TWI435769B - 液體處理裝置及液體處理方法 - Google Patents

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Description

液體處理裝置及液體處理方法
本發明係關於一種對半導體晶圓等基板實施液體處理的液體處理裝置以及液體處理方法。
在半導體裝置的製造程序或平面顯示器(FPD)的製造程序中，多對作為被處理基板的半導體晶圓或玻璃基板供給處理液以進行洗淨或蝕刻等液體處理程序。
習知枚葉式液體處理裝置，係以可旋轉的方式保持半導體晶圓等基板，在讓基板旋轉的狀態下對晶圓的表面或底面供給處理液，以進行液體處理。
習知對基板的底面供給處理液以進行液體處理的裝置，係將基板的底面朝向下側並利用保持構件保持在旋轉夾頭上，並設置從下往上對基板的底面吐出藥液、純水、N2 氣體的非旋轉吐出口，然後一邊讓基板旋轉，一邊從吐出口供給藥液，對基板底面實施液體處理，接著，從吐出口供給純水以實施沖洗處理，之後，從吐出口朝上方吹送N2 氣體，讓基板乾燥(例如專利文獻1)。
然而，由於設有上述吐出口的構件不會旋轉，故在沖洗處理之後若殘留藥液或純水的液滴的話，即使吹送N2 氣體也無法除去液滴，該液滴可能會對接下來的基板處理造成不良的影響。例如，當液滴為藥液時，藥液昇華形成藥液氣體環境，其會對基板造成不良影響。又，如專利文獻2所示的，在利用設有對基板的底面吐出處理液或氣體的噴嘴構件讓基板升降的情況下，附著於噴嘴構件上的液滴會轉印到基板底面上而對基板造成不良影響。
[專利文獻1]日本特開2003-45839號公報
[專利文獻2]日本特開平9-298181號公報
有鑑於相關問題，本發明之目的在於提供一種一邊讓基板旋轉一邊從設置在非旋轉構件上的噴嘴對基板供給處理液以實施既定處理，且能夠抑制液滴殘留在設有噴嘴之構件上的液體處理裝置以及液體處理方法。
為了解決上述問題，本發明的第1態樣提供一種液體處理裝置，其對基板供給處理液以進行液體處理，包含：基板保持機構，其讓基板在底面朝向下側且處於水平的狀態下以能夠旋轉的方式受到保持；旋轉機構，其讓該基板保持機構旋轉；噴嘴構件，其以非旋轉狀態設置在基板的下方，在其表面上設有吐出處理液的處理液吐出噴嘴以及吐出乾燥用氣體的氣體吐出噴嘴；處理液供給機構，其對該處理液吐出噴嘴供給處理液；以及氣體供給機構，其對該氣體吐出噴嘴供給乾燥用氣體；該處理液吐出噴嘴設有向基板吐出處理液的處理液吐出口；該氣體吐出噴嘴設有向基板吐出乾燥用氣體的第1氣體吐出口，以及沿著該噴嘴構件的表面將乾燥用氣體以放射狀的方式吐出的複數第2氣體吐出口，且從該複數第2氣體吐出口吐出該乾燥用氣體，藉以對該噴嘴構件的整個表面吹送該乾燥用氣體，而該第1氣體吐出口及該複數第2氣體吐出口之一位於可將向基板吐出的液體吹散之位置。
在上述第1態樣中，該旋轉機構透過垂直延伸的中空旋轉軸讓該保持機構旋轉；該噴嘴構件包含：前頭部，其設有該處理液吐出噴嘴以及氣體吐出噴嘴；以及通流部，其以在該旋轉軸中垂直延伸的方式設置，且設有從下方對該處理液吐出噴嘴以及氣體吐出噴嘴分別供給處理液以及乾燥用氣體的處理液通流路以及氣體通流路。
又，更包含讓該噴嘴構件升降的升降機構，該前頭部，可在其上端支持基板，具有作為基板支持部的功能，讓該噴嘴構件上升，在搬運位置對該支持部實施基板的傳遞，且在處理中就位於下降位置，在處理後上升，讓基板上升到該搬運位置。
