錐形状をなした下部ノズル体を形成する頭部５
ａが設けられている。この支持軸５には上端が上記頭部
５ａに開口した洗浄液供給路３１と、ガス供給路３２と
が軸方向に沿って穿設され、上記頭部５ａに開口してい
る。
【００３０】上記洗浄液供給路３１からは上記半導体ウ
エハ２２の下面に向けて第２の処理液Ｌ２が噴射される
ようになっている。上記ガス供給路３２の先端開口には
ノズル管体３３が嵌着されている。
エハ２２の下面に向けて第２の処理液Ｌ２が噴射される
ようになっている。上記ガス供給路３２の先端開口には
ノズル管体３３が嵌着されている。
【００３１】上記ノズル管体３３には、図２に示すよう
に第１の噴射孔３４ａと第２の噴射孔３４ｂとが異なる
角度で形成されている。第１の噴射孔３４ａからは矢印
Ａで示すように半導体ウエハ２２の下面の中心部分に向
けて窒素などの乾燥用の気体が噴射され、第２の噴射孔
３４ｂからは矢印Ｂで示すように半導体ウエハ２２の中
心部分から径方向外方にずれた位置に向けて気体Ｇが噴
射されるようになっている。
に第１の噴射孔３４ａと第２の噴射孔３４ｂとが異なる
角度で形成されている。第１の噴射孔３４ａからは矢印
Ａで示すように半導体ウエハ２２の下面の中心部分に向
けて窒素などの乾燥用の気体が噴射され、第２の噴射孔
３４ｂからは矢印Ｂで示すように半導体ウエハ２２の中
心部分から径方向外方にずれた位置に向けて気体Ｇが噴
射されるようになっている。
【００３２】次に、上記構成のスピン処理装置によって
半導体ウエハ２を処理する場合について説明する。
半導体ウエハ２を処理する場合について説明する。
【００３３】半導体ウエハ２２のエピタキシャル膜製造
工程において、半導体ウエハ２２の表面にＣＶＤによっ
て成膜することで、裏面に形成されたＣＶＤによる薄膜
を除去する場合には、洗浄液供給路３１に第２の処理液
Ｌ２として１５％以上の濃度で調合されたフッ酸を供給
し、上部ノズル体２５には第１の処理液Ｌ１としてオゾ
ン水もしくは純水を供給する。それと同時にモータ１６
を作動させて半導体ウエハ２２を保持した回転体１１を
回転駆動する。
工程において、半導体ウエハ２２の表面にＣＶＤによっ
て成膜することで、裏面に形成されたＣＶＤによる薄膜
を除去する場合には、洗浄液供給路３１に第２の処理液
Ｌ２として１５％以上の濃度で調合されたフッ酸を供給
し、上部ノズル体２５には第１の処理液Ｌ１としてオゾ
ン水もしくは純水を供給する。それと同時にモータ１６
を作動させて半導体ウエハ２２を保持した回転体１１を
回転駆動する。
【００３４】洗浄液供給路３１から半導体ウエハ２２の
下面に噴射されたフッ酸は、この半導体ウエハ２２の下
面に形成された薄膜を分解除去することになり、それと
同時に上部ノズル体２５から半導体ウエハ２２の上面に
噴射されたオゾン水もしくは純水は半導体ウエハ２の上
面を洗浄することになる。
下面に噴射されたフッ酸は、この半導体ウエハ２２の下
面に形成された薄膜を分解除去することになり、それと
同時に上部ノズル体２５から半導体ウエハ２２の上面に
噴射されたオゾン水もしくは純水は半導体ウエハ２の上
面を洗浄することになる。
【００３５】つまり、半導体ウエハ２２の裏面に形成さ
れた薄膜をフッ酸によって除去する場合、フッ酸による
処理を行うことができない表面は純水などによって洗浄
処理するようにした。そのため、半導体ウエハ２２の裏
面の薄膜処理と同時に表面の洗浄処理も行うことができ
るから、裏面の薄膜処理のために専用の工程を設けずに
すむため、生産性の向上を図ることができる。
れた薄膜をフッ酸によって除去する場合、フッ酸による
処理を行うことができない表面は純水などによって洗浄
処理するようにした。そのため、半導体ウエハ２２の裏
面の薄膜処理と同時に表面の洗浄処理も行うことができ
るから、裏面の薄膜処理のために専用の工程を設けずに
すむため、生産性の向上を図ることができる。
【００３６】半導体ウエハ２２の拡散工程の前洗浄で
は、半導体ウエハ２２の表面あるいはその表面に形成さ
れた膜表面の自然酸化膜の除去と、半導体ウエハ２の表
裏面の清浄化を目的とした前洗浄とがある。
は、半導体ウエハ２２の表面あるいはその表面に形成さ
れた膜表面の自然酸化膜の除去と、半導体ウエハ２の表
裏面の清浄化を目的とした前洗浄とがある。
【００３７】自然酸化膜を除去するためには、濃度１％
以下に希釈された希フッ酸を用いるが、自然酸化膜が除
去された半導体ウエハ２２の面あるいは膜面は異物を付
着させ易い特性となる。
以下に希釈された希フッ酸を用いるが、自然酸化膜が除
去された半導体ウエハ２２の面あるいは膜面は異物を付
着させ易い特性となる。
【００３８】そこで、自然酸化膜を除去する必要のない
半導体ウエハ２の裏面には洗浄液供給路３１から第２の
処理液Ｌ２として純水などの洗浄液を供給し、表面に対
しては上部ノズル体２５から第１の処理液Ｌ１としての
