JP2010186859A - 液処理装置および液処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板であるウエハを裏面を下側にして水平にした状態で回転させながらウエハ裏面に処理液を供給して液処理を行う液処理装置は、ウエハWの下方に非回転状態で、その上面に、処理液を吐出する処理液吐出ノズル20および乾燥ガスを吐出するガス吐出ノズル21を有するノズル部材5が設けられ、処理液吐出ノズル20は基板に向けて処理液を吐出する処理液吐出口20aを有し、ガス吐出ノズル21は、ウエハWに向けて乾燥ガスを吐出する第1のガス吐出口21aと、ノズル部材5の上面に沿って乾燥ガスを放射状に吐出する複数の第2のガス吐出口21bとを有する。
【選択図】 図2
Description
図1は本発明の一実施形態に係る液処理装置の概略構成を示す断面図である。ここでは、基板として半導体ウエハ(以下単にウエハと記す)を用い、その裏面に対して洗浄処理を施す場合について説明する。
図5〜図12はこのような洗浄処理する際の動作を説明するための図である。
2;ベースプレート
3;スピンチャック
4;回転機構
5;ノズル部材
6;処理液供給機構
7;ガス供給機構
8;排液カップ
9;高温IPA供給機構
10;制御部
11;回転プレート
12;回転軸
13;ガイドリング
13a;支持ピン
14;モータ
18;通流部
18a;処理液通流路
18b;ガス通流路
19;ヘッド部
19a;ウエハ支持ピン
20;処理液吐出ノズル
20a;処理液吐出口
21;ガス吐出ノズル
21a;第1のガス吐出口
21b;第2のガス吐出口
23;シリンダ機構
24;処理液配管
25;薬液タンク
27;純水配管
28;純水供給源
32;排液配管
33;高温IPA吐出ノズル
34;高温IPA供給配管
35;高温IPAタンク
41;コントローラ
42;ユーザーインターフェース
43;記憶部
W;半導体ウエハ(基板)
Claims (6)
- 基板に処理液を供給して液処理を施す液処理装置であって、
基板を水平にした状態で回転可能に保持する基板保持機構と、
前記基板保持機構を回転させる回転機構と、
基板の下方に非回転状態で設けられ、その上面に、処理液を吐出する処理液吐出ノズルおよび乾燥ガスを吐出するガス吐出ノズルを有するノズル部材と、
前記処理液吐出ノズルへ処理液を供給する処理液供給機構と、
前記ガス吐出ノズルへ乾燥ガスを供給するガス供給機構と
を具備し、
前記処理液吐出ノズルは基板に向けて処理液を吐出する処理液吐出口を有し、
前記ガス吐出ノズルは、基板に向けて乾燥ガスを吐出する第1のガス吐出口と、前記ノズル部材の上面に沿って乾燥ガスを放射状に吐出する複数の第2のガス吐出口とを有することを特徴とする液処理装置。 - 前記回転機構は、前記保持機構を鉛直に延びる中空の回転軸を介して回転させ、前記ノズル部材は、前記処理液吐出ノズルおよびガス吐出ノズルを有するヘッド部と、前記回転軸の中に鉛直に延びるように設けられ、下方から前記処理液吐出ノズルおよびガス吐出ノズルにそれぞれ処理液および乾燥ガスを供給するための処理液通流路およびガス通流路を有する通流部とを有することを特徴とする請求項1に記載の液処理装置。
- 前記ノズル部材を昇降させる昇降機構をさらに具備し、前記ヘッド部は、その上端に基板を支持する基板支持部として機能し、前記ノズル部材を上昇させた搬送位置で前記支持部に対する基板の授受が行われ、かつ処理中には下降位置に位置され、処理後に上昇して基板を前記搬送位置に上昇させることを特徴とする請求項2に記載の液処理装置。
- 前記処理液吐出ノズルと前記ガス吐出ノズルは隣接して設けられ、前記処理液吐出ノズルの処理液吐出口から処理液を吐出する際に、前記ガス吐出ノズルのガス吐出口から乾燥ガスを吐出した際に、処理液のミストを形成可能であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の液処理装置。
- 基板の下方に非回転状態で設けられ、その上面に、処理液を吐出する処理液吐出ノズルおよび乾燥ガスを吐出するガス吐出ノズルを有するノズル部材を有する液処理装置を用いて、基板に処理液を供給して液処理を施す液処理方法であって、
基板を水平にした状態で保持する工程と、
その状態の基板を回転させつつ、前記処理液吐出ノズルから下方から上方に向けて処理液を吐出して基板に液処理を施す工程と、
前記液処理の後、基板を回転させつつ、前記ガス吐出ノズルから、基板に向けて乾燥ガスを吐出するとともに、前記ノズル部材の上面に沿って放射状に乾燥ガスを吐出して基板および前記ノズル部材の上面を乾燥させる工程と
を有することを特徴とする液処理方法。 - 前記液処理は、基板に対して、処理液として薬液を用いた第1の液処理を施し、その後、処理液として純水を用いたリンス処理としての第2の液処理を行い、 前記第2の液処理を行った後、前記処理液ノズルから純水を吐出しつつ前記ガス吐出ノズルから乾燥ガスを吐出して純水のミストを生成して基板裏面に対してミスト処理を施す工程をさらに有することを特徴とする請求項5に記載の液処理方法。
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