再者，該處理液吐出噴嘴與該氣體吐出噴嘴係相隣設置，在 從該處理液吐出噴嘴的處理液吐出口吐出處理液時，以及在從該氣體吐出噴嘴的氣體吐出口吐出乾燥用氣體時，形成處理液的噴霧。
再者，更可設置對該基板的表面供給高溫乾燥溶劑的乾燥溶劑供給機構。
本發明的第2態樣提供一種液體處理方法，其使用液體處理裝置對基板供給處理液以實行液體處理，該液體處理裝置設有噴嘴構件，該噴嘴構件以非旋轉狀態設置在基板的下方，其表面設有吐出處理液的處理液吐出噴嘴以及吐出乾燥用氣體的氣體吐出噴嘴，該液體處理方法包含：保持步驟，其將基板底面朝向下側並以水平狀態保持基板；液體處理步驟，其讓該狀態的基板旋轉，並從該處理液吐出噴嘴由下往上吐出處理液，以對基板底面實施液體處理；以及乾燥步驟，其在該液體處理之後，讓基板旋轉，並從該氣體吐出噴嘴向基板吐出乾燥用氣體，同時沿著該噴嘴構件的表面以放射狀的方式吐出乾燥用氣體，讓基板的底面以及該噴嘴構件的整個表面乾燥。
在上述第2態樣中，該液體處理可使用藥液作為處理液對基板實施第1液體處理，之後，可使用純水作為沖洗液對基板實施第2液體處理。
又，在實施該第2液體處理之後，更可實施噴霧處理步驟，其從該處理液吐出噴嘴吐出純水並從該氣體吐出噴嘴吐出乾燥用氣體以產生純水的噴霧，對基板底面實施噴霧處理。
再者，更可包含乾燥處理步驟，其在實施讓該基板的底面以及該噴嘴構件的表面乾燥的步驟時，對基板的表面供給高溫的乾燥溶劑，以對基板表面實施乾燥處理。
由於本發明設有噴嘴構件，其以非旋轉狀態設置在基板的下方，在其表面上設有吐出處理液的處理液吐出噴嘴以及吐出乾燥用氣體的氣體吐出噴嘴，氣體吐出噴嘴設有向基板吐出乾燥用氣體的第1氣體吐出口，以及沿著該噴嘴構件的表面以放射狀方式 吐出乾燥用氣體的複數第2氣體吐出口，從第1氣體吐出口吐出乾燥用氣體讓基板底面乾燥，同時從複數第2氣體吐出口以放射狀方式吐出乾燥用氣體，藉以對該噴嘴構件的整個表面吹送該乾燥用氣體，便能夠防止液滴殘留在噴嘴構件的表面上，進而防止液滴的殘留對基板造成不良影響。
以下，參照附圖具體說明本發明的實施形態。
圖1係剖面圖，表示本發明一實施形態之液體處理裝置的概略構造。在此，使用半導體晶圓(以下簡稱為晶圓)作為基板，說明對其底面實施洗淨處理的情形。
該液體處理裝置1包含：處理室(未經圖示)；基底平板2，其作為處理室的基底；旋轉夾頭(基板保持機構)3，其設置在處理室內；旋轉機構4，其讓旋轉夾頭3旋轉；噴嘴構件5，其吐出處理液以及乾燥用氣體；處理液供給機構6，其對噴嘴構件5供給處理液；氣體供給機構7，其對噴嘴構件5供給乾燥用氣體；排液杯狀部8，其擋住排液；高溫IPA供給機構9，其對晶圓W表面供給高溫IPA(異丙醇)作為高溫乾燥溶劑；以及控制部10。
旋轉夾頭3包含：旋轉平板11；旋轉軸12，其連接旋轉平板11的中央部位；支持銷13a，其設置在旋轉平板11的表面上，支持晶圓W從旋轉平板11浮起；以及引導環13，其以圓環狀設置在旋轉平板11的周圍，可引導晶圓W。然後，旋轉夾頭3以底面朝下側的方式將晶圓W保持在水平狀態。保持晶圓W時，由支持銷13a支持，接著讓晶圓W旋轉，此時晶圓W表面與底面之間產生壓力差，藉此保持晶圓W。在此，晶圓W的底面，係未形成晶圓W的裝置的那一面。
旋轉機構4包含：馬達14、馬達14所旋轉的帶輪15、掛在帶輪15與旋轉軸12下端的傳送帶16，馬達1透過帶輪15以及傳送帶16讓旋轉軸12旋轉。