液希フッ酸を噴射する。それによって、半導体ウエハ２
２は、自然酸化膜が除去された表面と、清浄度の劣化し
ない裏面を得ることができる。つまり、半導体ウエハ２
２は表裏両面に必要な処理を同時に行うことができる。
半導体ウエハ２の裏面には洗浄液供給路３１から第２の
処理液Ｌ２として純水などの洗浄液を供給し、表面に対
しては上部ノズル体２５から第１の処理液Ｌ１としての
液希フッ酸を噴射する。それによって、半導体ウエハ２
２は、自然酸化膜が除去された表面と、清浄度の劣化し
ない裏面を得ることができる。つまり、半導体ウエハ２
２は表裏両面に必要な処理を同時に行うことができる。
【００３９】一方、半導体ウエハ２２は、その裏面を洗
浄（リンスを含む）してから乾燥処理するということが
行われる。その場合、図３に示すタイムチャートに基づ
いて半導体ウエハ２２の裏面の洗浄と乾燥とが行われ
る。
浄（リンスを含む）してから乾燥処理するということが
行われる。その場合、図３に示すタイムチャートに基づ
いて半導体ウエハ２２の裏面の洗浄と乾燥とが行われ
る。
【００４０】すなわち、時間Ｔ１では、回転体１１を低
速度で回転し、半導体ウエハ２２の裏面に洗浄液供給路
３１から純水を噴射すると同時に、ガス供給路３２から
窒素などの気体を噴射する。
速度で回転し、半導体ウエハ２２の裏面に洗浄液供給路
３１から純水を噴射すると同時に、ガス供給路３２から
窒素などの気体を噴射する。
【００４１】時間Ｔ２では、純水による半導体ウエハ２
２の裏面の洗浄を終了し、気体の噴射は継続した状態で
純水の供給を停止するとともに、回転体１１を高速回転
する。それによって、半導体ウエハ２２の裏面に付着し
た純水は遠心力によって径方向外方へ飛散するととも
に、半導体ウエハ２の下面に噴射される気体によって乾
燥処理されることになる。そして、時間Ｔ３で乾燥処理
を終了し、気体の噴射を止めるとともに、回転体１１を
停止する。
２の裏面の洗浄を終了し、気体の噴射は継続した状態で
純水の供給を停止するとともに、回転体１１を高速回転
する。それによって、半導体ウエハ２２の裏面に付着し
た純水は遠心力によって径方向外方へ飛散するととも
に、半導体ウエハ２の下面に噴射される気体によって乾
燥処理されることになる。そして、時間Ｔ３で乾燥処理
を終了し、気体の噴射を止めるとともに、回転体１１を
停止する。
【００４２】このような乾燥処理によれば、純水による
洗浄処理時から乾燥用の気体を噴射させるようにしてい
る。そのため、洗浄用の純水がガス供給路３２から噴射
される気体の流れや圧力の影響を受ける範囲に残留する
のを防止できる。たとえば洗浄液がガス供給路３２内に
浸入して溜まったり、支持軸５の頭部５ａの上記ガス供
給路３２の周辺部分などに付着残留するのを防止でき
る。
洗浄処理時から乾燥用の気体を噴射させるようにしてい
る。そのため、洗浄用の純水がガス供給路３２から噴射
される気体の流れや圧力の影響を受ける範囲に残留する
のを防止できる。たとえば洗浄液がガス供給路３２内に
浸入して溜まったり、支持軸５の頭部５ａの上記ガス供
給路３２の周辺部分などに付着残留するのを防止でき
る。
【００４３】その結果、半導体ウエハ２２の裏面の洗浄
が終わって乾燥処理する場合に、気体の流れや圧力によ
って支持軸５の頭部５ａなどから純水が舞い上がるとい
うことがなくなるから、乾燥処理時に半導体ウエハ２の
裏面を汚染するのを防止できる。
が終わって乾燥処理する場合に、気体の流れや圧力によ
って支持軸５の頭部５ａなどから純水が舞い上がるとい
うことがなくなるから、乾燥処理時に半導体ウエハ２の
裏面を汚染するのを防止できる。
【００４４】半導体ウエハ２２の裏面を乾燥処理する気
体はガス供給路３２に設けられたノズル管体３３の第１
の噴射孔３４ａと第２の噴射孔３４ｂとから噴射され
る。第１の噴射孔３４ａからは気体が半導体ウエハ２２
の径方向中心部分に向けて噴射され、第２の噴射孔３４
ｂからは中心部分から外れた位置に向けて噴射される。
体はガス供給路３２に設けられたノズル管体３３の第１
の噴射孔３４ａと第２の噴射孔３４ｂとから噴射され
る。第１の噴射孔３４ａからは気体が半導体ウエハ２２
の径方向中心部分に向けて噴射され、第２の噴射孔３４
ｂからは中心部分から外れた位置に向けて噴射される。
【００４５】半導体ウエハ２２の裏面の径方向中心部分
だけに気体を噴射するようにしたのでは、その気体が半
導体ウエハ２２の下面の径方向外方に向かって流れるに
つれて勢いが弱まり、周辺部分ではほとんど勢いがなく
なるため、乾燥不良が発生する虞がある。
だけに気体を噴射するようにしたのでは、その気体が半
導体ウエハ２２の下面の径方向外方に向かって流れるに
つれて勢いが弱まり、周辺部分ではほとんど勢いがなく
なるため、乾燥不良が発生する虞がある。
【００４６】それに対して、この発明では半導体ウエハ
２２の裏面の中心部分だけでなく、中心部分からずれた