旋轉軸12呈圓筒狀(中空)貫通基底平板2朝下方延伸。在 旋轉平板11的中心部，形成了研缽狀的孔部11a，其連通旋轉軸12內的孔部12a。然後，噴嘴構件5以能夠在孔部12a以及孔部11a內升降的方式設置。
如圖2、圖3所示的，噴嘴構件5，係非旋轉構件，包含：杯狀的前頭部19，其構成支持晶圓W的支持構件；以及通流部18，其朝前頭部19的下方連續，朝垂直下方延伸。然後，在晶圓W接受處理時，通流部18就位於旋轉軸12內的孔部12a的內部，前頭部19就位於孔部11a內。
在通流部18以及前頭部19的內部，以垂直的方式設置處理液通流路18a以及氣體通流路18b。在對應前頭部19的表面的處理液通流路18a的位置上，設置吐出處理液的處理液吐出噴嘴20，在對應氣體通流路18b的位置上設置吐出乾燥用氣體的氣體吐出噴嘴21。然後，從處理液供給機構6供給處理液到處理液通流路18a的下部，處理液從下方通過處理液通流路18a供給到處理液吐出噴嘴20，從氣體供給機構7供給乾燥用氣體到氣體通流路18b的下部，氣體從下方通過氣體通流路18b供給到氣體吐出噴嘴21。
處理液吐出噴嘴20，以與處理液通流路18a連續的方式，形成有將處理液朝上方吐出的處理液吐出口20a。又，氣體吐出噴嘴21，以與氣體通流路18b連續的方式，形成有將乾燥用氣體朝上方吐出的1個第1氣體吐出口21a，以及將乾燥用氣體沿著前頭部19的表面以放射狀方式吐出的複數(在圖中為8個)個第2氣體吐出口21b。
噴嘴構件5兼具作為晶圓升降構件的功能，在構成支持構件的前頭部19的表面上設有3個晶圓支持銷19a。然後，噴嘴構件5的下端透過連接構件22連接氣缸機構23，該氣缸機構23讓噴嘴構件5升降，藉此讓晶圓W升降，以實行晶圓W的裝載以及卸載。
處理液供給機構6包含：處理液供給配管24，其連接噴嘴構件5的處理液通流路18a的下端；藥液容器25，其連接該處理液供給配管24並儲存藥液；開閉閥26，其設置在處理液供給配管 24上；純水供給配管27，其連接處理液供給配管24的開閉閥26的下游側部位並供給純水作為沖洗液；純水供給源28，其連接純水供給配管27並供給純水(DIW)；以及開閉閥29，其設置在純水供給配管27上。然後，藥液儲存容器25所儲存的既定藥液以及純水供給源28的純水(DIW)供給到噴嘴構件5的處理液通流路18a作為處理液。
藥液可使用例如酸性藥液的稀氟酸(DHF)或鹼性藥液的氨與過氧化氫混合液(SC1)等藥液。
氣體供給機構7包含連接噴嘴構件5的氣體通流路18b的下端並從未經圖示之氣體供給部延伸而出的氣體供給配管30，以及設置在該氣體供給配管30上的開閉閥31。然後，將例如N2 氣體經由氣體供給配管30供應給噴嘴構件5的氣體通流路18b作為乾燥用氣體。
排液杯狀部8，在旋轉平板11的外側，以圍繞旋轉平板11所保持的晶圓W的周圍部位的方式設置，具有擋住從晶圓W甩出之排液的功能。排液杯狀部8的底部設有排液口8a，排液口8a連接朝下方延伸的排液配管32。
高溫IPA供給機構9包含：高溫IPA吐出噴嘴33，其可來回掃動，而將高溫IPA吐出到晶圓的表面上；高溫IPA供給配管34，其連接高溫IPA噴嘴33；以及高溫IPA容器35，其連接該高溫IPA供給配管34。高溫IPA供給配管34設有開閉閥36。高溫IPA容器35設有加熱器35a，利用未經圖示的控制部控制加熱器35a的輸出讓高溫IPA容器35內的IPA保持在既定的溫度。高溫IPA使用溫度40℃以上但比沸點低的液體狀物質。