位置にも気体を噴射するようにしたことで、半導体ウエ
ハ２２の径方向周辺部分にも気体を十分な勢いで流すこ
とができる。それによって、半導体ウエハ２２の裏面を
全体にわたって確実に乾燥処理することが可能となる。
２２の裏面の中心部分だけでなく、中心部分からずれた
位置にも気体を噴射するようにしたことで、半導体ウエ
ハ２２の径方向周辺部分にも気体を十分な勢いで流すこ
とができる。それによって、半導体ウエハ２２の裏面を
全体にわたって確実に乾燥処理することが可能となる。
【００４７】この発明は上記一実施の形態に限定され
ず、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形可能であ
る。たとえば、半導体ウエハの表面に噴射する第１の処
理液と、裏面に噴射する第２の処理液の種類は限定され
るものでなく、半導体ウエハに行う種々の処理に応じた
種類の処理液であればよい。
ず、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形可能であ
る。たとえば、半導体ウエハの表面に噴射する第１の処
理液と、裏面に噴射する第２の処理液の種類は限定され
るものでなく、半導体ウエハに行う種々の処理に応じた
種類の処理液であればよい。
【００４８】また、基板としては半導体ウエハに限られ
ず、液晶表示装置用のガラス基板などであってもよいこ
と勿論である。
ず、液晶表示装置用のガラス基板などであってもよいこ
と勿論である。
【００４９】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、基板の表面と
裏面とを同時に処理するようにした。
裏面とを同時に処理するようにした。
【００５０】そのため、処理能率の向上を図ることがで
きる。
きる。
【００５１】請求項２と請求項３の発明によれば、基板
の表面と裏面とに異なる種類の処理液を噴射するように
した。
の表面と裏面とに異なる種類の処理液を噴射するように
した。
【００５２】そのため、基板の表面と裏面とに異なる処
理を同時に行うことができる。
理を同時に行うことができる。
【００５３】請求項４の発明によれば、基板の裏面を洗
浄してから乾燥処理する場合、洗浄処理時から乾燥処理
用の気体を噴射しておくようにした。
浄してから乾燥処理する場合、洗浄処理時から乾燥処理
用の気体を噴射しておくようにした。
【００５４】そのため、乾燥処理時に余計な洗浄液が舞
い上がって基板に付着する防止できるから、乾燥処理時
に基板を洗浄処理時の洗浄液によって汚染するのをなく
すことができる。
い上がって基板に付着する防止できるから、乾燥処理時
に基板を洗浄処理時の洗浄液によって汚染するのをなく
すことができる。
【００５５】請求項５の発明によれば、基板の裏面の径
方向中心部分と、周辺部分とに気体を噴射するようにし
た。
方向中心部分と、周辺部分とに気体を噴射するようにし
た。
【００５６】そのため、基板の裏面全体にわたって気体
を確実に作用させることができるから、基板の裏面全体
を確実に乾燥処理することができる。
を確実に作用させることができるから、基板の裏面全体
を確実に乾燥処理することができる。
【図１】この発明の一実施の形態を示すスピン処理装置
の断面図。
の断面図。
【図２】同じく乾燥処理時に半導体ウエハの裏面に気体
を噴射する状態を示した説明図。
を噴射する状態を示した説明図。
【図３】同じく半導体ウエハの裏面の洗浄と乾燥とを行
う場合のタイムチャート。
う場合のタイムチャート。
【符号の説明】 １１…回転体 ２２…半導体ウエハ（基板） ２５…上部ノズル体 ３１…洗浄液供給路 ３２…ガス供給路
Claims (5)
- 【請求項１】 基板を回転駆動される回転体に保持して
処理するスピン処理方法において、 上記基板の表面と裏面とを同時に処理することを特徴と
するスピン処理方法。 - 【請求項２】 上記基板の表面と裏面とに異なる種類の
処理液を噴射することを特徴とする請求項１記載のスピ
ン処理方法。 - 【請求項３】 上記基板の表面には純水またはオゾン水
を噴射し、裏面にはフッ酸を噴射することを特徴とする
請求項１記載のスピン処理方法。 - 【請求項４】 基板を回転駆動される回転体に保持し、
その裏面を洗浄及び乾燥処理するスピン処理方法におい
て、 上記基板の裏面に洗浄液とともに気体を噴射し、洗浄液
の噴射を終了した後、上記気体の噴射を所定時間継続す
ることを特徴とする請求項１記載のスピン処理方法。 - 【請求項５】 上記基板の裏面には、上記気体を上記基
板の径方向中心部分と径方向中心部分から外れた位置と
に噴射することを特徴とする請求項４記載のスピン処理