又，在晶圓W的上方，設置藥液吐出噴嘴以及純水吐出噴嘴(均未經圖示)，該等構件透過配管連接藥液容器25以及純水供給源28，可對晶圓W表面供給藥液以及作為沖洗液的純水。
控制部10，如圖4的方塊圖所示的，包含控制部41、使用者介面42、記憶部43。控制部41，由微處理器(電腦)所構成，控制液體處理裝置1的各構造部，例如開閉閥26、29、31、36、馬 達14、氣缸機構23等。使用者介面42，連接控制部41，由讓操作者輸入指令以管理液體處理裝置1的鍵盤，以及顯示液體處理裝置1的運作狀況的顯示器等構件所構成。記憶部43亦連接控制部41，其中儲存用來控制液體處理裝置1的各構造部的程式，或用來讓液體處理裝置1實行既定處理的程式，亦即處理指令群。處理指令群儲存在記憶部43之中的記憶媒體(未經圖示)。記憶媒體，可以使用硬碟等固定式的記憶媒體，也可以使用CDROM、DVD、快閃記憶體等可攜帶式的記憶媒體。又，亦可從其他裝置，例如透過適當的專用線路傳送過來。然後，控制部41，因應需要，根據使用者介面42的指示從記憶部43讀取既定的處理指令群並執行，在控制部41的控制下，實行既定的處理。
接著，說明利用該等藥液體處理裝置1對晶圓W底面實施洗淨處理的動作。
圖5~圖12係實施該等洗淨處理時的動作說明圖。
首先，如圖5所示的，讓噴嘴構件5上升，在該狀態下，從未經圖示的搬運臂將晶圓W傳遞到前頭部19的支持銷19a上。接著，如圖6所示的，讓噴嘴構件5下降，利用引導構件13定位，在受到支持銷13a支持而從旋轉平板11浮起的狀態下支持晶圓W。
在該狀態下，如圖7所示的，旋轉機構4讓旋轉夾頭3與晶圓W一起旋轉，從設置在噴嘴構件5的處理液吐出噴嘴20上的吐出口20a吐出藥液，供給到晶圓W的底面以進行洗淨處理。此時晶圓W的轉速為800~1000rpm左右。
該等藥液洗淨處理終了後，將藥液的供給停止，如圖8所示的，一邊讓晶圓W以800~1000rpm左右的轉速旋轉，一邊同樣從處理液吐出噴嘴20的吐出口20a吐出用來當作沖洗液的純水(DIW)，供應給晶圓W的底面以進行沖洗處理。
之後，如圖9所示的，維持晶圓W的旋轉，在純水持續吐出的狀態下，從設置在噴嘴構件5的氣體吐出噴嘴21上的第1吐出口21a以及第2吐出口21b吐出乾燥用氣體，例如N2 氣體。此時， 處理液吐出噴嘴20以及氣體吐出噴嘴21係相隣設置，故從處理液吐出口20a朝上方吐出的純水大部份會被從第2吐出口21b沿著前頭部19的表面吐出的乾燥用氣體吹散而形成純水噴霧。藉此，噴霧被供應到前頭部19的表面，前頭部19的表面被噴霧洗淨。然而，當前頭部19的表面沒有洗淨的必要時，便無須一邊吐出純水一邊吹送乾燥用氣體。
之後，一邊讓晶圓W以800~1000rpm左右的轉速，例如與實施噴霧洗淨時相同的轉速旋轉，一邊將純水的供給停止，並繼續供給乾燥用氣體以進行乾燥處理。
此時，若只是想要讓晶圓W的底面乾燥的話，如圖10所示的，可以僅使用讓氣體吐出噴嘴21的吐出口朝上方吐出的第1吐出口21a即可，惟此時，由於幾乎不對前頭部19的表面供給乾燥用氣體，故前頭部19的表面無法乾燥得很徹底，而會殘留液滴。
於是，在本實施形態中，如圖11所示的，氣體吐出噴嘴21除了第1噴嘴孔21a之外，更設置將乾燥用氣體沿著前頭部19的表面以放射狀方式吐出的複數(在本實施例中係8個)第2噴嘴21b，從該第2噴嘴21b吐出乾燥用氣體，以對前頭部19的整個表面吹送乾燥用氣體，便能夠有效地將附著液滴吹走，使其乾燥，直到前頭部19的表面幾乎不存在液滴。