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23849499A JP2001068443A (ja) | 1999-08-25 | 1999-08-25 | スピン処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23849499A JP2001068443A (ja) | 1999-08-25 | 1999-08-25 | スピン処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001068443A true JP2001068443A (ja) | 2001-03-16 |
Family
ID=17031094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23849499A Pending JP2001068443A (ja) | 1999-08-25 | 1999-08-25 | スピン処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001068443A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003022997A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Shibaura Mechatronics Corp | スピン処理装置及び処理方法 |
| JP2007324249A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法 |
| US20100200547A1 (en) * | 2009-02-12 | 2010-08-12 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
| JP2014154858A (ja) * | 2013-02-14 | 2014-08-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2014241326A (ja) * | 2013-06-11 | 2014-12-25 | 株式会社ディスコ | スピンナーユニット及び研削洗浄方法 |
| US9997382B2 (en) | 2013-02-14 | 2018-06-12 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
-
1999
- 1999-08-25 JP JP23849499A patent/JP2001068443A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003022997A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Shibaura Mechatronics Corp | スピン処理装置及び処理方法 |
| JP2007324249A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法 |
| US20100200547A1 (en) * | 2009-02-12 | 2010-08-12 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
| JP2010186859A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
| KR101325899B1 (ko) | 2009-02-12 | 2013-11-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액처리 장치 및 액처리 방법 |
| US8696863B2 (en) | 2009-02-12 | 2014-04-15 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
| JP2014154858A (ja) * | 2013-02-14 | 2014-08-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| US9997382B2 (en) | 2013-02-14 | 2018-06-12 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US10755951B2 (en) | 2013-02-14 | 2020-08-25 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2014241326A (ja) * | 2013-06-11 | 2014-12-25 | 株式会社ディスコ | スピンナーユニット及び研削洗浄方法 |
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