當對晶圓W的表面實施洗淨處理時，在晶圓W底面進行藥液體處理以及沖洗處理期間，在讓晶圓W旋轉的狀態下，從設置在晶圓W表面上方的藥液吐出噴嘴(未經圖示)吐出藥液以對晶圓W表面實施藥液體處理，之後，從純水吐出噴嘴(未經圖示)吐出純水以對晶圓W表面實施沖洗處理。
然後，在上述進行晶圓W底面與噴嘴構件5的前頭部19的表面的乾燥處理的期間，一邊讓高溫IPA噴嘴33來回掃動，一邊從高溫IPA噴嘴33對晶圓W的表面供給高溫的IPA，以對晶圓W表面實施乾燥處理。
在如上所述的乾燥處理之後，讓晶圓W以500~1000rpm左右的轉速旋轉，將其甩乾，之後，停止晶圓W的旋轉，如圖12 所示的，讓噴嘴構件5上升，利用前頭部19讓晶圓W上升，並利用未經圖示的搬運臂將晶圓W送出。
又，本發明，並非僅限於上述實施形態，可以有各種變化實施態樣。例如，在上述實施形態中，氣體吐出噴嘴21的第2吐出口21b的數量係8個，惟並非以此為限，只要能夠有效地除去設有噴嘴的構件亦即噴嘴構件5(前頭部19)的表面上的液滴即可，其並無特別限制。
又，上述實施形態係使用稀氟酸或硫酸與過氧化氫水溶液等藥液作為處理液並使用純水作為沖洗液以進行洗淨處理，惟並非以此為限，亦可應用於使用其他各種不同的處理液以進行各種不同的液體處理的情況。
再者，上述實施形態係使用半導體晶圓作為被處理基板，惟亦可應用於以液晶顯示裝置(LCD)用玻璃基板作為代表的平面顯示器(FPD)用基板或其他種類的基板，自不待言。
1‧‧‧藥液體處理裝置
2‧‧‧基底平板
3‧‧‧旋轉夾頭
4‧‧‧旋轉機構
5‧‧‧噴嘴構件
6‧‧‧處理液供給機構
7‧‧‧氣體供給機構
8‧‧‧排液杯狀部
8a‧‧‧排液口
9‧‧‧高溫IPA供給機構
10‧‧‧控制部
11‧‧‧旋轉平板
11a‧‧‧孔部
12‧‧‧旋轉軸
12a‧‧‧孔部
13‧‧‧引導環
13a‧‧‧支持銷
14‧‧‧馬達
15‧‧‧帶輪
16‧‧‧傳送帶
18‧‧‧通流部
18a‧‧‧處理液通流路
18b‧‧‧氣體通流路
19‧‧‧前頭部
19a‧‧‧晶圓支持銷
20‧‧‧處理液吐出噴嘴
20a‧‧‧處理液吐出口
21‧‧‧氣體吐出噴嘴
21a‧‧‧第1的氣體吐出口
21b‧‧‧第2的氣體吐出口
22‧‧‧連接構件
23‧‧‧氣缸機構
24‧‧‧處理液配管
25‧‧‧藥液容器
26、29、31、36‧‧‧開閉閥
27‧‧‧純水配管
28‧‧‧純水供給源
30‧‧‧氣體供給配管
32‧‧‧排液配管
33‧‧‧高溫IPA吐出噴嘴
34‧‧‧高溫IPA供給配管
35‧‧‧高溫IPA容器
35a‧‧‧加熱器
41‧‧‧控制部
42‧‧‧使用者介面
43‧‧‧記憶部
W‧‧‧半導體晶圓(基板)
圖1係剖面圖，表示本發明一實施形態之液體處理裝置的概略構造。
圖2係用於圖1之液體處理裝置的噴嘴構件的剖面圖。
圖3係用於圖1之液體處理裝置的噴嘴構件的俯視圖。
圖4係方塊圖，表示設置在圖1之液體處理裝置上的控制部的構造。
圖5係圖1的液體處理裝置傳遞晶圓時的狀態圖。
圖6係表示在圖1的液體處理裝置中將晶圓裝設在旋轉夾頭上的狀態圖。
圖7係表示在圖1的液體處理裝置中實施藥液體處理的狀態圖。
圖8係表示在圖1的液體處理裝置中實施沖洗處理的狀態圖。
圖9係表示在圖1的液體處理裝置中實施噴霧處理的狀態圖。
圖10係表示利用習知氣體吐出噴嘴將乾燥用氣體吐出以進行 乾燥處理的狀態圖。
圖11係表示在圖1的液體處理裝置中將乾燥用氣體吐出以進行乾燥處理的狀態圖。
圖12係表示在圖1的處理裝置中為了將晶圓送出而使其上升的狀態圖。
5．．．噴嘴構件
18．．．通流部
18a．．．處理液通流路
18b．．．氣體通流路
19．．．前頭部
19a．．．晶圓支持銷
20．．．處理液吐出噴嘴
20a．．．處理液吐出口
21．．．氣體吐出噴嘴
21a．．．第1的氣體吐出口
21b．．．第2的氣體吐出口

Claims (6)

  1. 一種液體處理裝置，其對基板供給處理液以實施液體處理，包含：基板保持機構，其以在水平狀態下可旋轉的方式保持基板；旋轉機構，其讓該基板保持機構旋轉；噴嘴構件，其以非旋轉狀態設置在基板的下方，在其表面上設有吐出處理液的處理液吐出噴嘴以及吐出乾燥用氣體的氣體吐出噴嘴；處理液供給機構，其對該處理液吐出噴嘴供給處理液；以及氣體供給機構，其對該氣體吐出噴嘴供給乾燥用氣體；該處理液吐出噴嘴設有向基板吐出處理液的處理液吐出口；該氣體吐出噴嘴設有向基板吐出乾燥用氣體的第1氣體吐出口，以及沿著該噴嘴構件的表面以放射狀方式吐出乾燥用氣體的複數第2氣體吐出口，且從該複數第2氣體吐出口吐出該乾燥用氣體，藉以對該噴嘴構件的整個表面吹送該乾燥用氣體，而該第1氣體吐出口及該複數第2氣體吐出口之一位於可將向基板吐出的液體吹散之位置。
  2. 如申請專利範圍第1項之液體處理裝置，其中，該旋轉機構透過垂直延伸的中空旋轉軸讓該保持機構旋轉；該噴嘴構件設有前頭部與通流部；該前頭部設有該處理液吐出噴嘴以及氣體吐出噴嘴；該通流部設有處理液通流路以及氣體通流路；該處理液通流路以及氣體通流路以垂直延伸的方式設置在該旋轉軸之中，並從下方對該處理液吐出噴嘴以及氣體吐出噴嘴分別供給處理液以及乾燥用氣體。
  3. 如申請專利範圍第2項之液體處理裝置，其中，更包含讓該噴嘴構件升降的升降機構；該前頭部，其上端可支持基板，具備作為基板支持部的功能； 讓該噴嘴構件上升到搬運位置，對該支持部傳遞基板，在處理中就位於下降位置，在處理後上升，讓基板上升到該搬運位置。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之液體處理裝置，其中，該處理液吐出噴嘴與該氣體吐出噴嘴係隣接設置，在從該處理液吐出噴嘴的處理液吐出口吐出處理液並從該氣體吐出噴嘴的氣體吐出口吐出乾燥氣體時，可形成處理液的噴霧。
  5. 一種液體處理方法，其使用液體處理裝置對基板供給處理液以實施液體處理，該液體處理裝置設有噴嘴構件，該噴嘴構件以非旋轉狀態設置在基板的下方，在其表面上設有吐出處理液的處理液吐出噴嘴以及吐出乾燥用氣體的氣體吐出噴嘴，該液體處理方法包含：保持步驟，其以水平狀態保持基板；液體處理步驟，其讓該狀態的基板旋轉，並從該處理液吐出噴嘴由下方向上方吐出處理液以對基板實施液體處理；以及乾燥步驟，其在該液體處理之後，讓基板旋轉，並從該氣體吐出噴嘴向基板吐出乾燥用氣體，同時沿著該噴嘴構件的表面以放射狀的方式吐出乾燥用氣體，讓基板以及該噴嘴構件的整個表面乾燥。
  6. 如申請專利範圍第5項之液體處理方法，其中，該液體處理，係使用藥液作為處理液對基板實施第1液體處理，之後使用純水作為沖洗液對基板實施第2液體處理；在實施該第2液體處理之後，更實施噴霧處理步驟，其從該處理液吐出噴嘴吐出純水並從該氣體吐出噴嘴吐出乾燥用氣體以產生純水的噴霧，進而對基板底面實施噴霧處理。
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